JP6754946B2 - Wavelength converters, projectors and luminaires - Google Patents

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Description

本開示は、波長変換部材、並びに、これを備えたプロジェクタおよび照明装置に関する。 The present disclosure relates to a wavelength conversion member, and a projector and a lighting device including the wavelength conversion member.

従来から、プロジェクタや照明装置において、半導体レーザや発光ダイオードなどの固体光源から出射される励起光を、波長変換部材の蛍光体層により波長変換して、所望の色の光を得ることが行われている。 Conventionally, in projectors and lighting devices, excitation light emitted from a solid-state light source such as a semiconductor laser or a light emitting diode is wavelength-converted by a phosphor layer of a wavelength conversion member to obtain light of a desired color. ing.

また、そのような波長変換部材において、蛍光体層と基板との間にＡｇ（銀）やＡｌ（アルミニウム）などの金属からなる金属反射層を設けて、波長変換部材の光取出し効率を向上させることが行われている。 Further, in such a wavelength conversion member, a metal reflection layer made of a metal such as Ag (silver) or Al (aluminum) is provided between the phosphor layer and the substrate to improve the light extraction efficiency of the wavelength conversion member. Is being done.

特開２０１６−５８６３８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-58638

しかしながら、波長変換部材に金属反射層を設けると、マイグレーションにより金属反射層の反射効率が低下するという課題が生じうる。このような反射効率の低下が生じた場合、波長変換部材の光取出し効率が低下してしまう。 However, if the wavelength conversion member is provided with the metal reflection layer, there may be a problem that the reflection efficiency of the metal reflection layer is lowered due to migration. When such a decrease in reflection efficiency occurs, the light extraction efficiency of the wavelength conversion member decreases.

本開示は、マイグレーションによる金属反射層の反射効率の低下が生じにくい波長変換部材を提供することを目的とする。また、本開示は、そのような波長変換部材を備えた、耐久性の高いプロジェクタおよび照明装置を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a wavelength conversion member in which the reflection efficiency of the metal reflective layer is less likely to decrease due to migration. It is also an object of the present disclosure to provide a highly durable projector and lighting device equipped with such a wavelength conversion member.

本開示の一態様に係る波長変換部材は、基板上に、金属反射層、増反射層、蛍光体層および反射防止層がその順で形成されている。増反射層は、金属反射層が形成された領域の全体に形成され、基板側から順に低屈折率層および高屈折率層を有する。蛍光体層は、金属反射層が形成された領域の一部に形成されている。反射防止層は、金属反射層が形成された領域の全体に形成され、基板側から順に第１低屈折率層、高屈折率層および第２低屈折率層を有する。 In the wavelength conversion member according to one aspect of the present disclosure, a metal reflective layer, a brightening reflective layer, a phosphor layer, and an antireflection layer are formed in this order on a substrate. The hyperrefractive layer is formed in the entire region where the metal reflective layer is formed, and has a low refractive index layer and a high refractive index layer in order from the substrate side. The phosphor layer is formed in a part of the region where the metal reflection layer is formed. The antireflection layer is formed in the entire region where the metal reflection layer is formed, and has a first low refractive index layer, a high refractive index layer, and a second low refractive index layer in order from the substrate side.

本開示の一態様に係るプロジェクタは、上記波長変換部材を備える。 The projector according to one aspect of the present disclosure includes the wavelength conversion member.

本開示の一態様に係る照明装置は、上記波長変換部材を備える。 The lighting device according to one aspect of the present disclosure includes the wavelength conversion member.

本開示に係る波長変換部材は、増反射層および反射防止層が、金属反射層が形成された領域の全体に形成されているため、マイグレーションによる金属反射層の反射効率の低下が生じにくい。 In the wavelength conversion member according to the present disclosure, since the antireflection layer and the antireflection layer are formed in the entire region where the metal reflection layer is formed, the reflection efficiency of the metal reflection layer is unlikely to decrease due to migration.

また、本開示に係るプロジェクタおよび照明装置は、上記波長変換部材を備えているため、耐久性が高い。 Further, since the projector and the lighting device according to the present disclosure include the wavelength conversion member, the durability is high.

実施の形態１に係る波長変換部材を示す斜視図Perspective view which shows the wavelength conversion member which concerns on Embodiment 1. 実施の形態１に係る波長変換部材を示す図１における２−２線断面図2-2 sectional view in FIG. 1 showing a wavelength conversion member according to the first embodiment. 実施の形態１に係るプロジェクタを示す構成図Configuration diagram showing the projector according to the first embodiment 実施の形態２に係る波長変換部材を示す斜視図Perspective view which shows the wavelength conversion member which concerns on Embodiment 2. 実施の形態２に係る照明装置を示す構成図Configuration diagram showing the lighting device according to the second embodiment

以下、本開示に係る波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置の実施の形態を、図面に基づき説明する。なお、下記に開示される実施の形態はすべて例示であって、本開示に係る波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置に制限を加える意図はない。 Hereinafter, embodiments of the wavelength conversion member, projector, and lighting device according to the present disclosure will be described with reference to the drawings. It should be noted that all the embodiments disclosed below are examples, and there is no intention of imposing restrictions on the wavelength conversion member, the projector, and the lighting device according to the present disclosure.

また、下記に開示される実施の形態では、必要以上の詳細な説明を省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項についての詳細な説明や、実質的に同一の構成についての重複する説明を、省略する場合がある。これは、説明が不必要に冗長になるのを避けることで、当業者の理解を容易にするためである。 Further, in the embodiment disclosed below, more detailed description than necessary may be omitted. For example, a detailed description of a well-known matter or a duplicate description of a substantially identical configuration may be omitted. This is to facilitate the understanding of those skilled in the art by avoiding unnecessarily redundant explanations.

［実施の形態１］
（波長変換部材）
図１は、実施の形態１に係る波長変換部材を示す斜視図。図１に示す実施の形態１に係る波長変換部材１０は、プロジェクタ用の蛍光体ホイールであって、円板状の基板１１の一方の主面（上面）側に、円弧状の蛍光体層１５を備える。基板１１には円弧状の開口１１ａが設けられており、この開口１１ａと蛍光体層１５とで円環状のシルエットを形成している。基板１１に開口１１ａが設けられているため、後述する固体光源１１１ａから波長変換部材１０へ向けて出射される励起光の一部は、開口１１ａを介して基板１１を通り抜ける。 [Embodiment 1]
(Wavelength conversion member)
FIG. 1 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to the first embodiment. The wavelength conversion member 10 according to the first embodiment shown in FIG. 1 is a phosphor wheel for a projector, and has an arcuate phosphor layer 15 on one main surface (upper surface) side of a disk-shaped substrate 11. To be equipped. The substrate 11 is provided with an arcuate opening 11a, and the opening 11a and the phosphor layer 15 form an annular silhouette. Since the substrate 11 is provided with the opening 11a, a part of the excitation light emitted from the solid-state light source 111a described later toward the wavelength conversion member 10 passes through the substrate 11 through the opening 11a.

