JP6740882B2 - Circuit device - Google Patents

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Description

本発明は、回路装置に関する。 The present invention relates to a circuit device.

この種の回路装置は、例えばCAN通信規格に準拠しながら各種車両仕様に合わせた改良等が行われており、端子に入力される許容信号入力範囲を拡張するという改良が進められている(例えば、特許文献1参照)。例えば、特許文献1に記載されるように、コンパレータの同相入力範囲に合わせるように圧縮回路の圧縮ゲインを設定することで、より広い入力範囲の差動信号を受信したとしてもレセッシブ/ドミナントの判定を正常に行うことができる。 This kind of circuit device has been improved in conformity with various vehicle specifications while complying with CAN communication standards, for example, and is being improved so as to expand an allowable signal input range input to a terminal (for example, , Patent Document 1). For example, as described in Patent Document 1, by setting the compression gain of the compression circuit so as to match the in-phase input range of the comparator, even if a differential signal with a wider input range is received, recessive/dominant determination is performed. Can be done normally.

特開2014−175994号公報JP, 2014-175994, A

他方、近年、高エネルギー、広周波数帯域の条件下でのEMC耐量向上要求が厳しくなってきている。例えば、特許文献1記載の圧縮回路を用いた回路構成を適用した場合、この種のノイズが圧縮回路に入力されると、基準電圧を規定する基準電圧生成回路に伝達されることになる。発明者は、このノイズが高周波の同相ノイズであると、当該高周波ノイズを基準電圧生成回路では吸収しきれず、基準電圧生成回路が基準電圧を安定出力できなくなることを確認している。基準電圧生成回路が基準電圧を安定出力できないと、コンパレータの入力信号がその同相入力範囲を超えてしまい誤動作する。 On the other hand, in recent years, the demand for improving the EMC resistance under high energy and wide frequency band conditions has become strict. For example, when the circuit configuration using the compression circuit described in Patent Document 1 is applied, when this type of noise is input to the compression circuit, it is transmitted to the reference voltage generation circuit that defines the reference voltage. The inventor has confirmed that if this noise is high-frequency in-phase noise, the high-frequency noise cannot be completely absorbed by the reference voltage generation circuit, and the reference voltage generation circuit cannot stably output the reference voltage. If the reference voltage generation circuit cannot stably output the reference voltage, the input signal of the comparator will exceed its in-phase input range and malfunction.

本発明の開示の目的は、高周波同相ノイズが混入したとしても誤動作を極力防止できようにした回路装置を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a circuit device capable of preventing malfunction even if high-frequency common-mode noise is mixed.

請求項1記載の発明によれば、一対の入力部は一対の信号線を通じて伝送される電圧を入力する。他方、コンパレータは所定の同相入力範囲の特性で動作する。圧縮回路は、一対の入力部の間の電圧を圧縮する直列接続された複数の抵抗を備え、一対の入力部に入力された電圧をコンパレータの同相入力範囲内となるように圧縮する。また、クランプ回路は、基準電圧回路により生成される基準電圧が出力される複数の抵抗間の基準電圧ノードに接続されており、基準電圧ノードの電圧を同相入力範囲にある所定範囲でクランプする。このため、たとえ高周波同相ノイズが混入したとしても、クランプ回路が基準電圧ノードの電圧を所定範囲でクランプできるようになり、これにより誤動作を極力防止できる。
またクランプ回路は、第1電源線と第2電源線との間に直列接続された第1抵抗、ダイオード、及び第2抵抗と、第1抵抗とダイオードとの間の共通接続ノードを制御端子に接続すると共に2つの通電端子間を前記第1電源線の電圧供給ノードと基準電圧ノードとの間に接続してなる第1トランジスタと、第2トランジスタ、及び第3トランジスタを組み合わせて構成されるインバーティッドダーリントン回路とを備える。
第2トランジスタは、第2抵抗とダイオードとの間の共通接続ノードに制御端子を接続すると共に、基準電圧ノードと第3トランジスタの制御端子との間に2つの通電端子間を接続するように構成されている。第3トランジスタは、基準電圧ノードと第2電源線との間に2つの通電端子間を接続するように構成されている。
インバーティッドダーリントン回路を適用することで増幅率を向上することができ、単体のトランジスタを採用した場合と比較しても高周波領域における特性を改善できる。
According to the first aspect of the invention, the pair of input units inputs the voltage transmitted through the pair of signal lines. On the other hand, the comparator operates with a predetermined common mode input range characteristic. Compression circuit includes a plurality of resistors connected in series for compressing a voltage between the pair of the input unit, to compress the voltage input to the pair of input portions so that the common mode input range of the comparator. Further, the clamp circuit, a reference voltage circuit is connected to the base reference voltage node between the plurality of resistors reference voltage to be generated Ru output by clamps at a predetermined range of the voltage of the reference voltage node to the common mode input range .. Therefore, even if the high frequency common-mode noise is mixed, the clamp circuit can clamp the voltage of the reference voltage node within a predetermined range, thereby preventing malfunctions as much as possible.
In addition, the clamp circuit uses a first resistance, a diode, and a second resistance connected in series between the first power supply line and the second power supply line, and a common connection node between the first resistance and the diode as a control terminal. Inverter composed of a first transistor, a second transistor, and a third transistor, which are connected to each other and have two current-carrying terminals connected between a voltage supply node of the first power supply line and a reference voltage node. With a Ted Darlington circuit.
The second transistor is configured such that the control terminal is connected to a common connection node between the second resistor and the diode, and the two conduction terminals are connected between the reference voltage node and the control terminal of the third transistor. Has been done. The third transistor is configured to connect between the two energizing terminals between the reference voltage node and the second power supply line.
The amplification factor can be improved by applying the inverted Darlington circuit, and the characteristics in the high frequency region can be improved as compared with the case where a single transistor is adopted.

第1実施形態において車両内のネットワーク構成の一部を概略的に示す図The figure which shows schematically a part of network structure in a vehicle in 1st Embodiment. 回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of circuit device CANを適用したときの入出力信号の形態を示す図The figure which shows the form of the input/output signal when CAN is applied. クランプ動作の説明図Illustration of clamp operation 比較例を示す電気的構成図Electrical configuration diagram showing a comparative example 実験で用いたノイズ電圧波形例Example of noise voltage waveform used in experiment クランプ動作の実験結果Experimental results of clamp operation 耐印加ノイズレベル−ノイズ周波数の実験結果Experimental result of immunity to noise level-noise frequency 第2実施形態における回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of the circuit device in the second embodiment 第3実施形態における回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of the circuit device in the third embodiment 第4実施形態における回路装置の電気的構成図The electrical block diagram of the circuit device in 4th Embodiment. 第5実施形態における回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of the circuit device in the fifth embodiment 第6実施形態における回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of the circuit device in the sixth embodiment 第7実施形態における回路装置の電気的構成図The electrical block diagram of the circuit device in 7th Embodiment. 第8実施形態における回路装置の電気的構成図Electrical configuration diagram of the circuit device in the eighth embodiment 第9実施形態におけるクランプ回路の電気的構成図Electrical configuration diagram of the clamp circuit in the ninth embodiment

以下、回路装置の幾つかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。各実施形態において同一又は類似の機能を備えた構成要件については、後の実施形態では同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略し、各実施形態の特徴部分の説明を中心に行う。 Hereinafter, some embodiments of the circuit device will be described with reference to the drawings. Constituent elements having the same or similar functions in each embodiment will be denoted by the same or similar reference numerals in the subsequent embodiments and description thereof will be omitted as necessary, and the description will focus on the characteristic part of each embodiment. To do.

