JP6740713B2 - 光源装置、およびプロジェクター - Google Patents

Description

本発明は、光源装置、およびプロジェクターに関する。

基板上に配置された半導体レーザー素子から射出されたレーザー光を反射する反射部材を備え、半導体レーザー素子から射出される方向と異なる方向にレーザー光を射出する光源装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、誘電体材料による反射膜によってレーザー光を反射する反射部材が記載されている。

特開２０１５−４５８４３号公報

しかし、上記のような誘電体材料による反射膜は、所定の入射角で入射する光を反射するように設計することは容易であるものの、入射角が異なる複数の光を反射させるように設計することは困難である。そのため、レーザー光のように所定角度で拡がる光を反射する場合、誘電体材料による反射膜では光を十分に反射できない場合があった。また、誘電体材料による反射膜は、反射する光の波長に応じて設計されるため、入射するレーザー光の波長が所定の波長から変化すると、レーザー光に対する反射率が低下して、反射できないレーザー光が増加する問題があった。

このように、誘電体材料による反射膜では、レーザー光の反射が不十分となり、半導体レーザー素子から射出されるレーザー光のうち光源装置から射出されるレーザー光の割合が低下する場合があった。これにより、光源装置の光利用効率が低下する問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、光利用効率が低下することを抑制できる構造を有する光源装置、およびそのような光源装置を備えるプロジェクターを提供することを目的の一つとする。

本発明の光源装置の一つの態様は、第１の面を有するベース基板と、前記第１の面に配置され、前記第１の面に沿った第１方向にレーザー光を射出する複数の半導体レーザー素子と、前記第１の面に接合され、前記複数の半導体レーザー素子を囲む枠状の接合フレームと、前記複数の半導体レーザー素子と対向し、前記接合フレームに固定された透光性部材と、前記複数の半導体レーザー素子各々から射出されるレーザー光が入射する入射面、および前記入射面から入射したレーザー光の少なくとも一部を反射する反射面を有するプリズムと、前記反射面によって全反射された後に前記プリズムから射出されたレーザー光の進行方向を変化させ、前記透光性部材に設けられる光学部材と、を備え、前記反射面は、自然対数の底をｅとしたとき、前記入射面から前記プリズムに入射したレーザー光のうち、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光を全反射するように配置され、前記反射面は、平面に形成され、前記光学部材は、前記透光性部材と別体であり、前記反射面は、光強度が中心強度の１／ｅ ^２ 以上となるレーザー光のうち当該反射面に対して最も小さい入射角度で入射するレーザー光を全反射するような傾斜角度で設けられていることを特徴とする。

本発明の光源装置の一つの態様によれば、反射面の傾斜角度を設計することのみで、容易に放射角が異なる複数のレーザー光を反射させることができる。また、反射面による全反射条件は、レーザー光の波長によっては、ほぼ変化することなく、レーザー光の波長が所定の波長から変化した場合であっても反射面の反射率が低下することを抑制できる。これにより、半導体レーザー素子から射出されたレーザー光のうち反射されない光を低減でき、光源装置の光利用効率が低下することを抑制できる。

前記反射面によって全反射された後に前記プリズムから射出されたレーザー光の進行方向を変化させる光学部材をさらに備える構成としてもよい。
この構成によれば、プリズムから射出されるレーザー光の進行方向を所望の方向にできない場合であっても、光学部材によって光源装置から射出されるレーザー光の進行方向を所望の方向にすることができる。

複数の前記半導体レーザー素子と、前記第１の面に接合され、前記半導体レーザー素子を囲む枠状の接合フレームと、前記半導体レーザー素子と対向し、前記接合フレームに固定された透光性部材と、をさらに備える構成としてもよい。
この構成によれば、光源装置の光利用効率が低下することを抑制できる効果をより大きく得られる。

前記半導体レーザー素子は、第１の半導体レーザー素子と、第２の半導体レーザー素子と、を含み、前記プリズムは、前記第１の半導体レーザー素子から射出されるレーザー光が入射する第１のプリズムと、前記第２の半導体レーザー素子から射出されるレーザー光が入射する第２のプリズムと、を含み、前記第１のプリズムと前記第２のプリズムとは、前記透光性部材と一体に形成され、前記第１の半導体レーザー素子と前記第２の半導体レーザー素子とは、互いに逆向きにレーザー光を射出し、前記第１のプリズムの前記入射面と前記第２のプリズムの前記入射面とは互いに対向する、または、前記第１のプリズムの前記反射面と前記第２のプリズムの前記反射面とは互いに対向する構成としてもよい。
この構成において、反射面に反射膜を設ける場合、光源装置の製造の手間およびコストが増大する場合がある。これに対して、本発明の光源装置の一つの態様によれば、反射面をレーザー光が全反射されるように配置するため、反射膜を形成する必要がない。これにより、光源装置の製造の手間およびコストが増大することを抑制できる。

前記ベース基板と前記接合フレームと前記透光性部材とによって、前記半導体レーザー素子が収納され、封止された収納空間が設けられている構成としてもよい。
この構成によれば、半導体レーザー素子が劣化することを抑制できる。

本発明のプロジェクターの一つの態様は、上記の光源装置と、前記光源装置から射出された光を変調する光変調装置と、前記光変調装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を備えることを特徴とする。

本発明のプロジェクターの一つの態様によれば、光源装置において光利用効率が低下することを抑制できるため、光学特性に優れたプロジェクターが得られる。

前記光源装置から射出された光によって励起され、蛍光光を射出する波長変換素子をさらに備える構成としてもよい。
この構成によれば、光源装置から射出された光を蛍光光に変換できる。

第１実施形態のプロジェクターの光学系を示す図である。 第１実施形態の光源装置を示す斜視図である。 第１実施形態の光源装置を示す図であって、図２のIV−IV断面斜視図である。 第１実施形態の光源装置を示す図であって、図２のIV−IV断面図である。 第１実施形態の光源装置を示す図であって、図４の部分拡大図である。 第１実施形態の半導体レーザー素子から射出されるレーザー光の光強度分布を示すグラフである。 反射面に入射するレーザー光が全反射する条件について説明するための図である。 入射角と屈折角との関係について示すグラフである。 第２実施形態の光源装置の部分を示す断面図である。 第３実施形態の光源装置の部分を示す断面図である。 第３実施形態のプリズムに反射膜および反射防止膜を形成する場合について説明するための図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る光源装置、およびプロジェクターについて説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、各構造における縮尺および数等を、実際の構造における縮尺および数等と異ならせる場合がある。

＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態のプロジェクター１０００の光学系を示す図である。プロジェクター１０００は、図１に示すように、照明装置１００と、色分離導光光学系２００と、液晶光変調装置（光変調装置）４００Ｒと、液晶光変調装置（光変調装置）４００Ｇと、液晶光変調装置（光変調装置）４００Ｂと、クロスダイクロイックプリズム５００と、投射光学系６００と、を備える。

照明装置１００は、光源装置１０と、集光光学系２０と、波長変換素子３０と、コリメート光学系６０と、第１レンズアレイ１２０と、第２レンズアレイ１３０と、偏光変換素子１４０と、重畳レンズ１５０と、を備える。

光源装置１０は、波長変換素子３０の励起光として青色光Ｂ（発光強度のピーク：約４４５ｎｍ）を射出する。光源装置１０については、後段において詳述する。

集光光学系２０は、第１レンズ２１および第２レンズ２２を備える。集光光学系２０は、光源装置１０から波長変換素子３０までの光路中に配置され、全体として青色光Ｂを略集光した状態で後述する蛍光体層４２に入射させる。第１レンズ２１および第２レンズ２２は、凸レンズで構成される。

波長変換素子３０は、モーター５０と、円板４０と、蛍光体層４２と、ダイクロイック膜４４と、を備える。円板４０は、モーター５０により回転可能である。円板４０は、青色光Ｂを透過させる材料からなる。円板４０の材料としては、例えば、石英ガラス、水晶、サファイア、光学ガラス、透明樹脂等を用いることができる。

蛍光体層４２は、円板４０上に円板４０の周方向に沿って設けられている。蛍光体層４２は、波長が約４４５ｎｍの青色光によって励起され、赤色光と緑色光とからなる蛍光光を射出する。蛍光体層４２は、例えば、ＹＡＧ系蛍光体である（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅを含有する層からなる。

ダイクロイック膜４４は、蛍光体層４２と円板４０との間に設けられている。ダイクロイック膜４４は、青色光Ｂを透過させ、蛍光体層４２から射出される蛍光光を反射する。

光源装置１０からの青色光Ｂは、円板４０側から蛍光体層４２に入射する。本実施形態において蛍光体層４２は、光源装置１０からの青色光Ｂの一部を赤色光Ｒおよび緑色光Ｇからなる蛍光光に変換し、かつ、青色光Ｂの残りの一部を変換せずに通過させる。これにより、波長変換素子３０は、赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを含む光を、光源装置１０から射出された青色光Ｂが入射する側とは反対の側に向けて射出する。

コリメート光学系６０は、第１レンズ６２と第２レンズ６４とを備え、波長変換素子３０からの光を略平行化する。第１レンズ６２および第２レンズ６４は、凸レンズからなる。

第１レンズアレイ１２０は、コリメート光学系６０からの光を複数の部分光束に分割するための複数の第１小レンズ１２２を有する。複数の第１小レンズ１２２は、照明光軸１００ａｘと直交する面内にマトリクス状に配列されている。

第２レンズアレイ１３０は、第１レンズアレイ１２０の複数の第１小レンズ１２２に対応する複数の第２小レンズ１３２を有する。第２レンズアレイ１３０は、重畳レンズ１５０とともに、第１レンズアレイ１２０の各第１小レンズ１２２の像を各液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの画像形成領域の近傍に結像させる。複数の第２小レンズ１３２は照明光軸１００ａｘに直交する面内にマトリクス状に配列されている。

偏光変換素子１４０は、第１レンズアレイ１２０により分割された各部分光束を、直線偏光に変換する。偏光変換素子１４０は、波長変換素子３０からの光に含まれる偏光成分のうち一方の直線偏光成分をそのまま透過させるとともに、他方の直線偏光成分を照明光軸１００ａｘに垂直な方向に反射する偏光分離層と、偏光分離層で反射された他方の直線偏光成分を照明光軸１００ａｘに平行な方向に反射する反射層と、反射層で反射された他方の直線偏光成分を一方の直線偏光成分に変換する位相差板と、を有している。

重畳レンズ１５０は、偏光変換素子１４０からの各部分光束を集光して各液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの画像形成領域の近傍に重畳させる。第１レンズアレイ１２０、第２レンズアレイ１３０および重畳レンズ１５０は、画像形成領域において、波長変換素子３０からの光の面内光強度分布を均一にするインテグレーター光学系を構成する。

色分離導光光学系２００は、ダイクロイックミラー２１０と、ダイクロイックミラー２２０と、反射ミラー２３０と、反射ミラー２４０と、反射ミラー２５０と、リレーレンズ２６０と、リレーレンズ２７０と、備える。色分離導光光学系２００は、照明装置１００からの光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離し、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂをそれぞれが対応する液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂに導光する。

色分離導光光学系２００と液晶光変調装置４００Ｒとの間には、集光レンズ３００Ｒが配置されている。色分離導光光学系２００と液晶光変調装置４００Ｇとの間には、集光レンズ３００Ｇが配置されている。色分離導光光学系２００と液晶光変調装置４００Ｂとの間には、集光レンズ３００Ｂが配置されている。

ダイクロイックミラー２１０は、赤色光成分を通過させ、緑色光成分および青色光成分を反射するダイクロイックミラーである。ダイクロイックミラー２２０は、緑色光成分を反射して、青色光成分を通過させるダイクロイックミラーである。

ダイクロイックミラー２１０を通過した赤色光Ｒは、反射ミラー２３０で反射され、集光レンズ３００Ｒを通過して赤色光用の液晶光変調装置４００Ｒの画像形成領域に入射する。ダイクロイックミラー２１０で反射された緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー２２０でさらに反射され、集光レンズ３００Ｇを通過して緑色光用の液晶光変調装置４００Ｇの画像形成領域に入射する。

ダイクロイックミラー２２０を通過した青色光Ｂは、リレーレンズ２６０、反射ミラー２４０、リレーレンズ２７０、反射ミラー２５０、集光レンズ３００Ｂを経て青色光用の液晶光変調装置４００Ｂの画像形成領域に入射する。

