JP6737292B2 - Conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive, connection structure, and method for producing conductive particles - Google Patents

Conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive, connection structure, and method for producing conductive particles Download PDF

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Description

本発明は、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着剤、接続構造体及び導電粒子の製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive particle, an insulating coated conductive particle, an anisotropic conductive adhesive, a connection structure, and a method for manufacturing a conductive particle.

液晶表示用ガラスパネルに液晶駆動用ＩＣを実装する方式は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）実装及びＣＯＦ（Ｃｈｉｐ−ｏｎ−Ｆｌｅｘ）実装の二種に大別することができる。ＣＯＧ実装では、導電粒子を含む異方導電性接着剤を用いて液晶駆動用ＩＣをガラスパネル上に直接接合する。一方、ＣＯＦ実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ＩＣを接合し、導電粒子を含む異方導電性接着剤を用いてそれらをガラスパネルに接合する。ここでいう「異方性」とは、加圧方向には導通し、非加圧方向では絶縁性を保つという意味である。 The method of mounting the liquid crystal driving IC on the liquid crystal display glass panel can be roughly classified into two types: COG (Chip-on-Glass) mounting and COF (Chip-on-Flex) mounting. In COG mounting, the liquid crystal driving IC is directly bonded onto the glass panel using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles. On the other hand, in COF mounting, a liquid crystal driving IC is bonded to a flexible tape having metal wiring, and they are bonded to a glass panel using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles. The term "anisotropic" as used herein means that conductivity is maintained in the pressing direction and insulation is maintained in the non-pressurizing direction.

従来、導電粒子としては、表面に金層を有する導電粒子が用いられてきた。表面に金層を有する導電粒子は、電気抵抗値が低い点で有利である。金は酸化されにくいため、表面に金層を有する導電粒子を長期間保存した場合であっても、当該導電粒子の電気抵抗値が高くなることを抑制できる。 Conventionally, conductive particles having a gold layer on the surface have been used as the conductive particles. The conductive particles having a gold layer on the surface are advantageous in that they have a low electric resistance value. Since gold is less likely to be oxidized, it is possible to suppress an increase in the electric resistance value of the conductive particles even when the conductive particles having a gold layer on the surface are stored for a long period of time.

近年、省エネルギー化に対応して、液晶駆動時の消費電力を抑えるために、液晶駆動用ＩＣに流れる電流量の低減が検討されている。そのため、従来よりも更に低い電気抵抗値を達成可能な導電粒子が求められている。近年、貴金属の価格が高騰しているため、貴金属を使用しない導電粒子を用いて電気抵抗値を低くすることが求められている。 In recent years, reduction of the amount of current flowing through the liquid crystal driving IC has been studied in order to reduce power consumption during liquid crystal driving in response to energy saving. Therefore, there is a demand for conductive particles that can achieve a lower electric resistance value than ever before. In recent years, since the price of precious metals has risen, it is required to reduce the electric resistance value by using conductive particles that do not use precious metals.

例えば、下記特許文献１〜３には、貴金属を使用することなく、ニッケルのみを使用して低い電気抵抗値を有する導電粒子が開示されている。具体的には、特許文献１には、無電解ニッケルめっき法におけるニッケルめっき液の自己分解を利用して、非導電粒子にニッケルの微小突起とニッケル被膜とを同時に形成させ、表面に導電性の突起を有する導電粒子を製造する方法が記載されている。特許文献２には、基材微粒子の表面に芯物質となる導電性物質を付着させた後、当該基材微粒子に無電解ニッケルめっきを行うことで、表面に導電性の突起を有する導電粒子を製造する方法が記載されている。特許文献３には、基材微粒子の表面に芯物質となる非導電性物質を化学結合により吸着させた後、当該基材微粒子に無電解ニッケルめっきを行うことで、表面に導電性の突起を有する導電粒子を製造する方法が記載されている。 For example, the following Patent Documents 1 to 3 disclose conductive particles having a low electric resistance value by using only nickel without using a noble metal. Specifically, in Patent Document 1, by utilizing the self-decomposition of a nickel plating solution in an electroless nickel plating method, nickel fine protrusions and a nickel coating are simultaneously formed on non-conductive particles, and a conductive film is formed on the surface. A method of making conductive particles having protrusions is described. Patent Document 2 discloses that conductive particles having conductive protrusions on the surface are obtained by depositing a conductive substance as a core substance on the surface of the base particle and then performing electroless nickel plating on the base particle. A method of manufacturing is described. In Patent Document 3, after a non-conductive substance serving as a core substance is adsorbed on the surface of the base material fine particles by chemical bonding, electroconductive nickel plating is performed on the base material fine particles to form conductive protrusions on the surface. A method of making conductive particles having is described.

特許第５１８４６１２号公報Japanese Patent No. 5184612 特許第４６７４０９６号公報Japanese Patent No. 4674096 特許第４６４０５３１号公報Japanese Patent No. 4640531

異方導電性接着剤によりチップを実装する場合、接続する電極間の導通抵抗を低くし、なおかつ、チップにおける隣接する電極間の絶縁抵抗を充分高くする必要がある。近年、電極のパッド面積が小さくなってきており、電極間に捕捉される粒子の個数が少なくなってきているために、粒子一つ一つの導通抵抗を均一に低くすることが求められる。上記特許文献１〜３に記載の導電粒子を配合した異方導電性接着剤を用いた接続構造体は、接続初期においては充分な接続抵抗値を示す。しかしながら、これらの接続構造体を高温高湿下で保存した場合、接続抵抗値が上昇してしまうことがある。さらに、上記特許文献１〜３に記載の導電粒子を配合した異方導電性接着剤を用いた接続構造体においては、接続初期では充分な絶縁抵抗値が示されるが、高温高湿下で長期間導通を行うマイグレーション試験後では絶縁抵抗値が低下することがある。 When the chip is mounted with the anisotropic conductive adhesive, it is necessary to reduce the conduction resistance between the electrodes to be connected and to sufficiently increase the insulation resistance between the adjacent electrodes in the chip. In recent years, the pad area of the electrode has been reduced, and the number of particles trapped between the electrodes has been reduced. Therefore, it is required to uniformly reduce the conduction resistance of each particle. The connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles described in Patent Documents 1 to 3 exhibits a sufficient connection resistance value at the initial stage of connection. However, when these connection structures are stored under high temperature and high humidity, the connection resistance value may increase. Furthermore, in the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles described in Patent Documents 1 to 3 above, a sufficient insulation resistance value is shown at the initial stage of connection, but it is long under high temperature and high humidity. The insulation resistance value may decrease after the migration test for conducting for a certain period.

本発明の一側面は、異方導電性接着剤に配合される導電粒子として用いられたときに優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる導電粒子及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の一側面は、前記導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着剤及び接続構造体を提供することを目的とする。 One aspect of the present invention is to provide a conductive particle capable of achieving both excellent conduction reliability and insulation reliability when used as a conductive particle mixed in an anisotropic conductive adhesive, and a method for producing the same. With the goal. Another aspect of the present invention is to provide an insulating coated conductive particle using the conductive particle, an anisotropic conductive adhesive, and a connection structure.

本発明の一態様に係る導電粒子は、カチオン性ポリマーにより被覆された樹脂粒子、及び樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子を有する複合粒子と、複合粒子を覆う金属層と、を備え、非導電性無機粒子は、疎水化処理剤によって被覆されている。 Conductive particles according to one embodiment of the present invention, resin particles coated with a cationic polymer, and composite particles having non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles, and a metal layer covering the composite particles, The non-conductive inorganic particles are covered with a hydrophobizing agent.

この導電粒子によれば、樹脂粒子はカチオン性ポリマーにより被覆され、非導電性無機粒子は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、樹脂粒子と非導電性無機粒子との間には静電気力が働き、樹脂粒子の表面から非導電性無機粒子が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子の数の制御が容易になると共に、複合粒子に良好な突起が形成される。したがって、導電粒子が配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。このため、導電粒子が異方導電性接着剤に配合された場合等に当該導電粒子同士が導通しにくくなり、導電粒子の絶縁信頼性も向上する。したがって、上記導電粒子を異方導電性接着剤に配合することによって、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる。 According to the conductive particles, the resin particles are coated with the cationic polymer, and the non-conductive inorganic particles are coated with the hydrophobizing agent. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles shifts to the negative due to the hydrophobicization. As a result, electrostatic force acts between the resin particles and the non-conductive inorganic particles, and the non-conductive inorganic particles are less likely to fall off the surface of the resin particles. Therefore, it becomes easy to control the number of non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles, and good protrusions are formed on the composite particles. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Therefore, when the conductive particles are mixed with the anisotropic conductive adhesive, it becomes difficult for the conductive particles to conduct to each other, and the insulation reliability of the conductive particles is also improved. Therefore, by blending the conductive particles with the anisotropic conductive adhesive, excellent conduction reliability and insulation reliability can be achieved at the same time.

疎水化処理剤は、シラザン系疎水化処理剤、シロキサン系疎水化処理剤、シラン系疎水化処理剤、及びチタネート系疎水化処理剤からなる群より選ばれてもよい。 The hydrophobizing agent may be selected from the group consisting of silazane hydrophobizing agents, siloxane hydrophobizing agents, silane hydrophobizing agents, and titanate hydrophobizing agents.

疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザン、ポリジメチルシロキサン、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランからなる群より選ばれてもよい。 Hydrophobizing agent is hexamethylene Le disilazane, polydimethylsiloxane, and N, it may be selected from the group consisting of N- dimethylamino trimethylsilane.

メタノール滴定法による非導電性無機粒子の疎水化度は、３０％以上であってもよい。この場合、非導電性無機粒子と樹脂粒子との間に十分な静電気力が働く。 The degree of hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles by the methanol titration method may be 30% or more. In this case, a sufficient electrostatic force acts between the non-conductive inorganic particles and the resin particles.

非導電性無機粒子は、静電気力によって樹脂粒子に接着されていてもよい。 The non-conductive inorganic particles may be adhered to the resin particles by electrostatic force.

樹脂粒子と非導電性無機粒子とのゼータ電位の差は、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上であってもよい。この場合、樹脂粒子と非導電性無機粒子とが静電気力により強固に接着する。したがって、導電粒子における金属層を形成するための前処理工程、金属層の形成工程等の際に、樹脂粒子から非導電性無機粒子が脱落することを好適に抑制できる。 The difference in zeta potential between the resin particles and the non-conductive inorganic particles may be 30 mV or more at pH 1 or more and pH 11 or less. In this case, the resin particles and the non-conductive inorganic particles are firmly adhered by the electrostatic force. Therefore, it is possible to favorably prevent the non-conductive inorganic particles from falling off from the resin particles during the pretreatment step for forming the metal layer in the conductive particles, the metal layer forming step, and the like.

カチオン性ポリマーは、ポリアミン、ポリイミン、ポリアミド、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、ポリビニルアミン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール及びポリビニルピロリドンからなる群より選ばれてもよい。 The cationic polymer may be selected from the group consisting of polyamines, polyimines, polyamides, polydiallyldimethylammonium chloride, polyvinylamines, polyvinylpyridines, polyvinylimidazoles and polyvinylpyrrolidones.

カチオン性ポリマーは、ポリエチレンイミンであってもよい。この場合、カチオン性ポリマーの電荷密度が高くなるので、非導電性無機粒子の脱落を良好に抑制できる。 The cationic polymer may be polyethyleneimine. In this case, since the charge density of the cationic polymer is high, it is possible to favorably prevent the non-conductive inorganic particles from falling off.

非導電性無機粒子の平均粒径は、２５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であってもよい。この場合、導電粒子は緻密な突起を多数有することができると共に、非導電性無機粒子が樹脂粒子から脱落しにくくなる。 The average particle size of the non-conductive inorganic particles may be 25 nm or more and 120 nm or less. In this case, the conductive particles can have a large number of dense protrusions, and the non-conductive inorganic particles are less likely to fall off from the resin particles.

樹脂粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。この場合、例えば、導電粒子を含む異方導電性接着剤を用いて接続構造体を作製した際に、当該接続構造体の電極の形状（高さ）のばらつきによって、当該異方導電性接着剤の導電性等が変化しにくくなる。 The average particle size of the resin particles may be 1 μm or more and 10 μm or less. In this case, for example, when a connection structure is manufactured using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles, the anisotropic conductive adhesive may vary due to variations in the shape (height) of the electrodes of the connection structure. It becomes difficult for the conductivity and the like to change.

非導電性無機粒子は、シリカ、ジルコニア、アルミナ、及びダイヤモンドからなる群より選ばれてもよい。 The non-conductive inorganic particles may be selected from the group consisting of silica, zirconia, alumina, and diamond.

金属層は、ニッケルを含有する第１層を有してもよい。この場合、導電粒子の硬度を高めることができる。これにより、当該導電粒子が圧縮された場合であっても非導電性無機粒子上に形成されて突起部分となった第１層は、押し潰されにくくなる。したがって、導電粒子は、低い導通抵抗を得ることができる。 The metal layer may have a first layer containing nickel. In this case, the hardness of the conductive particles can be increased. As a result, even when the conductive particles are compressed, the first layer formed on the non-conductive inorganic particles and serving as the protruding portion is less likely to be crushed. Therefore, the conductive particles can obtain low conduction resistance.

金属層は、第１層上に設けられる第２層を有し、第２層は、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる金属を含有してもよい。この場合、導電粒子は、一層低い導通抵抗を得ることができる。 The metal layer has a second layer provided on the first layer, and the second layer may contain a metal selected from the group consisting of a noble metal and cobalt. In this case, the conductive particles can obtain a lower conduction resistance.

本発明の他の一態様に係る絶縁被覆導電粒子は、上記導電粒子と、当該導電粒子の金属層の外表面の少なくとも一部を被覆する絶縁性被覆部と、を備える。 An insulating coated conductive particle according to another aspect of the present invention includes the conductive particle and an insulating coating portion that covers at least a part of the outer surface of the metal layer of the conductive particle.

この絶縁被覆導電粒子によれば、樹脂粒子はカチオン性ポリマーにより被覆され、非導電性無機粒子は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、樹脂粒子と非導電性無機粒子との間には静電気力が働き、樹脂粒子の表面から非導電性無機粒子が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子の数の制御が容易になると共に、複合粒子に良好な突起が形成される。したがって、導電粒子が配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。さらには、金属層の外表面に設けられた絶縁性被覆部により、絶縁被覆導電粒子の金属層同士が接触しにくくなる。これにより、絶縁被覆導電粒子が異方導電性接着剤に配合された場合等に絶縁被覆導電粒子同士が導通しにくくなり、当該絶縁被覆導電粒子を用いた接続構造体等の絶縁信頼性も好適に向上する。したがって、上記導電粒子を異方導電性接着剤に配合することによって、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる。 According to the insulating coated conductive particles, the resin particles are coated with the cationic polymer and the non-conductive inorganic particles are coated with the hydrophobizing agent. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles shifts to the negative due to the hydrophobization. As a result, electrostatic force acts between the resin particles and the non-conductive inorganic particles, and the non-conductive inorganic particles are less likely to fall off the surface of the resin particles. Therefore, it becomes easy to control the number of non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles, and good protrusions are formed on the composite particles. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Furthermore, the insulating coating portion provided on the outer surface of the metal layer makes it difficult for the metal layers of the insulating coated conductive particles to come into contact with each other. Thereby, when the insulating coated conductive particles are mixed with the anisotropic conductive adhesive, it becomes difficult for the insulating coated conductive particles to conduct each other, and the insulation reliability of the connection structure or the like using the insulating coated conductive particles is also suitable. Improve to. Therefore, by blending the conductive particles with the anisotropic conductive adhesive, excellent conduction reliability and insulation reliability can be achieved at the same time.

本発明の他の一態様に係る接続構造体は、第１回路電極を有する第１回路部材と、第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、第１回路部材及び第２回路部材の間に配置され、上記導電粒子を含有する接続部と、を備え、接続部は、第１回路電極と第２回路電極とが対向するように配置された状態で第１回路部材及び第２回路部材を互いに接続し、第１回路電極と第２回路電極とは、変形した状態の導電粒子を介して互いに電気的に接続される。 A connection structure according to another aspect of the present invention includes a first circuit member having a first circuit electrode, a second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode, and a first circuit member. And a connecting portion that is arranged between the second circuit member and contains the conductive particles, and the connecting portion is the first portion in a state where the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other. The circuit member and the second circuit member are connected to each other, and the first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected to each other via the conductive particles in a deformed state.

この接続構造体によれば、上記導電粒子が含有された接続部を備えることにより高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、接続部内にて樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。したがって、接続部内にて導電粒子同士が導通しにくくなり、絶縁信頼性も好適に向上する。したがって、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立した接続構造体を提供できる。 According to this connection structure, the connection reliability including the conductive particles is improved even when the connection structure is stored under high temperature and high humidity. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles in the connecting portion is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Therefore, the conductive particles are less likely to be electrically connected to each other in the connection portion, and the insulation reliability is also suitably improved. Therefore, it is possible to provide a connection structure having both excellent conduction reliability and insulation reliability.

本発明の他の一態様に係る接続構造体は、第１回路電極を有する第１回路部材と、第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、第１回路部材及び第２回路部材の間に配置され、上記絶縁被覆導電粒子を含有する接続部と、を備え、接続部は、第１回路電極と第２回路電極とが対向するように配置された状態で第１回路部材及び第２回路部材を互いに接続し、第１回路電極と第２回路電極とは、変形した状態の絶縁被覆導電粒子を介して互いに電気的に接続される。 A connection structure according to another aspect of the present invention includes a first circuit member having a first circuit electrode, a second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode, and a first circuit member. And a connection part that is disposed between the second circuit member and contains the insulating coated conductive particles, and the connection part is arranged such that the first circuit electrode and the second circuit electrode face each other. The first circuit member and the second circuit member are connected to each other, and the first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected to each other through the insulating coated conductive particles in a deformed state.

この接続構造体によれば、上記絶縁被覆導電粒子が含有された接続部を備えることにより、高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、接続部内にて樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。さらには、金属層の外表面に設けられた絶縁性被覆部により、絶縁被覆導電粒子の金属層同士が接触しにくくなる。したがって、接続部内にて絶縁被覆導電粒子同士が導通しにくくなり、絶縁信頼性も好適に向上する。したがって、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立した接続構造体を提供できる。 According to this connection structure, the connection reliability containing the insulating coated conductive particles is improved even when the connection structure is stored under high temperature and high humidity. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles in the connecting portion is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Furthermore, the insulating coating portion provided on the outer surface of the metal layer makes it difficult for the metal layers of the insulating coated conductive particles to come into contact with each other. Therefore, the insulating coated conductive particles are less likely to be electrically connected to each other in the connection portion, and the insulation reliability is also suitably improved. Therefore, it is possible to provide a connection structure having both excellent conduction reliability and insulation reliability.

本発明の他の一態様に係る異方導電性接着剤は、上記導電粒子と、導電粒子が分散された接着剤と、を備える。 An anisotropic conductive adhesive according to another aspect of the present invention includes the conductive particles and an adhesive in which the conductive particles are dispersed.

この異方導電性接着剤によれば、樹脂粒子はカチオン性ポリマーにより被覆され、非導電性無機粒子は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、樹脂粒子と非導電性無機粒子との間には静電気力が働き、樹脂粒子の表面から非導電性無機粒子が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子の数の制御が容易になると共に、複合粒子に良好な突起が形成される。したがって、当該異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。さらには、脱落した非導電性無機粒子が金属によってコーティングされて形成される金属異物は、接着剤中に存在しにくい。したがって、導電粒子同士が良好に導通しにくくなり、当該異方導電性接着剤を用いた接続構造体等の絶縁信頼性も好適に向上する。 According to this anisotropic conductive adhesive, the resin particles are coated with the cationic polymer, and the non-conductive inorganic particles are coated with the hydrophobizing agent. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles shifts to the negative due to the hydrophobization. As a result, electrostatic force acts between the resin particles and the non-conductive inorganic particles, and the non-conductive inorganic particles are less likely to fall off the surface of the resin particles. Therefore, it becomes easy to control the number of non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles, and good protrusions are formed on the composite particles. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Furthermore, the metallic foreign matter formed by coating the separated non-conductive inorganic particles with a metal is unlikely to exist in the adhesive. Therefore, it becomes difficult for the conductive particles to conduct well to each other, and the insulation reliability of the connection structure or the like using the anisotropic conductive adhesive is also suitably improved.

本発明の他の一態様に係る異方導電性接着剤は、上記絶縁被覆導電粒子と、絶縁被覆導電粒子が分散された接着剤と、を備える。 An anisotropic conductive adhesive according to another aspect of the present invention includes the insulating coated conductive particles and an adhesive in which the insulating coated conductive particles are dispersed.

この異方導電性接着剤によれば、樹脂粒子はカチオン性ポリマーにより被覆され、非導電性無機粒子は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、樹脂粒子と非導電性無機粒子との間には静電気力が働き、樹脂粒子の表面から非導電性無機粒子が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子の数の制御が容易になると共に、複合粒子に良好な突起が形成される。したがって、当該異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。また、樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数が低減されるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。加えて、金属層の外表面に設けられた絶縁性被覆部により、導電粒子の金属層同士が接触しにくくなる。さらには、脱落した非導電性無機粒子が金属によってコーティングされて形成される金属異物は、接着剤中に存在しにくい。したがって、導電粒子同士が良好に導通しにくくなり、当該導電粒子を用いた接続構造体等の絶縁信頼性も好適に向上する。 According to this anisotropic conductive adhesive, the resin particles are coated with the cationic polymer, and the non-conductive inorganic particles are coated with the hydrophobizing agent. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles shifts to the negative due to the hydrophobization. As a result, electrostatic force acts between the resin particles and the non-conductive inorganic particles, and the non-conductive inorganic particles are less likely to fall off the surface of the resin particles. Therefore, it becomes easy to control the number of non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles, and good protrusions are formed on the composite particles. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. Moreover, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off from the resin particles is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. In addition, the insulating coating portion provided on the outer surface of the metal layer makes it difficult for the metal layers of the conductive particles to come into contact with each other. Furthermore, the metallic foreign matter formed by coating the separated non-conductive inorganic particles with a metal is unlikely to exist in the adhesive. Therefore, it becomes difficult for the conductive particles to conduct well, and the insulation reliability of the connection structure or the like using the conductive particles is also suitably improved.

上記異方導電性接着剤において、接着剤がフィルム状であってもよい。 In the anisotropic conductive adhesive, the adhesive may be in the form of a film.

本発明の他の一態様に係る接続構造体は、第１回路電極を有する第１回路部材と、第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、第１回路部材及び第２回路部材を接着する、上記異方導電性接着剤と、を備え、第１回路電極と第２回路電極とは、互いに対向すると共に、異方導電性接着剤によって互いに電気的に接続される。 A connection structure according to another aspect of the present invention includes a first circuit member having a first circuit electrode, a second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode, and a first circuit member. And the anisotropic conductive adhesive for adhering the second circuit member, wherein the first circuit electrode and the second circuit electrode face each other and are electrically connected to each other by the anisotropic conductive adhesive. To be done.

この接続構造体によれば、上記異方導電性接着剤によって第１回路部材及び第２回路部材が互いに電気的に接続されることにより、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる。 According to this connection structure, the first circuit member and the second circuit member are electrically connected to each other by the anisotropic conductive adhesive, thereby achieving both excellent conduction reliability and insulation reliability. it can.

本発明の他の一態様に係る導電粒子の製造方法は、樹脂粒子をカチオン性ポリマーにより被覆する第１被覆工程と、非導電性無機粒子を疎水化処理剤によって被覆する第２被覆工程と、樹脂粒子の表面に非導電性無機粒子を静電気力により接着し、複合粒子を形成する粒子形成工程と、複合粒子を金属層によって被覆する第３被覆工程と、を備える。 A method for producing conductive particles according to another aspect of the present invention, a first coating step of coating the resin particles with a cationic polymer, a second coating step of coating the non-conductive inorganic particles with a hydrophobizing agent, A non-conductive inorganic particle is adhered to the surface of the resin particle by electrostatic force to form a composite particle, and a third coating step of coating the composite particle with a metal layer.

この製造方法によれば、第１被覆工程にて樹脂粒子はカチオン性ポリマーにより被覆され、第２被覆工程にて非導電性無機粒子は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、粒子形成工程にて、樹脂粒子と非導電性無機粒子との間には静電気力が働くので、第３被覆工程を行った場合であっても、樹脂粒子の表面から非導電性無機粒子が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子の表面に配置する非導電性無機粒子の数を容易に制御できると共に、複合粒子に良好な突起を形成できる。したがって、導電粒子が配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子から脱落する非導電性無機粒子の数を低減できるので、複合粒子に異常に成長した突起が発生しにくくなる。したがって、導電粒子同士が導通しにくくなり、当該導電粒子を用いた接続構造体等の絶縁信頼性も向上する。 According to this manufacturing method, the resin particles are coated with the cationic polymer in the first coating step, and the non-conductive inorganic particles are coated with the hydrophobizing agent in the second coating step. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles shifts to the negative due to the hydrophobization. As a result, in the particle forming step, an electrostatic force acts between the resin particles and the non-conductive inorganic particles, so that even when the third coating step is performed, the non-conductive inorganic particles are not removed from the surface of the resin particles. Particles are less likely to fall off. Therefore, the number of non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles can be easily controlled, and good projections can be formed on the composite particles. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles that fall off the resin particles can be reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles. Therefore, it becomes difficult for the conductive particles to conduct to each other, and the insulation reliability of the connection structure or the like using the conductive particles is also improved.

第３被覆工程では、複合粒子を、無電解めっきによりニッケルを含有する第１層によって被覆してもよい。これにより、当該導電粒子が圧縮された場合であっても非導電性無機粒子上に形成されて突起部分となった第１層が押し潰されにくくなる。したがって、導電粒子は、低い導通抵抗を得ることができる。 In the third coating step, the composite particles may be coated with the first layer containing nickel by electroless plating. As a result, even when the conductive particles are compressed, the first layer formed on the non-conductive inorganic particles and serving as the protruding portion is less likely to be crushed. Therefore, the conductive particles can obtain low conduction resistance.

第３被覆工程では、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる金属を含有する第２層によって第１層に覆われた複合粒子を被覆してもよい。この場合、導電粒子は、一層低い導通抵抗を得ることができる。 In the third coating step, the composite particles covered with the first layer may be coated with the second layer containing a metal selected from the group consisting of a noble metal and cobalt. In this case, the conductive particles can obtain a lower conduction resistance.

樹脂粒子と非導電性無機粒子とのゼータ電位の差は、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上であってもよい。この場合、樹脂粒子と非導電性無機粒子とが静電気力により強固に接着する。したがって、第３被覆工程の際等に、樹脂粒子から非導電性無機粒子が脱落することを好適に抑制できる。 The difference in zeta potential between the resin particles and the non-conductive inorganic particles may be 30 mV or more at pH 1 or more and pH 11 or less. In this case, the resin particles and the non-conductive inorganic particles are firmly adhered by the electrostatic force. Therefore, it is possible to preferably prevent the non-conductive inorganic particles from falling off from the resin particles during the third coating step or the like.

本発明の一側面によれば、異方導電性接着剤に配合される導電粒子として用いられたときに優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる導電粒子及びその製造方法が提供される。また、本発明の一側面によれば、当該導電粒子を用いた絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着剤及び接続構造体が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a conductive particle capable of achieving both excellent conduction reliability and insulation reliability when used as a conductive particle mixed with an anisotropic conductive adhesive, and a method for producing the same. To be done. Further, according to one aspect of the present invention, there are provided insulating coated conductive particles, an anisotropic conductive adhesive and a connection structure using the conductive particles.

図１は、第１実施形態に係る導電粒子を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment. 図２は、第１実施形態に係る導電粒子を示す模式拡大断面図である。FIG. 2 is a schematic enlarged cross-sectional view showing the conductive particles according to the first embodiment. 図３は、第２実施形態に係る導電粒子を示す模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment. 図４は、第２実施形態に係る導電粒子を示す模式拡大断面図である。FIG. 4 is a schematic enlarged cross-sectional view showing the conductive particles according to the second embodiment. 図５は、第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子を示す模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the insulating coated conductive particles according to the third embodiment. 図６は、第５実施形態に係る接続構造体を示す模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the connection structure according to the fifth embodiment. 図７は、第５実施形態に係る接続構造体の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the method for manufacturing the connection structure according to the fifth embodiment. 図８は、実施例１の導電粒子の作製における工程ｄで得られた粒子を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 8 is an SEM image of the particles obtained in step d in the production of the conductive particles of Example 1 observed. 図９は、実施例１の導電粒子の作製における工程ｄで得られた粒子の表面を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 9 is an SEM image of the surface of the particles obtained in step d in the production of the conductive particles of Example 1. 図１０は、実施例１の導電粒子の作製における工程ｆで得られた粒子を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 10 is an SEM image obtained by observing the particles obtained in step f in the production of the conductive particles of Example 1. 図１１は、実施例１の導電粒子の作製における工程ｆで得られた粒子の表面を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 11 is an SEM image of the surface of the particles obtained in step f in the production of the conductive particles of Example 1. 図１２は、トリミング加工を説明するための模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram for explaining the trimming process. 図１３は、ＴＥＭ測定用の薄膜切片を作製する方法を説明するための模式図である。FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a method for producing a thin film section for TEM measurement. 図１４は、異常析出部を説明するための模式図である。FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the abnormal deposition portion. 図１５は、比較例１において、パラジウム触媒が固着化された樹脂粒子を浸漬した後、超音波分散することで得られた粒子を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 15 is an SEM image obtained by observing the particles obtained by ultrasonically dispersing the resin particles to which the palladium catalyst has been fixed in Comparative Example 1 after immersion. 図１６は、比較例１において、第１層のｂ層形成後の導電粒子を観察したＳＥＭ画像である。FIG. 16 is an SEM image of the conductive particles after the formation of the first layer b layer in Comparative Example 1.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

（第１実施形態）
以下、第１実施形態に係る導電粒子について説明する。(First embodiment)
Hereinafter, the conductive particles according to the first embodiment will be described.

＜導電粒子＞
図１は、第１実施形態に係る導電粒子を示す模式断面図である。図１に示す導電粒子１００ａは、導電粒子のコアを構成する樹脂粒子１０１、及び当該樹脂粒子１０１の表面に配置される非導電性無機粒子１０２を有する複合粒子１０３と、複合粒子１０３を覆う第１層１０４とを備える。樹脂粒子１０１に接着された非導電性無機粒子１０２の形状を反映し、第１層１０４の表面には、突起１０９が形成される。樹脂粒子１０１は、後述するカチオン性ポリマーにより被覆されたものである。非導電性無機粒子１０２は、後述する疎水性処理剤により被覆されたものである。第１層１０４は、金属を少なくとも含む導電層である。第１層１０４は、金属層でもよいし、合金層でもよい。<Conductive particles>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment. A conductive particle 100a shown in FIG. 1 is a resin particle 101 forming a core of the conductive particle, a composite particle 103 having a non-conductive inorganic particle 102 arranged on the surface of the resin particle 101, and a composite particle 103 covering the composite particle 103. 1 layer 104 and. Protrusions 109 are formed on the surface of the first layer 104, reflecting the shape of the non-conductive inorganic particles 102 adhered to the resin particles 101. The resin particles 101 are coated with a cationic polymer described later. The non-conductive inorganic particles 102 are coated with a hydrophobic treatment agent described later. The first layer 104 is a conductive layer containing at least a metal. The first layer 104 may be a metal layer or an alloy layer.

導電粒子１００ａの平均粒径は、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよい。導電粒子１００ａの平均粒径は、例えば、１０μｍ以下でもよく、５μｍ以下でもよい。つまり、導電粒子１００ａの平均粒径は、例えば、１〜１０μｍである。導電粒子１００ａの平均粒径が上記範囲内であることにより、例えば、導電粒子１００ａを含む異方導電性接着剤を用いて接続構造体を作製した場合に、当該接続構造体の電極の形状（高さ）のばらつきによって、当該異方導電性接着剤の導電性等が変化しにくくなる。導電粒子１００ａの平均粒径は、走査型電子顕微鏡（以下、「ＳＥＭ」という）を用いた観察により任意の導電粒子３００個の粒径の測定を行うことにより得られる平均値としてもよい。導電粒子１００ａは突起１０９を有するため、導電粒子１００ａの粒径は、ＳＥＭにて撮影した画像において導電粒子１００ａに外接する円の直径とする。精度を上げて導電粒子１００ａの平均粒径を測定するためには、コールターカウンター等の市販の装置を用いることができる。この場合、導電粒子５００００個の粒径の測定を行えば、高い精度で平均粒径を測定することができる。例えば、ＣＯＵＬＥＲ ＭＵＬＴＩＳＩＺＥＲ ＩＩ（ベックマン・コールター株式会社製、商品名）により５００００個の導電粒子を測定することにより、導電粒子１００ａの平均粒径を測定してもよい。 The average particle diameter of the conductive particles 100a may be, for example, 1 μm or more, or 2 μm or more. The average particle size of the conductive particles 100a may be, for example, 10 μm or less, or 5 μm or less. That is, the average particle diameter of the conductive particles 100a is, for example, 1 to 10 μm. When the average particle diameter of the conductive particles 100a is within the above range, for example, when a connection structure is manufactured using an anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles 100a, the shape of the electrode of the connection structure ( The variation in height makes it difficult for the anisotropic conductive adhesive to change its conductivity. The average particle size of the conductive particles 100a may be an average value obtained by measuring the particle size of 300 arbitrary conductive particles by observation with a scanning electron microscope (hereinafter referred to as “SEM”). Since the conductive particles 100a have the protrusions 109, the particle size of the conductive particles 100a is the diameter of the circle circumscribing the conductive particles 100a in the image photographed by the SEM. In order to increase the accuracy and measure the average particle diameter of the conductive particles 100a, a commercially available device such as a Coulter counter can be used. In this case, if the particle size of 50,000 conductive particles is measured, the average particle size can be measured with high accuracy. For example, the average particle size of the conductive particles 100a may be measured by measuring 50,000 conductive particles with COULER MULTISIZER II (trade name, manufactured by Beckman Coulter, Inc.).

＜樹脂粒子＞
樹脂粒子１０１は、有機樹脂から構成される。有機樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等の（メタ）アクリル樹脂；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂；ポリイソブチレン樹脂；ポリブタジエン樹脂などが挙げられる。樹脂粒子１０１としては、架橋（メタ）アクリル粒子、架橋ポリスチレン粒子等の有機樹脂を架橋して得られた粒子も使用できる。樹脂粒子は、上記有機樹脂の一種から構成されてもよいし、上記有機樹脂の二種以上を組み合わせて構成されてもよい。有機樹脂は、上記樹脂に限定されない。<Resin particles>
The resin particles 101 are made of organic resin. Examples of the organic resin include (meth)acrylic resins such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene; polyisobutylene resins; polybutadiene resins. As the resin particles 101, particles obtained by crosslinking an organic resin such as crosslinked (meth)acrylic particles and crosslinked polystyrene particles can also be used. The resin particles may be composed of one of the above organic resins, or may be composed of a combination of two or more of the above organic resins. The organic resin is not limited to the above resins.

樹脂粒子１０１は、球状である。樹脂粒子１０１の平均粒径は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下でもよい。樹脂粒子１０１の平均粒径は、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよい。樹脂粒子１０１の平均粒径が１μｍ以上であることにより、導電粒子１００ａの変形量が十分に確保される。樹脂粒子１０１の平均粒径は、例えば、１０μｍ以下でもよく、５μｍ以下でもよい。樹脂粒子１０１の平均粒径が１０μｍ以下であることにより、粒径のばらつきが抑制され、導電粒子１００ａにおける接続抵抗値のばらつきが抑制される。樹脂粒子１０１の平均粒径は、ＳＥＭを用いた観察によって任意の樹脂粒子３００個の粒径の測定を行うことにより得られる平均値とする。 The resin particles 101 are spherical. The average particle diameter of the resin particles 101 may be, for example, 1 μm or more and 10 μm or less. The average particle diameter of the resin particles 101 may be, for example, 1 μm or more, or 2 μm or more. When the average particle size of the resin particles 101 is 1 μm or more, the amount of deformation of the conductive particles 100a is sufficiently secured. The average particle size of the resin particles 101 may be, for example, 10 μm or less, or 5 μm or less. When the average particle diameter of the resin particles 101 is 10 μm or less, variation in particle diameter is suppressed, and variation in connection resistance value of the conductive particles 100a is suppressed. The average particle size of the resin particles 101 is an average value obtained by measuring the particle size of 300 arbitrary resin particles by observation using an SEM.

＜樹脂粒子の表面処理＞
上述したように、樹脂粒子１０１には、表面処理としてカチオン性ポリマーが被覆される。このカチオン性ポリマーとしては、一般に、ポリアミン等のように正荷電を帯びることのできる官能基を有する高分子化合物が挙げられる。カチオン性ポリマーは、例えば、ポリアミン、ポリイミン、ポリアミド、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、ポリビニルアミン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール及びポリビニルピロリドンからなる群より選ばれてもよい。電荷密度が高く、負の電荷を持った表面及び材料との結合力が強い観点から、ポリイミンが好ましく、ポリエチレンイミンがより好ましい。カチオン性ポリマーは、水、又は、水と有機溶媒との混合溶液に可溶であってもよい。カチオン性ポリマーの分子量は、用いるカチオン性ポリマーの種類により変化するが、例えば、５００〜２０００００程度である。<Surface treatment of resin particles>
As described above, the resin particles 101 are coated with a cationic polymer as a surface treatment. Examples of the cationic polymer generally include high molecular compounds having a functional group capable of being positively charged, such as polyamine. The cationic polymer may be selected, for example, from the group consisting of polyamines, polyimines, polyamides, polydiallyldimethylammonium chlorides, polyvinylamines, polyvinylpyridines, polyvinylimidazoles and polyvinylpyrrolidones. Polyimine is preferable, and polyethyleneimine is more preferable, from the viewpoint of high charge density and strong binding force to the surface and material having a negative charge. The cationic polymer may be soluble in water or a mixed solution of water and an organic solvent. The molecular weight of the cationic polymer varies depending on the type of cationic polymer used, but is, for example, about 500 to 200,000.

カチオン性ポリマーの種類及び分子量を調整することにより、非導電性無機粒子１０２による樹脂粒子１０１の被覆率をコントロールすることができる。具体的には、ポリエチレンイミン等の電荷密度が高いカチオン性ポリマーによって樹脂粒子１０１が被覆された場合、非導電性無機粒子１０２の被覆率（非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１を被覆する割合）が高くなる傾向がある。一方、電荷密度の低いカチオン性ポリマーによって樹脂粒子１０１が被覆された場合、非導電性無機粒子１０２の被覆率が低くなる傾向がある。カチオン性ポリマーの分子量が大きい場合、非導電性無機粒子１０２の被覆率が高くなる傾向があり、カチオン性ポリマーの分子量が小さい場合、非導電性無機粒子１０２の被覆率が低くなる傾向がある。 The coverage of the resin particles 101 with the non-conductive inorganic particles 102 can be controlled by adjusting the type and molecular weight of the cationic polymer. Specifically, when the resin particles 101 are coated with a cationic polymer having a high charge density such as polyethyleneimine, the coverage of the non-conductive inorganic particles 102 (the ratio of the non-conductive inorganic particles 102 coating the resin particles 101). ) Tends to be high. On the other hand, when the resin particles 101 are coated with a cationic polymer having a low charge density, the coverage of the non-conductive inorganic particles 102 tends to be low. When the molecular weight of the cationic polymer is large, the coverage of the non-conductive inorganic particles 102 tends to be high, and when the molecular weight of the cationic polymer is small, the coverage of the non-conductive inorganic particles 102 tends to be low.

