JP6687033B2 - Conductive substrate - Google Patents

Conductive substrate Download PDF

Info

Publication number
JP6687033B2
JP6687033B2 JP2017543247A JP2017543247A JP6687033B2 JP 6687033 B2 JP6687033 B2 JP 6687033B2 JP 2017543247 A JP2017543247 A JP 2017543247A JP 2017543247 A JP2017543247 A JP 2017543247A JP 6687033 B2 JP6687033 B2 JP 6687033B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductive substrate
copper
metal layer
blackening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017543247A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2017057262A1 (en
Inventor
智治 渡邊
智治 渡邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Publication of JPWO2017057262A1 publication Critical patent/JPWO2017057262A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6687033B2 publication Critical patent/JP6687033B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

本発明は、導電性基板に関する。   The present invention relates to a conductive substrate.

静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。   The capacitive touch panel converts information on the position of an object on the surface of the panel into an electric signal by detecting a change in electrostatic capacitance caused by the object on the surface of the panel. Since the conductive substrate used for the capacitive touch panel is installed on the surface of the display, the material of the conductive layer of the conductive substrate is required to have low reflectance and be difficult to be visually recognized.

このため、タッチパネル用導電性基板に用いられる導電層の材料としては反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明フィルム上に形成されている。   Therefore, as the material of the conductive layer used for the conductive substrate for a touch panel, a material having a low reflectance and being difficult to be visually recognized is used, and is formed on a transparent substrate or a transparent film.

例えば特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。   For example, as disclosed in Patent Document 1, a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium oxide-tin) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film has been conventionally used.

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。   By the way, in recent years, a display having a touch panel has become larger in size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is also required to have a large area. However, since ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot be applied to a large area of the conductive substrate.

そこで、導電性基板の電気抵抗を抑制するため、導電層として銅メッシュ配線を用い、銅メッシュ配線の表面を黒化処理する方法が提案されている。   Therefore, in order to suppress the electric resistance of the conductive substrate, a method has been proposed in which copper mesh wiring is used as the conductive layer and the surface of the copper mesh wiring is blackened.

例えば、特許文献２には、フィルムに支持された銅薄膜の上にレジスト層を形成する工程と、フォトリソ法により、少なくともレジスト層をストライプ状配線パターンと引き出し用配線パターンに加工する工程と、露出した銅薄膜をエッチングにより除去しストライプ状銅配線と引き出し用銅配線を形成する工程と、銅配線を黒化処理する工程と、を有するフィルム状タッチパネルセンサーの製造方法が開示されている。   For example, in Patent Document 2, a step of forming a resist layer on a copper thin film supported by a film, a step of processing at least the resist layer into a stripe-shaped wiring pattern and a wiring pattern for extraction by a photolithography method, and an exposure There is disclosed a method of manufacturing a film-shaped touch panel sensor, which includes a step of removing the copper thin film by etching to form a striped copper wiring and a copper wiring for extraction, and a step of blackening the copper wiring.

しかしながら、特許文献２ではエッチングによりストライプ状銅配線を形成した後に、銅配線を黒化処理する方法が採用されており、製造工程が増えるため生産性に問題があった。   However, in Patent Document 2, the method of blackening the copper wiring after forming the striped copper wiring by etching is adopted, and there is a problem in productivity because the number of manufacturing steps increases.

そこで、本発明の発明者らは、透明基材上に金属層及び黒化層を成膜した導電性基板について、金属層及び黒化層をエッチングし、所望の配線パターンを有する導電性基板とすることで製造工程を削減し、高い生産性を得られる導電性基板の製造方法について検討を行った。   Therefore, the inventors of the present invention, regarding a conductive substrate in which a metal layer and a blackening layer are formed on a transparent substrate, the metal layer and the blackening layer are etched to obtain a conductive substrate having a desired wiring pattern. By doing so, the manufacturing process was reduced, and a method for manufacturing a conductive substrate that can achieve high productivity was examined.

日本国特開２００３−１５１３５８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-151358 日本国特開２０１３−２０６３１５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2013-206315

しかしながら、金属層と、黒化層とで、エッチング液に対する反応性が大きく異なっている場合があった。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできない場合や、平面内で均一にエッチングされず寸法ばらつきが生じる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングできないという問題があった。   However, in some cases, the metal layer and the blackened layer have greatly different reactivities to the etching solution. Therefore, if an attempt is made to etch the metal layer and the blackened layer at the same time, one of the layers may not be etched into the desired shape, or may not be uniformly etched in the plane, resulting in dimensional variation. There is a problem that the blackened layer and the blackened layer cannot be etched at the same time.

