JP6760694B2 - Insulator pollution measurement method, measuring device, and measurement program - Google Patents

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Description

本発明は、がいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムに関する。さらに詳述すると、本発明は、例えば送電設備，変電設備，配電設備，或いはき電設備に実際に備えられているがいし類の表面における付着塩分（主にＮａＣｌ）の定量的な計測に用いて好適な技術に関する。
The present invention relates to a method for measuring stains on insulators, a measuring device, and a measuring program. More specifically, the present invention is used for quantitative measurement of adhered salt content (mainly NaCl) on the surface of insulators actually provided in, for example, power transmission equipment, substation equipment, distribution equipment, or feeder equipment. Regarding suitable techniques.

送変電設備は、沿岸部，山岳地，工業地域，降雪地域など、多様な環境条件下に設置されており、その汚損の種類も多様である。さらに、日本各地において火山活動に伴う火山灰の降灰も少なくなく、火山灰の降灰による絶縁性能の低下も懸念されている。 Transmission and transformation equipment is installed under various environmental conditions such as coastal areas, mountainous areas, industrial areas, and snowfall areas, and the types of pollution are also diverse. Furthermore, the ash fall of volcanic ash due to volcanic activity is not small in various parts of Japan, and there is concern that the insulation performance will deteriorate due to the ash fall of volcanic ash.

がいし類の汚損監視の目的は、主に、１）管内における汚損区分の制定，２）短期的・長期的な汚損トレンド監視に基づく保守計画の策定，３）がいし類毎の優劣比較とされている（非特許文献１）。 The purpose of insulator pollution monitoring is mainly 1) establishment of pollution classification in the jurisdiction, 2) formulation of maintenance plan based on short-term and long-term pollution trend monitoring, and 3) comparison of superiority and inferiority of each insulator. (Non-Patent Document 1).

がいし類の汚損度の測定については、従来、筆あらい法やソルトメータを用いてパイロットがいし類の付着物質を水に溶解させて電気伝導度を計測することにより、等価の電気伝導度を有するＮａＣｌの密度に換算した等価塩分付着密度（ＥＳＤＤ：Ｅquivalent Ｓalt Ｄeposit Ｄensity の略）として評価されている。 Regarding the measurement of the degree of contamination of insulators, conventionally, a pilot dissolves the adherent substances of insulators in water and measures the electric conductivity by using a brush roughening method or a salt meter, so that NaCl has an equivalent electric conductivity. It is evaluated as an equivalent salt adhesion density (ESDD: an abbreviation for Equivalent Salt Deposit Density) converted into the density of.

がいし類の付着塩分の分布状況の偏り（「不平等汚損」と呼ぶ）により、同等の塩分付着量であっても、周方向の或る特定の方向に局所的な導電路が生じて局部アーク放電の発生を招いたり、長手方向の不平等汚損によって電圧分担に偏りが生じたりすることが想定される。このため、付着分布を高い空間分解能で計測できることが望ましい。しかしながら上記段落の方法では、がいし類の表面における付着物質の分布を高い空間分解能で計測することが困難である。 Due to the uneven distribution of the attached salt of insulators (called "unequal pollution"), even if the amount of attached salt is the same, a local conductive path is generated in a specific direction in the circumferential direction, resulting in a local arc. It is assumed that an electric discharge will occur and that the voltage sharing will be biased due to unequal pollution in the longitudinal direction. Therefore, it is desirable that the adhesion distribution can be measured with high spatial resolution. However, with the method in the above paragraph, it is difficult to measure the distribution of adherent substances on the surface of insulators with high spatial resolution.

汚損塩の種類（言い換えると、組成）も放電現象の観点で重要な項目である。我が国における主ながいし類の汚損源は海塩である。がいし類に付着した塩分の組成は時々刻々と変化することが知られている。これは潮解性の高い塩類が高湿度の環境下で先に脱落することによって汚損物全体の組成比が変化するためである（非特許文献２，非特許文献３）。したがって、塩分付着密度（ＳＤＤ：Ｓalt Ｄeposit Ｄensity の略）及びその組成の計測は重要である。 The type of fouling salt (in other words, composition) is also an important item from the viewpoint of the discharge phenomenon. The main source of pollution of sardines in Japan is sea salt. It is known that the composition of salt attached to insulators changes from moment to moment. This is because the highly deliquescent salts first fall off in a high humidity environment, which changes the composition ratio of the entire pollutants (Non-Patent Documents 2 and 3). Therefore, it is important to measure the salt adhesion density (SDD: short for Salt Deposit Density) and its composition.

このように、不平等汚損やＮａＣｌ以外の成分の影響は、がいし類の絶縁性能や長期信頼性に影響を及ぼす虞がある。実際に、現場における事故発生状況を確認すると、不平等汚損や多様な塩類の汚損条件での事故状況は、平等汚損或いは単独塩によるものとは異なるといった報告がなされている（非特許文献３）。このため、がいし類の表面に関する付着物質の付着分布の監視は、特に汚損状況の正確な評価や地域毎の汚損原因の特定のために重要である。 As described above, the influence of unequal pollution and components other than NaCl may affect the insulation performance and long-term reliability of insulators. In fact, when confirming the accident occurrence situation at the site, it has been reported that the accident situation under the conditions of unequal pollution and pollution of various salts is different from that of equal pollution or single salt (Non-Patent Document 3). .. For this reason, monitoring the adhesion distribution of adherent substances on the surface of insulators is especially important for accurate evaluation of the pollution status and identification of the cause of pollution in each region.

また、レーザー誘起ブレイクダウン分光によるがいし汚損計測への適用に関しては、ハンドホールド型のがいし表面塩分密度計測装置の開発に関する報告がある（非特許文献４，５、及び、特許文献１）。これらの報告では、炭酸ガスレーザーとＹＡＧレーザーとを用いたダブルパルスにより、がいし表面の損傷を低減した計測を行っている。また、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いたがいし付着塩分の遠隔計測としては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの３倍高調波（波長：３５５ ｎｍ）を用いて、ポリマーがいしに付着させた塩分を６０ ｍ の離隔距離で検知した例が報告されているが、塩分付着密度と発光強度との間の関係は報告されていない（非特許文献６）。塩分付着密度（ＳＤＤ）の遠隔計測としては、１０ ｍ の離隔距離において人工汚損がいしの塩分付着密度を０．１ ｍｇ／ｃｍ2 まで計測した例が報告されているが（非特許文献７）、超重汚損地域（ＳＤＤ＞０．１２ ｍｇ／ｃｍ2）以上の汚損区分において適用することができれば、実用上有効である。 Further, regarding application to insulator fouling measurement by laser-induced breakdown spectroscopy, there is a report on the development of a handhold type insulator surface salt density measuring device (Non-Patent Documents 4 and 5 and Patent Document 1). In these reports, double pulses using a carbon dioxide laser and a YAG laser are used to reduce damage to the insulator surface. In addition, as a remote measurement of the attached salt content using laser-induced breakdown spectroscopy, a 3rd harmonic (wavelength: 355 nm) of the Nd: YAG laser was used to separate the salt content adhered to the polymer by 60 m. An example of detection by distance has been reported, but the relationship between the salt adhesion density and the emission intensity has not been reported (Non-Patent Document 6). As a remote measurement of the salt adhesion density (SDD), an example has been reported in which the salt adhesion density of artificial insulators was measured up to 0.1 mg / cm 2 at a separation distance of 10 m (Non-Patent Document 7). It is practically effective if it can be applied in a fouling category of ultra-heavy fouling area (SDD> 0.12 mg / cm 2 ) or more.

特開２０１３−１５４０４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-15404

ＣＩＧＲＥ Ｔａｓｋ Ｆｏｒｃｅ ３３．０４．０３「Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｐｏｌｌｕｔｉｏｎ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ」，ＥＬＥＣＴＲＡ，Ｎｏ．１５２，ｐｐ．７９−９０，１９９４年CIGRE Task Force 33.04.03 "Insulator Pollution Monitoring", ELECTRA, No. 152, pp. 79-90, 1994 一般社団法人電気協同研究会「配電機材に対する劣化環境の定量評価」，電気協同研究，第６９巻第３号，２０１３年Electric Cooperative Research Association "Quantitative Evaluation of Deteriorated Environment for Distribution Electrical Materials", Electric Cooperative Research, Vol. 69, No. 3, 2013 下田修ほか「がいし付着塩分の組成とせん絡電圧の関係」，技術第一研究所報告，研究報告７１０２６，１９７１年Osamu Shimoda et al., "Relationship between Insulator Adhering Salt Composition and Stirrup Voltage", Report of Technical Research Institute 1, Research Report 71206, 1971 Ｌａｓｅｒ Ｃｒｏｓｓ，Ｎｏ．３０３，２０１３年６月Laser Cross, No. 303, June 2013 Ｌａｓｅｒ Ｃｒｏｓｓ，Ｎｏ．３１３，２０１４年４月Laser Cross, No. 313, April 2014 Ｍ．Ｂｅｎｇｔｓｓｏｎほか「Ｒｅｍｏｔｅ ｌａｓｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｓａｌｔ ｏｎ ｍｅｔａｌ ａｎｄ ｐｏｌｙｍｅｔｒｉｃ ｓｕｒｆａｃｅｓ」，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，Ｖｏｌ．６０，Ｉｓｓｕｅ １０，ｐｐ．１１８８−１１９１，２００６年M. Bengtsson et al., "Remote laser-induced spectroscopy for spectroscopy for the detection and remote of salt on metal and polymetric spheres", Applied. 60, Issue 10, pp. 1188-1191, 2006 藤吉晋一郎ほか「レーザー塩害観測装置の開発」，レーザー研究，第２０巻第１２号，ｐｐ．２９−３６，１９９２年Shinichiro Fujiyoshi et al., "Development of Laser Salt Damage Observation Equipment", Laser Research, Vol. 20, No. 12, pp. 29-36, 1992

しかしながら、従来のがいし類の汚損計測は、パイロットがいしの汚損採取によって行われているため、オフサイト且つオフライン計測であるという問題がある。 However, since the conventional insulator pollution measurement is performed by the pilot collecting the insulator stain, there is a problem that it is an off-site and offline measurement.

これを、レーザー誘起ブレイクダウン分光（ＬＩＢＳ：Ｌaser Ｉnduced Ｂreakdown Ｓpectroscopy の略）を用いた手法に置き換えることができれば、がいし類の付着物質の多成分計測且つリアルタイム計測を遠隔にて実施し得ると期待される。 If this can be replaced with a method using laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS: Laser Induced Breakdown Spectroscopy), it is expected that multi-component measurement and real-time measurement of insulator-adherent substances can be performed remotely. To.

また、がいし類の汚損の程度については、一般汚損地域（具体的には、ＳＤＤ＜０．０１ ｍｇ／ｃｍ2）から特殊地域（具体的には、ＳＤＤ＞０．３５ ｍｇ／ｃｍ2）までの広範囲に及ぶ区分が規定されている（一般社団法人電気協同研究会「配電機材に対する劣化環境の定量評価」，電気協同研究，第６９巻第３号，２０１３年）。 Regarding the degree of contamination of insulators, from general soiled areas (specifically, SDD <0.01 mg / cm 2 ) to special areas (specifically, SDD> 0.35 mg / cm 2 ). (Electrical Cooperative Study Group, "Quantitative Evaluation of Deteriorated Environment for Distribution Electrical Materials", Electrical Cooperative Research, Vol. 69, No. 3, 2013).

これに対し、発明者は、がいし類の表面の付着塩分をレーザー誘起ブレイクダウン分光を用いて定量的に計測する技術を構築するために計測対象物（即ち、がいし類）へのレーザー光の照射によるプラズマ光の発光強度について分析を行い、レーザー誘起ブレイクダウン分光を利用した計測によって得られる特定の発光線（即ち、発光波長，分析線の波長）の発光スペクトルを用いることによって付着塩分を定量的に計測し得ることを見出した。 On the other hand, the inventor irradiates the object to be measured (that is, the plasma) with laser light in order to construct a technique for quantitatively measuring the adhered salt content on the surface of the plasma using laser-induced breakdown spectroscopy. Quantitatively attach salt content by analyzing the emission intensity of plasma light by laser and using the emission spectrum of a specific emission line (that is, emission wavelength, wavelength of analysis line) obtained by measurement using laser-induced breakdown spectroscopy. It was found that it can be measured.

発明者は、また、単一の発光線（即ち、発光波長，分析線の波長）の発光スペクトルのみを用いた場合には、発光の飽和や自己吸収と想定される事象により、低濃度から高濃度までの広範囲について高感度の計測を行うことは困難であるという事実に直面した。 The inventor also found that when only the emission spectrum of a single emission line (ie, emission wavelength, wavelength of analysis line) was used, the concentration was low to high due to an event assumed to be emission saturation or self-absorption. Faced with the fact that it is difficult to make sensitive measurements over a wide range up to concentration.

そこで、本発明は、がいし類の表面の付着塩分を、遠隔で且つ迅速に、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いて定量的に計測することができるがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムを提供することを目的とする。また、本発明は、がいし類の表面の付着塩分を、上記に加え、低濃度から高濃度までの広範囲に及ぶ計測が必要な場合への対応として、広範囲の濃度ついて高感度に、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いて定量的に計測することができるがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムを提供することを目的とする。 Therefore, according to the present invention, the amount of salt adhering to the surface of insulators can be quantitatively measured remotely and quickly by using laser-induced breakdown spectroscopy. The purpose is to provide a program. In addition to the above, the present invention provides a laser-induced break with high sensitivity for a wide range of concentrations as a response to cases where it is necessary to measure a wide range of concentrations from low to high concentrations in addition to the above. It is an object of the present invention to provide a method, a measuring device, and a measuring program for measuring the stain of insulators which can be quantitatively measured by using down spectroscopy.

かかる目的を達成するため、本発明者等が種々試験・研究した結果、見出した知見によれば、Ｎａの発光波長８１８．３３ ｎｍ や８１９．４８ ｎｍ の発光強度は高く（言い換えると、高感度であり）且つ塩分付着密度の変化に対して飽和し難い（即ち、塩分付着密度の増加に伴う強度変化の頭打ちが生じ難い）ので、低密度から高密度までの広い範囲に亙ってがいし類の表面の塩分付着密度が計測され得る。また、塩分付着密度が低い場合もＮａの発光波長５８９．００ ｎｍ や５８９．５９ ｎｍ の発光強度は高感度であるので、塩分付着密度が低い場合に特に良好な精度で塩分付着密度が計測され得る。さらに、塩分付着密度が高い場合もＣｌの発光波長８３７．５９ ｎｍ の発光強度は高感度であるので、塩分付着密度が高い場合に特に良好な精度で塩分付着密度が計測され得ることに加え、Ｏは計測する物理量に対して発光強度が一定であるので、Ｏを基準元素として計測対象元素であるＣｌとの発光強度比が用いられることにより、レーザー照射条件の変化に対して影響の少ない検量線が得られる。
本発明はかかる知見に基づくものである。即ち、本発明のがいし類の汚損の計測方法は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに、発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求められるようにしている。 As a result of various tests and studies conducted by the present inventors in order to achieve such an object, according to the findings found, the emission intensity of Na at emission wavelengths of 818.33 nm and 819.48 nm is high (in other words, high sensitivity). (That is, it is difficult to saturate with changes in salinity adhesion density (that is, it is difficult for strength changes to peak with an increase in salinity adhesion density), so it is difficult to reach a wide range from low density to high density. The salinity of the surface of the surface can be measured. In addition, even when the salt adhesion density is low, the emission intensity of Na at the emission wavelengths of 589.00 nm and 589.59 nm is highly sensitive, so that the salt adhesion density is measured with particularly good accuracy when the salt adhesion density is low. obtain. Furthermore, even when the salt adhesion density is high, the emission intensity of Cl at an emission wavelength of 837.59 nm is highly sensitive, so that the salt adhesion density can be measured with particularly good accuracy when the salt adhesion density is high. Since the emission intensity of O is constant with respect to the physical quantity to be measured, the emission intensity ratio with Cl, which is the measurement target element, is used with O as a reference element, so that the calibration curve has little influence on changes in laser irradiation conditions. A line is obtained.
The present invention is based on such findings. That is, in the method for measuring the fouling of the sardines of the present invention, the emission spectrum of the sardines irradiated with the pulsed laser light and received is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819. At least one of the emission intensity of Na at 48 nm is calculated, and the salt adhesion density of the laser is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the salt adhesion density is determined. When it is less than a predetermined low density threshold, at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm is calculated, and the emission of the emission wavelength is calculated. The salt adhesion density is determined using the calibration line between the strength and the salt adhesion density, and the value of the plurality of salt adhesion densities obtained for each is in the range from the minimum value to the maximum value, or as an average value, or either. one value is to be required as the final salt deposition density or.

また、本発明のがいし類の汚損の計測装置は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定部と、前記第１の密度特定部と前記第２の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有するようにしている。 Further, the device for measuring the fouling of sardines of the present invention uses the emission spectrum of irradiating the surface of sardines with pulsed laser light and receiving light, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. The salt adhesion density of the sardines is obtained by using the Na high wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the emission intensity of Na at nm and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. When the density specifying part of No. 1 and the salt adhesion density obtained by the first density specifying part are less than a predetermined low density threshold, the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and 589. The salt adhesion density of the sardines is determined by using the Na low wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the emission intensity of Na at 59 nm and the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. As a range from the minimum value to the maximum value of a plurality of the salt adhesion density values obtained by the second density specifying part, the first density specifying part, and the second density specifying part, or an average value. as, or so that more and a density determination unit for determining one value as a final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測プログラムは、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、さらに、前記塩分付着密度が、低密度閾値未満であるときに、発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれ得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせるようにしている。 In addition, the stain measurement program for sardines of the present invention uses the emission spectrum of shavings to receive pulsed laser light on the surface of the sardines, and uses the emission spectrum of Na with an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. A process of calculating at least one of the emission intensity of Na at nm and a process of determining the salt adhesion density of the laser using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are performed on a computer. Align further the salinity deposition density, when it is less than the low density threshold, the emission wavelength to calculate at least one of an emission intensity of the emission intensity and 589.59 nm for Na of 589.00 nm for Na The salt adhesion density of the laser was determined by the treatment and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the salt adhesion density of the laser was obtained, and the values of the plurality of salt adhesion densities obtained respectively. as the range of from a minimum value to a maximum value of, or have an average value, or any one of the values to be performed by the further computer and the process of obtaining a final salt deposition density.