カチオン性ポリマーは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）イオン、アルカリ土類金属（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）イオン、及びハロゲン化物イオン（フッ素イオン、クロライドイオン、臭素イオン、ヨウ素イオン）を実質的に含まなくてもよい。この場合、カチオン性ポリマーが被覆された樹脂粒子１０１のエレクトロマイグレーション及び腐食が抑制される。 Cationic polymers include alkali metal (Li, Na, K, Rb, Cs) ions, alkaline earth metal (Ca, Sr, Ba, Ra) ions, and halide ions (fluorine ion, chloride ion, bromine ion, iodine). Ion) may be substantially absent. In this case, electromigration and corrosion of the resin particles 101 coated with the cationic polymer are suppressed.

カチオン性ポリマーに被覆される前の樹脂粒子１０１は、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、グリシジル基及びアルコキシカルボニル基から選ばれる官能基を表面に有する。これにより、樹脂粒子１０１の表面にカチオン性ポリマーが吸着しやすくなる。 The resin particles 101 before being coated with the cationic polymer have a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, a glycidyl group and an alkoxycarbonyl group on the surface. This facilitates adsorption of the cationic polymer on the surface of the resin particles 101.

カチオン性ポリマーが被覆された樹脂粒子１０１のゼータ電位は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒とを含んだ混合溶液のいずれにおいても、プラス（正の値）になることが好ましい。一般に、ｐＨが低い程、微粒子のゼータ電位はよりプラスになる。このため、第１層１０４を形成するためのめっき液、及び、めっきの前処理工程で使用される前処理液のｐＨを６以下にコントロールすることが好ましい。 The zeta potential of the resin particles 101 coated with the cationic polymer is preferably a positive value (positive value) in any of water, an organic solvent, or a mixed solution containing water and an organic solvent. Generally, the lower the pH, the more positive the zeta potential of the particles. For this reason, it is preferable to control the pH of the plating solution for forming the first layer 104 and the pretreatment solution used in the pretreatment step of plating to 6 or less.

樹脂粒子１０１のゼータ電位は、例えば、ゼータ電位プローブ（Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、商品名「ＤＴ３００」）を用いて、コロイド振動電位を測定することにより、もしくは、Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ ＺＳ（Ｍａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、商品名）を用いたレーザドップラー速度計測により電気泳動移動度を測定することによって、測定することができる。 The zeta potential of the resin particles 101 is measured, for example, by using a zeta potential probe (manufactured by Dispersion Technologies, trade name “DT300”) to measure the colloidal vibration potential, or by Zetasizer ZS (manufactured by Malvern Instruments, trade name). ) Can be measured by measuring the electrophoretic mobility by laser Doppler velocimetry.

＜非導電性無機粒子＞
非導電性無機粒子１０２は、後述するように、静電気力により樹脂粒子１０１に強固に接着されている。非導電性無機粒子１０２の形状は、特に制限されないが、楕円体、球体、半球体、略楕円体、略球体、略半球体等である。これらの中でも楕円体又は球体であることが好ましい。<Non-conductive inorganic particles>
The non-conductive inorganic particles 102 are firmly adhered to the resin particles 101 by electrostatic force, as will be described later. The shape of the non-conductive inorganic particles 102 is not particularly limited, but may be an ellipsoid, a sphere, a hemisphere, a substantially ellipsoid, a substantially sphere, a substantially hemisphere, or the like. Of these, an ellipsoid or a sphere is preferable.

第１層１０４の形成前であって第１層１０４形成における前処理（詳細は後述する）の終了後の段階で、非導電性無機粒子１０２による樹脂粒子１０１の被覆率が２０〜８０％となればよい。導電粒子１００ａの絶縁性及び導電性の効果をより確実に得る観点から、上記被覆率は、２５％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、７０％以下であってもよく、６０％以下であってもよい。本実施形態では、「被覆率」は、樹脂粒子１０１の正投影面において、当該樹脂粒子１０１の直径の１／２の直径を有する同心円内における非導電性無機粒子１０２の表面積の割合を意味する。具体的には、非導電性無機粒子１０２が形成された樹脂粒子１０１をＳＥＭにより３万倍で観察して得られる画像を解析し、樹脂粒子１０１の表面において非導電性無機粒子１０２が占める割合を算出する。 The coverage of the resin particles 101 with the non-conductive inorganic particles 102 is 20 to 80% before the formation of the first layer 104 and after the completion of the pretreatment (details will be described later) in the formation of the first layer 104. It should be. From the viewpoint of more reliably obtaining the insulating property and the conductive effect of the conductive particles 100a, the coverage may be 25% or more, 30% or more, and 70% or less. , 60% or less. In the present embodiment, the “coverage” means the ratio of the surface area of the non-conductive inorganic particles 102 within a concentric circle having a diameter of ½ of the diameter of the resin particle 101 on the orthographic plane of the resin particle 101. .. Specifically, an image obtained by observing the resin particles 101 on which the non-conductive inorganic particles 102 are formed with a SEM at 30,000 times is analyzed, and the ratio of the non-conductive inorganic particles 102 on the surface of the resin particles 101 To calculate.

第１層１０４の外表面に充分な数の突起１０９を形成し、導電粒子１００ａが電極などに接続したときの導通抵抗を更に下げる観点から、非導電性無機粒子１０２は、導電粒子１００ａの径方向に垂直な方向（表面）に点在的に配置されてもよい。非導電性無機粒子１０２同士は互いに接触することなく、導電粒子１００ａの径方向に垂直な方向（表面）に点在的に配置されてもよい。互いに接触する非導電性無機粒子１０２の数は、例えば、一つの導電粒子１００ａ中に１５個以下でもよく、７個以下でもよく、０個でもよい。０個とは、一つの導電粒子１００ａの表面に配置される非導電性無機粒子１０２同士が接触せず、すべての非導電性無機粒子１０２が点在的に配置されていることを意味する。 From the viewpoint of forming a sufficient number of protrusions 109 on the outer surface of the first layer 104 to further reduce the conduction resistance when the conductive particles 100a are connected to an electrode or the like, the non-conductive inorganic particles 102 have a diameter of the conductive particles 100a. It may be scattered in a direction (surface) perpendicular to the direction. The non-conductive inorganic particles 102 may not be in contact with each other, but may be scattered in a direction (surface) perpendicular to the radial direction of the conductive particles 100a. The number of non-conductive inorganic particles 102 that are in contact with each other may be, for example, 15 or less, 7 or less, or 0 in one conductive particle 100a. The number of 0 means that the non-conductive inorganic particles 102 arranged on the surface of one conductive particle 100a are not in contact with each other, and all the non-conductive inorganic particles 102 are scattered.

非導電性無機粒子１０２を形成する材料は、第１層１０４を形成する材料よりも硬くてもよい。これにより、導電粒子が電極等に突き刺さりやすくなり、導電性が向上する。つまり、導電粒子全体を硬くするのではなく、導電粒子の一部を硬くするという考え方である。例えば、非導電性無機粒子１０２を形成する材料のモース硬度は、第１層１０４を形成する金属のモース硬度よりも大きい。具体的には、非導電性無機粒子１０２を形成する材料のモース硬度は、５以上である。加えて、非導電性無機粒子１０２を形成する材料のモース硬度と第１層１０４を形成する金属のモース硬度との差は、１．０以上であってもよい。第１層１０４が複数の金属を含有する場合、非導電性無機粒子１０２のモース硬度が全ての金属のモース硬度よりも高くてもよい。具体例としては、非導電性無機粒子１０２を形成する材料は、シリカ（二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、モース硬度６〜７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）からなる群から選ばれてもよい。非導電性無機粒子１０２の表面には水酸基（−ＯＨ）が形成されており、上述したように疎水化処理剤が被覆されている。上記モース硬度の値は、「化学大辞典」（共立出版株式会社発行）を参照した。The material forming the non-conductive inorganic particles 102 may be harder than the material forming the first layer 104. As a result, the conductive particles are more likely to pierce the electrode or the like, and the conductivity is improved. That is, the idea is not to harden the entire conductive particles, but to harden a part of the conductive particles. For example, the Mohs hardness of the material forming the non-conductive inorganic particles 102 is higher than the Mohs hardness of the metal forming the first layer 104. Specifically, the Mohs hardness of the material forming the non-conductive inorganic particles 102 is 5 or more. In addition, the difference between the Mohs hardness of the material forming the non-conductive inorganic particles 102 and the Mohs hardness of the metal forming the first layer 104 may be 1.0 or more. When the first layer 104 contains a plurality of metals, the Mohs hardness of the non-conductive inorganic particles 102 may be higher than the Mohs hardness of all the metals. As a specific example, the material forming the non-conductive inorganic particles 102 is silica (silicon dioxide (SiO 2 ), Mohs hardness 6 to 7), zirconia (Mohs hardness 8 to 9), alumina (Mohs hardness 9), and diamond. It may be selected from the group consisting of (Mohs hardness 10). Hydroxyl groups (-OH) are formed on the surfaces of the non-conductive inorganic particles 102, and the hydrophobic treatment agent is coated as described above. For the Mohs hardness value, refer to "Chemical Dictionary" (published by Kyoritsu Shuppan Co., Ltd.).

非導電性無機粒子１０２として、シリカ粒子を用いてもよい。シリカ粒子の粒径は、制御されていることが好ましい。シリカ粒子の種類としては、特に制限されず、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、ゾルゲル法シリカ等が挙げられる。シリカ粒子は、単独でもよいし、２種以上混合して用いてもよい。シリカ粒子として、市販品を用いてもよく、合成品を用いてもよい。 Silica particles may be used as the non-conductive inorganic particles 102. The particle size of the silica particles is preferably controlled. The type of silica particles is not particularly limited, and examples thereof include colloidal silica, fumed silica, sol-gel method silica, and the like. The silica particles may be used alone or as a mixture of two or more kinds. As the silica particles, commercially available products or synthetic products may be used.

コロイダルシリカの製造方法としては、公知の方法が挙げられる。具体的には、「ゾル−ゲル法の科学」（作花済夫著、アグネ承風社発行）の第１５４〜１５６頁に記載のアルコキシシランの加水分解による方法；特開平１１−６０２３２号公報に記載の、ケイ酸メチルまたはケイ酸メチルとメタノールとの混合物を、水、メタノール、及び、アンモニアまたはアンモニアとアンモニウム塩からなる混合溶媒中に滴下して、ケイ酸メチルと水とを反応させる方法；特開２００１−４８５２０号公報に記載の、アルキルシリケー卜を酸触媒で加水分解した後、アルカリ触媒を加えて加熱してケイ酸の重合を進行させて粒子成長させる方法；特開２００７−１５３７３２号公報に記載の、アルコキシシランの加水分解の際に特定の種類の加水分解触媒を特定の量で使用する方法等が挙げられる。もしくは、ケイ酸ソーダをイオン交換することにより製造する方法も挙げられる。水分散コロイダルシリカの市販品としては、スノーテックス、スノーテックスＵＰ（いずれも日産化学工業株式会社製、商品名）、クオートロンＰＬシリーズ（扶桑化学工業株式会社製、商品名）等が挙げられる。 As a method for producing colloidal silica, a known method can be mentioned. Specifically, a method by hydrolysis of alkoxysilane described on pages 154 to 156 of "Science of sol-gel method" (Sakuo Sakuo, published by Agne Chengfu); JP-A No. 11-60232. The method of reacting methyl silicate with water, wherein the methyl silicate or the mixture of methyl silicate and methanol is added dropwise to water, methanol, and a mixed solvent of ammonia or ammonia and an ammonium salt. A method described in JP-A-2001-48520, in which an alkyl silicate is hydrolyzed with an acid catalyst, and then an alkali catalyst is added to the mixture to heat it to promote polymerization of silicic acid to grow particles; The method of using a specific type of hydrolysis catalyst in a specific amount at the time of hydrolysis of an alkoxysilane as described in JP-A-153732 can be mentioned. Alternatively, a method for producing by ion exchange of sodium silicate may be mentioned. Examples of commercially available water-dispersed colloidal silica include Snowtex, Snowtex UP (both manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., trade name), Quartlon PL series (trade name, manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

フュームドシリカの製造方法としては、四塩化ケイ素を気化し、酸水素炎中で燃焼させる気相反応を用いる公知の方法が挙げられる。さらに、フュームドシリカは、公知の方法で水分散液とすることができる。水分散液とする方法としては、特開２００４−４３２９８号公報、特開２００３−１７６１２３号公報、特開２００２−３０９２３９号公報等に記載の方法が挙げられる。フュームドシリカの絶縁信頼性の観点から、水分散液中のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンの濃度が１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。フュームドシリカのモース硬度は、５以上でもよく、６以上でもよい。 As a method for producing fumed silica, a known method using a gas phase reaction in which silicon tetrachloride is vaporized and burned in an oxyhydrogen flame can be mentioned. Furthermore, the fumed silica can be made into an aqueous dispersion by a known method. Examples of the method for forming an aqueous dispersion include methods described in JP-A-2004-43298, JP-A-2003-176123, JP-A-2002-309239 and the like. From the viewpoint of insulation reliability of fumed silica, the concentration of alkali metal ions and alkaline earth metal ions in the aqueous dispersion is preferably 100 ppm or less. The fumed silica may have a Mohs hardness of 5 or more, or 6 or more.

＜疎水化処理剤＞
非導電性無機粒子１０２を被覆する疎水化処理剤としては、以下に記載の、（１）シラザン系疎水化処理剤、（２）シロキサン系疎水化処理剤、（３）シラン系疎水化処理剤、（４）チタネート系疎水化処理剤等が挙げられる。反応性の観点から、（１）シラザン系疎水化処理剤が好ましい。疎水化処理剤は、上記（１）〜（４）からなる群から選択される少なくとも一種を含んでもよい。<Hydrophobic treatment agent>
As the hydrophobic treatment agent for coating the non-conductive inorganic particles 102, the following (1) silazane-based hydrophobic treatment agent, (2) siloxane-based hydrophobic treatment agent, and (3) silane-based hydrophobic treatment agent are described below. , (4) Titanate-based hydrophobizing agents and the like. From the viewpoint of reactivity, the silazane-based hydrophobizing agent (1) is preferable. The hydrophobizing agent may include at least one selected from the group consisting of (1) to (4) above.

（１）シラザン系疎水化処理剤
シラザン系疎水化処理剤としては、例えば、有機シラザン系疎水化処理剤が挙げられる。有機シラザン系疎水化処理剤としては、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ジフェニルテトラメチルジシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン等が挙げられる。有機シラザン系疎水化処理剤は、上記以外のものでもよい。(1) Silazane-based hydrophobizing agent Examples of the silazane-based hydrophobizing agent include organic silazane-based hydrophobizing agents. Examples of the organic silazane-based hydrophobizing agent include hexamethyldisilazane, trimethyldisilazane, tetramethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, heptamethyldisilazane, diphenyltetramethyldisilazane, divinyltetramethyldisilazane, and the like. .. The organic silazane-based hydrophobizing agent may be other than the above.

（２）シロキサン系疎水化処理剤
シロキサン系疎水化処理剤としては、ポリジメチルシロキサン、メチルハイドロジェンジシロキサン、ジメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン、アミノ変性シロキサン等が挙げられる。シロキサン系疎水化処理剤は、上記以外のものでもよい。(2) Siloxane-based hydrophobizing agent As the siloxane-based hydrophobizing agent, polydimethylsiloxane, methylhydrogendisiloxane, dimethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, 1,3-divinyltetramethyldisiloxane, 1,3 -Diphenyltetramethyldisiloxane, methylhydrogenpolysiloxane, dimethylpolysiloxane, amino-modified siloxane and the like. The siloxane-based hydrophobizing agent may be other than the above.

（３）シラン系疎水化処理剤
シラン系疎水化処理剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、クロロプロピルジメチルメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェネチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、γ−メタアクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（メタアクリルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、γ−メタアクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタアクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−（アミノプロピル）メチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−（アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−（アミノプロピル）トリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘプタデカトリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ヘキサエトキシジシロキサン等が挙げられる。(3) Silane-based hydrophobizing agent As the silane-based hydrophobizing agent, N,N-dimethylaminotrimethylsilane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, trimethylpropoxysilane, phenyldimethylmethoxysilane, chloropropyldimethylmethoxysilane, Dimethyldimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane, ethyltrimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, propyltriethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-hexyl Trimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-octylmethyldiethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenethyltrimethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, n-octadecyltrisilane Ethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris(βmethoxyethoxy)silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-acryloxypropyltrimethoxysilane, γ -(Methacryloxypropyl)methyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-gly Sidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-(aminopropyl)methyldimethoxysilane, N-β(amino Ethyl)γ-(aminopropyl)trimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-(aminopropyl)triethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ -Aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, heptadecatrifluoropropyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, dimethoxydiethoxysilane , Bis(triethoxysilyl)ethane, hexae Examples thereof include toxidisiloxane.

（４）チタネート系疎水化処理剤
チタネート系疎水化処理剤としては、ＫＲＴＴＳ、ＫＲ４６Ｂ、ＫＲ５５、ＫＲ４１Ｂ、ＫＲ３８Ｓ、ＫＲ１３８Ｓ、ＫＲ２３８Ｓ、３３８Ｘ、ＫＲ４４、ＫＲ９ＳＡ（いずれも、味の素ファインテクノ株式会社製、商品名）等が挙げられる。(4) Titanate Hydrophobizing Agent As titanate hydrophobizing agents, KRTTS, KR46B, KR55, KR41B, KR38S, KR138S, KR238S, 338X, KR44, KR9SA (all manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., trade name ) And the like.

上記疎水化処理剤の中で、ヘキサメチルジシラザン、ポリジメチルシロキサン、及び、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランが好ましい。したがって、疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザン、ポリジメチルシロキサン、及び、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランからなる群から選択される少なくとも一つを含んでもよい。非導電性無機粒子１０２の表面が疎水化されるほど、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位がマイナス側に大きくなる。このため、非導電性無機粒子１０２とカチオン性ポリマーが被覆された樹脂粒子１０１との電位差が大きくなる。したがって、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とが、静電気力により強固に接着される。例えば、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位と、樹脂粒子１０１とのゼータ電位との差が、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上でもよく、５０ｍＶ以上でもよい。 Among the above hydrophobic treatment agents, hexamethylene Le disilazane, polydimethylsiloxane, and, N, N-dimethylamino trimethylsilane are preferred. Thus, hydrophobic treatment agent is hexamethylene Le disilazane, polydimethylsiloxane, and, N, may include at least one selected from the group consisting of N- dimethylamino trimethylsilane. As the surface of the non-conductive inorganic particles 102 is made more hydrophobic, the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 increases to the negative side. Therefore, the potential difference between the non-conductive inorganic particles 102 and the resin particles 101 coated with the cationic polymer becomes large. Therefore, the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 are firmly bonded by the electrostatic force. For example, the difference between the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 and the zeta potential of the resin particles 101 may be 30 mV or higher at pH 1 or higher and pH 11 or lower, or 50 mV or higher.

疎水化処理された非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、水、有機溶媒、水と有機溶媒とを含んだ混合溶液、のいずれにおいても、マイナス（負の値）になることが好ましい。一般に、ｐＨが高い程、ゼータ電位はよりマイナスになる。したがって、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位の差が大きくなるｐＨを選定することが好ましい。 The zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 subjected to the hydrophobic treatment is preferably negative (negative value) in any of water, an organic solvent, and a mixed solution containing water and an organic solvent. In general, the higher the pH, the more negative the zeta potential. Therefore, it is preferable to select a pH that causes a large difference in zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102.

非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、例えば、ゼータ電位プローブ（Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、商品名「ＤＴ３００」）を用いて、コロイド振動電位を測定することにより、もしくは、Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ ＺＳ（Ｍａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、商品名）を用いたレーザドップラー速度計測により電気泳動移動度を測定することにより、測定することができる。 The zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 is measured, for example, by using a zeta potential probe (manufactured by Dispersion Technologies, trade name "DT300") to measure the colloidal vibration potential, or by Zetasizer ZS (Malvern Instruments). It can be measured by measuring the electrophoretic mobility by laser Doppler velocimetry using (trade name).

以下では、カチオン性ポリマーが被覆された樹脂粒子１０１と、疎水化処理剤が被覆された非導電性無機粒子１０２とが、化学結合力ではなく、静電気力により強固に接着される理由の考察を記載する。例えば、下記化学式１のように水酸基が付与されたシリカ粒子に対してヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理を行う。この場合、下記化学式２のように、シリカ粒子はメチル基により被覆される。シリカ粒子がメチル基により被覆されることで、樹脂粒子１０１表面に被覆されたカチオン性ポリマーとシリカ粒子との間に化学結合する箇所が無いにもかかわらず、非導電性無機粒子１０２は樹脂粒子１０１に強固に接着される。各非導電性無機粒子の粒径を同一とした場合、ヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理剤が被覆された非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、上述した非導電性無機粒子の中で最もマイナスな電位を示した。このとき、非導電性無機粒子１０２とカチオン性ポリマーとの電位差が最大になることが分かった。このような理由から、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２との接着を向上させるためには、ゼータ電位の差、すなわち樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２との電位差によって生じる静電気力が接着性を左右する重要な因子であると考えられる。 Hereinafter, consideration will be given to the reason why the resin particles 101 coated with the cationic polymer and the non-conductive inorganic particles 102 coated with the hydrophobizing agent are firmly bonded by the electrostatic force instead of the chemical bonding force. Enter. For example, performing a hydrophobic treatment by hexamethylene Le disilazane of the silica particles in which a hydroxyl group is assigned as follows: Formula 1. In this case, the silica particles are covered with a methyl group as represented by the following chemical formula 2. Since the silica particles are coated with the methyl group, the non-conductive inorganic particles 102 are resin particles even though there is no site for chemical bonding between the cationic polymer coated on the surface of the resin particles 101 and the silica particles. It is firmly bonded to 101. If the particle size of each non-conductive inorganic particles and the same, the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 hydrophobic treatment agent has been coated with hexamethylene Le disilazane is most negative in the non-conductive inorganic particles described above Showed a strong potential. At this time, it was found that the potential difference between the non-conductive inorganic particles 102 and the cationic polymer was maximized. For this reason, in order to improve the adhesion between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102, the electrostatic force generated by the difference in the zeta potential, that is, the electrostatic potential difference caused by the potential difference between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 is used. It is considered to be an important factor that affects the adhesiveness.

疎水化処理剤としては、非導電性無機粒子１０２の疎水性を阻害せず、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位をマイナス側に保持し、かつ、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２との静電気的な接着を阻害しない範囲内で、アミノ基、カルボン酸基、水酸基、スルフォン酸基、グリシジル基、及びニトリル基からなる群から選択される少なくとも一種を有していてもよい。上記疎水化処理剤以外に、アミノ基、カルボン酸基、水酸基、スルフォン酸基、グリシジル基、及びニトリル基からなる群から選択される少なくとも一種を有すると共に疎水性の効果を阻害しない処理剤を別途追加してもよい。疎水化処理剤にアミノ基、カルボン酸基、水酸基、スルフォン酸基、グリシジル基、及びニトリル基からなる群から選択される少なくとも一種を有していること、また、アミノ基、カルボン酸基、水酸基、スルフォン酸基、グリシジル基、及びニトリル基からなる群から選択される少なくとも一種を有すると共に疎水性の効果を阻害しない処理剤を別途追加することの利点を以下にて説明する。第１層１０４を形成するための前処理工程として、複合粒子１０３に対して後述するパラジウム触媒化処理を行うとき、上記処理剤を用いる。すると、非導電性無機粒子１０２表面へのパラジウム触媒の吸着を促進できる。これにより、複合粒子１０３の表面のパラジウム吸着量が増加するので、パラジウム触媒を介した複合粒子１０３の表面に第１層１０４を均一に形成できる。 The hydrophobizing agent does not hinder the hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles 102, keeps the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 on the negative side, and combines the resin particles 101 with the non-conductive inorganic particles 102. It may have at least one selected from the group consisting of an amino group, a carboxylic acid group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a glycidyl group, and a nitrile group, as long as it does not hinder the electrostatic adhesion. In addition to the hydrophobic treatment agent, a treatment agent having at least one selected from the group consisting of an amino group, a carboxylic acid group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a glycidyl group, and a nitrile group and not inhibiting the effect of hydrophobicity is separately provided. You may add. Having at least one selected from the group consisting of an amino group, a carboxylic acid group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a glycidyl group, and a nitrile group in the hydrophobizing agent, and also an amino group, a carboxylic acid group, and a hydroxyl group. The advantages of separately adding a treatment agent having at least one selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a glycidyl group, and a nitrile group and not impairing the hydrophobic effect will be described below. As a pretreatment step for forming the first layer 104, the above-mentioned treating agent is used when performing the palladium catalysis treatment described later on the composite particles 103. Then, the adsorption of the palladium catalyst on the surface of the non-conductive inorganic particles 102 can be promoted. As a result, the amount of palladium adsorbed on the surface of the composite particle 103 increases, so that the first layer 104 can be uniformly formed on the surface of the composite particle 103 via the palladium catalyst.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径は、例えば、樹脂粒子１０１の平均粒径の１／３００〜１／１０程度である。非導電性無機粒子１０２の平均粒径が樹脂粒子１０１の平均粒径の１／３００以上である場合、複合粒子１０３を第１層１０４で覆った際に、充分な高さの突起１０９が得られやすい。一方で、非導電性無機粒子１０２の平均粒径が樹脂粒子１０１の平均粒径の１／１０以下である場合、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しにくくなる傾向にある。非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１により安定して吸着し、充分な高さの突起１０９を得るためには、非導電性無機粒子１０２の平均粒径は、樹脂粒子１０１の平均粒径の１／２００〜１／１０であることが好ましく、１／１２０〜１／２５程度であることがより好ましい。このように、非導電性無機粒子１０２の平均粒径が上記範囲内であることにより、導電粒子１００ａは緻密な突起１０９を多数有することができると共に、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しにくくなる。 The average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is, for example, about 1/300 to 1/10 of the average particle size of the resin particles 101. When the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 1/300 or more of the average particle size of the resin particles 101, when the composite particles 103 are covered with the first layer 104, the protrusions 109 having a sufficient height are obtained. Easy to get caught. On the other hand, when the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 1/10 or less of the average particle size of the resin particles 101, the non-conductive inorganic particles 102 tend to fall off the resin particles 101. In order that the non-conductive inorganic particles 102 are stably adsorbed by the resin particles 101 and the protrusions 109 having a sufficient height are obtained, the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is equal to the average particle size of the resin particles 101. It is preferably 1/200 to 1/10, more preferably 1/120 to 1/25. As described above, when the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102 is within the above range, the conductive particles 100a can have a large number of dense protrusions 109, and the non-conductive inorganic particles 102 are separated from the resin particles 101. It becomes difficult to fall off.

本実施形態では、非導電性無機粒子１０２の好ましい平均粒径の範囲は、例えば、樹脂粒子１０１の平均粒径が３μｍの場合には、２５〜１２０ｎｍである。また、例えば、樹脂粒子１０１の平均粒径が、４μｍの場合には３３〜１６０ｎｍであることが好ましく、５μｍの場合には４２〜２００ｎｍであること好ましく、１０μｍの場合には８３〜４００ｎｍであることが好ましい。非導電性無機粒子１０２について、例えば、樹脂粒子１０１の平均粒径が３μｍの場合を例として以下に示す。 In the present embodiment, the preferable range of the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 25 to 120 nm when the average particle size of the resin particles 101 is 3 μm, for example. Further, for example, when the average particle size of the resin particles 101 is 4 μm, it is preferably 33 to 160 nm, when it is 5 μm, it is 42 to 200 nm, and when it is 10 μm, it is 83 to 400 nm. It is preferable. The non-conductive inorganic particles 102 will be described below by taking the case where the average particle diameter of the resin particles 101 is 3 μm as an example.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径が２５ｎｍ以上である（もしくは、樹脂粒子１０１の平均粒径の１／１２０以上である）と、第１層１０４の突起１０９が適度な大きさになりやすく、低抵抗化する傾向がある。非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、粒径に応じて異なり、粒径が小さいほどゼータ電位がよりマイナス側にシフトすることが見出されている。このため、非導電性無機粒子１０２の平均粒径が１２０ｎｍ以下である（もしくは、樹脂粒子１０１の平均粒径の１／２５以下である）と、非導電性無機粒子１０２と樹脂粒子１０１との電位差が充分となり、第１層１０４を形成するとき等において当該非導電性無機粒子１０２が脱落しにくくなる。これにより、突起１０９の数が充分となり、低抵抗化しやすくなる傾向がある。脱落した非導電性無機粒子１０２が凝集したものに第１層１０４の金属が被覆し、金属異物が生成されることがある。この金属異物が樹脂粒子１０１に再付着し、異常析出部として過剰に長い突起（例えば、長さが５００ｎｍを超える突起）が形成されることがある。この場合、導電粒子１００ａの絶縁信頼性低下の要因となることがある。さらに、上記金属異物そのものが絶縁信頼性低下の要因となることがある。したがって、非導電性無機粒子１０２の樹脂粒子１０１からの脱落を抑制することが好ましい。非導電性無機粒子１０２の平均粒径は、３０〜１１０ｎｍであってもよく、３５〜１００ｎｍであってもよい。非導電性無機粒子１０２の粒径は、ＢＥＴ法による比表面積換算法又はＸ線小角散乱法により測定される。 When the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102 is 25 nm or more (or 1/120 or more of the average particle diameter of the resin particles 101), the protrusions 109 of the first layer 104 are likely to have an appropriate size. , Tends to lower resistance. It has been found that the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 varies depending on the particle size, and the smaller the particle size, the more the zeta potential shifts to the negative side. Therefore, when the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 120 nm or less (or 1/25 or less of the average particle size of the resin particles 101), the non-conductive inorganic particles 102 and the resin particles 101 are separated from each other. The potential difference becomes sufficient, and the non-conductive inorganic particles 102 are less likely to fall off when the first layer 104 is formed. As a result, the number of protrusions 109 becomes sufficient, and the resistance tends to be reduced. In some cases, the non-conductive inorganic particles 102 that have fallen off are aggregated and coated with the metal of the first layer 104 to generate a metallic foreign substance. The metal foreign matter may reattach to the resin particles 101, and an excessively long protrusion (for example, a protrusion having a length exceeding 500 nm) may be formed as an abnormal deposition portion. In this case, the insulation reliability of the conductive particles 100a may be reduced. Further, the metallic foreign matter itself may be a factor of lowering the insulation reliability. Therefore, it is preferable to prevent the non-conductive inorganic particles 102 from falling off the resin particles 101. The average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 may be 30 to 110 nm or 35 to 100 nm. The particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is measured by the specific surface area conversion method by the BET method or the X-ray small angle scattering method.

「非導電性無機粒子１０２の直径」とは、非導電性無機粒子１０２の正投影面において、非導電性無機粒子１０２の面積と同一の面積を有する真円の直径を意味する。具体的には、非導電性無機粒子をＳＥＭにより１０万倍で観察して得られる画像を解析し、非導電性無機粒子の輪郭を画定する。そして、任意の非導電性無機粒子の面積を算出して、その面積から非導電性無機粒子１０２の直径を求める。 The “diameter of the non-conductive inorganic particles 102 ”means the diameter of a perfect circle having the same area as the area of the non-conductive inorganic particles 102 on the orthographic plane of the non-conductive inorganic particles 102. Specifically, the image obtained by observing the non-conductive inorganic particles at 100,000 times with SEM is analyzed to define the contour of the non-conductive inorganic particles. Then, the area of any non-conductive inorganic particle is calculated, and the diameter of the non-conductive inorganic particle 102 is obtained from the area.

「非導電性無機粒子１０２の平均粒径」とは、非導電性無機粒子１０２の正投影面において、非導電性無機粒子１０２の面積と同一の面積を有する真円の直径から算出した平均粒径を意味する。具体的には、非導電性無機粒子をＳＥＭにより１０万倍で観察して得られる画像を解析し、非導電性無機粒子の輪郭を画定する。そして、任意の非導電性無機粒子５００個の面積をそれぞれ算出して、その面積を円に換算した場合の直径から算出した平均粒径を非導電性無機粒子１０２の平均粒径とする。 The “average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 ”is an average particle calculated from the diameter of a perfect circle having the same area as the area of the non-conductive inorganic particles 102 on the orthographic plane of the non-conductive inorganic particles 102. Means diameter. Specifically, the image obtained by observing the non-conductive inorganic particles at 100,000 times with SEM is analyzed to define the contour of the non-conductive inorganic particles. Then, the area of each arbitrary 500 non-conductive inorganic particles is calculated, and the average particle diameter calculated from the diameter when the area is converted into a circle is defined as the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102.

＜非導電性無機粒子の疎水化度＞
メタノール滴定法による非導電性無機粒子１０２の疎水化度は、例えば、３０％以上である。この場合、非導電性無機粒子１０２は、静電気力により樹脂粒子１０１に強固に接着することが可能となる。上記疎水化度は、５０％以上であってもよく、６０％以上であってもよい。疎水化度が高いほど、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位がよりマイナス側にシフトし、非導電性無機粒子１０２は、静電気力により樹脂粒子１０１に強固に接着することが可能となる。<Hydrophobicity of non-conductive inorganic particles>
The degree of hydrophobization of the non-conductive inorganic particles 102 by the methanol titration method is, for example, 30% or more. In this case, the non-conductive inorganic particles 102 can be firmly adhered to the resin particles 101 by the electrostatic force. The degree of hydrophobicity may be 50% or more, or 60% or more. The higher the degree of hydrophobicity, the more the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 shifts to the negative side, and the non-conductive inorganic particles 102 can firmly adhere to the resin particles 101 by the electrostatic force.

メタノール滴定法とは、メタノールを使用して粉体の疎水化度を測定する方法である。例えば、まず５０ｍｌの水面上に、疎水化度を測定すべき粉体０．２ｇを浮遊させる。次に、水を静かに撹拌しながら水中にメタノールを少しずつ添加してゆく。メタノールは、例えば、ビュレットを用いて滴下する。次に、水面上の粉体が全て水中に没した時点でのメタノール使用量を測定する。そして、水とメタノールとの合計体積に対するメタノール体積の百分率を演算し、この値を粉体の疎水化度と算出する。 The methanol titration method is a method of measuring the hydrophobicity of powder using methanol. For example, first, 0.2 g of powder whose hydrophobicity is to be measured is suspended on 50 ml of water. Next, methanol is gradually added to the water while gently stirring the water. Methanol is dropped using a buret, for example. Next, the amount of methanol used when all the powder on the water surface is submerged in water is measured. Then, the percentage of the volume of methanol to the total volume of water and methanol is calculated, and this value is calculated as the hydrophobicity of the powder.

＜樹脂粒子への非導電性無機粒子の接着方法＞
樹脂粒子１０１への非導電性無機粒子１０２の接着は、有機溶媒、又は、水と水溶性の有機溶媒との混合溶液を用いて行うことができる。使用できる水溶性の有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等が挙げられる。有機溶媒のみを用いた場合、樹脂粒子１０１のゼータ電位はよりプラス側に、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位はよりマイナス側にシフトする傾向にある。有機溶媒のみを用いた場合、有機溶媒と水との混合溶液を用いた場合よりも、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２との電位差が大きくなる傾向にある。したがって、有機溶媒のみを用いた場合、非導電性無機粒子１０２は強い静電気力により樹脂粒子１０１に強固に接着する傾向にある。結果として、第１層１０４の形成時等に非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しづらくなる。<Method of adhering non-conductive inorganic particles to resin particles>
The non-conductive inorganic particles 102 can be adhered to the resin particles 101 using an organic solvent or a mixed solution of water and a water-soluble organic solvent. Examples of water-soluble organic solvents that can be used include methanol, ethanol, propanol, acetone, dimethylformamide, and acetonitrile. When only the organic solvent is used, the zeta potential of the resin particles 101 tends to shift to the plus side, and the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 tends to shift to the minus side. When only the organic solvent is used, the potential difference between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 tends to be larger than when a mixed solution of the organic solvent and water is used. Therefore, when only the organic solvent is used, the non-conductive inorganic particles 102 tend to adhere strongly to the resin particles 101 due to a strong electrostatic force. As a result, it becomes difficult for the non-conductive inorganic particles 102 to fall off the resin particles 101 when the first layer 104 is formed.

＜第１層＞
第１層１０４は、ニッケルを主成分として含む導電層である。第１層１０４の厚さは、例えば、４０ｎｍ〜２００ｎｍである。第１層１０４の厚さが上記範囲内であると、導電粒子１００ａが圧縮された場合であっても、第１層１０４の割れを抑制できる。また、複合粒子１０３の表面を第１層１０４により充分に被覆することができる。これにより、非導電性無機粒子１０２を樹脂粒子１０１に固着化させ、非導電性無機粒子１０２の脱落を抑制することが可能となる。この結果、得られる導電粒子１００ａの一つ一つに均一な形状の突起１０９を高密度に形成することが可能となる。第１層１０４の厚さは、６０ｎｍ以上でもよい。第１層１０４の厚さは、１５０ｎｍ以下でもよく、１２０ｎｍ以下でもよい。第１層１０４は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。本実施形態では、第１層１０４は２層構造を有する。<First layer>
The first layer 104 is a conductive layer containing nickel as a main component. The thickness of the first layer 104 is, for example, 40 nm to 200 nm. When the thickness of the first layer 104 is within the above range, cracking of the first layer 104 can be suppressed even when the conductive particles 100a are compressed. Moreover, the surface of the composite particle 103 can be sufficiently covered with the first layer 104. This makes it possible to fix the non-conductive inorganic particles 102 to the resin particles 101 and prevent the non-conductive inorganic particles 102 from falling off. As a result, it becomes possible to form the protrusions 109 having a uniform shape at high density on each of the obtained conductive particles 100a. The thickness of the first layer 104 may be 60 nm or more. The thickness of the first layer 104 may be 150 nm or less, or 120 nm or less. The first layer 104 may have a single layer structure or a laminated structure. In this embodiment, the first layer 104 has a two-layer structure.