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することを目的とする。   In view of the above problems of the conventional art, it is an object of one aspect of the present invention to provide a conductive substrate including a metal layer and a blackening layer that can be simultaneously etched.

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
前記黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、
前記銅の化合物が、銅酸化物および銅水酸化物を含み、
前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、
Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、前記銅酸化物のピーク面積が４０以上、前記銅水酸化物のピーク面積が６０以下である導電性基板を提供する。In order to solve the above problems, in one aspect of the present invention,
A transparent substrate,
A metal layer formed on at least one surface of the transparent substrate,
And a blackening layer formed on at least one surface of the transparent substrate,
The blackened layer contains a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel,
The copper compound contains copper oxide and copper hydroxide,
When the blackened layer was measured by X-ray photoelectron spectroscopy,
The peak area of the copper oxide is 40 or more when the sum of the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide, which are obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum, is 100 or more. A conductive substrate having a peak area of the copper hydroxide of 60 or less is provided.

本発明の一側面によれば、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。   According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a conductive substrate including a metal layer and a blackening layer that can be simultaneously etched.

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the electroconductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the electroconductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the electroconductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。Sectional drawing of the electroconductive substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。The top view of the conductive substrate provided with the mesh-shaped wiring which concerns on embodiment of this invention. 図３のＡ−Ａ´線における断面図。Sectional drawing in the AA 'line of FIG. 図３のＡ−Ａ´線における断面図。Sectional drawing in the AA 'line of FIG. ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。Explanatory drawing of a roll-to-roll sputtering apparatus.

以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、金属層と、黒化層とを有することができる。そして、金属層は透明基材の少なくとも一方の面上に形成することができ、黒化層についても透明基材の少なくとも一方の面上に形成することができる。また、黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物として、銅酸化物および銅水酸化物を含むことができる。An embodiment of the conductive substrate and the method of manufacturing the conductive substrate of the present invention will be described below.
(Conductive substrate)
The conductive substrate of this embodiment can have a transparent base material, a metal layer, and a blackening layer. The metal layer can be formed on at least one surface of the transparent substrate, and the blackening layer can be formed on at least one surface of the transparent substrate. Further, the blackening layer contains a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel, and may include copper oxide and copper hydroxide as the compound of copper.

そして、黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積を４０以上、銅水酸化物のピーク面積を６０以下とすることができる。Then, regarding the blackened layer, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy, the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum were determined. When the sum is 100, the peak area of copper oxide can be 40 or more and the peak area of copper hydroxide can be 60 or less.

なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングした基板、すなわち配線基板と、を含む。金属層及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。   The conductive substrate in the present embodiment means a substrate having a metal layer and a blackening layer on the surface of the transparent base material before patterning the metal layer, and a substrate having the metal layer patterned, that is, a wiring substrate. And, including. Since the conductive substrate after patterning the metal layer and the blackening layer includes the region where the transparent base material is not covered with the metal layer or the like, light can be transmitted therethrough, and the substrate is a transparent conductive substrate.

ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。   Here, first, each member included in the conductive substrate of the present embodiment will be described below.

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。   The transparent substrate is not particularly limited, and an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。   As the insulating film that transmits visible light, for example, a polyamide-based film, a polyethylene terephthalate-based film, a polyethylene naphthalate-based film, a cycloolefin-based film, a polyimide-based film, a resin film such as a polycarbonate-based film, or the like can be preferably used. . In particular, PET (polyethylene terephthalate), COP (cycloolefin polymer), PEN (polyethylene naphthalate), polyamide, polyimide, polycarbonate and the like can be more preferably used as the material of the insulating film that transmits visible light.

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。   The thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required for a conductive substrate, the capacitance, the light transmittance, and the like. The thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. Especially when it is used for a touch panel, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 120 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 100 μm or less. When it is used for a touch panel, for example, especially when it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 50 μm or less.