本発明のがいし類の汚損の計測方法は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求めるようにしている。 In the method for measuring the fouling of sardines of the present invention, the emission spectrum of shavings is irradiated with pulsed laser light and received is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48 nm are used. At least one of the emission intensities of Na is calculated, and the salt adhesion density of the sardines is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the salt adhesion density is predetermined. When the high density threshold of is exceeded, the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm is further calculated, and the salt adhesion density is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. is, and so as to obtain a range from a minimum value of a plurality of salt deposition density obtained respectively to the maximum value, or as the average value, or any one of the values as the final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測装置は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第３の密度特定部と、前記第１の密度特定部と前記第３の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有するようにしている。 Further, the device for measuring the fouling of sardines of the present invention uses the emission spectrum of irradiating the surface of sardines with pulsed laser light and receiving light, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. The salt adhesion density of the sardines is obtained by using the Na high wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the emission intensity of Na at nm and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. a first density specifying unit, wherein when the salinity adhered density obtained by the first density specifying unit exceeds a predetermined density threshold, Cl further emission wavelengths to calculate the light emission intensity of Cl of 837.59 nm A wavelength intensity calculation unit, a third density specifying unit for obtaining the salt adhesion density of the sardines using a calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, the first density specifying unit, and the first The value of the plurality of salt adhesion densities obtained in the density specifying part of No. 3 is determined as a range from the minimum value to the maximum value, an average value, or one of the values as the final salt adhesion density. so that more and a density determination unit.

また、本発明のがいし類の汚損の計測プログラムは、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、さらに、前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときに、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせるようにしている。 In addition, the fouling measurement program for sardines of the present invention uses the emission spectrum of shavings to receive pulsed laser light on the surface of the sardines, and uses the emission spectrum of Na with an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. A process of calculating at least one of the emission intensity of Na at nm and a process of determining the salt adhesion density of the laser using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are performed on a computer. Align further the salinity deposition density, when more than a high density threshold value, a process of emission wavelengths to calculate the light emission intensity of Cl of 837.59 nm, a calibration curve of the emission intensity and salt deposition density of the emission wavelength The salt adhesion density of the lasers is determined by using, and the salt adhesion density of the lasers is obtained, and the values of the plurality of salt adhesion densities obtained for each are in the range from the minimum value to the maximum value, or as the average value. or even a one obtains one value as a final salt deposition density process so that causing a computer.

本発明のがいし類の汚損の計測方法は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに、Ｃｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度が計算され、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求められるようにしている。 In the method for measuring the fouling of sardines of the present invention, the emission spectrum obtained by irradiating the surface of sardines with pulsed laser light is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48 nm. At least one of the emission intensities of Na is calculated, and the salt adhesion density of the sardines is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the salt adhesion density is predetermined. When the high density threshold of Cl is exceeded, the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission intensity of O are further calculated, and the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density. The salt adhesion density is determined by using the calibration line with, and the value of each of the obtained multiple salt adhesion densities can be used as a range from the minimum value to the maximum value, or as an average value, or one of the values. It is to be required as the final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測装置は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらにＣｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度を計算する発光強度計算部と、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第３の密度特定部と、前記第１の密度特定部と前記第３の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有するようにしている。 Further, the device for measuring the fouling of sardines of the present invention uses the emission spectrum of irradiating the surface of sardines with pulsed laser light and receiving light, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. The salt adhesion density of the sardines is determined by using the Na high wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the emission intensity of Na at nm and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. When the density specifying part of No. 1 and the salt adhesion density obtained by the first density specifying part exceed a predetermined high density threshold, the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and O A third density specifying unit that obtains the salt adhesion density of the sardines using a light emission intensity calculation unit that calculates the emission intensity and a calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density. And, as a range from the minimum value to the maximum value of the plurality of values of the salt adhesion densities obtained by the first density specifying part and the third density specifying part, or as an average value, or one of them. It has a value such further and a density determination unit for determining as a final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測プログラムは、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、さらに、前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときに、Ｃｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度を計算する処理と、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせるようにしている。 Further, the stain measurement program for the sardines of the present invention uses the emission spectrum of the sardines to be irradiated with pulsed laser light and received, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819.48. A process of calculating at least one of the emission intensity of Na at nm and a process of determining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are performed on a computer. Align further the salinity deposition density, when more than a high density threshold, Cl emission intensity (emission wavelength: 837.59 nm), and a process of calculating the light emission intensity of O, the relative emission intensity of the O Cl The salt adhesion density of the above-mentioned lasers was determined using the calibration line between the ratio of the luminescence intensity and the salt adhesion density, and the range from the minimum value to the maximum value of the plurality of salt adhesion densities obtained for each was set. or as an average value, or the process of obtaining a final salt deposition density one value further so that causing a computer.

また、本発明のがいし類の汚損の計測方法は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められる第１の密度特定工程と、前記第１の工程の塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められる第２の密度特定工程と、前記第１の工程の塩分付着密度が、所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて、あるいはさらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて、塩分付着密度が求められる第３の密度特定工程と、前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定工程で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度とし、前記第１の密度特定工程と前記第２の密度特定工程あるいは第３の密度特定工程で複数の塩分付着密度の値が得られる場合にはそれらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定工程とを有している。 Also, measurement method of fouling insulator such invention, the emission intensity of Na emission wavelength in emission spectrum is used for pulsed laser beam on the surface of insulators such is received is irradiated 818.33 nm 819 The first density at which at least one of the emission intensity of Na at .48 nm is calculated, and the salt adhesion density of the sardines is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. When the salt adhesion density of the specific step and the first step is less than a predetermined low density threshold, the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm At least one of them is calculated, and the salt adhesion density of the second density identification step and the salt adhesion density of the first step, in which the salt adhesion density is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, When the predetermined high density threshold is exceeded, the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm is further calculated, and a calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density is used, or further O. The third density identification step in which the salt adhesion density is obtained by calculating the emission intensity of the above and using the calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density, and the salt adhesion density. When is equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained in the first density specifying step is used as the final salt adhesion density, and the first density specifying step and the above. When a plurality of salt adhesion density values are obtained in the second density specifying step or the third density specifying step, they are in the range from the minimum value to the maximum value, or as an average value, or one of them. and it possesses a density determination step of determining the values as the final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測装置は、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、前記塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定部と、前記塩分付着密度が、所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて、あるいはさらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて、塩分付着密度が求められる第３の密度特定部と、前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定部で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度とし、前記第１の密度特定部と前記第２の密度特定部あるいは第３の密度特定部で複数の塩分付着密度の値が得られる場合にはそれらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定部とを有している。 Also, the measuring device of fouling insulator such invention, the emission intensity of Na emission wavelength in emission spectrum is used for pulsed laser beam on the surface of insulators such is received is irradiated 818.33 nm 819 The salt adhesion density of the sardines is determined by using the Na high wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the emission intensity of Na at .48 nm and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. The first density specifying part to be obtained, and when the salt adhesion density is less than a predetermined low density threshold, the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm A Na low wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of them, a second density identification unit that obtains the salt adhesion density of the sardines using a calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the above. When the salt adhesion density exceeds a predetermined high density threshold, the Cl wavelength intensity calculation unit that further calculates the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm, and the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. A third, in which the salt adhesion density is obtained by using a calibration line or by further calculating the emission intensity of O and using a calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density. And when the salt adhesion density is equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained in the first density specific portion is used as the final salt adhesion density. When a plurality of salt adhesion density values are obtained in the first density specifying part and the second density specifying part or the third density specifying part, the range from the minimum value to the maximum value of those values is set. or it is useful as an average value, or any one of the values and density determination unit for determining as a final salt deposition density.

また、本発明のがいし類の汚損の計測プログラムは、がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定処理と、前記塩分付着密度が低密度閾値未満であるときには、さらに前記がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定処理と、前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときには、さらに前記がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理と、さらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められる第３の密度特定処理と、前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定処理で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度として決定し、前記第１の密度特定処理と前記第２の密度特定処理あるいは第３の密度特定処理で複数の塩分付着密度の値が得られた場合には、それらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定処理とをコンピュータに行わせるようにしている。 Further, in the stain measurement program of the sardines of the present invention, the emission spectrum of the porridges being irradiated with pulsed laser light and received is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819. The salt adhesion density of the sardines is determined by using the Na high wavelength intensity calculation process for calculating at least one of the emission intensity of Na at 48 nm and the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. In the first density identification process and when the salt adhesion density is less than the low density threshold, the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the chairs with pulsed laser light is used and the emission wavelength is 589.00. Using the Na low wavelength intensity calculation process for calculating at least one of the emission intensity of Na at nm and the emission intensity of Na at 589.59 nm, and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. wherein the second density specific process for obtaining the salt deposition density of stone such, the salt deposition density, when exceeding the high density threshold value, the emission spectrum is further said that the pulsed laser beam on the surface of the stone such is received by irradiation The salt adhesion density of the sardines is determined by using the Cl wavelength intensity calculation process for calculating the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm and the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. A third method in which the salt adhesion density of the sardines is obtained by calculating the light emission intensity of O and using the calibration line of the ratio of the light emission intensity of Cl to the light emission intensity of O and the salt adhesion density. When the density specifying treatment and the salt adhesion density are equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained by the first density specifying treatment is determined as the final salt adhesion density. Then, when a plurality of salt adhesion density values are obtained by the first density specifying process and the second density specifying process or the third density specifying process, the minimum value to the maximum value of those values are obtained. The computer is made to perform a density determination process in which the value of the wavelength, the average value, or one of the values is obtained as the final salt adhesion density.

本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、測定器を充電部から十分に離して計測することができるので、充電線路のがいし類を安全に計測することが可能であり、したがって安定供給に貢献することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 According to the method, measuring device, and measuring program for measuring the contamination of insulators of the present invention, the measuring instrument can be measured sufficiently away from the charging unit, so that the insulators on the charging line can be safely measured. It is possible, and therefore, it becomes possible to contribute to a stable supply, and in turn, it becomes possible to improve the reliability as a monitoring method for insulators.

本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、また、がいし類の表面の付着物質分布を高い空間分解能で計測することができるので、塩分付着分布の偏りによる局所的な導電路の形成等をも検出することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 According to the method, measuring device, and measuring program for measuring the contamination of insulators of the present invention, and because the distribution of adherent substances on the surface of insulators can be measured with high spatial resolution, local areas due to the bias of salt adhesion distribution can be measured. It is possible to detect the formation of a specific conductive path, and eventually, it is possible to improve the reliability as a monitoring method for insulators.

本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、また、低密度から高密度までの広い範囲に亙ってがいし類の表面の塩分付着密度を計測することができるので、がいし類の監視手法としての有用性の向上が可能になる。 According to the method, measuring device, and measuring program for measuring the stain of insulators of the present invention, it is possible to measure the salt adhesion density on the surface of insulators over a wide range from low density to high density. Therefore, it is possible to improve the usefulness as a monitoring method for insulators.

本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、また、種々の元素を計測対象とすることができるので、塩分付着密度と等価塩分付着密度とに寄与する多元素の同定が可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての有用性の向上が可能になる。 According to the method for measuring the contamination of insulators, the measuring device, and the measuring program of the present invention, and since various elements can be measured, the multi-elements that contribute to the salt adhesion density and the equivalent salt adhesion density. It becomes possible to identify the insulators, and in turn, it becomes possible to improve the usefulness as a monitoring method for insulators.

また、本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムは、発光波長が５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度も利用するようにした場合には、塩分付着密度が低い場合に特に良好な精度で塩分付着密度を計測することができるので、付着塩分が低密度であっても良好な計測を行うことが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 Further, when the method for measuring the stain of insulators, the measuring device, and the measuring program of the present invention also utilize the emission intensity of Na having emission wavelengths of 589.00 nm and 589.59 nm, salt adherence. Since the salt adhesion density can be measured with particularly good accuracy when the density is low, it is possible to perform good measurement even if the adhered salt density is low, and by extension, a monitoring method for insulators. It is possible to improve the reliability of the insulator.

また、本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムは、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度も利用するようにした場合には、塩分付着密度が高い場合に特に良好な精度で塩分付着密度を計測することができるので、付着塩分が高密度であっても良好な計測を行うことが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 Further, when the method for measuring the stain of insulators, the measuring device, and the measuring program of the present invention also utilize the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm, the salt adhesion density is high. Since the salt adhesion density can be measured with particularly good accuracy, it is possible to perform good measurement even if the adhered salt density is high, and by extension, the reliability as a monitoring method for insulators. Improvement is possible.

また、本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムは、Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比も利用するようにした場合には、塩分付着密度が高い場合に特に良好な精度で塩分付着密度を計測することができるので、付着塩分が高密度であっても良好な計測を行うことが可能になり、さらに、レーザー照射条件の変化に対して影響の少ない検量線を得ることができるので、レーザー照射条件の変動に強く且つ塩分付着密度について低密度から高密度までの広い範囲で適用が可能である検量線を設定することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 Further, when the method for measuring the fouling of lasers, the measuring device, and the measuring program of the present invention also utilize the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O, the salt adhesion density is high. Since the salt adhesion density can be measured with particularly good accuracy, it is possible to perform good measurement even if the adhered salt density is high, and the calibration curve has little effect on changes in laser irradiation conditions. Since a line can be obtained, it is possible to set a calibration curve that is resistant to fluctuations in laser irradiation conditions and can be applied in a wide range of salt adhesion densities from low density to high density. It is possible to improve the reliability as a monitoring method for lasers.

また、本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムは、Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比が用いられる場合には、塩分付着密度が高い場合に特に良好な精度で塩分付着密度を計測することができるので、付着塩分が高密度であっても良好な計測を行うことが可能になり、さらに、レーザー照射条件の変化に対して影響の少ない検量線を得ることができるので、レーザー照射条件の変動に強く且つ塩分付着密度について低密度から高密度までの広い範囲で適用が可能である検量線を設定することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 Further, the method for measuring the fouling of lasers, the measuring device, and the measuring program of the present invention are particularly good when the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O is used and the salt adhesion density is high. Since the salt adhesion density can be measured with accuracy, it is possible to perform good measurement even if the adhered salt density is high, and further, a calibration curve that has little influence on changes in laser irradiation conditions can be obtained. Therefore, it is possible to set a calibration curve that is resistant to fluctuations in laser irradiation conditions and that can be applied to a wide range of salt adhesion densities from low density to high density, and by extension, for sardines. It is possible to improve the reliability as a monitoring method.

本発明のがいし類の汚損の計測方法の実施形態の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of embodiment of the method of measuring the pollution of insulators of this invention. 実施形態のがいし類の汚損の計測方法をがいし類の汚損の計測プログラムを用いて実施する場合の当該プログラムによって実現されるがいし類の汚損の計測装置の機能ブロック図である。It is a functional block diagram of the insulator dirt measuring apparatus realized by the program when the insulator dirt measuring method of embodiment is carried out by using the insulator dirt measuring program. レーザー光の照射及び発光スペクトルの計測を行う態様の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the aspect which performs irradiation of a laser beam and measurement of an emission spectrum. 本発明のがいし類の汚損の計測方法の他の実施形態の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of another embodiment of the method of measuring the pollution of insulators of this invention. 実施例１における塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＮａの発光線（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emission spectrum of the wavelength band including the emission line of Na (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.008 mg / cm 2 . 実施例１における塩分付着密度が０．２４８ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＮａの発光線（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the emission spectrum of the wavelength band including the emission line of Na (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.248 mg / cm 2 . 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＮａ（発光波長：５８９．００ ｎｍ）の発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emission intensity of Na (emission wavelength: 589.00 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG. 実施例１における塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＮａの発光線（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）及びＯの発光線（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。Na emission line (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm) and O emission line (emission wavelength: 777.19 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.008 mg / cm 2. It is a figure which shows the emission spectrum of the wavelength band including. 実施例１における塩分付着密度が０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＮａの発光線（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）及びＯの発光線（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。Na emission line (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm) and O emission line (emission wavelength: 777.19 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.515 mg / cm 2. It is a figure which shows the emission spectrum of the wavelength band including. 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＮａ（発光波長：８１９．４８ ｎｍ）の発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emission intensity of Na (emission wavelength: 819.48 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG. 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）の発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emission intensity of O (emission wavelength: 777.19 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG. 実施例１における塩分付着密度が０．０２６ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＣｌの発光線（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光線（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。In the wavelength band including the emission line of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission line of O (emission wavelength: 844.64 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.026 mg / cm 2 . It is a figure which shows the emission spectrum. 実施例１における塩分付着密度が０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 のときのＣｌの発光線（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光線（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）を含む波長帯域の発光スペクトルを示す図である。In the wavelength band including the emission line of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission line of O (emission wavelength: 844.64 nm) when the salt adhesion density in Example 1 is 0.515 mg / cm 2 . It is a figure which shows the emission spectrum. 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG. 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度を示す図である。It is a figure which shows the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG. 実施例１におけるレーザーエネルギー別の各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度の比を示す図である。It is a figure which shows the ratio of the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) to the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm) with respect to each salt adhesion density by laser energy in Example 1. FIG.

以下、本発明の構成を図面に示す実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。ここで、本発明の説明においては発光波長を小数点以下第二位まで記載するようにしており、小数点以下第三位以降を考慮した厳密な発光波長と対比した場合に四捨五入の範囲で見かけ上の差違が有る場合がある。 Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail based on an example of an embodiment shown in the drawings. Here, in the description of the present invention, the emission wavelength is described up to the second decimal place, and it is apparently rounded off when compared with the strict emission wavelength considering the third decimal place and thereafter. There may be a difference.

図１乃至図３に、本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムの実施形態の一例を示す。 1 to 3 show an example of an embodiment of the method for measuring the stain of insulators, the measuring device, and the measuring program of the present invention.

本実施形態のがいし類の汚損の計測方法は、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され（Ｓ１−１，Ｓ１−２）、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度（ＳＤＤ：Ｓalt Ｄeposit Ｄensity の略）とのＮａ高波長ＳＤＤ検量線が用いられてがいし類２０の塩分付着密度が求められ（Ｓ１−３）、また、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され（Ｓ２−１，Ｓ２−２）、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＮａ低波長ＳＤＤ検量線が用いられてがいし類２０の塩分付着密度が求められ（Ｓ２−３）、さらに、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度が計算され（Ｓ３−１，Ｓ３−２）、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＣｌ波長ＳＤＤ検量線が用いられてがいし類２０の塩分付着密度が求められ（Ｓ３−３）、その上で最終的な塩分付着密度が決定される（Ｓ４）ようにしている（図１参照）。 In the method for measuring the fouling of the sardines of the present embodiment, the emission spectrum of the sardines 20 irradiated with the pulsed laser light 8 and received is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819. At least one of the emission intensity of Na at .48 nm is calculated (S1-1, S1-2), and the Na height of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density (SDD: Abbreviation of Salt Deposit Density) is calculated. The wavelength SDD calibration line is used to determine the salt adhesion density of the sardines 20 (S1-3), and the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardines 20 with the pulsed laser light 8 is used to emit light. At least one of the emission intensity of Na having a wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having a wavelength of 589.59 nm was calculated (S2-1, S2-2), and the emission intensity and salt adhesion density of the emission wavelength were calculated. The salt adhesion density of the sardines 20 is determined by using the Na low wavelength SDD calibration line with and (S2-3), and the emission spectrum received by irradiating the surface of the sardines 20 with the pulsed laser light 8 is obtained. The emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm was calculated (S3-1, S3-2), and the Cl wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density was used. The salt adhesion density of Class 20 is determined (S3-3), and then the final salt adhesion density is determined (S4) (see FIG. 1).