第１層１０４の厚さは、透過型電子顕微鏡（以下、「ＴＥＭ」という）によって撮影された写真を用いて算出される。具体例として、まず、導電粒子１００ａの中心付近を通るようにウルトラミクロトーム法で当該導電粒子１００ａの断面を切り出す。次に、切り出した断面を、ＴＥＭを用いて２５万倍の倍率で観察して画像を得る。次に、得られた画像から見積もられる第１層１０４（図２）の断面積から、第１層１０４の厚さを算出できる。このとき、第１層１０４、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２が区別しづらい場合には、ＴＥＭに付属するエネルギー分散型Ｘ線検出器（以下、「ＥＤＸ」という）による成分分析を行う。これにより、第１層１０４、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２を明確に区別し、第１層１０４のみの厚さを算出する。第１層１０４の厚さは、導電粒子１０個における厚さの平均値とする。 The thickness of the first layer 104 is calculated using a photograph taken by a transmission electron microscope (hereinafter referred to as “TEM”). As a specific example, first, a cross section of the conductive particle 100a is cut out by an ultramicrotome method so as to pass near the center of the conductive particle 100a. Next, the cut section is observed with a TEM at a magnification of 250,000 times to obtain an image. Next, the thickness of the first layer 104 can be calculated from the cross-sectional area of the first layer 104 (FIG. 2) estimated from the obtained image. At this time, when it is difficult to distinguish the first layer 104, the resin particles 101, and the non-conductive inorganic particles 102, a component analysis is performed by an energy dispersive X-ray detector (hereinafter referred to as “EDX”) attached to the TEM. .. Thereby, the first layer 104, the resin particles 101, and the non-conductive inorganic particles 102 are clearly distinguished, and the thickness of only the first layer 104 is calculated. The thickness of the first layer 104 is an average value of the thickness of 10 conductive particles.

第１層１０４は、ニッケルを主成分とする金属に加えて、リン及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。これにより、ニッケルを含有する第１層１０４の硬度を高めることが可能であり、導電粒子が圧縮されたときの導通抵抗を容易に低く保つことができる。第１層１０４は、リン又はホウ素と共に、共析する金属を含有していてもよい。第１層１０４に含有される金属は、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、モリブデン、パラジウム、錫、タングステン及びレニウムである。第１層１０４は、ニッケル及び上記金属を含有することによって、第１層１０４の硬度を高めることができる。これにより、導電粒子１００ａが圧縮された場合であっても、非導電性無機粒子１０２の上部に形成された部分（突起１０９）が押しつぶされることを抑制できる。上記金属は、高い硬度を有するタングステンを含んでもよい。第１層１０４の構成材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）及びリン（Ｐ）の組み合わせ、ニッケル（Ｎｉ）及びホウ素（Ｂ）の組み合わせ、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）及びホウ素（Ｂ）の組み合わせ、並びに、ニッケル（Ｎｉ）及びパラジウム（Ｐｄ）の組み合わせが好ましい。 The first layer 104 may contain at least one selected from the group consisting of phosphorus and boron in addition to the metal containing nickel as a main component. Thereby, the hardness of the first layer 104 containing nickel can be increased, and the conduction resistance when the conductive particles are compressed can be easily kept low. The first layer 104 may contain a co-deposited metal together with phosphorus or boron. The metal contained in the first layer 104 is, for example, cobalt, copper, zinc, iron, manganese, chromium, vanadium, molybdenum, palladium, tin, tungsten or rhenium. The hardness of the first layer 104 can be increased by containing nickel and the above metal. As a result, even when the conductive particles 100a are compressed, it is possible to prevent the portions (protrusions 109) formed on the non-conductive inorganic particles 102 from being crushed. The metal may include tungsten having a high hardness. Examples of the constituent material of the first layer 104 include a combination of nickel (Ni) and phosphorus (P), a combination of nickel (Ni) and boron (B), nickel (Ni), tungsten (W) and boron (B). And a combination of nickel (Ni) and palladium (Pd).

第１層１０４を後述する無電解ニッケルめっきにより形成する場合、例えば、還元剤として次亜リン酸ナトリウム等のリン含有化合物を用いてもよい。この場合、リンを共析させることが可能であり、ニッケル−リン合金を含有する第１層１０４を形成することができる。還元剤として、例えば、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等のホウ素含有化合物を用いてもよい。この場合、ホウ素を共析させることが可能であり、ニッケル−ホウ素合金を含有する第１層１０４を形成することができる。ニッケル−ホウ素合金の硬度はニッケル−リン合金よりも高い。そのため、還元剤としてホウ素含有化合物を用いた場合、導電粒子１００ａを圧縮した場合であっても非導電性無機粒子１０２の上部に形成された突起１０９が押しつぶされることを良好に抑制できる。 When the first layer 104 is formed by electroless nickel plating described below, for example, a phosphorus-containing compound such as sodium hypophosphite may be used as the reducing agent. In this case, phosphorus can be co-deposited, and the first layer 104 containing a nickel-phosphorus alloy can be formed. As the reducing agent, for example, a boron-containing compound such as dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride may be used. In this case, boron can be co-deposited and the first layer 104 containing the nickel-boron alloy can be formed. The hardness of nickel-boron alloy is higher than that of nickel-phosphorus alloy. Therefore, when the boron-containing compound is used as the reducing agent, it is possible to favorably suppress the protrusion 109 formed on the non-conductive inorganic particle 102 from being crushed even when the conductive particle 100a is compressed.

第１層１０４は、複合粒子１０３の表面から遠ざかるにつれてニッケルの濃度（含有量）が高くなる濃度勾配を有してもよい。このような構成により、導電粒子１００ａが圧縮された場合であっても低い導通抵抗を保つことができる。この濃度勾配は、連続的であってもよく、非連続的であってもよい。ニッケルの濃度勾配が非連続的である場合、複合粒子１０３の表面に、第１層１０４としてニッケルの含有量が異なる複数の層を設けてもよい。この場合、複合粒子１０３から遠い側に設けられる層のニッケルの濃度が高くなる。 The first layer 104 may have a concentration gradient in which the nickel concentration (content) increases as the distance from the surface of the composite particle 103 increases. With such a configuration, low conduction resistance can be maintained even when the conductive particles 100a are compressed. This concentration gradient may be continuous or discontinuous. When the nickel concentration gradient is discontinuous, a plurality of layers having different nickel contents may be provided as the first layer 104 on the surface of the composite particle 103. In this case, the nickel concentration of the layer provided on the side far from the composite particle 103 is high.

第１層１０４におけるニッケルの含有量は、第１層１０４の厚さ方向において表面に近づくにつれて高くなる。第１層１０４の表面側の層におけるニッケルの含有量は、例えば、９９質量％〜９７質量％になっている。上記表面側の層の厚さは、例えば、５〜６０ｎｍである。当該層の厚さは、１０〜５０ｎｍでもよく、１５〜４０ｎｍでもよい。上記表面側の層の厚さが５ｎｍ以上である場合、第１層１０４の接続抵抗値が低くなる傾向にある。一方、表面側の層の厚さが６０ｎｍ以下である場合、導電粒子１００ａの単分散率がより向上する傾向にある。したがって、第１層１０４の表面側の層におけるニッケルの含有量が９９質量％〜９７質量％になっており、且つ上記表面側の層の厚さが５〜６０ｎｍである場合、第１層１０４をより低抵抗化しやすくなる。加えて、導電粒子１００ａ同士の凝集をより抑制して、高い絶縁信頼性を得やすくなる。 The content of nickel in the first layer 104 increases as it approaches the surface in the thickness direction of the first layer 104. The content of nickel in the layer on the surface side of the first layer 104 is, for example, 99% by mass to 97% by mass. The thickness of the layer on the front surface side is, for example, 5 to 60 nm. The thickness of the layer may be 10 to 50 nm or 15 to 40 nm. When the thickness of the surface-side layer is 5 nm or more, the connection resistance value of the first layer 104 tends to be low. On the other hand, when the thickness of the layer on the surface side is 60 nm or less, the monodispersion ratio of the conductive particles 100a tends to be further improved. Therefore, when the content of nickel in the layer on the surface side of the first layer 104 is 99% by mass to 97% by mass and the thickness of the layer on the surface side is 5 to 60 nm, the first layer 104 It becomes easier to lower the resistance. In addition, aggregation of the conductive particles 100a is further suppressed, and high insulation reliability is easily obtained.

第１層１０４の厚さ方向において複合粒子１０３側には、ニッケルの含有量が９７質量％以下である層が形成されていてもよい。この複合粒子１０３側の層のニッケルの含有料は、９５質量％以下でもよく、９４質量％以下でもよい。複合粒子１０３側の層の厚さは、２０ｎｍ以上でもよく、４０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよい。特に、第１層１０４の複合粒子１０３側に９４質量％以下の層を２０ｎｍ以上形成すると、導電粒子１００ａ同士は磁性の影響を受けにくくなり、当該導電粒子１００ａ同士の凝集が抑制される傾向にある。 A layer having a nickel content of 97 mass% or less may be formed on the composite particle 103 side in the thickness direction of the first layer 104. The content of nickel in the layer on the side of the composite particles 103 may be 95% by mass or less, or 94% by mass or less. The thickness of the layer on the composite particle 103 side may be 20 nm or more, 40 nm or more, and 50 nm or more. In particular, when a layer of 94% by mass or less on the side of the composite particles 103 of the first layer 104 is formed to have a thickness of 20 nm or more, the conductive particles 100a are less likely to be affected by magnetism, and aggregation of the conductive particles 100a tends to be suppressed. is there.

第１層１０４における元素の種類及び当該元素の含有量は、例えば、ウルトラミクロトーム法で導電粒子の断面を切り出した後、ＴＥＭに付属するＥＤＸによって成分分析を行うことによって測定できる。 The type of element and the content of the element in the first layer 104 can be measured, for example, by cutting out a cross section of the conductive particle by an ultramicrotome method and then performing component analysis by EDX attached to the TEM.

＜無電解ニッケルめっき＞
本実施形態においては、第１層１０４は、無電解ニッケルめっきにより形成される。この場合、無電解ニッケルめっき液は、水溶性ニッケル化合物を含む。無電解ニッケルめっき液は、安定剤（例えば、硝酸ビスマス）、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤及び界面活性剤からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を更に含んでもよい。<Electroless nickel plating>
In the present embodiment, the first layer 104 is formed by electroless nickel plating. In this case, the electroless nickel plating solution contains a water-soluble nickel compound. The electroless nickel plating solution may further contain at least one compound selected from the group consisting of a stabilizer (for example, bismuth nitrate), a complexing agent, a reducing agent, a pH adjusting agent and a surfactant.

水溶性ニッケル化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、次亜リン酸ニッケル等の水溶性ニッケル無機塩；酢酸ニッケル、リンゴ酸ニッケル等の水溶性ニッケル有機塩などが用いられる。水溶性ニッケル化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 As the water-soluble nickel compound, water-soluble nickel inorganic salts such as nickel sulfate, nickel chloride and nickel hypophosphite; water-soluble nickel organic salts such as nickel acetate and nickel malate are used. The water-soluble nickel compounds may be used alone or in combination of two or more.

無電解ニッケルめっき液における水溶性ニッケル化合物の濃度は、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０１〜０．３ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。水溶性ニッケル化合物の濃度が上記範囲内であることで、めっき被膜の析出速度を充分に得ることができると共に、めっき液の粘度が高くなりすぎることを抑制してニッケル析出の均一性を高めることができる。 The concentration of the water-soluble nickel compound in the electroless nickel plating solution is preferably 0.001 to 1 mol/L, more preferably 0.01 to 0.3 mol/L. When the concentration of the water-soluble nickel compound is within the above range, the deposition rate of the plating film can be sufficiently obtained, and the viscosity of the plating solution can be prevented from becoming too high to enhance the uniformity of nickel deposition. You can

錯化剤としては、錯化剤として機能するものであればよく、具体的には、エチレンジアミンテトラ酢酸；エチレンジアミンテトラ酢酸のナトリウム塩（例えば、１−，２−，３−及び４−ナトリウム塩）；エチレンジアミントリ酢酸；ニトロテトラ酢酸、そのアルカリ塩；グリコン酸、酒石酸、グルコネート、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、ピロリン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、マロン酸、これらのアルカリ塩（例えば、ナトリウム塩）；トリエタノールアミングルコノ（γ）−ラクトン等が挙げられる。錯化剤は、上記以外の材料を用いてもよい。錯化剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 Any complexing agent may be used as long as it functions as a complexing agent, and specifically, ethylenediaminetetraacetic acid; sodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid (for example, 1-, 2-, 3- and 4-sodium salts). Ethylenediaminetriacetic acid; Nitrotetraacetic acid and its alkali salts; Glycolic acid, tartaric acid, Gluconate, Citric acid, Gluconic acid, Succinic acid, Pyrophosphoric acid, Glycolic acid, Lactic acid, Malic acid, Malonic acid, and their alkali salts Salt); triethanolamine glucono(γ)-lactone and the like. As the complexing agent, materials other than the above may be used. The complexing agent may be used alone or in combination of two or more.

無電解ニッケルめっき液における錯化剤の濃度は、通常、０．００１〜２ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．００２〜１ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。錯化剤の濃度が上記範囲内であることで、めっき液中の水酸化ニッケルの沈殿及びめっき液の分解を抑制しつつめっき被膜の充分な析出速度を得ることができると共に、めっき液の粘度が高くなりすぎることを抑制してニッケル析出の均一性を高めることができる。錯化剤の濃度は、種類によって異なってもよい。 The concentration of the complexing agent in the electroless nickel plating solution is usually preferably 0.001 to 2 mol/L, more preferably 0.002 to 1 mol/L. When the concentration of the complexing agent is within the above range, it is possible to obtain a sufficient deposition rate of the plating film while suppressing the precipitation of nickel hydroxide in the plating solution and the decomposition of the plating solution, and the viscosity of the plating solution. Can be prevented from becoming too high, and the uniformity of nickel precipitation can be enhanced. The concentration of the complexing agent may vary depending on the type.

還元剤としては、無電解ニッケルめっき液に用いられる公知の還元剤を用いることができる。還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸化合物；水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、ジメチルアミンボラン等の水素化ホウ素化合物；ヒドラジン類などが挙げられる。 As the reducing agent, a known reducing agent used in electroless nickel plating solutions can be used. Examples of the reducing agent include hypophosphite compounds such as sodium hypophosphite and potassium hypophosphite; borohydride compounds such as sodium borohydride, potassium borohydride and dimethylamineborane; hydrazines and the like. ..

無電解ニッケルめっき液における還元剤の濃度は、通常、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．００２〜０．５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。還元剤の濃度が上記範囲内であると、めっき液中でのニッケルイオンの還元速度を充分に得つつ、めっき液の分解を抑制することができる。還元剤の濃度については、還元剤の種類によっても異なってもよい。 The concentration of the reducing agent in the electroless nickel plating solution is usually preferably 0.001 to 1 mol/L, more preferably 0.002 to 0.5 mol/L. When the concentration of the reducing agent is within the above range, decomposition of the plating solution can be suppressed while sufficiently obtaining the reduction rate of nickel ions in the plating solution. The concentration of the reducing agent may differ depending on the type of reducing agent.

ｐＨ調整剤としては、例えば、酸性のｐＨ調整剤及びアルカリ性のｐＨ調整剤が挙げられる。酸性のｐＨ調整剤としては、塩酸；硫酸；硝酸；リン酸；酢酸；ギ酸；塩化第２銅；硫酸第２鉄等の鉄化合物；アルカリ金属塩化物；過硫酸アンモニウム；これらを１種以上含む水溶液；クロム酸、クロム酸−硫酸、クロム酸−フッ酸、重クロム酸、重クロム酸−ホウフッ酸等の酸性の６価クロムを含む水溶液などが挙げられる。アルカリ性のｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属の水酸化物；アルカリ土類金属の水酸化物；エチレンジアミン、メチルアミン、２−アミノエタノール等のアミノ基を含有する化合物；これらを１種以上含む溶液などが挙げられる。 Examples of pH adjusters include acidic pH adjusters and alkaline pH adjusters. Acidic pH adjusters include hydrochloric acid; sulfuric acid; nitric acid; phosphoric acid; acetic acid; formic acid; cupric chloride; iron compounds such as ferric sulfate; alkali metal chlorides; ammonium persulfate; aqueous solutions containing one or more of these. An aqueous solution containing acidic hexavalent chromium such as chromic acid, chromic acid-sulfuric acid, chromic acid-hydrofluoric acid, dichromic acid, and dichromic acid-borofluoric acid. Examples of the alkaline pH adjuster include hydroxides of alkali metals such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and sodium carbonate; hydroxides of alkaline earth metals; amino groups such as ethylenediamine, methylamine and 2-aminoethanol. Compounds to be contained; solutions and the like containing one or more of them.

界面活性剤としては、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界面活性剤、これらの混合物等を用いることができる。 As the surface active agent, a cationic surface active agent, an anionic surface active agent, an amphoteric surface active agent, a nonionic surface active agent, a mixture thereof or the like can be used.

＜無電解ニッケルめっきの前処理＞
第１層１０４を上述した無電解ニッケルめっきにより形成する場合、複合粒子１０３に対して予め前処理としてパラジウム触媒化処理してもよい。パラジウム触媒化処理は、公知の方法で行うことができる。その方法は特に限定されないが、例えば、アルカリシーダ又は酸性シーダと呼ばれる触媒化処理液を用いた触媒化処理方法が挙げられる。<Pretreatment for electroless nickel plating>
When the first layer 104 is formed by the above-described electroless nickel plating, the composite particles 103 may be pre-treated with palladium as a catalyst. The palladium-catalyzed treatment can be performed by a known method. The method is not particularly limited, and examples thereof include a catalytic treatment method using a catalytic treatment liquid called alkali seeder or acidic seeder.

アルカリシーダを用いた触媒化処理方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、２−アミノピリジンが配位したパラジウムイオンを含む溶液に樹脂粒子を浸漬させることで樹脂粒子表面にパラジウムイオンを吸着させる。水洗後、パラジウムイオンが吸着した樹脂粒子を、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルマリン等の還元剤を含む溶液中に分散させて還元処理を行う。これにより、樹脂粒子表面に吸着したパラジウムイオンを金属のパラジウムに還元する。 Examples of the catalytic treatment method using an alkali seeder include the following methods. First, the resin particles are dipped in a solution containing palladium ions coordinated with 2-aminopyridine to adsorb the palladium ions on the surface of the resin particles. After washing with water, the resin particles having palladium ions adsorbed thereon are dispersed in a solution containing a reducing agent such as sodium hypophosphite, sodium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine and formalin to carry out a reduction treatment. As a result, the palladium ions adsorbed on the surface of the resin particles are reduced to metallic palladium.

酸性シーダを用いた触媒化処理方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。まず、樹脂粒子を塩化第一錫溶液に分散させ、錫イオンを樹脂粒子表面に吸着させる感受性化処理を行った後、水洗する。次に、塩化パラジウムを含む溶液に分散させ、パラジウムイオンを樹脂粒子表面に捕捉させる活性化処理を行う。水洗後、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルマリン等の還元剤を含む溶液中に分散させて還元処理を行う。これにより、樹脂粒子表面に吸着したパラジウムイオンを金属のパラジウムに還元する。 Examples of the catalytic treatment method using an acidic seeder include the following methods. First, the resin particles are dispersed in a stannous chloride solution, subjected to a sensitizing treatment to adsorb tin ions on the surface of the resin particles, and then washed with water. Next, it is dispersed in a solution containing palladium chloride, and an activation treatment for capturing palladium ions on the surface of the resin particles is performed. After washing with water, the product is dispersed in a solution containing a reducing agent such as sodium hypophosphite, sodium borohydride, dimethylamine borane, hydrazine and formalin for reduction treatment. As a result, the palladium ions adsorbed on the surface of the resin particles are reduced to metallic palladium.

アルカリシーダと酸性シーダとを比較すると、溶液のｐＨの観点から酸性シーダの方が好ましい。上述したように、樹脂粒子１０１そのもののゼータ電位は、ｐＨが低い程プラスにシフトするので、酸性シーダの使用が好ましい。一方、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、ｐＨが高いほどマイナスにシフトするので、アルカリシーダの使用が好ましい。ここで、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位の差を考慮すると、ｐＨが低いほどゼータ電位の差が大きくなる傾向にある。酸性シーダを使用することにより、非導電性無機粒子１０２を静電気力により樹脂粒子１０１に強固に接着された状態を維持できる傾向にある。 Comparing the alkaline seeder and the acidic seeder, the acidic seeder is preferable from the viewpoint of the pH of the solution. As described above, the zeta potential of the resin particles 101 itself shifts to the plus side as the pH is lower, so that it is preferable to use the acidic seeder. On the other hand, the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 shifts to the negative as the pH increases, so it is preferable to use the alkali seeder. Here, considering the difference in zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102, the difference in zeta potential tends to increase as the pH decreases. The use of the acidic seeder tends to maintain the state in which the non-conductive inorganic particles 102 are firmly adhered to the resin particles 101 by the electrostatic force.

アルカリシーダを使用する場合、疎水化処理剤にアミノ基、カルボン酸基、水酸基、スルフォン酸基、グリシジル基、及びニトリル基からなる群から選ばれる少なくとも一種を有していることが好ましい。例えば、カルボン酸基及び水酸基のＨ＋は、ｐＨ７以上において解離し、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位は、よりマイナス側にシフトする。ただし、樹脂粒子１０１のゼータ電位もｐＨにより変動するため、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位の差が大きく保てるように、シーダの種類を選ぶことが好ましい。When using an alkali seeder, the hydrophobizing agent preferably has at least one selected from the group consisting of an amino group, a carboxylic acid group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a glycidyl group, and a nitrile group. For example, H + of the carboxylic acid group and the hydroxyl group dissociates at pH 7 or higher, and the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 shifts to the negative side. However, since the zeta potential of the resin particles 101 also varies depending on the pH, it is preferable to select the type of seeder so that the difference in zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 can be kept large.

これらのパラジウム触媒化処理方法では、パラジウムイオンを表面に吸着させた後に水洗し、さらに、還元剤を含む溶液に分散させる。これにより、複合粒子１０３の表面に吸着したパラジウムイオンを還元することにより、原子レベルの大きさのパラジウム析出核を形成することができる。 In these palladium-catalyzed treatment methods, palladium ions are adsorbed on the surface, washed with water, and then dispersed in a solution containing a reducing agent. As a result, by reducing the palladium ions adsorbed on the surface of the composite particles 103, it is possible to form a palladium precipitation nucleus having an atomic level size.

＜突起＞
導電粒子１００ａにおける突起１０９の面積は、導電粒子１００ａの正投影面において、導電粒子１００ａの直径の１／２の直径を有する同心円内の突起１０９の面積、もしくは、隣接する突起１０９同士の間の谷により区切られる各突起１０９の輪郭の面積を意味する。突起１０９の直径（外径）は、導電粒子１００ａの正投影面において、導電粒子１００ａの直径の１／２の直径を有する同心円内に存在する突起１０９について算出され、当該突起１０９の面積と同一の面積を有する真円の直径を意味する。具体的には、導電粒子１００ａをＳＥＭにより３万倍で観察して得られる画像を解析し、突起１０９の輪郭を画定することにより、各突起の面積を求める。そしてこの面積から直径を算出する。<Protrusion>
The area of the protrusions 109 in the conductive particles 100a is the area of the protrusions 109 within a concentric circle having a diameter that is ½ of the diameter of the conductive particles 100a on the orthographic plane of the conductive particles 100a, or between the adjacent protrusions 109. It means the area of the contour of each protrusion 109 separated by a valley. The diameter (outer diameter) of the protrusion 109 is calculated for the protrusion 109 existing in a concentric circle having a diameter that is ½ of the diameter of the conductive particle 100a on the orthographic plane of the conductive particle 100a, and is the same as the area of the protrusion 109. Means the diameter of a perfect circle having an area of. Specifically, an image obtained by observing the conductive particles 100a at a magnification of 30,000 with an SEM is analyzed, and the contours of the protrusions 109 are defined to determine the area of each protrusion. Then, the diameter is calculated from this area.

突起１０９の面積の割合（被覆率）は、導電粒子１００ａの正投影面において、導電粒子１００ａの直径の１／２の直径を有する同心円の全面積を分母とし、導電粒子１００ａの直径の１／２の直径を有する同心円内の突起１０９の面積の総和を分子として割り出された１００分率で示すことができる。突起１０９の面積の割合（被覆率）は、５０％以上でもよく、６５％以上でもよく、８０％以上でもよい。突起１０９による被覆率が上記範囲内であると、導電粒子１００ａが高湿下におかれた場合であっても、その導通抵抗が増加しにくくなる。 The area ratio (coverage) of the projections 109 is such that, on the orthographic plane of the conductive particles 100a, the total area of concentric circles having a diameter of ½ of the diameter of the conductive particles 100a is the denominator, and 1/diameter of the diameter of the conductive particles 100a. The total area of the protrusions 109 within the concentric circles having a diameter of 2 can be shown as a numerator in the percentage of 100. The area ratio (coverage) of the protrusion 109 may be 50% or more, 65% or more, and 80% or more. When the coverage of the projections 109 is within the above range, the conduction resistance of the conductive particles 100a is unlikely to increase even when the conductive particles 100a are exposed to high humidity.

突起１０９の最適な直径（外径）の大きさと、突起１０９による被覆率の最適な割合とは、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２の直径の大きさによって異なる。いずれの非導電性無機粒子１０２を用いても、非導電性無機粒子１０２による樹脂粒子１０１の被覆率を２０〜８０％とすることで、突起１０９による被覆率を５０％以上にすることが可能である。 The optimum diameter (outer diameter) of the protrusion 109 and the optimum ratio of the coverage of the protrusion 109 depend on the diameters of the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102. Regardless of which non-conductive inorganic particles 102 are used, by setting the coverage of the resin particles 101 with the non-conductive inorganic particles 102 to 20 to 80%, the coverage with the protrusions 109 can be 50% or more. Is.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径が５０ｎｍ未満の場合、導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し８０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し２０〜８０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し２０％未満であってもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し７０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し３０〜７０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し１５％未満であってもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の数は、５０個以上でもよく、８０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の数は、３０個以上でもよく、５０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の突起１０９の数は、１５個以内でもよく、２個から１３個以内でもよく、２個から１０個以内でもよい。 When the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102 is less than 50 nm, even if the ratio of the projections 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm is less than 80% per one conductive particle 100a. The proportion of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm may be 20 to 80% with respect to the total number of protrusions, and the proportion of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 20% with respect to the total number of protrusions. Good. In one conductive particle 100a, the ratio of the protrusions 109 having a diameter of less than 100 nm may be less than 70% with respect to the total number of protrusions, and the ratio of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm is 30 with respect to the total number of protrusions. The proportion of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 15% with respect to the total number of protrusions. The number of protrusions 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm may be 50 or more, or 80 or more, for each conductive particle 100a. The number of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm per one conductive particle 100a may be 30 or more, or 50 or more. The number of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more and 350 nm or less in one conductive particle 100a may be 15 or less, 2 to 13 or less, or 2 to 10 or less.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径が５０ｎｍ以上９０ｎｍ未満の場合、導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し７０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し２０〜８０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し２０％未満であってもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し６０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し３０〜７０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し１５％未満であってもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の数は、３０個以上でもよく、５０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の数は、３０個以上でもよく、５０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の突起１０９の数は、１５個以内でもよく、２個から１３個以内でもよく、２個から１０個以内であってもよい。 When the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 50 nm or more and less than 90 nm, the ratio of the projections 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm is less than 70% per one conductive particle 100a. The proportion of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm may be 20 to 80% with respect to the total number of protrusions, and the proportion of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 20% with respect to the total number of protrusions. It may be. In one conductive particle 100a, the ratio of the protrusions 109 having a diameter of less than 100 nm may be less than 60% with respect to the total number of protrusions, and the ratio of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm is 30 with respect to the total number of protrusions. The proportion of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 15% with respect to the total number of protrusions. The number of protrusions 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm may be 30 or more, or 50 or more, for each conductive particle 100a. The number of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm per one conductive particle 100a may be 30 or more, or 50 or more. The number of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more and 350 nm or less in one conductive particle 100a may be 15 or less, 2 to 13 or less, or 2 to 10 or less.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径が９０ｎｍ以上１３０ｎｍ未満の場合、導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し７０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し２０〜９０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し７０％未満であってもよい。さらに、導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し６０％未満であってもよく、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の割合が全突起数に対し３０〜８０％であってもよく、直径が２００ｎｍ以上の突起１０９の割合が全突起数に対し５０％未満でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径（外径）が１００ｎｍ未満の突起１０９の数は、３０個以上でもよく、５０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の突起１０９の数は、３０個以上でもよく、５０個以上でもよい。導電粒子１００ａ一つあたりにおいて、直径が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の突起１０９の数は、１５個以内でもよく、２個から１３個以内でもよく、２個から１０個以内でもよい。 When the average particle size of the non-conductive inorganic particles 102 is 90 nm or more and less than 130 nm, the ratio of the protrusions 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm is less than 70% per one conductive particle 100a. The ratio of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm may be 20 to 90% with respect to the total number of protrusions, and the ratio of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 70% with respect to the total number of protrusions. It may be. Further, in one conductive particle 100a, the ratio of the protrusions 109 having a diameter of less than 100 nm may be less than 60% with respect to the total number of protrusions, and the ratio of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm corresponds to the total number of protrusions. Alternatively, it may be 30 to 80%, and the ratio of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more may be less than 50% with respect to the total number of protrusions. The number of protrusions 109 having a diameter (outer diameter) of less than 100 nm may be 30 or more, or 50 or more, for each conductive particle 100a. The number of the protrusions 109 having a diameter of 100 nm or more and less than 200 nm per one conductive particle 100a may be 30 or more, or 50 or more. The number of the protrusions 109 having a diameter of 200 nm or more and 350 nm or less in one conductive particle 100a may be 15 or less, 2 to 13 or less, or 2 to 10 or less.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径に応じた突起の数が上記範囲内である場合、例えば、相対向する電極間に導電粒子１００ａを介在させて電極同士を圧着接続したとき、充分低い導通抵抗を得ることができる。 When the number of protrusions according to the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102 is within the above range, for example, when the electrodes are pressure-bonded with the conductive particles 100a interposed between the electrodes facing each other, the conductivity is sufficiently low. You can get resistance.

＜導電粒子の単分散率＞
導電粒子１００ａの単分散率は、９６．０％以上でもよく、９８．０％以上であってもよい。導電粒子１００ａの単分散率が上記範囲内であることにより、例えば、吸湿試験後において高い絶縁信頼性を得ることができる。導電粒子１００ａの単分散率は、例えば、５０，０００個の導電粒子を用いて、ＣＯＵＬＥＲ ＭＵＬＴＩＳＩＺＥＲ ＩＩ（ベックマン・コールター株式会社製、商品名）により測定することができる。<Monodispersion rate of conductive particles>
The monodispersion rate of the conductive particles 100a may be 96.0% or more, or 98.0% or more. When the monodispersion rate of the conductive particles 100a is within the above range, for example, high insulation reliability can be obtained after the moisture absorption test. The monodispersion rate of the conductive particles 100a can be measured by, for example, 50,000 conductive particles by COULER MULTISIZER II (trade name, manufactured by Beckman Coulter, Inc.).

＜導電粒子の製造方法＞
次に、第１実施形態に係る導電粒子１００ａの製造方法を説明する。まず、第１工程として、樹脂粒子１０１をカチオン性ポリマーによって被覆する（第１被覆工程）。第１工程では、水酸基等を表面に有する樹脂粒子１０１をカチオン性ポリマー溶液中に分散することにより、当該樹脂粒子１０１をカチオン性ポリマーにて被覆する。<Method for producing conductive particles>
Next, a method for manufacturing the conductive particles 100a according to the first embodiment will be described. First, as the first step, the resin particles 101 are coated with a cationic polymer (first coating step). In the first step, the resin particles 101 having hydroxyl groups and the like on the surface are dispersed in a cationic polymer solution to coat the resin particles 101 with the cationic polymer.

次に、第２工程として、非導電性無機粒子１０２の表面を疎水化処理剤によって被覆する（第２被覆工程）。疎水化処理剤による非導電性無機粒子１０２の被覆は、水、有機溶媒、もしくは、水と水溶性の有機溶媒との混合溶液中、又は、気相中にて行われる。使用できる水溶性の有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、ジメチルホルムアミド及びアセトニトリルが挙げられる。疎水化処理剤があらかじめ被覆された非導電性無機粒子を購入し、非導電性無機粒子１０２として使用してもよい。 Next, as a second step, the surface of the non-conductive inorganic particles 102 is coated with a hydrophobizing agent (second coating step). The non-conductive inorganic particles 102 are coated with the hydrophobizing agent in water, an organic solvent, a mixed solution of water and a water-soluble organic solvent, or a gas phase. Examples of water-soluble organic solvents that can be used include methanol, ethanol, propanol, acetone, dimethylformamide and acetonitrile. Non-conductive inorganic particles pre-coated with a hydrophobizing agent may be purchased and used as the non-conductive inorganic particles 102.

次に、第３工程として、樹脂粒子１０１の表面に非導電性無機粒子１０２を接着し、複合粒子１０３を形成する（粒子形成工程）。樹脂粒子１０１への非導電性無機粒子１０２の接着は、例えば、有機溶媒、又は、水と水溶性の有機溶媒との混合溶液により処理を行う。有機溶媒のみを用いて非導電性無機粒子１０２を樹脂粒子１０１に接着させることが好ましい。樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位の差を考慮すると、水を含んだ有機溶媒を用いる場合よりも、有機溶媒のみを用いた場合のほうが、非導電性無機粒子１０２と樹脂粒子１０１とのゼータ電位の差は大きくなる。非導電性無機粒子１０２と樹脂粒子１０１との間により強い静電気力が働くと、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１に強固に接着することが可能となる。結果として、無電解ニッケルめっきを行うための前処理工程、及び無電解ニッケルめっき工程において、非導電性無機粒子１０２が脱落しづらくなる。 Next, as the third step, the non-conductive inorganic particles 102 are adhered to the surfaces of the resin particles 101 to form the composite particles 103 (particle forming step). The non-conductive inorganic particles 102 are adhered to the resin particles 101 by, for example, treatment with an organic solvent or a mixed solution of water and a water-soluble organic solvent. It is preferable to adhere the non-conductive inorganic particles 102 to the resin particles 101 using only the organic solvent. Considering the difference in the zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102, the non-conductive inorganic particles 102 and the resin are better when the organic solvent alone is used than when the organic solvent containing water is used. The difference in zeta potential from the particles 101 becomes large. When a stronger electrostatic force acts between the non-conductive inorganic particles 102 and the resin particles 101, the non-conductive inorganic particles 102 can firmly adhere to the resin particles 101. As a result, in the pretreatment step for performing electroless nickel plating and the electroless nickel plating step, it becomes difficult for the non-conductive inorganic particles 102 to drop off.

次に、第４工程として、無電解めっきにより複合粒子１０３を金属層によって被覆する（第３被覆工程）。第４工程では、ニッケルを含有する第１層１０４を金属層とし、当該第１層１０４によって複合粒子１０３の表面全体（すなわち、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２の露出する面全体）を被覆する。この場合、第１層１０４を無電解ニッケルめっきにより形成するための前処理工程として、複合粒子１０３に対してパラジウム触媒化処理を行ってもよい。パラジウム触媒化処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、上述したアルカリシーダ又は酸性シーダと呼ばれる触媒化処理液を用いた触媒化処理方法にて行われる。あらかじめ、樹脂粒子１０１の表面に非導電性無機粒子１０２を配置しても、周囲のｐＨの影響を受けて、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位は変化する。 Next, as a fourth step, the composite particles 103 are coated with a metal layer by electroless plating (third coating step). In the fourth step, the first layer 104 containing nickel is used as a metal layer, and the entire surface of the composite particle 103 (that is, the entire exposed surface of the resin particle 101 and the non-conductive inorganic particle 102) is formed by the first layer 104. To cover. In this case, as a pretreatment step for forming the first layer 104 by electroless nickel plating, the composite particles 103 may be subjected to a palladium catalyzation treatment. The palladium-catalyzed treatment can be carried out by a known method, for example, a catalyzed treatment method using the above-mentioned catalyst-treated solution called alkali seeder or acidic seeder. Even if the non-conductive inorganic particles 102 are arranged on the surface of the resin particles 101 in advance, the zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 changes due to the influence of the surrounding pH.

酸性シーダを用いた場合、触媒化処理液のｐＨが１程度になる。この場合、樹脂粒子１０１のゼータ電位の測定値と、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位の測定値との差の絶対値は５０ｍＶ以上になる。このため、疎水化処理剤が被覆された非導電性無機粒子１０２が脱落しづらくなる。一方、一般的に使用されるアルカリシーダを用いた場合、触媒化処理液のｐＨが１０〜１１になる。この場合、樹脂粒子１０１のゼータ電位の測定値と、非導電性無機粒子１０２のゼータ電位の測定値との差の絶対値は３０〜５０ｍＶ程度になる。このため、上記前処理工程において、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しやすくなる。 When the acidic seeder is used, the pH of the catalyzed treatment liquid becomes about 1. In this case, the absolute value of the difference between the measured value of the zeta potential of the resin particles 101 and the measured value of the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 is 50 mV or more. Therefore, the non-conductive inorganic particles 102 coated with the hydrophobizing agent are less likely to fall off. On the other hand, when a commonly used alkali seeder is used, the pH of the catalyzed treatment liquid becomes 10-11. In this case, the absolute value of the difference between the measured value of the zeta potential of the resin particles 101 and the measured value of the zeta potential of the non-conductive inorganic particles 102 is about 30 to 50 mV. Therefore, in the pretreatment step, the non-conductive inorganic particles 102 are likely to fall off the resin particles 101.

以上に説明した第１実施形態に係る導電粒子１００ａの作用効果について、上記特許文献１〜３と比較しながら説明する。上記特許文献１、２に記載の方法に従って導電粒子を形成した場合、当該導電粒子における突起の数、大きさ及び形状を制御することは困難となっており、これらの導電粒子を用いた接着剤等の抵抗値が高くなる傾向にあった。このため、上記特許文献１、２に記載の導電粒子の導電性を高めようとした場合、長さが５００ｎｍを超える異常な大きさの突起（異常突起）が当該導電粒子の表面に形成される傾向にあった。このような異常突起（異常析出部）を有する導電粒子を用いた接着剤においては、絶縁信頼性が低下する傾向にあった。特に、特許文献２に記載の方法に従って導電粒子を形成する場合、導電粒子の電気抵抗値を下げるためには、基材となる微粒子の表面に充分な量の芯物質を付着させる必要がある。しかしながら、この芯物質の付着量を増やすと、芯物質自体が微粒子の表面にて凝集し、異常突起が形成されやすい傾向にある。 The action and effect of the conductive particles 100a according to the first embodiment described above will be described in comparison with Patent Documents 1 to 3 above. When the conductive particles are formed according to the methods described in Patent Documents 1 and 2, it is difficult to control the number, size and shape of the protrusions in the conductive particles, and an adhesive using these conductive particles is used. Etc., the resistance value tended to increase. Therefore, when it is attempted to enhance the conductivity of the conductive particles described in Patent Documents 1 and 2, protrusions (abnormal protrusions) having an abnormal size with a length exceeding 500 nm are formed on the surface of the conductive particles. There was a tendency. In the adhesive using the conductive particles having such abnormal protrusions (abnormal deposition portions), the insulation reliability tends to decrease. In particular, when the conductive particles are formed according to the method described in Patent Document 2, in order to reduce the electric resistance value of the conductive particles, it is necessary to attach a sufficient amount of the core substance to the surface of the fine particles serving as the base material. However, when the amount of the core substance attached is increased, the core substance itself tends to agglomerate on the surface of the fine particles, and abnormal protrusions tend to be formed.