透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。   The total light transmittance of the transparent substrate is preferably high, and for example, the total light transmittance is preferably 30% or more, more preferably 60% or more. When the total light transmittance of the transparent substrate is within the above range, it is possible to sufficiently secure the visibility of the display when used for a touch panel application, for example.

なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。   The total light transmittance of the transparent substrate can be evaluated by the method defined in JIS K 7361-1.

次に金属層について説明する。   Next, the metal layer will be described.

金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。   The material forming the metal layer is not particularly limited, and a material having electric conductivity suitable for the application can be selected, but copper is used as the material forming the metal layer because of its excellent electrical characteristics and ease of etching treatment. It is preferable. That is, the metal layer preferably contains copper.

金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種類以上の金属との銅合金、または銅と上記金属から選ばれる１種類以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。   When the metal layer contains copper, the material forming the metal layer is, for example, Cu and at least one metal selected from Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co and W. It is preferable that it is a copper alloy or a material containing copper and one or more kinds of metals selected from the above metals. Further, the metal layer may be a copper layer made of copper.

金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、金属層は黒化層、または透明基材の上面に形成することができる。このため、金属層は、黒化層、または透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。   The method of forming the metal layer is not particularly limited, but it is preferable that the metal layer is formed without disposing an adhesive between the other member and the metal layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the metal layer is preferably formed directly on the upper surface of another member. The metal layer can be formed on the blackened layer or on the upper surface of the transparent substrate. Therefore, the metal layer is preferably formed directly on the blackened layer or the upper surface of the transparent substrate.

他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。   Since the metal layer is directly formed on the upper surface of the other member, it is preferable that the metal layer has a metal thin film layer formed by dry plating. The dry plating method is not particularly limited, but for example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like can be used. In particular, it is preferable to use the sputtering method because the control of the film thickness is easy.

また金属層をより厚くする場合には、乾式めっきにより金属薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いて金属めっき層を積層をすることができる。具体的には例えば、透明基材または黒化層上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。   When making the metal layer thicker, the metal thin film layer can be formed by dry plating and then the metal plating layer can be laminated by using the wet plating method. Specifically, for example, a metal thin film layer is formed on a transparent base material or a blackened layer by a dry plating method, the metal thin film layer is used as a power feeding layer, and a metal plating layer is formed by electrolytic plating which is a kind of wet plating method. Can be formed.

なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。   When the metal layer is formed only by the dry plating method as described above, the metal layer can be composed of a metal thin film layer. When the metal layer is formed by combining the dry plating method and the wet plating method, the metal layer can be composed of a metal thin film layer and a metal plating layer.

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成することができる。   Forming the metal layer directly on the transparent substrate or the blackened layer without an adhesive by forming the metal layer by the dry plating method alone or by combining the dry plating method and the wet plating method as described above. You can

金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。   The thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like.

ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。   However, when the metal layer is thick, side etching is likely to occur because it takes time to perform etching for forming a wiring pattern, and it may be difficult to form fine lines. Therefore, the thickness of the metal layer is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less.

また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。   Further, in particular, from the viewpoint of lowering the resistance value of the conductive substrate and allowing sufficient current supply, for example, the metal layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and more preferably 150 nm. It is more preferable that the above is satisfied.

なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。   When the metal layer has the metal thin film layer and the metal plating layer as described above, the total thickness of the metal thin film layer and the metal plating layer is preferably within the above range.

金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。   Whether the metal layer is formed of a metal thin film layer or a metal thin film layer and a metal plating layer, the thickness of the metal thin film layer is not particularly limited, but is, for example, 50 nm. It is preferable that the thickness is 500 nm or less.

次に、黒化層について説明する。   Next, the blackened layer will be described.

金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングして配線を形成するのみでは配線が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきた。しかしながら、金属層と黒化層とでエッチング液に対する反応性が大きく異なる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、金属層や、黒化層について所望の形状にエッチングできず、または寸法ばらつきが生じる等の問題があった。このため、従来検討されている導電性基板では、金属層と黒化層とを別工程でエッチングする必要があり、金属層と黒化層とを同時に、すなわち１つの工程でエッチングすることは困難であった。   Since the metal layer has a metallic luster, the wiring reflects light only by forming the wiring by etching the metal layer on the transparent base material, and the visibility of the display decreases when used as a wiring board for a touch panel, for example. There was a problem of doing. Therefore, methods of providing a blackened layer have been studied. However, the reactivity of the metal layer and the blackening layer with respect to the etching solution may be significantly different, and if the metal layer and the blackening layer are simultaneously etched, the metal layer and the blackening layer can be etched into a desired shape. However, there was a problem such as dimensional variation. Therefore, in a conductive substrate that has been conventionally studied, it is necessary to etch the metal layer and the blackening layer in separate steps, and it is difficult to etch the metal layer and the blackening layer at the same time, that is, in one step. Met.