本実施形態のがいし類の汚損の計測装置は、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する手段と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＮａ高波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める手段と、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する手段と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＮａ低波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める手段と、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算する手段と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＣｌ波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める手段とを有するようにしている。 The device for measuring the fouling of sardines according to the present embodiment uses an emission spectrum in which the surface of the sardines 20 is irradiated with pulsed laser light 8 and is received, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and 819. A means for calculating at least one of the emission intensity of Na at 48 nm and a means for determining the salt adhesion density of the sardines 20 using the Na high wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. Of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm, using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the glass 20 with the pulsed laser light 8. A means for calculating at least one, a means for obtaining the salt adhesion density of the sardine 20 using the Na low wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and a pulse laser light on the surface of the sardine 20. Using the means for calculating the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm using the emission spectrum in which 8 is irradiated and received, and the Cl wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are used. It is provided with a means for determining the salt adhesion density of the wavelengths 20.

上記がいし類の汚損の計測方法及びがいし類の汚損の計測装置は、がいし類の汚損の計測プログラムがコンピュータ上で実行されることによっても実施・実現され得る。ここでは、がいし類の汚損の計測プログラムがコンピュータ上で実行されることによってがいし類の汚損の計測方法が実施されると共にがいし類の汚損の計測装置が実現される場合を説明する。 The above-mentioned method for measuring insulators and a device for measuring insulators can also be implemented and realized by executing a program for measuring insulators on a computer. Here, a case will be described in which the insulator stain measurement program is executed on a computer to implement the insulator stain measurement method and to realize the insulator stain measurement device.

本実施形態のがいし類の汚損の計測プログラム１７を実行するためのコンピュータ１０（本実施形態では、がいし類の汚損の計測装置１０でもある）の全体構成を図２に示す。 FIG. 2 shows the overall configuration of the computer 10 (which is also the insulator stain measuring device 10 in the present embodiment) for executing the insulator pollution measuring program 17 of the present embodiment.

このコンピュータ１０（がいし類の汚損の計測装置１０）は制御部１１，記憶部１２，入力部１３，表示部１４，及びメモリ１５を備え、これらが相互にバス等の信号回線によって接続されている。 The computer 10 (insulator stain measuring device 10) includes a control unit 11, a storage unit 12, an input unit 13, a display unit 14, and a memory 15, which are connected to each other by a signal line such as a bus. ..

制御部１１は、記憶部１２に記憶されているがいし類の汚損の計測プログラム１７に従ってコンピュータ１０全体の制御並びにがいし類の汚損の計測に係る演算を行うものであり、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）である。 The control unit 11 controls the entire computer 10 and performs calculations related to the measurement of the insulator stains according to the insulator pollution measurement program 17 stored in the storage unit 12, for example, a CPU (Central Processing Unit). ).

記憶部１２は、少なくともデータやプログラムを記憶可能な装置であり、例えばハードディスクである。 The storage unit 12 is a device capable of storing at least data and programs, for example, a hard disk.

入力部１３は、少なくとも作業者の命令や種々の情報を制御部１１に与えるためのインターフェイス（即ち、情報入力の仕組み）であり、例えばキーボードやマウスである。なお、例えばキーボードとマウスとの両方のように複数種類のインターフェイスを入力部１３として有するようにしても良い。 The input unit 13 is an interface (that is, an information input mechanism) for giving at least a worker's command and various information to the control unit 11, and is, for example, a keyboard or a mouse. It should be noted that a plurality of types of interfaces such as both a keyboard and a mouse may be provided as the input unit 13.

表示部１４は、制御部１１の制御によって文字や図形或いは画像等の描画・表示を行うものであり、例えばディスプレイである。 The display unit 14 draws and displays characters, figures, images, and the like under the control of the control unit 11, and is, for example, a display.

メモリ１５は、制御部１１が種々の制御や演算を実行する際の作業領域であるメモリ空間となるものであり、例えばＲＡＭ（Ｒandom Ａccess Ｍemory の略）である。 The memory 15 serves as a memory space that is a work area when the control unit 11 executes various controls and operations, and is, for example, a RAM (abbreviation of Random Access Memory).

そして、コンピュータ１０（以下、「がいし類の汚損の計測装置１０」と呼ぶ）の制御部１１には、がいし類の汚損の計測プログラム１７が実行されることにより、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理を行うＮａ高波長強度計算部１１ａと、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＮａ高波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める処理を行う第一の密度特定部１１ｂと、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理を行うＮａ低波長強度計算部１１ｃと、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＮａ低波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める処理を行う第二の密度特定部１１ｄと、がいし類２０の表面にパルスレーザー光８が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算する処理を行うＣｌ波長強度計算部１１ｅと、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度とのＣｌ波長ＳＤＤ検量線を用いてがいし類２０の塩分付着密度を求める処理を行う第三の密度特定部１１ｆとが構成される。 Then, the control unit 11 of the computer 10 (hereinafter referred to as "staining device 10 for shavings") is executed with the measurement program 17 for shavings, so that the pulse laser is applied to the surface of the shavings 20. The Na height is processed to calculate at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm using the emission spectrum that is irradiated with light 8 and received. The wavelength intensity calculation unit 11a and the first density specifying unit 11b that performs a process of obtaining the salt adhesion density of the sardines 20 using the Na high wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are used. Using the emission spectrum in which the surface of class 20 is irradiated with pulsed laser light 8 and received, at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm is determined. A second process for obtaining the salt adhesion density of the sardines 20 using the Na low wavelength intensity calculation unit 11c that performs the calculation process and the Na low wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. Cl wavelength intensity calculation that calculates the emission intensity of Cl with an emission wavelength of 837.59 nm using the density identification unit 11d and the emission spectrum that the pulsed laser light 8 is irradiated on the surface of the shavings 20 and received. A part 11e and a third density specifying part 11f for performing a process of obtaining the salt adhesion density of the sardines 20 using the Cl wavelength SDD calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are configured.

ここで、本発明では、がいし類の表面の監視に係る計測を行う手法として、レーザー誘起ブレイクダウン分光（ＬＩＢＳ：Ｌaser Ｉnduced Ｂreakdown Ｓpectroscopy の略）が用いられる。 Here, in the present invention, laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS: an abbreviation for Laser Induced Breakdown Spectroscopy) is used as a method for measuring the surface of insulators.

レーザー誘起ブレイクダウン分光は、レーザー光を測定対象物に集光することによってプラズマを発生させ、そのプラズマからの発光を分光することにより、測定対象物に含有される元素の種類及び濃度を測定する手法である。なお、レーザー誘起ブレイクダウン分光自体は周知の技術であるので（例えば、Ｄ．Ａ．Ｃｒｅｍｅｒｓ ａｎｄ Ｌ．Ｊ．Ｒａｄｚｉｅｍｓｋｉ「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｌａｓｅｒ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ」，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｌｔｄ．）、ここでは詳細については省略する。 Laser-induced breakdown spectroscopy measures the type and concentration of elements contained in a measurement object by generating plasma by focusing the laser light on the object to be measured and spectroscopically emitting light from the plasma. It is a method. Since laser-induced breakdown spectroscopy itself is a well-known technique (for example, DA Cremers and L.J. Radzemski "Handbook of Laser-Induced Spectroscopy", John Wiley, John Wiley, here. Details will be omitted.

レーザー誘起ブレイクダウン分光は、他の成分分析法に比べ、(1)サンプル前処理をせずに成分分析が可能であること、(2)非接触計測や遠隔計測が可能であること、(3)リアルタイム計測が可能であること、(4)様々な物質を同時に計測することが可能であること、(5)高空間分解能があること、などの利点がある。 Compared to other component analysis methods, laser-induced breakdown spectroscopy can (1) perform component analysis without sample pretreatment, (2) enable non-contact measurement and remote measurement, and (3). ) Real-time measurement is possible, (4) various substances can be measured at the same time, and (5) high spatial resolution is available.

また、本発明が対象とする「がいし類」には、態様や用途などの区分・種類の範囲として少なくとも、例えば、磁器製のがいし類やポリマー材料を外被材としたがいし類などが含まれ、懸垂がいし，長幹がいし，相間スペーサ，避雷器，がい管，ブッシング，中実ＳＰ（Ｓtation Ｐost の略）がいし，及び配電用がいしなどが含まれる。 In addition, the "insulators" targeted by the present invention include, for example, porcelain insulators and insulators using a polymer material as an outer cover, as a range of classifications and types such as modes and uses. , Suspended insulators, long trunk insulators, interphase spacers, lightning arresters, insulators, bushings, solid SP (abbreviation of Station Post) insulators, and power distribution insulators.

そして、ポリマー製がいし類の外被のエロージョン進行には塩類の付着密度だけでなく組成も大きく影響することが報告されており（西村誠介ほか「シリコーンゴムのエロージョン進行に及ぼす電解質種類の影響」，一般社団法人電気学会 電線・ケ−ブル研究会資料，ＥＷＣ１１００１，２０１１年）、塩類の組成は劣化による寿命評価を行う上で無視できない項目の一つである。このような背景のもと、レーザー誘起ブレイクダウン分光の特徴である付着密度計測と多成分計測（言い換えると、組成の同定，多元素の同定）との同時計測が、ポリマー製がいし類の診断に対して有用な特性として活用され得る。 It has been reported that not only the adhesion density of salts but also the composition greatly affects the erosion progression of polymer insulators (Seisuke Nishimura et al., "Effect of electrolyte type on erosion progression of silicone rubber". , Institute of Electrical Engineers of Japan, Electric Wire and Polymer Study Group, EWC11001, 211), The composition of salts is one of the items that cannot be ignored in the evaluation of life due to deterioration. Against this background, the simultaneous measurement of adhesion density measurement and multi-component measurement (in other words, composition identification, multi-element identification), which is a feature of laser-induced breakdown spectroscopy, is useful for diagnosing polymer insulators. On the other hand, it can be used as a useful property.

また、本発明は、計測対象となるがいし類について、電圧印加の有無や設置環境について特別な制限を課していない。例えば鉄塔などに取り付けられて実際に用いられているがいし類を対象として計測が行われる。そして、例えば、鉄塔に取り付けられているがいし類を対象として計測する際には、計測距離が３０〜５０ ｍ 程度になることが想定される。 Further, the present invention does not impose any special restrictions on the presence or absence of voltage application and the installation environment for the insulators to be measured. For example, measurement is performed on insulators that are attached to steel towers and are actually used. Then, for example, when measuring insulators attached to a steel tower, it is assumed that the measurement distance is about 30 to 50 m.

本実施形態では、図３に示す態様（言い換えると、計測系）により、計測対象（言い換えると、監視対象）のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われてがいし類の付着物質の付着分布が遠隔で計測される。 In the present embodiment, the insulators 20 of the measurement target (in other words, the monitoring target) are irradiated with laser light according to the embodiment shown in FIG. 3 (in other words, the measurement system), and the adhesion distribution of the adherent substances of the insulators is performed. Is measured remotely.

なお、本実施形態では、図３に示す装置構成の中に、当該装置によって行われるレーザー光照射及び発光スペクトル計測を制御する制御装置（コンピュータ）としてがいし類の汚損の計測装置１０が組み込まれている。ただし、レーザー光照射及び発光スペクトル計測を制御する制御装置（コンピュータ）とがいし類の汚損の計測装置１０とは別々のものとして構成されるようにしても良い。 In the present embodiment, the insulator fouling measuring device 10 is incorporated as a control device (computer) for controlling the laser light irradiation and the emission spectrum measurement performed by the device configuration in the device configuration shown in FIG. There is. However, the control device (computer) that controls the laser light irradiation and the emission spectrum measurement may be configured as separate from the insulator type fouling measuring device 10.

そして、本実施形態では、図３に示す態様により、概要としては、がいし類２０の表面にレーザー光８が集光され、レーザー装置１の近傍に設置された望遠鏡３がプラズマからの発光９を受光する。さらに、光ファイバー７を介して、分光装置（分光器４，検出器５を含む）でそのスペクトルが計測される。 Then, in the present embodiment, according to the embodiment shown in FIG. 3, as an outline, the laser light 8 is focused on the surface of the insulators 20, and the telescope 3 installed in the vicinity of the laser device 1 emits light 9 from the plasma. Receive light. Further, the spectrum is measured by a spectroscope (including the spectroscope 4 and the detector 5) via the optical fiber 7.

そして、レーザー光８の集光点が掃引されることにより、がいし類２０の表面における塩分濃度分布が計測される。これにより、がいし類２０の表面の付着塩分濃度分布が、遠隔で迅速に計測され得る。 Then, by sweeping the condensing point of the laser beam 8, the salt concentration distribution on the surface of the insulator 20 is measured. Thereby, the attached salt concentration distribution on the surface of the insulator 20 can be measured remotely and quickly.

本実施形態では、レーザー誘起ブレイクダウン分光を行うための機序が、具体的には、レーザー装置１，タイミングコントローラ２，望遠鏡３，分光器４，検出器５，及びがいし類の汚損の計測装置１０を有するものとして構成される。 In the present embodiment, the mechanism for performing laser-induced breakdown spectroscopy is specifically a laser device 1, a timing controller 2, a telescope 3, a spectroscope 4, a detector 5, and an insulator fouling measuring device. It is configured as having 10.

プラズマを生成するためのレーザー装置１としては、例えば、パルス繰り返しが１０ Ｈｚ であるＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーが用いられる。そして、第二高調波（波長：５３２ ｎｍ）が計測対象のがいし類２０に照射される。 As the laser device 1 for generating plasma, for example, a Q-switched Nd: YAG laser having a pulse repetition of 10 Hz is used. Then, the second harmonic (wavelength: 532 nm) is applied to the insulators 20 to be measured.

そして、レーザー装置１から出射された、例えば、ビーム径：〜１ ｃｍ 程度の範囲，エネルギー：５０〜１５０ ｍＪ 程度の範囲（一層具体的には、１００ ｍＪ 程度）のレーザー光８（パルスレーザー光）が、拡大集光光学系６によって計測対象のがいし類２０の表面に入射・集光され、プラズマを生成する。 Then, the laser light 8 (pulse laser light) emitted from the laser device 1, for example, having a beam diameter in the range of about 1 cm and an energy in the range of about 50 to 150 mJ (more specifically, about 100 mJ). ) Is incident on and focused on the surface of the lasers 20 to be measured by the magnifying and condensing optical system 6 to generate plasma.

拡大集光光学系６は、例えばレーザー装置１から計測対象のがいし類２０までの距離や集光後のレーザービーム径（言い換えると、スポット径）が考慮されるなどした上で、適当な構成に適宜調整・設定される。拡大集光光学系６は、具体的には例えば、図３に示す例のように凸レンズ６Ａと凹レンズ６Ｂとの組み合わせとして構成され、レーザー装置１から出射されたレーザー光８のビーム径を凹レンズ６Ｂによって拡大してから所定距離（既知）離れた位置の計測対象のがいし類２０の表面に凸レンズ６Ａによって集光するように調整・設定されることが考えられる。 The magnifying and condensing optical system 6 has an appropriate configuration, for example, considering the distance from the laser device 1 to the measuring object 20 and the laser beam diameter after condensing (in other words, the spot diameter). Adjust and set as appropriate. Specifically, for example, the magnifying and condensing optical system 6 is configured as a combination of a convex lens 6A and a concave lens 6B as in the example shown in FIG. 3, and the beam diameter of the laser light 8 emitted from the laser device 1 is set to the concave lens 6B. It is conceivable that the convex lens 6A adjusts and sets the light to be focused on the surface of the measuring object 20 at a position separated by a predetermined distance (known) after being enlarged.

その上で、計測対象のがいし類２０の表面において生じたプラズマからの発光９が、望遠鏡３（例えば、ニュートン式望遠鏡）によって光ファイバー７（例えば、バンドルファイバー）の端面に集光され、当該光ファイバー７を介して分光器４へと導かれる。 Then, the light emission 9 from the plasma generated on the surface of the insulator 20 to be measured is focused on the end face of the optical fiber 7 (for example, a bundle fiber) by the telescope 3 (for example, a Newtonian telescope), and the optical fiber 7 is collected. It is guided to the spectroscope 4 via.

そして、分光器４によって分析対象の元素の発光波長の発光スペクトルが分離され、当該分離された発光スペクトルが検出器５によって受光される。 Then, the emission spectrum of the emission wavelength of the element to be analyzed is separated by the spectroscope 4, and the separated emission spectrum is received by the detector 5.

プラズマからの発光９を受光するための検出器５としては、例えば、イメージインテンシファイア付ＣＣＤ（ＩＣＣＤ：Ｉntensified Ｃharge Ｃoupled Ｄevice の略）カメラ、或いは、高電子増倍管とバンドパスフィルタとの組み合わせなどが用いられる。 The detector 5 for receiving the light emission 9 from the plasma is, for example, a CCD (ICCD: Intensified Charge Coupled Device) camera with an image intensifier, or a combination of a high electron multiplier tube and a bandpass filter. Etc. are used.

なお、必要に応じ、検出器５と撮像対象である計測対象のがいし類２０との間（具体的には例えば、望遠鏡３の対物レンズ若しくは対物境の前、またはバンドルファイバの前）に、ＮＤ(Ｎeutral Ｄensity の略)フィルタやバンドパスフィルタ等の光学フィルタが配設されるようにしても良い。 If necessary, the ND is placed between the detector 5 and the insulator 20 to be measured (specifically, in front of the objective lens or the objective boundary of the telescope 3 or in front of the bundle fiber). (Abbreviation of Neutral Density) An optical filter such as a filter or a bandpass filter may be arranged.

また、レーザー装置１によるレーザー光８の照射と検出器５によるプラズマ発光９の受光（言い換えると、露光開始時間）との遅延時間は、タイミングコントローラ２によって制御される（検出器５に関しては、具体的にはゲート遅延時間が制御される。尚、検出器５のゲート幅は検出器５内の制御機能によって制御される）。 Further, the delay time between the irradiation of the laser beam 8 by the laser device 1 and the reception of the plasma emission 9 by the detector 5 (in other words, the exposure start time) is controlled by the timing controller 2 (specifically, regarding the detector 5). The gate delay time is controlled. The gate width of the detector 5 is controlled by the control function in the detector 5).

そして、検出器５により、計測対象のがいし類２０の表面において生じたプラズマからの発光９についての分析対象の元素の発光スペクトルが、がいし類の汚損の計測装置１０へと出力される。ここで、検出器５から出力される、発光スペクトルに対応する信号のことを「スペクトルデータ」と呼ぶ。 Then, the detector 5 outputs the emission spectrum of the element to be analyzed for the emission 9 from the plasma generated on the surface of the insulator 20 to be measured to the insulator 10 for measuring the contamination of the insulator. Here, the signal corresponding to the emission spectrum output from the detector 5 is referred to as "spectrum data".

