JP6744100B2 - 転写用マスクの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 55
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 60
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 11
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- -1 tetramethylammonium hydride Chemical compound 0.000 claims description 4
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 281
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 2
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N propylsilane Chemical compound CCC[SiH3] UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とをこの順に成膜する成膜工程と、
有機ケイ素化合物を用いた処理により、前記ハードマスク膜の表面のシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程と、
前記改質処理された前記ハードマスク膜上にレジスト膜を形成する工程とを有し、
前記改質処理は、前記レジスト膜のリソグラフィー処理において当該レジスト膜から露出する前記ハードマスク膜の表面の水接触角が、室温23℃において29°以下の範囲となるように行われる
マスクブランクの製造方法。
前記成膜工程では、前記パターニング材料膜として、クロムを含有する材料膜を成膜する
ことを特徴とする構成1に記載のマスクブランクの製造方法。
前記有機ケイ素化合物は、アミンを有している
ことを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランクの製造方法。
前記有機ケイ素化合物は、ヘキサメチルジシラザンである
ことを特徴とする構成1〜3の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記ハードマスク膜の膜厚は、1.5nm以上15nm未満である
ことを特徴とする構成1〜4の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
前記ハードマスク膜は、酸素および窒素のうちの少なくとも一方とケイ素とからなる
ことを特徴とする構成1〜5の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。
構成1〜6の何れかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、
リソグラフィー法により前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされたハードマスク膜をマスクとして前記パターニング材料膜をエッチングすることにより、当該パターニング材料膜をパターニングする工程とを有する
転写用マスクの製造方法。
前記成膜工程では、前記パターニング材料膜として、クロムを含有する材料膜を成膜し、
前記パターニング材料膜をパターニングする工程では、前記ハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスを用いたドライエッチングより、前記クロムを含有する材料膜をパターニングする
ことを特徴とする構成7記載の転写用マスクの製造方法。
基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とがこの順で成膜されたマスクブランクであって、
前記ハードマスク膜は、有機ケイ素化合物を用いた処理によって、表面のシラノール基が化学修飾基で修飾されており、レジスト膜のリソグラフィー処理において当該レジスト膜から露出する前記ハードマスク膜の修飾された表面の水接触角が室温23℃において29°以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
図1は、実施形態のマスクブランクの製造方法を説明するための断面工程図である。以下に、図1に基づき、実施形態のマスクブランクの製造方法を説明する。
ここで用意する基板10は、一般的にガラス材から構成され、ケイ素を含有する材料からなるものが選択される。例えばバイナリマスクや位相シフトマスク用のマスクブランクの基板1であれば、ArFエキシマレーザ光(波長:約193nm)のような露光光に対して透過性を有する材料で構成されればよい。このような材料としては、合成石英ガラスが用いられるが、この他にも、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラスを用いることができる。特に、石英基板は、ArFエキシマレーザ光、またはそれよりも短波長の領域で透明性が高いので、本発明のマスクブランクに特に好適に用いることができる。
また、反射型のマスクブランクの基板1であれば、露光時の発熱による熱膨張が低く抑えられた低熱膨張ガラス(SiO2−TiO2ガラス等)を用いて構成される。
次に、以上のような基板10における処理表面上に、例えばスパッタ法によってハーフトーン膜11を成膜する。ここで成膜するハーフトーン膜11は、例えばケイ素(Si)を含有する材料膜として成膜する。このハーフトーン膜11は、ケイ素の他に、窒素(N)を含有する材料で形成されていることが好ましい。このようなハーフトーン膜11は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによってパターニングが可能であり、以下に説明するクロム(Cr)を含有する材料で形成された遮光膜13に対して、十分なエッチング選択性を有したパターニングが可能である。
次に、ハーフトーン膜11上に、例えばスパッタ法によって遮光膜13を成膜する。ここで成膜する遮光膜13は、クロムを含有する材料膜であって、単層で成膜してもよく、図示したような下層13aと上層13bとの2層構造で成膜してもよく、さらに多層の複数層で成膜してもよい。遮光膜13を複数層として成膜する場合には、クロム(Cr)の含有量を変化させた各層を成膜する。
