JP6738244B2 - 電子増倍体の製造方法及び電子増倍体 - Google Patents
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Description
図6に示されるように、この第1工程では、まず、第1板状部材30のための複数の板状部材30A,第2板状部材40のための複数の板状部材40A、及び、第3板状部材50のための一対の板状部材50Aを準備する。板状部材30A,40A,50Aは、それぞれ、第1方向D1に沿って配列された複数(ここでは2つ)の第1板状部材30、第2板状部材40、及び、第3板状部材50となる部分を含む。
Claims (8)
- 本体部と、前記本体部の一端面及び他端面に開口するように前記本体部に設けられ、入射した電子に応じて二次電子を放出するチャネルと、を備える電子増倍体の製造方法であって、
前記一端面及び前記他端面を有し、前記一端面と前記他端面とを連通する前記チャネルのための連通孔が設けられた本体部材を用意する第1工程と、
前記本体部材の外面及び前記連通孔の内面に、原子層堆積法によって、少なくとも抵抗層を含む堆積層を形成することにより、前記チャネルを形成する第2工程と、
前記本体部材の前記外面に形成された前記堆積層を除去することにより、前記本体部を形成する第3工程と、を備え、
前記本体部材の前記外面は、前記一端面、前記他端面、及び、前記一端面と前記他端面とを接続する側面を含み、
前記第3工程においては、前記一端面及び前記他端面に形成された前記堆積層を維持しながら、前記一端面から前記他端面にわたる前記チャネルの延在方向に沿って前記側面に形成された前記堆積層を除去する、
電子増倍体の製造方法。 - 前記第2工程においては、前記抵抗層と前記抵抗層上に積層された二次電子増倍層とを含む前記堆積層を形成する、
請求項1に記載の電子増倍体の製造方法。 - 前記本体部材は、絶縁材料からなる、
請求項1又は2に記載の電子増倍体の製造方法。 - 前記第3工程においては、前記堆積層をサンドブラストにより除去する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子増倍体の製造方法。 - 前記第3工程の後に、前記本体部の前記外面にヒートシンクを熱的に接続する第4工程を更に備える、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子増倍体の製造方法。 - 前記ヒートシンクは、金属からなり、
前記第4工程においては、前記ヒートシンクを前記外面に接触させる、
請求項5に記載の電子増倍体の製造方法。 - 一端面、他端面、及び、前記一端面と前記他端面とを接続する側面を有する本体部と、
前記一端面及び前記他端面に開口するように前記本体部に設けられたチャネルと、
を備え、
前記チャネルは、前記チャネルのための連通孔の内面に形成された抵抗層及び二次電子増倍層を含む堆積層を有し、
前記一端面、及び、前記他端面には、前記堆積層が形成されており、
前記側面は、前記一端面から前記他端面にわたる前記チャネルの延在方向に沿って前記堆積層から露出しており、
前記堆積層は、原子層堆積法によって形成されている、
電子増倍体。 - 前記側面には、前記二次電子増倍層が形成されている、
請求項7に記載の電子増倍体。
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