図２は、実施の形態１に係る波長変換部材を示す図１における２−２線断面図である。図２に示すように、波長変換部材１０は、基板１１、接着層１２、金属反射層１３、増反射層１４、蛍光体層１５および反射防止層１６を備える。接着層１２、金属反射層１３、増反射層１４、蛍光体層１５および反射防止層１６は、基板１１上にその順で形成されている。 FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1 showing a wavelength conversion member according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the wavelength conversion member 10 includes a substrate 11, an adhesive layer 12, a metal reflective layer 13, a brightening layer 14, a phosphor layer 15, and an antireflection layer 16. The adhesive layer 12, the metal reflective layer 13, the brightening reflective layer 14, the phosphor layer 15, and the antireflection layer 16 are formed on the substrate 11 in that order.

基板１１は、蛍光体層１５を支持する機能、および、蛍光体層１５で発生した熱を外部へ放散させる機能を有する。基板１１の材料としては、ガラス、石英、ＧａＮ（窒化ガリウム）、サファイア、シリコン、樹脂などが挙げられる。樹脂としては、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）など挙げられる。 The substrate 11 has a function of supporting the phosphor layer 15 and a function of dissipating the heat generated in the phosphor layer 15 to the outside. Examples of the material of the substrate 11 include glass, quartz, GaN (gallium nitride), sapphire, silicon, and resin. Examples of the resin include PEN (polyethylene terephthalate) and PET (polyethylene terephthalate).

接着層１２は、金属反射層１３の基板１１への接着性を高める機能を有する。接着層１２は、例えばＴｉ（チタン）からなり、基板１１の上面の全体に亘って形成されている。なお、接着層１２は、本実施の形態において必須の層ではない。 The adhesive layer 12 has a function of enhancing the adhesiveness of the metal reflective layer 13 to the substrate 11. The adhesive layer 12 is made of, for example, Ti (titanium) and is formed over the entire upper surface of the substrate 11. The adhesive layer 12 is not an essential layer in the present embodiment.

金属反射層１３は、蛍光体層１５を透過した励起光や、蛍光体層１５から基板１１側（下側）へと発せられた蛍光を、基板１１とは反対側（上側）へ反射させる機能を有する。本実施の形態では、金属反射層１３はＡｇからなり、接着層１２の上面の全体に亘って形成されている。なお、金属反射層１３は、Ａｇに限定されずＡｌなどの他の金属で形成されていてもよい。但し、Ａｇは反射率が高いため特に好適である。 The metal reflective layer 13 has a function of reflecting the excitation light transmitted through the phosphor layer 15 and the fluorescence emitted from the phosphor layer 15 to the substrate 11 side (lower side) to the opposite side (upper side) of the substrate 11. Has. In the present embodiment, the metal reflective layer 13 is made of Ag and is formed over the entire upper surface of the adhesive layer 12. The metal reflective layer 13 is not limited to Ag and may be formed of another metal such as Al. However, Ag is particularly suitable because it has a high reflectance.

増反射層１４は、金属反射層１３と反射防止層１６との界面で生じる光の散乱ロスを低減する機能、および、入射光の角度依存性による反射率の低下を防止する機能を有する。増反射層１４は、金属反射層１３が形成された領域の全体、具体的には金属反射層１３の上面の全体に形成されている。 The hyperreflective layer 14 has a function of reducing light scattering loss generated at the interface between the metal reflective layer 13 and the antireflection layer 16 and a function of preventing a decrease in reflectance due to the angle dependence of incident light. The hyperreflective layer 14 is formed over the entire region where the metal reflective layer 13 is formed, specifically, the entire upper surface of the metal reflective layer 13.

増反射層１４は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜であって、本実施の形態では基板１１側から順に低屈折率層１４ａおよび高屈折率層１４ｂの２層で構成されている。各層の屈折率は、例えば、低屈折率層１４ａがｄ線（５８７．６ｎｍ）において１．５以下であり、高屈折率層１４ｂがｄ線（５８７．６ｎｍ）において１．５以上である。なお、増反射層１４は、２層で構成されるものに限定されず、低屈折率層と高屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜であれば、低屈折率層１４ａおよび高屈折率層１４ｂ以外の層が含まれていてもよい。 The high-refractive-index layer 14 is a multilayer film in which low-refractive-index layers and high-refractive-index layers are alternately laminated in multiple layers. It is composed of two layers of 14b. The refractive index of each layer is, for example, 1.5 or less for the low refractive index layer 14a at the d line (587.6 nm) and 1.5 or more for the high refractive index layer 14b at the d line (587.6 nm). The reflective layer 14 is not limited to the one composed of two layers, and if it is a multilayer film in which low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated in multiple layers, the low refractive index layer 14a and A layer other than the high refractive index layer 14b may be included.

低屈折率層１４ａの材料としては、例えばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）などの比較的軽い元素の酸化物が挙げられる。また、低屈折率層１４ａの材料は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＡｌＩｎＮ（窒化アルミニウムインジウム）などの窒化物であってもよい。 Examples of the material of the low refractive index layer 14a include oxides of relatively light elements such as SiO 2 (silicon dioxide) and Al 2 O 3 (aluminum oxide). Further, the material of the low refractive index layer 14a may be a nitride such as AlN (aluminum nitride), AlGaN (aluminum nitride gallium), and AlInN (aluminum nitride indium).

高屈折率層１４ｂの材料としては、例えばＮｂ２Ｏ５（五酸化ニオブ）、ＴｉＯ２（二酸化チタン）、Ｔｉ３Ｏ５（五酸化チタン）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）、Ｔａ２Ｏ５（五酸化タンタル）、ＣｅＯ２（酸化セリウム）などの比較的重い元素の酸化物が挙げられる。また、高屈折率層１４ｂの材料は、ＡｌＯＮ（酸窒化アルミニウム）、ＧａＮなどの窒化物であってもよい。 Examples of the material of the high refractive index layer 14b include Nb 2 O 5 (niobium pentoxide), TiO 2 (titanium dioxide), Ti 3 O 5 (titanium pentoxide), ZnO (zirconium oxide), and ZrO 2 (zirconium dioxide). , Ta 2 O 5 (tantalum pentoxide), CeO 2 (cerium oxide) and other oxides of relatively heavy elements. Further, the material of the high refractive index layer 14b may be a nitride such as AlON (aluminum nitride) or GaN.

好適な一例として、本実施の形態では、低屈折率層１４ａはＳｉＯ２で形成されており、高屈折率層１４ｂはＮｂ２Ｏ５で形成されている。 As a preferred example, in the present embodiment, the low refractive index layer 14a is formed of SiO 2 , and the high refractive index layer 14b is formed of Nb 2 O 5 .