なお、複数パルスのレーザー光によるプラズマ発光スペクトルが積算されて発光強度が算定される（言い換えると、１データとされる）ようにしても良い。発光強度を算定する際の発光スペクトルの積算の回数は、具体的には例えば、あくまで一例として挙げると、５０回程度に設定され得る。 The plasma emission spectra of the laser beams of a plurality of pulses may be integrated to calculate the emission intensity (in other words, one data). The number of times the emission spectrum is integrated when calculating the emission intensity can be set to about 50 times, for example, to give an example.

そして、がいし類の汚損の計測方法の手順として、本実施形態では、大まかに、Ｎａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光スペクトルを利用してがいし類表面の塩分付着密度の定量的な計測を行う処理（Ｓ１）と、Ｎａ低波長（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）の発光スペクトルを利用してがいし類表面の塩分付着密度の定量的な計測を行う処理（Ｓ２）と、Ｃｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルを利用してがいし類表面の塩分付着密度の定量的な計測を行う処理（Ｓ３）と、最終的な塩分付着密度の決定を行う処理（Ｓ４）とを有するようにしている。 Then, as a procedure of the method for measuring the fouling of sardines, in the present embodiment, the salt content on the surface of sardines is roughly utilized by using the emission spectrum of Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm). Quantitative salt adhesion density on the surface of sardines using the process of quantitatively measuring the adhesion density (S1) and the emission spectrum of Na low wavelength (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm). A process for measuring (S2), a process for quantitatively measuring the salt adhesion density on the surface of sardines using the emission spectrum of Cl wavelength (emission wavelength: 837.59 nm) (S3), and a final process. It has a process (S4) for determining the salt adhesion density.

具体的には、まず、Ｎａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光スペクトルの計測が行われる（Ｓ１−１）。 Specifically, first, the emission spectrum of Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm) is measured (S1-1).

Ｓ１−１の処理としては、図３に示す態様によって計測対象のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われ、レーザー誘起ブレイクダウン分光により、発光波長（発光線，分析線の波長）が８１８．３３ ｎｍ であるＮａの発光スペクトルと８１９．４８ ｎｍ であるＮａの発光スペクトルとのうちの少なくとも一方が計測される。 As the processing of S1-1, laser light is irradiated to the squid 20 to be measured according to the embodiment shown in FIG. 3, and the emission wavelength (wavelength of emission line and analysis line) is 818 by laser-induced breakdown spectroscopy. At least one of the emission spectrum of Na at .33 nm and the emission spectrum of Na at 819.48 nm is measured.

発光波長が８１８．３３ ｎｍ や８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光スペクトルを計測する際の分光器４のグレーティング及び入射スリット幅は、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、刻線数：３００ Ｇｒ／ｍｍ 程度，入射スリット幅：５０ μｍ 程度に設定されることが考えられる。 The grating and the incident slit width of the spectroscope 4 when measuring the emission spectrum of Na having an emission wavelength of 818.33 nm or 819.48 nm are not limited to specific values, but for example, the number of engraved lines. It is conceivable that the setting is about 300 Gr / mm and the incident slit width is about 50 μm.

また、検出器５としてＩＣＣＤカメラが用いられる場合の、発光波長が８１８．３３ ｎｍ や８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光スペクトルを計測する際のゲート幅，ゲート遅延時間，及びゲインは、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、ゲート幅：３ μｓ 程度，ゲート遅延時間：２ μｓ 程度，及びゲイン：１程度に設定されることが考えられる。 In addition, when an ICCD camera is used as the detector 5, the gate width, gate delay time, and gain when measuring the emission spectrum of Na having an emission wavelength of 818.33 nm or 819.48 nm are specific values. Although not limited to, for example, it is conceivable that the gate width is set to about 3 μs, the gate delay time is set to about 2 μs, and the gain is set to about 1.

本実施形態では、発光波長８１８．３３ ｎｍ と８１９．４８ ｎｍ とのうちの少なくとも一方を含むＮａに係る発光スペクトルが、スペクトルデータとして、検出器５から出力される。 In the present embodiment, the emission spectrum relating to Na containing at least one of the emission wavelengths of 818.33 nm and 819.48 nm is output from the detector 5 as spectrum data.

続いて、Ｎａ高波長の発光強度の計算が行われる（Ｓ１−２）。 Subsequently, the emission intensity of Na high wavelength is calculated (S1-2).

Ｓ１−２の処理としては、Ｓ１−１の処理によって計測されて取得された発光スペクトルが用いられて発光強度（Ｓ１−１の処理での計測に対応する、発光波長８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）が計算される。 As the processing of S1-2, the emission spectrum measured and acquired by the processing of S1-1 is used, and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm corresponding to the measurement in the processing of S1-1. At least one of the emission intensity and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm) is calculated.

本実施形態では、Ｓ１−１の処理において検出器５から出力されるスペクトルデータががいし類の汚損の計測装置１０へと入力され、制御部１１のＮａ高波長強度計算部１１ａにより、発光強度が計算される。なお、発光スペクトルを用いての発光強度の計算の仕方自体は周知の技術であるのでここでは詳細については省略する。 In the present embodiment, the spectrum data output from the detector 5 in the process of S1-1 is input to the measuring device 10 for fouling of sardines, and the emission intensity is determined by the Na high wavelength intensity calculation unit 11a of the control unit 11. It is calculated. Since the method of calculating the emission intensity using the emission spectrum itself is a well-known technique, the details will be omitted here.

そして、Ｎａ高波長強度計算部１１ａにより、計算された発光強度の値が、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the emission intensity calculated by the Na high wavelength intensity calculation unit 11a is stored in the memory 15.

続いて、Ｎａ高波長の利用による、計測対象のがいし類の塩分付着密度の特定が行われる（Ｓ１−３）。 Subsequently, the salt adhesion density of the insulators to be measured is specified by using the high wavelength of Na (S1-3).

Ｓ１−３の処理としては、Ｓ１−２の処理によって計算された発光強度が、予め定められた「Ｎａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光強度と塩分付着密度との間の関係」（即ち、塩分付着密度を求める検量線である）に当てはめられることにより、計測対象のがいし類２０についての塩分付着密度（単位：ｍｇ／ｃｍ2）が特定される。なお、「Ｎａ高波長の発光強度と塩分付着密度との間の関係」のことを「Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線」と呼ぶ。Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線は各種発光波長（８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）別に設定される。 As the treatment of S1-3, the emission intensity calculated by the treatment of S1-2 is the emission intensity and the salt adhesion density of the predetermined "Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm)". By applying to the "relationship with" (that is, a calibration curve for determining the salt adhesion density), the salt adhesion density (unit: mg / cm 2 ) of the sardines 20 to be measured is specified. The "relationship between the emission intensity of Na high wavelength and the salt adhesion density" is referred to as "Na high wavelength SDD calibration curve". The Na high wavelength SDD calibration curve is set for each of various emission wavelengths (818.33 nm, 819.48 nm).

Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線の設定のため、塩分付着密度が既知である汚損物が表面に付着している複数の試験片のそれぞれについて上述のＳ１−１及びＳ１−２の処理と同様にレーザー光の照射が行われて発光強度（Ｓ１−１の処理での計測に対応する、発光波長８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）が計算され、これにより、塩分付着密度（既知）とＮａ高波長の発光強度との組み合わせデータが複数組整備される。 Due to the setting of the Na high wavelength SDD calibration line, laser light is applied to each of the plurality of test pieces having contaminants with known salt adhesion densities attached to the surface in the same manner as in the above-mentioned treatments of S1-1 and S1-2. At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm, which correspond to the measurement in the process of S1-1. ) Is calculated, and a plurality of sets of combination data of the salt adhesion density (known) and the emission intensity of high wavelength Na are prepared.

なお、試験片までの離隔距離として確保可能な距離に制約がある場合などには、計測対象のがいし類２０を対象とした実際の計測における計測対象のがいし類２０までの離隔距離（言い換えると、集光焦点距離）と比べて試験片までの離隔距離（集光焦点距離）が短く変更されると共に、試験片に照射されるレーザー光の強度（言い換えると、レーザーエネルギー密度）が、実際の計測でのレーザー照射強度（レーザーエネルギー密度）に対応するもの（言い換えると、同等のもの）になるように、試験片までの離隔距離（集光焦点距離）に応じて調整されるようにしても良い。 If there is a limit to the distance that can be secured as the separation distance to the test piece, the separation distance to the measurement target laser 20 in the actual measurement targeting the measurement target laser 20 (in other words, the separation distance to the measurement target laser 20). The separation distance to the test piece (focused focal length) is changed shorter than the focused focal length), and the intensity of the laser light (in other words, the laser energy density) emitted to the test piece is actually measured. It may be adjusted according to the separation distance (focused focal length) to the test piece so as to correspond to the laser irradiation intensity (laser energy density) in (in other words, equivalent). ..

そして、この複数の組み合わせデータに基づいて発光強度と塩分付着密度との間の関係が推定され（例えば、折線・曲線グラフや近似関数として推定される）、当該推定された関係がＮａ高波長ＳＤＤ検量線として設定される。なお、Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線は連続的な増加傾向を示すものになる。 Then, the relationship between the emission intensity and the salt adhesion density is estimated based on the plurality of combined data (for example, estimated as a polygonal line / curve graph or an approximate function), and the estimated relationship is Na high wavelength SDD. Set as a calibration curve. The Na high wavelength SDD calibration curve shows a continuous increasing tendency.

Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線を設定するための塩分付着密度（既知）と発光強度との組み合わせデータの個数は、特定の個数に限定されるものではないものの、少なくとも、発光強度と塩分付着密度との間の連続的な増加傾向を適切に再現し得る程度の個数であることが好ましい。 The number of combination data of the salt adhesion density (known) and the emission intensity for setting the Na high wavelength SDD calibration curve is not limited to a specific number, but at least the emission intensity and the salt adhesion density. It is preferable that the number is such that the continuous increasing tendency between them can be appropriately reproduced.

また、Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線を設定するための組み合わせデータの整備のために使用される試験片としては、塩分付着密度が様々であるものが準備されて使用されることが好ましく、少なくとも、がいし類における塩分付着密度として想定される範囲（具体的には例えば、がいし類の汚損の程度に関する区分における一般汚損地域に相当するＳＤＤ＜０．０１ ｍｇ／ｃｍ2 から特殊地域に相当するＳＤＤ＞０．３５ ｍｇ／ｃｍ2 までの範囲）をカバーする塩分付着密度に設定されたものが準備されて使用されることが好ましい。 Further, as a test piece used for preparing combination data for setting a Na high wavelength SDD calibration curve, it is preferable that a test piece having various salt adhesion densities is prepared and used, and at least an insulator is used. Range assumed as salt adhesion density in class (specifically, SDD <0.01 mg / cm 2 corresponding to general polluted area in classification regarding degree of insulator fouling> SDD corresponding to special area> 0 It is preferable that an insulator having a salt adhesion density covering (up to .35 mg / cm 2 ) is prepared and used.

また、表面に汚損物が付着していない試験片が含まれるようにしても良い。この場合には、塩分付着が無い状態（即ち、塩分付着密度が０(ゼロ)であるとき）の発光強度のデータがＮａ高波長ＳＤＤ検量線を設定するための組み合わせデータに含められる。 Further, a test piece having no contaminants attached to the surface may be included. In this case, the emission intensity data in the state where there is no salt adhesion (that is, when the salt adhesion density is 0 (zero)) is included in the combination data for setting the Na high wavelength SDD calibration curve.

本実施形態では、Ｎａ高波長ＳＤＤ検量線はがいし類の汚損の計測プログラム１７内に予め規定され、そして、第一の密度特定部１１ｂにより、Ｓ１−２の処理においてメモリ１５に記憶された発光強度（Ｓ１−１の処理での計測に対応する、発光波長８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）の値が読み込まれ、当該値がＮａ高波長ＳＤＤ検量線に当てはめられて計測対象のがいし類２０の表面の塩分付着密度が特定される。 In the present embodiment, the Na high wavelength SDD calibration curve is defined in advance in the measurement program 17 for fouling of the shavings, and the light emission stored in the memory 15 in the processing of S1-2 by the first density specifying unit 11b. The value of the intensity (at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm, which correspond to the measurement in the processing of S1-1) is read. The value is applied to the Na high wavelength SDD calibration curve to specify the salt adhesion density on the surface of the squid 20 to be measured.

そして、第一の密度特定部１１ｂにより、特定された塩分付着密度の値が、Ｎａ高波長を利用した場合の塩分付着密度の値として、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the salt adhesion density specified by the first density specifying unit 11b is stored in the memory 15 as the value of the salt adhesion density when the high wavelength of Na is used.

次に、Ｎａ低波長（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）の発光スペクトルの計測が行われる（Ｓ２−１）。 Next, the emission spectrum of Na low wavelength (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm) is measured (S2-1).

Ｓ２−１の処理としては、図３に示す態様によって計測対象のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われ、レーザー誘起ブレイクダウン分光により、発光波長（発光線，分析線の波長）が５８９．００ ｎｍ であるＮａの発光スペクトルと５８９．５９ ｎｍ であるＮａの発光スペクトルとのうちの少なくとも一方が計測される。 As the processing of S2-1, the laser beam is irradiated to the squid 20 to be measured according to the embodiment shown in FIG. 3, and the emission wavelength (wavelength of emission line and analysis line) is 589 by laser-induced breakdown spectroscopy. At least one of the emission spectrum of Na at 0.00 nm and the emission spectrum of Na at 589.59 nm is measured.

発光波長が５８９．００ ｎｍ や５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光スペクトルを計測する際の分光器４のグレーティング及び入射スリット幅は、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、刻線数：３００ Ｇｒ／ｍｍ 程度，入射スリット幅：５０ μｍ 程度に設定されることが考えられる。 The grating and the incident slit width of the spectroscope 4 when measuring the emission spectrum of Na having an emission wavelength of 589.00 nm or 589.59 nm are not limited to specific values, but for example, the number of engraved lines. It is conceivable that the setting is about 300 Gr / mm and the incident slit width is about 50 μm.

また、検出器５としてＩＣＣＤカメラが用いられる場合の、発光波長が５８９．００ ｎｍ や５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光スペクトルを計測する際のゲート幅，ゲート遅延時間，及びゲインは、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、ゲート幅：３ μｓ 程度，ゲート遅延時間：２ μｓ 程度，及びゲイン：１程度に設定されることが考えられる。 Further, when the ICCD camera is used as the detector 5, the gate width, gate delay time, and gain when measuring the emission spectrum of Na having an emission wavelength of 589.00 nm or 589.59 nm are specific values. Although not limited to, for example, it is conceivable that the gate width is set to about 3 μs, the gate delay time is set to about 2 μs, and the gain is set to about 1.

本実施形態では、発光波長５８９．００ ｎｍ と５８９．５９ ｎｍ とのうちの少なくとも一方を含むＮａに係る発光スペクトルが、スペクトルデータとして、検出器５から出力される。 In the present embodiment, the emission spectrum relating to Na containing at least one of the emission wavelengths of 589.00 nm and 589.59 nm is output from the detector 5 as spectrum data.

続いて、Ｎａ低波長の発光強度の計算が行われる（Ｓ２−２）。 Subsequently, the emission intensity of Na low wavelength is calculated (S2-2).

Ｓ２−２の処理としては、Ｓ２−１の処理によって計測されて取得された発光スペクトルが用いられて発光強度（Ｓ２−１の処理での計測に対応する、発光波長５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）が計算される。 As the processing of S2-2, the emission spectrum measured and acquired by the processing of S2-1 is used, and the emission intensity (corresponding to the measurement in the processing of S2-1, Na with an emission wavelength of 589.00 nm) is used. At least one of the emission intensity and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm) is calculated.

本実施形態では、Ｓ２−１の処理において検出器５から出力されるスペクトルデータががいし類の汚損の計測装置１０へと入力され、制御部１１のＮａ低波長強度計算部１１ｃにより、発光強度が計算される。 In the present embodiment, the spectrum data output from the detector 5 in the process of S2-1 is input to the insulator fouling measuring device 10, and the emission intensity is determined by the Na low wavelength intensity calculation unit 11c of the control unit 11. It is calculated.

そして、Ｎａ低波長強度計算部１１ｃにより、計算された発光強度の値が、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the emission intensity calculated by the Na low wavelength intensity calculation unit 11c is stored in the memory 15.

続いて、Ｎａ低波長の利用による、計測対象のがいし類の塩分付着密度の特定が行われる（Ｓ２−３）。 Subsequently, the salt adhesion density of the insulators to be measured is specified by using the low wavelength of Na (S2-3).

Ｓ２−３の処理としては、Ｓ２−２の処理によって計算された発光強度が、予め定められた「Ｎａ低波長（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）の発光強度と塩分付着密度との間の関係」（即ち、塩分付着密度を求める検量線である）に当てはめられることにより、計測対象のがいし類２０についての塩分付着密度（単位：ｍｇ／ｃｍ2）が特定される。なお、「Ｎａ低波長の発光強度と塩分付着密度との間の関係」のことを「Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線」と呼ぶ。Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線は各種発光波長（５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）別に設定される。 As the treatment of S2-3, the emission intensity calculated by the treatment of S2-2 is the emission intensity and the salt adhesion density of the predetermined "Na low wavelength (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm)". By applying to "relationship with" (that is, a calibration curve for determining the salt adhesion density), the salt adhesion density (unit: mg / cm 2 ) of the sardines 20 to be measured is specified. The "relationship between the emission intensity of Na low wavelength and the salt adhesion density" is referred to as "Na low wavelength SDD calibration curve". The Na low wavelength SDD calibration curve is set for each of various emission wavelengths (589.00 nm, 589.59 nm).

Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線の設定のため、塩分付着密度が既知である汚損物が表面に付着している複数の試験片のそれぞれについて上述のＳ２−１及びＳ２−２の処理と同様にレーザー光の照射が行われて発光強度（Ｓ２−１の処理での計測に対応する、発光波長５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）が計算され、これにより、塩分付着密度（既知）とＮａ低波長の発光強度との組み合わせデータが複数組整備される。 Due to the setting of the Na low wavelength SDD calibration line, laser light is applied to each of the plurality of test pieces having stains having a known salt adhesion density on the surface in the same manner as in the above-mentioned treatments of S2-1 and S2-2. At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm, which correspond to the measurement in the process of S2-1. ) Is calculated, and a plurality of sets of combination data of the salt adhesion density (known) and the emission intensity of Na low wavelength are prepared.

なお、試験片までの離隔距離として確保可能な距離に制約がある場合などには、計測対象のがいし類２０を対象とした実際の計測における計測対象のがいし類２０までの離隔距離（言い換えると、集光焦点距離）と比べて試験片までの離隔距離（集光焦点距離）が短く変更されると共に、試験片に照射されるレーザー光の強度（言い換えると、レーザーエネルギー密度）が、実際の計測でのレーザー照射強度（レーザーエネルギー密度）に対応するもの（言い換えると、同等のもの）になるように、試験片までの離隔距離（集光焦点距離）に応じて調整されるようにしても良い。 If there is a limit to the distance that can be secured as the separation distance to the test piece, the separation distance to the measurement target laser 20 in the actual measurement targeting the measurement target laser 20 (in other words, the separation distance to the measurement target laser 20). The separation distance to the test piece (focused focal length) is changed shorter than the focused focal length), and the intensity of the laser light (in other words, the laser energy density) emitted to the test piece is actually measured. It may be adjusted according to the separation distance (focused focal length) to the test piece so as to correspond to the laser irradiation intensity (laser energy density) in (in other words, equivalent). ..