そこで、本発明の発明者らは金属層と同時にエッチングできる黒化層、すなわちエッチング液に対する反応性に優れ、金属層と同時にエッチングを行った場合でも、所望の形状にパターニングでき、寸法ばらつきの発生を抑制できる黒化層について検討を行った。そして、黒化層が銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が銅酸化物および銅水酸化物を含むことで、黒化層のエッチング液に対する反応性を、金属層の場合とほぼ同等にできることを見出し、本発明を完成させた。   Therefore, the inventors of the present invention have a blackened layer that can be etched at the same time as the metal layer, that is, have excellent reactivity to an etching solution. A blackened layer that can suppress the phenomenon was investigated. Then, the blackened layer contains a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel, and the compound of copper contains a copper oxide and a copper hydroxide. The present invention has been completed by finding that the property can be made almost equal to that of the metal layer.

本実施形態の導電性基板の黒化層は、上述の様に黒化層が銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物として銅酸化物及び銅水酸化物を含むことができる。   In the blackened layer of the conductive substrate of the present embodiment, the blackened layer contains a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel as described above, and copper oxide and copper water are used as the compound of copper. It may include an oxide.

ここで、黒化層に含まれるニッケルの化合物は特に限定されるものではないが、例えば酸化物および／または水酸化物を挙げることができる。このため、黒化層は例えば、銅の単体、銅酸化物、および銅水酸化物を含有し、さらに、ニッケルの単体、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物から選択された１種類以上を含有することができる。   Here, the nickel compound contained in the blackening layer is not particularly limited, but examples thereof include oxides and / or hydroxides. Therefore, the blackened layer contains, for example, a simple substance of copper, a copper oxide, and a copper hydroxide, and further contains at least one selected from simple substance of nickel, nickel oxide, and nickel hydroxide. be able to.

上述の様に黒化層が銅水酸化物を含有することで、黒化層が金属層表面での光の反射を抑制できる色となり、黒化層としての機能を発揮することができる。また、特にニッケルの化合物、例えばニッケルの酸化物も含有することで金属層表面での光の反射を抑制でき、黒化層としての機能を高めることができる。   When the blackening layer contains copper hydroxide as described above, the blackening layer becomes a color capable of suppressing the reflection of light on the surface of the metal layer, and can function as a blackening layer. Further, particularly by containing a nickel compound, for example, a nickel oxide, it is possible to suppress the reflection of light on the surface of the metal layer and enhance the function as the blackening layer.

そして、さらに銅酸化物を含有することで、エッチング液に対する反応性を高め、金属層とほぼ同等のエッチング液に対する反応性を有することができる。   Further, by further containing the copper oxide, it is possible to enhance the reactivity with respect to the etching solution and to have the reactivity with the etching solution that is substantially equal to that of the metal layer.

黒化層中に含まれる各成分の割合については特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制の程度や、エッチング液に対する反応性の程度等に応じて任意に選択することができ、特に限定されるものではない。ただし、本発明の発明者らの検討によると、エッチング液に対する反応性を十分に高める観点から、例えば黒化層をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、銅酸化物について、ピークとして識別できる程度に黒化層に含まれていることが好ましい。   The ratio of each component contained in the blackening layer is not particularly limited, and may be arbitrarily set according to the degree of suppression of light reflection required for the conductive substrate, the degree of reactivity with an etching solution, and the like. It can be selected and is not particularly limited. However, according to the study of the inventors of the present invention, from the viewpoint of sufficiently enhancing the reactivity with respect to the etching solution, for example, when the blackening layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the peak of the copper oxide is Is preferably contained in the blackened layer to the extent that it can be identified as.