低屈折率層１４ａおよび高屈折率層１４ｂは、公知の手法で形成することができる。公知の手法とは、例えば、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、反応性プラズマ蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、パルスレーザー堆積法またはイオンプレーティングなどである。 The low refractive index layer 14a and the high refractive index layer 14b can be formed by a known method. Known methods include, for example, electron beam deposition, resistance heating vapor deposition, reactive plasma deposition, ion-assisted deposition, sputtering, metalorganic vapor phase growth, molecular beam epitaxy, pulsed laser deposition or ions. Plating etc.

蛍光体層１５は、固体光源１１１ａから波長変換部材へ向けて出射された励起光を蛍光に変換する機能を有する。蛍光体層１５は、金属反射層１３が形成された領域の一部にのみ形成されている。具体的には、増反射層１４の上面に、基板１１の外周縁に沿って円弧状に形成されている。 The phosphor layer 15 has a function of converting the excitation light emitted from the solid-state light source 111a toward the wavelength conversion member into fluorescence. The phosphor layer 15 is formed only in a part of the region where the metal reflection layer 13 is formed. Specifically, it is formed on the upper surface of the reflective layer 14 in an arc shape along the outer peripheral edge of the substrate 11.

蛍光体層１５は、透明材料からなる封止層１５ａと、封止層１５ａの中に分散された蛍光体（蛍光体粒子）１５ｂとを有する。封止層１５ａの透明材料としては、ガラス樹脂、ガラス、樹脂などが挙げられ、本実施の形態ではガラス樹脂が用いられている。なお、蛍光体層１５は、透明材料に蛍光体を分散させたものに限定されず、ガラス中に発光中心をドープしたものや、セラミック蛍光体などであってもよい。 The phosphor layer 15 has a sealing layer 15a made of a transparent material and a phosphor (fluorescent particle) 15b dispersed in the sealing layer 15a. Examples of the transparent material of the sealing layer 15a include glass resin, glass, resin, and the like, and glass resin is used in the present embodiment. The phosphor layer 15 is not limited to a transparent material in which a phosphor is dispersed, and may be a glass in which a light emitting center is doped, a ceramic phosphor, or the like.

蛍光体１５ｂは、紫外光から青色光領域の励起光を吸収し、励起光より長波長の蛍光を発する、少なくとも１種類の蛍光体で構成される。本実施の形態では、固体光源１１１ａは青色の励起光を出射する半導体レーザであり、蛍光体１５ｂは黄色蛍光体で構成されている。青色の励起光が照射された蛍光体１５ｂは、黄色の蛍光を発する。なお、蛍光体１５ｂを構成する蛍光体は黄色蛍光体に限定されず、赤色蛍光体または緑色蛍光体であってもよい。また、蛍光体１５ｂは、発光スペクトルの中心波長が異なる複数種類の蛍光体で構成されていてもよい。 The phosphor 15b is composed of at least one type of phosphor that absorbs excitation light in the blue light region from ultraviolet light and emits fluorescence having a longer wavelength than the excitation light. In the present embodiment, the solid-state light source 111a is a semiconductor laser that emits blue excitation light, and the phosphor 15b is composed of a yellow phosphor. The phosphor 15b irradiated with the blue excitation light emits yellow fluorescence. The phosphor constituting the phosphor 15b is not limited to the yellow phosphor, and may be a red phosphor or a green phosphor. Further, the phosphor 15b may be composed of a plurality of types of phosphors having different central wavelengths in the emission spectrum.

黄色蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｃａｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ２＋などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、ＫＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、ＫＴｉＦ６：Ｍｎ４＋などが挙げられる。緑色蛍光体としては、例えば、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｙ３（Ｇａ，Ａｌ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ３＋、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋、（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕ２＋、（Ｙ，Ｌｕ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋などが挙げられる。 Examples of the yellow phosphor include Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ , (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu 2+ , Cax (Si, Al) 12 (O, N) 16 : Eu 2+, and the like. .. Examples of the red phosphor include CaAlSiN 3 : Eu 2+ , (Ca, Sr) AlSiN 3 : Eu 2+ , Ca 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ , KSiF. 6 : Mn 4+ , KTiF 6 : Mn 4+ and the like can be mentioned. Examples of the green phosphor include Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ , Y 3 (Ga, Al) 5 O 12 : Ce 3+ , Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce 3+ , CaSc 2 O 4 : Eu. 2+ , (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu 2+ , Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu 2+ , (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu 2+ , (Y, Lu) 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ and the like can be mentioned.

反射防止層１６は、蛍光体層１５へ入射する励起光の反射を低減させることで、励起光の蛍光体層１５への入射効率を向上させる機能を有する。また、反射防止層１６は、蛍光体１５ｂから発せられた蛍光が封止層１５ａの表面で反射されるのを低減し、これによって蛍光体層１５からの蛍光の取出し効率を向上させる機能を有する。 The antireflection layer 16 has a function of improving the incident efficiency of the excitation light on the phosphor layer 15 by reducing the reflection of the excitation light incident on the phosphor layer 15. Further, the antireflection layer 16 has a function of reducing the reflection of the fluorescence emitted from the phosphor 15b on the surface of the sealing layer 15a, thereby improving the efficiency of extracting the fluorescence from the phosphor layer 15. ..

反射防止層１６は、金属反射層１３が形成された領域の全体に形成されている。また、反射防止層１６は、基板１１上における蛍光体層１５が形成されていない領域において、増反射層１４と接触している。特に、本実施の形態では、反射防止層１６は、基板１１上における蛍光体層１５を囲繞する領域の全周に亘って増反射層１４と接触している。したがって、蛍光体層１５は、その上面１５ｃだけでなく側面１５ｄも反射防止層１６によって覆われている。なお、蛍光体層１５を囲繞する領域とは、円弧状の蛍光体層１５の円弧外側の領域１１ｂと、円弧内側の領域１１ｃと、蛍光体層１５と開口１１ａとの間の領域１１ｄ，１１ｅとである。 The antireflection layer 16 is formed over the entire region where the metal reflection layer 13 is formed. Further, the antireflection layer 16 is in contact with the antireflection layer 14 in a region on the substrate 11 where the phosphor layer 15 is not formed. In particular, in the present embodiment, the antireflection layer 16 is in contact with the antireflection layer 14 over the entire circumference of the region surrounding the phosphor layer 15 on the substrate 11. Therefore, not only the upper surface 15c of the phosphor layer 15 but also the side surface 15d is covered with the antireflection layer 16. The regions surrounding the phosphor layer 15 are the regions 11b outside the arc of the arc-shaped phosphor layer 15, the regions 11c inside the arc, and the regions 11d and 11e between the phosphor layer 15 and the openings 11a. And.

