JP6775822B2 - 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 - Google Patents

脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 Download PDF

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Description

本発明は、分断用レーザビームを用いたガラス等の脆性材料基板の分断方法並びに分断装置に関する。
従来から基板に対して透過性を有する(透明な)パルスレーザビームを照射して内部改質層を形成する「ステルスダイシング」と称されるレーザ加工技術が利用されている(特許文献1参照)。このレーザ加工技術では、分断すべき領域の基板内部に焦点を合わせてパルスレーザビームを照射して改質し、これをストリート(分断予定ライン)に沿って連続的に行うことで改質層を形成する。そして、強度が低下した改質層に沿って外力を加えることにより分断している。
また、近年、パルス幅(パルス持続時間)がナノ秒(ns)、ピコ秒(ps)の分断用レーザビームの研究および開発が進んだ結果、個々のパルスが分割されたバースト列(バーストパルス光)として発振される「バーストモード」と称される分断用レーザビームを照射して基板の内部改質を行うレーザ加工技術も利用されている(特許文献2参照)。
すなわち、基板に対し透過性を有する波長のレーザを用いて、そのパルスレーザビームの繰り返し周波数やパルス幅が加工に適した分断用レーザビームとなるように調整し、基板内部に集光点を合わせて照射することでアブレーションを生じさせることなく改質層を形成することができる。このレーザ加工技術では、調整されたパルス幅を有する分断用レーザビームをそのまま照射するのではなく、個々のパルスを複数(例えば2〜10個)の微細パルス幅からなるバーストパルス光(バースト列)に分割された状態で発振させて照射するようにしている。
例えば、パルス光生成手段によって、繰り返し周波数100kHz(10μ秒(μs)周期でパルスを生成)かつパルス幅200nsの分断用レーザビームが、パルス光エネルギー10μJで生成される際に、バーストパルス光形成手段によりこの分断用レーザビームを微細パルス幅が1nsの10個のバーストパルス光(バースト列)に分割された状態で発振させる。この場合、バーストパルス光のピークパワーは、理論的には平均で(10μJ/10個)/1ns=1kWとなるが、各バーストパルス光のピークパワーは相互に同等にすることも、相互に異ならせること(例えば、各バーストパルス光のピークパワーを順次大きくしていくこと、順次小さくしていくこと等)もできる。
そして、シリコン基板に対し透過性を有する波長(例えば1064nm)であって改質に適したパルス幅のパルスレーザビームを、このような複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光として発振させ、集光器によりバーストパルス光の集光点を基板の厚み方向中央部に合わせ、シリコン基板に「バーストモード」として照射を行う。これにより、被加工物におけるレーザ入射面と反対面側への抜け光が反対面へ与えるダメージを抑制することができるようになり、この反対面上に予め形成されているデバイスへのダメージを抑制できることが開示されている。
また、分断用レーザビームのバースト列(バーストパルス光)を利用して基板を劈開する加工方法として、他の文献では基板内に「フィラメント」を形成して加工するレーザ加工技術が開示されている。すなわち、対物レンズにより集束された集束レーザビームを基板に照射して、長さが数百ミクロンまたは数ミリメートルの「レーザフィラメント」(以下「フィラメント」と略す)と称する、レーザエネルギーを蓄積させた長く狭いチャネルを基板内に形成し、基板を並進して直線状あるいは曲線状にフィラメントを移動することでフィラメントトラックを刻んで加工することが特許文献3に開示されている(特に0035、0039欄)。同文献ではこの加工方法が適用可能な基板材料として、ガラス、半導体、透明セラミックス、ポリマ、透明導体、広バンドギャップガラス、水晶、結晶石英、ダイヤモンド、およびサファイアが記載されている。
また、上記特許文献3に記載の「レーザフィラメント」をさらに空間的に拡張し、空間的に同質なフィラメントを長く形成する改良方法が特許文献4に開示されている。
同文献によれば、特許文献3では超高速パルスレーザビームのバーストからなる入射レーザビームが「集束レンズ」によって基板内部で集束されて、基板内部で数百ミクロン程度のフィラメントを形成できることが開示されているとしている。
特許第3408805号公報 特開2014−104484号公報 特表2013−536081号公報 特開2015−037808号公報
上記特許文献3、4で示されている「レーザフィラメント」によって強度の弱くなった改質層が形成されたガラス基板を分断するには、改質層に沿ってブレイクバーを押し付けて基板を機械的に撓ませることにより分断する方法がとられている。この際、改質層を形成した分断予定ラインが直線の場合は分断予定ラインに沿ってきれいに分断することができるが、図7(a)に示すように分断予定ラインSが角部に円弧S1を有する四角形状の場合や、図7(b)に示すように直線状の分断予定ラインSの中間に円弧状の凸部S2がある場合には、円弧S1や凸部S2の領域を分断予定ラインSに沿って均等に撓ませることが困難となり、きれいに分断することができない。
そこで、ブレイクバーによる機械的分断手段に代えて、COレーザを改質層に照射して加熱による圧縮応力によって分断する方法も考えられる。
