JP6732313B2 - 細胞培養器具および細胞培養器具の製造方法 - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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Description
前記細胞培養基材層は、細胞が接着可能な細胞接着領域と、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域とを有し、
前記細胞接着阻害領域は、前記細胞培養基材の変性物を含む。
本実施形態は、細胞培養器具および細胞培養器具の製造方法の一例である。図1は、実施形態1の培養器具100の構成を示す模式図であり、(A)は、培養器具100の模式斜視図であり、(B)は、(A)におけるI−I方向からみた培養器具100の模式断面図であり、(C)は、培養器具100の平面図である。図1に示すように、培養器具100は、細胞培養基材層11と、容器12とを有する。細胞培養基材層11は、細胞が接着可能な細胞接着領域11aと、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域11bとを有する。細胞培養基材層11において、細胞接着領域11aは、4つの略円状の領域として形成されている。また、細胞培養基材層11において、細胞接着阻害領域11bは、細胞接着領域11a以外の領域として形成されている。容器12は、底面12aと、側壁12bとを有する。細胞培養基材層11は、底面12aの上に積層されている。
本実施形態は、細胞培養器具および細胞培養器具の製造方法の他の例である。図3は、実施形態2の培養器具200の構成を示す模式図であり、(A)は、培養器具200の模式斜視図であり、(B)は、(A)におけるII−II方向からみた培養器具200の模式断面図であり、(C)は、培養器具200の平面図である。図2に示すように、培養器具200は、実施形態1の培養器具100の構成に加えて、光熱変換層13を含む。光熱変換層13は、細胞培養基材層11と底面12aとの間に配置されている。すなわち、光熱変換層13および細胞培養基材層11は、底面12aに対してこの順番で積層されている。この点を除き、実施形態2の培養器具200の構成は、実施形態1の培養器具100の構成と同様であり、その説明を援用できる。
本実施形態は、細胞培養器具および細胞培養器具の製造方法の他の例である。図5は、実施形態3の培養器具300の構成を示す模式図であり、(A)は、培養器具300の模式斜視図であり、(B)は、(A)におけるII−II方向からみた培養器具300の模式断面図であり、(C)は、培養器具300の平面図である。図5に示すように、培養器具300は、実施形態2の培養器具200の構成において、光熱変換層13が底面12aの一部に形成されている。また、培養器具300は、細胞接着領域11aの一部が、底面12aと接触している。この点を除き、実施形態3の培養器具300の構成は、実施形態2の培養器具200の構成と同様であり、その説明を援用できる。
本実施形態は、細胞培養器具および細胞培養器具の製造方法の他の例である。図7は、実施形態4の培養器具400の構成を示す模式図であり、(A)は、培養器具400の模式斜視図であり、(B)は、(A)におけるII−II方向からみた培養器具400の模式断面図であり、(C)は、培養器具400の平面図である。図7に示すように、培養器具400は、実施形態2の培養器具200の構成において、光熱変換層13と、細胞培養基材層11との間に、遮断層14が形成されている。この点を除き、実施形態4の培養器具400の構成は、実施形態2の培養器具200の構成と同様であり、その説明を援用できる。実施形態4の培養器具400では、光熱変換層13上に、遮断層14が積層されているため、細胞培養基材層11上で培養されている細胞と光熱変換層13との間には、遮断層14が介在する。このため、実施形態4の培養器具400によれば、光熱変換層13と細胞との接触を回避可能であり、これにより、例えば、光熱変換層13の形成に用いた溶剤または光熱変換ポリマーに未結合の側鎖(例えば、前述の色素構造等)もしくは未重合のモノマーの細胞に対する影響を抑制できる。
本発明の製造方法により、本発明の細胞培養器具を製造できること、および本発明の細胞培養器具を用いて、培養後の細胞塊の形状および大きさを制御できることを確認した。
波長:405nm
レーザ出力:0.5W
レーザの走査速度:80mm/秒
スポット径:45μm
本発明の製造方法において、光照射時の光熱変換層13の温度を確認した。
波長:405nm
レーザ出力:0.3、0.4、0.5、0.6、または0.7W
レーザの走査速度:80mm/秒
スポット径:45μm
本発明の製造方法により、本発明の細胞培養器具を製造できること、および本発明の細胞培養器具を用いて、培養後の細胞塊の形状および大きさを制御できることを確認した。
波長:1450nm
レーザ出力:0.6W
レーザの走査速度:5mm/秒以下
スポット径:75μm
本発明の製造方法により、本発明の細胞培養器具を製造できること、および本発明の細胞培養器具を用いて、培養後の細胞塊の形状および大きさを制御できることを確認した。
波長:405nm
レーザ出力:0.5W
レーザの走査速度:80mm/秒
スポット径:45μm
本発明の製造方法により、本発明の細胞培養器具を製造できること、および本発明の細胞培養器具を用いて、培養後の細胞塊の形状および大きさを制御できることを確認した。
波長:405nm
レーザ出力:0.5W
レーザの走査速度:80mm/秒
スポット径:45μm
ピッチ:0.3mm
本発明の製造方法により、本発明の細胞培養器具を製造できること、および本発明の細胞培養器具を用いて、培養後の細胞塊の形状および大きさを制御できることを確認した。
波長:405nm
レーザ出力:0.3W
レーザの走査速度:10mm/秒
スポット径:45μm
ピッチ:0.03mm
上記の実施形態および実施例の一部または全部は、以下の付記のように記載されうるが、以下には限られない。
(付記1)
細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有し、