反射防止層１６は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に多層に積層された多層膜である。本実施の形態では、反射防止層１６は、基板１１側から順に、第１低屈折率層１６ａ、高屈折率層１６ｂおよび第２低屈折率層１６ｃの３層で構成されている。各層の屈折率は、例えば、第１低屈折率層１６ａが１．５であり、高屈折率層１６ｂが１．９であり、第２低屈折率層１６ｃが１．５である。なお、反射防止層１６は、３層で構成されるものに限定されず、高屈折率層と低屈折率層とが交互に３層以上で積層された多層膜であれば、第１低屈折率層１６ａ、高屈折率層１６ｂおよび第２低屈折率層１６ｃ以外の層が含まれていてもよい。 The antireflection layer 16 is a multilayer film in which high refractive index layers and low refractive index layers are alternately laminated in multiple layers. In the present embodiment, the antireflection layer 16 is composed of three layers, a first low refractive index layer 16a, a high refractive index layer 16b, and a second low refractive index layer 16c, in this order from the substrate 11 side. The refractive index of each layer is, for example, 1.5 for the first low refractive index layer 16a, 1.9 for the high refractive index layer 16b, and 1.5 for the second low refractive index layer 16c. The antireflection layer 16 is not limited to the one composed of three layers, and if it is a multilayer film in which high refractive index layers and low refractive index layers are alternately laminated with three or more layers, the first low refractive index layer 16 A layer other than the rate layer 16a, the high refractive index layer 16b, and the second low refractive index layer 16c may be included.

第１低屈折率層１６ａおよび第２低屈折率層１６ｃの材料としては、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの比較的軽い元素の酸化物が挙げられる。また、第１低屈折率層１６ａおよび第２低屈折率層１６ｃの材料は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどの窒化物でもよい。第１低屈折率層１６ａと第２低屈折率層１６ｃとは、同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。また、第１低屈折率層１６ａおよび第２低屈折率層１６ｃは、増反射層１４の低屈折率層１４ａと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 Examples of the material of the first low refractive index layer 16a and the second low refractive index layer 16c include oxides of relatively light elements such as SiO 2 and Al 2 O 3 . Further, the material of the first low refractive index layer 16a and the second low refractive index layer 16c may be a nitride such as AlN, AlGaN, or AlInN. The first low refractive index layer 16a and the second low refractive index layer 16c may be formed of the same material or may be formed of different materials. Further, the first low refractive index layer 16a and the second low refractive index layer 16c may be formed of the same material as the low refractive index layer 14a of the brightening reflection layer 14, or may be formed of different materials. ..

高屈折率層１６ｂの材料としては、例えばＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２などの比較的重い元素の酸化物が挙げられる。また、高屈折率層１６ｂの材料は、ＡｌＯＮ、ＧａＮなどの窒化物でもよい。反射防止層１６の高屈折率層１６ｂは、増反射層１４の高屈折率層１４ｂと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 Examples of the material of the high refractive index layer 16b include oxides of relatively heavy elements such as TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ZnO, ZrO 2 , Ta 2 O 5 , and CeO 2 . Further, the material of the high refractive index layer 16b may be a nitride such as AlON or GaN. The high refractive index layer 16b of the antireflection layer 16 may be formed of the same material as the high refractive index layer 14b of the antireflection layer 14, or may be formed of a different material.

好適な一例として、本実施の形態では、第１低屈折率層１６ａおよび第２低屈折率層１６ｃはＳｉＯ２で形成されており、高屈折率層１６ｂはＴｉＯ２で形成されている。 As a preferred example, in the present embodiment, the first low refractive index layer 16a and the second low refractive index layer 16c are formed of SiO 2 , and the high refractive index layer 16b is formed of TiO 2 .

第１低屈折率層１６ａ、高屈折率層１６ｂおよび第２低屈折率層１６ｃは、公知の手法で形成することができる。公知の手法とは、例えば、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、反応性プラズマ蒸着法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、パルスレーザー堆積法またはイオンプレーティングなどである。 The first low refractive index layer 16a, the high refractive index layer 16b, and the second low refractive index layer 16c can be formed by a known method. Known methods include, for example, electron beam deposition, resistance heating vapor deposition, reactive plasma deposition, ion-assisted deposition, sputtering, metalorganic vapor phase growth, molecular beam epitaxy, pulsed laser deposition or ions. Plating etc.

以上のように、本実施の形態では、金属反射層１３が形成された領域の全体に、増反射層１４および反射防止層１６が形成されている。そのため、Ｈ２Ｓ（硫化水素）やＳＯ２（二酸化硫黄）などの腐食ガスが、金属反射層１３まで到達しにくい。特に、本実施の形態では、蛍光体層１５が形成されていない領域にも反射防止層１６が形成されているため、蛍光体層１５はその上面１５ｃだけでなく側面１５ｄも、反射防止層１６によって覆われている。したがって、腐食ガスが金属反射層１３まで到達しにくい。その結果、金属反射層１３においてマイグレーションが生じにくく、マイグレーションにより金属反射層１３の上面が荒れて金属反射層１３の反射効率が低下するといったことが生じにくい。これにより、波長変換部材１０は、従来よりもパッシベーション性が向上している。 As described above, in the present embodiment, the antireflection layer 14 and the antireflection layer 16 are formed in the entire region where the metal reflection layer 13 is formed. Therefore, corrosive gases such as H 2 S (hydrogen sulfide) or SO 2 (sulfur dioxide) is less likely to reach the metal reflective layer 13. In particular, in the present embodiment, since the antireflection layer 16 is formed in the region where the phosphor layer 15 is not formed, the antireflection layer 16 is formed not only on the upper surface 15c but also on the side surface 15d of the phosphor layer 15. Covered by. Therefore, it is difficult for the corrosive gas to reach the metal reflective layer 13. As a result, migration is unlikely to occur in the metal reflective layer 13, and it is unlikely that the upper surface of the metal reflective layer 13 is roughened by the migration and the reflection efficiency of the metal reflective layer 13 is lowered. As a result, the wavelength conversion member 10 has improved passivation as compared with the conventional case.

しかも、本実施の形態では、基板１１上における蛍光体層１５が形成されていない領域において、増反射層１４と反射防止層１６とが接触している。そのため、より腐食ガスが金属反射層１３まで到達しにくい。さらに、本実施の形態では、基板１１上における蛍光体層１５を囲繞する領域の全周に亘って、増反射層１４と反射防止層１６とが接触している。そのため、さらに腐食ガスが金属反射層１３まで侵入しにくい。したがって、マイグレーションにより金属反射層１３の上面が荒れて金属反射層１３の反射効率が低下するといったことが特に生じにくい。 Moreover, in the present embodiment, the antireflection layer 14 and the antireflection layer 16 are in contact with each other in the region on the substrate 11 where the phosphor layer 15 is not formed. Therefore, it is more difficult for the corrosive gas to reach the metal reflective layer 13. Further, in the present embodiment, the antireflection layer 14 and the antireflection layer 16 are in contact with each other over the entire circumference of the region surrounding the phosphor layer 15 on the substrate 11. Therefore, the corrosive gas is less likely to penetrate into the metal reflective layer 13. Therefore, it is particularly unlikely that the upper surface of the metal reflective layer 13 is roughened by migration and the reflection efficiency of the metal reflective layer 13 is lowered.