液晶光変調装置４００Ｒ、液晶光変調装置４００Ｇおよび液晶光変調装置４００Ｂは、入射された色光を画像情報に応じて変調してカラー画像を形成する。なお、図示を省略したが、各集光レンズ３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂと、各液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂとの間には、それぞれ入射側偏光板が配置されている。また、各液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂとクロスダイクロイックプリズム５００との間には、それぞれ射出側偏光板が配置されている。

クロスダイクロイックプリズム５００は、液晶光変調装置４００Ｒ、液晶光変調装置４００Ｇおよび液晶光変調装置４００Ｂの各々から射出された画像光を合成してカラー画像を形成する。クロスダイクロイックプリズム５００は、４つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた略Ｘ字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。

クロスダイクロイックプリズム５００から射出されたカラー画像は、投射光学系６００によって拡大投射され、スクリーンＳＣＲ上で画像を形成する。

次に、本実施形態の光源装置１０について詳しく説明する。図２は、光源装置１０を示す斜視図である。図３は、光源装置１０を示す図であって、図２のIV−IV断面斜視図である。図４は、光源装置１０を示す図であって、図２のIV−IV断面図である。図５は、光源装置１０を示す図であって、図４の部分拡大図である。図５においては、透光性部材１１２の図示を省略している。

光源装置１０は、図１から図４に示すように、ベース基板１１と、冷却器７０と、複数の半導体レーザー素子１１０と、接合フレーム１０７と、複数の電極部１０９Ａと、複数の電極部１０９Ｂと、接合部８０と、透光性部材１１２と、複数のプリズム１１３と、を備える。

ベース基板１１は、第１の面１１ａ、および第１の面１１ａと逆側の第２の面１１ｂを有する板状である。第１の面１１ａは、図２から図４において上側に示されるベース基板１１の面である。第２の面１１ｂは、図２から図４において下側に示される面である。図２から図４に示す、ベース基板１１が接合フレーム１０７と接合部８０によって接合された状態において、第１の面１１ａおよび第２の面１１ｂは、平面状である。ベース基板１１は、例えば、長方形板状である。

なお、適宜各図に示したＸＹＺ直交座標系のうち、Ｚ軸方向は、ベース基板１１の厚み方向と平行な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、Ｚ軸方向と直交し、かつ、互いに直交する方向である。Ｘ軸方向は、ベース基板１１の長手方向と平行な方向である。Ｙ軸方向は、ベース基板１１の短手方向と平行な方向である。

以下の説明においては、特に断りのない限り、ベース基板１１の厚み方向（Ｚ軸方向）と平行な方向を単に「厚み方向」と呼ぶ場合があり、ベース基板１１の長手方向（Ｘ軸方向）と平行な方向を単に「長手方向」と呼ぶ場合があり、ベース基板１１の短手方向（Ｙ軸方向）と平行な方向を単に「短手方向」と呼ぶ場合がある。

ベース基板１１には、ベース基板１１を厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔１１ｃが形成されている。貫通孔１１ｃは、図２に示すように、ベース基板１１の四隅にそれぞれ形成されている。貫通孔１１ｃは、平面視で円形状である。貫通孔１１ｃには、例えば、ベース基板１１をプロジェクター１０００の筐体等に固定するネジが通される。ベース基板１１としては、半導体レーザー素子１１０の熱を効率的に排出するために、銅等の熱伝導性が高い金属を用いることが好ましい。

冷却器７０は、図１に示すように、ベース基板１１の第２の面１１ｂに固定され、ベース基板１１を冷却する。本実施形態において冷却器７０は、複数のフィンを有するヒートシンクである。なお、図２から図５においては、冷却器７０の図示を省略している。

複数の半導体レーザー素子１１０は、図２に示すように、第１の面１１ａに配置されている。複数の半導体レーザー素子１１０は、アレイ状に配置されている。本実施形態において半導体レーザー素子１１０は、短手方向（Ｙ軸方向）に沿って５つの半導体レーザー素子１１０が配置された列が、長手方向（Ｘ軸方向）に沿って５列並ぶように配列されている。以下の説明においては、５つの半導体レーザー素子１１０が短手方向に沿って配置された各列を、発光素子列Ｍ１〜Ｍ５（図３参照）と呼ぶ。また、各発光素子列Ｍ１〜Ｍ５を区別しないときは、発光素子列Ｍ１〜Ｍ５を総称して、単に発光素子列Ｍと呼ぶ。

本実施形態において半導体レーザー素子１１０の数は、合計２５個である。複数の半導体レーザー素子１１０は、長手方向（Ｘ軸方向）および短手方向（Ｙ軸方向）に沿って互いに所定の間隔をおいて配置されている。

半導体レーザー素子１１０は、図５に示すように、第１の面１１ａに沿った第１方向にレーザー光Ｌを射出する。本実施形態において第１方向は、長手方向（Ｘ軸方向）である。半導体レーザー素子１１０は、サブマウント１０３と、レーザー光源１０２と、を備える。サブマウント１０３は、第１の面１１ａ上に形成されている。サブマウント１０３は、例えば、平面視で矩形状である。サブマウント１０３の材質は、主に窒化アルミおよびアルミナ等のセラミックスである。

レーザー光源１０２は、サブマウント１０３上に実装されている。レーザー光源１０２が射出するレーザー光Ｌは、例えば、４４５ｎｍの波長の青色光である。なお、レーザー光源１０２は、４４５ｎｍ以外の波長（例えば、４６０ｎｍ）の青色光を射出するレーザー光源であってもよい。

本実施形態においてレーザー光源１０２は、長手方向（Ｘ軸方向）の一方側（−Ｘ側）に向けてレーザー光Ｌを射出する。レーザー光源１０２におけるレーザー光Ｌが射出される光射出面１０２ａは、例えば、サブマウント１０３における長手方向の一方側の側面１０３ａと略一致している。

レーザー光源１０２から射出されるレーザー光Ｌは、所定の拡がりを持って射出される。すなわち、レーザー光源１０２から射出されるレーザー光Ｌは、レーザー光源１０２の光軸ＬＸに対して傾く複数のレーザー光を含む。レーザー光Ｌの光軸ＬＸと直交する断面（ＹＺ断面）形状は、例えば、光軸ＬＸを中心とする円形状である。

なお、本明細書において、半導体レーザー素子が第１方向にレーザー光を射出するとは、所定の拡がりを持って半導体レーザー素子から射出されるレーザー光の光軸が第１方向と平行なことを含む。本実施形態では、半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌの光軸ＬＸは、第１方向（Ｘ軸方向）と平行である。