しかし、COレーザによるブレイクでは、レーザビームを改質層に照射してスキャンしたとき、図8に示すようにレーザ照射ポイントPよりレーザ進行方向前方側に小さな割れKが先行して発生する傾向がある。この現象は、分断予定ラインSが直線の場合は問題がないが、円弧の場合は円弧の接線方向に割れが先行するので、図9(a)に示すように亀裂K1が先走るなどしてきれいに分断することができない。特に円弧の半径が5mm以下の場合は分断がより困難となる。また、図9(b)に示すように直線の分断予定ラインSの中間に円弧状の凸部S2がある場合には、凸部S2の底辺を横切るように亀裂K2が生じるなどして歩留まりが悪くなるといった問題点があった。
そこで本発明は、パルスレーザビームのバーストを含む収差レーザビームと、COレーザなどの分断用レーザビームを利用して、脆性材料基板を精度よくきれいに分断することのできる分断方法並びに分断装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するためになされた本発明の脆性材料基板の分断方法は、パルスレーザビームのバーストを含むレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを透過させて収差レーザビームに生成し、前記収差レーザビームを脆性材料基板の分断予定ラインに沿ってスキャンして改質層(通常、強度が低下した改質層)を形成し、この改質層に沿って分断用レーザビームを照射するとともに、これに追随して当該分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側(好ましくは進行方向前方側を含む周辺)を冷却(例えば、冷却媒体の吹き付けによって冷却)することにより前記脆性材料基板を分断予定ラインに沿って分断するようにしている。
本発明の分断方法においては、収差レーザビームの最も集束する最集束部を脆性材料基板の厚みの中間位置に合わせてスキャンすることが好ましい。ここで、収差レーザビームの最集束部は、収差レーザビームの照射方向に沿って、ビームプロファイル(強度分布)を測定したときに、ビームプロファイルのピークパワーが最も高くなる位置(収差レーザビームの照射方向に沿った位置)を意味する。また、分断用レーザビームとしては、波長10.6μmのCOレーザビームや、波長1064nmのNd;YAGレーザビームが好ましい。
また、別の観点からなされた本発明の脆性材料基板の分断装置においては、脆性材料基板を載置するテーブルと、光源から出射されたパルスレーザビームのバーストを含んだレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを介して収差レーザビームに生成する収差レーザビーム発光部材と、前記収差レーザビーム発光部材を、前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる収差レーザビーム発光部材移動機構と、前記収差レーザビームが照射された前記分断予定ラインに沿って分断用レーザビームを照射する分断用レーザビーム発光部材と、前記分断用レーザビームの照射ポイントのレーザビーム進行方向前方側(好ましくは進行方向前方側を含む周辺)を冷却する冷媒噴射部材と、前記分断用レーザビーム発光部材並びに冷媒噴射部材を前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる分断用レーザビーム発光部材移動機構とからなる構成とした。
本発明は上記のごとく構成されているので、収差レーザビームにより形成された改質層のラインに沿って分断用レーザビームを照射しながら移動させることにより、ガラス基板等の脆性材料基板を分断予定ラインに沿って完全分断することができる。このとき、分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側(好ましくは進行方向前方側を中心に照射ポイントの周辺)が冷却されるので、照射ポイントの部位で生じる熱応力、すなわち、加熱による圧縮応力と、冷却による引張応力を効果的に高めることができ、これにより、レーザ進行方向前方側での割れを生じさせることなく、照射ポイントの部位のみを効果的に分断することができる。したがって、分断予定ラインが、角部に円弧を有する四角形状であったり、直線状の分断予定ラインの途中に湾曲した凸部を有するような複雑な形状であったりしても、円弧の接線方向に先走る亀裂や、凸部の底辺を横切る亀裂等を生じさせることなく、分断予定ラインに沿ってきれいに分断することができるといった効果がある。
本発明において、前記収差生成レンズは平凸レンズで形成するのがよい。この場合、レーザビームを平凸レンズの平面側から入射させることにより、凸面側から収差レーザビームを出射させることができる。
さらに、本発明において、前記収差レーザビームの光源が波長0.7〜2.5μm(例えば、Nd:YAGレーザの基本波)の近赤外レーザであり、かつ、パルス幅が100ピコ秒以下のレーザビームのバーストを用いるようにしてもよい。
本発明に係る分断装置の概略的な説明図。 本発明における収差レーザビーム発光部材の光学系を示すブロック図。 収差レーザビームの集束状態を示す拡大説明図。 パルスレーザビームのバーストのプロファイルを示す概念図。 本発明における分断加工工程の第一段階を示す説明図。 本発明における分断加工工程の第二段階を示す説明図。 分断予定ラインの形状の一例を示す平面図。 COレーザビームによる分断時の割れの発生を説明するための平面図。 図7で示した分断予定ラインでの亀裂の発生を説明するための平面図。