加えて、金属反射層１３が銀からなる場合は、金属反射層１３において腐食ガスによるマイグレーションがより生じやすい。しかしながら、本実施の形態では、波長変換部材１０が上記構成を有するため、銀からなる金属反射層１３であるにもかかわらず、腐食ガスによるマイグレーションが生じにくい。 In addition, when the metal reflective layer 13 is made of silver, migration due to corrosive gas is more likely to occur in the metal reflective layer 13. However, in the present embodiment, since the wavelength conversion member 10 has the above configuration, migration due to corrosive gas is unlikely to occur even though the metal reflective layer 13 is made of silver.

また、本実施の形態では、蛍光体層１５の封止層１５ａがガラスおよび樹脂を含有する。そのため、蛍光体層１５の上面１５ｃに反射防止層１６を直接形成することが可能である。したがって、波長変換部材１０では、蛍光体層１５からの光取出し効率の向上と、金属反射層１３におけるマイグレーションの防止とが、共に達成されている。 Further, in the present embodiment, the sealing layer 15a of the phosphor layer 15 contains glass and resin. Therefore, it is possible to directly form the antireflection layer 16 on the upper surface 15c of the phosphor layer 15. Therefore, in the wavelength conversion member 10, both the improvement of the light extraction efficiency from the phosphor layer 15 and the prevention of migration in the metal reflecting layer 13 are achieved.

（プロジェクタ）
次に、実施の形態１に係るプロジェクタとして、実施の形態１に係る波長変換部材１０を備えたプロジェクタについて説明する。 (projector)
Next, as the projector according to the first embodiment, the projector provided with the wavelength conversion member 10 according to the first embodiment will be described.

図３は、実施の形態１に係るプロジェクタを示す構成図である。図３に示すように、プロジェクタ１００は、発光装置１１０、光学ユニット１２０および制御部１３０を備える。 FIG. 3 is a configuration diagram showing a projector according to the first embodiment. As shown in FIG. 3, the projector 100 includes a light emitting device 110, an optical unit 120, and a control unit 130.

発光装置１１０は、プロジェクタ１００の光源として動作する装置である。発光装置１１０は、波長変換部材１０、照射部１１１、ダイクロイックミラー１１２、第１反射ミラー１１３、第２反射ミラー１１４および第３反射ミラー１１５を備える。 The light emitting device 110 is a device that operates as a light source of the projector 100. The light emitting device 110 includes a wavelength conversion member 10, an irradiation unit 111, a dichroic mirror 112, a first reflection mirror 113, a second reflection mirror 114, and a third reflection mirror 115.

波長変換部材１０は、モータ１１６に取り付けられて回転される。モータ１１６は、制御部１３０からの駆動制御信号に基づいて駆動される。 The wavelength conversion member 10 is attached to the motor 116 and rotated. The motor 116 is driven based on a drive control signal from the control unit 130.

照射部１１１は、蛍光体１５ｂを励起するための励起光を蛍光体層１５側から波長変換部材１０に照射する。照射部１１１は、より具体的には、複数の固体光源１１１ａと、固体光源１１１ａから出射した励起光をコリメートするコリメートレンズ１１１ｂと、ヒートシンク１１１ｃとを備える。 The irradiation unit 111 irradiates the wavelength conversion member 10 with excitation light for exciting the phosphor 15b from the phosphor layer 15 side. More specifically, the irradiation unit 111 includes a plurality of solid-state light sources 111a, a collimating lens 111b that collimates the excitation light emitted from the solid-state light source 111a, and a heat sink 111c.

固体光源１１１ａは、例えば半導体レーザや発光ダイオードなどであり、駆動電流によって駆動されて所定の色（波長）の励起光を出射する。本実施の形態では、固体光源１１１ａとして、３６０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長の青色光を出射する半導体レーザが用いられる。固体光源１１１ａの発光制御は、制御部１３０によって行われる。なお、固体光源１１１ａは、複数個設けられているが、１個であってもよい。 The solid-state light source 111a is, for example, a semiconductor laser or a light emitting diode, and is driven by a driving current to emit excitation light of a predetermined color (wavelength). In the present embodiment, as the solid-state light source 111a, a semiconductor laser that emits blue light having a wavelength of 360 nm or more and 480 nm or less is used. The light emission control of the solid-state light source 111a is performed by the control unit 130. Although a plurality of solid-state light sources 111a are provided, one may be used.

ダイクロイックミラー１１２は、照射部１１１から出射される青色光（青色の励起光）を透過するとともに、この青色光よりも長い波長の光を反射する特性を有する。つまり、ダイクロイックミラー１１２は、波長変換部材１０からの黄色光（黄色の蛍光）を反射する。 The dichroic mirror 112 has a property of transmitting blue light (blue excitation light) emitted from the irradiation unit 111 and reflecting light having a wavelength longer than that of the blue light. That is, the dichroic mirror 112 reflects yellow light (yellow fluorescence) from the wavelength conversion member 10.

光学ユニット１２０は、集光レンズ１２１、ロッドインテグレータ１２２、レンズ群１２３、投射レンズ１２４および表示素子１２５を備える。 The optical unit 120 includes a condenser lens 121, a rod integrator 122, a lens group 123, a projection lens 124, and a display element 125.

集光レンズ１２１は、発光装置１１０からの光をロッドインテグレータ１２２の入射端面に集光させる。 The condensing lens 121 condenses the light from the light emitting device 110 on the incident end surface of the rod integrator 122.

ロッドインテグレータ１２２は、集光レンズ１２１によって集光された光を入射端面で受けて輝度分布を均一にして出射する。ロッドインテグレータ１２２は、例えば四角柱であり、ロッドインテグレータ１２２に入射した光は、媒体内で全反射を繰り返して均一な輝度分布となって出射される。 The rod integrator 122 receives the light collected by the condensing lens 121 at the incident end face and emits the light with a uniform brightness distribution. The rod integrator 122 is, for example, a quadrangular prism, and the light incident on the rod integrator 122 is emitted with a uniform brightness distribution by repeating total internal reflection in the medium.