また、本明細書において、第１の面に沿った第１方向とは、第１の面と平行な方向に加えて、第１の面に対して所定角度範囲内で傾いた方向も含む。一例として、第１の面に沿った第１方向とは、第１の面に対して±１５°範囲内程度で傾いた方向を含む。

接合フレーム１０７は、図４に示すように、第１の面１１ａに接合されている。より詳細には、接合フレーム１０７は、接合部８０を介して、第１の面１１ａに接合されている。図２に示すように、接合フレーム１０７は、複数の半導体レーザー素子１１０を囲む枠状である。本実施形態において接合フレーム１０７は、ベース基板１１の長手方向（Ｘ軸方向）に長い長方形枠状である。

接合フレーム１０７は、長手方向（Ｘ軸方向）に延在する一対の側壁１０７ａと、短手方向（Ｙ軸方向）に延在する一対の側壁１０７ｂと、を備える。一方側（＋Ｙ側）の側壁１０７ａには、電極部１０９Ａが設けられており、他方側（−Ｙ側）の側壁１０７ａには、電極部１０９Ｂが設けられている。電極部１０９Ａと電極部１０９Ｂとは、それぞれ発光素子列Ｍ１〜Ｍ５ごとに、対となって設けられている。図示は省略するが、電極部１０９Ａは、レーザー光源１０２の陽極に電気的に接続されており、電極部１０９Ｂは、レーザー光源１０２の陰極に電気的に接続されている。接合フレーム１０７の材質は、例えば、セラミックス、コバール等である。

接合部８０は、図４に示すように、ベース基板１１と接合フレーム１０７とを接合している。本実施形態において接合部８０は、ベース基板１１と接合フレーム１０７との間に介在している。接合部８０は、例えば、ベース基板１１と接合フレーム１０７とをロウ付けによって接合する際に形成される部分である。接合部８０を構成するロウ材は、金属材料等の無機材料であることが好ましい。これは、接合時にアウトガスが発生しにくく、アウトガスが付着して半導体レーザー素子１１０が劣化することを抑制できるためである。本実施形態において接合部８０を構成するロウ材は、例えば、銀ロウである。なお、ベース基板１１と接合フレーム１０７との接合方法は、特に限定されず、ロウ付け以外のいかなる接合方法であってもよい。

透光性部材１１２は、複数の半導体レーザー素子１１０と対向し、接合フレーム１０７に固定されている。透光性部材１１２は、接合フレーム１０７におけるベース基板１１と逆側（＋Ｚ側）の上面１０７ｃに固定されている。接合フレーム１０７とベース基板１１とを固定する材料は、接合部８０と同様に、金属材料等の無機材料であることが好ましい。これは、接合時にアウトガスが発生しにくく、アウトガスが付着して半導体レーザー素子１１０が劣化することを抑制できるためである。本実施形態において透光性部材１１２は、例えば、低融点ガラスを用いて接合フレーム１０７と接合されている。

透光性部材１１２は、接合フレーム１０７の一方側（＋Ｚ側）の開口を閉塞している。これにより、ベース基板１１と接合フレーム１０７と透光性部材１１２とによって、複数の半導体レーザー素子１１０が収納され、封止された収納空間Ｋが設けられている。収納空間Ｋには、例えば、不活性ガスまたは乾燥空気が充填されている。なお、収納空間Ｋは、減圧状態であってもよい。なお、減圧状態とは、通常の大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間の状態をいう。この定義において、その気体は不活性ガスまたは乾燥空気であってもよい。このように収納空間Ｋを封止することで、収納空間Ｋ内に水分または外気が入り込むことを抑制でき、半導体レーザー素子１１０が劣化することを抑制できる。

透光性部材１１２は、図２に示すように、接合フレーム１０７の外形に沿った長方形状である。透光性部材１１２は、半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌを透過させる透光性基板からなる。透光性部材１１２の材質は、ガラス、石英、樹脂等である。

透光性部材１１２と接合フレーム１０７との間に別の部材（中間部材）が介在していてもよい。中間部材を用いる場合は、透光性部材１１２と中間部材とが例えば、低融点ガラスにより接合され、接合フレーム１０７と中間部材とが例えば、低融点ガラスにより接合される。

複数のプリズム１１３は、図４に示すように、透光性部材１１２のベース基板１１側（−Ｚ側）の下面１１２ａに一体に形成されている。プリズム１１３は、図２に示すように、ベース基板１１上に設けられた発光素子列Ｍ１〜Ｍ５ごとに設けられ、対応する発光素子列Ｍを構成する複数の半導体レーザー素子１１０から射出されたレーザー光Ｌの光路上に位置する。プリズム１１３は、発光素子列Ｍに沿って短手方向（Ｙ軸方向）に延在する。図５に示すように、プリズム１１３における延在方向に直交する断面（ＺＸ断面）形状は、例えば、三角形状である。

プリズム１１３は、レーザー光源１０２、すなわち半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌの光路上に配置されている。プリズム１１３は、半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌが入射する入射面１１３ａと、入射面１１３ａから入射したレーザー光Ｌの少なくとも一部を反射する反射面１１３ｂと、反射面１１３ｂで反射されたレーザー光Ｌがプリズム１１３から射出される射出面１１３ｃと、を有する。

入射面１１３ａは、プリズム１１３における半導体レーザー素子１１０側（＋Ｘ側）の面である。入射面１１３ａは、レーザー光源１０２の光射出面１０２ａと対向する。本実施形態において入射面１１３ａは、第１の面１１ａに対して垂直で、かつ、長手方向（Ｘ軸方向）と直交する。図４に示すように、入射面１１３ａの第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の端部は、透光性部材１１２の下面１１２ａと接続されている。図示は省略するが、入射面１１３ａには、反射防止膜が形成されている。

反射面１１３ｂは、図５に示すように、プリズム１１３における半導体レーザー素子１１０と逆側（−Ｘ側）の面である。反射面１１３ｂは、第１の面１１ａおよび入射面１１３ａに対して傾く傾斜面である。反射面１１３ｂは、厚み方向（Ｚ軸方向）における第１の面１１ａから離れる側（＋Ｚ側）に向かうに従って、長手方向（Ｘ軸方向）における半導体レーザー素子１１０から離れる側（−Ｘ側）に位置する。反射面１１３ｂの第１の面１１ａ側（−Ｚ側）の端部は、入射面１１３ａの第１の面１１ａ側の端部と接続されている。図４に示すように、反射面１１３ｂの第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の端部は、透光性部材１１２の下面１１２ａと接続されている。