そして、この複数の組み合わせデータに基づいて発光強度と塩分付着密度との間の関係が推定され（例えば、折線・曲線グラフや近似関数として推定される）、当該推定された関係がＮａ低波長ＳＤＤ検量線として設定される。なお、Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線は連続的な増加傾向を示すものになる。 Then, the relationship between the emission intensity and the salt adhesion density is estimated based on the plurality of combination data (for example, estimated as a polygonal line / curve graph or an approximate function), and the estimated relationship is Na low wavelength SDD. Set as a calibration curve. The Na low wavelength SDD calibration curve shows a continuous increasing tendency.

Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線を設定する際の組み合わせデータの個数及び試験片についての考え方は上述のＮａ高波長ＳＤＤ検量線の設定の場合と同様である。 The number of combination data and the concept of the test piece when setting the Na low wavelength SDD calibration curve are the same as in the case of setting the Na high wavelength SDD calibration curve described above.

本実施形態では、Ｎａ低波長ＳＤＤ検量線はがいし類の汚損の計測プログラム１７内に予め規定され、そして、第二の密度特定部１１ｄにより、Ｓ２−２の処理においてメモリ１５に記憶された発光強度（Ｓ２−１の処理での計測に対応する、発光波長５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と発光波長５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方）の値が読み込まれ、当該値がＮａ低波長ＳＤＤ検量線に当てはめられて計測対象のがいし類２０の表面の塩分付着密度が特定される。 In the present embodiment, the Na low wavelength SDD calibration curve is defined in advance in the measurement program 17 for fouling of shavings, and the second density specifying unit 11d emits light stored in the memory 15 in the processing of S2-2. The value of the intensity (at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm, which corresponds to the measurement in the processing of S2-1) is read. The value is applied to the Na low wavelength SDD calibration curve to specify the salt adhesion density on the surface of the sword 20 to be measured.

そして、第二の密度特定部１１ｄにより、特定された塩分付着密度の値が、Ｎａ低波長を利用した場合の塩分付着密度の値として、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the specified salt adhesion density by the second density specifying unit 11d is stored in the memory 15 as the value of the salt adhesion density when the Na low wavelength is used.

次に、Ｃｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルの計測が行われる（Ｓ３−１）。 Next, the emission spectrum of the Cl wavelength (emission wavelength: 837.59 nm) is measured (S3-1).

Ｓ３−１の処理としては、図３に示す態様によって計測対象のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われ、レーザー誘起ブレイクダウン分光により、発光波長（発光線，分析線の波長）が８３７．５９ ｎｍ であるＣｌの発光スペクトルが計測される。 As the processing of S3-1, the laser beam is irradiated to the squid 20 to be measured according to the embodiment shown in FIG. 3, and the emission wavelength (wavelength of emission line and analysis line) is 837 by laser-induced breakdown spectroscopy. The emission spectrum of Cl at .59 nm is measured.

発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光スペクトルを計測する際の分光器４のグレーティング及び入射スリット幅は、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、刻線数：３００ Ｇｒ／ｍｍ 程度，入射スリット幅：５０ μｍ 程度に設定されることが考えられる。 The grating and the incident slit width of the spectroscope 4 when measuring the emission spectrum of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm are not limited to specific values, but for example, the number of engraved lines: 300 Gr / mm. Degree, incident slit width: It is conceivable to be set to about 50 μm.

また、検出器５としてＩＣＣＤカメラが用いられる場合の、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光スペクトルを計測する際のゲート幅，ゲート遅延時間，及びゲインは、特定の値に限定されるものではないものの、例えば、ゲート幅：５ μｓ 程度，ゲート遅延時間：１ μｓ 程度，及びゲイン：１００〜２００程度に設定されることが考えられる。 Further, when the ICCD camera is used as the detector 5, the gate width, gate delay time, and gain when measuring the emission spectrum of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm are limited to specific values. Although not, for example, it is conceivable that the gate width is set to about 5 μs, the gate delay time is set to about 1 μs, and the gain is set to about 100 to 200.

本実施形態では、発光波長８３７．５９ ｎｍ を含むＣｌに係る発光スペクトルが、スペクトルデータとして、検出器５から出力される。 In the present embodiment, the emission spectrum relating to Cl including the emission wavelength of 837.59 nm is output from the detector 5 as spectrum data.

続いて、Ｃｌ波長の発光強度の計算が行われる（Ｓ３−２）。 Subsequently, the emission intensity of the Cl wavelength is calculated (S3-2).

Ｓ３−２の処理としては、Ｓ３−１の処理によって計測されて取得された発光スペクトルが用いられて発光強度が計算される。 As the process of S3-2, the emission intensity is calculated using the emission spectrum measured and acquired by the process of S3-1.

本実施形態では、Ｓ３−１の処理において検出器５から出力されるスペクトルデータががいし類の汚損の計測装置１０へと入力され、制御部１１のＣｌ波長強度計算部１１ｅにより、発光強度が計算される。 In the present embodiment, the spectrum data output from the detector 5 in the process of S3-1 is input to the insulator fouling measuring device 10, and the emission intensity is calculated by the Cl wavelength intensity calculation unit 11e of the control unit 11. Will be done.

そして、Ｃｌ波長強度計算部１１ｅにより、計算された発光強度の値が、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the emission intensity calculated by the Cl wavelength intensity calculation unit 11e is stored in the memory 15.

続いて、Ｃｌ波長の利用による、計測対象のがいし類の塩分付着密度の特定が行われる（Ｓ３−３）。 Subsequently, the salt adhesion density of the insulators to be measured is specified by using the Cl wavelength (S3-3).

Ｓ３−３の処理としては、Ｓ３−２の処理によって計算された発光強度が、予め定められた「Ｃｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度と塩分付着密度との間の関係」（即ち、塩分付着密度を求める検量線である）に当てはめられることにより、計測対象のがいし類２０についての塩分付着密度（単位：ｍｇ／ｃｍ2）が特定される。なお、「Ｃｌ波長の発光強度と塩分付着密度との間の関係」のことを「Ｃｌ波長ＳＤＤ検量線」と呼ぶ。 In the treatment of S3-3, the emission intensity calculated by the treatment of S3-2 is a predetermined "relationship between the emission intensity of Cl wavelength (emission wavelength: 837.59 nm) and the salt adhesion density". By applying to (that is, a calibration curve for determining the salt adhesion density), the salt adhesion density (unit: mg / cm 2 ) of the sardines 20 to be measured is specified. The "relationship between the emission intensity of Cl wavelength and the salt adhesion density" is referred to as "Cl wavelength SDD calibration curve".

Ｃｌ波長ＳＤＤ検量線の設定のため、塩分付着密度が既知である汚損物が表面に付着している複数の試験片のそれぞれについて上述のＳ３−１及びＳ３−２の処理と同様にレーザー光の照射が行われて発光強度が計算され、これにより、塩分付着密度（既知）とＣｌ波長の発光強度との組み合わせデータが複数組整備される。 Due to the setting of the Cl wavelength SDD calibration curve, the laser beam is applied to each of the plurality of test pieces having stains having a known salt adhesion density on the surface in the same manner as in the above-mentioned treatments of S3-1 and S3-2. Irradiation is performed and the emission intensity is calculated, whereby a plurality of sets of combination data of the salt adhesion density (known) and the emission intensity of the Cl wavelength are prepared.

なお、試験片までの離隔距離として確保可能な距離に制約がある場合などには、計測対象のがいし類２０を対象とした実際の計測における計測対象のがいし類２０までの離隔距離（言い換えると、集光焦点距離）と比べて試験片までの離隔距離（集光焦点距離）が短く変更されると共に、試験片に照射されるレーザー光の強度（言い換えると、レーザーエネルギー密度）が、実際の計測でのレーザー照射強度（レーザーエネルギー密度）に対応するもの（言い換えると、同等のもの）になるように、試験片までの離隔距離（集光焦点距離）に応じて調整されるようにしても良い。 If there is a limit to the distance that can be secured as the separation distance to the test piece, the separation distance to the measurement target laser 20 in the actual measurement targeting the measurement target laser 20 (in other words, the separation distance to the measurement target laser 20). The separation distance to the test piece (focused focal length) is changed shorter than the focused focal length), and the intensity of the laser light (in other words, the laser energy density) emitted to the test piece is actually measured. It may be adjusted according to the separation distance (focused focal length) to the test piece so as to correspond to the laser irradiation intensity (laser energy density) in (in other words, equivalent). ..

そして、この複数の組み合わせデータに基づいて発光強度と塩分付着密度との間の関係が推定され（例えば、折線・曲線グラフや近似関数として推定される）、当該推定された関係がＣｌ波長ＳＤＤ検量線として設定される。なお、Ｃｌ波長ＳＤＤ検量線は連続的な増加傾向を示すものになる。 Then, the relationship between the emission intensity and the salt adhesion density is estimated based on the plurality of combined data (for example, estimated as a polygonal line / curve graph or an approximate function), and the estimated relationship is Cl wavelength SDD calibration. Set as a line. The Cl wavelength SDD calibration curve shows a continuous increasing tendency.

Ｃｌ波長ＳＤＤ検量線を設定する際の組み合わせデータの個数及び試験片についての考え方は上述のＮａ高波長ＳＤＤ検量線の設定の場合と同様である。 The concept of the number of combination data and the test piece when setting the Cl wavelength SDD calibration curve is the same as in the case of setting the Na high wavelength SDD calibration curve described above.

本実施形態では、Ｃｌ波長ＳＤＤ検量線はがいし類の汚損の計測プログラム１７内に予め規定され、そして、第三の密度特定部１１ｆにより、Ｓ３−２の処理においてメモリ１５に記憶された発光強度の値が読み込まれ、当該値がＣｌ波長ＳＤＤ検量線に当てはめられて計測対象のがいし類２０の表面の塩分付着密度が特定される。 In the present embodiment, the Cl wavelength SDD calibration curve is defined in advance in the insulator contamination measurement program 17, and the emission intensity stored in the memory 15 in the processing of S3-2 by the third density specifying unit 11f. Is read, and the value is applied to the Cl wavelength SDD calibration curve to specify the salt adhesion density on the surface of the insulator 20 to be measured.

そして、第三の密度特定部１１ｆにより、特定された塩分付着密度の値が、Ｃｌ波長を利用した場合の塩分付着密度の値として、メモリ１５に記憶させられる。 Then, the value of the specified salt adhesion density by the third density specifying unit 11f is stored in the memory 15 as the value of the salt adhesion density when the Cl wavelength is used.

次に、最終的な塩分付着密度の決定が行われる（Ｓ４）。 Next, the final salt adhesion density is determined (S4).

上述の処理の結果として複数の塩分付着密度の値が得られた場合には、最終的な塩分付着密度は、例えば、これら塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として決定されたり、これら塩分付着密度の値の平均値として決定されたり、或いは、これら塩分付着密度のうちの大きい方の値として決定されたりなどされるようにしても良い。なお、複数の塩分付着密度の値が特定されることにより、結果の相互チェックが行われることも可能になる。 When a plurality of salt adhesion density values are obtained as a result of the above treatment, the final salt adhesion density may be determined, for example, as a range from the minimum value to the maximum value of these salt adhesion density values. , It may be determined as the average value of the values of these salt adhesion densities, or may be determined as the larger value of these salt adhesion densities. By specifying a plurality of salt adhesion density values, mutual checks of the results can be performed.

そして、制御部１１は、計測対象のがいし類２０の塩分付着密度を、表示部１４に表示したり、データファイルとして記憶部１２に保存したりした上で、当該のがいし類２０についての塩分付着密度の計測に関する処理を終了する。 Then, the control unit 11 displays the salt adhesion density of the insulator 20 to be measured on the display unit 14 or saves the salt adhesion density of the insulator 20 as a data file in the storage unit 12, and then the salt adhesion of the insulator 20. The process related to density measurement is completed.

ここで、上述の実施形態ではＮａの発光強度やＣｌの発光強度がそのまま用いられるようにしているが、酸素「Ｏ」の発光スペクトルが計測されて発光強度が計算された上でＮａの発光強度やＣｌの発光強度とＯの発光強度との比が用いられるようにしても良い。Ｏの発光強度との比が用いられる場合には以下に説明する利点が得られる。 Here, in the above-described embodiment, the emission intensity of Na and the emission intensity of Cl are used as they are, but the emission intensity of Na is calculated after the emission spectrum of oxygen "O" is measured and the emission intensity is calculated. Or Cl, the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O may be used. When the ratio of O to the emission intensity is used, the advantages described below can be obtained.

すなわち、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いた計測では、ターゲット上におけるレーザーエネルギー密度などのレーザー照射条件が変化すると、それによって発光強度が変化する。したがって、例えば鉄塔に取り付けられているがいし類を対象とする遠隔でのレーザー誘起ブレイクダウン分光を用いた計測では、レーザー光のビームプロファイルが大気中での伝播において変化することなどにより、近距離での計測と比べ、ターゲット上におけるレーザー集光条件などのレーザー照射条件を一定にすることが難しいと考えられる。このため、計測誤差が大きくなる可能性がある。 That is, in the measurement using laser-induced breakdown spectroscopy, when the laser irradiation conditions such as the laser energy density on the target change, the emission intensity changes accordingly. Therefore, for example, in measurement using remote laser-induced breakdown spectroscopy for insulators mounted on a steel tower, the beam profile of the laser beam changes during propagation in the atmosphere, resulting in a short distance. It is considered difficult to make the laser irradiation conditions such as the laser focusing conditions on the target constant as compared with the measurement of. Therefore, the measurement error may increase.

しかしながら、計測する物理量に対して発光強度が一定である元素が存在すれば、その元素を基準元素として計測対象元素との発光強度比を用いることにより、レーザー照射条件の変化に対して影響の少ない検量線が得られる。 However, if there is an element whose emission intensity is constant with respect to the physical quantity to be measured, the effect on changes in laser irradiation conditions is small by using the emission intensity ratio with the element to be measured using that element as a reference element. A calibration curve is obtained.

そして、発明者が見出した知見によれば、大気中に存在するＯ（具体的には例えば、発光波長：７７７．１９ ｎｍ，８４４．６４ ｎｍ）の発光強度は、レーザー照射条件が同じであれば塩分付着密度に対してほぼ一定であるため、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いたＮａやＣｌの発光波長を利用する計測における基準元素になり得る。この場合に用いられるＯの発光波長は、特定の波長に限定されるものではなく、Ｏの発光波長であれば何れの波長であっても構わない。この点において、Ｏに係る上記の発光波長７７７．１９ ｎｍ や８４４．６４ ｎｍ はあくまでも一例である。発明者が見出した知見によれば、特に、Ｎａ高波長を利用する計測とＣｌ波長を利用する計測とにおいて基準元素になり得る。付け加えると、Ｃｌ波長を利用する計測においてＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度が特に良好な基準になり得る。 Then, according to the findings found by the inventor, the emission intensity of O (specifically, for example, emission wavelengths: 777.19 nm, 844.64 nm) existing in the atmosphere is the same regardless of the laser irradiation conditions. For example, since it is almost constant with respect to the salt adhesion density, it can be a reference element in measurement using the emission wavelengths of Na and Cl using laser-induced breakdown spectroscopy. The emission wavelength of O used in this case is not limited to a specific wavelength, and may be any wavelength as long as it is the emission wavelength of O. In this respect, the above-mentioned emission wavelengths of 777.19 nm and 844.64 nm related to O are merely examples. According to the findings found by the inventor, it can be a reference element especially in the measurement using the Na high wavelength and the measurement using the Cl wavelength. In addition, the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm) can be a particularly good reference in measurements using the Cl wavelength.

この場合には、具体的には、Ｓ１−１の処理等と同様に図３に示す態様によって計測対象のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われ、レーザー誘起ブレイクダウン分光により、発光波長（発光線，分析線の波長）が例えば７７７．１９ ｎｍ であるＯの発光スペクトルと８４４．６４ ｎｍ であるＯの発光スペクトルとのうちの少なくとも一方が計測される。 In this case, specifically, the laser beam is irradiated to the shavings 20 to be measured according to the embodiment shown in FIG. 3 as in the process of S1-1, and the emission wavelength is determined by the laser-induced breakdown spectroscopy. At least one of the emission spectrum of O having (wavelength of emission line and analysis line) of 777.19 nm and the emission spectrum of O having an emission spectrum of 844.64 nm is measured.

なお、比の算出に用いられるＮａやＣｌの発光波長とＯの発光波長との差がそれほど大きくない場合には、分光器４の性能によっては一回の計測で、比の算出に用いられる複数の発光スペクトルが同時に計測されて取得され得る。 If the difference between the emission wavelengths of Na and Cl used for calculating the ratio and the emission wavelength of O is not so large, depending on the performance of the spectroscope 4, one measurement may be used to calculate the ratio. The emission spectrum of can be measured and acquired at the same time.

続いて、上記計測によって取得された発光スペクトルが用いられて発光強度（上記計測に対応する、発光波長７７７．１９ ｎｍ のＯの発光強度と発光波長８４４．６４ ｎｍ のＯの発光強度とのうちの少なくとも一方）が計算される。 Subsequently, the emission spectrum obtained by the above measurement is used to obtain the emission intensity (out of the emission intensity of O having an emission wavelength of 777.19 nm and the emission intensity of O having an emission wavelength of 844.64 nm corresponding to the above measurement). At least one of them) is calculated.

そして、上述のＳ１−２，Ｓ２−２，Ｓ３−２の処理によって計算されたＮａの発光強度やＣｌの発光強度とＯの発光強度との比（言い換えると、Ｏの発光強度に対するＮａの発光強度やＣｌの発光強度の比）が算出される。 Then, the ratio of the emission intensity of Na or the emission intensity of Cl to the emission intensity of O calculated by the above-mentioned treatments of S1-2, S2-2, and S3-2 (in other words, the emission of Na with respect to the emission intensity of O). The ratio of the intensity and the emission intensity of Cl) is calculated.

この場合には、例えば、図２に示すがいし類の汚損の計測装置１０（がいし類の汚損の計測プログラム１７を含む）における制御部１１の、Ｎａ高波長強度計算部１１ａによってＮａ高波長の発光強度に加えてＯ波長の発光強度が計算されたり、Ｎａ低波長強度計算部１１ｃによってＮａ低波長の発光強度に加えてＯ波長の発光強度が計算されたり、或いは、Ｃｌ波長強度計算部１１ｅによってＣｌ波長の発光強度に加えてＯ波長の発光強度が計算されたりする。 In this case, for example, the Na high wavelength intensity calculation unit 11a of the control unit 11 in the porcelain fouling measurement device 10 (including the gauze fouling measurement program 17) shown in FIG. 2 emits light of high wavelength Na. The emission intensity of O wavelength is calculated in addition to the intensity, the emission intensity of O wavelength is calculated in addition to the emission intensity of Na low wavelength by the Na low wavelength intensity calculation unit 11c, or the emission intensity of O wavelength is calculated by the Cl wavelength intensity calculation unit 11e. In addition to the emission intensity of the Cl wavelength, the emission intensity of the O wavelength is calculated.