レンズ群１２３は、ロッドインテグレータ１２２から出射される光を表示素子１２５に入射させる。レンズ群１２３は、複数のレンズからなるレンズユニットであり、例えばコンデンサレンズおよびリレーレンズなどを備える。 The lens group 123 causes the light emitted from the rod integrator 122 to enter the display element 125. The lens group 123 is a lens unit composed of a plurality of lenses, and includes, for example, a condenser lens and a relay lens.

投射レンズ１２４は、表示素子１２５から出力される光をプロジェクタ１００の外部に投射するレンズである。投射レンズ１２４は、１つ又は複数のレンズからなる投射レンズ群（投射ユニット）であり、例えば、両凸レンズ、絞りおよび平凹レンズなどによって構成される。 The projection lens 124 is a lens that projects the light output from the display element 125 to the outside of the projector 100. The projection lens 124 is a projection lens group (projection unit) composed of one or a plurality of lenses, and is composed of, for example, a biconvex lens, an aperture, and a plano-concave lens.

表示素子１２５は、レンズ群１２３から出射される光を制御して、映像として出力する。表示素子１２５は、具体的には、映像素子として用いられるＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）である。 The display element 125 controls the light emitted from the lens group 123 and outputs it as an image. Specifically, the display element 125 is a DMD (digital mirror device) used as a video element.

制御部１３０は、発光装置１１０（照射部１１１およびモータ１１６）と、表示素子１２５とを制御する。制御部１３０は、具体的には、マイクロコンピュータ、プロセッサ、または専用回路などによって実現される。 The control unit 130 controls the light emitting device 110 (irradiation unit 111 and the motor 116) and the display element 125. Specifically, the control unit 130 is realized by a microcomputer, a processor, a dedicated circuit, or the like.

以上のようなプロジェクタ１００において、照射部１１１から出射された青色光は、ダイクロイックミラー１１２を透過して波長変換部材１０に入射する。このとき、波長変換部材１０では、青色光の一部が開口１１ａを介して基板１１を通り抜け、青色光の他の一部が蛍光体層１５により黄色光に変換される。なお、このとき、波長変換部材１０は、モータ１１６により回転している。 In the projector 100 as described above, the blue light emitted from the irradiation unit 111 passes through the dichroic mirror 112 and is incident on the wavelength conversion member 10. At this time, in the wavelength conversion member 10, a part of the blue light passes through the substrate 11 through the opening 11a, and the other part of the blue light is converted into yellow light by the phosphor layer 15. At this time, the wavelength conversion member 10 is rotated by the motor 116.

蛍光体層１５から発せられた黄色光は、ダイクロイックミラー１１２で反射して光学ユニット１２０に導かれる。一方、開口１１ａを介して基板１１を通り抜けた青色光は、第１反射ミラー１１３、第２反射ミラー１１４および第３反射ミラー１１５で順次反射する。そして、第３反射ミラー１１５で反射した青色光は、ダイクロイックミラー１１２を透過して、光学ユニット１２０に導かれる。つまり、光学ユニット１２０には、青色光と黄色光とが混ざった白色光が入射される。 The yellow light emitted from the phosphor layer 15 is reflected by the dichroic mirror 112 and guided to the optical unit 120. On the other hand, the blue light that has passed through the substrate 11 through the opening 11a is sequentially reflected by the first reflection mirror 113, the second reflection mirror 114, and the third reflection mirror 115. Then, the blue light reflected by the third reflection mirror 115 passes through the dichroic mirror 112 and is guided to the optical unit 120. That is, white light, which is a mixture of blue light and yellow light, is incident on the optical unit 120.

光学ユニット１２０に入射した白色光は、集光レンズ１２１、ロッドインテグレータ１２２およびレンズ群１２３を通って表示素子１２５に入射する。そして、制御部１３０からの映像信号に基づいて画像（映像光）に形成されて、表示素子１２５から出力される。表示素子１２５から出力された画像は、投射レンズ１２４からスクリーンなどの対象物に投射される。 The white light incident on the optical unit 120 enters the display element 125 through the condensing lens 121, the rod integrator 122, and the lens group 123. Then, it is formed into an image (video light) based on the video signal from the control unit 130, and is output from the display element 125. The image output from the display element 125 is projected from the projection lens 124 onto an object such as a screen.

以上で説明したように、本開示は、波長変換部材１０を備えたプロジェクタ１００として実現することができる。つまり、波長変換部材１０を用いることによって、光取出し効率および耐久性を向上させたプロジェクタ１００を実現することができる。 As described above, the present disclosure can be realized as a projector 100 provided with a wavelength conversion member 10. That is, by using the wavelength conversion member 10, the projector 100 with improved light extraction efficiency and durability can be realized.

なお、本実施の形態に係るプロジェクタ１００は、一例であり、波長変換部材１０に例示される本開示に係る波長変換部材は、既存の各種光学系を使用したプロジェクタに使用可能である。 The projector 100 according to the present embodiment is an example, and the wavelength conversion member according to the present disclosure exemplified for the wavelength conversion member 10 can be used for a projector using various existing optical systems.

［実施の形態２］
（波長変換部材）
図４は、実施の形態２に係る波長変換部材を示す斜視図である。図４に示す実施の形態２に係る波長変換部材２０は、照明装置用の波長変換部材であって、矩形板状の基板２１の一方の主面側に、矩形の蛍光体層２５を備える。 [Embodiment 2]
(Wavelength conversion member)
FIG. 4 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to the second embodiment. The wavelength conversion member 20 according to the second embodiment shown in FIG. 4 is a wavelength conversion member for a lighting device, and includes a rectangular phosphor layer 25 on one main surface side of a rectangular plate-shaped substrate 21.

図４における２−２線断面図は、図１における２−２線断面図と同様であるため、図２を用いて図４における２−２線断面の説明を行う。 Since the sectional view taken along line 2-2 in FIG. 4 is the same as the sectional view taken along line 2-2 in FIG. 1, the sectional view taken along line 2-2 in FIG. 4 will be described with reference to FIG.

図２に示すように、波長変換部材２０は、基板２１、接着層２２、金属反射層２３、増反射層２４、蛍光体層２５および反射防止層２６を備える。波長変換部材２０を構成する各構成要素２１〜２６は、実施の形態１に係る波長変換部材１０を構成する同名の各構成要素１１〜１６と、形状に関する事項を除いて略同様である。したがって、各構成要素２１〜２６の説明は省略する。 As shown in FIG. 2, the wavelength conversion member 20 includes a substrate 21, an adhesive layer 22, a metal reflective layer 23, a reflective layer 24, a phosphor layer 25, and an antireflection layer 26. The components 21 to 26 constituting the wavelength conversion member 20 are substantially the same as the components 11 to 16 having the same name constituting the wavelength conversion member 10 according to the first embodiment, except for matters relating to the shape. Therefore, the description of each component 21 to 26 will be omitted.