よい。
次いで遮光膜13上に、例えばスパッタ法によってハードマスク膜15を成膜する。ここで成膜するハードマスク膜15は、ケイ素(Si)を含有する膜であって、遮光膜13にパターンを形成するためのドライエッチングが終わるまでの間、エッチングマスクとして機能するだけの極薄い膜厚を有して成膜される。
次に、図1Bに示すように、有機ケイ素化合物を用いた処理により、ハードマスク膜15の表面Sのシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程を行う。この改質処理工程は、この次に形成するレジストパターン間に露出するハードマスク膜15の表面Sの水接触角が、室温23℃において29°以下の範囲となるように行われるところが重要である。なお、改質処理はレジスト膜17の構成材料によって適宜変更することができる。
ハードマスク膜15の改質処理にHMDSを使用した場合には、表面にトリメチルシリル基が露出するが、上述したレジスト組成液により、この中に含まれるメチル基の数を減少させるか、または、不活化させるかによってハードマスク表面の親水性を高めることができる。
次に図1Cに示すように、化学修飾基の結合によって改質処理されたハードマスク膜15の表面S上に、レジスト膜17を形成する。レジスト膜17の形成は、例えばスピンコート法のような塗布法によるレジスト材料層の成膜と、その後の処理とを行う。ここで形成するレジスト膜17は、特に材料限定されることはないが、微細パターンを形成する場合に有効であるため、化学増幅型レジストに適用することが好ましい。また、ネガ型、ポジ型のいずれのレジストにも適用可能であるが、ネガ型に適用すると効果的である。ただし、ここで形成するレジスト膜17の材質およびその形成方法は、改質処理工程における処理条件を設定した際の材質および形成方法であることとする。
図2および図3は、実施形態の転写用マスクの製造方法を説明するための断面工程図である。これらの図に示す転写用マスクの製造方法は、図1を用いて説明した製造方法によって得られたハーフトーン型のマスクブランク1を用いた転写用マスクの製造方法である。以下に、図2および図3に基づき、転写用マスクの製造方法を説明する。尚、図2および図3においては、図1を用いて説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図2Aに示すように、リソグラフィー法によりレジスト膜17に第1のレジストパターン17aを形成する。ここでは先ず、マスクブランク1におけるレジスト膜17に対して、ハーフトーン膜11に形成すべき位相シフトパターンとアライメントマークパターンとを露光描画する。この露光描画には、電子線が用いられる場合が多い。この際、基板10における中央部分を位相シフトパターン形成領域10aとし、ここに位相シフトパターンに対応するパターンを露光描画する。また、位相シフトパターン形成領域10aの外周領域10bには、位相シフトパターンを形成せずアライメントマーク等のパターンを露光描画する。
次いで図2Bに示すように、減圧処理室内において、第1のレジストパターン17aをマスクとして、フッ素系ガスを用いたハードマスク膜15のドライエッチングを行い、ハードマスク膜15をパターニングしてハードマスクパターン15aを形成する。しかる後、第1のレジストパターン17aを除去する。なお、ここで、第1のレジストパターン17aを除去せず残存させたまま、遮光膜13のドライエッチングを行ってもよい。この場合でも、遮光膜13のドライエッチングの途上で第1のレジストパターン17aは消失する。
次に図2Cに示すように、引き続き減圧処理室内において、ハードマスクパターン15aをマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガス(酸素含有塩素系ガス)を用いた遮光膜13のドライエッチングを行い、クロムと共にインジウム等金属元素を含有する遮光膜13をパターニングする。これにより、ケイ素を含有するハードマスク膜15に対して、きわめて高いエッチング選択性で遮光膜13をエッチングし、遮光膜パターン13aaを形成する。
以上説明した実施形態のマスクブランクの製造方法によれば、レジスト膜17の下地層となるハードマスク膜15を、ハードマスク膜15の表面Sのシラノール基(−SiOH)と結合可能な官能基と、レジスト膜17との親和性に優れる疎水性の官能基とを有する有機ケイ素化合物によって改質処理を行った後、レジスト膜17を形成する。このため、改質処理工程によってハードマスク膜15の表面が疎水化され、レジスト膜17との密着性を確保することが可能になる。そして、この製造方法によって作製されたマスクブランク1を用いた転写用マスクの製造方法によれば、図2Aを用いて説明したように、リソグラフィー処理によって第1のレジストパターン17aを形成した場合のパターン倒れを防止することが可能になる。
[マスクブランクの製造]
図1を用いて説明した第1実施形態のマスクブランク1を以下のように製造した。先ず図1Aに示すように、主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.25mmの合成石英ガラスからなる透光性基板10を準備した。この基板10は、周端面及び主表面Sが所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。
・下層13a:CrON、膜厚47nm
・上層13b:CrN、膜厚5nm
・ハードマスク膜15:SiON、膜厚5nm
次に、電子線描画機を用いて、レジスト膜17に対して所定のデバイスパターンを描画した。ここでは、デバイスパターンとして、ハーフトーン膜11に形成すべき位相シフトパターンに対応するパターンであって、ラインアンドスペースを含むパターンを描画した。ここでの描画は、SRAFパターンのパターン寸法に対応する40nm幅のラインアンドスペースの位相シフトパターンの形成を目的とした。
以上のようにして形成したハードマスクパターン15aについて、その形状を評価した。ここでは、ハードマスクパターン15aに形成された抜き不良、すなわち第1のレジストパターン17aをマスクとしたハードマスク膜15のエッチング不良のうち、パターン残りによる欠陥数をカウントした。この結果を下記表1に合わせて示す。欠陥数のカウントは、レーザーテック株式会社製マスクブランクス欠陥検査装置(MAGICSシリーズ