反射面１１３ｂは、自然対数の底をｅとしたとき、入射面１１３ａからプリズム１１３に入射したレーザー光Ｌのうち、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌを全反射するように配置されている。中心強度とは、レーザー光Ｌの光強度の最大値である。レーザー光Ｌのビーム径を定義する場合、レーザー光Ｌのうち中心強度の１／ｅ^２以上となる範囲のレーザー光Ｌの直径をビーム径とする方法がよく用いられる。すなわち、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌとは、半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌのうち、光源装置１０から射出される光として有効に利用できるレーザー光Ｌである。

図６は、半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌの光強度分布を示すグラフである。図６においては、縦軸はレーザー光Ｌの光強度を示しており、横軸は照射領域ＩＡ１の中心位置Ｃを中心とした径方向位置を示している。図６において縦軸に示すレーザー光Ｌの光強度は、レーザー光Ｌの最大光強度を１としたときの規格化強度である。

レーザー光Ｌの光強度の分布は、図６に示すようにガウス分布となっている。レーザー光Ｌのうち光強度が最大光強度の１／ｅ^２となる部分が照射されている領域を、レーザー光Ｌの照射領域ＩＡ１とする。照射領域ＩＡ１は、図５に示すように、入射面１１３ａにおけるレーザー光Ｌの照射領域である。本実施形態において照射領域ＩＡ１の中心位置Ｃでは光強度が最大である。すなわち、照射領域ＩＡ１の中心位置Ｃにおける光強度が、レーザー光Ｌの中心強度である。

図５においては、照射領域ＩＡ１を通るレーザー光Ｌのうち、照射領域ＩＡ１の第１の面１１ａ側（−Ｚ側）の端部を通るレーザー光Ｌｄと、照射領域ＩＡ１の第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の端部を通るレーザー光Ｌｕと、照射領域ＩＡ１の中心位置Ｃを通るレーザー光Ｌｃと、を示している。レーザー光Ｌｄ，Ｌｕは、光強度が中心強度の１／ｅ^２となるレーザー光である。レーザー光Ｌｃは、光軸ＬＸと重なり、光強度が中心強度、すなわち最大となるレーザー光である。

レーザー光Ｌｄは、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌうち、反射面１１３ｂに対する入射角θ３が最も小さくなるレーザー光である。すなわち、レーザー光Ｌｄが、反射面１１３ｂで全反射されるように、反射面１１３ｂを配置すれば、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌを反射面１１３ｂで全反射させることができる。

図７は、反射面１１３ｂに入射するレーザー光Ｌが全反射する条件について説明するための図である。図７において一点鎖線の矢印で示すように、反射面１１３ｂに対する入射角θ３が所定値よりも小さいと、レーザー光Ｌは、反射面１１３ｂで全反射せずに、屈折角θ４で反射面１１３ｂからプリズム１１３の外部に射出される。一方、図７において実線の矢印で示すように、入射角θ３が所定値以上の場合、レーザー光Ｌは、反射面１１３ｂで全反射する。

図８は、入射角θ３と屈折角θ４との関係について示すグラフである。図８において、横軸は入射角θ３を示しており、縦軸は屈折角θ４を示している。図８は、プリズム１１３の外部の雰囲気を空気とした場合の入射角θ３と屈折角θ４との関係を示している。図８において、空気の屈折率を１．０とし、プリズム１１３の屈折率を１．７とした。なお、プリズム１１３の外部の雰囲気とは、収納空間Ｋ内の雰囲気である。

図８に示すように、入射角θ３が約３６°となった場合に、屈折角θ４が９０°となることが分かった。これにより、図８の条件の場合、レーザー光Ｌｄの反射面１１３ｂに対する入射角θ３が約３６°以上となるように反射面１１３ｂを配置することで、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌを反射面１１３ｂで全反射させることができることが分かった。このように、プリズム１１３の屈折率、およびプリズム１１３の外部の雰囲気、すなわち収納空間Ｋ内の雰囲気の屈折率等に応じて、レーザー光Ｌｄの入射角θ３の条件が得られる。

図８の条件に基づいて反射面１１３ｂの配置をする場合、一例として、入射面１１３ａに対する反射面１１３ｂの傾斜角度θＲ（図５参照）を４５°とする。このとき、レーザー光Ｌｄの放射角θ１は、８．５°とする。入射面１１３ａからプリズム１１３に入射するレーザー光Ｌｄは、入射面１１３ａにおいて屈折角θ２で屈折する。放射角θ１が８．５°の場合、屈折角θ２は、例えば、５°である。このように屈折したレーザー光Ｌｄは、４０°の入射角θ３で反射面１１３ｂに入射する。そのため、図８を用いて示した全反射条件を満たすこととなり、レーザー光Ｌｄは、反射面１１３ｂで全反射される。

図５に示すように、レーザー光Ｌｃ，Ｌｕは、レーザー光Ｌｄよりも大きい入射角θ３で反射面１１３ｂに入射することとなるため、レーザー光Ｌｄが反射面１１３ｂで全反射する場合、レーザー光Ｌｃ，Ｌｕも、反射面１１３ｂで全反射する。本実施形態においては、光軸ＬＸと重なるレーザー光Ｌｃが、４５°の入射角θ３で反射面１１３ｂに入射するように設計されている。そのため、レーザー光Ｌｃは、反射面１１３ｂで９０°折り曲げられて反射される。これにより、光源装置１０において、半導体レーザー素子１１０から射出されたレーザー光Ｌを、第１の面１１ａと垂直な方向（Ｚ軸方向）に射出することができる。反射面１１３ｂで反射されたレーザー光Ｌは、射出面１１３ｃを介してプリズム１１３から射出される。

なお、反射面１１３ｂは、光強度が中心強度の１／ｅ^２よりも小さいレーザー光を全反射してもよいし、全反射しなくてもよい。

射出面１１３ｃは、プリズム１１３の第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の面である。射出面１１３ｃは、第１の面１１ａと平行で、入射面１１３ａと直交する。射出面１１３ｃは、入射面１１３ａの第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の端部と、反射面１１３ｂの第１の面１１ａと逆側（＋Ｚ側）の端部と、を接続する。図４に示すように、射出面１１３ｃは、透光性部材１１２の下面１１２ａと接触する。本実施形態では、プリズム１１３は透光性部材１１２と一体に形成されているため、射出面１１３ｃは、透光性部材１１２とプリズム１１３との仮想的な境界面である。