(第1実施形態)
図1から図7は第1実施形態における説明図を示している。図1は車両内のネットワーク構成の一部を示しており、図2は回路装置の電気的構成例を示している。図1に示すように、例えば車両内には複数の電子制御装置(以下ECUと称す)1、2が設けられており、これらのECU1、2は、一対のバス通信線(信号線相当)3により接続されており、例えばCAN(Controller Area Network)などに準拠した通信規格を用いて互いに通信可能になっている。なお、図示していないが、バス通信線3は端部を終端抵抗で接続して構成されている。なお、説明の簡単化のため、2つのECU1、2がバス通信線3により接続されている形態を示しているが、スター型、リング型、ライン型の様々な接続形態に適用できる。
(First embodiment)
1 to 7 show explanatory views in the first embodiment. FIG. 1 shows a part of a network configuration in a vehicle, and FIG. 2 shows an electrical configuration example of a circuit device. As shown in FIG. 1, for example, a plurality of electronic control units (hereinafter referred to as ECUs) 1 and 2 are provided in a vehicle, and these ECUs 1 and 2 include a pair of bus communication lines (corresponding to signal lines) 3 Are connected to each other and can communicate with each other using a communication standard based on CAN (Controller Area Network), for example. Although not shown, the bus communication line 3 is configured by connecting end portions with a terminating resistor. Although the two ECUs 1 and 2 are connected by the bus communication line 3 for simplification of description, the present invention can be applied to various star-type, ring-type, and line-type connection configurations.

ECU1、2は、それぞれ図2に示されるように、受信端に回路装置4を備える。回路装置4は、例えばCAN通信トランシーバの受信回路として用いられ、一対のバス通信線3を通じて伝送される差動信号を受信する。回路装置4は、一対の差動信号の差電圧を予め規定された閾値と比較し、この比較結果に応じた受信信号RXDを出力する。この受信信号RXDは、受信回路装置1の後段に設けられる演算装置(図示せず)に入力され、演算装置はこの受信信号RXDを用いて各種処理を行う。 Each of the ECUs 1 and 2 includes a circuit device 4 at the receiving end, as shown in FIG. The circuit device 4 is used as, for example, a reception circuit of a CAN communication transceiver, and receives the differential signal transmitted through the pair of bus communication lines 3. The circuit device 4 compares the differential voltage between the pair of differential signals with a threshold value defined in advance, and outputs the reception signal RXD according to the comparison result. The reception signal RXD is input to an arithmetic unit (not shown) provided in the subsequent stage of the receiving circuit device 1, and the arithmetic unit performs various processes using the reception signal RXD.

この場合、回路装置4は差動信号の差電圧が予め定められる閾値未満のときにはレセッシブ、論理レベル「1」と判定し、その判定結果を示す受信信号RXDを出力する。また回路装置4は、差動信号の差電圧が閾値以上のときにはドミナント、論理レベル「0」と判定し、その判定結果を表す受信信号RXDを出力する。 In this case, when the differential voltage of the differential signal is less than the predetermined threshold value, the circuit device 4 makes a recessive logic level "1" and outputs a reception signal RXD indicating the result of the judgment. When the differential voltage of the differential signal is equal to or higher than the threshold value, the circuit device 4 determines that the signal level is dominant and the logic level is “0”, and outputs the reception signal RXD indicating the determination result.

回路装置4は、一方の端子(入力部相当)4aを通じて差動信号の一方の信号CANHを入力すると共に他方の端子(入力部相当)4bを通じて差動信号の他方の信号CANLを入力し、所定の処理した上で出力端子4cから受信信号RXDを出力する。この回路装置4は、コンパレータ5、抵抗群6aを備えた圧縮回路6、基準電圧回路7、オフセット電圧源8、及び、クランプ回路9を備える。 The circuit device 4 inputs one signal CANH of the differential signal through one terminal (corresponding to the input section) 4a and the other signal CANL of the differential signal through the other terminal (corresponding to the input section) 4b, and sets the predetermined value. Then, the reception signal RXD is output from the output terminal 4c. The circuit device 4 includes a comparator 5, a compression circuit 6 including a resistor group 6 a, a reference voltage circuit 7, an offset voltage source 8, and a clamp circuit 9.

コンパレータ5は、所定の正の片電源の電源電圧VCC(例えば、5V)を入力して動作する。そのため、コンパレータ5は、その同相入力範囲を0V〜VCCよりも狭い範囲(例えば1[V]〜4[V])として動作させる。コンパレータ5の出力は出力端子4cに接続されている。 The comparator 5 operates by inputting a power supply voltage VCC (for example, 5V) of a predetermined positive single power supply. Therefore, the comparator 5 operates with its in-phase input range being a range narrower than 0 V to VCC (for example, 1 [V] to 4 [V]). The output of the comparator 5 is connected to the output terminal 4c.

圧縮回路6は、一方の端子4aと他方の端子4bとの間に抵抗群6aを接続して構成されている。抵抗群6aは、複数の抵抗10〜13を直列接続して構成される。圧縮回路6は、端子4a及び4b間に入力される入力信号を所定の圧縮比で圧縮し、コンパレータ5に出力する。抵抗10と抵抗11との間の抵抗値比、抵抗13と抵抗12との間の抵抗値比は、例えば数対1〜数十対1とされており、このため、信号の圧縮比は数対1〜数十対1となっている。圧縮回路6を構成する抵抗10〜13の各抵抗値は、端子4bに与えられる信号CANLの電圧が例えば−12[V]のときに抵抗13及び12間の共通接続ノードNLの電圧が、例えば+1[V]になるように設定されると共に、端子に与えられる信号CANHの電圧が例えば+12[V]のときに抵抗10及び11間の共通接続ノードNHの電圧が例えば+4[V]になるように設定される。 The compression circuit 6 is configured by connecting a resistor group 6a between one terminal 4a and the other terminal 4b. The resistor group 6a is configured by connecting a plurality of resistors 10 to 13 in series. The compression circuit 6 compresses the input signal input between the terminals 4 a and 4 b with a predetermined compression ratio, and outputs the compressed signal to the comparator 5. The resistance value ratio between the resistor 10 and the resistor 11 and the resistance value ratio between the resistor 13 and the resistor 12 are, for example, several to one to several tens to one, and therefore, the signal compression ratio is several. It is 1 to several tens to 1. The resistance values of the resistors 10 to 13 that configure the compression circuit 6 are, for example, the voltage of the common connection node NL between the resistors 13 and 12 when the voltage of the signal CANL applied to the terminal 4b is −12 [V], for example. The voltage of the common connection node NH between the resistors 10 and 11 is set to, for example, +4 [V] when the voltage of the signal CANH applied to the terminal is set to, for example, +12 [V] while being set to be +1 [V]. Is set as follows.

抵抗10と抵抗11との間の共通接続ノードNHはオフセット電圧源8を通じてコンパレータ5の反転入力端子に接続されている。オフセット電圧源8は、差動信号の差電圧に応じた論理レベル「0」「1」を判別するためのオフセット電圧Vrを発生する電圧源であり、所定のオフセット電圧Vrを出力する。閾値=Vr×(圧縮回路6の圧縮比)の関係としたときに、閾値が例えば+0.5〜+0.9[V]の範囲となるようにオフセット電圧Vrが定められている。 The common connection node NH between the resistors 10 and 11 is connected to the inverting input terminal of the comparator 5 through the offset voltage source 8. The offset voltage source 8 is a voltage source that generates an offset voltage Vr for discriminating between logic levels “0” and “1” according to the differential voltage of the differential signal, and outputs a predetermined offset voltage Vr. When the relation of threshold value=Vr×(compression ratio of the compression circuit 6) is set, the offset voltage Vr is determined so that the threshold value is in the range of +0.5 to +0.9 [V], for example.