以下において、本発明の詳細を図に示した実施例に基づき説明する。
図1は本発明に係るスクライブ装置(分断装置)Aを示す図である。
スクライブ装置Aには、左右の支柱1、1にX方向に沿ったガイド2を備えた水平なビーム(横梁)3が設けられている。このビーム3のガイド2には、収差レーザビーム発光部材4を備えたスクライブヘッド5と、分断用レーザビーム発光部材6および冷却部材(冷却媒体)7を備えたスクライブヘッド8とがモータM1によりX方向に移動できるように取り付けられている。加工対象となる脆性材料基板Wを載置して吸着保持するテーブル9は、縦軸を支点とする回動機構10を介して台盤11上に保持されており、台盤11は、モータM2によって駆動するスクリューネジ12によってY方向(図1における前後方向)に移動できるように形成されている。なお、本実施例では、収差レーザビーム発光部材4と分断用レーザビーム発光部材6とは個別のスクライブヘッド5、8に振り分けて取り付けられているが、共通のスクライブヘッドに取り付けるようにしてもよい。
スクライブヘッド5に取り付けられた収差レーザビーム発光部材4は、図2に示すように、パルス幅(パルス持続時間)が100ピコ秒以下、好ましくは50ピコ秒以下(通常は1ピコ秒以上)、ここでは15ピコ秒のパルスレーザビームを出射する光源4aと、この光源4aから発振されたパルスレーザビームを分割されたバースト列の集合として出射させる光変調器4bと、この光変調器4bから出射されたレーザビームL1に収差を生じさせる収差生成レンズ4cとを備える。
なお、光源4aには波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザを使用することができる。
また、パルスレーザビームのバースト列を出射させる光変調器4bについては、例えば特表2012−515450号公報に開示されており、ここでは公知の光変調器を利用してパルスレーザビームのバースト列を出射するものとし、詳細については説明を省略する。
光変調器4bから出射されたレーザビームL1に収差を生じさせるために用いる収差生成レンズ4cは、特に限定されるものではないが、ここでは焦点を光軸方向に分散させ、通過したレーザビームL1を軸方向にぼやけた焦点を結ぶように集束させて収差を生じさせる平凸レンズを利用している。この平凸レンズを通過したレーザビームL1は、焦点が分散した収差レーザビームL2となる。レーザビームL1を平凸レンズの平面側から入射させることによって、凸面側から収差レーザビームL2を出射させることができる。
パルスレーザビームのバースト列から生成された収差レーザビームL2は、図3(a)に示すように、収差生成レンズ4cで集束させることによりレーザエネルギーを各焦点部fで蓄積させた狭くて長い高エネルギー分布領域Fを形成することができる。この高エネルギー分布領域Fを模式的に拡大した図を図3(b)に示す。このような高エネルギー分布領域Fの形成によって、加工対象物である脆性材料基板Wとして、例えばソーダガラス基板の表面に照射したときに、加工対象基板Wの被照射面から内部深くまで強度の弱くなった改質層を加工することができる。
もう一方のスクライブヘッド8に取り付けられた分断用レーザビーム発光部材6から出射される分断用レーザビームL3(図6参照)には、加熱による圧縮力によって強度の弱くなった改質層を完全分断することのできるレーザビームが用いられる。本実施例では、この分断用レーザビームL3として波長10.6μmのCOレーザビームを使用した。なお、COレーザビームに代えて、波長0.7〜10μmのIRレーザビーム等を用いることもできる。また、冷却部材7から噴射される冷媒として、冷却エアや噴霧状の水などを用いることができる。
次に、上記のスクライブ装置Aを用いた本発明に係る脆性材料基板Wの分断方法について、図1〜6を参照しつつ以下に説明する。本実施例では、加工対象となる脆性材料基板Wとして、厚み1.8mmのソーダガラス基板を用いた。
まず、図5、6に示すように、テーブル9上に基板Wを載置し、収差レーザビーム発光部材4から出射される収差レーザビームL2を基板Wに向かって照射しながら、スクライブヘッド5とガイド2による収差レーザビーム発光部材移動機構により基板Wの分断予定ラインSに沿って移動させる。このとき、収差レーザビームL2の集束部における高エネルギー分布領域Fが基板Wの厚みの中間位置となるようにする。これにより、基板Wの被照射面から内部の深くまで、分断予定ラインSに沿って改質層(通常は、強度が弱くなった改質層)を加工することができる。
ここで、バーストを含む収差レーザビームL2(パルスレーザビームのバースト列)の好ましい実施条件の一例を下記に示す。

レーザ出力 : 19.4W
繰り返し周波数 : 32.5kHz
パルス幅 : 15ピコ秒
パルス間隔(レーザパルスの基板上での照射スポットの照射間隔): 4μm
バースト : 4パルス
パルスエネルギー : 155μJ/1バースト
走査速度 : 130mm/s

なお、加工深さや加工状態は、上記したレーザ出力、繰り返し周波数、パルス幅、バースト数やパルス間隔、収差等の調整により容易にコントロールすることができる。
図4はパルスレーザビームのバースト列を示す模式図である。1つ1つのパルスレーザビームが分割された4つの微細パルスpが形成され、これが繰り返し周波数ごとに間欠的に照射される。