図５においては、透光性部材１１２の図示を省略しており、射出面１１３ｃにおいてレーザー光Ｌｄ，Ｌｕが屈折されて外部に射出されるように示しているが、本実施形態の場合、実際には、レーザー光Ｌは、射出面１１３ｃから透光性部材１１２に入射され、レーザー光Ｌｄ，Ｌｕは、透光性部材１１２のプリズム１１３と逆側（＋Ｚ側）の上面１１２ｂにおいて屈折されて、光源装置１０の外部に射出される。

本実施形態によれば、プリズム１１３がレーザー光Ｌのうち光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌを全反射するように配置された反射面１１３ｂを有している。そのため、反射面１１３ｂの傾斜角度θＲを設計することのみで、容易に放射角θ１が異なる複数のレーザー光を反射させることができる。また、反射面１１３ｂによる全反射条件は、レーザー光Ｌの波長によっては、ほぼ変化することなく、レーザー光Ｌの波長が所定の波長から変化した場合であっても反射面１１３ｂの反射率が低下することを抑制できる。これにより、半導体レーザー素子１１０から射出されたレーザー光Ｌのうち反射されない光を低減でき、光源装置１０の光利用効率が低下することを抑制できる。

また、本実施形態のように、半導体レーザー素子１１０が複数配置されている場合、各半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌの波長のバラツキが大きくなりやすく、各半導体レーザー素子１１０から射出されるレーザー光Ｌの波長のバラツキに対応して誘電体多層膜を形成することは、より困難である。これに対して、本実施形態によれば、レーザー光Ｌの波長によることなく、レーザー光Ｌを全反射することができる。すなわち、本実施形態による効果は、本実施形態の光源装置１０のように、半導体レーザー素子１１０が複数配置される光源装置において特に大きく得られる。

なお、本実施形態の光源装置１０は、半導体レーザー素子１１０を１つのみ備える構成であってもよい。

＜第２実施形態＞
第２実施形態は、第１実施形態に対して、光学部材７１３が設けられている点において異なる。なお、上記実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。

図９は、本実施形態の光源装置１０１０の部分を示す断面図である。図９においては、透光性部材１１２の図示を省略している。図９に示すように、光源装置１０１０は、光学部材７１３を備える。

光学部材７１３は、プリズム１１３のベース基板１１と逆側（＋Ｚ側）に配置されている。図示は省略するが、光学部材７１３は、例えば、短手方向（Ｙ軸方向）に延びる角柱状の部材である。光学部材７１３の延在方向と直交する断面（ＺＸ断面）形状は、例えば、三角形状である。本実施形態において光学部材７１３は、例えば、プリズムである。

光学部材７１３は、収納空間Ｋ内に配置されていてもよいし、収納空間Ｋの外側に配置されていてもよい。光学部材７１３が収納空間Ｋ内に配置される場合、光学部材７１３は、例えば、透光性部材１１２の収納空間Ｋ側（−Ｚ側）の下面１１２ａに固定される。この場合、プリズム１１３は、透光性部材１１２と離れて形成されていてもよい。また、光学部材７１３が収納空間Ｋの外側に配置される場合、光学部材７１３は、例えば、透光性部材１１２の上面１１２ｂに固定される。光学部材７１３は、透光性部材１１２と一体に形成されていてもよいし、別体に形成されていてもよい。

光学部材７１３は、第２の入射面７１３ａと、第２の射出面７１３ｂと、を有する。第２の入射面７１３ａは、光学部材７１３のプリズム１１３側（−Ｚ側）の面である。第２の入射面７１３ａは、例えば、第１の面１１ａと平行な面であり、プリズム１１３の射出面１１３ｃと対向している。

第２の射出面７１３ｂは、光学部材７１３のプリズム１１３と逆側（＋Ｚ側）の面である。第２の射出面７１３ｂは、第２の入射面７１３ａに対して傾く傾斜面である。第２の射出面７１３ｂは、長手方向（Ｘ軸方向）における半導体レーザー素子１１０に近づく側（＋Ｘ側）に向かうに従って、厚み方向（Ｚ軸方向）における第１の面１１ａから離れる側（＋Ｚ側）に位置する。第２の射出面７１３ｂにおける長手方向の半導体レーザー素子１１０と逆側（−Ｘ側）の端部は、第２の入射面７１３ａにおける長手方向の半導体レーザー素子１１０と逆側の端部と接続されている。

光学部材７１３は、プリズム１１３の反射面１１３ｂによって全反射された後にプリズム１１３から射出されたレーザー光Ｌの進行方向を変化させる。より具体的には、プリズム１１３の射出面１１３ｃから射出されたレーザー光Ｌは、第２の入射面７１３ａから光学部材７１３に入射する。光学部材７１３に入射したレーザー光Ｌは、第２の入射面７１３ａおよび第２の射出面７１３ｂで屈折され、進行方向が変化させられる。本実施形態においては、プリズム１１３の射出面１１３ｃから射出されるレーザー光Ｌの進行方向は、第１の面１１ａに垂直な方向（Ｚ軸方向）に対して傾いた方向である。プリズム１１３の射出面１１３ｃから射出されたレーザー光Ｌは、光学部材７１３によって、第１の面１１ａに垂直な方向に変化させられる。

光源装置１０１０のその他の構成は、第１実施形態の光源装置１０の構成と同様である。

例えば、プリズム１１３の反射面１１３ｂを、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光Ｌを全反射するように配置すると、プリズム１１３の屈折率およびレーザー光Ｌの放射角θ１等によっては、射出面１１３ｃから射出されるレーザー光Ｌの進行方向を所望の方向にできない場合がある。この場合、光源装置から射出されるレーザー光Ｌの進行方向を所望の方向にできず、光源装置の光学特性が低下する場合がある。なお、本実施形態の場合、所望の方向とは、例えば、第１の面１１ａと垂直な方向である。