また、抵抗13と抵抗12との間の共通接続ノードNLは、コンパレータ5の非反転入力端子に接続されている。抵抗11と抵抗12との間の共通接続点は基準電圧ノードNAとされており、この基準電圧ノードNAには基準電圧回路7から基準電圧が印加される。この基準電圧回路7は、所定電圧(例えば5V)の電源電圧VCCを複数の抵抗14及び15を用いて分圧する分圧回路16と、この分圧回路16の出力を電圧フォロワ出力するバッファアンプ17と、を備える。バッファアンプ17は、オペアンプ17aをボルテージフォロワ形態に接続して定電圧出力するように構成されている。 The common connection node NL between the resistors 13 and 12 is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 5. A common connection point between the resistors 11 and 12 is a reference voltage node NA, and a reference voltage is applied from the reference voltage circuit 7 to the reference voltage node NA. The reference voltage circuit 7 includes a voltage dividing circuit 16 that divides a power supply voltage VCC of a predetermined voltage (for example, 5 V) using a plurality of resistors 14 and 15, and a buffer amplifier 17 that outputs the output of the voltage dividing circuit 16 as a voltage follower. And The buffer amplifier 17 is configured to connect the operational amplifier 17a in a voltage follower form and output a constant voltage.

このバッファアンプ17は、所定電圧(例えば2.5V)を共通接続ノードNAに印加する。本実施形態では、このバッファアンプ17による出力電圧は、コンパレータ5の同相入力範囲の中心電圧に一致するように設定されているが、特に中心電圧に限られるものではない。 The buffer amplifier 17 applies a predetermined voltage (for example, 2.5 V) to the common connection node NA. In the present embodiment, the output voltage of the buffer amplifier 17 is set to match the center voltage of the common mode input range of the comparator 5, but the output voltage is not limited to the center voltage.

また、共通接続ノードNAにはクランプ回路9が接続されている。このクランプ回路9は、電源電圧VCCを分圧する複数の分圧抵抗18〜20による分圧回路21と、NPNトランジスタ22と、PNPトランジスタ23とを備え、前述の基準電圧回路7とは別体で構成される。NPNトランジスタ22は、その制御端子としてのベースが抵抗18と抵抗19との間の共通接続ノードに接続されると共に、その通電端子としてのコレクタが第1電源線としての電源電圧VCCの電圧供給ノードに接続され、さらに通電端子としてのエミッタが基準電圧ノードNAに接続されている。 A clamp circuit 9 is connected to the common connection node NA. The clamp circuit 9 includes a voltage dividing circuit 21 including a plurality of voltage dividing resistors 18 to 20 for dividing the power supply voltage VCC, an NPN transistor 22 and a PNP transistor 23, and is separate from the reference voltage circuit 7 described above. Composed. The NPN transistor 22 has a base serving as a control terminal thereof connected to a common connection node between the resistors 18 and 19, and a collector serving as an energizing terminal thereof is a voltage supply node of a power supply voltage VCC serving as a first power supply line. , And an emitter as a conduction terminal is connected to the reference voltage node NA.

また、PNPトランジスタ23は、その制御端子としてのベースが抵抗19と抵抗20との間の共通接続ノードに接続されると共に、その通電端子としてのコレクタが第2電源線としてのグランドノードに接続され、さらに通電端子としてのエミッタが基準電圧ノードNAに接続されている。 Further, the PNP transistor 23 has its base as a control terminal connected to a common connection node between the resistors 19 and 20, and its collector as a conduction terminal connected to a ground node as a second power supply line. Further, the emitter as a current-carrying terminal is connected to the reference voltage node NA.

上記構成の作用について説明する。図3の期間T1、T3等に示すように、回路装置4は、信号CANH−CANLを入力すると、信号CANH−CANLの差電圧が予め定められる閾値未満のときにはレセッシブ、論理レベル「1」と判定し、その判定結果を示す信号RXDを出力する。また回路装置4は、図3の期間T2、T4等に示すように、信号CANH−CANLの差電圧が閾値以上のときにはドミナント、論理レベル「0」と判定し、その判定結果を表す信号RXDを出力する。 The operation of the above configuration will be described. As shown in periods T1, T3, etc. of FIG. 3, when the signal CANH-CANL is input, the circuit device 4 determines that the recessive logic level is “1” when the differential voltage of the signal CANH-CANL is less than a predetermined threshold value. Then, a signal RXD indicating the determination result is output. Further, as shown in periods T2, T4, etc. of FIG. 3, the circuit device 4 determines that the signal RXD representing the determination result is dominant or logic level “0” when the difference voltage of the signals CANH-CANL is equal to or higher than the threshold value. Output.

これらの図3の期間T1〜T4のときには、回路装置4の端子4a及び4b間には、コンパレータ5の同相入力範囲(例えば+4V〜+1V)を超える所定入力範囲(例えば+12V〜−12V)の信号が入力されるが、圧縮回路6は、この所定入力範囲の差動信号をコンパレータ5の同相入力範囲となるように圧縮する。このため、コンパレータ5は、この圧縮された差動信号についてレセッシブ/ドミナントの何れかとなるかを判定し、受信信号RXDとして出力する。 During these periods T1 to T4 of FIG. 3, a signal having a predetermined input range (for example, +12V to -12V) exceeding the common mode input range (for example, +4V to +1V) of the comparator 5 is provided between the terminals 4a and 4b of the circuit device 4. Is input, the compression circuit 6 compresses the differential signal in the predetermined input range so as to be in the in-phase input range of the comparator 5. Therefore, the comparator 5 determines whether the compressed differential signal is recessive or dominant, and outputs it as a reception signal RXD.

また図3の期間T5に示すように、圧縮回路6の圧縮ゲインを考慮したとしてもコンパレータ5の同相入力範囲を超えるノイズが印加された場合にも、回路装置4は正常動作することが求められている。前述したように、基準電圧回路7は、その出力段にオペアンプ17aを用いたバッファアンプ17を備えており、オペアンプ17aから定電圧出力するように構成されているが、このときノイズが端子4a及び4bを通じて印加されると、端子4a及び4bから圧縮回路6を通じて基準電圧回路7のオペアンプ17aの出力端子に入力される。 Further, as shown in period T5 of FIG. 3, even when the compression gain of the compression circuit 6 is taken into consideration, the circuit device 4 is required to operate normally even when noise exceeding the in-phase input range of the comparator 5 is applied. ing. As described above, the reference voltage circuit 7 includes the buffer amplifier 17 using the operational amplifier 17a at its output stage, and is configured to output a constant voltage from the operational amplifier 17a. At this time, noise is generated at the terminals 4a and When applied through 4b, it is input from the terminals 4a and 4b to the output terminal of the operational amplifier 17a of the reference voltage circuit 7 through the compression circuit 6.

ノイズが高振幅で且つ高周波数帯(数[MHz]〜数百[MHz])であるときには、オペアンプ17aの動作周波数帯域を外れることになり、オペアンプ17aがノイズ周波数に追従できず、オペアンプ17aの出力端子側からノイズを吸収しきれなくなる。このとき、基準電圧回路7が、正常な基準電圧(例えば2.5[V])を出力し続けることが困難となり、当該基準電圧にノイズが重畳された信号電圧が基準電圧ノードNAに与えられ続けることになる。すると、コンパレータ5の両入力端子に同相入力範囲(例えば+4[V]〜+1[V])、さらには電源電圧(例えばVCC)を超える正又は負の絶対電位が同相で与えられることになる。 When the noise has a high amplitude and a high frequency band (several [MHz] to several hundred [MHz]), it is out of the operating frequency band of the operational amplifier 17a, and the operational amplifier 17a cannot follow the noise frequency. It becomes impossible to absorb noise from the output terminal side. At this time, it becomes difficult for the reference voltage circuit 7 to continue to output a normal reference voltage (for example, 2.5 [V]), and a signal voltage in which noise is superimposed on the reference voltage is given to the reference voltage node NA. Will continue. Then, a positive or negative absolute potential exceeding the common mode input range (for example, +4 [V] to +1 [V]) and the power supply voltage (for example, VCC) is applied to both input terminals of the comparator 5 in the same phase.