特許文献３に記載の方法では、樹脂粒子の表面に芯物質となる非導電性物質を化学結合により吸着させて複合粒子を形成する。この複合粒子に金属層を被覆するために、無電解ニッケルめっきを行うための前処理工程を、又は、無電解ニッケルめっき工程を行うと、非導電性物質が樹脂粒子から脱落してしまう。このため、複合粒子における突起の数、大きさ及び形状を制御することは困難となっており、これらの導電粒子を用いた接着剤などの抵抗値が高くなる傾向にあった。さらに、無電解ニッケルめっき工程時において、ニッケルが析出した非導電性物質が脱落すると、金属異物の発生源となる。この金属異物が複合粒子に再付着した場合、異常突起（異常析出部）が形成されることがある。さらには、上記金属異物そのものが接着剤に含有されることにより、絶縁信頼性低下の要因となることがあった。 In the method described in Patent Document 3, a non-conductive substance serving as a core substance is adsorbed on the surface of the resin particles by a chemical bond to form composite particles. If a pretreatment step for performing electroless nickel plating or an electroless nickel plating step is performed in order to coat the composite particles with the metal layer, the non-conductive substance will fall off from the resin particles. For this reason, it is difficult to control the number, size, and shape of the protrusions in the composite particles, and the resistance value of an adhesive or the like using these conductive particles tends to increase. Furthermore, during the electroless nickel plating step, if the non-conductive substance on which nickel is deposited falls off, it becomes a source of metal foreign matter. When the metallic foreign matter is reattached to the composite particles, abnormal protrusions (abnormal precipitation portions) may be formed. Furthermore, the inclusion of the metallic foreign matter itself in the adhesive may cause a decrease in insulation reliability.

これらの特許文献１〜３に対して、第１実施形態に係る製造方法によって形成された導電粒子１００ａによれば、樹脂粒子１０１はカチオン性ポリマーにより被覆され、非導電性無機粒子１０２は疎水化処理剤によって被覆される。非導電性無機粒子１０２の表面のゼータ電位は、疎水化によりマイナスにシフトする。これにより、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２との間には静電気力が働き、樹脂粒子１０１の表面から非導電性無機粒子１０２が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子１０１の表面に配置される非導電性無機粒子１０２の数の制御が容易になると共に、複合粒子１０３に良好な突起１０９が形成される。したがって、導電粒子１００ａが配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子１０１から脱落する非導電性無機粒子１０２の数が低減されるので、複合粒子１０３に異常に成長した突起が発生しにくくなる。このため、導電粒子１００ａが異方導電性接着剤に配合された場合等に導電粒子１００ａ同士が導通しにくくなり、導電粒子１００ａの絶縁信頼性も向上する。したがって、上記導電粒子を異方導電性接着剤に配合することによって、優れた導通信頼性及び絶縁信頼性を両立することができる。 In contrast to these Patent Documents 1 to 3, according to the conductive particles 100a formed by the manufacturing method according to the first embodiment, the resin particles 101 are coated with a cationic polymer, and the non-conductive inorganic particles 102 are made hydrophobic. It is coated with a treating agent. The zeta potential on the surface of the non-conductive inorganic particles 102 shifts to the negative due to the hydrophobization. As a result, an electrostatic force acts between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102, and the non-conductive inorganic particles 102 are less likely to fall off the surface of the resin particles 101. Therefore, it becomes easy to control the number of the non-conductive inorganic particles 102 arranged on the surface of the resin particles 101, and the excellent projections 109 are formed on the composite particles 103. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles 100a is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles 102 that fall off the resin particles 101 is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles 103. Therefore, when the conductive particles 100a are mixed with the anisotropic conductive adhesive, the conductive particles 100a are less likely to be electrically connected to each other, and the insulation reliability of the conductive particles 100a is also improved. Therefore, by blending the conductive particles with the anisotropic conductive adhesive, excellent conduction reliability and insulation reliability can be achieved at the same time.

導電粒子１００ａにおいては、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しにくくなるので、異常析出部の発生を抑え、導電粒子を作製する際に金属異物の発生を低減できる。 In the conductive particles 100a, the non-conductive inorganic particles 102 are less likely to fall off the resin particles 101, so that the occurrence of abnormal deposits can be suppressed, and the generation of metallic foreign matter can be reduced when manufacturing the conductive particles.

疎水化処理剤は、シラザン系疎水化処理剤、シロキサン系疎水化処理剤、シラン系疎水化処理剤、及びチタネート系疎水化処理剤からなる群より選ばれる。 The hydrophobizing agent is selected from the group consisting of silazane hydrophobizing agents, siloxane hydrophobizing agents, silane hydrophobizing agents, and titanate hydrophobizing agents.

疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザン、ポリジメチルシロキサン、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランからなる群より選ばれてもよい。 Hydrophobizing agent is hexamethylene Le disilazane, polydimethylsiloxane, and N, it may be selected from the group consisting of N- dimethylamino trimethylsilane.

メタノール滴定法による非導電性無機粒子１０２の疎水化度は、例えば、３０％以上である。この場合、非導電性無機粒子１０２と樹脂粒子１０１との間に十分な静電気力が働く。 The degree of hydrophobization of the non-conductive inorganic particles 102 by the methanol titration method is, for example, 30% or more. In this case, sufficient electrostatic force acts between the non-conductive inorganic particles 102 and the resin particles 101.

樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とのゼータ電位の差は、例えば、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上である。この場合、樹脂粒子１０１と非導電性無機粒子１０２とが静電気力により強固に接着する。したがって、導電粒子１００ａにおける第１層１０４を形成するための前処理工程、第１層１０４の形成工程等の際に、樹脂粒子１０１から非導電性無機粒子１０２が脱落することを好適に抑制できる。 The difference in zeta potential between the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 is, for example, 30 mV or more at pH 1 or more and pH 11 or less. In this case, the resin particles 101 and the non-conductive inorganic particles 102 firmly adhere to each other due to electrostatic force. Therefore, it is possible to suitably prevent the non-conductive inorganic particles 102 from falling off from the resin particles 101 during the pretreatment process for forming the first layer 104 in the conductive particles 100a, the forming process of the first layer 104, and the like. ..

カチオン性ポリマーは、ポリアミン、ポリイミン、ポリアミド、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、ポリビニルアミン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール及びポリビニルピロリドンからなる群より選ばれる。 The cationic polymer is selected from the group consisting of polyamines, polyimines, polyamides, polydiallyldimethylammonium chlorides, polyvinylamines, polyvinylpyridines, polyvinylimidazoles and polyvinylpyrrolidones.

カチオン性ポリマーは、ポリエチレンイミンであってもよい。この場合、カチオン性ポリマーの電荷密度が高くなるので、非導電性無機粒子１０２の脱落を良好に抑制できる。 The cationic polymer may be polyethyleneimine. In this case, since the charge density of the cationic polymer is high, it is possible to favorably prevent the non-conductive inorganic particles 102 from falling off.

非導電性無機粒子１０２の平均粒径は、例えば、２５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である。この場合、導電粒子１００ａは緻密な突起１０９を多数有することができると共に、非導電性無機粒子１０２が樹脂粒子１０１から脱落しにくくなる。 The average particle diameter of the non-conductive inorganic particles 102 is, for example, 25 nm or more and 120 nm or less. In this case, the conductive particles 100 a can have a large number of dense protrusions 109, and the non-conductive inorganic particles 102 are less likely to fall off the resin particles 101.

樹脂粒子の平均粒径は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。例えば、導電粒子１００ａを含む異方導電性接着剤を用いて接続構造体を作製した際に、当該接続構造体の電極の形状（高さ）のばらつきによって、当該異方導電性接着剤の導電性等が変化しにくくなる。 The average particle diameter of the resin particles is, for example, 1 μm or more and 10 μm or less. For example, when a connection structure is produced using an anisotropic conductive adhesive containing conductive particles 100a, the conductivity of the anisotropic conductive adhesive may be changed due to the variation in the shape (height) of the electrodes of the connection structure. It becomes difficult for the sex to change.

非導電性無機粒子１０２は、シリカ、ジルコニア、アルミナ、及びダイヤモンドからなる群より選ばれる。 The non-conductive inorganic particles 102 are selected from the group consisting of silica, zirconia, alumina, and diamond.

金属層は、ニッケルを含有する第１層１０４を有する。加えて、当該第１層１０４は、無電解めっきにより複合粒子１０３を被覆する層である。この場合、導電粒子１００ａの硬度を高めることができる。これにより、当該導電粒子１００ａが圧縮された場合であっても、非導電性無機粒子１０２上に形成されて突起部分となった第１層１０４は、押し潰されにくくなる。したがって、導電粒子１００ａは、低い導通抵抗を得ることができる。 The metal layer has a first layer 104 containing nickel. In addition, the first layer 104 is a layer that covers the composite particles 103 by electroless plating. In this case, the hardness of the conductive particles 100a can be increased. As a result, even when the conductive particles 100a are compressed, the first layer 104 formed on the non-conductive inorganic particles 102 and serving as the protruding portion is less likely to be crushed. Therefore, the conductive particles 100a can obtain low conduction resistance.

金属層の第１層１０４は、複数の導電層を有してもよい。これらの導電層における厚さ、組成、形状の少なくとも一つが互いに異なってもよい。例えば、第１層１０４に置いて主成分となる金属の含有量は、第１層１０４の厚さ方向において表面に近づくにつれて高くなってもよい。このような複数の導電層を有する第１層１０４を形成するために、複数のめっき液を用いてもよい。例えば、析出する金属濃度が異なるめっき液を用いることによって、容易に複数の導電層を有する第１層１０４を形成できる。 The first layer 104 of metal layers may have multiple conductive layers. At least one of the thickness, composition and shape of these conductive layers may be different from each other. For example, the content of the metal serving as the main component in the first layer 104 may increase as it approaches the surface in the thickness direction of the first layer 104. A plurality of plating solutions may be used to form the first layer 104 having such a plurality of conductive layers. For example, the first layer 104 having a plurality of conductive layers can be easily formed by using a plating solution having a different concentration of deposited metal.

第１層１０４は、例えば、第１めっき液の投入の後に、又は、第１めっき液の投入の終了前に当該第１めっき液よりも析出する金属濃度が異なる（高い）第２めっき液を投入し始めることによって形成されてもよい。この場合、厚さ方向における金属濃度が表面に向かって徐々に変化する（高くなる）第１層１０４を形成できる。また、異なる組成の複数の導電層を個別に形成する工程が不要になるので、短時間で第１層１０４を形成できる。 The first layer 104 is, for example, a second plating solution having a different (higher) metal concentration that precipitates than the first plating solution after the first plating solution is introduced or before the first plating solution is completed. It may be formed by starting charging. In this case, the first layer 104 in which the metal concentration in the thickness direction gradually changes (becomes higher) toward the surface can be formed. Further, since the step of individually forming a plurality of conductive layers having different compositions is unnecessary, the first layer 104 can be formed in a short time.

（第２実施形態）
以下では、第２実施形態に係る導電粒子について説明する。第２実施形態の説明において第１実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第２実施形態に第１実施形態の記載を適宜用いてもよい。(Second embodiment)
The conductive particles according to the second embodiment will be described below. In the description of the second embodiment, description that overlaps with the first embodiment will be omitted, and only different parts from the first embodiment will be described. That is, the description of the first embodiment may be appropriately used for the second embodiment within the technically possible range.

図３は、第２実施形態に係る導電粒子を示す模式断面図である。図３に示す導電粒子１００ｂは、第１層１０４上に設けられる第２層１０５を有する点以外は、図１に示される導電粒子１００ａと同様の構成を有している。第２層１０５は、金属層でもよいし、合金層でもよい。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing conductive particles according to the second embodiment. Conductive particle 100b shown in FIG. 3 has the same configuration as conductive particle 100a shown in FIG. 1 except that conductive particle 100b has second layer 105 provided on first layer 104. The second layer 105 may be a metal layer or an alloy layer.

＜第２層＞
第２層１０５は、第１層１０４を被覆して設けられる導電層である。第２層１０５の厚さは、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。第２層１０５の厚さは、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよい。第２層１０５の厚さは、３０ｎｍ以下でもよい。第２層１０５の厚さが上記範囲内である場合、第２層１０５を形成する場合に当該第２層１０５の厚さを均一にできる、これにより、第１層１０４に含有される元素（例えば、ニッケル）が、第２層１０５とは反対側の表面へ拡散することを良好に防止できる。<Second layer>
The second layer 105 is a conductive layer provided by covering the first layer 104. The thickness of the second layer 105 is, for example, 5 nm to 100 nm. The thickness of the second layer 105 may be 5 nm or more, or 10 nm or more. The thickness of the second layer 105 may be 30 nm or less. When the thickness of the second layer 105 is within the above range, it is possible to make the thickness of the second layer 105 uniform when forming the second layer 105, whereby the elements contained in the first layer 104 ( For example, nickel) can be favorably prevented from diffusing to the surface opposite to the second layer 105.

第２層１０５の厚さは、ＴＥＭによって撮影された写真を用いて算出される。具体例として、まず、導電粒子１００ｂの中心付近を通るようにウルトラミクロトーム法で導電粒子１００ｂの断面を切り出す。次に、切り出した断面を、ＴＥＭを用いて２５万倍の倍率で観察して画像を得る。次に、得られた画像から見積もられる第２層１０５（図４）の断面積から、第２層１０５の厚さを算出できる。このとき、第２層１０５、第１層１０４、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２を区別しづらい場合には、ＴＥＭに付属するＥＤＸによる成分分析による成分分析を行う。これにより、第２層１０５、第１層１０４、樹脂粒子１０１及び非導電性無機粒子１０２を明確に区別し、第２層１０５のみの厚さを算出する。第２層１０５の厚さは、導電粒子１０個における厚さの平均値とする。 The thickness of the second layer 105 is calculated using the photograph taken by the TEM. As a specific example, first, a cross section of the conductive particle 100b is cut out by an ultramicrotome method so as to pass near the center of the conductive particle 100b. Next, the cut section is observed with a TEM at a magnification of 250,000 times to obtain an image. Next, the thickness of the second layer 105 can be calculated from the cross-sectional area of the second layer 105 (FIG. 4) estimated from the obtained image. At this time, if it is difficult to distinguish the second layer 105, the first layer 104, the resin particles 101, and the non-conductive inorganic particles 102, component analysis is performed by component analysis using EDX attached to the TEM. Thereby, the second layer 105, the first layer 104, the resin particles 101, and the non-conductive inorganic particles 102 are clearly distinguished, and the thickness of only the second layer 105 is calculated. The thickness of the second layer 105 is an average value of the thickness of 10 conductive particles.

第２層１０５は、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する。貴金属は、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、白金、銀、又は金である。第２層１０５が金を含有する場合、導電粒子１００ｂの表面における導通抵抗を下げ、導電粒子１００ｂの導電特性を向上できる。この場合、第２層１０５は、ニッケルを含有する第１層１０４の酸化防止層として機能する。そのため、第２層１０５は、第１層１０４上に形成される。金を含有する場合の第２層１０５の厚さは、３０ｎｍ以下でもよい。この場合、導電粒子１００ｂの表面における導通抵抗の低減効果と製造コストとのバランスに優れる。しかしながら、金を含有する場合の第２層１０５の厚さは、３０ｎｍを超えていてもよい。 The second layer 105 contains at least one selected from the group consisting of precious metals and cobalt. The noble metal is palladium, rhodium, iridium, ruthenium, platinum, silver or gold. When the second layer 105 contains gold, it is possible to reduce the conduction resistance on the surface of the conductive particles 100b and improve the conductive characteristics of the conductive particles 100b. In this case, the second layer 105 functions as an antioxidant layer for the first layer 104 containing nickel. Therefore, the second layer 105 is formed on the first layer 104. The thickness of the second layer 105 when it contains gold may be 30 nm or less. In this case, the effect of reducing the conduction resistance on the surface of the conductive particles 100b and the manufacturing cost are well balanced. However, the thickness of the second layer 105 when it contains gold may exceed 30 nm.

第２層１０５は、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム及び白金からなる群より選ばれる少なくとも一種から構成されることが好ましい。この場合、導電粒子１００ｂの表面の酸化を抑制し、且つ導電粒子１００ｂの絶縁信頼性を向上できる。第２層１０５は、パラジウム、ロジウム、イリジウム及びルテニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種から構成されることがより好ましい。この場合、導電粒子１００ｂを圧縮した場合であっても、非導電性無機粒子１０２上に形成される突起１０９になる第１層１０４が押しつぶされることが抑制され、圧縮された導電粒子１００ｂの抵抗増加が抑制される。第２層１０５は、例えば、第１実施形態の第４工程にて第１層１０４を形成した後、無電解めっきにて、当該第１層１０４によって覆われた複合粒子１０３上に形成される。 The second layer 105 is preferably composed of at least one selected from the group consisting of palladium, rhodium, iridium, ruthenium and platinum. In this case, the oxidation of the surface of the conductive particles 100b can be suppressed, and the insulation reliability of the conductive particles 100b can be improved. The second layer 105 is more preferably made of at least one selected from the group consisting of palladium, rhodium, iridium and ruthenium. In this case, even when the conductive particles 100b are compressed, the crushing of the first layer 104 that becomes the protrusions 109 formed on the non-conductive inorganic particles 102 is suppressed, and the resistance of the compressed conductive particles 100b is reduced. The increase is suppressed. The second layer 105 is formed on the composite particles 103 covered with the first layer 104 by electroless plating after forming the first layer 104 in the fourth step of the first embodiment, for example. ..

＜パラジウム＞
第２層１０５がパラジウムを含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解パラジウムめっきによって形成することできる。無電解パラジウムめっきは、還元剤を用いない置換型、及び、還元剤を用いる還元型のいずれを用いてもよい。このような無電解パラジウムめっき液としては、置換型ではＭＣＡ（株式会社ワールドメタル製、商品名）等が挙げられる。還元型ではＡＰＰ（石原ケミカル株式会社製、商品名）等が挙げられる。置換型と還元型とを比較した場合、生じるボイドが少なく、被覆面積を確保し易い観点から、還元型が好ましい。<Palladium>
When the second layer 105 contains palladium, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless palladium plating. The electroless palladium plating may use either a substitution type that does not use a reducing agent or a reduction type that uses a reducing agent. As such an electroless palladium plating solution, MCA (manufactured by World Metal Co., Ltd., trade name) and the like in the substitution type may be mentioned. Examples of the reduction type include APP (trade name, manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.). When the substitution type and the reduction type are compared, the reduction type is preferable from the viewpoints that there are few voids and it is easy to secure the covered area.

第２層１０５がパラジウムを含有する場合、第２層１０５におけるパラジウムの含有量の下限は、第２層１０５の全量を基準として、９０質量％以上でもよく、９３質量％以上でもよく、９４質量％以上でもよい。第２層１０５におけるパラジウムの含有量の上限は、第２層１０５の全量を基準として、９９質量％以下でもよく、９８質量％以下でもよい。第２層１０５におけるパラジウムの含有量が上記範囲内である場合、第２層１０５の硬度が高くなる。このため、導電粒子１００ｂを圧縮した場合であっても突起１０９が押しつぶされることが抑制される。 When the second layer 105 contains palladium, the lower limit of the palladium content in the second layer 105 may be 90% by mass or more, 93% by mass or more, and 94% by mass, based on the total amount of the second layer 105. % Or more may be used. The upper limit of the palladium content in the second layer 105 may be 99% by mass or less, or 98% by mass or less, based on the total amount of the second layer 105. When the content of palladium in the second layer 105 is within the above range, the hardness of the second layer 105 becomes high. Therefore, the protrusion 109 is suppressed from being crushed even when the conductive particles 100b are compressed.

第２層１０５におけるパラジウムの含有量を調整するため（例えば、９３〜９９質量％に調整するため）に、無電解パラジウムめっき液に用いられる還元剤としては、特に制限はないが、次亜リン酸、亜リン酸、これらのアルカリ塩等のリン含有化合物；ホウ素含有化合物などを用いることができる。その場合は、得られる第２層１０５がパラジウム−リン合金又はパラジウム−ホウ素合金を含む。このため、第２層１０５におけるパラジウム含有量が所望の範囲となるように、還元剤の濃度、ｐＨ、めっき液の温度等を調整することが好ましい。 The reducing agent used in the electroless palladium plating solution for adjusting the content of palladium in the second layer 105 (for example, for adjusting to 93 to 99% by mass) is not particularly limited, but hypophosphorus Phosphorus-containing compounds such as acids, phosphorous acid and alkali salts thereof; boron-containing compounds and the like can be used. In that case, the obtained second layer 105 contains a palladium-phosphorus alloy or a palladium-boron alloy. Therefore, it is preferable to adjust the concentration of the reducing agent, the pH, the temperature of the plating solution, etc. so that the palladium content in the second layer 105 falls within a desired range.

＜ロジウム＞
第２層１０５がロジウムを含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解ロジウムめっきによって形成することできる。無電解ロジウムめっき液に用いるロジウムの供給源としては、例えば、水酸化アンミンロジウム、硝酸アンミンロジウム、酢酸アンミンロジウム、硫酸アンミンロジウム、亜硫酸アンミンロジウム、アンミンロジウム臭化物、及び、アンミンロジウム化合物が挙げられる。<Rhodium>
When the second layer 105 contains rhodium, the second layer 105 can be formed by electroless rhodium plating, for example. Examples of the source of rhodium used in the electroless rhodium plating solution include ammine rhodium hydroxide, ammine rhodium nitrate, ammine rhodium acetate, ammine rhodium sulfate, ammine rhodium sulfite, ammine rhodium bromide, and ammine rhodium compounds.

無電解ロジウムめっき液に用いる還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、ホウ酸ジメチルアミン、ホウ酸ジエチルアミン及び水素化硼素ナトリウムが挙げられる。還元剤としては、ヒドラジンが好ましい。無電解ロジウムめっき液中に、安定剤又は錯化剤（水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン塩、二塩化ヒドラジン等）を添加してもよい。 Examples of the reducing agent used in the electroless rhodium plating solution include hydrazine, sodium hypophosphite, dimethylamine borate, diethylamine borate, and sodium borohydride. As the reducing agent, hydrazine is preferable. A stabilizer or complexing agent (ammonium hydroxide, hydroxylamine salt, hydrazine dichloride, etc.) may be added to the electroless rhodium plating solution.

無電解ロジウムめっき液の温度（浴温）は、充分なめっき速度を得る観点から、４０℃以上でもよく、５０℃以上でもよい。めっき液の温度は、無電解ロジウムめっき液を安定に保持する観点から、９０℃以下でもよく、８０℃以下でもよい。 The temperature (bath temperature) of the electroless rhodium plating solution may be 40° C. or higher, or 50° C. or higher, from the viewpoint of obtaining a sufficient plating rate. The temperature of the plating solution may be 90° C. or lower, or 80° C. or lower, from the viewpoint of stably holding the electroless rhodium plating solution.

＜イリジウム＞
第２層１０５がイリジウムを含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解イリジウムめっきによって形成することできる。無電解イリジウムめっき液に用いるイリジウムの供給源としては、例えば、三塩化イリジウム、四塩化イリジウム、三臭化イリジウム、四臭化イリジウム、六塩化イリジウム三カリウム、六塩化イリジウム二カリウム、六塩化イリジウム三ナトリウム、六塩化イリジウム二ナトリウム、六臭化イリジウム三カリウム、六臭化イリジウム二カリウム、六ヨウ化イリジウム三カリウム、トリス硫酸二イリジウム、及び、ビス硫酸イリジウムが挙げられる。<iridium>
When the second layer 105 contains iridium, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless iridium plating. Examples of the iridium supply source used in the electroless iridium plating solution include iridium trichloride, iridium tetrachloride, iridium tribromide, iridium tetrabromide, iridium hexachloride tripotassium hexachloride, iridium dichloride trichloride, and iridium hexachloride trichloride. Sodium, iridium hexachloride disodium, iridium tripotassium hexabromide, iridium dipotassium hexabromide, iridium tripotassium hexaiodide, iridium trissulfate, and iridium bissulfate can be mentioned.

無電解イリジウムめっき液に用いる還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、ホウ酸ジメチルアミン、ホウ酸ジエチルアミン、及び、水素化硼素ナトリウムが挙げられる。還元剤としては、ヒドラジンが好ましい。無電解イリジウムめっき液中に、安定剤又は錯化剤を添加してもよい。 Examples of the reducing agent used for the electroless iridium plating solution include hydrazine, sodium hypophosphite, dimethylamine borate, diethylamine borate, and sodium borohydride. As the reducing agent, hydrazine is preferable. A stabilizer or complexing agent may be added to the electroless iridium plating solution.

安定剤又は錯化剤としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種を添加してもよい。モノカルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸等が挙げられる。ジカルボン酸の具体例としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、リンゴ酸等が挙げられる。上記塩としては、例えば、上記カルボン酸に対してナトリウム、カリウム、リチウム等が対イオンとして結合している化合物が挙げられる。安定剤又は錯化剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 As the stabilizer or complexing agent, at least one selected from the group consisting of monocarboxylic acids, dicarboxylic acids and salts thereof may be added. Specific examples of the monocarboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid and the like. Specific examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid, malic acid and the like. Examples of the salt include compounds in which sodium, potassium, lithium or the like is bound to the carboxylic acid as a counter ion. The stabilizers or complexing agents may be used alone or in combination of two or more.

無電解イリジウムめっき液のｐＨは、めっき対象物の腐食を抑制すると共に、充分なめっき速度を得る観点から、１以上でもよく、２以上でもよい。無電解イリジウムめっき液のｐＨは、めっき反応の阻害が抑制され易い観点から、６以下でもよく、５以下でもよい。 The pH of the electroless iridium plating solution may be 1 or more, or 2 or more, from the viewpoint of suppressing corrosion of the object to be plated and obtaining a sufficient plating rate. The pH of the electroless iridium plating solution may be 6 or less, or 5 or less, from the viewpoint that inhibition of the plating reaction is easily suppressed.

無電解イリジウムめっき液の温度（浴温）は、充分なめっき速度を得る観点から、４０℃以上でもよく、５０℃以上でもよい。無電解イリジウムめっき液の温度（浴温）は、無電解イリジウムめっき液を安定に保持する観点から、９０℃以下でもよく、８０℃以下でもよい。 The temperature (bath temperature) of the electroless iridium plating solution may be 40° C. or higher, or 50° C. or higher, from the viewpoint of obtaining a sufficient plating rate. The temperature (bath temperature) of the electroless iridium plating solution may be 90° C. or lower, or 80° C. or lower, from the viewpoint of stably holding the electroless iridium plating solution.

＜ルテニウム＞
第２層１０５がルテニウムを含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解ルテニウムめっきによって形成することできる。無電解ルテニウムめっき液としては、例えば、市販のめっき液を用いることが可能であり、無電解ルテニウムＲｕ（奥野製薬工業株式会社製、商品名）を用いることができる。<Ruthenium>
When the second layer 105 contains ruthenium, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless ruthenium plating. As the electroless ruthenium plating solution, for example, a commercially available plating solution can be used, and electroless ruthenium Ru (trade name, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) can be used.

＜白金＞
第２層１０５が白金を含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解白金めっきによって形成することできる。無電解白金めっき液に用いる白金の供給源としては、例えば、Ｐｔ（ＮＨ３）４（ＮＯ３）２、Ｐｔ（ＮＨ３）４（ＯＨ）２、ＰｔＣｌ２（ＮＨ３）２、Ｐｔ（ＮＨ３）２（ＯＨ）２、（ＮＨ４）２ＰｔＣｌ６、（ＮＨ４）２ＰｔＣｌ４、Ｐｔ（ＮＨ３）２Ｃｌ４、Ｈ２ＰｔＣｌ６、及び、ＰｔＣｌ２が挙げられる。<Platinum>
When the second layer 105 contains platinum, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless platinum plating. Examples of a platinum supply source used in the electroless platinum plating solution include Pt(NH 3 ) 4 (NO 3 ) 2 , Pt(NH 3 ) 4 (OH) 2 , PtCl 2 (NH 3 ) 2 , Pt(NH 3 ) 2 (OH) 2 , (NH 4 ) 2 PtCl 6 , (NH 4 ) 2 PtCl 4 , Pt(NH 3 ) 2 Cl 4 , H 2 PtCl 6 , and PtCl 2 .

無電解白金めっき液に用いる還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜リン酸ナトリウム、ホウ酸ジメチルアミン、ホウ酸ジエチルアミン、及び、水素化硼素ナトリウムが挙げられる。還元剤としては、ヒドラジンが好ましい。無電解白金めっき液中に、安定剤又は錯化剤（塩化ヒドロキシルアミン、二塩化ヒドラジン、水酸化アンモニウム、ＥＤＴＡ等）を添加してもよい。 Examples of the reducing agent used in the electroless platinum plating solution include hydrazine, sodium hypophosphite, dimethylamine borate, diethylamine borate, and sodium borohydride. As the reducing agent, hydrazine is preferable. A stabilizer or complexing agent (hydroxylamine chloride, hydrazine dichloride, ammonium hydroxide, EDTA, etc.) may be added to the electroless platinum plating solution.

無電解白金めっき液の温度（浴温）は、充分なめっき速度を得る観点から、４０℃以上でもよく、５０℃以上でもよい。無電解白金めっき液の温度（浴温）は、無電解白金めっき液を安定に保持する観点から、９０℃以下でもよく、８０℃以下でもよい。 The temperature (bath temperature) of the electroless platinum plating solution may be 40° C. or higher, or 50° C. or higher, from the viewpoint of obtaining a sufficient plating rate. The temperature (bath temperature) of the electroless platinum plating solution may be 90° C. or lower, or 80° C. or lower, from the viewpoint of stably holding the electroless platinum plating solution.

無電解白金めっき液を用いて白金めっきを行う際、無電解白金めっき液のｐＨは、８〜１２であればよい。ｐＨが８以上であると、充分に白金が析出し易い。ｐＨが１２以下であると、良好な作業環境を容易に確保できる。 When performing platinum plating using the electroless platinum plating solution, the pH of the electroless platinum plating solution may be 8-12. When the pH is 8 or more, platinum is likely to be deposited sufficiently. When the pH is 12 or less, a good working environment can be easily ensured.

＜銀＞
第２層１０５が銀を含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解銀めっきによって形成することできる。無電解銀めっき液に用いる銀の供給源としては、めっき液に可溶であるものであれば特に限定されない。例えば、硝酸銀、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、亜硫酸銀、炭酸銀、酢酸銀、乳酸銀、スルホコハク酸銀、スルホン酸銀、スルファミン酸銀、及びシュウ酸銀が用いられる。水溶性銀化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。<silver>
When the second layer 105 contains silver, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless silver plating. The supply source of silver used in the electroless silver plating solution is not particularly limited as long as it is soluble in the plating solution. For example, silver nitrate, silver oxide, silver sulfate, silver chloride, silver sulfite, silver carbonate, silver acetate, silver lactate, silver sulfosuccinate, silver sulfonate, silver sulfamate, and silver oxalate are used. The water-soluble silver compounds can be used alone or in combination of two or more.

無電解銀めっき液に用いる還元剤としては、無電解銀めっき液中の水溶性銀化合物を金属銀に還元する能力を有するものであって水溶性の化合物であれば特に限定されない。例えば、ヒドラジン誘導体、ホルムアルデヒド化合物、ヒドロキシルアミン類、糖類、ロッセル塩、水素化ホウ素化合物、次亜リン酸塩、ＤＭＡＢ、及び、アスコルビン酸を用いることができる。還元剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The reducing agent used in the electroless silver plating solution is not particularly limited as long as it is a water-soluble compound having the ability to reduce the water-soluble silver compound in the electroless silver plating solution to metallic silver. For example, a hydrazine derivative, a formaldehyde compound, a hydroxylamine, a saccharide, a Rochelle salt, a borohydride compound, a hypophosphite, DMAB, and ascorbic acid can be used. The reducing agent may be used alone or in combination of two or more.

無電解銀めっき液中に、安定剤又は錯化剤を添加してもよい。安定剤又は錯化剤としては、例えば、亜硫酸塩、コハク酸イミド、ヒダントイン誘導体、エチレンジアミン、及びエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を用いることができる。安定剤又は錯化剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 A stabilizer or complexing agent may be added to the electroless silver plating solution. As the stabilizer or complexing agent, for example, sulfite, succinimide, hydantoin derivative, ethylenediamine, and ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) can be used. The stabilizers or complexing agents may be used alone or in combination of two or more.

無電解銀めっき液には、上述の成分以外に、公知の界面活性剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、平滑剤、応力緩和剤等の添加剤を添加してもよい。 In addition to the components described above, known additives such as a surfactant, a pH adjusting agent, a buffering agent, a smoothing agent, and a stress relaxation agent may be added to the electroless silver plating solution.

無電解銀めっき液は、液温として０〜８０℃の範囲であればよい。無電解銀めっき液の温度が０℃以上であると、銀の析出速度が充分に速く、所定の銀析出量を得るための時間を短縮することができる。無電解銀めっき液の温度が８０℃以下であると、自己分解反応による還元剤の損失、及び、無電解銀めっき液の安定性の低下を抑制できる。１０〜６０℃程度にすると、無電解銀めっき液の安定性をより一層良好にすることができる。 The electroless silver plating solution may have a liquid temperature in the range of 0 to 80°C. When the temperature of the electroless silver plating solution is 0° C. or higher, the silver deposition rate is sufficiently high, and the time for obtaining a predetermined silver deposition amount can be shortened. When the temperature of the electroless silver plating solution is 80° C. or lower, loss of the reducing agent due to self-decomposition reaction and deterioration of stability of the electroless silver plating solution can be suppressed. By setting the temperature to about 10 to 60° C., the stability of the electroless silver plating solution can be further improved.

無電解銀めっき液（例えば、還元型無電解銀めっき液）のｐＨは、例えば、１〜１４である。めっき液のｐＨが６〜１３程度であることによって、めっき液の安定性をより一層良好にすることができる。めっき液のｐＨ調整として、通常、ｐＨを下げる場合には、水溶性銀塩のアニオン部分と同種のアニオン部分を有する酸（例えば、水溶性銀塩として硫酸銀を用いる場合には硫酸、水溶性銀塩として硝酸銀を用いる場合には硝酸）が用いられる。無電解銀めっき液のｐＨを上げる場合には、アルカリ金属水酸化物、アンモニア等が用いられる。 The pH of the electroless silver plating solution (for example, the reduced electroless silver plating solution) is, for example, 1 to 14. When the pH of the plating solution is about 6 to 13, the stability of the plating solution can be further improved. In order to adjust the pH of the plating solution, usually, when lowering the pH, an acid having an anion part of the same kind as the anion part of the water-soluble silver salt (for example, when using silver sulfate as the water-soluble silver salt, sulfuric acid, water-soluble When silver nitrate is used as the silver salt, nitric acid) is used. When raising the pH of the electroless silver plating solution, an alkali metal hydroxide, ammonia or the like is used.

＜金＞
第２層１０５が金を含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解金めっきによって形成することできる。無電解金めっき液としては、置換型金めっき液（例えば、日立化成株式会社製、商品名「ＨＧＳ−１００」）、還元型金めっき液（例えば、日立化成株式会社製、商品名「ＨＧＳ−２０００」）等を用いることができる。置換型と還元型とを比較した場合、ボイドが少なく、被覆面積を確保し易い観点から、還元型を用いることが好ましい。<Fri>
When the second layer 105 contains gold, the second layer 105 can be formed by electroless gold plating, for example. As the electroless gold plating solution, a substitution type gold plating solution (for example, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name "HGS-100"), a reduction type gold plating solution (for example, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name "HGS-"2000") and the like can be used. When the substitution type and the reduction type are compared, it is preferable to use the reduction type from the viewpoint that there are few voids and it is easy to secure the covered area.

＜コバルト＞
第２層１０５がコバルトを含有する場合、当該第２層１０５は、例えば、無電解コバルトめっきによって形成することできる。無電解コバルトめっき液に用いるコバルトの供給源としては、例えば、硫酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、酢酸コバルト、及び、炭酸コバルトが挙げられる。<Cobalt>
When the second layer 105 contains cobalt, the second layer 105 can be formed by, for example, electroless cobalt plating. Examples of the supply source of cobalt used in the electroless cobalt plating solution include cobalt sulfate, cobalt chloride, cobalt nitrate, cobalt acetate, and cobalt carbonate.

無電解コバルトめっき液に用いる還元剤としては、例えば、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸ニッケル等の次亜リン酸塩、及び、次亜リン酸が用いられる。無電解コバルトめっき液中に、安定剤又は錯化剤（脂肪族カルボン酸等）を添加してもよい。安定剤又は錯化剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the reducing agent used in the electroless cobalt plating solution include sodium hypophosphite, ammonium hypophosphite, hypophosphite such as nickel hypophosphite, and hypophosphorous acid. A stabilizer or a complexing agent (eg, aliphatic carboxylic acid) may be added to the electroless cobalt plating solution. The stabilizers or complexing agents may be used alone or in combination of two or more.

無電解コバルトめっき液の温度（浴温）は、充分なめっき速度を得る観点から、４０℃以上でもよく、５０℃以上でもよい。無電解コバルトめっき液の温度（浴温）は、無電解コバルトめっき液を安定に保持する観点から、９０℃以下でもよく、８０℃以下でもよい。 The temperature (bath temperature) of the electroless cobalt plating solution may be 40° C. or higher, or 50° C. or higher, from the viewpoint of obtaining a sufficient plating rate. The temperature (bath temperature) of the electroless cobalt plating solution may be 90° C. or lower, or 80° C. or lower, from the viewpoint of stably holding the electroless cobalt plating solution.

以上に説明した第２実施形態に係る導電粒子１００ｂにおいても、第１実施形態に係る導電粒子１００ａと同様に、樹脂粒子１０１の表面から非導電性無機粒子１０２が脱落しにくくなる。このため、樹脂粒子１０１の表面に配置される非導電性無機粒子１０２の数の制御が容易になると共に、複合粒子１０３に良好な突起１０９が形成される。したがって、導電粒子１００ｂが配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子１０１から脱落する非導電性無機粒子１０２の数が低減されるので、複合粒子１０３に異常に成長した突起が発生しにくくなる。したがって、導電粒子１００ａが異方導電性接着剤に配合された場合等に導電粒子１００ｂ同士が導通しにくくなり、導電粒子１００ｂの絶縁信頼性も向上する。 In the conductive particles 100b according to the second embodiment described above as well, like the conductive particles 100a according to the first embodiment, the non-conductive inorganic particles 102 are less likely to fall off the surface of the resin particles 101. Therefore, it becomes easy to control the number of the non-conductive inorganic particles 102 arranged on the surface of the resin particles 101, and the excellent projections 109 are formed on the composite particles 103. Therefore, even when the connection structure using the anisotropic conductive adhesive containing the conductive particles 100b is stored under high temperature and high humidity, the conduction reliability is improved. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles 102 that fall off the resin particles 101 is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles 103. Therefore, when the conductive particles 100a are mixed with the anisotropic conductive adhesive, it becomes difficult for the conductive particles 100b to conduct to each other, and the insulation reliability of the conductive particles 100b is also improved.