これに対して、本実施形態によれば、光学部材７１３によって、プリズム１１３から射出されたレーザー光Ｌの進行方向を変化させることができるため、射出面１１３ｃから射出されるレーザー光Ｌの進行方向を所望の方向にできない場合であっても、光源装置１０１０から射出されるレーザー光Ｌの進行方向を所望の方向にすることができる。したがって、本実施形態によれば、光学特性に優れた光源装置１０１０が得られる。

なお、本実施形態において、光学部材７１３は、プリズム１１３から射出されたレーザー光Ｌの進行方向を変化させられるならば、特に限定されない。光学部材７１３は、例えば、反射板であってもよいし、レンズであってもよい。

＜第３実施形態＞
第３実施形態は、少なくとも一対のプリズムおよび半導体レーザー素子が互いに対向する点において、第１実施形態と異なる。なお、上記実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付す等により説明を省略する場合がある。

図１０は、本実施形態の光源装置２０１０の部分を示す断面図である。図１０に示すように、光源装置２０１０において、半導体レーザー素子は、第１の半導体レーザー素子８１０と、第２の半導体レーザー素子９１０と、を含む。

第１の半導体レーザー素子８１０は、第１実施形態において説明した半導体レーザー素子１１０と同様である。第２の半導体レーザー素子９１０は、長手方向（Ｘ軸方向）に反転して配置されている点を除いて、第１実施形態において説明した半導体レーザー素子１１０と同様である。

第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とは、互いに逆向きにレーザー光Ｌを射出する。本実施形態において第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とは、互いに対向する向きにレーザー光Ｌを射出する。第１の半導体レーザー素子８１０は、第１実施形態の半導体レーザー素子１１０と同様に、長手方向（Ｘ軸方向）の一方側（−Ｘ側）に向けてレーザー光Ｌを射出する。第２の半導体レーザー素子９１０は、長手方向（Ｘ軸方向）の他方側（＋Ｘ側）に向けてレーザー光Ｌを射出する。

光源装置２０１０において、プリズムは、第１のプリズム８１３と、第２のプリズム９１３と、を含む。第１のプリズム８１３は、第１実施形態において説明したプリズム１１３と同様である。第２のプリズム９１３は、長手方向（Ｘ軸方向）に反転して配置されている点を除いて、第１実施形態において説明したプリズム１１３と同様である。第１のプリズム８１３と第２のプリズム９１３とは、透光性部材１１２と一体に形成されている。

第１のプリズム８１３には、入射面８１３ａから、第１の半導体レーザー素子８１０から射出されるレーザー光Ｌが入射する。第２のプリズム９１３には、入射面９１３ａから、第２の半導体レーザー素子９１０から射出されるレーザー光Ｌが入射する。第１のプリズム８１３の入射面８１３ａと第２のプリズム９１３の入射面９１３ａとは、互いに逆側に臨む。本実施形態において、入射面８１３ａは、第２のプリズム９１３と逆側（＋Ｘ側）に臨み、入射面９１３ａは、第１のプリズム８１３と逆側（−Ｘ側）に臨んでいる。すなわち、本実施形態において、入射面８１３ａと入射面９１３ａとは、互いに対向しないように配置されている。

第１のプリズム８１３に入射したレーザー光Ｌは、第１実施形態と同様に、反射面８１３ｂによって全反射される。第２のプリズム９１３に入射したレーザー光Ｌは、第１実施形態と同様に、反射面９１３ｂによって全反射される。本実施形態において、第１のプリズム８１３の反射面８１３ｂと第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂとは、互いに対向している。

図１１は、本実施形態のプリズムに反射膜および反射防止膜を形成する場合について説明する説明図である。図１１に示すように、本実施形態においては、第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂの法線方向（図の矢印の方向）に沿って第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂを視たときに、第１のプリズム８１３の入射面８１３ａの少なくとも一部を視認可能である。本実施形態では、第１のプリズム８１３の入射面８１３ａの全体が視認可能である。

なお、本明細書において第１のプリズムの入射面の少なくとも一部を視認可能であるとは、直接的に入射面を視認可能な場合と、入射面に反射防止膜等が形成されて、間接的に入射面を視認可能な場合、すなわち直接的には反射防止膜等が視認可能である場合と、を含む。

光源装置２０１０のその他の構成は、第１実施形態の光源装置１０の構成と同様である。

例えば、図１１に示すように、各反射面に反射膜８８１を形成する場合、例えば、各反射面の法線方向に沿って、各反射面に反射膜８８１を構成する物質を蒸着させる。図１１の矢印は、第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂの法線方向を示しており、反射面９１３ｂに反射膜８８１を形成する場合の蒸着方向を示している。各反射面の法線方向に沿って、各反射面に反射膜８８１を構成する物質を蒸着させることで、均一な反射膜を形成しやすい。

ここで、本実施形態のように、あるプリズムの反射面を法線方向に沿って視たときに、他のプリズムの入射面が視認可能である場合、あるプリズムの反射面に反射膜８８１を蒸着させる際に、他のプリズムの入射面にマスキングを施す必要がある。具体的には、図１１に示すように、第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂに反射膜８８１を形成する場合、反射面９１３ｂを法線方向に沿って視たときに視認可能な第１のプリズム８１３の入射面８１３ａにはマスキングを施す必要がある。

以上のように、あるプリズムの反射面を法線方向に沿って視たときに、他のプリズムの入射面が視認可能である場合に、反射膜８８１によってレーザー光Ｌを反射させようとすると、反射膜８８１の形成において、それぞれマスキングを施す手間が掛かり、光源装置の製造の手間およびコストが増大する問題があった。

これに対して、本実施形態によれば、反射面８１３ｂ，９１３ｂを、各プリズムに入射したレーザー光Ｌを全反射するように配置することで、反射膜８８１を形成することなく、レーザー光Ｌを反射できる。そのため、反射膜８８１を形成する手間を削減でき、光源装置２０１０の製造の手間およびコストが増大することを抑制できる。

また、本実施形態のように、第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とが互いに逆向きにレーザー光Ｌを射出し、各プリズムの各反射面８１３ｂ，９１３ｂが互いに対向する場合、蒸着方向に沿って視て反射面と入射面とが同時に視認されやすい。そのため、上述した反射膜８８１を形成する手間を削減できる効果は、第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とが互いに逆向きにレーザー光Ｌを射出し、各プリズムの各反射面８１３ｂ，９１３ｂが互いに対向する場合に、特に大きい。