前記細胞培養基材層は、細胞が接着可能な細胞接着領域と、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域とを有し、
前記細胞接着阻害領域は、前記細胞培養基材の変性物を含む、細胞培養器具。
(付記2)
光を熱に変換可能な光熱変換層を有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置される、付記1記載の細胞培養器具。
(付記3)
前記細胞培養基材層と前記光変換層との接触を遮断する遮断層を有し、
前記遮断層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記遮断層上に配置される、付記2記載の細胞培養器具。
(付記4)
前記光熱変換層は、光を吸収する色素構造を含んだポリマーを含む、付記2または3記載の細胞培養器具。
(付記5)
前記細胞接着領域は、未変性の細胞培養基材を含む、付記1から4のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記6)
前記細胞培養基材は、細胞外基質である、付記1から5のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記7)
前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片である、付記1から6のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記8)
前記細胞培養基材は、ラミニンまたはその断片である、付記1から7いずれかに記載の細胞培養器具。
(付記9)
細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有する細胞培養器具に光を照射し、前記細胞培養基材を変性させ、細胞接着阻害領域を形成する阻害領域形成工程を含む、細胞培養器具の製造方法。
(付記10)
前記細胞培養器具は、光を熱に変換可能な光熱変換層を有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記阻害領域形成工程において、前記光熱変換層に前記光を照射する、付記9記載の製造方法。
(付記11)
前記細胞培養器具は、前記細胞培養基材層と前記光変換層との接触を遮断する遮断層を有し、
前記遮断層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記遮断層上に配置される、付記10記載の製造方法。
(付記12)
前記光熱変換層は、光を吸収する色素構造を含んだポリマーを含む、付記10または11記載の製造方法。
(付記13)
前記光は、赤外光であり、
前記阻害領域形成工程において、前記細胞培養基材層に前記赤外光を照射する、付記9から12のいずれかに記載の製造方法。
(付記14)
前記阻害領域形成工程において、前記細胞培養基材の温度が、50℃以上となるように、前記光を照射する、付記9から13のいずれかに記載の製造方法。
(付記15)
前記阻害領域形成工程前において、前記細胞培養基材は、未変性の細胞培養基材である、付記9から14のいずれかに記載の製造方法。
(付記16)
前記光は、レーザ光である、付記9から15のいずれかに記載の製造方法。
(付記17)
前記細胞培養基材は、細胞外基質である、付記9から16のいずれかに記載の製造方法。
(付記18)
前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片である、付記9から17のいずれかに記載の製造方法。
(付記19)
前記細胞培養基材は、ラミニンまたはその断片である、付記9から18いずれかに記載の製造方法。
(付記20)
細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有し、
前記細胞培養基材は、光照射により、細胞との接着性が変化する、細胞培養器具。
(付記21)
前記細胞培養基材は、光照射により生じた熱により、前記細胞との接着性を変化される、付記20記載の細胞培養器具。
(付記22)
前記細胞培養基材は、前記細胞との接着が可能であり、光照射により、前記細胞との接着が阻害される、付記20または21記載の細胞培養器具。
(付記23)
光を熱に変換可能な光熱変換層を有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置される、付記20から22のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記24)
前記光熱変換層は、光を熱に変換可能な光熱変換分子を含み、
前記光熱変換分子は、前記式(1)で表される、付記23記載の細胞培養器具。
(付記25)
前記細胞培養基材層と前記光変換層との接触を遮断する遮断層を有し、
前記遮断層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記遮断層上に配置される、付記23または24記載の細胞培養器具。
(付記26)
前記細胞培養基材は、細胞外基質である、付記20から25のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記27)
前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片である、付記20から26のいずれかに記載の細胞培養器具。
(付記28)
前記細胞培養基材は、ラミニンまたはその断片である、付記20から27いずれかに記載の細胞培養器具。
(付記29)
細胞培養器具を用いて、細胞を培養する培養工程を含み、
前記細胞培養器具は、付記1から8および20から28のいずれかに記載の細胞培養器具である、細胞の培養方法(細胞の製造方法)。
(付記30)
前記培養工程後、前記細胞を回収する回収工程を含む、付記29記載の培養方法(細胞の製造方法)。
11 細胞培養基材層
11a 細胞接着領域
11b 細胞接着阻害領域
12 容器
12a 底面
12b 側壁
13 光熱変換層
14 遮断層
15 支持体層
Claims (18)