このとき、図3の期間T5に示されるように、コンパレータ5の出力が不定状態となり誤動作する虞がある。このため、本実施形態では、このような同相の特に高周波数帯のノイズの影響を受けないように、クランプ回路9を設けている。 At this time, as shown in period T5 of FIG. 3, the output of the comparator 5 may be in an indefinite state and malfunction. Therefore, in the present embodiment, the clamp circuit 9 is provided so as not to be affected by such in-phase noise, particularly in the high frequency band.

図4にクランプ回路9の動作を概略的に示すように、基準電圧ノードNAが、電源電圧VCC[V]とグランド0[V]との間の標準値(例えば、中心電圧)Vnに所定電圧Vt1を加算した電圧以上になると、PNPトランジスタ23の作用に応じて基準電圧ノードNAの電圧がその上限値Vuにクランプされる。 As schematically shown in FIG. 4, the operation of the clamp circuit 9 is such that the reference voltage node NA has a predetermined voltage (e.g., a center voltage) Vn between the power supply voltage VCC [V] and the ground 0 [V]. When the voltage becomes equal to or higher than the voltage obtained by adding Vt1, the voltage of the reference voltage node NA is clamped to the upper limit value Vu according to the action of the PNP transistor 23.

また、逆に、基準電圧ノードNAが、電源電圧VCC[V]とグランド0[V]との間の標準値(例えば中心電圧)Vnから所定電圧Vt2を減算した電圧以下になると、NPNトランジスタ22の作用に応じて基準電圧ノードNAの電圧がその下限値Vdにクランプされるようになる。このため、クランプ回路9は、基準電圧回路7が出力する基準電圧の標準値Vnから所定範囲Vt1+Vt2内に基準電圧ノードNAの電圧を保つことができる。 On the contrary, when the reference voltage node NA becomes equal to or lower than the voltage obtained by subtracting the predetermined voltage Vt2 from the standard value (for example, the central voltage) Vn between the power supply voltage VCC [V] and the ground 0 [V], the NPN transistor 22 is generated. The voltage of the reference voltage node NA is clamped to the lower limit value Vd in accordance with the action of. Therefore, the clamp circuit 9 can keep the voltage of the reference voltage node NA within the predetermined range Vt1+Vt2 from the standard value Vn of the reference voltage output by the reference voltage circuit 7.

この所定範囲Vt1+Vt2は、コンパレータ5の同相入力範囲内となるように設定されている。このため、コンパレータ5の同相入力範囲内となるようにコンパレータ5の入力信号を調整でき、高エネルギー、高周波数帯域の同相ノイズが入力されたとしても正常動作する。 The predetermined range Vt1+Vt2 is set to be within the in-phase input range of the comparator 5. Therefore, the input signal of the comparator 5 can be adjusted so as to be within the in-phase input range of the comparator 5, and the normal operation is performed even if the in-phase noise of high energy and high frequency band is input.

実際の車両内空間においては、図1に示したように、ECU1とECU2との間にツイステッドペアケーブルによる一対のバス通信線3が接続されており、このバス通信線3に外来ノイズが到来すると、この外来ノイズがコンパレータ5の同相入力範囲外となるように印加されてしまう。発明者は、このような事象を想定した実験を行っている。図5及び図6A、図6Bは実験結果を示している。 In the actual vehicle interior space, as shown in FIG. 1, a pair of bus communication lines 3 by a twisted pair cable is connected between the ECU 1 and the ECU 2, and when external noise arrives at the bus communication line 3. The external noise is applied so as to be outside the common mode input range of the comparator 5. The inventor is conducting an experiment assuming such a phenomenon. 5 and 6A and 6B show the experimental results.

図5はクランプ回路を設けていない場合の比較構成例の電子制御装置4Zを示しており、図6Aは端子4a,4bに印加した電圧波形の例(振幅±30Vp−p)を示しており、図6Bはこの比較構成例における基準電圧ノードNAの電圧波形と、本実施形態における基準電圧ノードNAの電圧波形とを比較した結果を示している。 FIG. 5 shows an electronic control unit 4Z of a comparative configuration example when a clamp circuit is not provided, and FIG. 6A shows an example (amplitude ±30 Vp-p) of a voltage waveform applied to the terminals 4a and 4b. FIG. 6B shows the result of comparison between the voltage waveform of the reference voltage node NA in this comparative configuration example and the voltage waveform of the reference voltage node NA in this embodiment.

また図7は、ノイズ周波数の変化に対するノイズレベルの振幅を概略的に示している。この図7に示した実験結果は、外来ノイズを想定し、外部からバス通信線3を囲うように電磁コイルを設け、この電磁コイルに意図的に高周波電流(数MHz〜10MHz)の電流を挿引印加することで出力が所定レベルに達するノイズレベルを示している。このため、図7に示されるノイズレベルは高い方がノイズに対する耐性が強いことを表す。 Further, FIG. 7 schematically shows the amplitude of the noise level with respect to the change of the noise frequency. In the experiment result shown in FIG. 7, assuming external noise, an electromagnetic coil is provided from the outside so as to surround the bus communication line 3, and a high-frequency current (several MHz to 10 MHz) is intentionally inserted into this electromagnetic coil. It shows the noise level at which the output reaches a predetermined level by pulling in. Therefore, the higher the noise level shown in FIG. 7, the stronger the resistance to noise.

図7に示したように、比較例の電子制御装置4Zを採用したときの耐ノイズレベルは比較的低くなっている。これに対し、本実施形態の電子制御装置4はクランプ回路9を備えているため、基準電圧ノードNAの揺らぎ電圧を所定範囲Vt1+Vt2の範囲にクランプすることができ、耐ノイズレベルを高くできることを確認できている。 As shown in FIG. 7, when the electronic control unit 4Z of the comparative example is adopted, the noise resistance level is relatively low. On the other hand, since the electronic control unit 4 of the present embodiment includes the clamp circuit 9, it is confirmed that the fluctuation voltage of the reference voltage node NA can be clamped within the predetermined range Vt1+Vt2 and the noise resistance level can be increased. is made of.

以下、本実施形態の特徴を概念的にまとめる。
本実施形態によれば、一対のバス通信線3を通じて伝送される信号を端子4a,4bに入力すると、圧縮回路6はこの信号をコンパレータ5の同相入力範囲内となるように圧縮する。他方、基準電圧回路7は基準電圧を生成し基準電圧ノードNAに出力する。このとき、クランプ回路9が、基準電圧ノードNAの電圧をコンパレータ5の同相入力範囲にある所定範囲Vt1+Vt2でクランプする。このため、たとえ数MHz〜10MHz程度の高周波ノイズが端子4a,4bに同相入力されたとしても、この高周波ノイズによる影響を抑制でき、ノイズに対する耐性を高めることができる。
The features of this embodiment will be summarized below.
According to this embodiment, when a signal transmitted through the pair of bus communication lines 3 is input to the terminals 4a and 4b, the compression circuit 6 compresses this signal so that it is within the in-phase input range of the comparator 5. On the other hand, the reference voltage circuit 7 generates a reference voltage and outputs it to the reference voltage node NA. At this time, the clamp circuit 9 clamps the voltage of the reference voltage node NA within a predetermined range Vt1+Vt2 in the in-phase input range of the comparator 5. Therefore, even if high-frequency noise of several MHz to 10 MHz is input to the terminals 4a and 4b in phase, the influence of the high-frequency noise can be suppressed and the resistance to noise can be improved.