なお、本実施形態の光源装置２０１０は、複数の半導体レーザー素子として、第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とをそれぞれ１つずつのみ備える構成であってもよい。また、複数の半導体レーザー素子は、一対の第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とを少なくとも一対含んでいればよい。

また、第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂの法線方向に沿って第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂを視たときに、第１のプリズム８１３の入射面８１３ａの少なくとも一部を視認可能であれば、第１のプリズム８１３と第２のプリズム９１３とが、各入射面および各反射面が同じ向きを向くように配置されてもよい。この場合、第１の半導体レーザー素子８１０と第２の半導体レーザー素子９１０とは、互いに同じに向きにレーザー光Ｌを射出してもよい。また、この場合、例えば、各プリズムの反射面および入射面の第１の面１１ａに対する角度は、互いに異なっていてもよい。

さらに、第１の半導体レーザー素子８１０は、長手方向（Ｘ軸方向）の他方側（＋Ｘ側）に向けてレーザー光Ｌを射出し、第２の半導体レーザー素子９１０は、長手方向（Ｘ軸方向）の一方側（−Ｘ側）に向けてレーザー光Ｌを射出してもよい。このとき、第１のプリズム８１３の反射面８１３ｂと第２のプリズム９１３の反射面９１３ｂとは、互いに逆側に臨む。すなわち、反射面８１３ｂは、第２のプリズム９１３と逆側（＋Ｘ側）に臨み、反射面９１３ｂは、第１のプリズム８１３と逆側（−Ｘ側）に臨んでいる。したがって、反射面８１３ｂと反射面９１３ｂとは、互いに対向しないように配置されている。一方でこのとき、第１のプリズム８１３の入射面８１３ａと第２のプリズム９１３の入射面９１３ａとは、互いに対向している。この場合においても、蒸着方向に沿って視て反射面と入射面とが同時に視認されやすく、上述した反射膜８８１を形成する手間を削減できる効果が特に大きい。

なお、上記の各実施形態において、各入射面には、反射防止膜が設けられていなくてもよいし、各反射面には、反射膜が形成されていてもよい。

また、上記の各実施形態において、プリズムは、透光性部材と別体として形成されてもよい。

また、上記の各実施形態において、接合フレーム１０７および透光性部材１１２は、設けられていなくてもよい。

また、上記の各実施形態において、透過型のプロジェクターに本発明を適用した場合の例について説明したが、本発明は、反射型のプロジェクターにも適用することも可能である。ここで、「透過型」とは、液晶光変調装置が光を透過するタイプであることを意味する。「反射型」とは、液晶光変調装置が光を反射するタイプであることを意味する。

また、上記の各実施形態では、３つの液晶光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂを備えるプロジェクター１０００を例示したが、１つの液晶光変調装置でカラー映像を表示するプロジェクター、および４つ以上の液晶光変調装置でカラー映像を表示するプロジェクターに適用することも可能である。また、光変調装置として、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いてもよい。

また、本発明の光源装置は、プロジェクターの光源装置に限られず、自動車のヘッドランプ、照明機器等に適用することもできる。

また、上記説明した各構成は、相互に矛盾しない範囲内において、適宜組み合わせることができる。

１０，１０１０，２０１０…光源装置、１１…ベース基板、１１ａ…第１の面、３０…波長変換素子、１０７…接合フレーム、１１２…透光性部材、１１０…半導体レーザー素子、１１３…プリズム、１１３ａ，８１３ａ，９１３ａ…入射面、１１３ｂ，８１３ｂ，９１３ｂ…反射面、４００Ｂ，４００Ｇ，４００Ｒ…液晶光変調装置（光変調装置）、６００…投射光学系、７１３…光学部材、８１０…第１の半導体レーザー素子、８１３…第１のプリズム、９１０…第２の半導体レーザー素子、９１３…第２のプリズム、１０００…プロジェクター、Ｋ…収納空間、Ｌ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｕ…レーザー光

Claims (5)

1. 第１の面を有するベース基板と、
   前記第１の面に配置され、前記第１の面に沿った第１方向にレーザー光を射出する複数の半導体レーザー素子と、
   前記第１の面に接合され、前記複数の半導体レーザー素子を囲む枠状の接合フレームと、
   前記複数の半導体レーザー素子と対向し、前記接合フレームに固定された透光性部材と、
   前記複数の半導体レーザー素子各々から射出されるレーザー光が入射する入射面、および前記入射面から入射したレーザー光の少なくとも一部を反射する反射面を有するプリズムと、
   前記反射面によって全反射された後に前記プリズムから射出されたレーザー光の進行方向を変化させ、前記透光性部材に設けられる光学部材と、を備え、
   前記反射面は、自然対数の底をｅとしたとき、前記入射面から前記プリズムに入射したレーザー光のうち、光強度が中心強度の１／ｅ^２以上となるレーザー光を全反射するように配置され、
   前記反射面は、平面に形成され、
   前記光学部材は、前記透光性部材と別体であり、
   前記反射面は、光強度が中心強度の１／ｅ ^２ 以上となるレーザー光のうち当該反射面に対して最も小さい入射角度で入射するレーザー光を全反射するような傾斜角度で設けられていることを特徴とする光源装置。
2. 前記半導体レーザー素子は、第１の半導体レーザー素子と、第２の半導体レーザー素子と、を含み、
   前記プリズムは、前記第１の半導体レーザー素子から射出されるレーザー光が入射する第１のプリズムと、前記第２の半導体レーザー素子から射出されるレーザー光が入射する第２のプリズムと、
   を含み、
   前記第１のプリズムと前記第２のプリズムとは、前記透光性部材と一体に形成され、
   前記第１の半導体レーザー素子と前記第２の半導体レーザー素子とは、互いに逆向きにレーザー光を射出し、
   前記第１のプリズムの前記入射面と前記第２のプリズムの前記入射面とは互いに対向する、または、前記第１のプリズムの前記反射面と前記第２のプリズムの前記反射面とは互いに対向する、請求項１に記載の光源装置。
3. 前記ベース基板と前記接合フレームと前記透光性部材とによって、前記半導体レーザー素子が収納され、封止された収納空間が設けられている、請求項１または２に記載の光源装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の光源装置と、
   前記光源装置から射出された光を変調する光変調装置と、
   前記光変調装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
   を備えることを特徴とするプロジェクター。
5. 前記光源装置から射出された光によって励起され、蛍光光を射出する波長変換素子をさらに備える、請求項４に記載のプロジェクター。

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