また、この場合には、Ｎａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比が、予め定められた「〈Ｎａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係」（即ち、塩分付着密度を求める検量線である）に当てはめられることにより、計測対象のがいし類についての塩分付着密度（単位：ｍｇ／ｃｍ2）が特定される。この場合の検量線はＮａ，Ｃｌの各種発光波長とＯの各種発光波長との組み合わせ別に設定される。 In this case, the ratio of the emission intensity of Na and Cl to the emission intensity of O is determined in advance as "<ratio of emission intensity of Na and Cl to emission intensity of O> and <salt adhesion density>. By applying to "relationship with" (that is, a calibration line for determining the salt adhesion density), the salt adhesion density (unit: mg / cm 2 ) of the sardine to be measured is specified. The calibration curve in this case is set for each combination of various emission wavelengths of Na and Cl and various emission wavelengths of O.

したがって、塩分付着密度を求める検量線の設定のため、塩分付着密度が既知である汚損物が表面に付着している複数の試験片のそれぞれについて上述の処理と同様にレーザー光の照射が行われてＮａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度とが計算されると共にＮａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比が算出され、これにより、〈塩分付着密度（既知）〉と〈Ｎａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉との組み合わせデータが複数組整備される。 Therefore, in order to set the calibration line for determining the salt adhesion density, laser light irradiation is performed on each of the plurality of test pieces having contaminants having a known salt adhesion density attached to the surface in the same manner as in the above treatment. The emission intensity of Na and Cl and the emission intensity of O are calculated, and the ratio of the emission intensity of Na and Cl to the emission intensity of O is calculated, whereby <salt adhesion density (known)> and <Na. , The ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O>, and multiple sets of combination data are prepared.

そして、この複数の組み合わせデータに基づいて〈Ｎａ，Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係が推定され（例えば、折線・曲線グラフや近似関数として推定される）、当該推定された関係が塩分付着密度を求める検量線として設定される。なお、検量線は連続的な増加傾向を示すものになる。 Then, the relationship between <ratio of emission intensity of Na and Cl to emission intensity of O> and <salt adhesion density> is estimated based on the plurality of combination data (for example, polygonal line / curve graph and approximation function). The estimated relationship is set as a calibration curve for determining the salt adhesion density. The calibration curve shows a continuous increasing tendency.

また、この場合には、例えば、図２に示すがいし類の汚損の計測装置１０（がいし類の汚損の計測プログラム１７を含む）における制御部１１の、第一の密度特定部１１ｂによって〈Ｎａ高波長の発光強度とＯ波長の発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された塩分付着密度を求める検量線が用いられて塩分付着密度が特定されたり、第二の密度特定部１１ｄによって〈Ｎａ低波長の発光強度とＯ波長の発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された塩分付着密度を求める検量線が用いられて塩分付着密度が特定されたり、或いは、第三の密度特定部１１ｆによって〈Ｃｌ波長の発光強度とＯ波長の発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された塩分付着密度を求める検量線が用いられて塩分付着密度が特定されたりする。 Further, in this case, for example, the first density specifying unit 11b of the control unit 11 in the shavings stain measuring device 10 (including the shavings stain measuring program 17) shown in FIG. 2 causes <Na height. The salt adhesion density can be specified by using a calibration line for determining the salt adhesion density estimated as the relationship between the emission intensity of the wavelength and the emission intensity of the O wavelength> and the salt adhesion density. A calibration line for determining the salt adhesion density estimated as the relationship between <the ratio of the emission intensity of Na low wavelength to the emission intensity of O wavelength> and <salt adhesion density> is used by the density specifying unit 11d of The adhesion density is specified, or the salt adhesion estimated as the relationship between <ratio of emission intensity of Cl wavelength and emission intensity of O wavelength> and <salt adhesion density> by the third density identification unit 11f. A calibration line for determining the density is used to specify the salt adhesion density.

なお、Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比が用いられる場合には、具体的には例えば、図１に示す実施形態におけるＳ３の処理においてＣｌの発光強度のみが用いられる代わりにＣｌの発光強度とＯの発光強度との比が用いられる（即ち、〈Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された、塩分付着密度を求める検量線が用いられる）ようにしたり、図４に示す実施形態におけるＳ５の処理においてＣｌの発光強度のみが用いられる代わりにＣｌの発光強度とＯの発光強度との比が用いられる（即ち、〈Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された、塩分付着密度を求める検量線が用いられる）ようにしたりしても良い。 When the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O is used, specifically, for example, instead of using only the emission intensity of Cl in the treatment of S3 in the embodiment shown in FIG. The ratio of the luminescence intensity to the luminescence intensity of O is used (that is, the salt adhesion density estimated as the relationship between <the ratio of the luminescence intensity of Cl to the luminescence intensity of O> and <salt adhesion density>. The ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O is used instead of using only the emission intensity of Cl in the treatment of S5 in the embodiment shown in FIG. 4 (that is, the emission intensity of Cl is used). A calibration line for determining the salt adhesion density, which is estimated as the relationship between <the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O> and <salt adhesion density>, may be used).

発明者が見出した知見によれば、また、大気中に存在する窒素「Ｎ」の発光強度も、レーザー照射条件が同じであれば塩分付着密度に対してほぼ一定であるため、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いたＮａやＣｌの発光波長を利用する計測における基準元素になり得る。この場合に用いられるＮの発光波長は、特定の波長に限定されるものではなく、Ｎに係るものであれば何れの波長であっても構わない。 According to the findings found by the inventor, the emission intensity of nitrogen "N" existing in the atmosphere is also almost constant with respect to the salt adhesion density under the same laser irradiation conditions, so that laser-induced breakdown It can be a reference element in measurement using the emission wavelengths of Na and Cl using spectroscopy. The emission wavelength of N used in this case is not limited to a specific wavelength, and may be any wavelength as long as it relates to N.

発明者が見出した知見によれば、さらに、計測対象であるがいしの母材や表面釉薬に含有されている元素の発光強度も、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いたＮａやＣｌの発光波長を利用する計測における基準元素になり得る。具体的には例えば、磁器製がいし類の磁器母材には珪素「Ｓｉ」，アルミニウム「Ａｌ」，鉄「Ｆｅ」，チタン「Ｔｉ」，カルシウム「Ｃａ」，マグネシウム「Ｍｇ」，及びカリウム「Ｋ」が含まれている場合があり、また、がいしの表面釉薬にはＳｉ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｋ，及びジルコニウム「Ｚｒ」が含まれている場合があり、これら元素の発光強度がＮａやＣｌとの発光強度比の基準として用いられるようにしても良い。特に、Ｓｉ及びＫの発光波長はＮａやＣｌの発光波長と近く、基準元素として好ましい。 According to the findings found by the inventor, the emission intensity of the elements contained in the insulator base material and surface glaze to be measured also uses the emission wavelengths of Na and Cl using laser-induced breakdown spectroscopy. It can be a reference element in the measurement. Specifically, for example, silicon "Si", aluminum "Al", iron "Fe", titanium "Ti", calcium "Ca", magnesium "Mg", and potassium "K" are used as porcelain base materials for porcelain porcelain. , And the surface glaze of porcelain may contain Si, Al, Fe, Ti, Ca, Mg, K, and zirconium "Zr", and the luminescence of these elements. The intensity may be used as a reference for the emission intensity ratio with Na or Cl. In particular, the emission wavelengths of Si and K are close to the emission wavelengths of Na and Cl, which are preferable as reference elements.

また、上述の実施形態ではＮａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ），Ｎａ低波長（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ），及びＣｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の全てのそれぞれについて発光スペクトルを利用した塩分付着密度が特定されるようにしている。ここで、発明者が見出した知見によれば、塩分付着密度が低い場合にＮａ低波長の発光強度は高感度であり、また、塩分付着密度が高い場合にＣｌ波長の発光強度は高感度である。したがって、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用して特定された塩分付着密度が中程度である場合には、Ｎａ低波長やＣｌ波長の発光スペクトルを利用する計測が行われることなく、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用する計測のみによって塩分付着密度が決定されるようにしても良い。 Further, in the above-described embodiment, Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm), Na low wavelength (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm), and Cl wavelength (emission wavelength:: The salt adhesion density using the emission spectrum is specified for each of all 837.59 nm). Here, according to the findings found by the inventor, the emission intensity of the Na low wavelength is high when the salt adhesion density is low, and the emission intensity of the Cl wavelength is high sensitivity when the salt adhesion density is high. is there. Therefore, when the salt adhesion density specified by using the emission spectrum of Na high wavelength is medium, the measurement using the emission spectrum of Na low wavelength or Cl wavelength is not performed, and the Na high wavelength The salt adhesion density may be determined only by measurement using the emission spectrum.

さらに言えば、Ｃｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルを利用する計測のみによって塩分付着密度が決定されるようにしても良い。あるいは、Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比のみが用いられて（即ち、〈Ｃｌの発光強度とＯの発光強度との比〉と〈塩分付着密度〉との間の関係として推定された、塩分付着密度を求める検量線のみが用いられて）塩分付着密度が決定されるようにしても良い。 Furthermore, the salt adhesion density may be determined only by measurement using the emission spectrum of the Cl wavelength (emission wavelength: 837.59 nm). Alternatively, only the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O is used (that is, it is estimated as the relationship between <ratio of emission intensity of Cl and emission intensity of O> and <salt adhesion density>. Alternatively, the salt adhesion density may be determined (only the calibration curve for determining the salt adhesion density is used).

また、図４に示すように、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用（Ｓ１）して特定された塩分付着密度が低密度である場合（Ｓ２：Ｙｅｓ）にはＮａ低波長の発光スペクトルを利用する計測（Ｓ３）が更に行われた上で最終的な塩分付着密度が決定され（Ｓ６）、一方、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用（Ｓ１）して特定された塩分付着密度が高密度である場合（Ｓ２：Ｎｏ 且つ Ｓ４：Ｙｅｓ）にはＣｌ波長の発光スペクトルを利用する計測（Ｓ５）が更に行われた上で最終的な塩分付着密度が決定される（Ｓ６）ようにしても良い。なお、図４に示す例では、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用（Ｓ１）して特定された塩分付着密度が低密度でも高密度でもない場合（Ｓ２：Ｎｏ 且つ Ｓ４：Ｎｏ）、言い換えると塩分付着密度が中程度である場合にはＮａ高波長の発光スペクトルを利用する計測のみによって塩分付着密度が決定される（Ｓ６）。 Further, as shown in FIG. 4, when the salt adhesion density specified by using the emission spectrum of Na high wavelength (S1) is low (S2: Yes), the emission spectrum of Na low wavelength is used. The final salt adhesion density is determined after further measurement (S3) (S6), while the salt adhesion density specified by utilizing the emission spectrum of Na high wavelength (S1) is high. In the case (S2: No and S4: Yes), the final salt adhesion density may be determined (S6) after further measurement (S5) using the emission spectrum of Cl wavelength is performed. In the example shown in FIG. 4, when the salt adhesion density specified by using the emission spectrum of Na high wavelength (S1) is neither low density nor high density (S2: No and S4: No), in other words, the salt content. When the adhesion density is medium, the salt adhesion density is determined only by the measurement using the emission spectrum of Na high wavelength (S6).

さらに言えば、図４におけるＳ１，Ｓ２，Ｓ３，及びＳ６のみが行われるようにしても良く（尚、この場合には、Ｓ２の処理において「Ｎｏ」のときはそのままＳ６の処理へと進む）、或いは、同図におけるＳ１，Ｓ４，Ｓ５，及びＳ６のみが行われるようにしても良い（尚、この場合には、Ｓ１の処理の次にＳ４の処理へと進む）。 Furthermore, only S1, S2, S3, and S6 in FIG. 4 may be performed (in this case, if "No" in the processing of S2, the process proceeds to S6 as it is). Alternatively, only S1, S4, S5, and S6 in the figure may be performed (in this case, the process of S1 is followed by the process of S4).

なお、上記の場合に、塩分付着密度が低密度であるか否かを判定する基準としての密度の閾値（「低密度閾値」と呼ぶ）は、特定の値に限定されるものではなく、例えば検量線を設定するための計測や検量線の設定結果等が踏まえられるなどした上で、適当な値に適宜設定される。具体的には例えば、あくまで一例として挙げると、低密度閾値は、０．０５〜０．３ ｍｇ／ｃｍ2 程度の範囲で適当な値に適宜設定され得る。そして、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用（Ｓ１）して特定された塩分付着密度が低密度閾値未満であるとき、塩分付着密度が低密度であると判定される（即ち、Ｓ２：Ｙｅｓ）。 In the above case, the density threshold value (referred to as "low density threshold value") as a criterion for determining whether or not the salt adhesion density is low is not limited to a specific value, for example. It is set to an appropriate value after taking into account the measurement for setting the calibration curve and the setting result of the calibration curve. Specifically, for example, the low density threshold value can be appropriately set to an appropriate value in the range of about 0.05 to 0.3 mg / cm 2 . Then, when the salt adhesion density specified by using the emission spectrum of Na high wavelength (S1) is less than the low density threshold value, it is determined that the salt adhesion density is low (that is, S2: Yes).

上記の場合に、また、塩分付着密度が高密度であるか否かを判定する基準としての密度の閾値（「高密度閾値」と呼ぶ）は、特定の値に限定されるものではなく、例えば検量線を設定するための計測や検量線の設定結果等が踏まえられるなどした上で、適当な値に適宜設定される。具体的には例えば、あくまで一例として挙げると、高密度閾値は、０．３〜０．５ ｍｇ／ｃｍ2 程度の範囲で適当な値に適宜設定され得る。そして、Ｎａ高波長の発光スペクトルを利用（Ｓ１）して特定された塩分付着密度が高密度閾値より大きいとき、塩分付着密度が高密度であると判定される（即ち、Ｓ４：Ｙｅｓ）。 In the above case, and the density threshold value (referred to as "high density threshold value") as a criterion for determining whether or not the salt adhesion density is high density is not limited to a specific value, for example. It is set to an appropriate value after taking into account the measurement for setting the calibration curve and the setting result of the calibration curve. Specifically, for example, the high-density threshold value can be appropriately set to an appropriate value in the range of about 0.3 to 0.5 mg / cm 2 . Then, when the salt adhesion density specified by using the emission spectrum of Na high wavelength (S1) is larger than the high density threshold value, it is determined that the salt adhesion density is high (that is, S4: Yes).

以上のように構成されたがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、パルスレーザー光を用いるようにしているので、がいし類の付着物質の、遠隔・非接触での計測が行われ得る。これにより、計測を行う作業者が充電部に触れることなく、がいし類に付着した汚損物の情報が得られる。このため、測定器を充電部から十分に離して計測することができるので、充電線路のがいし類を安全に計測することが可能であり、したがって安定供給に貢献することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 According to the insulator pollution measurement method, measuring device, and measurement program configured as described above, pulsed laser light is used, so the adherent substances of insulators can be measured remotely and non-contactly. Can be done. As a result, information on the contaminants adhering to the insulators can be obtained without the measuring operator touching the charging unit. For this reason, since the measuring instrument can be measured sufficiently away from the charging unit, it is possible to safely measure the insulators of the charging line, and therefore it is possible to contribute to a stable supply. Can improve reliability as a monitoring method for insulators.

以上のように構成されたがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、また、レーザー光は小さな領域に集光することが可能であるため、がいし類の表面の付着物質分布を高い空間分解能で計測することができるので、塩分付着分布の偏りによる局所的な導電路の形成等をも検出することが可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての信頼性の向上が可能になる。 According to the method for measuring the contamination of insulators, the measuring device, and the measuring program configured as described above, and because the laser beam can be focused on a small area, the substances adhering to the surface of the insulators. Since the distribution can be measured with high spatial resolution, it is possible to detect the formation of local conductive paths due to the bias of the salt adhesion distribution, and by extension, the reliability as a monitoring method for insulators. Can be improved.

以上のように構成されたがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムによれば、また、塩分の主たる構成元素であるナトリウム「Ｎａ」，塩素「Ｃｌ」のみならず他の種々の元素を計測対象とすることができるので、塩分付着密度と等価塩分付着密度とに寄与する多元素の同定が可能になり、延いては、がいし類の監視手法としての有用性の向上が可能になる。 According to the method, measuring device, and measuring program for measuring the contamination of insulators constructed as described above, not only sodium "Na" and chlorine "Cl", which are the main constituent elements of salt, but also various other elements. Since elements can be measured, it is possible to identify multiple elements that contribute to the salt adhesion density and the equivalent salt adhesion density, which in turn makes it possible to improve the usefulness as a monitoring method for insulators. Become.

なお、上述の実施形態は本発明を実施する際の好適な形態の一例ではあるものの本発明の実施の形態が上述のものに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において本発明は種々変形実施可能である。 Although the above-described embodiment is an example of a suitable mode for carrying out the present invention, the embodiment of the present invention is not limited to the above-mentioned one, and the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment and does not deviate from the gist of the present invention. The invention can be modified in various ways.

すなわち、本発明の要点は、少なくともＮａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光スペクトルを利用してがいし類表面の塩分付着密度の計測を行うことであり、必要に応じ、Ｎａ低波長（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）の発光スペクトルを利用するがいし類表面の塩分付着密度の計測を組み合わせたり、Ｃｌ波長（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルを利用するがいし類表面の塩分付着密度の計測を組み合わせたりするようにしても良いことである。したがって、この要点に係る計測を行うことができるのであれば、その他の構成や具体的な機序は特定のものには限定されない。 That is, the main point of the present invention is to measure the salt adhesion density on the surface of sardines by using the emission spectrum of at least Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm), which is necessary. Depending on the situation, the emission spectrum of Na low wavelength (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm) may be used in combination with the measurement of the salt adhesion density on the surface of porcelain, or the Cl wavelength (emission wavelength: 837.59 nm). It is also possible to combine the measurement of the salt adhesion density on the surface of the porcelain using the emission spectrum. Therefore, other configurations and specific mechanisms are not limited to specific ones as long as the measurement related to this point can be performed.

例えば、上述の実施形態では図３に示す態様によって計測対象のがいし類２０へのレーザー光の照射が行われるようにしているが、本発明において用いられ得るレーザー光の照射の態様は図３に示すものに限られるものではなく、レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いた計測が可能なものであれば種々のものが用いられ得る。具体的には例えば、上述の実施形態ではパルス幅が１０ ｎｓ のＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波（波長：５３２ ｎｍ）が用いられるようにしているが、基本波（波長：１０６４ ｎｍ）が用いられるようにしても良い。また、ＣＯ2レーザーが用いられるようにしたり、パルス波幅がフェムト秒からピコ秒の範囲であるＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザー，Ｎｄ：ＹＡＧレーザー，或いはＹｂ：ＹＡＧレーザーなどが用いられるようにしたりしても良い。 For example, in the above-described embodiment, the laser beam is irradiated to the glass 20 to be measured according to the mode shown in FIG. 3, but the mode of laser light irradiation that can be used in the present invention is shown in FIG. It is not limited to the one shown, and various ones can be used as long as they can be measured by laser-induced breakdown spectroscopy. Specifically, for example, in the above-described embodiment, the second harmonic (wavelength: 532 nm) of the Q-switched Nd: YAG laser having a pulse width of 10 ns is used, but the fundamental wave (wavelength: 1064 nm) is used. ) May be used. In addition, a CO 2 laser may be used, or a Ti: Al 2 O 3 laser, an Nd: YAG laser, or a Yb: YAG laser whose pulse wave width is in the range of femtoseconds to picoseconds may be used. You may.