増反射層２４は、低屈折率層２４ａおよび高屈折率層２４ｂで構成されている。増反射層２４を構成する各構成要素２４ａ，２４ｂは、実施の形態１に係る増反射層１４を構成する同名の各構成要素１４ａ，１４ｂと、形状に関する事項を除いて略同様である。したがって、各構成要素２４ａ，２４ｂの説明は省略する。 The high-refractive index layer 24 is composed of a low refractive index layer 24a and a high refractive index layer 24b. The components 24a and 24b constituting the reflective layer 24 are substantially the same as the components 14a and 14b having the same name constituting the reflective layer 14 according to the first embodiment, except for matters relating to the shape. Therefore, the description of each component 24a and 24b will be omitted.

蛍光体層２５は、封止層２５ａおよび蛍光体２５ｂで構成されている。蛍光体層２５を構成する各構成要素２５ａ，２５ｂは、実施の形態１に係る蛍光体層１５を構成する同名の各構成要素１５ａ，１５ｂと、形状に関する事項を除いて略同様である。したがって、各構成要素２５ａ，２５ｂの説明は省略する。 The phosphor layer 25 is composed of a sealing layer 25a and a phosphor 25b. The components 25a and 25b constituting the phosphor layer 25 are substantially the same as the components 15a and 15b having the same name constituting the phosphor layer 15 according to the first embodiment, except for matters relating to the shape. Therefore, the description of each component 25a and 25b will be omitted.

反射防止層２６は、第１低屈折率層２６ａ、高屈折率層２６ｂおよび第２低屈折率層２６ｃで構成されている。反射防止層２６を構成する各構成要素２６ａ〜２６ｃは、実施の形態１に係る反射防止層１６を構成する同名の各構成要素１６ａ〜１６ｃと、形状に関する事項を除いて略同様である。したがって、各構成要素２６ａ〜２６ｃの説明は簡略する。 The antireflection layer 26 is composed of a first low refractive index layer 26a, a high refractive index layer 26b, and a second low refractive index layer 26c. The components 26a to 26c constituting the antireflection layer 26 are substantially the same as the components 16a to 16c having the same name constituting the antireflection layer 16 according to the first embodiment, except for matters relating to the shape. Therefore, the description of each component 26a to 26c will be simplified.

反射防止層２６は、金属反射層２３が形成された領域の全体に形成されている。また、反射防止層２６は、基板２１上における蛍光体層２５が形成されていない領域において、増反射層２４と接触している。特に、本実施の形態では、反射防止層２６は、基板２１上における蛍光体層２５を囲繞する領域の全周に亘って増反射層２４と接触している。したがって、蛍光体層２５は、その上面２５ｃだけでなく側面２５ｄも反射防止層２６によって覆われている。なお、蛍光体層２５を囲繞する領域とは、具体的には、蛍光体層２５の四方外側の領域２１ｂ〜２１ｅである。 The antireflection layer 26 is formed over the entire region where the metal reflection layer 23 is formed. Further, the antireflection layer 26 is in contact with the antireflection layer 24 in a region on the substrate 21 where the phosphor layer 25 is not formed. In particular, in the present embodiment, the antireflection layer 26 is in contact with the antireflection layer 24 over the entire circumference of the region surrounding the phosphor layer 25 on the substrate 21. Therefore, not only the upper surface 25c of the phosphor layer 25 but also the side surface 25d is covered with the antireflection layer 26. The region surrounding the phosphor layer 25 is specifically, regions 21b to 21e on all sides of the phosphor layer 25.

以上のように波長変換部材２０は、実施の形態１に係る波長変換部材１０と略同様の構成を有する。したがって、波長変換部材２０は、上記で説明した波長変換部材１０が奏する効果と同様の効果を全て奏する。 As described above, the wavelength conversion member 20 has substantially the same configuration as the wavelength conversion member 10 according to the first embodiment. Therefore, the wavelength conversion member 20 exerts all the same effects as those of the wavelength conversion member 10 described above.

（照明装置）
図５は、実施の形態２に係る照明装置を示す構成図である。図５に示すように、照明装置２００は、実施の形態２に係る波長変換部材２０と、固体光源２１０と、光学系２２０とを備える。 (Lighting device)
FIG. 5 is a configuration diagram showing a lighting device according to the second embodiment. As shown in FIG. 5, the lighting device 200 includes a wavelength conversion member 20 according to the second embodiment, a solid-state light source 210, and an optical system 220.

固体光源２１０としては、例えば、紫外光から青色光領域の励起光を出射する半導体レーザや発光ダイオードなどが挙げられる。本実施の形態では、固体光源２１０は、ＧａＮ系の材料を用いた約４６０ｎｍの青色光を発光する半導体レーザである。 Examples of the solid-state light source 210 include a semiconductor laser and a light emitting diode that emit excitation light in the blue light region from ultraviolet light. In the present embodiment, the solid-state light source 210 is a semiconductor laser that emits blue light of about 460 nm using a GaN-based material.

固体光源２１０から波長変換部材２０に向けて出射された青色光（青色の励起光）は、その一部が蛍光体層２５により黄色光（黄色の蛍光）に変換される。金属反射膜２３は、蛍光体層２５から発せられた黄色光や、蛍光体層２５で変換されなかった青色光を、光学系２２０に向けて反射させる。この結果、反射した青色光と黄色光とが混色し、波長変換部材１０からは白色光が出力され、この白色光が光学系２２０で発散され照明光となる。 A part of the blue light (blue excitation light) emitted from the solid-state light source 210 toward the wavelength conversion member 20 is converted into yellow light (yellow fluorescence) by the phosphor layer 25. The metal reflective film 23 reflects the yellow light emitted from the phosphor layer 25 and the blue light not converted by the phosphor layer 25 toward the optical system 220. As a result, the reflected blue light and yellow light are mixed, white light is output from the wavelength conversion member 10, and this white light is diverged by the optical system 220 to become illumination light.

以上で説明したように、本開示は、波長変換部材２０を備えた照明装置２００として実現することができる。つまり、波長変換部材２０を用いることによって、光取出し効率および耐久性を向上させた照明装置２００を実現することができる。 As described above, the present disclosure can be realized as a lighting device 200 including a wavelength conversion member 20. That is, by using the wavelength conversion member 20, it is possible to realize the lighting device 200 having improved light extraction efficiency and durability.

［変形例］
以上、実施の形態１および実施の形態２に係る波長変換部材１０，２０、プロジェクタ１００および照明装置２００について説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を上記実施の形態に施したものも、本開示の範囲内に含まれる。 [Modification example]
Although the wavelength conversion members 10, 20, the projector 100 and the lighting device 200 according to the first and second embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiment. As long as it does not deviate from the gist of the present disclosure, various modifications that can be conceived by those skilled in the art are also included in the scope of the present disclosure.