(第2実施形態)
図8は第2実施形態の追加説明図を示している。第2実施形態においては、クランプ回路の別の構成例を説明する。ECU1、2は図8に示す回路装置204を備えており、回路装置204はクランプ回路209を備える。回路装置204のその他の構成は、回路装置4と同様であるためその説明を省略する。
(Second embodiment)
FIG. 8 shows an additional explanatory diagram of the second embodiment. In the second embodiment, another configuration example of the clamp circuit will be described. The ECUs 1 and 2 include a circuit device 204 shown in FIG. 8, and the circuit device 204 includes a clamp circuit 209. The other configurations of the circuit device 204 are the same as those of the circuit device 4, and the description thereof will be omitted.

クランプ回路209は、抵抗(第1抵抗相当)18、抵抗(第2抵抗相当)20、ダイオード24、NPNトランジスタ(第1トランジスタ相当)22、及び、PNPトランジスタ(第2トランジスタ相当)23を備える。第1電源線となる電源電圧VCCの電圧供給ノードと第2電源線となるグランドノードとの間には、抵抗18とダイオード24のアノードカソード間と抵抗20とが直列接続されている。抵抗18とダイオード24のアノードとの間の共通接続ノードは、NPNトランジスタ22のベースに接続されている。ダイオード24のカソードと抵抗20との間の共通接続ノードは、PNPトランジスタ23のベースに接続されている。 The clamp circuit 209 includes a resistor (corresponding to a first resistor) 18, a resistor (corresponding to a second resistor) 20, a diode 24, an NPN transistor (corresponding to a first transistor) 22, and a PNP transistor (corresponding to a second transistor) 23. Between the voltage supply node of the power supply voltage VCC that serves as the first power supply line and the ground node that serves as the second power supply line, the resistor 18, the anode and cathode of the diode 24, and the resistor 20 are connected in series. A common connection node between the resistor 18 and the anode of the diode 24 is connected to the base of the NPN transistor 22. A common connection node between the cathode of the diode 24 and the resistor 20 is connected to the base of the PNP transistor 23.

このようなクランプ回路209の構成を用いたときには、NPNトランジスタ22のベースエミッタ間電圧VbeとPNPトランジスタ23のベースエミッタ間電圧Vbeとを、ダイオード24の順方向電圧Vfに一致させるように構成することが望ましい。このとき、これらのベースエミッタ間電圧Vbeと順方向電圧Vfとを所定誤差範囲内となるように一致させることが望ましい。すると、NPNトランジスタ22、PNPトランジスタ23のベースエミッタ間電圧Vbe=順方向電圧Vf(≒0.7V)の分の所定範囲にクランプできる。 When such a configuration of the clamp circuit 209 is used, the base-emitter voltage Vbe of the NPN transistor 22 and the base-emitter voltage Vbe of the PNP transistor 23 are configured to match the forward voltage Vf of the diode 24. Is desirable. At this time, it is desirable to match the base-emitter voltage Vbe and the forward voltage Vf so as to be within a predetermined error range. Then, the base-emitter voltage Vbe of the NPN transistor 22 and the PNP transistor 23 can be clamped to a predetermined range corresponding to the forward voltage Vf (.apprxeq.0.7V).

またダイオード24は、その使用環境温度に応じて順方向電圧Vfが変化するが、抵抗18と抵抗20との間に直列にダイオード24を設けることで使用温度変化に応じた順方向電圧Vfの変化方向をNPNトランジスタ22及びPNPトランジスタ23のベースエミッタ間電圧Vbeの変化方向と同一方向にすることができ、使用温度変化に伴う出力特性変化を極力抑制できる。その他の構成及び作用効果は、第1実施形態と同様であるためその説明を省略する。 The forward voltage Vf of the diode 24 changes according to the operating environment temperature. However, by providing the diode 24 in series between the resistor 18 and the resistor 20, the forward voltage Vf changes according to the operating temperature change. The direction can be made the same as the direction of change in the base-emitter voltage Vbe of the NPN transistor 22 and the PNP transistor 23, and the change in output characteristics due to the change in operating temperature can be suppressed as much as possible. Other configurations and effects are the same as those of the first embodiment, and therefore their explanations are omitted.

(第3実施形態)
図9は第3実施形態の追加説明図を示している。第3実施形態においても、クランプ回路の別の構成例を説明する。ECU1、2は図9に示す回路装置304を備えており、この回路装置304はクランプ回路309を備える。クランプ回路309は、抵抗18、20、NPNトランジスタ22、PNPトランジスタ23と共に、ダイオード接続されたNPNトランジスタ25、ダイオード接続されたPNPトランジスタ26を備える。電源電圧VCCの電圧供給ノードとグランドノードとの間には、抵抗18と、ダイオード接続されたNPNトランジスタ25と、ダイオード接続されたPNPトランジスタ26と、抵抗20と、が直列接続されている。NPNトランジスタ25のベースコレクタ共通接続ノードはNPNトランジスタ22のベースに接続されており、PNPトランジスタ26のベースコレクタ共通接続ノードはPNPトランジスタ23のベースに接続されている。
(Third Embodiment)
FIG. 9 shows an additional explanatory diagram of the third embodiment. Also in the third embodiment, another configuration example of the clamp circuit will be described. The ECUs 1 and 2 include a circuit device 304 shown in FIG. 9, and the circuit device 304 includes a clamp circuit 309. The clamp circuit 309 includes resistors 18, 20, an NPN transistor 22, and a PNP transistor 23, as well as a diode-connected NPN transistor 25 and a diode-connected PNP transistor 26. A resistor 18, a diode-connected NPN transistor 25, a diode-connected PNP transistor 26, and a resistor 20 are connected in series between the voltage supply node of the power supply voltage VCC and the ground node. The base-collector common connection node of the NPN transistor 25 is connected to the base of the NPN transistor 22, and the base-collector common connection node of the PNP transistor 26 is connected to the base of the PNP transistor 23.

このようなクランプ回路309の構成を適用したときには、NPNトランジスタ25のベースエミッタ間電圧Vbe2をNPNトランジスタ22のベースエミッタ間電圧Vbe1よりも低く構成することが望ましく、PNPトランジスタ26のベースエミッタ間電圧Vbe4をPNPトランジスタ23のベースエミッタ間電圧Vbe3よりも低く構成することが望ましい。これにより、各トランジスタ22〜25の各ベースエミッタ間電圧の差分Vbe1−Vbe2、Vbe3−Vbe4に基づく電圧をクランプ回路309のクランプ電圧として設定できる。 When such a configuration of the clamp circuit 309 is applied, it is desirable to set the base-emitter voltage Vbe2 of the NPN transistor 25 lower than the base-emitter voltage Vbe1 of the NPN transistor 22, and the base-emitter voltage Vbe4 of the PNP transistor 26. Is preferably lower than the base-emitter voltage Vbe3 of the PNP transistor 23. Thereby, the voltage based on the difference Vbe1−Vbe2, Vbe3−Vbe4 between the base-emitter voltages of the transistors 22 to 25 can be set as the clamp voltage of the clamp circuit 309.

(第4実施形態)
図10は第4実施形態の追加説明図を示している。第4実施形態は、スタンバイモード、すなわち低電流動作に対応可能にした構成例を示す。この回路装置404は、第2実施形態に示した回路装置204をベースとした構成を示している。この回路装置404は、制御回路30により制御可能な複数のスイッチ31〜35をさらに備えている。これらのスイッチ31〜35は例えばMOSトランジスタを用いたスイッチにより構成されている。
(Fourth Embodiment)
FIG. 10 shows an additional explanatory diagram of the fourth embodiment. The fourth embodiment shows a configuration example capable of supporting a standby mode, that is, a low current operation. The circuit device 404 has a configuration based on the circuit device 204 shown in the second embodiment. The circuit device 404 further includes a plurality of switches 31 to 35 that can be controlled by the control circuit 30. These switches 31 to 35 are composed of switches using MOS transistors, for example.