特に、黒化層について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積（面積比）が４０以上、銅水酸化物のピーク面積（面積比）が６０以下であることが好ましい。In particular, regarding the blackened layer, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the peak area of the copper oxide and the copper hydroxide obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum were determined. When the sum of the peak areas is 100, the peak area of copper oxide (area ratio) is preferably 40 or more, and the peak area of copper hydroxide (area ratio) is preferably 60 or less.

すなわち、ＸＰＳにより黒化層を測定した際のＣｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物及び銅水酸化物のピーク面積に関して、銅酸化物のピーク面積比が４０以上であることが好ましい。また、銅水酸化物のピーク面積比が６０以下であることが好ましい。That is, the peak area ratio of the copper oxide is 40 with respect to the peak areas of the copper oxide and the copper hydroxide, which are obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum when the blackened layer is measured by XPS. The above is preferable. The peak area ratio of copper hydroxide is preferably 60 or less.

これは、黒化層が、所定の割合で銅酸化物、および銅水酸化物を含有することで、黒化層としての光の反射を抑制する機能と、エッチング液に対する反応性とを特に高めつつ両立できるためである。   This is because the blackening layer contains copper oxide and copper hydroxide in a predetermined ratio, and thus particularly enhances the function of suppressing light reflection as the blackening layer and the reactivity with the etching solution. This is because they can be compatible with each other.

黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、上述の各成分を含有するように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、上述の各成分を含有するように黒化層の組成を比較的容易にコントロールできることから、スパッタリング法を用いることが好ましい。   The method for forming the blackening layer is not particularly limited, and any method can be selected as long as it can be formed so as to contain the above-mentioned components. However, the sputtering method is preferably used because the composition of the blackening layer can be controlled relatively easily so as to contain the above-mentioned components.

なお、黒化層は、透明基材および／または金属層等の他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成することが好ましい。そして、黒化層を乾式めっき法で成膜することで、黒化層を他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成できる。このため係る観点からも黒化層の成膜方法はスパッタリング法が好ましい。   The blackened layer is preferably formed directly on the upper surface of another member such as the transparent substrate and / or the metal layer without an adhesive. Then, by forming the blackened layer by a dry plating method, the blackened layer can be directly formed on the upper surface of another member without using an adhesive. Therefore, also from this viewpoint, the sputtering method is preferable as the method for forming the blackened layer.

スパッタリング法により、本実施形態の導電性基板の黒化層を成膜する場合、ニッケル及び銅を含有する合金のターゲットを用いることができる。なお、黒化層が、金属成分としてニッケル及び銅以外を含有しない場合には、ニッケル及び銅からなる合金のターゲットを用いることができる。   When the blackened layer of the conductive substrate of the present embodiment is formed by the sputtering method, an alloy target containing nickel and copper can be used. In addition, when the blackened layer does not contain other than nickel and copper as metal components, an alloy target made of nickel and copper can be used.

そして、チャンバー内に酸素ガス及び水蒸気を供給しながら、上述のターゲットを用いてスパッタリング法により黒化層を形成することができる。これにより、銅化合物として、チャンバー内に供給した酸素ガスとターゲット中の銅とに由来する銅酸化物、及びチャンバー内に供給した水蒸気とターゲット中の銅とに由来する銅水酸化物を含む黒化層を形成できる。   Then, while supplying oxygen gas and water vapor into the chamber, the blackening layer can be formed by the sputtering method using the above-mentioned target. Thereby, as a copper compound, a black oxide containing copper oxide derived from oxygen gas supplied to the chamber and copper in the target, and copper hydroxide derived from water vapor supplied to the chamber and copper in the target. A layer can be formed.

この際、チャンバー内に供給する酸素ガスと、水蒸気との割合を選択することにより、黒化層中に含まれる成分の比率を選択することができる。   At this time, the ratio of the components contained in the blackened layer can be selected by selecting the ratio of the oxygen gas supplied into the chamber and the water vapor.

特に、チャンバー内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。なお、不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。   In particular, it is possible to simultaneously supply an inert gas, an oxygen gas, and water vapor in the chamber to adjust the amounts of oxygen and water vapor to be supplied to the blackened layer, and to adjust the partial pressures of each. preferable. The inert gas is not particularly limited, and argon or helium can be preferably used. Also, water vapor can be supplied as a mixed gas with an inert gas.