上記のようにして、基板Wに対し分断予定ラインSに沿って強度の弱くなった改質層を加工した後、図6(a)に示すように、改質層を加工した分断予定ラインSに向かって分断用レーザビーム発光部材6からCOレーザビームL3を照射しながら、スクライブヘッド8並びにガイド2を含む分断用レーザビーム発光部材移動機構により分断予定ラインSに沿って移動させる。同時に、COレーザビームL3の照射ポイントPの進行方向前方側に向かって冷却部材7から冷媒を噴射する。図6(b)は、基板Wに対するCOレーザビームL3の照射ポイントPの部位を上面から見た平面図であって、冷却部材7による冷却領域を符号Bで示す。冷却領域Bは冷媒の飛散によってレーザビームの照射ポイントPの進行方向前方側を冷却する(好ましくは照射ポイントPの進行方向前方側を中心に照射ポイントPの周辺を取り巻く)ように形成される。
このようにして、改質層を加工した分断予定ラインSに沿ってCOレーザビームL3を照射しながら移動させることにより、熱応力によって基板Wが分断予定ラインSに沿って完全分断される。このとき、COレーザビームL3の照射ポイントPの進行方向前方側(好ましくは照射ポイントPの進行方向前方側を中心に照射ポイントPの周辺)が冷却されるので、照射ポイントPの部位で生じる熱応力、すなわち、加熱による圧縮応力と、冷却による引張応力を効果的に高めることができ、これにより、先に図8で述べたような、レーザ進行方向前方側での割れKを生じさせることなく、照射ポイントPの部位のみを効果的に分断することができる。したがって、例えば、図9(a)に示すように分断予定ラインSが、角部に円弧S1を有する四角形状の場合や、図9(b)に示すように直線状の分断予定ラインSの中間に円弧状凸部S2を有する場合であっても、円弧の接線方向に先走る亀裂K1や、凸部S2の底辺を横切る亀裂K2を生じさせることなく、分断予定ラインSに沿ってきれいに分断することができる。
また、COレーザビームL3の照射ポイントPの進行方向前方側(好ましくは照射ポイントPの進行方向前方側を中心にその周辺)を冷却することによって熱応力を高めることができるので、COレーザビームL3の出力を下げても分断することが可能となり、消費電力を軽減することができる。
以上、本発明の代表的な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態のみに特定されるものでない。例えば、上記実施例では、収差レーザビームの照射によって全ての分断予定ラインに改質層を形成した後、COレーザビームなどの分断用レーザビームを改質層に照射して分断するようにしたが、収差レーザビームの照射に追随して分断用レーザビームを照射するようにしてもよい。その他本発明では、本発明の目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正および変更することが可能である。
本発明は、ガラス基板等の脆性材料基板を分断する際に利用することができる。
A スクライブ装置(分断装置)
B 冷却領域
F 高エネルギー分布領域
K 割れ
L1 レーザビーム
L2 収差レーザビーム
L3 分断用レーザビーム(COレーザビーム)
P 分断用レーザビームの照射ポイント
S 分断予定ライン
W 脆性材料基板
2 ガイド
4 収差レーザビーム発光部材
4a 光源
4b 光変調器
4c 収差生成レンズ
5 スクライブヘッド
6 分断用レーザビーム発光部材
7 冷却部材(冷却媒体)
8 スクライブヘッド
9 テーブル

Claims (6)

  1. 脆性材料基板を載置するテーブルと、
    光源から出射されたパルスレーザビームのバーストを含んだレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを介して収差レーザビームに生成する収差レーザビーム発光部材と、
    前記収差レーザビーム発光部材を、前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる収差レーザビーム発光部材移動機構と、
    前記収差レーザビームが照射された前記分断予定ラインに沿って分断用レーザビームを照射する分断用レーザビーム発光部材と、
    前記分断用レーザビームの照射ポイントのレーザビーム進行方向前方側を冷却する冷媒噴射部材と、
    前記分断用レーザビーム発光部材並びに冷媒噴射部材を前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる分断用レーザビーム発光部材移動機構とからなる脆性材料基板の分断装置であって、
    前記テーブルの左右に配置された支柱にガイドを備えた水平なビームが設けられ、
    前記ガイドには、前記収差レーザビーム発光部材を備えたスクライブヘッドと、
    分断用レーザビーム発光部材および冷却部材を備えたスクライブヘッドとが、ガイドに沿って移動できるように取り付けられ、
    前記収差レーザビームが波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザビームであり、
    前記分断用レーザビームがCO レーザビームである分断装置。
  2. 前記冷媒噴射部材が前記分断用レーザビームの照射ポイントのレーザビーム進行方向前方側を含む周辺を冷却する請求項に記載の脆性材料基板の分断装置。
  3. 請求項1に記載の脆性材料基板の分断装置を使用した脆性材料基板の分断方法であって、
    パルスレーザビームのバーストを含むレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを透過させて収差レーザビームに生成し、
    前記収差レーザビームを脆性材料基板の分断予定ラインに沿ってスキャンして改質層を形成し、
    この改質層に沿って分断用レーザビームを照射するとともに、これに追随して当該分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側を冷却することにより前記脆性材料基板を分断予定ラインに沿って分断することを特徴とする脆性材料基板の分断方法。