スイッチ31は、基準電圧回路407を構成する分圧用の抵抗14と電源電圧VCCの電圧供給ノードとの間に接続されている。スイッチ32は、分圧用の抵抗15とグランドノードとの間に接続されている。またスイッチ33は、クランプ回路409を構成する抵抗18と電源電圧VCCの電圧供給ノードとの間に接続されている。またスイッチ34は、抵抗20とグランドノードとの間に接続されている。 The switch 31 is connected between the voltage dividing resistor 14 forming the reference voltage circuit 407 and the voltage supply node of the power supply voltage VCC. The switch 32 is connected between the voltage dividing resistor 15 and the ground node. Further, the switch 33 is connected between the resistor 18 forming the clamp circuit 409 and the voltage supply node of the power supply voltage VCC. The switch 34 is connected between the resistor 20 and the ground node.

またスイッチ35は、電源電圧VCCの電圧供給ノードとコンパレータ5の電源入力端子との間に接続されている。制御回路30は、これらのスイッチ31〜35をオン制御することで第2実施形態に示したように通常動作させることができる。また制御回路30は、これらのスイッチ31〜35をオフ制御することで電源電圧VCCからの供給電流を極力低下(例えば0)させることができる。これにより、制御回路30はスタンバイモードに設定できる。このような構成を採用することで、制御回路30がスイッチ31〜35をオフ制御することで回路装置404の動作電流を抑制できる。これにより前述実施形態と同様の作用効果を奏する。 The switch 35 is connected between the voltage supply node of the power supply voltage VCC and the power supply input terminal of the comparator 5. The control circuit 30 can normally operate as shown in the second embodiment by turning on these switches 31 to 35. Further, the control circuit 30 can reduce the supply current from the power supply voltage VCC as much as possible (for example, 0) by turning off the switches 31 to 35. As a result, the control circuit 30 can be set to the standby mode. By adopting such a configuration, the operating current of the circuit device 404 can be suppressed by the control circuit 30 turning off the switches 31 to 35. As a result, the same operational effects as those of the above-described embodiment are obtained.

(第5実施形態)
図11は第5実施形態の追加説明図を示している。第5実施形態はクランプ回路の別の構成例を説明する。ECU1、2は回路装置504を備えており、この回路装置504はクランプ回路509を備える。回路装置504のその他の構成は、回路装置4と同様であるためその説明を省略する。
(Fifth Embodiment)
FIG. 11 shows an additional explanatory diagram of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, another configuration example of the clamp circuit will be described. The ECUs 1 and 2 include a circuit device 504, and the circuit device 504 includes a clamp circuit 509. The other configurations of the circuit device 504 are the same as those of the circuit device 4, and thus the description thereof will be omitted.

クランプ回路509は、抵抗18〜20、nチャネル型のMOSトランジスタ(以下nMOSトランジスタ)36、及び、pチャネル型のMOSトランジスタ(以下pMOSトランジスタ)37を備える。電源電圧VCCの電圧供給ノードとグランドノードとの間には、抵抗18〜20が直列接続されており、抵抗18と抵抗19との間の共通接続ノードは、nMOSトランジスタ36のゲートに接続されている。抵抗19と抵抗20との間の共通接続ノードは、pMOSトランジスタ37のゲートに接続されている。電源電圧VCCの電圧供給ノードとグランドノードとの間には、nMOSトランジスタ36のドレインソース間とpMOSトランジスタ37のソースドレイン間とが直列接続されている。これにより、nMOSトランジスタ36の作用により基準電圧ノードNAの電圧を所定範囲の下限値Vdにクランプすることができ、pMOSトランジスタ37の作用により基準電圧ノードNAの電圧を所定範囲の上限値Vuにクランプできる。したがって、本実施形態によっても前述実施形態と同様の作用効果を奏する。 The clamp circuit 509 includes resistors 18 to 20, an n-channel MOS transistor (hereinafter nMOS transistor) 36, and a p-channel MOS transistor (hereinafter pMOS transistor) 37. The resistors 18 to 20 are connected in series between the voltage supply node of the power supply voltage VCC and the ground node, and the common connection node between the resistors 18 and 19 is connected to the gate of the nMOS transistor 36. There is. A common connection node between the resistors 19 and 20 is connected to the gate of the pMOS transistor 37. The drain and source of the nMOS transistor 36 and the source and drain of the pMOS transistor 37 are connected in series between the voltage supply node of the power supply voltage VCC and the ground node. Thereby, the voltage of the reference voltage node NA can be clamped to the lower limit value Vd of the predetermined range by the action of the nMOS transistor 36, and the voltage of the reference voltage node NA is clamped to the upper limit value Vu of the predetermined range by the action of the pMOS transistor 37. it can. Therefore, according to the present embodiment as well, the same operational effects as those of the above-described embodiment are exhibited.

(第6実施形態)
図12は第6実施形態の追加説明図を示している。第6実施形態もまたクランプ回路の別の構成例を説明する。ECU1、2は図12に示す回路装置604を備えており、回路装置604はクランプ回路609を備える。回路装置604のその他の構成は、回路装置4と同様であるためその説明を省略する。
(Sixth Embodiment)
FIG. 12 shows an additional explanatory diagram of the sixth embodiment. The sixth embodiment will also describe another configuration example of the clamp circuit. The ECUs 1 and 2 include a circuit device 604 shown in FIG. 12, and the circuit device 604 includes a clamp circuit 609. The other configurations of the circuit device 604 are the same as those of the circuit device 4, and thus the description thereof will be omitted.

クランプ回路609は、ツェナーダイオード38、39を電源電圧VCCの電圧供給ノードとグランドノードとの間に複数(例えば2つ)逆方向接続すると共に、これらのツェナーダイオード38、39の間の共通接続ノードを基準電圧ノードNAに接続して構成される。これらの複数のツェナーダイオード38、39は、2つのツェナー電圧Vzを合計した2・Vzは電源電圧VCCを上回るように設定されており、同一のツェナー電圧Vzの特性を備えるものを用いることが望ましい。これにより、ツェナーダイオード38の作用により所定範囲の下限値Vdにクランプすることができ、ツェナーダイオード39の作用により所定範囲の上限値Vuにクランプできる。したがって、本実施形態によっても前述実施形態と同様の作用効果を奏する。 The clamp circuit 609 connects a plurality of (eg, two) Zener diodes 38 and 39 in the reverse direction between the voltage supply node of the power supply voltage VCC and the ground node, and also connects the Zener diodes 38 and 39 to a common connection node. Is connected to the reference voltage node NA. These two Zener diodes 38, 39 are set so that the sum of the two Zener voltages Vz, 2·Vz, exceeds the power supply voltage VCC, and it is desirable to use those having the same Zener voltage Vz characteristics. .. As a result, the Zener diode 38 can clamp the lower limit value Vd in the predetermined range, and the Zener diode 39 can clamp the lower limit value Vu in the predetermined range. Therefore, according to the present embodiment as well, the same operational effects as those of the above-described embodiment are exhibited.

(第7実施形態)
図13は第7実施形態の追加説明図を示している。第7実施形態もまたクランプ回路の別の構成例を説明する。ECU1、2は回路装置704を備え、回路装置704はクランプ回路709を備える。このクランプ回路709は、ダイオード40、41とコンデンサ42とを備えて構成される。
(Seventh embodiment)
FIG. 13 shows an additional explanatory diagram of the seventh embodiment. The seventh embodiment will also describe another configuration example of the clamp circuit. The ECUs 1 and 2 include a circuit device 704, and the circuit device 704 includes a clamp circuit 709. The clamp circuit 709 includes diodes 40 and 41 and a capacitor 42.