上述のように黒化層を成膜する際に、チャンバーに供給する不活性ガス、酸素ガス、水蒸気の、各ガスの供給割合は特に限定されるものではなく、黒化層の目標組成等に応じて任意に選択することができる。   When forming the blackened layer as described above, the supply ratio of each gas of the inert gas, oxygen gas, and water vapor to be supplied to the chamber is not particularly limited, and may depend on the target composition of the blackened layer, etc. It can be selected arbitrarily.

例えば、予備試験等を行い、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた各成分のピーク面積の比が上述の好適な範囲となるように、各ガスの供給条件を選択できる。For example, when a preliminary test or the like is performed and the formed blackened layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the peak area of each component obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and Cu LMM spectrum The supply conditions of each gas can be selected so that the ratio is in the above-mentioned preferable range.

黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。   The thickness of the blackening layer is not particularly limited and can be arbitrarily selected according to the degree of suppressing the reflection of light required of the conductive substrate.

黒化層の厚さは例えば５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、金属層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを５ｎｍ以上とすることにより、金属層の表面での反射をより確実に抑制できるため好ましい。   The thickness of the blackened layer is preferably, for example, 5 nm or more, and more preferably 20 nm or more. The blackening layer has a function of suppressing reflection of light by the metal layer, but when the thickness of the blackening layer is thin, reflection of light by the metal layer may not be sufficiently suppressed. On the other hand, it is preferable to set the thickness of the blackened layer to 5 nm or more, because the reflection on the surface of the metal layer can be more reliably suppressed.

また、黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くすると、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは１００ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。   Further, the upper limit of the thickness of the blackened layer is not particularly limited, but if it is thicker than necessary, the time required for etching when forming the wiring becomes long and the cost is increased. Therefore, the thickness of the blackened layer is preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less.

次に、導電性基板の構成例について説明する。   Next, a configuration example of the conductive substrate will be described.

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と金属層と黒化層とを有することができる。この際、金属層と黒化層とについての透明基材上の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。ただし、金属層表面での光の反射を抑制するために、金属層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層を配置することが好ましい。金属層表面での光の反射を特に抑制することが要求される場合、黒化層が金属層の上面及び下面に形成された積層構造、すなわち金属層が黒化層に挟まれた構造とすることもできる。   As described above, the conductive substrate of this embodiment can have the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer. At this time, the order of laminating the metal layer and the blackening layer on the transparent substrate is not particularly limited. Also, a plurality of metal layers and a plurality of blackening layers may be formed. However, in order to suppress the reflection of light on the surface of the metal layer, it is preferable to dispose the blackening layer on the surface of the surface of the metal layer where the reflection of light is particularly desired to be suppressed. When it is required to particularly suppress the reflection of light on the surface of the metal layer, the blackened layer has a laminated structure formed on the upper surface and the lower surface of the metal layer, that is, the metal layer is sandwiched between the blackened layers. You can also

具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。   A specific configuration example will be described below with reference to FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B. FIG. 1A, FIG. 1B, FIG. 2A, and FIG. 2B show examples of cross-sectional views of the conductive substrate of the present embodiment in a plane parallel to the laminating direction of the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer.

本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。   The conductive substrate of the present embodiment may have a structure in which a metal layer and a blackening layer are laminated in this order from the transparent base material side on at least one surface of the transparent base material, for example.

具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。   Specifically, for example, like the conductive substrate 10A shown in FIG. 1A, the metal layer 12 and the blackening layer 13 may be laminated in this order on the one surface 11a side of the transparent substrate 11. it can. Further, like the conductive substrate 10B shown in FIG. 1B, the metal layers 12A and 12B and the black layer are formed on the one surface 11a side of the transparent base material 11 and the other surface (the other surface) 11b side, respectively. The chemical layers 13A and 13B can be laminated one by one in that order. The order of stacking the metal layers 12 (12A, 12B) and the blackening layer 13 (13A, 13B) is not limited to the example of FIGS. 1A and 1B, and the blackening layer 13 may be applied from the transparent substrate 11 side. It is also possible to stack (13A, 13B) and the metal layer 12 (12A, 12B) in this order.

また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面側に複数層設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から黒化層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。   Alternatively, for example, a plurality of blackening layers may be provided on one surface side of the transparent substrate 11. In this case, for example, a structure in which a blackening layer, a metal layer, and a blackening layer are formed in that order on at least one surface of the transparent base material from the transparent base material side can be adopted.

