JP6730868B2 - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
図2は、本発明の一実施形態にかかる2μm帯でレーザ発振する分布ブラッグ反射型半導体レーザ(Distributed Bragg Reflector(DBR)-LD)の断面模式図である。DBR-LD200は、半導体基板(InP基板およびn-InPクラッド層)202の上に形成された制御層(導波路)203、活性層(導波路)204および制御層(導波路)205と、該制御層203、活性層204および制御層205の上に形成されたクラッド層(p-InPクラッド層)206およびコンタクト層(不図示)と、該コンタクト層の上に形成された制御層(DBR)電極207、活性層電極(利得電極)208および制御層(DBR)電極209と、半導体基板202の裏面に該制御電極207、活性層電極208および制御電極209に対向して形成された裏面電極210とを備える。DBR-LD200の光の導波方向の端面には、無反射コート211および212が形成されている。
(第2の実施形態)
図5を参照して、本発明の他の実施形態について説明する。図5は、本実施形態にかかる2μm帯でレーザ発振する分布ブラッグ反射型半導体レーザ(Distributed Bragg Reflector(DBR)-LD)の断面模式図である。
102 半導体基板(InP基板+ n-InPクラッド層)
104 活性層
106 クラッド層(p-InPクラッド)
108 活性層電極
110 裏面電極
200,500 分布ブラッグ反射型レーザ(Distributed Bragg Reflector(DBR)-LD)
202 半導体基板(InP基板+n-InPクラッド層)
203,205 制御層
204 活性層
206 クラッド層(p-InPクラッド層)
207,209 制御層電極(DBR)電極
208 活性層電極(極利得電極)
210 裏面電極
211,212 無反射コート
302 下部閉じ込め(SCH)層
304 多重量子井戸(MQW)層
306 上部SCH層
308 コンタクト層
310 絶縁体層
402 パッシブ層
404 回折格子層
502 位相調整層
504 半導体増幅器(Semiconductor Optical Amplifier(SOA))
506 位相電極
508 SOA電極
510 抵抗
Claims (5)
- 2μm帯の分布ブラッグ反射型波長可変半導体レーザであって、
半導体基板の上に形成された、
光利得を有する活性層であり、下部障壁層、歪多重量子井戸層および上部障壁層を含み、バンドギャップ波長が1.7〜2.4μmの歪多重量子井戸構造を有する活性層と、
光の導波方向に前記活性層を挟んで配置された第1の制御層および第2の制御層であり、回折格子が構成され、制御電流の注入により屈折率が変化する第1の制御層および第2の制御層と
を備え、
前記歪多重量子井戸層が、InGaAsの歪量子井戸層およびInGaAsの障壁層、またはInAsの歪量子井戸層およびInGaAsの障壁層からなり、
前記第1の制御層および前記第2の制御層が、等価屈折率が3.23である無歪のInGaAs結晶からなり、
前記回折格子の溝周期が270〜380nmである、ことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 - 2μm帯の分布ブラッグ反射型波長可変半導体レーザであって、
半導体基板の上に形成された、
光利得を有する活性層であり、下部障壁層、歪多重量子井戸層および上部障壁層を含み、バンドギャップ波長が1.7〜2.4μmの歪多重量子井戸構造を有する活性層と、
光の導波方向に前記活性層を挟んで配置された第1の制御層および第2の制御層であり、回折格子が構成され、制御電流の注入により屈折率が変化する第1の制御層および第2の制御層と、
前記活性層と前記第1の制御層の間に配置された位相調整層であり、位相調整電流の注入により光の位相が変化する位相調整層と、
前記第2の制御層の前記光の導波方向の前記活性層の反対側の位置に配置された半導体増幅器と
を備え、
前記歪多重量子井戸層が、InGaAsの歪量子井戸層およびInGaAsの障壁層、またはInAsの歪量子井戸層およびInGaAsの障壁層からなり、
前記第1の制御層および前記第2の制御層が、等価屈折率が3.23である無歪のInGaAs結晶からなり、
前記回折格子の溝周期が270〜380nmである、ことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 - 前記第1の制御層および前記第2の制御層に注入される制御電流と比例関係にある前記位相調整電流が前記位相調整層に注入される、ことを特徴とする請求項2に記載の波長可変半導体レーザ。
- 前記光の導波方向の長さは、前記第2の制御層よりも前記第1の制御層の方が長い、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の波長可変半導体レーザ。
- 前記上部障壁層の上にクラッド層およびコンタクト層が形成されたリッジ導波路構造を有する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の波長可変半導体レーザ。
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