第１実施形態においては、第１層１０４が導電粒子１００ａの最外層となる。この導電粒子１００ａが、例えば、異方導電性接着剤内に分散した際、第１層１０４内に含有されるニッケルが接着剤中に溶出してマイグレーションすることがある。このマイグレーションしたニッケルによって、異方導電性接着剤の絶縁信頼性が低下することがある。これに対して、第２実施形態の金属層は、第１層１０４上に設けられる第２層１０５を有し、第２層１０５は、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる金属を含有する。この場合、導電粒子１００ｂの最外層は第２層１０５になる。この第２層１０５は、第１層１０４からニッケルの溶出を防ぐ機能を有するので、当該ニッケルのマイグレーションの発生を抑制できる。加えて、当該第２層１０５は比較的酸化しにくいので、導電粒子１００ｂの導電性能が劣化しにくい。導電粒子１００ｂが第２層１０５を有することにより、突起１０９の数、大きさ及び形状を高度に制御することが可能になる。 In the first embodiment, the first layer 104 is the outermost layer of the conductive particles 100a. When the conductive particles 100a are dispersed in the anisotropic conductive adhesive, for example, nickel contained in the first layer 104 may elute into the adhesive and migrate. This migration of nickel may reduce the insulation reliability of the anisotropic conductive adhesive. On the other hand, the metal layer of the second embodiment has a second layer 105 provided on the first layer 104, and the second layer 105 contains a metal selected from the group consisting of a noble metal and cobalt. In this case, the outermost layer of the conductive particles 100b becomes the second layer 105. The second layer 105 has a function of preventing nickel from being eluted from the first layer 104, so that the migration of nickel can be suppressed. In addition, since the second layer 105 is relatively resistant to oxidation, the conductive performance of the conductive particles 100b is less likely to deteriorate. Since the conductive particles 100b have the second layer 105, the number, size and shape of the protrusions 109 can be highly controlled.

（第３実施形態）
以下では、第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子について説明する。第３実施形態の説明において第１実施形態及び第２実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態及び第２実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第３実施形態に第１実施形態及び第２実施形態の記載を適宜用いてもよい。(Third Embodiment)
The insulating coated conductive particles according to the third embodiment will be described below. In the description of the third embodiment, description that overlaps with the first embodiment and the second embodiment will be omitted, and only different parts from the first embodiment and the second embodiment will be described. That is, the description of the first embodiment and the second embodiment may be appropriately used in the third embodiment within a technically possible range.

＜絶縁被覆導電粒子＞
図５は、本実施形態に係る絶縁被覆導電粒子を示す模式断面図である。図５に示される絶縁被覆導電粒子２００は、第１実施形態に係る導電粒子１００ａと、第１層１０４の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁性粒子（絶縁性被覆部）２１０と、を備える。<Insulating coated conductive particles>
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the insulating coated conductive particles according to the present embodiment. The insulating coated conductive particles 200 shown in FIG. 5 include the conductive particles 100a according to the first embodiment and insulating particles (insulating coating portion) 210 that cover at least a part of the surface of the first layer 104. ..

絶縁性粒子２１０の平均粒径は、絶縁性粒子２１０の正投影面において、絶縁性粒子２１０の面積と同一の面積を有する真円の直径から算出した平均粒径を意味する。絶縁性粒子２１０の平均粒径は、例えば、２０〜５００ｎｍである。絶縁性粒子２１０の平均粒径が上記範囲内である場合、例えば、導電粒子１００ａに吸着された絶縁性粒子２１０が絶縁膜として有効に作用し易い。また、接続の加圧方向の導電性が良好になり易い。絶縁性粒子２１０の平均粒径は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積換算法、又は、Ｘ線小角散乱法で測定してもよい。 The average particle size of the insulating particles 210 means the average particle size calculated from the diameter of a perfect circle having the same area as the area of the insulating particles 210 on the orthographic plane of the insulating particles 210. The average particle diameter of the insulating particles 210 is, for example, 20 to 500 nm. When the average particle diameter of the insulating particles 210 is within the above range, for example, the insulating particles 210 adsorbed by the conductive particles 100a easily act effectively as an insulating film. Also, the conductivity in the pressing direction of the connection tends to be good. The average particle size of the insulating particles 210 may be measured by, for example, the BET method for converting specific surface area or the X-ray small angle scattering method.

電気抵抗を下げ易く、且つ、電気抵抗の経時的な上昇を抑制し易い観点から、絶縁性粒子２１０の平均粒径は、導電粒子１００ａの平均粒径に対して、１／１０以下でもよく、１／１５以下でもよい。絶縁性粒子２１０の平均粒径は、更に良好な絶縁信頼性を得る観点から、導電粒子１００ａの平均粒径に対して、１／２０以上であってもよい。 From the viewpoint of easily lowering the electric resistance and suppressing the increase in the electric resistance with time, the average particle diameter of the insulating particles 210 may be 1/10 or less with respect to the average particle diameter of the conductive particles 100a, It may be 1/15 or less. The average particle size of the insulating particles 210 may be 1/20 or more of the average particle size of the conductive particles 100a from the viewpoint of obtaining better insulation reliability.

導電粒子１００ａに対する絶縁性粒子２１０の被覆率が、例えば、２０〜７０％となるように、絶縁性粒子２１０は導電粒子１００ａの表面を被覆する。絶縁性と導電性の効果を一層確実に得る観点から、被覆率は、２０〜６０％でもよく、２５〜６０％でもよく、２８〜５５％でもよい。「被覆率」は、絶縁被覆導電粒子２００の正投影面において、絶縁被覆導電粒子２００の直径の１／２の直径を有する同心円内における絶縁性粒子２１０の表面積の割合を意味する。具体的には、絶縁性粒子２１０が形成された絶縁被覆導電粒子２００をＳＥＭにより３万倍で観察して得られる画像を解析し、絶縁被覆導電粒子２００の表面において絶縁性粒子２１０が占める割合を算出する。 The insulating particles 210 cover the surface of the conductive particles 100a so that the coverage of the insulating particles 210 with respect to the conductive particles 100a is, for example, 20 to 70%. From the viewpoint of more reliably obtaining the effect of insulation and conductivity, the coverage may be 20 to 60%, 25 to 60%, or 28 to 55%. The “coverage” means the ratio of the surface area of the insulating particles 210 within a concentric circle having a diameter of ½ of the diameter of the insulating conductive particles 200 on the orthographic plane of the insulating conductive particles 200. Specifically, an image obtained by observing the insulating coated conductive particles 200 on which the insulating particles 210 are formed at a magnification of 30,000 with an SEM is analyzed, and the ratio of the insulating particles 210 on the surface of the insulating coated conductive particles 200 is analyzed. To calculate.

導電粒子１００ａを被覆する絶縁性粒子２１０としては、有機高分子化合物微粒子、無機酸化物微粒子等が挙げられる。絶縁性粒子２１０として、無機酸化物微粒子を用いる場合には、絶縁信頼性を向上させやすく、有機高分子化合物微粒子を用いる場合には、導通抵抗を容易に下げることができる。 Examples of the insulating particles 210 that coat the conductive particles 100a include organic polymer compound fine particles and inorganic oxide fine particles. When the inorganic oxide fine particles are used as the insulating particles 210, the insulation reliability can be easily improved, and when the organic polymer compound fine particles are used, the conduction resistance can be easily reduced.

有機高分子化合物としては、熱軟化性を有する化合物であればよく、具体的には、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、スチレン−イソブチレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、（メタ）アクリル酸エステル系ゴム、スチレン−エチレン−ブチレン共重合体、フェノキシ樹脂、固形エポキシ樹脂等が用いられる。有機高分子化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The organic polymer compound may be a compound having a heat-softening property, and specifically, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic. Acid ester copolymer, polyester, polyamide, polyurethane, polystyrene, styrene-divinylbenzene copolymer, styrene-isobutylene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-propylene A copolymer, a (meth)acrylic acid ester rubber, a styrene-ethylene-butylene copolymer, a phenoxy resin, a solid epoxy resin, or the like is used. The organic polymer compounds may be used alone or in combination of two or more.

無機酸化物としては、例えば、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、亜鉛、錫、セリウム及びマグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む酸化物が挙げられる。無機酸化物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。無機酸化物の中でも、シリカが好ましい。シリカの中でも、水分散コロイダルシリカ（ＳｉＯ２）は、表面に水酸基を有するために導電粒子との結合性に優れ、粒径を揃え易く、安価であるため特に好適である。このような無機酸化物の微粒子の市販品としては、例えば、スノーテックス、スノーテックスＵＰ（日産化学工業株式会社製、商品名）、及び、クオートロンＰＬシリーズ（扶桑化学工業株式会社製、商品名）が挙げられる。Examples of the inorganic oxide include oxides containing at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, zirconium, titanium, niobium, zinc, tin, cerium and magnesium. The inorganic oxides may be used alone or in combination of two or more. Among the inorganic oxides, silica is preferable. Among silica, water-dispersed colloidal silica (SiO 2 ) is particularly suitable because it has a hydroxyl group on the surface, is excellent in the bondability with conductive particles, is easy in uniform particle size, and is inexpensive. Examples of commercially available fine particles of such inorganic oxides include Snowtex, Snowtex UP (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., product name), and Quartlon PL series (manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd., product name). Are listed.

無機酸化物微粒子が表面に水酸基を有する場合には、水酸基をシランカップリング剤等で、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基等に変性することができる。但し、無機酸化物微粒子の平均粒径が５００ｎｍ以下である場合、変性しにくい場合がある。その場合には、変性を行わずに導電粒子１００ａを被覆してもよい。 When the inorganic oxide fine particles have a hydroxyl group on the surface, the hydroxyl group can be modified with a silane coupling agent or the like into an amino group, a carboxyl group, an epoxy group or the like. However, if the average particle diameter of the inorganic oxide fine particles is 500 nm or less, it may be difficult to modify. In that case, the conductive particles 100a may be coated without modification.

一般的に、無機酸化物微粒子の表面が水酸基を有することにより、シランカップリング剤等の表面処理剤の水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基等と結合することができる。結合形態としては、例えば、脱水縮合による共有結合、水素結合、及び配位結合が挙げられる。 Generally, when the surface of the inorganic oxide fine particles has a hydroxyl group, it can be bonded to a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group or the like of a surface treating agent such as a silane coupling agent. Examples of the bond form include a covalent bond by hydrogenation condensation, a hydrogen bond, and a coordinate bond.

導電粒子１００ａの外表面が金又はパラジウムからなる場合、これらに対して配位結合を形成するメルカプト基、スルフィド基、ジスルフィド基等を分子内に有する化合物を用いて無機酸化物微粒子の表面に水酸基、カルボキシル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基等の官能基を形成するとよい。上記化合物としては、例えば、メルカプト酢酸、２−メルカプトエタノール、メルカプト酢酸メチル、メルカプトコハク酸、チオグリセリン、及び、システインが挙げられる。 When the outer surface of the conductive particles 100a is made of gold or palladium, a compound having a mercapto group, a sulfide group, a disulfide group or the like in the molecule that forms a coordinate bond with them is used to form a hydroxyl group on the surface of the inorganic oxide fine particles. It is preferable to form a functional group such as a carboxyl group, an alkoxyl group, and an alkoxycarbonyl group. Examples of the compound include mercaptoacetic acid, 2-mercaptoethanol, methyl mercaptoacetate, mercaptosuccinic acid, thioglycerin, and cysteine.

金、パラジウム等の貴金属、銅などはチオールと反応し易い。ニッケル等の卑金属はチオールと反応し難い。したがって、導電粒子１００ａの最外層が貴金属、銅等からなる場合は、導電粒子１００ａの最外層が卑金属からなる場合と比べてチオールと反応し易い。 Noble metals such as gold and palladium, copper, etc. are easy to react with thiols. Base metals such as nickel are difficult to react with thiols. Therefore, when the outermost layer of the conductive particles 100a is made of a noble metal, copper or the like, it is more likely to react with a thiol than when the outermost layer of the conductive particles 100a is made of a base metal.

例えば、金表面に上記化合物を処理する方法としては、特に限定されないが、メタノール、エタノール等の有機溶媒中にメルカプト酢酸等の上記化合物を１０〜１００ｍｍｏｌ／Ｌ程度分散し、その中に、最外層が金である導電粒子１００ａを分散させることができる。 For example, the method of treating the compound on the gold surface is not particularly limited, but about 10 to 100 mmol/L of the above compound such as mercaptoacetic acid is dispersed in an organic solvent such as methanol or ethanol, and the outermost layer The conductive particles 100a of gold can be dispersed.

次に、第１実施形態に係る導電粒子１００ａから第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子２００を製造する方法の一例を説明する。導電粒子１００ａの表面を絶縁性粒子２１０で被覆する方法としては、例えば、高分子電解質と絶縁性粒子とを交互に積層する方法が挙げられる。 Next, an example of a method for manufacturing the electrically conductive particles 100a according to the first embodiment to the insulating coated electrically conductive particles 200 according to the third embodiment will be described. As a method of coating the surface of the conductive particles 100a with the insulating particles 210, for example, a method of alternately stacking a polymer electrolyte and insulating particles can be mentioned.

まず、（１）導電粒子１００ａを高分子電解質溶液に分散し、当該導電粒子１００ａの表面に高分子電解質を吸着させた後、リンスする工程を行う。次に、（２）導電粒子１００ａを絶縁性粒子の分散溶液に分散し、当該導電粒子１００ａの表面に絶縁性粒子を吸着させた後、リンスする工程を行う。これらの工程を経て、高分子電解質と絶縁性粒子とが積層された絶縁性粒子２１０によって表面が被覆された絶縁被覆導電粒子２００を製造できる。（１）の工程及び（２）の工程は、（１）、（２）の順でも、（２）、（１）の順でもよい。（１）、（２）の工程は、交互に繰り返し行われてもよい。 First, (1) a step of dispersing conductive particles 100a in a polymer electrolyte solution, adsorbing the polymer electrolyte on the surface of the conductive particles 100a, and then rinsing. Next, (2) a step of dispersing the conductive particles 100a in a dispersion solution of insulating particles, adsorbing the insulating particles on the surface of the conductive particles 100a, and then rinsing is performed. Through these steps, the insulation-coated conductive particles 200 whose surface is coated with the insulation particles 210 in which the polymer electrolyte and the insulation particles are laminated can be manufactured. The steps (1) and (2) may be performed in the order of (1) and (2) or (2) and (1). The steps (1) and (2) may be alternately repeated.

高分子電解質としては、例えば、水溶液中で電離し、荷電を有する官能基を主鎖又は側鎖に有する高分子を用いることができる。例えば、ポリアミン類等のように正荷電を帯びることのできる官能基を有する高分子化合物を用いることができ、樹脂粒子１０１の表面処理に用いられる前述のカチオン性ポリマーと同じものを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリアリルアミン塩酸塩（ＰＡＨ）、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド（ＰＤＤＡ）、ポリビニルピリジン（ＰＶＰ）、ポリリジン、ポリアクリルアミド、これらの重合体を与える１種以上の単量体を重合して得られる共重合体等を用いることができる。電荷密度が高く、負の電荷を持った表面及び材料との結合力が強い観点から、ポリエチレンイミンを用いることが好ましい。 As the polymer electrolyte, for example, a polymer which is ionized in an aqueous solution and has a charged functional group in its main chain or side chain can be used. For example, a polymer compound having a functional group capable of being positively charged such as polyamines can be used, and the same cationic polymer as that described above used for the surface treatment of the resin particles 101 can also be used. .. Specifically, polyethyleneimine (PEI), polyallylamine hydrochloride (PAH), polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA), polyvinylpyridine (PVP), polylysine, polyacrylamide, and one or more monocarboxylic compounds that give these polymers. A copolymer or the like obtained by polymerizing the monomer can be used. It is preferable to use polyethyleneimine from the viewpoint of high charge density and strong binding force with a negatively charged surface and material.

上記（１）、（２）の工程を繰り返す方法は、交互積層法（Ｌａｙｅｒ−ｂｙ−Ｌａｙｅｒ ａｓｓｅｍｂｌｙ）と呼ばれる。交互積層法は、Ｇ．Ｄｅｃｈｅｒらによって１９９２年に発表された有機薄膜を形成する方法である（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，２１０／２１１，ｐ８３１（１９９２））。Ｇ．Ｄｅｃｈｅｒらによって発表された方法によれば、正電荷を有するポリマー電解質（ポリカチオン）、及び、負電荷を有するポリマー電解質（ポリアニオン）の水溶液に基材（基板等）を交互に浸漬し、静電的引力によって基材上に吸着したポリカチオンとポリアニオンとの組が積層することで、複合膜（交互積層膜）が得られる。 A method of repeating the above steps (1) and (2) is called an alternate layering method (Layer-by-Layer assembly). The alternate lamination method is described in G. This is a method for forming an organic thin film, which was announced by Decher et al. in 1992 (Thin Solid Films, 210/211, p831 (1992)). G. According to the method published by Decher et al., a substrate (substrate, etc.) is alternately immersed in an aqueous solution of a polymer electrolyte (polycation) having a positive charge and a polymer electrolyte (polyanion) having a negative charge, and electrostatic discharge is performed. A composite film (alternating laminated film) is obtained by laminating a set of a polycation and a polyanion that are adsorbed on the substrate by the attractive force.

交互積層法では、静電的な引力によって、基材上に形成された材料の電荷と、溶液中の反対電荷を有する材料とが引き合うことにより膜成長する。このため、吸着が進行して電荷の中和が起こるとそれ以上の吸着が起こらなくなる。したがって、ある飽和点までに至れば、それ以上膜厚が増加することはない。Ｌｖｏｖらは交互積層法を微粒子に応用し、シリカ、チタニア、セリア等の各微粒子分散液を用いて、微粒子の表面電荷と反対電荷を有する高分子電解質を交互積層法で積層する方法を報告している（Ｌａｎｇｍｕｉｒ，Ｖｏｌ．１３，（１９９７）ｐ６１９５−６２０３）。Ｌｖｏｖによって報告された方法を用いると、負の表面電荷を有するシリカの微粒子と、その反対電荷を有するポリカチオンであるポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド（ＰＤＤＡ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）等と、を交互に積層することで、シリカ微粒子と高分子電解質とが交互に積層された微粒子積層薄膜を形成することができる。 In the alternate layering method, electrostatic attraction attracts the charge of the material formed on the substrate and the material having the opposite charge in the solution to grow a film. For this reason, when the adsorption progresses and the charge is neutralized, further adsorption does not occur. Therefore, when reaching a certain saturation point, the film thickness does not increase any more. Lvov et al. reported a method of applying a layer-by-layer method to particles, and using a particle dispersion liquid of silica, titania, ceria, etc., to stack a polymer electrolyte having a surface charge of particles and an opposite charge by the layer-by-layer method. (Langmuir, Vol. 13, (1997) p6195-6203). Using the method reported by Lvov, silica particles having a negative surface charge and polycations having opposite charges, polydiallyldimethylammonium chloride (PDDA), polyethyleneimine (PEI), etc., are alternated. By laminating, it is possible to form a particulate laminated thin film in which silica particles and polymer electrolytes are alternately laminated.

以上に説明した第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子２００においても、第１実施形態と同様に、当該絶縁被覆導電粒子２００が配合された異方導電性接着剤を用いた接続構造体を高温高湿下に保存した場合であっても、導通信頼性が向上する。加えて、第１層１０４の外表面に設けられた絶縁性粒子２１０により、導電粒子１００ａの第１層１０４同士が接触しにくくなる。さらには、脱落した非導電性無機粒子１０２が金属によってコーティングされて形成される金属異物は、接着剤中に存在しにくい。したがって、絶縁被覆導電粒子２００同士が良好に導通しにくくなり、当該絶縁被覆導電粒子２００を用いた接続構造体等の絶縁信頼性も好適に向上する。 In the insulating coated conductive particles 200 according to the third embodiment described above as well, similar to the first embodiment, the connection structure using the anisotropic conductive adhesive in which the insulating coated conductive particles 200 are mixed is used at a high temperature. Even when stored under high humidity, conduction reliability is improved. In addition, the insulating particles 210 provided on the outer surface of the first layer 104 make it difficult for the first layers 104 of the conductive particles 100a to come into contact with each other. Furthermore, the foreign metal particles formed by coating the separated non-conductive inorganic particles 102 with a metal do not easily exist in the adhesive. Therefore, it becomes difficult for the insulating coated conductive particles 200 to satisfactorily conduct with each other, and the insulation reliability of the connection structure or the like using the insulating coated conductive particles 200 is also suitably improved.

特に近年、ＣＯＧ実装用の異方導電性接着剤等には、約１０μｍの狭ピッチでの絶縁信頼性が求められている。第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子２００を用いることによって、このような絶縁信頼性を実現することができる。 Particularly in recent years, anisotropic conductive adhesives and the like for COG mounting are required to have insulation reliability at a narrow pitch of about 10 μm. By using the insulating coated conductive particles 200 according to the third embodiment, such insulation reliability can be realized.

第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子２００における導電粒子としては、導電粒子１００ａに代えて、例えば、第２実施形態に係る導電粒子１００ｂ等を用いることができる。この場合、絶縁被覆導電粒子２００は、上記作用効果に加えて、第２実施形態に係る導電粒子１００ｂによる作用効果を奏することができる。 As the conductive particles in the insulating coated conductive particles 200 according to the third embodiment, for example, the conductive particles 100b according to the second embodiment can be used instead of the conductive particles 100a. In this case, the insulating coated conductive particles 200 can exert the operational effect of the conductive particles 100b according to the second embodiment, in addition to the above operational effects.

（第４実施形態）
以下では、第４実施形態に係る異方導電性接着剤について説明する。第４実施形態の説明において第１実施形態〜第３実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態〜第３実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第４実施形態に第１実施形態〜第３実施形態の記載を適宜用いてもよい。(Fourth Embodiment)
The anisotropic conductive adhesive according to the fourth embodiment will be described below. In the description of the fourth embodiment, description that overlaps with the first embodiment to the third embodiment will be omitted, and only different parts from the first embodiment to the third embodiment will be described. That is, the description of the first embodiment to the third embodiment may be appropriately used for the fourth embodiment within a technically possible range.

＜異方導電性接着剤＞
第４実施形態に係る異方導電性接着剤は、第１実施形態に係る導電粒子１００ａと、当該導電粒子１００ａが分散された接着剤とを含有する。<Anisotropic conductive adhesive>
The anisotropic conductive adhesive according to the fourth embodiment contains the conductive particles 100a according to the first embodiment and an adhesive in which the conductive particles 100a are dispersed.

接着剤としては、例えば、熱反応性樹脂と硬化剤との混合物が用いられる。接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂と潜在性硬化剤との混合物、及び、ラジカル重合性化合物と有機過酸化物との混合物が挙げられる。 As the adhesive, for example, a mixture of a thermoreactive resin and a curing agent is used. Examples of the adhesive include a mixture of an epoxy resin and a latent curing agent, and a mixture of a radical polymerizable compound and an organic peroxide.

接着剤としては、ペースト状又はフィルム状の接着剤が用いられる。異方導電性接着剤をフィルム状に成形するために、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等の熱可塑性樹脂が接着剤に配合されてもよい。 As the adhesive, a paste-shaped or film-shaped adhesive is used. Thermoplastic resins such as phenoxy resin, polyester resin, polyamide resin, polyester resin, polyurethane resin, (meth)acrylic resin, and polyester urethane resin are mixed with the adhesive to form the anisotropic conductive adhesive into a film. May be.

以上に説明した第４実施形態に係る異方導電性接着剤においても、第１実施形態と同様に、導通信頼性が向上する。加えて、樹脂粒子１０１から脱落する非導電性無機粒子１０２の数が低減されるので、複合粒子１０３に異常に成長した突起が発生しにくくなる。また、接着剤中に脱落した非導電性無機粒子１０２に起因して生成される金属異物の数が低減される。したがって、異方導電性接着剤中に分散された導電粒子１００ａ同士が導通しにくくなり、異方導電性接着剤の絶縁信頼性も向上する。 Also in the anisotropic conductive adhesive according to the fourth embodiment described above, the conduction reliability is improved as in the first embodiment. In addition, since the number of non-conductive inorganic particles 102 that fall off the resin particles 101 is reduced, abnormally grown protrusions are less likely to occur on the composite particles 103. In addition, the number of metallic foreign matters generated due to the non-conductive inorganic particles 102 dropped in the adhesive is reduced. Therefore, the conductive particles 100a dispersed in the anisotropic conductive adhesive are less likely to be electrically connected to each other, and the insulation reliability of the anisotropic conductive adhesive is also improved.

第４実施形態に係る異方導電性接着剤における導電粒子としては、導電粒子１００ａに代えて、例えば、第２実施形態に係る導電粒子１００ｂ等を用いることができる。この場合、異方導電性接着剤は、第２実施形態に係る導電粒子１００ｂによる作用効果を奏することができる。導電粒子１００ａに代えて、絶縁被覆導電粒子２００を用いてもよい。この場合、異方導電性接着剤は、第３実施形態に係る導電粒子１００ｂによる作用効果を奏することができる。 As the conductive particles in the anisotropic conductive adhesive according to the fourth embodiment, for example, the conductive particles 100b according to the second embodiment can be used instead of the conductive particles 100a. In this case, the anisotropic conductive adhesive can exert the function and effect of the conductive particles 100b according to the second embodiment. The insulating coated conductive particles 200 may be used instead of the conductive particles 100a. In this case, the anisotropic conductive adhesive can exert the effect of the conductive particles 100b according to the third embodiment.

（第５実施形態）
以下では、第５実施形態に係る接続構造体について説明する。第５実施形態の説明において第１実施形態〜第４実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態〜第４実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第５実施形態に第１実施形態〜第４実施形態の記載を適宜用いてもよい。(Fifth Embodiment)
The connection structure according to the fifth embodiment will be described below. In the description of the fifth embodiment, description that overlaps with the first embodiment to the fourth embodiment will be omitted, and only different parts from the first embodiment to the fourth embodiment will be described. That is, the description of the first embodiment to the fourth embodiment may be appropriately used for the fifth embodiment within a technically possible range.

＜接続構造体＞
第５実施形態に係る接続構造体について説明する。本実施形態に係る接続構造体は、第１回路電極を有する第１回路部材と、第２回路電極を有する第２回路部材と、第１回路部材と第２回路部材との間に配置され、上記導電粒子及び上記絶縁被覆導電粒子の少なくとも一方を含有する接続部と、を備えている。接続部は、第１回路電極と第２回路電極とが対向するように配置された状態で第１回路部材及び第２回路部材を互いに接続している。第１回路電極及び第２回路電極は、変形した状態の導電粒子又は絶縁被覆導電粒子を介して互いに電気的に接続されている。<Connection structure>
The connection structure according to the fifth embodiment will be described. The connection structure according to the present embodiment is arranged between a first circuit member having a first circuit electrode, a second circuit member having a second circuit electrode, a first circuit member and a second circuit member, And a connecting portion containing at least one of the conductive particles and the insulating coated conductive particles. The connection portion connects the first circuit member and the second circuit member to each other in a state where the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged so as to face each other. The first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected to each other via the conductive particles in a deformed state or the insulating coated conductive particles.

次に、図６を参照しながら、第５実施形態に係る接続構造体を更に説明する。図６は、第５実施形態に係る接続構造体を示す模式断面図である。図６に示す接続構造体３００は、互いに対向する第１回路部材３１０及び第２回路部材３２０と、第１回路部材３１０と第２回路部材３２０との間に配置される接続部３３０とを備えている。接続構造体３００としては、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、タブレット等の携帯製品が挙げられる。 Next, the connection structure according to the fifth embodiment will be further described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the connection structure according to the fifth embodiment. The connection structure 300 shown in FIG. 6 includes a first circuit member 310 and a second circuit member 320 facing each other, and a connecting portion 330 arranged between the first circuit member 310 and the second circuit member 320. ing. Examples of the connection structure 300 include mobile products such as liquid crystal displays, personal computers, mobile phones, smartphones, and tablets.

第１回路部材３１０は、回路基板（第１回路基板）３１１と、回路基板３１１の主面３１１ａ上に配置された回路電極（第１回路電極）３１２とを備える。第２回路部材３２０は、回路基板（第の回路基板）３２１と、回路基板３２１の主面３２１ａ上に配置された回路電極（第２回路電極）３２２とを備える。 The first circuit member 310 includes a circuit board (first circuit board) 311 and a circuit electrode (first circuit electrode) 312 arranged on the main surface 311a of the circuit board 311. The second circuit member 320 includes a circuit board (second circuit board) 321 and a circuit electrode (second circuit electrode) 322 arranged on the main surface 321a of the circuit board 321.

回路部材３１０，３２０のうちの一方の具体例としては、ＩＣチップ（半導体チップ）、抵抗体チップ、コンデンサチップ、ドライバーＩＣ等のチップ部品；リジット型のパッケージ基板などが挙げられる。これらの回路部材は、回路電極を備えており、多数の回路電極を備えているものが一般的である。回路部材３１０，３２０のうちの他方（前記一方の回路部材が接続される回路部材）の具体例としては、金属配線を有するフレキシブルテープ基板、フレキシブルプリント配線板、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が蒸着されたガラス基板等の配線基板などが挙げられる。例えば、フィルム状の異方導電性接着剤を用いることによって、これらの回路部材同士を効率的且つ高い接続信頼性をもって接続できる。例えば、第４実施形態に係る異方導電性接着剤は、微細な回路電極を多数備えるチップ部品の配線基板上へのＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装に好適である。 Specific examples of one of the circuit members 310 and 320 include IC chips (semiconductor chips), resistor chips, capacitor chips, chip components such as driver ICs, and rigid type package substrates. These circuit members have circuit electrodes, and generally have many circuit electrodes. As a specific example of the other of the circuit members 310 and 320 (a circuit member to which the one circuit member is connected), a flexible tape substrate having metal wiring, a flexible printed wiring board, indium tin oxide (ITO) is vapor-deposited. Examples of the wiring substrate include a glass substrate and the like. For example, by using a film-shaped anisotropic conductive adhesive, these circuit members can be connected efficiently and with high connection reliability. For example, the anisotropic conductive adhesive according to the fourth embodiment is suitable for COG mounting or COF mounting on a wiring board of a chip component having a large number of fine circuit electrodes.

接続部３３０は、接着剤の硬化物３３２と、当該硬化物３３２に分散している絶縁被覆導電粒子２００とを備えている。接続部３３０としては、例えば、上記第４実施形態に記載されるフィルム状の異方導電性接着剤が用いられる。接続構造体３００においては、相対向する回路電極３１２と回路電極３２２とが、絶縁被覆導電粒子２００を介して電気的に接続されている。より具体的には、図６に示すとおり、絶縁被覆導電粒子２００における導電粒子１００ａが圧縮により変形し、回路電極３１２，３２２の双方に電気的に接続している。一方、導電粒子１００ａは、圧縮する方向に交差する方向において導電粒子１００ａ間に絶縁性粒子２１０が介在することにより、絶縁被覆導電粒子２００同士の絶縁性が維持される。したがって、狭ピッチ（例えば、１０μｍレベルのピッチ）での絶縁信頼性を更に向上させることができる。用途によっては絶縁被覆導電粒子２００の代わりに、絶縁被覆されていない導電粒子１００ａ、１００ｂを用いてもよい。 The connection portion 330 includes a cured product 332 of an adhesive and the insulating coated conductive particles 200 dispersed in the cured product 332. As the connection portion 330, for example, the film-shaped anisotropic conductive adhesive described in the fourth embodiment is used. In the connection structure 300, the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322 which face each other are electrically connected to each other through the insulating coated conductive particles 200. More specifically, as shown in FIG. 6, the conductive particles 100a in the insulating coated conductive particles 200 are deformed by compression and electrically connected to both the circuit electrodes 312 and 322. On the other hand, in the conductive particles 100a, the insulating particles 210 are interposed between the conductive particles 100a in a direction intersecting with the compression direction, so that the insulating coated conductive particles 200 are kept insulating. Therefore, the insulation reliability at a narrow pitch (for example, a pitch of 10 μm level) can be further improved. Depending on the application, the insulating coated conductive particles 200 may be replaced by conductive particles 100a and 100b that are not insulated.

接続構造体３００は、回路電極３１２を有する第１回路部材３１０と、回路電極３２２を有する第２回路部材３２０と、を回路電極３１２と回路電極３２２とが相対向するように配置し、第１回路部材３１０と第２回路部材３２０との間に異方導電性接着剤を介在させ、これらを加熱及び加圧して回路電極３１２と回路電極３２２とを電気的に接続させることにより得られる。第１回路部材３１０及び第２回路部材３２０は、接着剤の硬化物３３２によって接着される。 In the connection structure 300, a first circuit member 310 having a circuit electrode 312 and a second circuit member 320 having a circuit electrode 322 are arranged so that the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322 face each other, and It is obtained by interposing an anisotropic conductive adhesive between the circuit member 310 and the second circuit member 320, and heating and pressurizing these to electrically connect the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322. The first circuit member 310 and the second circuit member 320 are adhered by a cured product 332 of an adhesive.

＜接続構造体の製造方法＞
第５実施形態に係る接続構造体の製造方法について、図７を参照しながら説明する。図７は、図６に示す接続構造体の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。第５実施形態では、異方導電性接着剤を熱硬化させて接続構造体を製造する。<Method for manufacturing connection structure>
A method for manufacturing the connection structure according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the method for manufacturing the connection structure shown in FIG. In the fifth embodiment, the anisotropic conductive adhesive is thermoset to manufacture the connection structure.

まず、第１回路部材３１０と、異方導電性接着剤３３０ａとを用意する。本実施形態では、異方導電性接着剤３３０ａとして、フィルム状に成形してなる接着剤フィルム（異方導電性接着剤フィルム）を用いる。異方導電性接着剤３３０ａは、絶縁被覆導電粒子２００と、絶縁性の接着剤３３２ａとを含有している。 First, the first circuit member 310 and the anisotropic conductive adhesive 330a are prepared. In this embodiment, an adhesive film (anisotropic conductive adhesive film) formed into a film shape is used as the anisotropic conductive adhesive 330a. The anisotropic conductive adhesive 330a contains the insulating coated conductive particles 200 and the insulating adhesive 332a.

次に、異方導電性接着剤３３０ａを第１回路部材３１０の主面３１１ａ（回路電極３１２が形成されている面）上に載せる。そして、図７（ａ）に示すように、異方導電性接着剤３３０ａを方向Ａ及び方向Ｂに沿って加圧する。これにより、図７（ｂ）に示すように、異方導電性接着剤３３０ａを第１回路部材３１０に積層する。 Next, the anisotropic conductive adhesive 330a is placed on the main surface 311a of the first circuit member 310 (the surface on which the circuit electrodes 312 are formed). Then, as shown in FIG. 7A, the anisotropic conductive adhesive 330a is pressed in the directions A and B. As a result, as shown in FIG. 7B, the anisotropic conductive adhesive 330a is laminated on the first circuit member 310.

次いで、図７（ｃ）に示すように、回路電極３１２と回路電極３２２とが相対向するように、第２回路部材３２０を異方導電性接着剤３３０ａ上に載せる。そして、異方導電性接着剤３３０ａを加熱しながら、図７（ｃ）に示される方向Ａ及び方向Ｂに沿って全体（第１回路部材３１０及び第２回路部材３２０）を加圧する。 Next, as shown in FIG. 7C, the second circuit member 320 is placed on the anisotropic conductive adhesive 330a so that the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322 face each other. Then, while heating the anisotropic conductive adhesive 330a, the whole (the first circuit member 310 and the second circuit member 320) is pressed along the directions A and B shown in FIG. 7C.

加熱により異方導電性接着剤３３０ａが硬化して接続部３３０が形成され、図６に示すような接続構造体３００が得られる。異方導電性接着剤はペースト状であってもよい。 The anisotropic conductive adhesive 330a is cured by heating to form the connection portion 330, and the connection structure 300 as shown in FIG. 6 is obtained. The anisotropic conductive adhesive may be in paste form.

以上に説明した第５実施形態に係る接続構造体３００においては、接続部３３０内に第３実施形態に係る絶縁被覆導電粒子２００が含まれている。上記接続構造体３００によれば、絶縁被覆導電粒子２００を介して回路電極３１２と回路電極３２２とが良好に電気的に接続される。このため、回路電極３１２及び回路電極３２２の面積が小さく、且つ、回路電極３１２、３２２の間に捕捉される絶縁被覆導電粒子２００の個数が少ない場合であっても、長期間にわたって優れた導通信頼性が発揮される。加えて、絶縁被覆導電粒子２００が絶縁性粒子２１０を有することにより、接続部３３０内における絶縁被覆導電粒子２００の第１層１０４同士が接触しにくくなる。このため、例えば、回路電極３１２内（回路電極３２２内）に設けられる電極同士のピッチが例えば、１０μｍ以下である場合であっても、接続部３３０内の絶縁被覆導電粒子２００同士が導通しにくくなり、接続構造体３００の絶縁信頼性も好適に向上する。 In the connecting structure 300 according to the fifth embodiment described above, the insulating coated conductive particles 200 according to the third embodiment are included in the connecting portion 330. According to the connection structure 300, the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322 are favorably electrically connected via the insulating coated conductive particles 200. Therefore, even when the area of the circuit electrode 312 and the circuit electrode 322 is small and the number of the insulating coating conductive particles 200 trapped between the circuit electrodes 312 and 322 is small, excellent continuity reliability is maintained for a long period of time. The nature is demonstrated. In addition, since the insulating coated conductive particles 200 have the insulating particles 210, it is difficult for the first layers 104 of the insulating coated conductive particles 200 in the connection portion 330 to come into contact with each other. Therefore, for example, even when the pitch of the electrodes provided in the circuit electrode 312 (in the circuit electrode 322) is, for example, 10 μm or less, the insulating coated conductive particles 200 in the connection portion 330 are less likely to be electrically connected to each other. Therefore, the insulation reliability of the connection structure 300 is also suitably improved.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態のみに限定されるものではない。例えば、上記実施形態では非導電性無機粒子の平均粒径は２５ｎｍ〜１２０ｎｍであるが、本発明はこれに限られない。同様に、樹脂粒子の平均粒径は必ずしも１〜１０μｍでなくてもよい。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the average particle size of the non-conductive inorganic particles is 25 nm to 120 nm, but the present invention is not limited to this. Similarly, the average particle size of the resin particles is not necessarily 1 to 10 μm.

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the content of the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the examples below.