ダイオード40、41は、基準電圧ノードNAの電圧を半波整流するように接続されている。コンデンサ42は、基準電圧回路7を構成する抵抗14及び15の共通接続ノードとグランドノードとの間に接続され、当該抵抗14及び15の共通接続ノードを交流的に接地するために設けられている。したがって、ダイオード40、41による半波整流信号はグランドに通電されるようになり、抵抗14及び15の共通接続ノードの電圧Vgは直流的に安定する。 The diodes 40 and 41 are connected so as to half-wave rectify the voltage of the reference voltage node NA. The capacitor 42 is connected between the common connection node of the resistors 14 and 15 and the ground node that form the reference voltage circuit 7, and is provided to ground the common connection node of the resistors 14 and 15 in an alternating current manner. .. Therefore, the half-wave rectified signals from the diodes 40 and 41 are conducted to the ground, and the voltage Vg at the common connection node of the resistors 14 and 15 is DC-stabilized.

この図13の構成によれば、端子4a、4bに高周波ノイズが印加されたとしても、基準電圧ノードNAの標準値Vnを基準としてダイオード40、41の順方向電圧Vfでクランプできるようになり、前述実施形態と同様の作用効果を奏する。 According to the configuration of FIG. 13, even if high frequency noise is applied to the terminals 4a and 4b, the forward voltage Vf of the diodes 40 and 41 can be clamped with the standard value Vn of the reference voltage node NA as a reference. The same operational effects as the above-described embodiment are obtained.

(第8実施形態)
図14は第8実施形態の追加説明図を示している。前述実施形態に示したクランプ回路(例えば209)が安定した基準電圧を生成できるときには、例えば回路装置204から基準電圧回路7を削除して構成しても良い。このため、図14の回路装置804のように構成しても良い。
(Eighth Embodiment)
FIG. 14 shows an additional explanatory diagram of the eighth embodiment. When the clamp circuit (for example, 209) shown in the above embodiment can generate a stable reference voltage, the reference voltage circuit 7 may be removed from the circuit device 204, for example. Therefore, the circuit device 804 in FIG. 14 may be configured.

図14に示す回路装置804はクランプ回路209aを備える。このクランプ回路209aは、第2実施形態で説明したクランプ回路209と同じ構成であるが、説明の便宜上、符号を分けて示している。 The circuit device 804 shown in FIG. 14 includes a clamp circuit 209a. The clamp circuit 209a has the same configuration as the clamp circuit 209 described in the second embodiment, but the reference numerals are shown separately for convenience of description.

このクランプ回路209aは基準電圧を生成し基準電圧ノードNAに出力すると共に、第2実施形態に示したように、基準電圧ノードNAの電圧をクランプする機能も備える。このように、クランプ回路209aが基準電圧回路7の機能を兼ねた本実施形態の回路装置804においても、前述実施形態と同様の作用効果を奏する。しかも回路規模を縮小化できる。 The clamp circuit 209a has a function of generating a reference voltage and outputting it to the reference voltage node NA, and also having a function of clamping the voltage of the reference voltage node NA, as shown in the second embodiment. As described above, also in the circuit device 804 of the present embodiment in which the clamp circuit 209a also functions as the reference voltage circuit 7, the same effect as that of the above-described embodiment is obtained. Moreover, the circuit scale can be reduced.

(第9実施形態)
図15は第9実施形態の追加説明図を示している。第9実施形態は、例えば図2記載のPNPトランジスタ23に代えて、インバーティッドダーリントン回路43を適用した形態を示している。この図15は、第2実施形態で説明したクランプ回路209に代わるクランプ回路909の構成例を示している。
(9th Embodiment)
FIG. 15 shows an additional explanatory diagram of the ninth embodiment. The ninth embodiment shows a form in which an inverted Darlington circuit 43 is applied instead of the PNP transistor 23 shown in FIG. 2, for example. FIG. 15 shows a configuration example of a clamp circuit 909 which replaces the clamp circuit 209 described in the second embodiment.

なお、このクランプ回路909は、抵抗18と電源電圧VCCの電圧供給ノードとの間に図10に示したスイッチ33に対応したpチャネル型のMOSトランジスタ933を接続して構成すると共に、抵抗20とグランドノードとの間に図10に示したスイッチ34に対応したnチャネル型のMOSトランジスタ934を接続して構成しているが、これらのMOSトランジスタ933、934は、第4実施形態で説明したスイッチ33、34と同様に用いられるものであるため、その説明を省略する。 The clamp circuit 909 is configured by connecting a p-channel type MOS transistor 933 corresponding to the switch 33 shown in FIG. 10 between the resistor 18 and the voltage supply node of the power supply voltage VCC, and at the same time as the resistor 20. The n-channel type MOS transistor 934 corresponding to the switch 34 shown in FIG. 10 is connected to the ground node, and these MOS transistors 933 and 934 are the switches described in the fourth embodiment. Since it is used in the same manner as 33 and 34, its description is omitted.

図15に示すように、インバーティッドダーリントン回路43は、PNPトランジスタ44と、抵抗45と、コンデンサ46と、NPNトランジスタ47とを組み合わせて構成されている。基準電圧ノードNAとグランドノードとの間にはPNPトランジスタ44のエミッタコレクタ間及び抵抗45が直列接続されている。またPNPトランジスタ44のエミッタコレクタ間にはコンデンサ46が接続されている。またPNPトランジスタ44のコレクタにはNPNトランジスタ47のベースが接続されており、基準電圧ノードNAとグランドノードとの間にはNPNトランジスタ47のコレクタエミッタ間が接続されている。 As shown in FIG. 15, the inverted Darlington circuit 43 is configured by combining a PNP transistor 44, a resistor 45, a capacitor 46, and an NPN transistor 47. The resistor 45 is connected in series between the emitter and collector of the PNP transistor 44 between the reference voltage node NA and the ground node. A capacitor 46 is connected between the emitter and collector of the PNP transistor 44. The base of the NPN transistor 47 is connected to the collector of the PNP transistor 44, and the collector and emitter of the NPN transistor 47 are connected between the reference voltage node NA and the ground node.

これにより、単体のPNPトランジスタ44による高周波数帯域の増幅率が低くても、当該インバーティッドダーリントン回路43を適用することで増幅率を向上することができ、前述実施形態で説明した単体のPNPトランジスタ23を採用した場合と比較しても高周波領域における特性を改善できる。 As a result, even if the amplification factor of the single PNP transistor 44 in the high frequency band is low, the amplification factor can be improved by applying the inverted Darlington circuit 43, and the single PNP transistor described in the above embodiment can be used. The characteristics in the high frequency region can be improved as compared with the case of adopting No. 23.

(他の実施形態)
本発明は前述実施形態の構成に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the configurations of the above-described embodiments, and the following modifications or extensions are possible, for example.

ECU1又は2のCANトランシーバの受信回路に適用した形態を示したが、これに限定されるものではない。また、差動信号を受信する形態に適用した形態を示したが、これに限定されるものではない。入力された信号を圧縮する回路形態にクランプ回路9等を用いる構成であれば、どのような回路形態に適用しても良い。 Although the embodiment applied to the receiving circuit of the CAN transceiver of the ECU 1 or 2 is shown, the invention is not limited to this. Moreover, although the form applied to the form which receives a differential signal was shown, it is not limited to this. Any circuit form may be applied as long as the clamp circuit 9 or the like is used as a circuit form for compressing an input signal.