塩分付着密度の計測手法としての本発明の妥当性を検証するための、計測対象物（即ち、がいし類）へのレーザー光の照射によるプラズマ光の発光強度についての分析の実施例を図５乃至図１３を用いて説明する。 In order to verify the validity of the present invention as a method for measuring the salt adhesion density, Examples of Analysis on the Emission Intensity of Plasma Light by Irradiating a Measurement Object (that is, Insulators) with Laser Light are shown in FIGS. This will be described with reference to FIG.

本実施例では、磁器製のがいし類を模擬するために一般的な磁器製のがいし類と同様の材質及び焼成方法によって作成された直径６８ ｍｍ の円盤状の磁器製の試験片（「磁器がいしサンプル」と呼ぶ）に汚損物を付着させた上で、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第二高調波を用いたレーザー誘起ブレイクダウン分光を用いた計測が行われた。 In this embodiment, a disk-shaped porcelain test piece having a diameter of 68 mm created by the same material and firing method as general porcelain insulators to simulate porcelain insulators (“porcelain insulator”) After adhering a contaminant (called a sample), measurement was performed using laser-induced breakdown spectroscopy using the second harmonic of the Nd: YAG laser.

磁器がいしサンプル表面への汚損物の付着は、磁器がいし類の人工汚損試験（例えば、電気学会電気規格調査会「交流電圧絶縁試験」，ＪＥＣ−０２０１，１９８８年）において用いられる手法の一つであるどぶ漬け法（例えば、電気学会編「がいし」，１９８３年）によって行われた。このとき、可溶性物質には並塩が用いられ、不溶性物質にはとの粉が用いられた。並塩は９５％以上がＮａＣｌである。また、汚損液の濃度は、精製水１ Ｌ に対して０．１〜１０．０ ｇ の並塩が投入されることによって調整された。との粉の投入量は、精製水１ Ｌ に対して１ ｇ とされた。 Adhesion of contaminants to the surface of porcelain insulator samples is one of the methods used in artificial contamination tests of porcelain insulators (for example, the Institute of Electrical Engineers of Japan "AC Voltage Insulation Test", JEC-0201, 1988). It was performed by a certain dobu-zuke method (for example, "Insulator" edited by the Institute of Electrical Engineers of Japan, 1983). At this time, normal salt was used as the soluble substance, and powder was used as the insoluble substance. The average salt is 95% or more NaCl. The concentration of the fouling liquid was adjusted by adding 0.1 to 10.0 g of normal salt to 1 L of purified water. The amount of the powder added was 1 g per 1 L of purified water.

レーザー誘起ブレイクダウン分光を用いた計測に先立ち、磁器がいしサンプルの汚損物付着密度が筆洗い法（下田修ほか「がいし付着塩分の組成とせん絡電圧の関係」，技術第一研究所報告，研究報告７１０２６，１９７１年）によって計測された。５種類の汚損液の塩分濃度と塩分付着密度との間の関係として表１に示す結果が得られた。表中の値は同一条件で汚損した２０個の磁器がいしサンプルの平均値である。 Prior to measurement using laser-induced breakdown spectroscopy, the dirt adhesion density of porcelain insulator samples was determined by the brush washing method (Osamu Shimoda et al., "Relationship between insulator adhesion salt composition and entanglement voltage", Report of Technology First Research Institute, Research Report 71206, 1971). The results shown in Table 1 were obtained as the relationship between the salt concentration and the salt adhesion density of the five types of fouling liquids. The values in the table are the average values of 20 porcelain insulator samples that have been soiled under the same conditions.

Figure 0006760694
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表１に示す結果から、塩分付着密度（ＳＤＤ）は、汚損液の塩分濃度の増加に対して線形に増加していることが確認された。 From the results shown in Table 1, it was confirmed that the salt adhesion density (SDD) increased linearly with the increase in the salt concentration of the fouling liquid.

そして、塩分付着密度が０．００８，０．０２６，０．０５４，０．２４８，及び０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 の各磁器がいしサンプルに対し、レーザーエネルギーが１０ ｍＪ，１５ ｍＪ，及び２５ ｍＪ のときの、Ｎａ Ｉ（発光波長：５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ，８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ），Ｃｌ Ｉ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ），及びＯ Ｉ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ，８４４．６４ ｎｍ）の発光強度が測定された。なお、分光器について、刻線数は３００ Ｇｒ／ｍｍ，入射スリット幅は１０ μｍ とされた。 Then, the laser energy is 10 mJ, 15 mJ, and 25 mJ for each porcelain sample having a salt adhesion density of 0.008, 0.026, 0.054, 0.248, and 0.515 mg / cm 2. At the time of, Na I (emission wavelength: 589.00 nm, 589.59 nm, 818.33 nm, 819.48 nm), Cl I (emission wavelength: 837.59 nm), and O I (emission wavelength:: The emission intensity of 777.19 nm, 844.64 nm) was measured. Regarding the spectroscope, the number of engraved lines was 300 Gr / mm and the incident slit width was 10 μm.

各発光線の発光強度は以下の手順によって求められた。
(1) 各発光スペクトルの生データから、レーザー照射なしで計測したバックグラウンドスペクトルを差し引く。
(2) 各スペクトルに対して５点移動平均を行う。
(3) 各発光スペクトルの裾と考えられる波長を結ぶ直線を各発光スペクトルのベースラインとし、ベースラインから発光ピークまでの強度を発光強度とする。
(4) 同じ条件で取得した３回のデータに対し、発光強度の平均値及び標準偏差を求める。 The emission intensity of each emission line was determined by the following procedure.
(1) Subtract the background spectrum measured without laser irradiation from the raw data of each emission spectrum.
(2) Perform a 5-point moving average for each spectrum.
(3) The straight line connecting the wavelengths considered to be the tails of each emission spectrum is defined as the baseline of each emission spectrum, and the intensity from the baseline to the emission peak is defined as the emission intensity.
(4) Obtain the average value and standard deviation of the emission intensity for the three data acquired under the same conditions.

《塩分に由来するＮａの発光線及びＯの発光線の特性》
まず、各レーザーエネルギーに対する、ＮａのＤ1線（発光波長：５８９．５９ ｎｍ）及びＤ2線（発光波長：５８９．００ ｎｍ）の発光強度の塩分付着密度依存性が測定された。なお、検出器としてのＩＣＣＤカメラについて、ゲート幅：２０ ｎｓ，ゲート遅延時間：２ μｓ，及びゲイン：１とされた。 << Characteristics of Na emission line and O emission line derived from salt >>
First, the salt adhesion density dependence of the emission intensity of Na D 1 line (emission wavelength: 589.59 nm) and D 2 line (emission wavelength: 589.00 nm) with respect to each laser energy was measured. For the ICCD camera as a detector, the gate width was 20 ns, the gate delay time was 2 μs, and the gain was 1.

レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合について、塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図５Ａに示す結果が得られ、また、塩分付着密度が０．２４８ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図５Ｂに示す結果が得られた。 When the laser energy is 10 mJ, the result shown in FIG. 5A is obtained as the emission spectrum when the salt adhesion density is 0.008 mg / cm 2 , and the salt adhesion density is 0.248 mg / cm 2 . The results shown in FIG. 5B were obtained as the emission spectrum of the time.

図５Ａに示す結果から、塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときはＤ1線，Ｄ2線共に急峻なピークを示していることが観測された。一方で、図５Ｂに示す結果から、塩分付着密度が０．２４８ ｍｇ／ｃｍ2 になるとスペクトルの半値幅が大きくなってＤ1線，Ｄ2線共に発光の自己吸収が生じていることが観測された。 From the results shown in FIG. 5A, it was observed that when the salt adhesion density was 0.008 mg / cm 2 , both the D 1 line and the D 2 line showed steep peaks. On the other hand, from the results shown in FIG. 5B, it was observed that when the salt adhesion density reached 0.248 mg / cm 2 , the half width of the spectrum became wider and self-absorption of luminescence occurred in both the D 1 line and the D 2 line. Was done.

また、レーザーエネルギーを変化させたときの、０．０５４ ｍｇ／ｃｍ2 までの各塩分付着密度に対するＮａのＤ2線の発光強度が測定された。そして、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対するＮａのＤ2線の発光スペクトルの強度変化として図６に示す結果が得られた。図６中には、参考のため、塩分及びとの粉が付着していない磁器がいしサンプルに関する測定値が塩分付着密度が０(ゼロ)の位置に示されている。なお、今回使用した磁器がいしサンプルには、母材や表面釉薬にＮａが含有されているため、塩分付着の無いサンプルでもＤ2線の発光が観測されている。 In addition, the emission intensity of the D 2 line of Na was measured for each salt adhesion density up to 0.054 mg / cm 2 when the laser energy was changed. Then, the results shown in FIG. 6 were obtained as the intensity change of the emission spectrum of the D 2 line of Na with respect to the change of the salt adhesion density (SDD) according to the laser energy. In FIG. 6, for reference, the measured values for the porcelain insulator sample to which the salt and powder are not attached are shown at the position where the salt adhesion density is 0 (zero). Since the porcelain insulator sample used this time contains Na in the base material and surface glaze, D 2 ray emission is observed even in the sample without salt adhesion.

図６に示す結果から、全てのレーザーエネルギーにおいて、Ｄ2線の発光強度は塩分付着密度の増加に対して線形に増加していることが確認された。 From the results shown in FIG. 6, it was confirmed that the emission intensity of the D 2 line increased linearly with the increase in the salt adhesion density at all laser energies.

これらのことから、塩分付着密度の変化に応じてＮａ低波長（５８９．００ ｎｍ，５８９．５９ ｎｍ）の発光強度が変化することが確認され、したがってＮａ低波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を作成すると共にＮａ低波長の発光強度を計測・計算することによって塩分付着密度を特定することが可能であることが確認された。また、Ｎａ低波長の発光強度は塩分付着密度が低い場合も高感度であることが確認された。 From these facts, it was confirmed that the emission intensity of Na low wavelength (589.00 nm, 589.59 nm) changes according to the change of salt adhesion density, and therefore, the emission intensity of Na low wavelength and the salt adhesion density It was confirmed that it is possible to specify the salt adhesion density by preparing the calibration line of No. 1 and measuring and calculating the emission intensity of Na low wavelength. It was also confirmed that the emission intensity of Na low wavelength is highly sensitive even when the salt adhesion density is low.

次に、各レーザーエネルギーに対する、Ｎａ（発光波長：８１８．３３ ｎｍ 及び ８１９．４８ ｎｍ）並びにＯ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）の発光強度の塩分付着密度依存性が測定された。なお、検出器としてのＩＣＣＤカメラについて、ゲート幅：２０ ｎｓ，ゲート遅延時間：２ μｍ，及びゲイン：１とされた。また、Ｎａの発光線（即ち、分析線の波長）とＯの発光線との差は大凡４１〜４２ ｎｍ 程度であり、この程度の波長帯域であれば、従来の一般的な分光器を用いた一回の計測で同時に取得され得る。 Next, the salt adhesion density dependence of the emission intensities of Na (emission wavelength: 818.33 nm and 819.48 nm) and O (emission wavelength: 777.19 nm) for each laser energy was measured. For the ICCD camera as a detector, the gate width was 20 ns, the gate delay time was 2 μm, and the gain was 1. Further, the difference between the emission line of Na (that is, the wavelength of the analysis line) and the emission line of O is about 41 to 42 nm, and if it is in this wavelength band, a conventional general spectroscope is used. It can be acquired at the same time with just one measurement.

レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合について、塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図７Ａに示す結果が得られ、また、塩分付着密度が０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図７Ｂに示す結果が得られた。 For the case where the laser energy is 10 mJ, the result shown in FIG. 7A is obtained as the emission spectrum when the salt adhesion density is 0.008 mg / cm 2 , and the salt adhesion density is 0.515 mg / cm 2 . The results shown in FIG. 7B were obtained as the emission spectrum of the time.

図７Ａに示す結果から、塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 においてもＮａ（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光線が明瞭に観測された。一方で、図７Ｂに示す結果から、塩分付着密度が０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 においては、発光線幅の広さから発光の自己吸収が生じていると考えられる。 From the results shown in FIG. 7A, emission lines of Na (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm) were clearly observed even when the salt adhesion density was 0.008 mg / cm 2 . On the other hand, from the results shown in FIG. 7B, it is considered that when the salt adhesion density is 0.515 mg / cm 2 , self-absorption of light emission occurs due to the wide emission line width.

レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合と１５ ｍＪ である場合とについて、０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 までの各塩分付着密度に対するＮａ（発光波長：８１９．４８ ｎｍ）の発光強度が測定された。そして、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対するＮａ（発光波長：８１９．４８ ｎｍ）の発光スペクトルの強度変化として図８に示す結果が得られた。 The emission intensity of Na (emission wavelength: 819.48 nm) for each salt adhesion density up to 0.515 mg / cm 2 was measured for the case where the laser energy was 10 mJ and the case where the laser energy was 15 mJ. Then, the results shown in FIG. 8 were obtained as the intensity change of the emission spectrum of Na (emission wavelength: 819.48 nm) with respect to the change of salt adhesion density (SDD) for each laser energy.

図８に示す結果から、レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合も１５ ｍＪ である場合も共に、Ｎａ（発光波長：８１９．４８ ｎｍ）の発光強度は塩分付着密度の増加に対して単調増加していることが確認された。 From the results shown in FIG. 8, the emission intensity of Na (emission wavelength: 819.48 nm) increases monotonically with the increase in salt adhesion density regardless of whether the laser energy is 10 mJ or 15 mJ. It was confirmed that there was.

これらのことから、塩分付着密度の変化に応じてＮａ高波長（発光波長：８１８．３３ ｎｍ，８１９．４８ ｎｍ）の発光強度が変化することが確認され、したがってＮａ高波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を作成すると共にＮａ高波長の発光強度を計測・計算することによって塩分付着密度を特定することが可能であることが確認された。 From these facts, it was confirmed that the emission intensity of Na high wavelength (emission wavelength: 818.33 nm, 819.48 nm) changes according to the change of salt adhesion density, and therefore the emission intensity and salt content of Na high wavelength. It was confirmed that it is possible to specify the salt adhesion density by creating a calibration line with the adhesion density and measuring and calculating the emission intensity of high wavelength Na.

また、レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合と１５ ｍＪ である場合とについて、０．０５４ ｍｇ／ｃｍ2 までの各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）の発光強度が測定された。そして、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対するＯ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）の発光スペクトルの強度変化として図９に示す結果が得られた。 Further, the emission intensity of O (emission wavelength: 777.19 nm) was measured for each salt adhesion density up to 0.054 mg / cm 2 when the laser energy was 10 mJ and when the laser energy was 15 mJ. .. Then, the results shown in FIG. 9 were obtained as the intensity change of the emission spectrum of O (emission wavelength: 777.19 nm) with respect to the change of salt adhesion density (SDD) for each laser energy.

図９に示す結果から、塩分付着密度が０．０２６〜０．０５４ ｍｇ／ｃｍ2 の範囲では、塩分付着密度の増加に対してＯの発光強度は若干増加する傾向にあることが観測された。これは、塩分の付着により、プラズマが生成するレーザーエネルギーの閾値が変化するためであると考えられた。一方、塩分付着密度が０．０５４ ｍｇ／ｃｍ2 〜の範囲では、Ｏの発光強度は塩分付着密度の変化に対してほぼ一定であることが観測された。これは、Ｏは主に大気由来の元素であると共に、塩分の付着密度が或る一定以上になると、プラズマが生成するレーザーエネルギーの閾値の変化が小さくなるためであると考えられた。 From the results shown in FIG. 9, it was observed that when the salt adhesion density was in the range of 0.026 to 0.054 mg / cm 2 , the emission intensity of O tended to increase slightly with the increase in the salt adhesion density. .. It is considered that this is because the threshold value of the laser energy generated by the plasma changes due to the adhesion of salt. On the other hand, when the salt adhesion density was in the range of 0.054 mg / cm 2 to, it was observed that the emission intensity of O was almost constant with respect to the change in the salt adhesion density. It was considered that this is because O is an element mainly derived from the atmosphere, and when the adhesion density of salt exceeds a certain level, the change in the threshold value of the laser energy generated by the plasma becomes small.

《塩分に由来するＣｌの発光線及びＯの発光線の特性》
各レーザーエネルギーに対する、Ｃｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度の塩分付着密度依存性が測定された。なお、検出器としてのＩＣＣＤカメラについて、ゲート幅：０．５ μｓ，ゲート遅延時間：１ μｓ，及びゲイン：１とされた。上述のＮａに対してＣｌの発光強度は低いため、Ｎａの発光計測と比較してゲート幅を大きくした。Ｃｌの発光線（即ち、分析線の波長）とＯの発光線との差は約７ ｎｍ であり、この程度の波長帯域であれば、従来の一般的な分光器を用いた一回の計測で同時に取得され得る。 << Characteristics of Cl emission line and O emission line derived from salinity >>
The dependence of the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and O (emission wavelength: 844.64 nm) on each laser energy was measured. For the ICCD camera as a detector, the gate width was 0.5 μs, the gate delay time was 1 μs, and the gain was 1. Since the emission intensity of Cl is lower than that of Na described above, the gate width is increased as compared with the measurement of Na emission. The difference between the emission line of Cl (that is, the wavelength of the analysis line) and the emission line of O is about 7 nm, and if it is in this wavelength band, one measurement using a conventional general spectroscope Can be obtained at the same time.

レーザーエネルギーが１０ ｍＪ 及び１５ ｍＪ である場合は、塩分付着密度が０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 のときにはＣｌの発光は明確には観測されず、０．０２６ ｍｇ／ｃｍ2 以上の塩分付着密度において観測された。レーザーエネルギーが２５ ｍＪ である場合は、０．００８ ｍｇ／ｃｍ2 の塩分付着密度においてもＣｌの発光は観測された。 When the laser energy is 10 mJ and 15 mJ, Cl emission is not clearly observed when the salt adhesion density is 0.008 mg / cm 2 , and at a salt adhesion density of 0.026 mg / cm 2 or more. It was observed. When the laser energy was 25 mJ, Cl emission was observed even at a salt adhesion density of 0.008 mg / cm 2 .

