JP6733157B2 - 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ - Google Patents
有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ Download PDFInfo
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Description
で示されるヘテロアセン誘導体、ポリマーバインダーを含み、前記ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーと前記ポリマーバインダーの表面エネルギーの差が3.0〜10mN/mである有機半導体層形成用溶液、それを用いて形成した欠陥のない界面を有する有機半導体層、並びに有機薄膜トランジスタに関するものである。
(有機半導体層形成用溶液の調製)
空気下、10mlサンプル管に、シクロヘキサノン(沸点156℃)1.5g、2,7−ジ(n−ヘキシル)ジチエノベンゾジチオフェン(表面エネルギー31.5mN/m)12mg、ポリ(4−ビニルフェノール−コ−メチルメタクリレート)(表面エネルギー40.2mN/m、ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーとポリマーバインダーの表面エネルギーの差が8.7mN/m)12mgを加え、50℃に加熱して溶解させることで、有機半導体層形成用溶液の調製を行った。
(有機半導体層の作製)
空気下、直径2インチのヒ素でn型にハイドープしたシリコン基板(セミテック製、抵抗値;0.001〜0.004Ω、表面に200nmのシリコン酸化膜付き)上に、上述の方法で調製した有機半導体層形成用溶液0.5mlを滴下してスピンコート(300rpm×3秒、2000rpm×100秒)を行い、膜厚40nmの有機半導体層を作製した。
(有機薄膜トランジスタの作製)
上述の方法で作製した有機半導体層に、チャネル長20μm、チャネル幅1000μmのシャドウマスクを置き、金を真空蒸着することで電極を形成し、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した(ゲート電極はシリコン、ゲート絶縁層は酸化シリコン、ソース電極は金、ドレイン電極は金)。
(半導体・電気物性の測定)
作製した有機薄膜トランジスタの電気物性をドレイン電圧(Vd=−50V)で、ゲート電圧(Vg)を+10〜−60Vまで1V刻みで走査し、伝達特性の評価を行った。キャリア移動度は3.48cm2/V・s(p型)、電流オン・オフ比は6.0×107であった。150℃で15分間アニール処理した後の正孔のキャリア移動度は3.20cm2/V・s、電流オン・オフ比は5.5×107であり、熱処理後も優れた半導体・電気特性を有することが確認された。
(有機半導体層形成用溶液の調製)
ポリ(4−ビニルフェノール−コ−メチルメタクリレート)の代わりにポリ(4−ビニルフェノール)12mg(アルドリッチ Mw25000)と1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン12mgをテトラリンで予め混合した(表面エネルギー37mN/m、ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーとポリマーバインダーの表面エネルギーの差が5.5‐8.5mN/m)以外は実施例1と同様の方法により有機半導体層形成用溶液の調製を行った。
(有機半導体層の作製)
実施例1と同様の方法により有機半導体層を作製し、該有機半導体層が2,7−ジ(n−ヘキシル)とポリ(4−ビニルフェノール)との欠陥のない界面を形成することをESCAにて確認した。
(半導体・電気物性の測定)
実施例1と同様の方法で電気物性評価をおこなったところ、その伝達特性からキャリア移動度は2.92cm2/V・s(p型)、電流オン・オフ比は1.1×107であった。150℃で15分間アニール処理した後の正孔のキャリア移動度は2.71cm2/V・s、電流オン・オフ比は9.5×106であり、熱処理後も優れた半導体・電気特性を有することが確認された。
(有機半導体層形成用溶液の調製)
ポリ(4−ビニルフェノール−コ−メチルメタクリレート)の代わりにポリ酪酸ビニル(表面エネルギー31.1mN/m、ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーとポリマーバインダーの表面エネルギーの差が0.4mN/m)を、シクロヘキサノンの代わりにテトラリン(沸点207℃)を用いた以外は、実施例1と同様の方法により有機半導体層形成用溶液の調製をおこなった。
(有機半導体層の作製)
実施例1と同様の方法により有機半導体層を作製したが、該有機半導体層は2,7−ジ(n−ヘキシル)ジチエノベンゾジチオフェンとポリ酪酸ビニルが相溶し、欠陥のない界面を形成しなかった。
(半導体・電気物性の測定)
実施例1と同様の方法で電気物性評価をおこなったところ、その伝達特性からキャリア移動度は0.011cm2/V・s(p型)、電流オン・オフ比は1.8×105であり、ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーとポリマーバインダーとの表面エネルギー差が3.0mN/m以下であるポリマーにより形成される有機半導体層を用いたことから、半導体・電気特性に劣るものであった。
(B):ボトムゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
(C):トップゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
(D):トップゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
1:有機半導体層
2:基板
3:ゲート電極
4:ゲート絶縁層
5:ソース電極
6:ドレイン電極
Claims (4)
- 下記一般式(1)
で示されるヘテロアセン誘導体及びポリ(4−ビニルフェノール)を1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザンと混合しヒドロキシ基をトリメチルシリル基で置換したポリマーバインダーを含み、前記ヘテロアセン誘導体の表面エネルギーと前記ポリマーバインダーの表面エネルギーの差が3.0〜10mN/mである有機半導体層形成用溶液。 - T1〜T4が硫黄原子であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体層形成用溶液。
- 請求項1又は2に記載の有機半導体層形成用溶液により形成されることを特徴とする有機半導体層。
- 請求項3に記載の有機半導体層を用いて得られる有機薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015231804A JP6733157B2 (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ |
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JP2017098491A JP2017098491A (ja) | 2017-06-01 |
JP6733157B2 true JP6733157B2 (ja) | 2020-07-29 |
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ID=58804890
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6733157B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7363050B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2023-10-18 | 東ソー株式会社 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5636626B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-12-10 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法 |
KR20100031036A (ko) * | 2008-09-11 | 2010-03-19 | 포항공과대학교 산학협력단 | 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 유기 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막트랜지스터 |
KR20100070652A (ko) * | 2008-12-18 | 2010-06-28 | 포항공과대학교 산학협력단 | 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 다층 박막 제조방법 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 |
JP6252017B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-12-27 | 東ソー株式会社 | 有機半導体層形成用溶液、有機半導体層および有機薄膜トランジスタ |
JP6140626B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-05-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP6106114B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-03-29 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
TWI665244B (zh) * | 2015-02-12 | 2019-07-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 有機半導體膜形成用組成物、有機半導體膜及其製造方法、以及有機半導體元件及其製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2017098491A (ja) | 2017-06-01 |
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