また、基準電圧回路7等が基準電圧ノードNAに出力する基準電圧をコンパレータ5の同相入力範囲の中心電圧に設定した形態を示したが、これに限定されるものではない。例えば、端子4a、4bに−10V〜0Vの間の電圧を入力し、VCC(=5V)−0Vで動作するコンパレータ5を用いるときには、基準電圧回路7により生成される基準電圧を例えば5V程度に設定し、圧縮回路6の抵抗による電圧圧縮率を数分の1(例えば1/4〜1/5〜数分の1程度)に設定しても良い。 Further, although the reference voltage circuit 7 and the like output the reference voltage to the reference voltage node NA to the center voltage of the common mode input range of the comparator 5 is shown, the present invention is not limited to this. For example, when a voltage between −10V and 0V is input to the terminals 4a and 4b and the comparator 5 that operates at VCC (=5V)−0V is used, the reference voltage generated by the reference voltage circuit 7 is set to, for example, about 5V. Alternatively, the voltage compression ratio by the resistance of the compression circuit 6 may be set to a fraction (for example, about 1/4 to 1/5 to a fraction).

他方、端子4a、4bにそれぞれ+10〜+20Vの間の電圧を入力し、VCC−0Vで動作するコンパレータ5を用いるときには、基準電圧回路7により生成される基準電圧を例えば0Vに設定し、圧縮回路6による抵抗群6aによる電圧圧縮率を数分の1(例えば1/4〜1/5〜数分の1程度)に設定しても良い。すなわち、基準電圧回路7により生成される基準電圧は、端子4a、4bに入力される電圧範囲に限られるものではなく、また、コンパレータ5の同相入力範囲に限られるものでもない。この基準電圧回路7の基準電圧は、端子4a、4bの入力電圧範囲、圧縮回路6による電圧圧縮率、及び、コンパレータ5の同相入力範囲に応じて適宜設定すれば良い。 On the other hand, when a voltage between +10 to +20V is input to the terminals 4a and 4b and the comparator 5 operating at VCC-0V is used, the reference voltage generated by the reference voltage circuit 7 is set to 0V, for example, and the compression circuit is set. The voltage compression ratio by the resistor group 6a by 6 may be set to a fraction (for example, about 1/4 to 1/5 to a fraction). That is, the reference voltage generated by the reference voltage circuit 7 is not limited to the voltage range input to the terminals 4a and 4b, and is not limited to the in-phase input range of the comparator 5. The reference voltage of the reference voltage circuit 7 may be appropriately set according to the input voltage range of the terminals 4a and 4b, the voltage compression ratio by the compression circuit 6, and the common mode input range of the comparator 5.

また前述実施形態では、NPNトランジスタ22、PNPトランジスタ23を用いたが、MOSトランジスタを用いても良い。
前述した複数の実施形態を組み合わせて構成しても良い。また、特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、本発明の一つの態様として前述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。前述実施形態の一部を、課題を解決できる限りにおいて省略した態様も実施形態と見做すことが可能である。また、特許請求の範囲に記載した文言によって特定される発明の本質を逸脱しない限度において、考え得るあらゆる態様も実施形態と見做すことが可能である。
Further, although the NPN transistor 22 and the PNP transistor 23 are used in the above-described embodiment, a MOS transistor may be used.
It may be configured by combining the plurality of embodiments described above. Further, the reference numerals in parentheses in the claims indicate the corresponding relationship with the specific means described in the embodiments described above as one aspect of the present invention, and the technical scope of the present invention It is not limited. A mode in which a part of the above-described embodiment is omitted as long as the problem can be solved can be regarded as the embodiment. Further, all possible modes can be regarded as the embodiments without departing from the essence of the invention specified by the wording recited in the claims.

本開示は、前述した実施形態に準拠して記述したが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範畴や思想範囲に入るものである。 Although the present disclosure has been described based on the above-described embodiments, it is understood that the present disclosure is not limited to the embodiments and structures. The present disclosure also includes various modifications and modifications within an equivalent range. In addition, various combinations and forms, and other combinations and forms including one element, more, or less than them, are also within the scope and spirit of the present disclosure.

図面中、3はバス通信線(信号線)、4、204、304、404、504、604、704は回路装置、4a、4bは端子(入力部)、5はコンパレータ、6は圧縮回路、7は基準電圧回路、9、209、209a、309、409、509、609、709、909はクランプ回路、を示す。 In the drawing, 3 is a bus communication line (signal line), 4, 204, 304, 404, 504, 604 and 704 are circuit devices, 4a and 4b are terminals (input units), 5 is a comparator, 6 is a compression circuit, 7 Is a reference voltage circuit, and 9, 209, 209a, 309, 409, 509, 609, 709, and 909 are clamp circuits.

Claims (3)

一対の信号線(3)を通じて伝送される電圧を入力する一対の入力部(4a、4b)と、
所定の同相入力範囲の特性で動作するコンパレータ(5)と、
前記一対の入力部の間の電圧を圧縮する直列接続された複数の抵抗を備え、前記一対の入力部に入力された電圧を前記コンパレータの同相入力範囲内となるように圧縮して前記コンパレータに入力させる圧縮回路(6)と、
基準電圧回路(7)により生成される基準電圧が出力される前記複数の抵抗間の基準電圧ノードに接続され、前記基準電圧ノードの電圧を同相入力範囲にある所定範囲でクランプするクランプ回路(909)と、を備え、
前記クランプ回路(909)は、
第1電源線と第2電源線との間に直列接続された第1抵抗(18)、ダイオード(24)、及び、第2抵抗(20)と、
前記第1抵抗と前記ダイオードとの間の共通接続ノードを制御端子に接続すると共に2つの通電端子間を前記第1電源線の電圧供給ノードと前記基準電圧ノードとの間に接続してなる第1トランジスタ(22)と、
第2トランジスタ(44)、及び第3トランジスタ(47)を組み合わせて構成されるインバーティッドダーリントン回路(43)と、を備え、
前記第2トランジスタは、前記第2抵抗と前記ダイオードとの間の共通接続ノードに制御端子を接続すると共に、前記基準電圧ノードと前記第3トランジスタの制御端子との間に2つの通電端子間を接続するように構成され、
前記第3トランジスタは、前記基準電圧ノードと前記第2電源線との間に2つの通電端子間を接続するように構成されている回路装置。
A pair of input parts (4a, 4b) for inputting a voltage transmitted through the pair of signal lines (3),
A comparator (5) that operates with a predetermined common mode input range characteristic;
A plurality of resistors connected in series for compressing the voltage between the pair of input units are provided, and the voltage input to the pair of input units is compressed to be within the common mode input range of the comparator, and then is input to the comparator. A compression circuit (6) for inputting,
It is connected to a reference voltage circuit (7) based on the reference voltage node between said plurality of resistors reference voltage to be generated Ru output by clamp circuit for clamping a predetermined range of the voltage of the reference voltage node to the in-phase input range ( 909) and
The clamp circuit (909) is
A first resistor (18), a diode (24), and a second resistor (20) connected in series between the first power line and the second power line;
A common connection node between the first resistor and the diode is connected to a control terminal, and two conduction terminals are connected between a voltage supply node of the first power supply line and the reference voltage node. 1 transistor (22),
An inverted Darlington circuit (43) configured by combining a second transistor (44) and a third transistor (47),
The second transistor has a control terminal connected to a common connection node between the second resistor and the diode, and has two conduction terminals between the reference voltage node and the control terminal of the third transistor. Configured to connect,
The third transistor is a circuit device configured to connect between two current-carrying terminals between the reference voltage node and the second power supply line.
前記クランプ回路(909)は、前記基準電圧回路(7、407)と別体で構成されている請求項1記載の回路装置。 The circuit device according to claim 1, wherein the clamp circuit ( 909 ) is configured separately from the reference voltage circuit (7, 407). 前記第1電源線と前記第1抵抗(18)との間に接続されたスイッチ(933)と、
前記第2抵抗(20)と前記第2電源線との間に接続されたスイッチ(934)と、を備える請求項1または2記載の回路装置。
A switch (933) connected between the first power line and the first resistor (18),
The circuit device according to claim 1 or 2 , further comprising a switch (934) connected between the second resistor (20) and the second power supply line .
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