例えば、上記実施の形態では、プロジェクタ用および照明装置用の波長変換部材について説明したが、波長変換部材の用途はそれらに限定されない。例えば、本開示に係る波長変換部材は、ディスプレイなどのその他の用途に用いられてもよい。 For example, in the above-described embodiment, the wavelength conversion members for projectors and lighting devices have been described, but the applications of the wavelength conversion members are not limited thereto. For example, the wavelength conversion member according to the present disclosure may be used for other purposes such as a display.

また、上記実施の形態では、図２を用いて波長変換部材の積層構造を例示したが、本開示の積層構造は図２に示す積層構造に限定されない。例えば、図２に示す積層構造と同様の機能を実現できる範囲で、図２に示す積層構造の層間に別の層が設けられてもよい。 Further, in the above embodiment, the laminated structure of the wavelength conversion member is illustrated with reference to FIG. 2, but the laminated structure of the present disclosure is not limited to the laminated structure shown in FIG. For example, another layer may be provided between the layers of the laminated structure shown in FIG. 2 as long as the same function as that of the laminated structure shown in FIG. 2 can be realized.

上記実施の形態では、積層構造の各層を構成する主たる材料について例示しているが、上記積層構造と同様の機能を実現できる範囲であれば、各層に他の材料が含まれていてもよい。 In the above embodiment, the main materials constituting each layer of the laminated structure are illustrated, but other materials may be contained in each layer as long as the same functions as those of the laminated structure can be realized.

本開示に係る波長変換部材は、プロジェクタや照明装置などの波長変換された光を利用する装置に広く利用可能である。 The wavelength conversion member according to the present disclosure can be widely used in devices that utilize wavelength-converted light, such as projectors and lighting devices.

１０，２０ 波長変換部材
１１，２１ 基板
１１ａ 開口
１１ｂ 円弧外側の領域
１１ｃ 円弧内側の領域
１１ｄ，１１ｅ 開口との間の領域
１２，２２ 接着層
１３，２３ 金属反射層
１４，２４ 増反射層
１４ａ，２４ａ 低屈折率層
１４ｂ，２４ｂ 高屈折率層
１５，２５ 蛍光体層
１５ａ，２５ａ 封止層
１５ｂ，２５ｂ 蛍光体
１５ｃ，２５ｃ 上面
１５ｄ，２５ｄ 側面
１６，２６ 反射防止層
１６ａ，２６ａ 第１低屈折率層
１６ｂ，２６ｂ 高屈折率層
１６ｃ，２６ｃ 第２低屈折率層
２１ｂ〜２１ｅ 四方外側の領域
１００ プロジェクタ
１１０ 発光装置
１１１ 照射部
１１１ａ，２１０ 固体光源
１１１ｂ コリメートレンズ
１１１ｃ ヒートシンク
１１２ ダイクロイックミラー
１１３ 第１反射ミラー
１１４ 第２反射ミラー
１１５ 第３反射ミラー
１１６ モータ
１２０ 光学ユニット
１２１ 集光レンズ
１２２ ロッドインテグレータ
１２３ レンズ群
１２４ 投射レンズ
１２５ 表示素子
１３０ 制御部
２００ 照明装置
２２０ 光学系 10,20 Wavelength conversion member 11,21 Substrate 11a Aperture 11b Area outside the arc 11c Area inside the arc 11d, 11e Area between the opening 12,22 Adhesive layer 13,23 Metal reflection layer 14,24 Reflective layer 14a, 24a Low refractive index layer 14b, 24b High refractive index layer 15,25 Fluorescent material layer 15a, 25a Encapsulating layer 15b, 25b Fluorescent material 15c, 25c Top surface 15d, 25d Side surface 16,26 Antireflection layer 16a, 26a First low reflectance Rate layer 16b, 26b High refractive index layer 16c, 26c Second low refractive index layer 21b to 21e Square outer region 100 Projector 110 Light emitting device 111 Irradiating part 111a, 210 Solid light source 111b Collimating lens 111c Heat sink 112 Dycroic mirror 113 First reflection Mirror 114 2nd reflection mirror 115 3rd reflection mirror 116 Motor 120 Optical unit 121 Condensing lens 122 Rod integrator 123 Lens group 124 Projection lens 125 Display element 130 Control unit 200 Lighting device 220 Optical system

Claims (7)

基板上に、金属反射層、増反射層、蛍光体層および反射防止層がその順で形成され、
前記増反射層は、前記金属反射層が形成された領域の全体に形成され、前記基板側から順に低屈折率層および高屈折率層を有し、
前記蛍光体層は、前記金属反射層が形成された領域の一部に形成され、
前記反射防止層は、前記金属反射層が形成された領域の全体に形成され、前記基板側から順に第１低屈折率層、高屈折率層および第２低屈折率層を有することを特徴とする波長変換部材。 A metal reflective layer, a brightening layer, a phosphor layer, and an antireflection layer are formed on the substrate in this order.
The hyperrefractive layer is formed in the entire region where the metal reflective layer is formed, and has a low refractive index layer and a high refractive index layer in order from the substrate side.
The phosphor layer is formed in a part of the region where the metal reflection layer is formed, and the phosphor layer is formed.
The antireflection layer is formed in the entire region where the metal reflection layer is formed, and has a first low refractive index layer, a high refractive index layer, and a second low refractive index layer in this order from the substrate side. Wavelength conversion member. 前記反射防止層は、前記基板上における前記蛍光体層が形成されていない領域において前記増反射層と接触していることを特徴とする請求項１に記載の波長変換部材。 The wavelength conversion member according to claim 1, wherein the antireflection layer is in contact with the brightening reflection layer in a region on the substrate where the phosphor layer is not formed. 前記反射防止層は、前記基板上における前記蛍光体層を囲繞する領域の全周に亘って前記増反射層と接触していることを特徴とする請求項１又は２に記載の波長変換部材。 The wavelength conversion member according to claim 1 or 2, wherein the antireflection layer is in contact with the antireflection layer over the entire circumference of a region surrounding the phosphor layer on the substrate. 前記金属反射層は、銀からなることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の波長変換部材。 The wavelength conversion member according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal reflective layer is made of silver. 前記蛍光体層は、ガラスおよび樹脂を含有する封止層と、前記封止層の中に分散された蛍光体とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の波長変換部材。 The wavelength conversion according to any one of claims 1 to 4, wherein the phosphor layer has a sealing layer containing glass and a resin, and a phosphor dispersed in the sealing layer. Element. 請求項１から５のいずれかに記載の波長変換部材を備えることを特徴とするプロジェクタ。 A projector comprising the wavelength conversion member according to any one of claims 1 to 5. 請求項１から５のいずれかに記載の波長変換部材を備えることを特徴とする照明装置。 A lighting device comprising the wavelength conversion member according to any one of claims 1 to 5.
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