  4. 前記分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側を含む周辺を冷却媒体の吹き付けによって冷却する請求項に記載の脆性材料基板の分断方法。
  5. 前記収差レーザビームの光源が波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザであり、かつ、パルス幅が100ピコ秒以下のレーザビームのバーストを用いる請求項またはに記載の脆性材料基板の分断方法。
  6. 前記分断用レーザビームが、波長10.6μmのCOレーザビームである請求項のいずれかに記載の脆性材料基板の分断方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7139037B2 (ja) * 2018-05-11 2022-09-20 株式会社ディスコ チップの製造方法
CN111908780A (zh) * 2019-05-10 2020-11-10 塔工程有限公司 划线装置及其控制方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2002100590A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Sony Corp 割断装置及びその方法
WO2003008352A1 (en) 2001-07-18 2003-01-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Device and method for scribing fragile material substrate
TWI341242B (en) * 2007-07-31 2011-05-01 Nat Applied Res Laboratories Device for cutting brittle material
JP5060880B2 (ja) * 2007-09-11 2012-10-31 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断装置および分断方法
JP2010023071A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 貼り合わせ基板の端子加工方法
US9296066B2 (en) 2010-07-12 2016-03-29 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of material processing by laser filamentation
JP5104919B2 (ja) 2010-07-23 2012-12-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5361916B2 (ja) 2011-02-04 2013-12-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザスクライブ方法
RU2479496C2 (ru) * 2011-03-25 2013-04-20 Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины" Способ разделения хрупких неметаллических материалов под действием термоупругих напряжений
JP5879106B2 (ja) * 2011-11-25 2016-03-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のスクライブ方法
JP6255147B2 (ja) * 2011-12-28 2017-12-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 分断装置および被加工物の分断方法
JP2015171955A (ja) * 2012-07-11 2015-10-01 旭硝子株式会社 湾曲板の製造方法
JP2014104484A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
EP2781296B1 (de) * 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US20150034613A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
JP6504686B2 (ja) 2013-09-20 2019-04-24 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法
US11053156B2 (en) * 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US10252507B2 (en) * 2013-11-19 2019-04-09 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy
CN105436712B (zh) * 2015-12-07 2017-12-12 武汉铱科赛科技有限公司 一种脆性半导体材料的脆性裂片方法及***

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