JP6775822B2 - 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 - Google Patents
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Description
すなわち、基板に対し透過性を有する波長のレーザを用いて、そのパルスレーザビームの繰り返し周波数やパルス幅が加工に適した分断用レーザビームとなるように調整し、基板内部に集光点を合わせて照射することでアブレーションを生じさせることなく改質層を形成することができる。このレーザ加工技術では、調整されたパルス幅を有する分断用レーザビームをそのまま照射するのではなく、個々のパルスを複数(例えば2〜10個)の微細パルス幅からなるバーストパルス光(バースト列)に分割された状態で発振させて照射するようにしている。
そして、シリコン基板に対し透過性を有する波長(例えば1064nm)であって改質に適したパルス幅のパルスレーザビームを、このような複数の微細パルス幅からなるバーストパルス光として発振させ、集光器によりバーストパルス光の集光点を基板の厚み方向中央部に合わせ、シリコン基板に「バーストモード」として照射を行う。これにより、被加工物におけるレーザ入射面と反対面側への抜け光が反対面へ与えるダメージを抑制することができるようになり、この反対面上に予め形成されているデバイスへのダメージを抑制できることが開示されている。
同文献によれば、特許文献3では超高速パルスレーザビームのバーストからなる入射レーザビームが「集束レンズ」によって基板内部で集束されて、基板内部で数百ミクロン程度のフィラメントを形成できることが開示されているとしている。
しかし、CO2レーザによるブレイクでは、レーザビームを改質層に照射してスキャンしたとき、図8に示すようにレーザ照射ポイントPよりレーザ進行方向前方側に小さな割れKが先行して発生する傾向がある。この現象は、分断予定ラインSが直線の場合は問題がないが、円弧の場合は円弧の接線方向に割れが先行するので、図9(a)に示すように亀裂K1が先走るなどしてきれいに分断することができない。特に円弧の半径が5mm以下の場合は分断がより困難となる。また、図9(b)に示すように直線の分断予定ラインSの中間に円弧状の凸部S2がある場合には、凸部S2の底辺を横切るように亀裂K2が生じるなどして歩留まりが悪くなるといった問題点があった。
本発明の分断方法においては、収差レーザビームの最も集束する最集束部を脆性材料基板の厚みの中間位置に合わせてスキャンすることが好ましい。ここで、収差レーザビームの最集束部は、収差レーザビームの照射方向に沿って、ビームプロファイル(強度分布)を測定したときに、ビームプロファイルのピークパワーが最も高くなる位置(収差レーザビームの照射方向に沿った位置)を意味する。また、分断用レーザビームとしては、波長10.6μmのCO2レーザビームや、波長1064nmのNd;YAGレーザビームが好ましい。
さらに、本発明において、前記収差レーザビームの光源が波長0.7〜2.5μm(例えば、Nd:YAGレーザの基本波)の近赤外レーザであり、かつ、パルス幅が100ピコ秒以下のレーザビームのバーストを用いるようにしてもよい。
図1は本発明に係るスクライブ装置(分断装置)Aを示す図である。
スクライブ装置Aには、左右の支柱1、1にX方向に沿ったガイド2を備えた水平なビーム(横梁)3が設けられている。このビーム3のガイド2には、収差レーザビーム発光部材4を備えたスクライブヘッド5と、分断用レーザビーム発光部材6および冷却部材(冷却媒体)7を備えたスクライブヘッド8とがモータM1によりX方向に移動できるように取り付けられている。加工対象となる脆性材料基板Wを載置して吸着保持するテーブル9は、縦軸を支点とする回動機構10を介して台盤11上に保持されており、台盤11は、モータM2によって駆動するスクリューネジ12によってY方向(図1における前後方向)に移動できるように形成されている。なお、本実施例では、収差レーザビーム発光部材4と分断用レーザビーム発光部材6とは個別のスクライブヘッド5、8に振り分けて取り付けられているが、共通のスクライブヘッドに取り付けるようにしてもよい。
なお、光源4aには波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザを使用することができる。
また、パルスレーザビームのバースト列を出射させる光変調器4bについては、例えば特表2012−515450号公報に開示されており、ここでは公知の光変調器を利用してパルスレーザビームのバースト列を出射するものとし、詳細については説明を省略する。
レーザ出力 : 19.4W
繰り返し周波数 : 32.5kHz
パルス幅 : 15ピコ秒
パルス間隔(レーザパルスの基板上での照射スポットの照射間隔): 4μm
バースト : 4パルス
パルスエネルギー : 155μJ/1バースト
走査速度 : 130mm/s
なお、加工深さや加工状態は、上記したレーザ出力、繰り返し周波数、パルス幅、バースト数やパルス間隔、収差等の調整により容易にコントロールすることができる。
また、CO2レーザビームL3の照射ポイントPの進行方向前方側(好ましくは照射ポイントPの進行方向前方側を中心にその周辺)を冷却することによって熱応力を高めることができるので、CO2レーザビームL3の出力を下げても分断することが可能となり、消費電力を軽減することができる。
B 冷却領域
F 高エネルギー分布領域
K 割れ
L1 レーザビーム
L2 収差レーザビーム
L3 分断用レーザビーム(CO2レーザビーム)
P 分断用レーザビームの照射ポイント
S 分断予定ライン
W 脆性材料基板
2 ガイド
4 収差レーザビーム発光部材
4a 光源
4b 光変調器
4c 収差生成レンズ