- 平面状の底面を有する容器と、
細胞培養基材を含む細胞培養基材層と、
光を熱に変換可能な光熱変換層とを有し、
前記光熱変換層は、前記平面状の底面上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層上には、細胞が配置されておらず、
前記細胞培養基材層は、細胞が接着可能な細胞接着領域と、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域とを有し、
前記細胞接着阻害領域は、前記細胞培養基材の熱変性物を含む、細胞培養器具。 - 細胞培養基材を含む細胞培養基材層と、
光を熱に変換可能な光熱変換層とを有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層上には、細胞が配置されておらず、
前記細胞培養基材層は、細胞が接着可能な細胞接着領域と、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域とを有し、
前記細胞接着阻害領域は、前記細胞培養基材の熱変性物を含み、
前記細胞接着領域と前記細胞接着阻害領域とは、同一平面上に存在する、細胞培養器具。 - 前記細胞培養基材層と前記光熱変換層との接触を遮断する遮断層を有し、
前記遮断層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記遮断層上に配置される、請求項1または2記載の細胞培養器具。 - 前記光熱変換層は、光を吸収する色素構造を含んだポリマーを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の細胞培養器具。
- 前記細胞接着領域は、未変性の細胞培養基材を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の細胞培養器具。
- 前記細胞培養基材は、細胞外基質である、請求項1から5のいずれか一項に記載の細胞培養器具。
- 前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片である、請求項1から6のいずれか一項に記載の細胞培養器具。
- 前記細胞培養基材は、ラミニンまたはその断片である、請求項1から7のいずれか一項に記載の細胞培養器具。
- 細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有する細胞培養器具に光を照射し、前記細胞培養基材を熱変性させ、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域を形成する阻害領域形成工程を含み、
前記細胞培養器具は、平面状の底面を有する容器と、光を熱に変換可能な光熱変換層とを有し、
前記光熱変換層は、前記平面状の底面上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層上には、細胞が配置されておらず、
前記阻害領域形成工程において、前記光熱変換層に前記光を照射する、細胞培養器具の製造方法。 - 細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有する細胞培養器具に光を照射し、前記細胞培養基材を熱変性させ、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域を形成する阻害領域形成工程を含み、
前記細胞培養器具は、光を熱に変換可能な光熱変換層とを有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層上には、細胞が配置されておらず、
前記阻害領域形成工程において、前記光熱変換層に前記光を照射し
前記阻害領域形成工程後、前記細胞培養基材層は、細胞が接着可能な細胞接着領域と、前記細胞接着阻害領域とを有し、
前記細胞接着領域と、前記細胞接着阻害領域とは、同一平面上に存在する、細胞培養器具の製造方法。 - 前記細胞培養器具は、前記細胞培養基材層と前記光熱変換層との接触を遮断する遮断層を有し、
前記遮断層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層は、前記遮断層上に配置される、請求項9または10記載の製造方法。 - 前記阻害領域形成工程において、前記細胞培養基材の温度が、100℃以上となるように、前記光を照射する、請求項9から11のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記阻害領域形成工程前において、前記細胞培養基材は、未変性の細胞培養基材である、請求項9から12のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記光は、レーザ光である、請求項9から13のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記細胞培養基材は、細胞外基質である、請求項9から14のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片である、請求項9から15のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記細胞培養基材は、ラミニンまたはその断片である、請求項9から16のいずれか一項に記載の製造方法。
- 細胞培養基材を含む細胞培養基材層を有する細胞培養器具に光を照射し、前記細胞培養基材を熱変性させ、細胞の接着が阻害される細胞接着阻害領域を形成する阻害領域形成工程を含み、
前記細胞培養基材は、タンパク質またはそのペプチド断片であり、
前記細胞培養器具は、光を熱に変換可能な光熱変換層とを有し、
前記細胞培養基材層は、前記光熱変換層上に配置され、
前記細胞培養基材層上には、細胞が配置されておらず、
前記阻害領域形成工程において、前記光熱変換層に前記光の照射部の細胞培養基材の温度が、100℃以上となるように、前記光を照射する、細胞培養器具の製造方法。
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