M2351)を使用して実施した。尚、表1に示す欠陥数は、カウント10未満を切り捨てた値として示した。
2…転写用マスク
10…基板、
11…ハーフトーン膜(パターニング材料膜)
13…遮光膜(パターニング材料膜、クロムを含有する材料膜)
15…ハードマスク膜
17…レジスト膜
17a…第1のレジストパターン
31…第2のレジストパターン
d…ハードマスク膜の膜厚
Claims (6)
- 基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とをこの順に成膜する成膜工程と、
ヘキサメチルジシラザンを用いた処理により、前記ハードマスク膜の表面のシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程と、
前記改質処理された前記ハードマスク膜上にレジスト膜を形成する工程と、
テトラメチルアンモニウムハイドライドを含有する水溶液を用いたリソグラフィー処理により前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされたハードマスク膜をマスクとして前記パターニング材料膜をエッチングすることにより、当該パターニング材料膜をパターニングする工程とを有し、
前記改質処理は、前記テトラメチルアンモニウムハイドライドを含有する水溶液を用いたリソグラフィー処理を前記レジスト膜に対して行ったときに当該レジスト膜から露出する前記ハードマスク膜の表面の水接触角が、室温23℃において29°以下の範囲となるように行われる
転写用マスクの製造方法。 - 前記リソグラフィー処理で用いられる前記水溶液は、テトラメチルアンモニウムハイドライドを2.38%の濃度で含有している
ことを特徴とする請求項1記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記成膜工程では、前記パターニング材料膜として、クロムを含有する材料膜を成膜する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記ハードマスク膜の膜厚は、1.5nm以上15nm未満である
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記ハードマスク膜は、酸素および窒素のうちの少なくとも一方とケイ素とからなる
ことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の転写用マスクの製造方法。 - 前記パターニング材料膜をパターニングする工程では、前記ハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記クロムを含有する材料膜をパターニングする
ことを特徴とする請求項3に記載の転写用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016006189A JP6744100B2 (ja) | 2016-01-15 | 2016-01-15 | 転写用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016006189A JP6744100B2 (ja) | 2016-01-15 | 2016-01-15 | 転写用マスクの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017126020A JP2017126020A (ja) | 2017-07-20 |
JP2017126020A5 JP2017126020A5 (ja) | 2018-12-20 |
JP6744100B2 true JP6744100B2 (ja) | 2020-08-19 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016006189A Active JP6744100B2 (ja) | 2016-01-15 | 2016-01-15 | 転写用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6744100B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220005688A1 (en) | 2020-07-02 | 2022-01-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of carbon on photoresist layer for lithography applications |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494332B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム |
JP6234898B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-11-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
JP6150299B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2017-06-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6523873B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-06-05 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク |
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006189A patent/JP6744100B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017126020A (ja) | 2017-07-20 |
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