5 スクライブヘッド
6 分断用レーザビーム発光部材
7 冷却部材(冷却媒体)
8 スクライブヘッド
9 テーブル
Claims (6)
- 脆性材料基板を載置するテーブルと、
光源から出射されたパルスレーザビームのバーストを含んだレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを介して収差レーザビームに生成する収差レーザビーム発光部材と、
前記収差レーザビーム発光部材を、前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる収差レーザビーム発光部材移動機構と、
前記収差レーザビームが照射された前記分断予定ラインに沿って分断用レーザビームを照射する分断用レーザビーム発光部材と、
前記分断用レーザビームの照射ポイントのレーザビーム進行方向前方側を冷却する冷媒噴射部材と、
前記分断用レーザビーム発光部材並びに冷媒噴射部材を前記脆性材料基板の分断予定ラインに沿って相対的に移動させる分断用レーザビーム発光部材移動機構とからなる脆性材料基板の分断装置であって、
前記テーブルの左右に配置された支柱にガイドを備えた水平なビームが設けられ、
前記ガイドには、前記収差レーザビーム発光部材を備えたスクライブヘッドと、
分断用レーザビーム発光部材および冷却部材を備えたスクライブヘッドとが、ガイドに沿って移動できるように取り付けられ、
前記収差レーザビームが波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザビームであり、
前記分断用レーザビームがCO 2 レーザビームである分断装置。 - 前記冷媒噴射部材が前記分断用レーザビームの照射ポイントのレーザビーム進行方向前方側を含む周辺を冷却する請求項1に記載の脆性材料基板の分断装置。
- 請求項1に記載の脆性材料基板の分断装置を使用した脆性材料基板の分断方法であって、
パルスレーザビームのバーストを含むレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを透過させて収差レーザビームに生成し、
前記収差レーザビームを脆性材料基板の分断予定ラインに沿ってスキャンして改質層を形成し、
この改質層に沿って分断用レーザビームを照射するとともに、これに追随して当該分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側を冷却することにより前記脆性材料基板を分断予定ラインに沿って分断することを特徴とする脆性材料基板の分断方法。 - 前記分断用レーザビームの照射ポイントの進行方向前方側を含む周辺を冷却媒体の吹き付けによって冷却する請求項3に記載の脆性材料基板の分断方法。
- 前記収差レーザビームの光源が波長0.7〜2.5μmの近赤外レーザであり、かつ、パルス幅が100ピコ秒以下のレーザビームのバーストを用いる請求項3または4に記載の脆性材料基板の分断方法。
- 前記分断用レーザビームが、波長10.6μmのCO2レーザビームである請求項3〜5のいずれかに記載の脆性材料基板の分断方法。
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Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002100590A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Sony Corp | 割断装置及びその方法 |
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TWI341242B (en) * | 2007-07-31 | 2011-05-01 | Nat Applied Res Laboratories | Device for cutting brittle material |
JP5060880B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2012-10-31 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断装置および分断方法 |
JP2010023071A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 貼り合わせ基板の端子加工方法 |
US9296066B2 (en) | 2010-07-12 | 2016-03-29 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method of material processing by laser filamentation |
JP5104919B2 (ja) | 2010-07-23 | 2012-12-19 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP5361916B2 (ja) | 2011-02-04 | 2013-12-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザスクライブ方法 |
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JP6255147B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2017-12-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 分断装置および被加工物の分断方法 |
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