＜実施例１＞
［導電粒子の作製］
（工程ａ）樹脂粒子表面のカチオン性ポリマーによる被覆
平均粒径３．０μｍの架橋ポリスチレン粒子（株式会社日本触媒製、商品名「ソリオスター」）２ｇを、平均分子量７万（Ｍ．Ｗ．７万）の３０質量％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬工業株式会社製）３ｇを純水１００ｍｌに溶解した水溶液に加え、室温で１５分間攪拌した。次いで、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いた濾過により、樹脂粒子を取り出した。メンブレンフィルタ上の樹脂粒子を２００ｇの超純水で２回洗浄し、吸着していないポリエチレンイミンを除去して、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子を得た。<Example 1>
[Preparation of conductive particles]
(Step a) Coating of Resin Particle Surface with Cationic Polymer 2 g of cross-linked polystyrene particles having an average particle diameter of 3.0 μm (trade name “Solio Star” manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) were added to an average molecular weight of 70,000 (MW 7). 3 g of a 30% by weight aqueous solution of polyethyleneimine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dissolved in 100 ml of pure water and stirred at room temperature for 15 minutes. Then, the resin particles were taken out by filtration using a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore). The resin particles on the membrane filter were washed twice with 200 g of ultrapure water to remove polyethyleneimine that was not adsorbed to obtain resin particles to which polyethyleneimine was adsorbed.

（工程ｂ）非導電性無機粒子表面の疎水化処理剤による被覆
非導電性無機粒子として、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いた。この球状シリカ粉末１００ｇを振動流動層装置（中央化工機株式会社製、商品名「振動流動層装置ＶＵＡ−１５型」）に収容した。次に、吸引ブロワーにより循環させた空気で球状シリカを流動化させながら水１．５ｇを噴霧して５分間流動混合させた。次に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「ＴＳＬ−８８０２」）２．５ｇを噴霧し、３０分間流動混合した。得られた疎水性球状シリカ微粉体の疎水化度を、メタノール滴定法によって測定した。疎水化度は以下の方法で測定し、非導電性無機粒子の疎水化度は７０％であった。 (Step b) Coating of Surfaces of Non-Conductive Inorganic Particles with Hydrophobizing Agent As the non-conductive inorganic particles, vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was used. 100 g of this spherical silica powder was housed in a vibrating fluidized bed device (manufactured by Chuo Kakoki Co., Ltd., trade name "Vibrating fluidized bed device VUA-15 type"). Next, 1.5 g of water was sprayed while fluidizing the spherical silica with air circulated by a suction blower, and fluidized and mixed for 5 minutes. Then, HMDS (hexamethylene Le disilazane) were sprayed with (Momentive Performance Materials Japan LLC., Trade name "TSL-8802") 2.5g, it flowed mixed for 30 minutes. The hydrophobicity of the obtained hydrophobic spherical silica fine powder was measured by the methanol titration method. The hydrophobicity was measured by the following method, and the hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles was 70%.

（工程ｃ）樹脂粒子表面への非導電性無機粒子の静電気的接着工程
ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノールに加え、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、ＨＭＤＳにより疎水化された球状シリカ粉末０．０５ｇを上記メタノールに加え、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌した。これにより、シリカが静電気により吸着された樹脂粒子（粒子Ａ）を得た。シリカが静電気により吸着された粒子Ａは２．０５ｇであった。(Step c) Electrostatic Adhesion Step of Nonconductive Inorganic Particles to Resin Particle Surface Add 2 g of resin particles adsorbed with polyethyleneimine to methanol and stir for 5 minutes at room temperature while irradiating ultrasonic waves with a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. did. Thereafter, 0.05 g of spherical silica powder hydrophobized by HMDS was added to the above methanol, and the mixture was further stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. As a result, resin particles (particles A) in which silica was adsorbed by static electricity were obtained. The particle A having silica adsorbed by static electricity was 2.05 g.

（工程ｄ）パラジウム触媒付与工程
粒子Ａ２．０５ｇを、ｐＨ１．０に調整され、パラジウム触媒（日立化成株式会社製、商品名「ＨＳ２０１」）を２０質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬに添加した。その後、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら３０℃で３０分間攪拌した。次に、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）で濾過した後、水洗を行うことでパラジウム触媒を粒子Ａの表面に吸着させた。その後、ｐＨ６．０に調整された０．５質量％ジメチルアミンボラン液に粒子Ａを添加し、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら６０℃で５分間攪拌し、パラジウム触媒が固着化された粒子Ｂ２．０５ｇを得た。そして、２０ｍＬの蒸留水に、パラジウム触媒が固着化された粒子Ｂ２．０５ｇを浸漬した後、粒子Ｂを超音波分散することで、樹脂粒子分散液を得た。(Step d) Palladium catalyst application step 2.05 g of particles A was added to 100 mL of a palladium catalyzed solution containing 20% by mass of a palladium catalyst (trade name "HS201" manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) adjusted to pH 1.0. .. Then, the mixture was stirred at 30° C. for 30 minutes while irradiating ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Next, after filtration with a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore), the catalyst was adsorbed on the surface of the particles A by washing with water. Then, the particles A were added to 0.5% by mass dimethylamine borane solution adjusted to pH 6.0, and the mixture was stirred at 60° C. for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W, and the palladium catalyst was fixed. 2.05 g of pulverized particles B were obtained. Then, 2.05 g of the particles B to which the palladium catalyst was immobilized was immersed in 20 mL of distilled water, and then the particles B were ultrasonically dispersed to obtain a resin particle dispersion liquid.

（工程ｅ）第１層のａ層の形成
工程ｄで得た粒子Ｂ分散液を、８０℃に加温した水１０００ｍＬで希釈した後、めっき安定剤として１ｇ／Ｌの硝酸ビスマス水溶液を１ｍＬ添加した。次に、粒子Ｂ分散液に、下記組成（下記成分を含む水溶液であり、１ｇ／Ｌの硝酸ビスマス水溶液をめっき液１Ｌあたり１ｍＬ添加している。以下同様）のａ層形成用の無電解ニッケルめっき液８０ｍＬを５ｍＬ／分の滴下速度で滴下した。滴下終了後、１０分間経過した後に、めっき液を加えた分散液を濾過した。濾過物を水で洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で乾燥した。このようにして、表１−１に示す８０ｎｍの膜厚のニッケル−リン合金被膜からなるａ層を有する粒子Ｃを形成した。ａ層を形成することにより得た粒子Ｃは、４．０５ｇであった。第１層のａ層形成用の無電解ニッケルめっき液の組成は以下の通りである。
硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・４００ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・１５０ｇ／Ｌ
クエン酸ナトリウム・・・・・・・・・１２０ｇ／Ｌ
硝酸ビスマス水溶液（１ｇ／Ｌ）・・・１ｍＬ／Ｌ(Step e) Formation of Layer a of First Layer After diluting the particle B dispersion liquid obtained in step d with 1000 mL of water heated to 80° C., 1 mL of 1 g/L bismuth nitrate aqueous solution was added as a plating stabilizer. did. Next, electroless nickel for forming an a layer having the following composition (an aqueous solution containing the following components, 1 mL of a 1 g/L bismuth nitrate aqueous solution was added per 1 L of the plating solution; the same applies hereinafter) was added to the particle B dispersion liquid. 80 mL of the plating solution was dropped at a dropping rate of 5 mL/min. After 10 minutes had passed after the dropping, the dispersion containing the plating solution was filtered. The filtered product was washed with water and then dried in a vacuum dryer at 80°C. In this way, particles C having an a layer composed of a nickel-phosphorus alloy coating film having a thickness of 80 nm shown in Table 1-1 were formed. The particle C obtained by forming the a layer was 4.05 g. The composition of the electroless nickel plating solution for forming the a layer of the first layer is as follows.
Nickel sulfate: 400g/L
Sodium hypophosphite: 150 g/L
Sodium citrate...120 g/L
Bismuth nitrate aqueous solution (1 g/L)... 1 mL/L

（工程ｆ）第１層のｂ層の形成
工程ｅで得た粒子Ｃ４．０５ｇを、水洗及び濾過した後、７０℃に加温した水１０００ｍＬに分散させた。この分散液に、めっき安定剤として１ｇ／Ｌの硝酸ビスマス水溶液を１ｍＬ添加した。次いで、下記組成のｂ層形成用の無電解ニッケルめっき液２０ｍＬを５ｍＬ／分の滴下速度で滴下した。滴下終了後、１０分間経過した後に、めっき液を加えた分散液を濾過した。濾過物を水で洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で乾燥した。このようにして、表１−１に示す２０ｎｍの膜厚のニッケル−リン合金被膜からなるｂ層を有する粒子Ｄ（導電粒子）を形成した。ｂ層を形成することにより得た粒子Ｄは、４．５５ｇであった。第１層のｂ層形成用の無電解ニッケルめっき液の組成は以下の通りである。
硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・４００ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・１５０ｇ／Ｌ
酒石酸ナトリウム・２水和物・・・・・６０ｇ／Ｌ
硝酸ビスマス水溶液（１ｇ／Ｌ）・・・１ｍＬ／Ｌ(Step f) Formation of Layer b of First Layer 4.05 g of the particles C obtained in step e were washed with water and filtered, and then dispersed in 1000 mL of water heated to 70°C. To this dispersion, 1 mL of a 1 g/L bismuth nitrate aqueous solution was added as a plating stabilizer. Then, 20 mL of the electroless nickel plating solution for forming the b layer having the following composition was dropped at a dropping rate of 5 mL/min. After 10 minutes had passed after the dropping, the dispersion containing the plating solution was filtered. The filtered product was washed with water and then dried in a vacuum dryer at 80°C. In this way, particles D (conductive particles) having a layer b made of a nickel-phosphorus alloy coating film having a thickness of 20 nm shown in Table 1-1 were formed. The particle D obtained by forming the layer b was 4.55 g. The composition of the electroless nickel plating solution for forming the b layer of the first layer is as follows.
Nickel sulfate: 400g/L
Sodium hypophosphite: 150 g/L
Sodium tartrate dihydrate: 60 g/L
Bismuth nitrate aqueous solution (1 g/L)... 1 mL/L

［導電粒子の評価］
下記の項目に基づき導電粒子、もしくは導電粒子に含まれる樹脂粒子及び非導電性無機粒子を評価した。結果を表１−１及び表１−２に示す。[Evaluation of conductive particles]
Conductive particles, or resin particles and non-conductive inorganic particles contained in the conductive particles were evaluated based on the following items. The results are shown in Tables 1-1 and 1-2.

（疎水化度（％））
導電粒子の疎水化度を以下の方法により測定した。まず、イオン交換水５０ｍｌ、試料（導電粒子）０．２ｇをビーカーに入れ、マグネティックスターラーで攪拌しながらビュレットからメタノールを滴下する。ビーカー内のメタノール濃度が増加するにつれ粉体は徐々に沈降していき、その全量が沈んだ終点におけるメタノール−水混合溶液中のメタノールの質量分率を、導電粒子の疎水化度（％）とした。(Hydrophobicity (%))
The hydrophobicity of the conductive particles was measured by the following method. First, 50 ml of ion-exchanged water and 0.2 g of a sample (conductive particles) are placed in a beaker, and methanol is dropped from a buret while stirring with a magnetic stirrer. The powder gradually settles as the concentration of methanol in the beaker increases, and the mass fraction of methanol in the methanol-water mixed solution at the end point where the total amount of the beaker sinks is defined as the hydrophobicity (%) of the conductive particles. did.

（非導電性無機粒子の平均粒径）
非導電性無機粒子の粒径は、まず、ＳＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名「Ｓ−４８００」）により１０万倍で観察して得られる画像を解析し、粒子５００個のそれぞれの面積を測定する。次に、粒子を円に換算した場合の直径を、非導電性無機粒子の平均粒径として算出した。また、得られた平均粒径に対する、粒径の標準偏差の比をパーセンテージで算出し、ＣＶとした。(Average particle size of non-conductive inorganic particles)
Regarding the particle diameter of the non-conductive inorganic particles, first, an image obtained by observing at 100,000 times with SEM (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, trade name "S-4800") was analyzed, and each of 500 particles was analyzed. Measure the area. Next, the diameter of the particles converted into a circle was calculated as the average particle diameter of the non-conductive inorganic particles. In addition, the ratio of the standard deviation of the particle size to the obtained average particle size was calculated as a percentage and defined as CV.

（ゼータ電位の測定）
測定対象となる各種粒子のゼータ電位は、以下の方法により測定した。ゼータ電位の測定には、Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ ＺＳ（Ｍａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、商品名）を用いた。まず、測定対象となる各種粒子が約０．０２質量％になるように分散体を希釈した。そして、メタノールのみ、ｐＨ１、ｐｈ７およびｐＨ１０．５のメタノールとイオン交換水の混合溶媒の合計４条件におけるゼータ電位を測定した。メタノールとイオン交換水の混合溶媒において、メタノールの割合を１０質量％とし、ｐＨは、硫酸あるいは水酸化カリウムにより調整した。上記ゼータ電位の測定は、測定対象となる粒子毎に行った。(Measurement of zeta potential)
The zeta potential of various particles to be measured was measured by the following method. For the measurement of the zeta potential, Zetasizer ZS (manufactured by Malvern Instruments, trade name) was used. First, the dispersion was diluted so that various particles to be measured were about 0.02% by mass. Then, the zeta potential was measured under a total of 4 conditions of methanol alone, a mixed solvent of methanol having pH 1, ph7 and pH 10.5 and ion-exchanged water. In the mixed solvent of methanol and ion-exchanged water, the proportion of methanol was 10% by mass, and the pH was adjusted with sulfuric acid or potassium hydroxide. The measurement of the zeta potential was performed for each particle to be measured.

（膜厚及び成分の評価）
得られた導電粒子の中心付近を通るようにウルトラミクロトーム法で断面を切り出した。この断面を、ＴＥＭ（日本電子株式会社製、商品名「ＪＥＭ−２１００Ｆ」）を用いて２５万倍の倍率で観察した。得られた画像から、第１層のａ層、ｂ層及び第２層の断面積を見積り、その断面積から第１層のａ層、ｂ層及び第２層の膜厚を算出した（実施例１においては、第２層が形成されていないことから、第１層のａ層、ｂ層の膜厚のみを測定の対象とした）。断面積に基づく各層の膜厚の算出では、幅５００ｎｍの断面における各層の断面積を画像解析により読み取り、幅５００ｎｍの長方形に換算した場合の高さを各層の膜厚として算出した。表１−１には、１０個の導電粒子について算出した膜厚の平均値を示した。このとき、第１層のａ層、ｂ層を区別しづらい場合には、ＴＥＭに付属するＥＤＸ（日本電子株式会社製、商品名「ＪＥＤ−２３００」）による成分分析により、第１層のａ層、ｂ層を明確に区別することで、それぞれの断面積を見積もり、膜厚を計測した。ＥＤＸマッピングデータから、第１層のａ層、ｂ層における元素の含有量（純度）を算出した。薄膜切片状のサンプル（導電粒子の断面試料）の作製方法の詳細、ＥＤＸによるマッピングの方法の詳細、及び、各層における元素の含有量の算出方法の詳細については後述する。(Evaluation of film thickness and components)
A cross section was cut out by an ultramicrotome method so as to pass near the center of the obtained conductive particles. This cross section was observed with a TEM (manufactured by JEOL Ltd., trade name "JEM-2100F") at a magnification of 250,000 times. From the obtained images, the cross-sectional areas of the first-layer a layer, the b-layer, and the second layer were estimated, and the film thicknesses of the first-layer a layer, b-layer, and second layer were calculated from the cross-sectional areas (implementation In Example 1, since the second layer was not formed, only the film thicknesses of the a layer and the b layer of the first layer were measured). In the calculation of the film thickness of each layer based on the cross-sectional area, the cross-sectional area of each layer in the cross section having a width of 500 nm was read by image analysis, and the height when converted into a rectangle having a width of 500 nm was calculated as the film thickness of each layer. Table 1-1 shows the average value of the film thickness calculated for 10 conductive particles. At this time, when it is difficult to distinguish the a layer and the b layer of the first layer, the a of the first layer is analyzed by the component analysis by EDX (manufactured by JEOL Ltd., product name “JED-2300”) attached to the TEM. By clearly distinguishing the layer and the b layer, the cross-sectional area of each layer was estimated and the film thickness was measured. From the EDX mapping data, the content (purity) of the element in the a layer and the b layer of the first layer was calculated. Details of a method for producing a thin film slice sample (cross-sectional sample of conductive particles), details of a mapping method by EDX, and details of a method of calculating the content of an element in each layer will be described later.

（樹脂粒子表面に吸着した非導電性無機粒子の評価）
｛非導電性無機粒子の被覆率｝
工程ｃと工程ｄとの後に得た、粒子Ａおよび粒子Ｂの正投影面において、粒子Ａおよび粒子Ｂの直径の１／２の直径を有する同心円内に存在する非導電性無機粒子による被覆率をそれぞれ算出した。具体的には、粒子ＡおよびＢの正投影面における粒子Ａ、Ｂの直径の１／２の直径を有する同心円内において、非導電性無機粒子と樹脂粒子とを画像解析により区別した。そして、同心円内に存在する非導電性無機粒子の面積の割合を算出し、当該割合を非導電性無機粒子の被覆率とした。粒子Ａと粒子Ｂとにおけるシリカ粒子の被覆率をそれぞれ算出することで、工程ｄ（パラジウム触媒付与工程）が、非導電性無機粒子の樹脂粒子表面への吸着性に与える影響を評価した。(Evaluation of non-conductive inorganic particles adsorbed on the surface of resin particles)
{Coverage of non-conductive inorganic particles}
Coverage by non-conductive inorganic particles present in the concentric circles having a diameter of ½ of the diameters of the particles A and B on the orthographic planes of the particles A and B obtained after the steps c and d. Was calculated respectively. Specifically, the non-conductive inorganic particles and the resin particles were distinguished by image analysis within a concentric circle having a diameter of ½ of the diameters of the particles A and B on the orthographic planes of the particles A and B. Then, the area ratio of the non-conductive inorganic particles existing in the concentric circles was calculated, and the ratio was defined as the coverage of the non-conductive inorganic particles. The effect of step d (palladium catalyst application step) on the adsorbability of the non-conductive inorganic particles on the resin particle surface was evaluated by calculating the coverage of the silica particles on particles A and particles B, respectively.

具体的には、非導電性無機粒子の被覆率は、粒子Ａおよび粒子ＢをそれぞれＳＥＭにより３万倍で観察して得られる画像をもとに評価した。図８に、実施例１における工程ｄの後の粒子Ｂを観察したＳＥＭ画像を示す。 Specifically, the coverage of the non-conductive inorganic particles was evaluated based on the images obtained by observing the particles A and the particles B with a SEM at a magnification of 30,000. FIG. 8 shows an SEM image of the particles B observed after the step d in Example 1.

｛非導電性無機粒子の直径と数｝
工程ｃと工程ｄとの後に得た、粒子Ａおよび粒子Ｂの正投影面において、粒子Ａおよび粒子Ｂの直径の１／２の直径を有する同心円内に存在する非導電性無機粒子の直径と数とをそれぞれ算出した。粒子Ａと粒子Ｂにおける非導電性無機粒子の数をそれぞれ算出することで、工程ｄ（パラジウム触媒付与工程）が、非導電性無機粒子の樹脂粒子表面への吸着性に与える影響を評価した。{Diameter and number of non-conductive inorganic particles}
The diameter of the non-conductive inorganic particles present in the concentric circles having a diameter that is ½ of the diameters of the particles A and B on the orthographic planes of the particles A and B obtained after step c and step d; The numbers and were calculated respectively. By calculating the numbers of non-conductive inorganic particles in the particles A and B, respectively, the effect of step d (palladium catalyst application step) on the adsorptivity of the non-conductive inorganic particles on the resin particle surface was evaluated.

具体的には、シリカ粒子の数は、粒子Ａおよび粒子ＢをＳＥＭにより１０万倍で観察して得られる画像をもとに評価した。各非導電性無機粒子の面積を測定し、その面積と同一の面積を有する真円の直径を非導電性無機粒子の直径として算出した。表１−２に示した直径の範囲に基づいて非導電性無機粒子を分類し、それぞれの範囲における非導電性無機粒子の個数を求めた。図９に、実施例１における工程ｄの後の粒子Ｂを観察したＳＥＭ画像を示す。図９は、粒子Ｂの直径の１／２の直径を有する同心円内の一部分である。 Specifically, the number of silica particles was evaluated based on an image obtained by observing particles A and particles B with a SEM at 100,000 times. The area of each non-conductive inorganic particle was measured, and the diameter of a perfect circle having the same area as that area was calculated as the diameter of the non-conductive inorganic particle. The non-conductive inorganic particles were classified based on the diameter range shown in Table 1-2, and the number of non-conductive inorganic particles in each range was determined. FIG. 9 shows an SEM image of the particles B observed after the step d in Example 1. FIG. 9 is a portion within a concentric circle having a diameter that is 1/2 the diameter of particle B.

（導電粒子の表面に形成された突起の評価）
｛突起の被覆率｝
導電粒子をＳＥＭにより３万倍で観察して得られるＳＥＭ画像をもとに、導電粒子表面における突起による被覆率（面積の割合）を算出した。具体的には、導電粒子の正投影面における導電粒子の直径の１／２の直径を有する同心円内において突起形成部と平坦部とを画像解析により区別した。そして、同心円内に存在する突起形成部の面積の割合を算出し、当該割合を突起の被覆率とした。図１０に、実施例１における粒子ＤをＳＥＭにより観察した結果を示す。(Evaluation of protrusions formed on the surface of conductive particles)
{Coverage of protrusions}
Based on the SEM image obtained by observing the conductive particles with a SEM at a magnification of 30,000, the coverage (proportion of area) by the protrusions on the surface of the conductive particles was calculated. Specifically, the projection forming portion and the flat portion were distinguished by image analysis within a concentric circle having a diameter of 1/2 of the diameter of the conductive particles on the orthographic plane of the conductive particles. Then, the ratio of the area of the protrusion forming portion existing in the concentric circle was calculated, and the ratio was defined as the coverage of the protrusion. FIG. 10 shows the results of observing the particles D in Example 1 with an SEM.

｛突起の直径と数｝
導電粒子の正投影面において、導電粒子の直径の１／２の直径を有する同心円内に存在する突起の直径と数とを算出した。{Diameter and number of protrusions}
On the orthographic plane of the conductive particles, the diameter and number of the protrusions existing in a concentric circle having a diameter that is ½ of the diameter of the conductive particles were calculated.

具体的には、導電粒子をＳＥＭにより１０万倍で観察して得られる画像を解析し、突起の輪郭を画定した。次に、突起の面積（突起間の谷により区切られる突起の輪郭の面積）を測定し、その面積と同一の面積を有する真円の直径を突起の直径（外径）として算出した。図１１に、実施例１における粒子ＤをＳＥＭにより観察した結果を示す。 Specifically, the image obtained by observing the conductive particles at 100,000 times with SEM was analyzed to define the contours of the protrusions. Next, the area of the projection (the area of the contour of the projection divided by the valley between the projections) was measured, and the diameter of a perfect circle having the same area as that area was calculated as the diameter (outer diameter) of the projection. FIG. 11 shows the results of observing the particles D in Example 1 with an SEM.

表１−２に示した直径の範囲に基づいて突起を分類し、それぞれの範囲における突起の数を求めた。図１１は、粒子Ｄの直径の１／２の直径を有する同じ円内の一部分である。 The protrusions were classified based on the diameter range shown in Table 1-2, and the number of protrusions in each range was obtained. FIG. 11 is a portion within the same circle having a diameter that is 1/2 the diameter of particle D.

（導電粒子の断面試料の作製方法）
導電粒子の断面試料の作製方法の詳細について説明する。導電粒子の断面からＴＥＭ分析及びＳＴＥＭ／ＥＤＸ分析するための６０ｎｍ±２０ｎｍの厚さを有する断面試料（以下、「ＴＥＭ測定用の薄膜切片」という）を、ウルトラミクロトーム法を用いて下記のとおり作製した。(Method for preparing cross-section sample of conductive particles)
The details of the method for producing the cross-section sample of the conductive particles will be described. A cross-section sample having a thickness of 60 nm±20 nm (hereinafter, referred to as “thin film thin section for TEM measurement”) for TEM analysis and STEM/EDX analysis from the cross section of the conductive particles was prepared as follows using an ultramicrotome method. did.

安定して薄膜化加工するため、導電粒子を注型樹脂に分散させた。具体的には、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂と、ブチルグリシジルエーテルと、その他エポキシ樹脂との混合物（リファインテック株式会社製、商品名「エポマウント主剤２７−７７１」）１０ｇにジエチレントリアミン（リファインテック株式会社製、商品名「エポマウント硬化剤２７−７７２」）１．０ｇを混合した。スパチュラを用いて攪拌し、均一に混合されたことを目視にて確認した。この混合物３ｇに乾燥済みの導電粒子０．５ｇを加えた後、スパチュラを用いて均一になるまで攪拌した。導電粒子を含む混合物を樹脂注型用の型（Ｄ．Ｓ．Ｋ 堂阪イーエム株式会社製、商品名「シリコーン包埋板ＩＩ型」）に流し込み、常温（室温）下で２４時間静置した。注型樹脂が固まったことを確認し、導電粒子の樹脂注型物を得た。 In order to stably process the thin film, conductive particles were dispersed in the casting resin. Specifically, a mixture of a bisphenol A type liquid epoxy resin, butyl glycidyl ether, and other epoxy resin (manufactured by Refine Tech Co., Ltd., trade name "Epomount Main Agent 27-771") is added to 10 g of diethylenetriamine (Refine Tech Co., Ltd.). Manufactured, trade name "Epomount curing agent 27-772") 1.0 g was mixed. The mixture was stirred using a spatula, and it was visually confirmed that the components were uniformly mixed. After 0.5 g of dried conductive particles was added to 3 g of this mixture, the mixture was stirred with a spatula until uniform. The mixture containing the conductive particles was poured into a resin casting mold (DSK, Dosaka E.M. Co., Ltd., trade name "Silicone embedding plate type II"), and allowed to stand at room temperature (room temperature) for 24 hours. .. After confirming that the casting resin was solidified, a resin casting of conductive particles was obtained.

ウルトラミクロトーム（ライカマイクロシステムズ株式会社製、商品名「ＥＭ−ＵＣ６」）を用いて、導電粒子が含まれる樹脂注型物から、ＴＥＭ測定用の薄膜切片を作製した。ＴＥＭ測定用の薄膜切片を作製する際には、まず、ウルトラミクロトームの装置本体に固定したガラス製のナイフを用いて、図１２（ａ）に示すように、ＴＥＭ測定用の薄膜切片を切り出せる形状になるまで樹脂注型物の先端をトリミング加工した。 An ultramicrotome (trade name "EM-UC6", manufactured by Leica Microsystems Co., Ltd.) was used to prepare a thin film section for TEM measurement from a resin casting containing conductive particles. When preparing a thin film section for TEM measurement, first, a thin film section for TEM measurement can be cut out as shown in FIG. 12(a) using a glass knife fixed to the apparatus body of the ultramicrotome. The tip of the resin casting was trimmed until it had a shape.

より詳細には、図１２（ｂ）に示すように、樹脂注型物の先端の断面形状が、縦２００〜４００μｍ及び横１００〜２００μｍの長さを有する略直方体状となるようにトリミング加工した。断面の横の長さを１００〜２００μｍとするのは、樹脂注型物からＴＥＭ測定用の薄膜切片を切り出す際に、ダイヤモンドナイフと試料との間で発生する摩擦を低減するためである。これにより、ＴＥＭ測定用の薄膜切片の皺及び折れ曲がりを防ぎ易くなり、ＴＥＭ測定用の薄膜切片の作製が容易となる。 More specifically, as shown in FIG. 12( b ), trimming was performed so that the cross-sectional shape of the tip of the resin casting was a substantially rectangular parallelepiped having a length of 200 to 400 μm and a width of 100 to 200 μm. .. The lateral length of the cross section is set to 100 to 200 μm in order to reduce the friction generated between the diamond knife and the sample when the thin film section for TEM measurement is cut out from the resin casting. Thereby, it becomes easy to prevent wrinkles and bending of the thin film section for TEM measurement, and it becomes easy to manufacture the thin film section for TEM measurement.

続いて、ウルトラミクロトーム装置本体の所定の箇所に、ボート付きのダイヤモンドナイフ（ＤＩＡＴＯＮＥ社製、商品名「Ｃｒｙｏ Ｗｅｔ」、刃幅２．０ｍｍ、刃角度３５°）を固定した。次に、ボートをイオン交換水で満たし、ナイフの設置角度を調整して刃先をイオン交換水で濡らした。 Subsequently, a diamond knife with a boat (manufactured by DIATONE, trade name “Cryo Wet”, blade width 2.0 mm, blade angle 35°) was fixed to a predetermined position of the ultramicrotome device body. Next, the boat was filled with ion-exchanged water, the installation angle of the knife was adjusted, and the blade edge was wet with ion-exchanged water.

ここで、ナイフの設置角度の調整について図１３を用いて説明する。ナイフの設置角度の調整においては、上下方向の角度、左右方向の角度及びクリアランス角を調整することができる。「上下方向の角度の調整」とは、図１３に示すように、試料表面とナイフの進む方向とが平行になるように試料ホルダーの上下方向の角度を調整することを意味する。「左右方向の角度の調整」とは、図１３に示すように、ナイフの刃先と試料表面とが平行になるようにナイフの左右方向の角度を調整することを意味する。「クリアランス角の調整」とは、図１３に示すように、ナイフの刃先の試料側の面とナイフの進む方向とがなす最小の角度を調整することを意味する。クリアランス角は、５〜１０°が好ましい。クリアランス角が前記範囲であると、ナイフの刃先と試料表面との摩擦を低減できると共に、試料から薄膜切片を切り出した後にナイフが試料表面を擦ることを防げる。 Here, the adjustment of the installation angle of the knife will be described with reference to FIG. When adjusting the installation angle of the knife, the vertical angle, the horizontal angle, and the clearance angle can be adjusted. "Adjusting the angle in the vertical direction" means adjusting the angle in the vertical direction of the sample holder so that the surface of the sample and the direction of travel of the knife are parallel, as shown in FIG. “Adjusting the angle in the left-right direction” means adjusting the angle in the left-right direction of the knife so that the blade edge of the knife and the surface of the sample are parallel, as shown in FIG. "Adjusting the clearance angle" means adjusting the minimum angle formed by the surface of the knife edge on the sample side and the direction of travel of the knife, as shown in FIG. The clearance angle is preferably 5 to 10°. When the clearance angle is within the above range, the friction between the blade edge of the knife and the sample surface can be reduced, and the knife can be prevented from rubbing the sample surface after cutting the thin film section from the sample.

ウルトラミクロトーム装置本体に付している光学顕微鏡を確認しながら、試料とダイヤモンドナイフとの距離を近づけて、刃速度０．３ｍｍ／秒、薄膜の切り出し厚さが６０ｎｍ±２０ｎｍとなるようにミクロトーム装置の設定値を設定し、樹脂注型物から薄膜切片を切り出した。次に、イオン交換水の水面にＴＥＭ測定用の薄膜切片を浮かべた。水面に浮かべたＴＥＭ測定用の薄膜切片の上面から、ＴＥＭ測定用の銅メッシュ（マイクログリッド付き銅メッシュ）を押し付け、ＴＥＭ測定用の薄膜切片を銅メッシュに吸着させ、ＴＥＭ試料とした。ミクロトームで得られるＴＥＭ測定用の薄膜切片は、ミクロトームの切り出し厚さの設定値と正確には一致しないため、所望の厚さが得られる設定値を予め求めておく。 While checking the optical microscope attached to the body of the ultramicrotome device, bring the sample and the diamond knife closer to each other, and set the blade speed to 0.3 mm/sec and the thin film cutout thickness to 60 nm±20 nm. The set value of was set and the thin film section was cut out from the resin casting. Next, a thin film section for TEM measurement was floated on the surface of the ion-exchanged water. A copper mesh for TEM measurement (copper mesh with a micro grid) was pressed from the upper surface of the thin film section for TEM measurement floated on the water surface, and the thin film section for TEM measurement was adsorbed on the copper mesh to obtain a TEM sample. Since the thin film section for TEM measurement obtained by the microtome does not exactly match the set value of the cutout thickness of the microtome, a set value with which the desired thickness is obtained is obtained in advance.

（ＥＤＸによるマッピングの方法）
ＥＤＸによるマッピングの方法の詳細について説明する。ＴＥＭ測定用の薄膜切片を銅メッシュごと試料ホルダー（日本電子株式会社製、商品名「ベリリウム試料２軸傾斜ホルダー、ＥＭ−３１６４０」）に固定し、ＴＥＭ内部へ挿入した。加速電圧２００ｋＶにて、試料への電子線照射を開始した後、電子線の照射系をＳＴＥＭモードに切り替えた。(Mapping method by EDX)
Details of the mapping method by EDX will be described. The thin film section for TEM measurement was fixed together with the copper mesh to a sample holder (manufactured by JEOL Ltd., trade name "Beryllium sample biaxial tilt holder, EM-31640") and inserted into the TEM. After starting the electron beam irradiation to the sample at an acceleration voltage of 200 kV, the electron beam irradiation system was switched to the STEM mode.

走査像観察装置をＳＴＥＭ観察時の位置に挿入し、ＳＴＥＭ観察用のソフトウェア「ＪＥＯＬ Ｓｉｍｐｌｅ Ｉｍａｇｅ Ｖｉｅｗｅｒ（Ｖｅｒｓｉｏｎ １．３．５）」（日本電子株式会社製）を起動してから、ＴＥＭ測定用の薄膜切片を観察した。その中に観察された導電粒子の断面のうち、ＥＤＸ測定に適した箇所を探し、撮影した。ここでいう「測定に適した箇所」とは、導電粒子の中心付近で切断され、金属層の断面が観察できる箇所を意味する。断面が傾斜している箇所、及び、導電粒子の中心付近からずれた位置で切断されている箇所は、測定対象から外した。撮影時には、観察倍率２５万倍、ＳＴＥＭ観察像の画素数を縦５１２点、横５１２点とした。この条件で観察すると、視野角６００ｎｍの観察像が得られるが、装置が変わると同じ倍率でも視野角が変わることがあるため注意が必要である。 Insert the scanning image observation device into the position for STEM observation, and activate the STEM observation software "JEOL Simple Image Viewer (Version 1.3.5)" (manufactured by JEOL Ltd.). The thin film section was observed. Among the cross sections of the conductive particles observed therein, a portion suitable for EDX measurement was searched and photographed. The "location suitable for measurement" here means a location where the cross section of the metal layer can be observed by being cut near the center of the conductive particle. The portion where the cross section is inclined and the portion which is cut at a position deviated from the vicinity of the center of the conductive particle were excluded from the measurement target. At the time of photographing, the observation magnification was 250,000 times, and the number of pixels of the STEM observation image was 512 points in the vertical direction and 512 points in the horizontal direction. When observed under this condition, an observation image with a viewing angle of 600 nm is obtained, but it should be noted that the viewing angle may change even if the device is changed, even at the same magnification.

ＳＴＥＭ／ＥＤＸ分析の際には、ＴＥＭ測定用の薄膜切片に電子線を当てると、導電粒子の樹脂粒子及び注型樹脂には収縮及び熱膨張が起こり、測定中に試料が変形又は移動してしまう。このようなＥＤＸ測定中の試料変形及び試料移動を抑制するため、事前に３０分間〜１時間程度、測定箇所に電子線を照射し、変形及び移動が収まったことを確認してから分析した。 In STEM/EDX analysis, when an electron beam is applied to a thin film section for TEM measurement, the resin particles of the conductive particles and the casting resin undergo contraction and thermal expansion, and the sample is deformed or moved during the measurement. I will end up. In order to suppress such sample deformation and sample movement during EDX measurement, electron beams were irradiated in advance to the measurement location for about 30 minutes to 1 hour, and after confirmation that the deformation and movement had subsided, analysis was performed.

ＳＴＥＭ／ＥＤＸ分析を行うため、ＥＤＸを測定位置まで移動させ、ＥＤＸ測定用のソフトウェア「Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｓｔａｔｉｏｎ」（日本電子株式会社製）を起動させた。ＥＤＸによるマッピングの際には、マッピング時に充分な分解能を得る必要があるため、電子線を目的箇所に集束させるための集束絞り装置を用いた。 In order to perform STEM/EDX analysis, EDX was moved to the measurement position, and EDX measurement software “Analysis Station” (manufactured by JEOL Ltd.) was started. In the case of mapping by EDX, it is necessary to obtain sufficient resolution during mapping, so a focusing diaphragm device for focusing the electron beam at a target location was used.

ＳＴＥＭ／ＥＤＸ分析の際には、検出される特性Ｘ線のカウント数（ＣＰＳ：Ｃｏｕｎｔｓ Ｐｅｒ Ｓｅｃｏｎｄ）が１０，０００ＣＰＳ以上になるように、電子線のスポット径を０．５〜１．０ｎｍの範囲で調整した。測定後に、マッピング測定と同時に得られるＥＤＸスペクトルにおいて、ニッケルのＫα線に由来するピークの高さが少なくとも５，０００Ｃｏｕｎｔｓ以上となることを確認した。データ取得時には、前記ＳＴＥＭ観察時と同じ視野角で、画素数を縦２５６点、横２５６点とした。一点ごとの積算時間を２０ミリ秒間とし、積算回数１回で測定を行った。 In the STEM/EDX analysis, the spot diameter of the electron beam is in the range of 0.5 to 1.0 nm so that the detected characteristic X-ray count (CPS: Counts Per Second) is 10,000 CPS or more. I adjusted it with. After the measurement, in the EDX spectrum obtained simultaneously with the mapping measurement, it was confirmed that the height of the peak derived from the Kα ray of nickel was at least 5,000 Counts or more. At the time of data acquisition, the number of pixels was 256 points in the vertical direction and 256 points in the horizontal direction with the same viewing angle as the STEM observation. The integration time for each point was set to 20 milliseconds, and the measurement was performed once.

得られたＥＤＸマッピングデータから、必要に応じて、第１層、無電解ニッケルめっき析出核、第２層におけるＥＤＸスペクトルを抽出し、各部分における元素存在比を算出した。但し、定量値を算出する際には、貴金属、ニッケル及びリンの割合の合計を１００質量％として、それぞれの元素の質量％濃度を算出した。 From the obtained EDX mapping data, the EDX spectra of the first layer, the electroless nickel plating deposit nuclei, and the second layer were extracted, if necessary, and the element abundance ratio in each portion was calculated. However, when calculating the quantitative value, the mass% concentration of each element was calculated with the total of the proportions of the noble metal, nickel and phosphorus as 100 mass %.

前記以外の元素については、下記の理由で割合が変動し易いため、定量値を算出する際には除外した。炭素の割合は、ＴＥＭ測定用のメッシュに使用されるカーボン支持膜、又は、電子線照射時に試料表面に吸着する不純物の影響によって増減する。酸素の割合は、ＴＥＭ試料を作製してから測定までの間に空気酸化することで増加する可能性がある。銅は、ＴＥＭ測定用に用いた銅メッシュから検出されてしまう。 For elements other than the above, the ratios tend to change for the following reasons, so they were excluded when calculating quantitative values. The proportion of carbon increases or decreases due to the influence of the carbon support film used for the mesh for TEM measurement or the impurities adsorbed on the sample surface during electron beam irradiation. The proportion of oxygen may be increased by air oxidation between the time when the TEM sample is prepared and the time when the TEM sample is measured. Copper is detected from the copper mesh used for TEM measurement.