計測結果の一例として、レーザーエネルギーが１０ ｍＪ である場合について、塩分付着密度が０．０２６ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図１０Ａに示す結果が得られ、また、塩分付着密度が０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 のときの発光スペクトルとして図１０Ｂに示す結果が得られた。 As an example of the measurement result, when the laser energy is 10 mJ, the result shown in FIG. 10A is obtained as the emission spectrum when the salt adhesion density is 0.026 mg / cm 2 , and the salt adhesion density is 0. The results shown in FIG. 10B were obtained as the emission spectrum at 515 mg / cm 2 .

また、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルの強度変化として図１１に示す結果が得られた。 In addition, the results shown in FIG. 11 were obtained as the intensity change of the emission spectrum of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) with respect to the change of salt adhesion density (SDD) for each laser energy.

図１１に示す結果から、全てのレーザーエネルギーにおいて、Ｃｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度は塩分付着密度の増加に対して単調に増加していることが観測された。 From the results shown in FIG. 11, it was observed that the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) monotonically increased with the increase of the salt adhesion density at all laser energies.

これらのことから、塩分付着密度の変化に応じてＣｌ波長（８３７．５９ ｎｍ）の発光強度が変化することが確認され、したがってＣｌ波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を作成すると共にＣｌ波長の発光強度を計測・計算することによって塩分付着密度を特定することが可能であることが確認された。また、Ｃｌ波長の発光強度は塩分付着密度が高い場合も、ＳＤＤに対する増加率（傾き）が大きく、高精度な計測が可能であることが確認された。 From these facts, it was confirmed that the emission intensity of the Cl wavelength (837.59 nm) changed according to the change of the salt adhesion density, and therefore, a calibration line between the emission intensity of the Cl wavelength and the salt adhesion density was prepared. It was confirmed that it is possible to specify the salt adhesion density by measuring and calculating the emission intensity of the Cl wavelength. It was also confirmed that the emission intensity of the Cl wavelength has a large increase rate (slope) with respect to SDD even when the salt adhesion density is high, and high-precision measurement is possible.

また、レーザーエネルギー別に、０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 までの各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度が測定された。そして、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対するＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光スペクトルの強度変化として図１２に示す結果が得られた。 In addition, the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm) for each salt adhesion density up to 0.515 mg / cm 2 was measured for each laser energy. Then, the results shown in FIG. 12 were obtained as the intensity change of the emission spectrum of O (emission wavelength: 844.64 nm) with respect to the change of salt adhesion density (SDD) for each laser energy.

図１２に示す結果から、Ｏの発光強度は塩分付着密度の変化に対してほぼ一定であることが観測された。 From the results shown in FIG. 12, it was observed that the emission intensity of O was substantially constant with respect to the change in salt adhesion density.

《発光強度比の塩分付着密度依存性》
各レーザーエネルギーに対する、Ｏ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度の比の塩分付着密度依存性が測定された。 << Dependency of luminescence intensity ratio to salt adhesion density >>
The salt adhesion density dependence of the ratio of the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) to the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm) for each laser energy was measured.

具体的には、レーザーエネルギー別に、０．５１５ ｍｇ／ｃｍ2 までの各塩分付着密度に対するＯ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）及びＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度が測定された。そして、レーザーエネルギー別の、塩分付着密度（ＳＤＤ）の変化に対する、Ｏ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光スペクトルの強度に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光スペクトルの強度の比の変化として図１３に示す結果が得られた。 Specifically, the emission intensities of O (emission wavelength: 844.64 nm) and Cl (emission wavelength: 837.59 nm) for each salt adhesion density up to 0.515 mg / cm 2 were measured for each laser energy. It was. Then, the ratio of the intensity of the emission spectrum of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) to the intensity of the emission spectrum of O (emission wavelength: 844.64 nm) with respect to the change in salt adhesion density (SDD) for each laser energy. The result shown in FIG. 13 was obtained as the change of.

図１３に示す結果から、図１１に示すＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度の変化と比較し、何れの塩分付着密度においても、レーザーエネルギーの変化に対する発光強度の比の変化は十分に小さいことが観測された。 From the results shown in FIG. 13, the change in the ratio of the emission intensity to the change in the laser energy was changed at any salt adhesion density as compared with the change in the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) shown in FIG. It was observed to be small enough.

このことから、Ｏ（発光波長：８４４．６４ ｎｍ）の発光強度に対するＣｌ（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）の発光強度の比を用いることにより、レーザー照射条件の影響を抑制することが可能であり（言い換えると、レーザー照射条件の変動に強く）、且つ、塩分付着密度について低密度から高密度までの広い範囲で適用が可能である検量線を設定することが可能であることが確認された。 From this, it is possible to suppress the influence of the laser irradiation condition by using the ratio of the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) to the emission intensity of O (emission wavelength: 844.64 nm). It was confirmed that there is (in other words, strong against fluctuations in laser irradiation conditions), and it is possible to set a calibration line that can be applied in a wide range of salt adhesion density from low density to high density. ..

さらに、以上のことから、Ｏ（発光波長：７７７．１９ ｎｍ）の発光強度に対するＮａ（発光波長：８１９．４８ ｎｍ）の発光強度の比を用いることにより、レーザー照射条件の影響を抑制することが可能であり（言い換えると、レーザー照射条件の変動に強く）、且つ、塩分付着密度について低密度から高密度までの広い範囲で適用が可能である検量線を設定することが可能であることが推認された。 Furthermore, from the above, the influence of the laser irradiation condition can be suppressed by using the ratio of the emission intensity of Na (emission wavelength: 819.48 nm) to the emission intensity of O (emission wavelength: 777.19 nm). (In other words, it is resistant to fluctuations in laser irradiation conditions), and it is possible to set a calibration line that can be applied in a wide range of salt adhesion density from low density to high density. It was inferred.

本発明のがいし類の汚損の計測方法、計測装置、及び計測プログラムは、例えば送電設備，変電設備，配電設備，或いはき電設備などに備えられるがいし類における塩分付着密度の定量的な計測を精度良く行うことができるので、あくまで一例として挙げると、懸垂がいし，長幹がいし，相間スペーサ，避雷器，がい管，ブッシング，中実ＳＰがいし，及び配電用がいしなどにおいて利用価値が高い。 The method, measuring device, and measuring program for measuring the pollution of insulators of the present invention accurately measure the quantitative salt adhesion density of insulators provided in, for example, power transmission equipment, substation equipment, distribution equipment, or electric power equipment. Since it can be done well, it has high utility value in suspension insulators, long-stem insulators, interphase spacers, lightning arresters, insulators, bushings, solid SP insulators, and power distribution insulators, to name a few.

１０ がいし類の汚損の計測装置
１７ がいし類の汚損の計測プログラム 10 Insulator stain measurement device 17 Insulator stain measurement program

Claims (12)

がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、
前記塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに、発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求めることを特徴とするがいし類の汚損の計測方法。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used, and at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is used. It is calculated, and the salt adhesion density of the laser is obtained by using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density.
When the salt adhesion density is less than a predetermined low density threshold, at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm is further calculated. The salt adhesion density is determined by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the values of the plurality of salt adhesion densities obtained for each are in the range from the minimum value to the maximum value or average. A method for measuring fouling of sardines, which comprises obtaining a value or one of the values as the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、
前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求めることを特徴とするがいし類の汚損の計測方法。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used, and at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is used. It is calculated, and the salt adhesion density of the laser is obtained by using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density.
When the salt adhesion density exceeds a predetermined high density threshold, the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm is further calculated, and a calibration curve of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density is used. The salt adhesion density is obtained, and the value of the plurality of salt adhesion densities obtained for each is in the range from the minimum value to the maximum value, or as an average value, or one of the values is used as the final salt adhesion density. A method for measuring the fouling of sardines, which is characterized by the requirement. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められる第１の密度特定工程と、
前記第１の工程の塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められる第２の密度特定工程と、
前記第１の工程の塩分付着密度が、所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて、あるいはさらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて、塩分付着密度が求められる第３の密度特定工程と、
前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定工程で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度とし、前記第１の密度特定工程と前記第２の密度特定工程あるいは第３の密度特定工程で複数の塩分付着密度の値が得られる場合にはそれらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定工程とを有する
ことを特徴とするがいし類の汚損の計測方法。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used, and at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is used. In the first density identification step, which is calculated and the salt adhesion density of the laser is obtained by using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density,
When the salt adhesion density in the first step is less than a predetermined low density threshold, at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm. Is calculated, and the second density identification step in which the salt adhesion density is obtained by using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and
When the salt adhesion density in the first step exceeds a predetermined high density threshold, the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm is further calculated, and the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are combined. A third, in which the salt adhesion density is obtained by using a calibration line or by further calculating the emission intensity of O and using a calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density. Density identification process and
When the salt adhesion density is equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained in the first density specifying step is used as the final salt adhesion density, and the first density is defined as the final density. When a plurality of salt adhesion density values are obtained in the specific step and the second density specifying step or the third density specifying step, as a range from the minimum value to the maximum value of those values, or as an average value. Alternatively, a method for measuring fouling of sardines, which comprises a density determination step of obtaining one of the values as the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方が計算され、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、
前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに、Ｃｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度が計算され、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求められることを特徴とするがいし類の汚損の計測方法。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used, and at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is used. It is calculated, and the salt adhesion density of the laser is obtained by using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density.
When the salt adhesion density exceeds a predetermined high density threshold, the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission intensity of O are further calculated, and the emission intensity of Cl with respect to the emission intensity of O is calculated. The salt adhesion density is determined by using the calibration line between the ratio and the salt adhesion density, and the values of the multiple salt adhesion densities obtained for each are in the range from the minimum value to the maximum value, or as an average value, or A method for measuring fouling of sardines, characterized in that one of the values is obtained as the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、
前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定部と、
前記第１の密度特定部と前記第２の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有する
ことを特徴とするがいし類の汚損の計測装置。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light. The Na high wavelength intensity calculation unit, the first density specifying unit for obtaining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the
When the salt adhesion density obtained in the first density specifying portion is less than a predetermined low density threshold, the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm are further increased. A Na low wavelength intensity calculation unit that calculates at least one of the above, and a second density identification unit that obtains the salt adhesion density of the sardines using a calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density. ,
As a range from the minimum value to the maximum value of the plurality of values of the salt adhesion densities obtained by the first density specifying part and the second density specifying part, or as an average value, or one of them. An insulator fouling measuring device, characterized in that it further has a density determining unit for determining the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、
前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第３の密度特定部と、
前記第１の密度特定部と前記第３の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有する
ことを特徴とするがいし類の汚損の計測装置。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light. The Na high wavelength intensity calculation unit, the first density specifying unit for obtaining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the
When the salt adhesion density obtained in the first density specifying unit exceeds a predetermined high density threshold, the Cl wavelength intensity calculating unit for further calculating the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm and the above-mentioned Cl wavelength intensity calculating unit. A third density specifying part for obtaining the salt adhesion density of the above-mentioned sardines using a calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and
As a range from the minimum value to the maximum value of the plurality of values of the salt adhesion densities obtained by the first density specifying part and the third density specifying part, or as an average value, or one of them. An insulator fouling measuring device, characterized in that it further has a density determining unit for determining the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、
前記塩分付着密度が所定の低密度閾値未満であるときに、さらに発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定部と、
前記塩分付着密度が、所定の高密度閾値を超えるときに、さらに発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線が用いられて、あるいはさらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて、塩分付着密度が求められる第３の密度特定部と、
前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定部で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度とし、前記第１の密度特定部と前記第２の密度特定部あるいは第３の密度特定部で複数の塩分付着密度の値が得られる場合にはそれらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定部とを有する
ことを特徴とするがいし類の汚損の計測装置。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used to determine at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm. A Na high wavelength intensity calculation unit for calculation, a first density identification unit for obtaining the salt adhesion density of the lasers using a calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and
When the salt adhesion density is less than a predetermined low density threshold, Na low is further calculated to calculate at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm. A wavelength intensity calculation unit, a second density identification unit for obtaining the salt adhesion density of the sardines using a calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and
When the salt adhesion density exceeds a predetermined high density threshold, the Cl wavelength intensity calculation unit that further calculates the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm, and the emission intensity and salt adhesion density of the emission wavelength. The salt adhesion density is obtained by using the calibration line of, or by further calculating the emission intensity of O and using the calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density. Density identification part of 3 and
When the salt adhesion density is equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained in the first density specifying portion is used as the final salt adhesion density, and the first density is defined as the final density. When a plurality of salt adhesion density values are obtained in the specific portion and the second density specific portion or the third density specific portion, as a range from the minimum value to the maximum value of those values, or as an average value. A device for measuring the fouling of sardines, which comprises a density determining unit for obtaining one of the values as the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算部と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定部と、
前記第１の密度特定部で求められた前記塩分付着密度が所定の高密度閾値を超えるときに、さらにＣｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度を計算する発光強度計算部と、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第３の密度特定部と、
前記第１の密度特定部と前記第３の密度特定部とで得られた複数の前記塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として決定する密度決定部とをさらに有することを特徴とするがいし類の汚損の計測装置。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light. The Na high wavelength intensity calculation unit, the first density specifying unit for obtaining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and the
When the salt adhesion density obtained in the first density specifying portion exceeds a predetermined high-density threshold, the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission intensity of O are calculated. A calculation unit, a third density specifying unit for obtaining the salt adhesion density of the sardines using a calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to the emission intensity of O and the salt adhesion density, and
As a range from the minimum value to the maximum value of the plurality of values of the salt adhesion densities obtained by the first density specifying part and the third density specifying part, or as an average value, or one of them. An insulator fouling measuring device, characterized in that it further has a density determining unit for determining the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、
さらに、前記塩分付着密度が、低密度閾値未満であるときに、発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれ得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせることを特徴とするがいし類の汚損の計測プログラム。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of a computer with pulsed laser light. And the process of determining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density is performed by a computer.
Further, when the salt adhesion density is less than the low density threshold, at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.00 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 589.59 nm is calculated. Using the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, the salt adhesion density of the sardines can be determined as the salt adhesion density of the sardines, and the minimum of the obtained plurality of salt adhesion densities. A fouling measurement program for sardines, characterized in that a computer is further subjected to a process of obtaining a range from a value to a maximum value, an average value, or one of the values as a final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、
さらに、前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときに、発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせることを特徴とするがいし類の汚損の計測プログラム。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of a computer with pulsed laser light. And the process of determining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density is performed by a computer.
Further, when the salt adhesion density exceeds the high density threshold, the process of calculating the emission intensity of Cl having an emission wavelength of 837.59 nm and the calibration line between the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density are used. The salt adhesion densities of the above-mentioned sardines are obtained, and the values of the plurality of salt adhesion densities obtained for each are finally set as the range from the minimum value to the maximum value, the average value, or one of the values. A program for measuring the fouling of sardines, which is characterized by having a computer perform the process of determining the salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ高波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第１の密度特定処理と、
前記塩分付着密度が低密度閾値未満であるときには、さらに前記がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が５８９．００ ｎｍ のＮａの発光強度と５８９．５９ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算するＮａ低波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める第２の密度特定処理と、
前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときには、さらに前記がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルが用いられて発光波長が８３７．５９ ｎｍ のＣｌの発光強度を計算するＣｌ波長強度計算処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理と、さらにＯの発光強度が計算され前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線が用いられて前記がいし類の塩分付着密度が求められる第３の密度特定処理と、
前記塩分付着密度が前記低密度閾値以上でかつ前記高密度閾値以下の場合には前記第１の密度特定処理で得られた前記塩分付着密度を最終的な塩分付着密度として決定し、前記第１の密度特定処理と前記第２の密度特定処理あるいは第３の密度特定処理で複数の塩分付着密度の値が得られた場合には、それらの値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める密度決定処理とを
コンピュータに行わせることを特徴とするがいし類の汚損の計測プログラム。 The emission spectrum obtained by irradiating the surface of the sardine with pulsed laser light is used to determine at least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm. The Na high wavelength intensity calculation process to be calculated, the first density identification process for determining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and
When the salt adhesion density is less than the low density threshold, the emission spectrum of Na, which has an emission wavelength of 589.00 nm, and 589 are used by using an emission spectrum in which the surface of the sardines is further irradiated with pulsed laser light and received. Using the Na low wavelength intensity calculation process that calculates at least one of the emission intensity of Na at .59 nm and the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, the salt adhesion density of the laser is determined. The second density identification process to be obtained and
The salt deposition density, when exceeding the high density threshold value, further wherein the emission wavelength emission spectrum is used to pulsed laser light is received is irradiated onto the surface of the stone such calculate the emission intensity of the Cl of 837.59 nm Cl wavelength intensity calculation processing, processing to obtain the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density, and further calculation of the emission intensity of O and the emission intensity of O. A third density identification process in which the salt adhesion density of the lasers is obtained by using a calibration line of the ratio of the emission intensity of Cl to Cl and the salt adhesion density.
When the salt adhesion density is equal to or higher than the low density threshold and equal to or lower than the high density threshold, the salt adhesion density obtained by the first density specifying treatment is determined as the final salt adhesion density, and the first When a plurality of salt adhesion density values are obtained by the density specifying process and the second density specifying process or the third density specifying process, the values range from the minimum value to the maximum value, or A stain measurement program for sardines, which comprises having a computer perform a density determination process for obtaining an average value or one of the values as the final salt adhesion density. がいし類の表面にパルスレーザー光が照射されて受光される発光スペクトルを用いて発光波長が８１８．３３ ｎｍ のＮａの発光強度と８１９．４８ ｎｍ のＮａの発光強度とのうちの少なくとも一方を計算する処理と、前記発光波長の発光強度と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度を求める処理とをコンピュータに行わせ、
さらに、前記塩分付着密度が、高密度閾値を超えるときに、Ｃｌの発光強度（発光波長：８３７．５９ ｎｍ）及びＯの発光強度を計算する処理と、前記Ｏの発光強度に対する前記Ｃｌの発光強度の比と塩分付着密度との検量線を用いて前記がいし類の塩分付着密度が求められ、それぞれに得られた複数の塩分付着密度の値の最小値から最大値までの範囲として、若しくは平均値として、あるいはいずれか一方の値を最終的な塩分付着密度として求める処理とを更にコンピュータに行わせることを特徴とするがいし類の汚損の計測プログラム。 At least one of the emission intensity of Na having an emission wavelength of 818.33 nm and the emission intensity of Na having an emission wavelength of 819.48 nm is calculated using the emission spectrum obtained by irradiating the surface of a computer with pulsed laser light. And the process of determining the salt adhesion density of the lasers using the calibration line of the emission intensity of the emission wavelength and the salt adhesion density is performed by a computer.
Further, when the salt adhesion density exceeds the high density threshold, the process of calculating the emission intensity of Cl (emission wavelength: 837.59 nm) and the emission intensity of O, and the emission of Cl with respect to the emission intensity of O. The salt adhesion density of the above-mentioned sardines is determined using the calibration line between the strength ratio and the salt adhesion density, and the values of the plurality of salt adhesion densities obtained for each are in the range from the minimum value to the maximum value, or are averaged. A fouling measurement program for sardines, characterized in that a computer is further subjected to a process of obtaining a value or one of the values as the final salt adhesion density.
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