｛外径１μｍ以上の金属異物｝
外径１μｍ以上の金属異物の個数の測定は、ＳＥＭにより５千倍で１０００個の導電粒子を観察し、１０００個の導電粒子を観察中に発見された外径１μｍ以上の金属異物の個数をカウントした。{Metallic foreign material with an outer diameter of 1 μm or more}
The measurement of the number of metallic foreign matters having an outer diameter of 1 μm or more was carried out by observing 1000 conductive particles by 5,000 times with an SEM, and the number of metallic foreign matters having an outer diameter of 1 μm or more found during the observation of 1000 conductive particles was measured. I counted.

｛異常析出部の有無｝
長さ５００ｎｍを超える突起（異常析出部）の有無は、図１４に模式的に示す方法により判別した。具体的には、ＳＥＭにより３万倍で１０００個の導電粒子４００を観察し、異常析出部４０１の基端における直径方向の両端を結んだ直線（異常析出部４０１の両側の谷と谷とを結んだ直線）から垂直方向における異常析出部４０１の頂点までの距離を計測することにより、異常析出部４０１の長さ４０２を得た。そして、長さ５００ｎｍを超える異常析出部を有する導電粒子数をカウントした。{Existence of abnormal deposits}
The presence or absence of protrusions (abnormal deposition portions) having a length exceeding 500 nm was determined by the method schematically shown in FIG. Specifically, 1000 conductive particles 400 were observed by SEM at a magnification of 30,000, and a straight line connecting the diametrically opposite ends of the abnormal precipitation portion 401 (valleys and valleys on both sides of the abnormal precipitation portion 401 The length 402 of the abnormal precipitation portion 401 was obtained by measuring the distance from the connecting straight line) to the apex of the abnormal precipitation portion 401 in the vertical direction. Then, the number of conductive particles having abnormal deposition portions having a length of more than 500 nm was counted.

（単分散率の測定）
導電粒子０．０５ｇを電解水に分散させ、界面活性剤を添加し、超音波分散（アズワン株式会社製、商品名「ＵＳ−４Ｒ」、高周波出力：１６０Ｗ、発振周波数：４０ｋＨｚ単周波）を５分間行った。導電粒子の分散液をＣＯＵＬＥＲ ＭＵＬＴＩＳＩＺＥＲ ＩＩ（ベックマン・コールター株式会社製、商品名）の試料カップに注入し、導電粒子５００００個についての単分散率を測定した。単分散率は下記式により算出し、その値に基づいて下記基準により水溶媒中での粒子の凝集性を判定した。
単分散率（％）＝｛ｆｉｒｓｔ ｐｅａｋ粒子数（個）／全粒子数（個）｝×１００(Measurement of monodispersity ratio)
Conductive particles (0.05 g) are dispersed in electrolyzed water, a surfactant is added, and ultrasonic dispersion (manufactured by AS ONE Corporation, trade name "US-4R", high frequency output: 160 W, oscillation frequency: 40 kHz single frequency) is set to 5. I went for a minute. The dispersion liquid of the conductive particles was poured into a sample cup of COULER MULTISIZER II (trade name, manufactured by Beckman Coulter, Inc.), and the monodispersion rate for 50,000 conductive particles was measured. The monodispersity ratio was calculated by the following formula, and the agglomerability of the particles in the water solvent was judged based on the value based on the following formula.
Monodispersity (%)={first peak number of particles (number)/total number of particles (number)}×100

［絶縁性粒子の作製］
５００ｍｌフラスコに入った純水４００ｇ中に、下に示す絶縁性粒子の配合モル比に従ってモノマーを加えた。全モノマーの総量が、純水に対して１０質量％になるように配合した。窒素置換後、７０℃で撹拌しながら６時間加熱を行った。攪拌速度は３００ｍｉｎ−１（３００ｒｐｍ）であった。ＫＢＭ−５０３（信越化学株式会社製、商品名）は、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランである。[Preparation of insulating particles]
The monomer was added to 400 g of pure water in a 500 ml flask according to the blending molar ratio of the insulating particles shown below. It was blended so that the total amount of all monomers was 10% by mass with respect to pure water. After purging with nitrogen, heating was performed at 70° C. for 6 hours while stirring. The stirring speed was 300 min −1 (300 rpm). KBM-503 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane.

（絶縁性粒子の配合モル比）
成分 モル比
スチレン ６００
ペルオキソ二硫酸カリウム ６
メタクリル酸ナトリウム ５．４
スチレンスルホン酸ナトリウム ０．３２
ジビニルベンゼン １６．８
ＫＢＭ−５０３ ４．２(Mole ratio of insulating particles)
Ingredients Molar ratio Styrene 600
Potassium peroxodisulfate 6
Sodium methacrylate 5.4
Sodium styrenesulfonate 0.32
Divinylbenzene 16.8
KBM-503 4.2

合成した絶縁性粒子の平均粒径をＳＥＭにより撮影した画像を解析して測定した。絶縁性粒子の平均粒径は３１５ｎｍであった。 The average particle size of the synthesized insulating particles was measured by analyzing an image photographed by SEM. The average particle size of the insulating particles was 315 nm.

合成した絶縁性粒子のＴｇ（ガラス転移点）を、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製、商品名「ＤＳＣ−７」）を用いて、サンプル量：１０ｍｇ、昇温速度：５℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定した。 The Tg (glass transition point) of the synthesized insulating particles was measured using DSC (manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd., trade name “DSC-7”), sample amount: 10 mg, temperature rising rate: 5° C./min, measurement atmosphere: It was measured under air conditions.

（シリコーンオリゴマーの調製）
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１１８ｇとメタノール５．９ｇとを配合した溶液を加えた。さらに、活性白土５ｇ及び蒸留水４．８ｇを添加し、７５℃で一定時間攪拌した後、重量平均分子量１３００のシリコーンオリゴマーを得た。得られたシリコーンオリゴマーは、水酸基と反応する末端官能基としてメトキシ基又はシラノール基を有するものである。得られたシリコーンオリゴマー溶液にメタノールを加えて、固形分２０質量％の処理液を調製した。(Preparation of silicone oligomer)
To a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, a solution prepared by mixing 118 g of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 5.9 g of methanol was added. Further, 5 g of activated clay and 4.8 g of distilled water were added, and the mixture was stirred at 75° C. for a certain period of time to obtain a silicone oligomer having a weight average molecular weight of 1300. The obtained silicone oligomer has a methoxy group or a silanol group as a terminal functional group that reacts with a hydroxyl group. Methanol was added to the obtained silicone oligomer solution to prepare a treatment liquid having a solid content of 20 mass %.

シリコーンオリゴマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によって測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて換算することにより算出した。シリコーンオリゴマーの重量平均分子量の測定においては、ポンプ（株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−６０００」））と、カラム（Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｒ４２０、Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｒ４３０、Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ｒ４４０（以上、日立化成株式会社製、商品名））と、 検出器（株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−３３００型ＲＩ」）とを用いた。溶離液としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用い、測定温度を４０℃とし、流量を２．０５ｍＬ／分として測定した。 The weight average molecular weight of the silicone oligomer was measured by gel permeation chromatography (GPC) method and calculated by converting using a calibration curve of standard polystyrene. In the measurement of the weight average molecular weight of the silicone oligomer, a pump (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name “L-6000”) and a column (Gelpack GL-R420, Gelpack GL-R430, Gelpack GL-R440 (above, Hitachi) Kasei Co., Ltd., trade name)) and a detector (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name “L-3300 type RI”) were used. Tetrahydrofuran (THF) was used as an eluent, the measurement temperature was 40° C., and the flow rate was 2.05 mL/min.

［絶縁被覆導電粒子の作製］
メルカプト酢酸８ｍｍｏｌをメタノール２００ｍｌに溶解させて反応液を調製した。次に導電粒子（実施例１においては、粒子Ｄ）を２ｇ上記反応液に加え、スリーワンモーターと直径４５ｍｍの攪拌羽で、室温で２時間攪拌した。メタノールで洗浄後、孔径３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いてろ過することで、表面にカルボキシル基を有する導電粒子を２ｇ得た。[Preparation of insulating coated conductive particles]
A reaction liquid was prepared by dissolving 8 mmol of mercaptoacetic acid in 200 ml of methanol. Next, 2 g of conductive particles (particle D in Example 1) were added to the reaction solution, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours with a three-one motor and a stirring blade having a diameter of 45 mm. After washing with methanol, filtration was performed using a membrane filter (made by Merck Millipore) having a pore size of 3 μm to obtain 2 g of conductive particles having a carboxyl group on the surface.

次に重量平均分子量７０，０００の３０％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬工業株式会社製）を超純水で希釈し、０．３質量％ポリエチレンイミン水溶液を得た。上記表面にカルボキシル基を有する導電粒子２ｇを０．３質量％ポリエチレンイミン水溶液に加え、室温で１５分攪拌した。その後、孔径３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いて導電粒子をろ過し、ろ過された導電粒子を超純水２００ｇに入れて室温で５分攪拌した。更に孔径３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いて導電粒子をろ過し、上記メンブレンフィルタ上にて２００ｇの超純水で２回洗浄を行った。これらの作業を行うことにより、吸着していないポリエチレンイミンが除去され、表面がアミノ基含有ポリマーで被覆された導電粒子が得られた。 Next, a 30% polyethyleneimine aqueous solution having a weight average molecular weight of 70,000 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was diluted with ultrapure water to obtain a 0.3% by mass polyethyleneimine aqueous solution. 2 g of conductive particles having a carboxyl group on the surface was added to a 0.3 mass% polyethyleneimine aqueous solution, and the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes. Then, the conductive particles were filtered using a membrane filter (made by Merck Millipore) having a pore size of 3 μm, and the filtered conductive particles were put in 200 g of ultrapure water and stirred at room temperature for 5 minutes. Further, the conductive particles were filtered using a membrane filter (made by Merck Millipore) having a pore size of 3 μm, and the membrane filter was washed twice with 200 g of ultrapure water. By performing these operations, non-adsorbed polyethyleneimine was removed, and conductive particles having a surface coated with an amino group-containing polymer were obtained.

次に、絶縁性粒子をシリコーンオリゴマーで処理し、表面にグリシジル基含有オリゴマーを有する絶縁性粒子のメタノール分散媒（絶縁性粒子のメタノール分散媒）を調製した。 Next, the insulating particles were treated with a silicone oligomer to prepare a methanol dispersion medium of the insulating particles (methanol dispersion medium of the insulating particles) having a glycidyl group-containing oligomer on the surface.

上記表面がアミノ基含有ポリマーで被覆された導電粒子をメタノールに浸漬し、当該メタノールに絶縁性粒子のメタノール分散媒を滴下することで、絶縁被覆導電粒子を作製した。得られた絶縁被覆導電粒子を縮合剤とオクタデシルアミンで処理し、洗浄して表面の疎水化を行った。その後８０℃、１時間の条件で加熱乾燥させて絶縁被覆導電粒子を作製した。ＳＥＭによって撮影した画像を解析することで、絶縁性粒子による導電粒子の平均被覆率を測定したところ、約３０％であった。 The conductive particles having the surface coated with the amino group-containing polymer were immersed in methanol, and a methanol dispersion medium of insulating particles was dropped into the methanol to prepare insulating coated conductive particles. The obtained insulating coated conductive particles were treated with a condensing agent and octadecylamine and washed to make the surface hydrophobic. Then, it was heated and dried under the condition of 80° C. for 1 hour to produce insulating coated conductive particles. The average coverage of the conductive particles with the insulating particles was measured by analyzing the image photographed by SEM, and it was about 30%.

［異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製］
フェノキシ樹脂（ユニオンカーバイド社製、商品名「ＰＫＨＣ」）１００ｇと、アクリルゴム（ブチルアクリレート４０質量部、エチルアクリレート３０質量部、アクリロニトリル３０質量部、グリシジルメタクリレート３質量部の共重合体、分子量：８５万）７５ｇとを、酢酸エチル４００ｇに溶解して溶液を得た。この溶液に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂（旭化成エポキシ株式会社製、商品名「ノバキュアＨＸ−３９４１」、エポキシ当量１８５）３００ｇを加え、撹拌して接着剤溶液を得た。[Fabrication of anisotropic conductive adhesive film and connection structure]
100 g of phenoxy resin (trade name "PKHC" manufactured by Union Carbide Co.) and acrylic rubber (40 parts by weight of butyl acrylate, 30 parts by weight of ethyl acrylate, 30 parts by weight of acrylonitrile, 3 parts by weight of glycidyl methacrylate, copolymer, molecular weight: 85 75 g) was dissolved in 400 g of ethyl acetate to obtain a solution. To this solution, 300 g of a liquid epoxy resin containing a microcapsule type latent curing agent (manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd., trade name "NOVACURE HX-3941", epoxy equivalent 185) was added and stirred to obtain an adhesive solution. ..

この接着剤溶液に、上記絶縁被覆導電粒子を、接着剤溶液の全量を基準として９体積％となるように分散させ、分散液を得た。得られた分散液を、セパレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ４０μｍ）にロールコータを用いて塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより乾燥して、厚さ２５μｍの異方導電性接着フィルムをセパレータ上に作製した。 The insulating coated conductive particles were dispersed in this adhesive solution so as to be 9% by volume based on the total amount of the adhesive solution to obtain a dispersion liquid. The obtained dispersion liquid is applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) using a roll coater, and dried by heating at 90° C. for 10 minutes to give anisotropic conductive film having a thickness of 25 μm. An adhesive film was prepared on the separator.

次に、作製した異方導電性接着フィルムを用いて、金バンプ（１）（面積：約２０μｍ×約４０μｍ、高さ：１５μｍ）、金バンプ（２）（面積：約３０μｍ×約４０μｍ、高さ：１５μｍ）、及び金バンプ（３）（面積：約４０μｍ×約４０μｍ、高さ：１５μｍ）がそれぞれ３６２個設けられたチップ（１．７ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ：０．５μｍ）と、ＩＺＯ回路付きガラス基板（厚さ：０．７ｍｍ）との接続を、以下に示すｉ）〜ｉｉｉ）の手順に従って行い、接続構造体を得た。金バンプ（１）のスペースを６μｍとし、金バンプ（２）のスペースを８μｍとし、金バンプ（３）のスペースを１０μｍとした。スペースとは、金バンプ同士の距離に相当する。
ｉ）異方導電性接着フィルム（２ｍｍ×２４ｍｍ）をＩＺＯ回路付きガラス基板に８０℃、０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）で貼り付けた。
ｉｉ）セパレータを剥離し、チップのバンプとＩＺＯ回路付きガラス基板の位置合わせを行った。
ｉｉｉ）１９０℃、４０ｇｆ／バンプ、１０秒の条件でチップ上方から加熱及び加圧を行い、チップとガラス基板との接着を行うと共に、チップのバンプとＩＺＯ回路との電気的接続を行った。Next, using the produced anisotropic conductive adhesive film, gold bumps (1) (area: about 20 μm×about 40 μm, height: 15 μm), gold bumps (2) (area: about 30 μm×about 40 μm, high) Size: 15 μm) and a gold bump (3) (area: about 40 μm×about 40 μm, height: 15 μm) provided with 362 chips (1.7 mm×20 mm, thickness: 0.5 μm), and IZO. Connection with a glass substrate with a circuit (thickness: 0.7 mm) was performed according to the procedure of i) to iii) shown below to obtain a connection structure. The space of the gold bump (1) was 6 μm, the space of the gold bump (2) was 8 μm, and the space of the gold bump (3) was 10 μm. The space corresponds to the distance between the gold bumps.
i) An anisotropic conductive adhesive film (2 mm×24 mm) was attached to a glass substrate with an IZO circuit at 80° C. and 0.98 MPa (10 kgf/cm 2 ).
ii) The separator was peeled off, and the bumps of the chip were aligned with the glass substrate with the IZO circuit.
iii) Heating and pressurization were performed from above the chip under the conditions of 190° C., 40 gf/bump, and 10 seconds to bond the chip and the glass substrate and to electrically connect the bump of the chip and the IZO circuit.

［接続構造体の評価］
得られた接続構造体の導通抵抗試験及び絶縁抵抗試験を以下のように行った。[Evaluation of connection structure]
Conduction resistance test and insulation resistance test of the obtained connection structure were performed as follows.

（導通抵抗試験）
チップ電極（バンプ）とＩＺＯ回路との接続において、導通抵抗の初期値と、吸湿耐熱試験（温度８５℃、湿度８５％の条件で１００、３００、５００、１０００、２０００時間放置）後の導通抵抗の値とを測定した。チップ電極（バンプ）とＩＺＯ回路との接続領域は、約２０μｍ×約４０μｍ、約３０μｍ×約４０μｍ、及び約４０μｍ×約４０μｍとした。約２０μｍ×約４０μｍの接続領域においては、チップ電極とＩＺＯ回路とは３個の導電粒子（捕捉導電粒子）で接続されるように設定した。約３０μｍ×約４０μｍの接続領域においては、チップ電極とＩＺＯ回路とは６個の導電粒子で接続されるように設定した。約４０μｍ×約４０μｍの接続領域においては、チップ電極とＩＺＯ回路とは１０個の導電粒子で接続されるように設定した。なお、２０サンプルについて測定し、それらの平均値を算出した。得られた平均値から下記基準に従って導通抵抗を評価した結果を表６−１に示す。バンプ数６個において、吸湿耐熱試験５００時間後に下記Ａ又はＢの基準を満たす場合、導通抵抗が良好であると評価した。
Ａ：導通抵抗の平均値が２Ω未満
Ｂ：導通抵抗の平均値が２Ω以上５Ω未満
Ｃ：導通抵抗の平均値が５Ω以上１０Ω未満
Ｄ：導通抵抗の平均値が１０Ω以上２０Ω未満
Ｅ：導通抵抗の平均値が２０Ω以上(Conduction resistance test)
In the connection between the chip electrode (bump) and the IZO circuit, the initial value of the conduction resistance and the conduction resistance after a moisture absorption heat resistance test (100, 300, 500, 1000, 2000 hours left under conditions of temperature 85° C. and humidity 85%) The value of and was measured. The connection region between the chip electrode (bump) and the IZO circuit was about 20 μm×about 40 μm, about 30 μm×about 40 μm, and about 40 μm×about 40 μm. In the connection area of about 20 μm×about 40 μm, the chip electrode and the IZO circuit were set to be connected by three conductive particles (trapped conductive particles). In the connection area of about 30 μm×about 40 μm, the chip electrode and the IZO circuit were set to be connected by 6 conductive particles. In the connection region of about 40 μm×about 40 μm, the chip electrode and the IZO circuit were set to be connected by 10 conductive particles. In addition, it measured about 20 samples and calculated the average value. Table 6-1 shows the results of evaluating the conduction resistance from the obtained average values according to the following criteria. When the number of bumps was 6 and the following criteria A or B were satisfied after 500 hours of the moisture absorption heat resistance test, the conduction resistance was evaluated as good.
A: The average value of the conduction resistance is less than 2Ω B: The average value of the conduction resistance is 2Ω or more and less than 5Ω C: The average value of the conduction resistance is 5Ω or more and less than 10Ω D: The average value of the conduction resistance is 10Ω or more and less than 20Ω E: The conduction resistance Average value of 20Ω or more

（絶縁抵抗試験）
チップ電極（バンプ）間の絶縁抵抗として、絶縁抵抗の初期値と、マイグレーション試験（温度６０℃、湿度９０％、２０Ｖ印加の条件で１００、３００、１０００、２０００時間放置）後の絶縁抵抗の値とを測定した。２０サンプルについて測定し、全２０サンプル中、絶縁抵抗値が１０９Ω以上となるサンプルの割合を算出した。測定は、金バンプ（１）〜（３）のそれぞれについて行った。すなわち、金バンプのスペースが６μｍ、８μｍ、１０μｍのそれぞれについて、絶縁抵抗試験を行った。得られた割合から下記基準に従って絶縁抵抗を評価した。結果を表６−１に示す。スペースが８μｍにおいて、吸湿耐熱試験１０００時間後に下記Ａ又はＢの基準を満たす場合、絶縁抵抗が良好であると評価した。
Ａ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が１００％
Ｂ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が９０％以上１００％未満
Ｃ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が８０％以上９０％未満
Ｄ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％以上８０％未満
Ｅ：絶縁抵抗値１０９Ω以上の割合が５０％未満(Insulation resistance test)
As the insulation resistance between the chip electrodes (bumps), the insulation resistance initial value, and the insulation resistance value after the migration test (temperature 60° C., humidity 90%, 20V application for 100, 300, 1000, 2000 hours) And were measured. The measurement was performed on 20 samples, and the ratio of the samples having an insulation resistance value of 10 9 Ω or more was calculated from all 20 samples. The measurement was performed for each of the gold bumps (1) to (3). That is, the insulation resistance test was performed for each of the gold bump spaces of 6 μm, 8 μm, and 10 μm. From the obtained ratio, the insulation resistance was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 6-1. When the space was 8 μm and the criteria of A or B below were satisfied after 1000 hours of the moisture absorption heat resistance test, the insulation resistance was evaluated as good.
A: 100% of the insulation resistance value is 10 9 Ω or more
B: Insulation resistance value 10 9 Omega over percentage less than 100% 90% C: insulation resistance 10 9 Omega over percentage is less than 80% 90% D: ratio of more than the insulation resistance 10 9 Omega 50% Or more and less than 80% E: The ratio of insulation resistance value of 10 9 Ω or more is less than 50%

＜実施例２＞
実施例１の（工程ｂ）において、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を、平均粒径２５ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−１、表１−２及び表６−１に示す。<Example 2>
In the same manner as in Example 1, except that the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was changed to the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 25 nm in (Step b) of Example 1. Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 1-1, Table 1-2 and Table 6-1.

＜実施例３＞
実施例１の（工程ｂ）において、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を、平均粒径４０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−１、表１−２及び表６−１に示す。<Example 3>
In the same manner as in Example 1, except that the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was changed to the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 40 nm in (Step b) of Example 1. Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 1-1, Table 1-2 and Table 6-1.

＜実施例４＞
実施例１の（工程ｂ）において、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を、平均粒径８０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−１、表１−２及び表６−１に示す。<Example 4>
In the same manner as in Example 1 except that the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was changed to the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 80 nm in (Step b) of Example 1. Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 1-1, Table 1-2 and Table 6-1.

＜実施例５＞
実施例１の（工程ｂ）において、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を、平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−３、表１−４及び表６−１に示す。<Example 5>
In the same manner as in Example 1 except that the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was changed to the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 100 nm in (Step b) of Example 1. Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Tables 1-3, 1-4 and 6-1.

＜実施例６＞
実施例１の（工程ｂ）において、平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を、平均粒径１２０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−３、表１−４及び表６−２に示す。<Example 6>
In the same manner as in Example 1 except that the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 60 nm was changed to the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 120 nm in (Step b) of Example 1. Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Tables 1-3, 1-4 and 6-2.

＜実施例７＞
実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液として、ｐＨ１０．５に調整され、パラジウム触媒（アトテックジャパン株式会社製、商品名「アトテックネオガント８３４」）を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表１−３、表１−４及び表６−２に示す。<Example 7>
In (Step d) of Example 1, the palladium catalyzed liquid was adjusted to pH 10.5 and contained 8% by mass of a palladium catalyst (manufactured by Atotech Japan KK, trade name "Atotech Neogant 834"). In the same manner as in Example 1 except that 100 mL of the liquid was used, conductive particles, insulating coated conductive particles, an anisotropic conductive adhesive film and a connection structure were prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. .. The results are shown in Tables 1-3, 1-4 and 6-2.

＜実施例８＞
実施例１の（工程ｂ）において、シリカ粉末として、平均粒径２５ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いたこと、及び実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液として、ｐＨ１０．５に調整され、アトテックネオガント８３４を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−１、表２−２及び表６−２に示す。<Example 8>
In (step b) of Example 1, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 25 nm was used as the silica powder, and in (step d) of Example 1, the palladium catalyzed liquid had a pH of 10 0.5, and using 100 mL of the palladium catalyzed liquid containing 8% by mass of Atotech Neo Gantt 834, in the same manner as in Example 1, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and The connection structure was prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 2-1, Table 2-2 and Table 6-2.

＜実施例９＞
実施例１の（工程ｂ）において、シリカ粉末として、平均粒径４０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いた点、及び実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液１００ｍＬの代わりに、ｐＨ１０．５に調整され、アトテックネオガント８３４を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−１、表２−２及び表６−２に示す。<Example 9>
In (step b) of Example 1, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 40 nm was used as the silica powder, and in (step d) of Example 1, instead of 100 mL of the palladium catalyzed liquid. In the same manner as in Example 1, except that 100 mL of a palladium catalyzed liquid containing 8% by mass of Atotech Neogant 834, which had been adjusted to pH 10.5, was used, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, and the anisotropic conductive material were used. The adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 2-1, Table 2-2 and Table 6-2.

＜実施例１０＞
実施例１の（工程ｂ）において、シリカ粉末として、平均粒径８０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いたこと、及び実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液として、ｐＨ１０．５に調整され、アトテックネオガント８３４を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−１、表２−２及び表７−１に示す。<Example 10>
In (step b) of Example 1, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle size of 80 nm was used as the silica powder, and in (step d) of Example 1, the palladium catalyzed liquid had a pH of 10 0.5, and using 100 mL of the palladium catalyzed liquid containing 8% by mass of Atotech Neo Gantt 834, in the same manner as in Example 1, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and The connection structure was prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 2-1, Table 2-2 and Table 7-1.

＜実施例１１＞
実施例１の（工程ｂ）において、シリカ粉末として、平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いたこと、及び実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液として、ｐＨ１０．５に調整され、アトテックネオガント８３４を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−１、表２−２及び表７−１に示す。<Example 11>
In (step b) of Example 1, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle size of 100 nm was used as the silica powder, and in (step d) of Example 1, the palladium catalyzed liquid had a pH of 10 0.5, and using 100 mL of the palladium catalyzed liquid containing 8% by mass of Atotech Neo Gantt 834, in the same manner as in Example 1, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and The connection structure was prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 2-1, Table 2-2 and Table 7-1.

＜実施例１２＞
実施例１の（工程ｂ）において、シリカ粉末として、平均粒径１２０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用いたこと、及び実施例１の（工程ｄ）において、パラジウム触媒化液として、ｐＨ１０．５に調整され、アトテックネオガント８３４を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬを用いたこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−３、表２−４及び表７−１に示す。<Example 12>
In (step b) of Example 1, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle size of 120 nm was used as the silica powder, and in (step d) of Example 1, as the palladium catalyzed liquid, pH 10 was used. 0.5, and using 100 mL of the palladium catalyzed liquid containing 8% by mass of Atotech Neo Gantt 834, in the same manner as in Example 1, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and The connection structure was prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 2-3, Table 2-4 and Table 7-1.

＜実施例１３＞
実施例１の（工程ｂ）の代わりに、以下に示す方法にて非導電性無機粒子を製造した以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−３、表２−４及び表７−１に示す。<Example 13>
Instead of (Step b) of Example 1, conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film were prepared in the same manner as in Example 1 except that non-conductive inorganic particles were produced by the method described below. Further, the production of the connection structure and the evaluation of the conductive particles and the connection structure were performed. The results are shown in Table 2-3, Table 2-4 and Table 7-1.

実施例１３では、まず平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用い、球状シリカ粉末１００ｇを振動流動層装置（中央化工機株式会社製、商品名「振動流動層装置ＶＵＡ−１５型」）に収容した。次に、循環ガスを用いずに、装置上部を開放した状態でコンプレッサーによる圧縮空気によって球状シリカを流動化させ、水３．０ｇを噴霧して５分間流動混合させた。次に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「ＴＳＬ−８８０２」）５．０ｇを噴霧し、３０分間流動混合した。得られた疎水性球状シリカ微粉体の疎水化度をメタノール滴定法によって測定した。実施例１３における非導電性無機粒子の疎水化度は、３０％であった。 In Example 13, first, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 100 nm was used, and 100 g of the spherical silica powder was vibrated and fluidized bed device (manufactured by Chuo Kakoki Co., Ltd., trade name “Vibration Fluidized Bed Device VUA-15 type”). )). Next, without using a circulating gas, spherical silica was fluidized by compressed air by a compressor with the upper part of the device open, and 3.0 g of water was sprayed and fluidized and mixed for 5 minutes. Then, HMDS (hexamethylene Le disilazane) were sprayed with (Momentive Performance Materials Japan LLC., Trade name "TSL-8802") 5.0g, it flowed mixed for 30 minutes. The hydrophobicity of the obtained hydrophobic spherical silica fine powder was measured by the methanol titration method. The hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles in Example 13 was 30%.

＜実施例１４＞
実施例１の（工程ｂ）の代わりに、以下に示す方法にて非導電性無機粒子を製造した以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表２−３、表２−４及び表７−１に示す。<Example 14>
Instead of (Step b) of Example 1, conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film were prepared in the same manner as in Example 1 except that non-conductive inorganic particles were produced by the method described below. Further, the production of the connection structure and the evaluation of the conductive particles and the connection structure were performed. The results are shown in Table 2-3, Table 2-4 and Table 7-1.

実施例１４では、まず、平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用い、球状シリカ粉末１００ｇを振動流動層装置（中央化工機株式会社製、商品名「振動流動層装置ＶＵＡ−１５型」）に収容した。次に、吸引ブロワーにより循環させた空気で球状シリカを流動化させながら水３．５ｇを噴霧し、５分間流動混合させた。次に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「ＴＳＬ−８８０２」）２．５ｇを噴霧し、３０分間流動混合した。得られた疎水性球状シリカ微粉体の疎水化度をメタノール滴定法によって測定した。実施例１３における非導電性無機粒子の疎水化度は、５０％であった。 In Example 14, first, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 100 nm was used, and 100 g of the spherical silica powder was vibrated in a fluidized bed apparatus (manufactured by Chuo Kakoki Co., Ltd., trade name “Vibration fluidized bed apparatus VUA-15”). Type"). Next, 3.5 g of water was sprayed while fluidizing the spherical silica with air circulated by a suction blower, and fluidized and mixed for 5 minutes. Then, HMDS (hexamethylene Le disilazane) were sprayed with (Momentive Performance Materials Japan LLC., Trade name "TSL-8802") 2.5g, it flowed mixed for 30 minutes. The hydrophobicity of the obtained hydrophobic spherical silica fine powder was measured by the methanol titration method. The degree of hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles in Example 13 was 50%.

＜実施例１５＞
実施例１の（工程ｂ）の代わりに、以下に示す方法にて非導電性無機粒子を製造した以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−１、表３−２及び表７−２に示す。<Example 15>
Instead of (Step b) of Example 1, conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film were prepared in the same manner as in Example 1 except that non-conductive inorganic particles were produced by the method described below. Further, the production of the connection structure and the evaluation of the conductive particles and the connection structure were performed. The results are shown in Table 3-1, Table 3-2 and Table 7-2.

実施例１５では、まず、平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用い、球状シリカ粉末１００ｇを振動流動層装置（中央化工機株式会社製、商品名「振動流動層装置ＶＵＡ−１５型」）に収容した。次に、吸引ブロワーにより循環させた空気で球状シリカを流動化させながら水３．０ｇを噴霧し、５分間流動混合させた。次に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「ＴＳＬ−８８０２」）５．０ｇを噴霧し、３０分間流動混合した。得られた疎水性球状シリカ微粉体の疎水化度をメタノール滴定法によって測定した。実施例１３における非導電性無機粒子の疎水化度は、８０％であった。 In Example 15, first, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 100 nm was used, and 100 g of the spherical silica powder was vibrated and fluidized bed apparatus (manufactured by Chuo Kakoki Co., Ltd., trade name “Vibration Fluidized Bed Apparatus VUA-15”). Type"). Next, 3.0 g of water was sprayed while fluidizing the spherical silica with air circulated by a suction blower, and fluidized and mixed for 5 minutes. Then, HMDS (hexamethylene Le disilazane) were sprayed with (Momentive Performance Materials Japan LLC., Trade name "TSL-8802") 5.0g, it flowed mixed for 30 minutes. The hydrophobicity of the obtained hydrophobic spherical silica fine powder was measured by the methanol titration method. The hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles in Example 13 was 80%.

＜実施例１６＞
実施例１の（工程ｂ）の代わりに、以下に示す方法にて非導電性無機粒子を製造した以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−１、表３−２及び表７−２に示す。<Example 16>
Instead of (Step b) of Example 1, conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film were prepared in the same manner as in Example 1 except that non-conductive inorganic particles were produced by the method described below. Further, the production of the connection structure and the evaluation of the conductive particles and the connection structure were performed. The results are shown in Table 3-1, Table 3-2 and Table 7-2.

実施例１６では、まず、平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を用い、球状シリカ粉末１００ｇを振動流動層装置（中央化工機株式会社製、商品名「振動流動層装置ＶＵＡ−１５型」）に収容した。次に、吸引ブロワーにより循環させた空気で球状シリカを流動化させながら水３．０ｇを噴霧し、５分間流動混合させた。次に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名「ＴＳＬ−８８０２」）６．０ｇを噴霧し、３０分間流動混合した。得られた疎水性球状シリカ微粉体の疎水化度をメタノール滴定法によって測定した。実施例１３における非導電性無機粒子の疎水化度は、９０％であった。 In Example 16, first, a vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having an average particle diameter of 100 nm was used, and 100 g of the spherical silica powder was vibrated and fluidized bed apparatus (manufactured by Chuo Kakoki Co., Ltd., trade name “Vibration Fluidized Bed Apparatus VUA-15”). Type"). Next, 3.0 g of water was sprayed while fluidizing the spherical silica with air circulated by a suction blower, and fluidized and mixed for 5 minutes. Then, HMDS (hexamethylene Le disilazane) were sprayed with (Momentive Performance Materials Japan LLC., Trade name "TSL-8802") 6.0g, it flowed mixed for 30 minutes. The hydrophobicity of the obtained hydrophobic spherical silica fine powder was measured by the methanol titration method. The hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles in Example 13 was 90%.

＜実施例１７＞
実施例１の（工程ｃ）において、ＨＭＤＳにより疎水化された球状シリカ粉末０．０５ｇの代わりに、０．０４ｇとしたこと以外は、実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−１、表３−２及び表７−２に示す。<Example 17>
In (step c) of Example 1, conductive particles and insulating-coated conductive particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that the spherical silica powder hydrophobized with HMDS was replaced by 0.05 g instead of 0.05 g. The anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 3-1, Table 3-2 and Table 7-2.

＜実施例１８＞
実施例１の（工程ｃ）において、ＨＭＤＳにより疎水化された球状シリカ粉末０．０５ｇの代わりに、０．０３ｇとしたこと以外は、実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−１、表３−２及び表７−２に示す。<Example 18>
In (step c) of Example 1, conductive particles and insulating coated conductive particles were prepared in the same manner as in Example 1, except that the spherical silica powder hydrophobized with HMDS was replaced with 0.05 g instead of 0.03 g. The anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 3-1, Table 3-2 and Table 7-2.

＜実施例１９＞
実施例１の（工程ａ）において、ポリエチレンイミン水溶液３ｇの代わりに、平均分子量６００の３０質量％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬工業株式会社製）３ｇに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−３、表３−４及び表８−１に示す。<Example 19>
In the same manner as in Example 1 except that in (step a) of Example 1, 3 g of the polyethyleneimine aqueous solution was changed to 3 g of a 30 wt% polyethyleneimine aqueous solution having an average molecular weight of 600 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 3-3, Table 3-4 and Table 8-1.

＜実施例２０＞
実施例１の（工程ａ）において、ポリエチレンイミン水溶液３ｇの代わりに、平均分子量１万の３０質量％ポリエチレンイミン水溶液（和光純薬工業株式会社製）３ｇに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−３、表３−４及び表８−１に示す。<Example 20>
The same as Example 1 except that 3 g of a 30 wt% polyethyleneimine aqueous solution having an average molecular weight of 10,000 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used in place of 3 g of the polyethyleneimine aqueous solution in Example 1 (step a). Then, the conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 3-3, Table 3-4 and Table 8-1.

＜実施例２１＞
実施例１の（工程ｂ）において、ＨＭＤＳ２．５ｇの代わりに、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）（和光純薬工業株式会社製）２．５ｇに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表３−３、表３−４及び表８−１に示す。<Example 21>
Conductivity was the same as in Example 1 except that in Step (b) of Example 1, 2.5 g of polydimethylsiloxane (PDMS) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used instead of 2.5 g of HMDS. The particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 3-3, Table 3-4 and Table 8-1.

＜実施例２２＞
実施例１の（工程ｂ）において、ＨＭＤＳ２．５ｇの代わりに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）（和光純薬工業株式会社製）２．５ｇに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表４−１、表４−２及び表８−１に示す。<Example 22>
In Example 1, except that in step (b), 2.5 g of HMDS was used, 2.5 g of N,N-dimethylaminotrimethylsilane (DMATMS) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used. Similarly, conductive particles, insulating coated conductive particles, an anisotropic conductive adhesive film and a connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 4-1, Table 4-2 and Table 8-1.

＜実施例２３＞
実施例１の（工程ｅ）を省略したこと、及び実施例１の（工程ｆ）の代わりに以下に示す方法にて第１層のｂ層を形成したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表４−１、表４−２及び表８−２に示す。<Example 23>
Example 1 is the same as Example 1 except that the (step e) of Example 1 is omitted, and that the first layer b is formed by the following method instead of (Step f) of Example 1. The conductive particles, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 4-1, Table 4-2 and Table 8-2.

実施例２３では、まず、第１層のｂ層形成用の無電解ニッケルめっき液の液量を１００ｍｌとし、１００ｎｍの膜厚のニッケル−リン合金被膜からなる第１層のｂ層を形成した。第１層のｂ層を形成することにより得た粒子Ｄは４．５５ｇであった。 In Example 23, first, the amount of the electroless nickel plating solution for forming the b layer of the first layer was 100 ml, and the b layer of the first layer made of a nickel-phosphorus alloy coating having a film thickness of 100 nm was formed. The particle D obtained by forming the first layer b was 4.55 g.

＜実施例２４＞
実施例１の（工程ｅ）、（工程ｆ）の代わりに以下に示す方法にて第１層のａ層、ｂ層を形成したこと以外は実施例１と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表４−１、表４−２及び表８−２に示す。<Example 24>
Conductive particles and insulating coating were carried out in the same manner as in Example 1 except that the first layer a layer and b layer were formed by the following method instead of (step e) and (step f) of Example 1. The conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 4-1, Table 4-2 and Table 8-2.

まず、工程ｄで得た粒子Ｂ分散液を、８０℃に加温した水１０００ｍＬで希釈した後、めっき安定剤として１ｇ／Ｌの硝酸ビスマス水溶液を１ｍＬ添加した。次に、粒子Ｂ分散液に、下記組成のａ層形成用の無電解ニッケルめっき液２０ｍＬを５ｍＬ／分の滴下速度で滴下した。第１層のａ層形成用の無電解ニッケルめっき液の組成は以下の通りである。
硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・４００ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・１５０ｇ／Ｌ
酢酸・・・・・・・・・・・・・・・・１２０ｇ／Ｌ
硝酸ビスマス水溶液（１ｇ／Ｌ）・・・１ｍＬ／ＬFirst, the particle B dispersion liquid obtained in step d was diluted with 1000 mL of water heated to 80° C., and then 1 mL of a 1 g/L bismuth nitrate aqueous solution was added as a plating stabilizer. Next, 20 mL of the electroless nickel plating solution for forming a layer having the following composition was dropped into the particle B dispersion at a dropping rate of 5 mL/min. The composition of the electroless nickel plating solution for forming the a layer of the first layer is as follows.
Nickel sulfate: 400g/L
Sodium hypophosphite: 150 g/L
Acetic acid: 120 g/L
Bismuth nitrate aqueous solution (1 g/L)... 1 mL/L

第１層のａ層のめっき液を滴下終了後、３分後に、下記組成のｂ層形成用のめっき液８０ｍＬを５ｍＬ／分の滴下速度で滴下した。滴下終了後、１０分間経過した後に、めっき液を加えた分散液を濾過した。濾過物を水で洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で乾燥した。このようにして、表４−１に示す第１層のａ層が２０ｎｍ、第１層のｂ層が８０ｎｍの膜厚のニッケル−リン合金被膜からなる第１層を形成した。第１層のａ層およびｂ層を形成することにより得た粒子Ｄは、４．５５ｇであった。
（ｂ層形成用の無電解ニッケルめっき液）
硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・４００ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・１５０ｇ／Ｌ
酒石酸ナトリウム・２水和物・・・・・６０ｇ／Ｌ
硝酸ビスマス水溶液（１ｇ／Ｌ）・・・１ｍＬ／Ｌ3 minutes after the dropping of the plating solution for the first layer a was completed, 80 mL of the plating solution for forming the b layer having the following composition was dropped at a dropping rate of 5 mL/min. After 10 minutes had passed after the dropping, the dispersion containing the plating solution was filtered. The filtered product was washed with water and then dried in a vacuum dryer at 80°C. In this way, the first layer shown in Table 4-1 was formed of a nickel-phosphorus alloy coating having a thickness of 20 nm for the first layer and a thickness of 80 nm for the first layer b. The particle D obtained by forming the a layer and the b layer of the first layer was 4.55 g.
(Electroless nickel plating solution for forming layer b)
Nickel sulfate: 400g/L
Sodium hypophosphite: 150 g/L
Sodium tartrate dihydrate: 60 g/L
Bismuth nitrate aqueous solution (1 g/L)... 1 mL/L

実施例２４においては、ａ層のニッケルの濃度が９３．０質量％（残部リン）であり、ｂ層のニッケルの濃度は、導電粒子の表面に向かって徐々に高くなっていた。ｂ層の表面におけるニッケルの濃度は９７．５質量％（残部リン）だった。このように、ｂ層形成用の無電解ニッケルめっき液を、ａ層形成用の無電解ニッケルめっき液に直接加えることにより、除々にニッケル濃度が高くなる層を得ることが可能になる。そして、無電解ニッケルめっき皮膜形成時の初期に９４質量％以下の層を２０ｎｍ以上形成することにより、導電粒子同士は磁性の影響をほとんど受けないので、当該導電粒子同士の凝集を抑制することができる。また、実施例１のように、異なる組成のニッケル−リン合金被膜を２回に分けて形成する必要がなくなるため、短時間で導電粒子を作製することが可能となる。 In Example 24, the concentration of nickel in the layer a was 93.0% by mass (the balance of phosphorus), and the concentration of nickel in the layer b was gradually increased toward the surface of the conductive particles. The nickel concentration on the surface of layer b was 97.5 mass% (the balance being phosphorus). Thus, by directly adding the electroless nickel plating solution for forming the b layer to the electroless nickel plating solution for forming the a layer, it becomes possible to obtain a layer in which the nickel concentration gradually increases. Then, by forming a layer of 94% by mass or less at 20 nm or more in the initial stage of forming the electroless nickel plating film, the conductive particles are hardly affected by the magnetism, so that the aggregation of the conductive particles can be suppressed. it can. Further, unlike the first embodiment, it is not necessary to separately form the nickel-phosphorus alloy coating film having a different composition twice, so that the conductive particles can be produced in a short time.

＜実施例２５＞
実施例１の（工程ａ）〜（工程ｆ）を経て作製した粒子Ｄ４．５５ｇを、下記組成の無電解パラジウムめっき液１Ｌ（ｐＨ：６）に浸漬し、第２層を形成した。反応時間は１０分間、温度は５０℃にて処理を行った。第２層の平均厚さは１０ｎｍ、第２層におけるパラジウム含有量は１００質量％であった。この導電粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表４−３、表４−４及び表８−２に示す。無電解パラジウムめっき液の組成は以下の通りである。
塩化パラジウム・・・・・・・０．０７ｇ／Ｌ
ＥＤＴＡ・２ナトリウム・・・１ｇ／Ｌ
クエン酸・２ナトリウム・・・１ｇ／Ｌ
ギ酸ナトリウム・・・・・・・０．２ｇ／Ｌ<Example 25>
The particles D (4.55 g) produced through (step a) to (step f) of Example 1 were immersed in 1 L (pH: 6) of an electroless palladium plating solution having the following composition to form a second layer. The reaction time was 10 minutes, and the temperature was 50°C. The average thickness of the second layer was 10 nm, and the palladium content in the second layer was 100% by mass. In the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were used, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 4-3, Table 4-4 and Table 8-2. The composition of the electroless palladium plating solution is as follows.
Palladium chloride...0.07g/L
EDTA・2 sodium・・・1g/L
Citric acid・2 sodium・・・1g/L
Sodium formate...0.2g/L

＜実施例２６＞
実施例１の（工程ａ〜工程ｆ）を経て作製した粒子Ｄ４．５５ｇを、置換金めっき液（日立化成株式会社製、商品名「ＨＧＳ−１００」）１００ｍＬ／Ｌの溶液１Ｌに、８５℃で２分間浸漬し、更に２分間水洗して、第２層を形成した。反応時間は１０分間、温度は６０℃にて処理を行った。第２層の平均厚さは１０ｎｍ、第２層における金含有量はほぼ１００質量％であった。この導電粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表４−３、表４−４及び表８−２に示す。<Example 26>
The particles D4.55g produced through (Step a to Step f) of Example 1 were added to a substitution gold plating solution (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name "HGS-100") 100mL/L solution 1L at 85°C. For 2 minutes, and then washed with water for another 2 minutes to form a second layer. The reaction time was 10 minutes, and the temperature was 60°C. The average thickness of the second layer was 10 nm, and the gold content in the second layer was approximately 100% by mass. In the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were used, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were prepared, and the conductive particles and the connection structure were evaluated. The results are shown in Table 4-3, Table 4-4 and Table 8-2.

＜比較例１＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、平均粒子径１００ｎｍのコロイダルシリカ分散液を超純水で希釈して、０．３３質量％シリカ粒子分散液（シリカ総量０．０５ｇ）を得た。当該分散液に、（工程ａ）で作製したポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子を加え、室温で１５分攪拌した。その後φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いた濾過により樹脂粒子を取り出した。濾液からシリカは抽出されなかったことから、実質的に全てのシリカ粒子が樹脂粒子に吸着したことが確認された。シリカ粒子が吸着した樹脂粒子を超純水２００ｇに入れて室温で５分攪拌した。その後、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いた濾過により樹脂粒子を取り出し、メンブレンフィルタ上の樹脂粒子を２００ｇの超純水で２回洗浄した。洗浄後の樹脂粒子を８０℃で３０分、１２０℃で１時間の順に加熱することにより乾燥して、表面にシリカ粒子が吸着した樹脂粒子２．０５ｇを得た。<Comparative Example 1>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, the colloidal silica dispersion liquid having an average particle diameter of 100 nm was diluted with ultrapure water to obtain a 0.33 mass% silica particle dispersion liquid (total amount of silica: 0.05 g). The resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein prepared in (step a) were added to the dispersion, and the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes. After that, the resin particles were taken out by filtration using a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore). Since silica was not extracted from the filtrate, it was confirmed that substantially all silica particles were adsorbed on the resin particles. The resin particles having silica particles adsorbed thereon were put in 200 g of ultrapure water and stirred at room temperature for 5 minutes. Then, the resin particles were taken out by filtration using a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore), and the resin particles on the membrane filter were washed twice with 200 g of ultrapure water. The resin particles after washing were dried by heating at 80° C. for 30 minutes and at 120° C. for 1 hour in order to obtain 2.05 g of resin particles having silica particles adsorbed on the surface.

上記樹脂粒子２．０５ｇを、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を１５分間照射した後、パラジウム触媒（アトテックジャパン株式会社製、商品名「アトテックネオガント８３４」）を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬに添加して、超音波を照射しながら３０℃で３０分攪拌した。その後、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いた濾過により樹脂粒子を取出し、取り出された樹脂粒子を水洗した。水洗後の樹脂粒子を、ｐＨ６．０に調整された０．５質量％ジメチルアミンボラン液に添加し、パラジウム触媒が固着化された樹脂粒子２．０１ｇを得た。そして、２０ｍＬの蒸留水に、パラジウム触媒が固着化された樹脂粒子２．０１ｇを浸漬した後、超音波分散することで、樹脂粒子分散液を得た。超音波分散した後の粒子をＳＥＭにより観察した結果を図１５に示す。 After irradiating 2.05 g of the above resin particles with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W for 15 minutes, a palladium catalyst containing 8% by mass of a palladium catalyst (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name "Atotech Neogant 834"). The resulting mixture was added to 100 mL of the liquid mixture and stirred at 30° C. for 30 minutes while irradiating with ultrasonic waves. Then, the resin particles were taken out by filtration using a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore), and the taken out resin particles were washed with water. The resin particles after washing with water were added to a 0.5% by mass dimethylamine borane solution adjusted to pH 6.0 to obtain 2.01 g of resin particles having a palladium catalyst immobilized thereon. Then, 2.01 g of the resin particles having the palladium catalyst immobilized thereon was immersed in 20 mL of distilled water, and then ultrasonically dispersed to obtain a resin particle dispersion liquid. The results of observing the particles after ultrasonic dispersion by SEM are shown in FIG.

これ以降は、実施例１の（工程ｅ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−１、表５−２及び表９−１に示す。比較例１における（工程ｆ）の後の導電粒子をＳＥＭにより観察した結果を図１６に示す。 After this, in the same manner as in (Step e) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, an anisotropic conductive adhesive film and a connection structure, and evaluation of the conductive particles and the connection structure. went. The results are shown in Table 5-1, Table 5-2 and Table 9-1. FIG. 16 shows the result of SEM observation of the conductive particles after (step f) in Comparative Example 1.

＜比較例２＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノール中に入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、実施例５と同一の平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を０．０５ｇ入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌することで、シリカが吸着された樹脂粒子を得た。シリカが吸着された樹脂粒子は２．０５ｇであった。<Comparative example 2>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, 2 g of the resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein were placed in methanol and stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Then, by adding 0.05 g of the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having the same average particle diameter of 100 nm as in Example 5, and further stirring at room temperature for 5 minutes while irradiating ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W, Resin particles having silica adsorbed were obtained. The amount of resin particles having silica adsorbed was 2.05 g.

上記樹脂粒子２．０５ｇを、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を１５分間照射した後、パラジウム触媒（アトテックジャパン株式会社製、商品名「アトテックネオガント８３４」）を８質量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬに添加して、超音波を照射しながら３０℃で３０分攪拌した。その後、φ３μｍのメンブレンフィルタ（メルクミリポア社製）を用いた濾過により樹脂粒子を取出し、取り出された樹脂粒子を水洗した。水洗後の樹脂粒子を、ｐＨ６．０に調整された０．５質量％ジメチルアミンボラン液に添加し、パラジウム触媒が固着化された樹脂粒子２．０１ｇを得た。そして、２０ｍＬの蒸留水に、パラジウム触媒が固着化された樹脂粒子２．０１ｇを浸漬した後、超音波分散することで、樹脂粒子分散液を得た。 After irradiating 2.05 g of the above resin particles with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W for 15 minutes, a palladium catalyst containing 8% by mass of a palladium catalyst (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name "Atotech Neogant 834"). The resulting mixture was added to 100 mL of the liquid mixture and stirred at 30° C. for 30 minutes while irradiating with ultrasonic waves. Then, the resin particles were taken out by filtration using a φ3 μm membrane filter (manufactured by Merck Millipore), and the taken out resin particles were washed with water. The resin particles after washing with water were added to a 0.5% by mass dimethylamine borane solution adjusted to pH 6.0 to obtain 2.01 g of resin particles having a palladium catalyst immobilized thereon. Then, 2.01 g of the resin particles having the palladium catalyst immobilized thereon was immersed in 20 mL of distilled water, and then ultrasonically dispersed to obtain a resin particle dispersion liquid.

これ以降は、実施例１の（工程ｅ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−１、表５−２及び表９−１に示す。 After this, in the same manner as in (Step e) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, an anisotropic conductive adhesive film and a connection structure, and evaluation of the conductive particles and the connection structure. went. The results are shown in Table 5-1, Table 5-2 and Table 9-1.

＜比較例３＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノール中に入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、実施例２と同一の平均粒径２５ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を０．０５ｇ入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌することで、シリカが吸着された樹脂粒子を得た。シリカが吸着された樹脂粒子は２．０５ｇであった。<Comparative example 3>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, 2 g of the resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein were placed in methanol and stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Thereafter, 0.05 g of the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having the same average particle diameter of 25 nm as in Example 2 was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Resin particles having silica adsorbed were obtained. The amount of resin particles having silica adsorbed was 2.05 g.

これ以降は、実施例１の（工程ｄ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−１、表５−２及び表９−１に示す。 After this, in the same manner as in (Process d) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film and connection structure, and evaluation of conductive particles and connection structure were performed. went. The results are shown in Table 5-1, Table 5-2 and Table 9-1.

＜比較例４＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノール中に入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、実施例１と同一の平均粒径６０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を０．０５ｇ入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌することで、シリカが吸着された樹脂粒子を得た。シリカが吸着された樹脂粒子は２．０５ｇであった。<Comparative example 4>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, 2 g of the resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein were placed in methanol and stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Then, by adding 0.05 g of the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having the same average particle diameter of 60 nm as in Example 1, and further stirring at room temperature for 5 minutes while irradiating ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W, Resin particles having silica adsorbed were obtained. The amount of resin particles having silica adsorbed was 2.05 g.

これ以降は、実施例１の（工程ｄ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−１、表５−２及び表９−１に示す。 After this, in the same manner as in (Process d) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film and connection structure, and evaluation of conductive particles and connection structure were performed. went. The results are shown in Table 5-1, Table 5-2 and Table 9-1.

＜比較例５＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノール中に入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、実施例５と同一の平均粒径１００ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を０．０５ｇ入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌することで、シリカが吸着された樹脂粒子を得た。シリカが吸着された樹脂粒子は２．０５ｇであった。<Comparative Example 5>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, 2 g of the resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein were placed in methanol and stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Then, by adding 0.05 g of the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having the same average particle diameter of 100 nm as in Example 5, and further stirring at room temperature for 5 minutes while irradiating ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W, Resin particles having silica adsorbed were obtained. The amount of resin particles having silica adsorbed was 2.05 g.

これ以降は、実施例１の（工程ｄ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−３、表５−４及び表９−２に示す。 After this, in the same manner as in (Process d) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film and connection structure, and evaluation of conductive particles and connection structure were performed. went. The results are shown in Table 5-3, Table 5-4 and Table 9-2.

＜比較例６＞
まず、実施例１の（工程ａ）を行った。次に、ポリエチレンイミンが吸着した樹脂粒子２ｇをメタノール中に入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながら室温で５分間攪拌した。その後、実施例６と同一の平均粒径１２０ｎｍの気相法親水性球状シリカ粉末を０．０５ｇ入れ、共振周波数２８ｋＨｚ、出力１００Ｗの超音波を照射しながらさらに室温で５分間攪拌することで、シリカが吸着された樹脂粒子を得た。シリカが吸着された樹脂粒子は２．０５ｇであった。<Comparative example 6>
First, (step a) of Example 1 was performed. Next, 2 g of the resin particles having polyethyleneimine adsorbed therein were placed in methanol and stirred at room temperature for 5 minutes while irradiating with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Thereafter, 0.05 g of the vapor-phase method hydrophilic spherical silica powder having the same average particle diameter of 120 nm as in Example 6 was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 5 minutes while being irradiated with ultrasonic waves having a resonance frequency of 28 kHz and an output of 100 W. Resin particles having silica adsorbed were obtained. The amount of resin particles having silica adsorbed was 2.05 g.

これ以降は、実施例１の（工程ｄ）以降と同様にして、導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、導電粒子及び接続構造体の評価を行った。結果を表５−３、表５−４及び表９−２に示す。 After this, in the same manner as in (Process d) and subsequent steps of Example 1, production of conductive particles, insulating coated conductive particles, anisotropic conductive adhesive film and connection structure, and evaluation of conductive particles and connection structure were performed. went. The results are shown in Table 5-3, Table 5-4 and Table 9-2.

＜比較例７＞
平均粒径３．０μｍの架橋ポリスチレン粒子（株式会社日本触媒製、商品名「ソリオスター」）を樹脂粒子として用いた。４００ｍＬのクリーナーコンディショナー２３１水溶液（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製、濃度４０ｍＬ／Ｌ）を攪拌しながら、そこに樹脂粒子３０ｇを投入した。続いて、水溶液を６０℃に加温し、超音波を与えながら３０分間攪拌して、樹脂粒子の表面改質及び分散処理を行った。<Comparative Example 7>
Crosslinked polystyrene particles having an average particle diameter of 3.0 μm (trade name “SOLIO STAR” manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) were used as resin particles. While stirring 400 mL of a cleaner conditioner 231 aqueous solution (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd., concentration 40 mL/L), 30 g of resin particles were added thereto. Subsequently, the aqueous solution was heated to 60° C. and stirred for 30 minutes while applying ultrasonic waves to perform surface modification and dispersion treatment of the resin particles.

上記水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した後に、粒子３０ｇを水に分散させて２００ｍＬのスラリーを得た。このスラリーに塩化第一錫水溶液２００ｍＬ（濃度１．５ｇ／Ｌ）を加え、常温で５分間攪拌し、錫イオンを粒子の表面に吸着させる感受性化処理を行った。続いて、水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した。次いで、粒子３０ｇを水に分散させて４００ｍＬのスラリーを調製した後、６０℃まで加温した。超音波を併用してスラリーを攪拌しながら、１０ｇ／Ｌの塩化パラジウム水溶液２ｍＬを添加した。そのまま５分間攪拌することで、粒子の表面にパラジウムイオンを捕捉させる活性化処理を行った。続いて、水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した。 The above aqueous solution was filtered, the obtained particles were washed once with water, and then 30 g of the particles were dispersed in water to obtain 200 mL of a slurry. 200 mL of stannous chloride aqueous solution (concentration: 1.5 g/L) was added to this slurry, and the mixture was stirred at room temperature for 5 minutes to perform a sensitizing treatment for adsorbing tin ions on the surface of the particles. Subsequently, the aqueous solution was filtered, and the obtained particles were washed once with water. Next, 30 g of particles were dispersed in water to prepare 400 mL of slurry, and then heated to 60°C. 2 mL of 10 g/L palladium chloride aqueous solution was added, stirring a slurry using ultrasonic waves together. By stirring for 5 minutes as it is, an activation treatment for capturing palladium ions on the surface of the particles was performed. Subsequently, the aqueous solution was filtered, and the obtained particles were washed once with water.

次いで、２０ｇ／Ｌの酒石酸ナトリウム、１０ｇ／Ｌの硫酸ニッケル及び０．５ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウムを溶解した水溶液からなる無電解めっき液３リットルを６０℃に昇温した。この無電解めっき液に、上記粒子１０ｇを投入した。これを５分間攪拌し、水素の発泡が停止することを確認した。 Next, 3 liters of electroless plating solution consisting of an aqueous solution in which 20 g/L of sodium tartrate, 10 g/L of nickel sulfate and 0.5 g/L of sodium hypophosphite were dissolved was heated to 60°C. 10 g of the above particles were added to this electroless plating solution. This was stirred for 5 minutes, and it was confirmed that hydrogen bubbling stopped.

その後、２００ｇ／Ｌの硫酸ニッケル水溶液４００ｍＬと、２００ｇ／Ｌの次亜リン酸ナトリウム及び９０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム混合水溶液４００ｍＬとを、それぞれ同時に定量ポンプによって連続的に、粒子を含むめっき液に添加した。添加速度はいずれも３ｍＬ／分とした。次いで、この溶液を６０℃に保持しながら５分間攪拌した後、溶液を濾過した。濾過物を３回洗浄した後、１００℃の真空乾燥機で乾燥して、ニッケル−リン合金被膜を有する導電粒子を得た。得られた導電粒子について、粒子の中心付近を通るようにウルトラミクロトーム法で断面を切り出し、ＴＥＭを用いて２５万倍の倍率で観察した。得られた断面の画像に基づき、断面積の平均値より膜厚を算出した結果、ニッケル−リン合金被膜の平均膜厚は１０５ｎｍであった。 Thereafter, 400 g of a 200 g/L nickel sulfate aqueous solution and 400 g of a 200 g/L sodium hypophosphite and 90 g/L sodium hydroxide mixed aqueous solution are simultaneously and continuously converted into a plating solution containing particles by a quantitative pump. Was added. The addition rate was 3 mL/min in all cases. Next, this solution was stirred for 5 minutes while maintaining it at 60° C., and then the solution was filtered. The filtered product was washed 3 times and then dried in a vacuum dryer at 100° C. to obtain conductive particles having a nickel-phosphorus alloy coating. With respect to the obtained conductive particles, a cross section was cut out by an ultramicrotome method so as to pass near the center of the particles, and observed with a TEM at a magnification of 250,000 times. As a result of calculating the film thickness from the average value of the cross-sectional area based on the obtained image of the cross section, the average film thickness of the nickel-phosphorus alloy coating was 105 nm.

この導電粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、接続構造体の評価を行った。導電粒子の評価については、一部の評価を実施例１と同様に行った。結果を表５−３、表５−４及び表９−２に示す。 In the same manner as in Example 1 except that the conductive particles were used, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film and the connection structure were produced, and the connection structure was evaluated. Regarding the evaluation of the conductive particles, part of the evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5-3, Table 5-4 and Table 9-2.

＜比較例８＞
平均粒径３．０μｍの架橋ポリスチレン粒子（株式会社日本触媒製、商品名「ソリオスター」）を樹脂粒子として用いた。４００ｍＬのクリーナーコンディショナー２３１水溶液（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製、濃度４０ｍＬ／Ｌ）を攪拌しながら、そこに樹脂粒子７ｇを投入した。続いて、水溶液を６０℃に加温し、超音波を与えながら３０分間攪拌して、樹脂粒子の表面改質及び分散処理を行った。<Comparative Example 8>
Crosslinked polystyrene particles having an average particle diameter of 3.0 μm (trade name “SOLIO STAR” manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) were used as resin particles. While stirring 400 mL of a cleaner conditioner 231 aqueous solution (Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd., concentration: 40 mL/L), 7 g of resin particles was added thereto. Subsequently, the aqueous solution was heated to 60° C. and stirred for 30 minutes while applying ultrasonic waves to perform surface modification and dispersion treatment of the resin particles.

上記水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した後に、粒子７ｇを純水に分散させて２００ｍＬのスラリーを得た。このスラリーに塩化第一錫水溶液２００ｍＬ（濃度１．５ｇ／Ｌ）を加え、常温で５分間攪拌し、錫イオンを粒子の表面に吸着させる感受性化処理を行った。続いて、水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した。次いで、粒子７ｇを水に分散させて４００ｍＬのスラリーを調製した後、６０℃まで加温した。超音波を併用してスラリーを攪拌しながら、１０ｇ／Ｌの塩化パラジウム水溶液２ｍＬを添加した。そのまま５分間攪拌することで、粒子の表面にパラジウムイオンを捕捉させる活性化処理を行った。続いて、水溶液を濾過し、得られた粒子を１回水洗した。 The above aqueous solution was filtered, the obtained particles were washed once with water, and then 7 g of the particles were dispersed in pure water to obtain 200 mL of a slurry. 200 mL of stannous chloride aqueous solution (concentration: 1.5 g/L) was added to this slurry, and the mixture was stirred at room temperature for 5 minutes to perform a sensitizing treatment for adsorbing tin ions on the surface of the particles. Subsequently, the aqueous solution was filtered, and the obtained particles were washed once with water. Next, 7 g of particles were dispersed in water to prepare 400 mL of slurry, and then heated to 60°C. 2 mL of 10 g/L palladium chloride aqueous solution was added, stirring a slurry using ultrasonic waves together. By stirring for 5 minutes as it is, an activation treatment for capturing palladium ions on the surface of the particles was performed. Subsequently, the aqueous solution was filtered, and the obtained particles were washed once with water.

得られた粒子７ｇを純水３００ｍＬに加え、３分間攪拌して分散させた。次に、その分散液に芯物質としてニッケル粒子（三井金属鉱業株式会社製、商品名「２００７ＳＵＳ」、平均粒径５０ｎｍ）２．２５ｇを添加し、芯物質を付着させた粒子を得た。 7 g of the obtained particles were added to 300 mL of pure water and stirred for 3 minutes to disperse the particles. Next, 2.25 g of nickel particles (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., trade name "2007SUS", average particle size 50 nm) was added to the dispersion liquid to obtain particles to which the core material was attached.

前記分散液を更に水１２００ｍＬで希釈し、めっき安定剤として硝酸ビスマス水溶液（濃度１ｇ／Ｌ）４ｍＬを添加した。次に、この分散液に、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ及びめっき安定剤（硝酸ビスマス水溶液（濃度１ｇ／Ｌ））６ｍＬの混合溶液１２０ｍＬを８１ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止することを確認した。 The dispersion liquid was further diluted with 1200 mL of water, and 4 mL of a bismuth nitrate aqueous solution (concentration 1 g/L) was added as a plating stabilizer. Next, to this dispersion, 120 mL of a mixed solution of 450 g/L of nickel sulfate, 150 g/L of sodium hypophosphite, 116 g/L of sodium citrate and 6 mL of a plating stabilizer (bismuth nitrate aqueous solution (concentration 1 g/L)) was added. The addition rate was 81 mL/min through a metering pump. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the hydrogen bubbling stopped.

次いで、硫酸ニッケル４５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム１１６ｇ／Ｌ、めっき安定剤（硝酸ビスマス水溶液（濃度１ｇ／Ｌ））３５ｍＬの混合溶液６５０ｍＬを２７ｍＬ／分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止することを確認した。 Next, a mixed solution of 650 mL of nickel sulfate 450 g/L, sodium hypophosphite 150 g/L, sodium citrate 116 g/L, and a plating stabilizer (bismuth nitrate aqueous solution (concentration 1 g/L)) 35 mL, 650 mL, is added at a rate of 27 mL/min. Was added through a metering pump at. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that hydrogen bubbling stopped.

次いで、めっき液を濾過し、濾過物を水で洗浄した。その後、８０℃の真空乾燥機で乾燥してニッケル−リン合金被膜を有する導電粒子を得た。得られた導電粒子について、粒子の中心付近を通るようにウルトラミクロトーム法で断面を切り出し、ＴＥＭを用いて２５万倍の倍率で観察した。得られた断面の画像に基づき、断面積の平均値より膜厚を算出した結果、ニッケル−リン合金被膜の平均膜厚は１０１ｎｍであった。 Then, the plating solution was filtered, and the filtered product was washed with water. Then, it was dried in a vacuum dryer at 80° C. to obtain conductive particles having a nickel-phosphorus alloy coating. With respect to the obtained conductive particles, a cross section was cut out by an ultramicrotome method so as to pass near the center of the particles, and observed with a TEM at a magnification of 250,000 times. As a result of calculating the film thickness from the average value of the cross-sectional area based on the obtained image of the cross section, the average film thickness of the nickel-phosphorus alloy coating was 101 nm.

上記導電粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着フィルム及び接続構造体の作製、並びに、接続構造体の評価を行った。導電粒子の評価については、一部の評価を実施例１と同様に行った。結果を表５−３、表５−４及び表９−２に示す。 In the same manner as in Example 1 except that the above conductive particles were used, the insulating coated conductive particles, the anisotropic conductive adhesive film, and the connection structure were produced, and the connection structure was evaluated. Regarding the evaluation of the conductive particles, part of the evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5-3, Table 5-4 and Table 9-2.

比較例１は上記特許文献３の導電粒子に対応する。比較例７の導電粒子は上記特許文献１の導電粒子に対応する。比較例８の導電粒子は上記特許文献２の導電粒子に対応する。 Comparative Example 1 corresponds to the conductive particles of Patent Document 3 above. The conductive particles of Comparative Example 7 correspond to the conductive particles of Patent Document 1 above. The conductive particles of Comparative Example 8 correspond to the conductive particles of Patent Document 2 above.

１００ａ，１００ｂ，４００…導電粒子、１０１…樹脂粒子、１０２…非導電性無機粒子、１０３…複合粒子、１０４…第１層、１０５…第２層、１０９…突起、２００…絶縁被覆導電粒子、２１０…絶縁性粒子（絶縁性被覆部）、３００…接続構造体、３１０…第１回路部材、３１１，３２１…回路基板、３１１ａ，３２１ａ…主面、３１２，３２２…回路電極、３２０…第２回路部材、３３０…接続部、３３０ａ…異方導電性接着剤、３３２…硬化物、３３２ａ…接着剤、４０１…異常析出部。 100a, 100b, 400... Conductive particles, 101... Resin particles, 102... Non-conductive inorganic particles, 103... Composite particles, 104... First layer, 105... Second layer, 109... Projections, 200... Insulating coating conductive particles, 210... Insulating particles (insulating coating part), 300... Connection structure, 310... First circuit member, 311, 321... Circuit board, 311a, 321a... Main surface, 312, 322... Circuit electrode, 320... Second Circuit member, 330... Connection part, 330a... Anisotropic conductive adhesive, 332... Cured material, 332a... Adhesive, 401... Abnormal deposition part.

Claims (24)

カチオン性ポリマーにより被覆された樹脂粒子、及び前記樹脂粒子の表面に配置される非導電性無機粒子を有する複合粒子と、
前記複合粒子を覆う金属層と、を備え、
前記非導電性無機粒子は、疎水化処理剤によって被覆されている、
導電粒子。Resin particles coated with a cationic polymer, and composite particles having non-conductive inorganic particles arranged on the surface of the resin particles,
A metal layer covering the composite particles,
The non-conductive inorganic particles are coated with a hydrophobic treatment agent,
Conductive particles. 前記疎水化処理剤は、シラザン系疎水化処理剤、シロキサン系疎水化処理剤、シラン系疎水化処理剤、及びチタネート系疎水化処理剤からなる群より選ばれる、請求項１に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the hydrophobizing agent is selected from the group consisting of a silazane hydrophobizing agent, a siloxane hydrophobizing agent, a silane hydrophobizing agent, and a titanate hydrophobizing agent. .. 前記疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザン、ポリジメチルシロキサン、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランからなる群より選ばれる、請求項１又は２に記載の導電粒子。 The hydrophobic treatment agent is hexamethylene Le disilazane, polydimethylsiloxane, and N, N- dimethylamino selected from the group consisting of trimethylsilane, conductive particle according to claim 1 or 2. メタノール滴定法による前記非導電性無機粒子の疎水化度は、３０％以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to any one of claims 1 to 3, wherein the degree of hydrophobicity of the non-conductive inorganic particles by a methanol titration method is 30% or more. 前記非導電性無機粒子は、静電気力によって前記樹脂粒子に接着されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to any one of claims 1 to 4, wherein the non-conductive inorganic particles are adhered to the resin particles by an electrostatic force. 前記樹脂粒子と前記非導電性無機粒子とのゼータ電位の差は、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein a difference in zeta potential between the resin particles and the non-conductive inorganic particles is 30 mV or more at pH 1 or more and pH 11 or less. 前記カチオン性ポリマーは、ポリアミン、ポリイミン、ポリアミド、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド、ポリビニルアミン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール及びポリビニルピロリドンからなる群より選ばれる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive polymer according to any one of claims 1 to 6, wherein the cationic polymer is selected from the group consisting of polyamine, polyimine, polyamide, polydiallyldimethylammonium chloride, polyvinylamine, polyvinylpyridine, polyvinylimidazole and polyvinylpyrrolidone. particle. 前記カチオン性ポリマーは、ポリエチレンイミンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the cationic polymer is polyethyleneimine. 前記非導電性無機粒子の平均粒径は、２５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the non-conductive inorganic particles have an average particle diameter of 25 nm or more and 120 nm or less. 前記樹脂粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the resin particles have an average particle diameter of 1 μm or more and 10 μm or less. 前記非導電性無機粒子は、シリカ、ジルコニア、アルミナ、及びダイヤモンドからなる群より選ばれる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の導電粒子。 The conductive particles according to any one of claims 1 to 10, wherein the non-conductive inorganic particles are selected from the group consisting of silica, zirconia, alumina, and diamond. 前記金属層は、ニッケルを含有する第１層を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の導電粒子。 The said metal layer is a conductive particle as described in any one of Claims 1-11 which has a 1st layer containing nickel. 前記金属層は、前記第１層上に設けられる第２層を有し、
前記第２層は、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる金属を含有する、請求項１２に記載の導電粒子。The metal layer has a second layer provided on the first layer,
The conductive particle according to claim 12, wherein the second layer contains a metal selected from the group consisting of a noble metal and cobalt. 第１回路電極を有する第１回路部材と、
前記第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材の間に配置され、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導電粒子を含有する接続部と、
を備え、
前記接続部は、前記第１回路電極と前記第２回路電極とが対向するように配置された状態で前記第１回路部材及び前記第２回路部材を互いに接続し、
前記第１回路電極と前記第２回路電極とは、変形した状態の前記導電粒子を介して互いに電気的に接続される、
接続構造体。A first circuit member having a first circuit electrode;
A second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode;
A connection part which is arranged between the first circuit member and the second circuit member and which contains the conductive particles according to any one of claims 1 to 13,
Equipped with
The connecting portion connects the first circuit member and the second circuit member to each other in a state in which the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other,
The first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected to each other through the conductive particles in a deformed state,
Connection structure. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導電粒子と、
当該導電粒子の前記金属層の外表面の少なくとも一部を被覆する絶縁性被覆部と、
を備える絶縁被覆導電粒子。A conductive particle according to any one of claims 1 to 13,
An insulating coating part that covers at least a part of the outer surface of the metal layer of the conductive particles,
Insulating coated conductive particles comprising. 第１回路電極を有する第１回路部材と、
前記第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材の間に配置され、請求項１５に記載の絶縁被覆導電粒子を含有する接続部と、を備え、
前記接続部は、前記第１回路電極と前記第２回路電極とが対向するように配置された状態で前記第１回路部材及び前記第２回路部材を互いに接続し、
前記第１回路電極と前記第２回路電極とは、変形した状態の前記絶縁被覆導電粒子を介して互いに電気的に接続される、
接続構造体。A first circuit member having a first circuit electrode;
A second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode;
A connecting portion that is disposed between the first circuit member and the second circuit member and that contains the insulating coated conductive particles according to claim 15.
The connecting portion connects the first circuit member and the second circuit member to each other in a state in which the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other,
The first circuit electrode and the second circuit electrode are electrically connected to each other through the insulating coated conductive particles in a deformed state,
Connection structure. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の導電粒子と、
前記導電粒子が分散された接着剤と、
を備える異方導電性接着剤。A conductive particle according to any one of claims 1 to 13,
An adhesive in which the conductive particles are dispersed,
An anisotropic conductive adhesive comprising. 請求項１５に記載の絶縁被覆導電粒子と、
前記絶縁被覆導電粒子が分散された接着剤と、
を備える異方導電性接着剤。An insulating coated conductive particle according to claim 15;
An adhesive in which the insulating coating conductive particles are dispersed,
An anisotropic conductive adhesive comprising. 前記接着剤がフィルム状である、請求項１７又は１８に記載の異方導電性接着剤。 The anisotropic conductive adhesive according to claim 17 or 18, wherein the adhesive is in the form of a film. 第１回路電極を有する第１回路部材と、
前記第１回路部材に対向し、第２回路電極を有する第２回路部材と、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材を接着する、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の異方導電性接着剤と、
を備え、
前記第１回路電極と前記第２回路電極とは、互いに対向すると共に、前記異方導電性接着剤によって互いに電気的に接続される、
接続構造体。A first circuit member having a first circuit electrode;
A second circuit member facing the first circuit member and having a second circuit electrode;
The anisotropic conductive adhesive according to any one of claims 17 to 19, which adheres the first circuit member and the second circuit member,
Equipped with
The first circuit electrode and the second circuit electrode face each other and are electrically connected to each other by the anisotropic conductive adhesive.
Connection structure. 樹脂粒子をカチオン性ポリマーにより被覆する第１被覆工程と、
非導電性無機粒子を疎水化処理剤によって被覆する第２被覆工程と、
前記樹脂粒子の表面に前記非導電性無機粒子を静電気力により接着し、複合粒子を形成する粒子形成工程と、
前記複合粒子を金属層によって被覆する第３被覆工程と、
を備える、導電粒子の製造方法。A first coating step of coating the resin particles with a cationic polymer,
A second coating step of coating the non-conductive inorganic particles with a hydrophobic treatment agent;
A particle forming step of forming composite particles by bonding the non-conductive inorganic particles to the surface of the resin particles by electrostatic force.
A third coating step of coating the composite particles with a metal layer,
A method for producing conductive particles, comprising: 前記第３被覆工程では、無電解めっきにより前記複合粒子をニッケルを含有する第１層によって被覆する、請求項２１に記載の導電粒子の製造方法。 22. The method for producing conductive particles according to claim 21, wherein in the third coating step, the composite particles are coated with a first layer containing nickel by electroless plating. 第３被覆工程では、貴金属及びコバルトからなる群より選ばれる金属を含有する第２層によって前記第１層に覆われた前記複合粒子を被覆する、請求項２２に記載の導電粒子の製造方法。 The method for producing conductive particles according to claim 22, wherein, in the third coating step, the composite particles covered with the first layer are coated with a second layer containing a metal selected from the group consisting of a noble metal and cobalt. 前記樹脂粒子と前記非導電性無機粒子とのゼータ電位の差は、ｐＨ１以上ｐＨ１１以下において３０ｍＶ以上である、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の導電粒子の製造方法。 The method for producing conductive particles according to any one of claims 21 to 23, wherein a difference in zeta potential between the resin particles and the non-conductive inorganic particles is 30 mV or more at pH 1 or more and pH 11 or less.
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