具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、金属層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。   Specifically, for example, like the conductive substrate 20A shown in FIG. 2A, the first blackening layer 131, the metal layer 12, and the second blackening layer are provided on the one surface 11a side of the transparent base material 11. 132 and 132 may be stacked in that order.

この場合も透明基材１１の両面に金属層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、金属層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。   Also in this case, the transparent substrate 11 may have a structure in which a metal layer, a first blackening layer, and a second blackening layer are laminated on both surfaces. Specifically, like the conductive substrate 20B shown in FIG. 2B, the first blackening layer is provided on one surface 11a side of the transparent base material 11 and on the other surface (the other surface) 11b side thereof. 131A and 131B, the metal layers 12A and 12B, and the second blackening layers 132A and 132B can be stacked in that order.

なお、図１Ｂ、図２Ｂで、透明基材の両面に金属層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、金属層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。   1B and 2B, when a metal layer and a blackening layer are laminated on both sides of the transparent substrate, the layers laminated above and below the transparent substrate 11 with the transparent substrate 11 as a plane of symmetry are symmetrical. Although the example in which they are arranged so as to be shown is shown, the invention is not limited to such a form. For example, in FIG. 2B, the transparent substrate 11 has one surface 11a side having a configuration in which a metal layer 12 and a blackening layer 13 are laminated in that order, as in the configuration of FIG. 1A. The layers stacked above and below may be asymmetrical.

ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に金属層と、黒化層とを設けているため、金属層表面における光の反射を抑制することができる。   Up to this point, the conductive substrate of the present embodiment has been described. However, in the conductive substrate of the present embodiment, since the metal layer and the blackening layer are provided on the transparent base material, the light on the surface of the metal layer is Can be suppressed.

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合のディスプレイでの配線視認性を抑制するためには、反射率は低い方が良い。例えば、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）の平均は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。   The degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited, for example, in order to suppress the wiring visibility in the display when used as a conductive substrate for a touch panel, reflection The lower the rate, the better. For example, the average reflectance (regular reflectance) of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is preferably 40% or less, more preferably 30% or less, and particularly preferably 20% or less.

反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように黒化層１３の表面Ａに対して光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率の平均とすることができる。   The reflectance can be measured by irradiating the blackened layer of the conductive substrate with light. Specifically, for example, when the metal layer 12 and the blackening layer 13 are sequentially stacked on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 1A, the blackening layer 13 is irradiated with light so that the blackening layer 13 is irradiated with light. Surface A can be measured by irradiating it with light. In the measurement, light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is irradiated to the blackening layer 13 of the conductive substrate as described above at intervals of 1 nm, for example, and the average value of the measured values is the average of the reflectance of the conductive substrate. Can be

本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。   As described above, the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example. In this case, the conductive substrate can be configured to have mesh-shaped wiring.

メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。   The conductive substrate provided with the mesh-shaped wiring can be obtained by etching the metal layer and the blackening layer of the conductive substrate of the present embodiment described so far.

例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層、および黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。   For example, a two-layered wiring can be used to form a mesh-shaped wiring. A specific configuration example is shown in FIG. FIG. 3 shows a view of the conductive substrate 30 provided with a mesh-shaped wiring as seen from the upper surface side in the stacking direction of the metal layer and the blackening layer.

図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。また、図中透明基材１１を介して見える配線３１Ｂも示している。   The conductive substrate 30 shown in FIG. 3 has a transparent base material 11, a plurality of wirings 31A parallel to the Y-axis direction in the figure, and wirings 31B parallel to the X-axis direction. The wirings 31A and 31B are formed by etching a metal layer, and a blackened layer (not shown) is formed on the upper surface and / or the lower surface of the wirings 31A and 31B. The blackened layer is etched into the same shape as the wirings 31A and 31B. The wiring 31B visible through the transparent base material 11 is also shown in the figure.

透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。   The arrangement of the transparent base material 11 and the wirings 31A and 31B is not particularly limited. An example of the arrangement of the transparent base material 11 and the wiring is shown in FIGS. 4A and 4B. 4A and 4B correspond to cross-sectional views taken along the line AA ′ of FIG.

まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａの上面、及び配線３１Ｂの下面には、それぞれ配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。   First, as shown in FIG. 4A, wirings 31A and 31B may be arranged on the upper and lower surfaces of the transparent base material 11, respectively. In FIG. 4A, blackened layers 32A and 32B, which are etched into the same shape as the wiring, are arranged on the upper surface of the wiring 31A and the lower surface of the wiring 31B, respectively.

また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、金属層との配置は限定されるものではない。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間にさらに黒化層を設ける等、黒化層を複数層設けることもできる。   Further, as shown in FIG. 4B, one set of transparent base materials 11 is used, wirings 31A and 31B are arranged on the upper and lower surfaces with one transparent base material 11 sandwiched, and one wiring 31B is a transparent base material. It may be arranged between 11. In this case as well, the blackened layers 32A and 32B etched in the same shape as the wirings are arranged on the upper surfaces of the wirings 31A and 31B. As described above, the arrangement of the blackened layer and the metal layer is not limited. Therefore, the arrangement of the blackening layers 32A and 32B and the wirings 31A and 31B can be reversed upside down in both cases of FIG. 4A and FIG. 4B. It is also possible to provide a plurality of blackening layers, for example, to further provide a blackening layer between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11.

ただし、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間にそれぞれ黒化層をさらに設けてもよい。   However, it is preferable that the blackening layer is arranged on the surface of the metal layer where light reflection is particularly desired to be suppressed. Therefore, in the conductive substrate shown in FIG. 4B, for example, when it is necessary to suppress reflection of light from the lower surface side in the drawing, the positions of the blackening layers 32A and 32B and the positions of the wirings 31A and 31B. It is preferable to reverse and. In addition to the blackened layers 32A and 32B, blackened layers may be further provided between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11, respectively.

図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた導電性基板から形成することができる。   The conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIGS. 3 and 4A includes, for example, metal layers 12A and 12B and blackening layers 13A and 13B on both surfaces of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 1B. It can be formed from a conductive substrate.

図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。   The case of forming the conductive substrate of FIG. 1B will be described as an example. First, the metal layer 12A and the blackening layer 13A on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 are parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B. Etching is performed so that the plurality of linear patterns are arranged at a predetermined interval along the X-axis direction. The X-axis direction in FIG. 1B means a direction parallel to the width direction of each layer. Moreover, the Y-axis direction in FIG. 1B means a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1B.

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。   The metal layer 12B and the blackening layer 13B on the other surface 11b side of the transparent substrate 11 are arranged along the Y-axis direction with a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B at predetermined intervals. Etching is performed so as to be arranged.

以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターニングされた黒化層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。   By the above operation, the conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIGS. 3 and 4A can be formed. It should be noted that both surfaces of the transparent base material 11 can be etched at the same time. That is, the metal layers 12A and 12B and the blackened layers 13A and 13B may be etched at the same time. In addition, in FIG. 4A, the conductive substrate having a blackened layer patterned in the same shape as the wirings 31A and 31B between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11 is the conductive substrate shown in FIG. 2B. It can be manufactured by similarly performing etching using.

図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。   The conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIG. 3 can also be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1A or 2A. The case where two conductive substrates shown in FIG. 1A are formed will be described as an example. For each of the two conductive substrates shown in FIG. 1A, a plurality of metal layers 12 and a blackening layer 13 are provided in parallel with the X-axis direction. Etching is performed so that the linear patterns of are arranged along the Y-axis direction at a predetermined interval. Then, the two conductive substrates are attached so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates by the above-described etching process intersect with each other so that the conductive substrates are provided with mesh-shaped wiring. be able to. The surfaces to be bonded when the two conductive substrates are bonded are not particularly limited. For example, the surface A in FIG. 1A on which the metal layer 12 or the like is laminated and the surface 11b in FIG. 1A on which the metal layer 12 or the like is not laminated may be bonded to each other so that the structure shown in FIG. 4B is obtained. it can.

なお、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。   The blackened layer is preferably disposed on the surface of the metal layer where light reflection is particularly desired to be suppressed. Therefore, in the conductive substrate shown in FIG. 4B, when it is necessary to suppress the reflection of light from the lower surface side in the drawing, the positions of the blackening layers 32A and 32B and the positions of the wirings 31A and 31B are reversed. It is preferable to arrange them in In addition to the blackened layers 32A and 32B, a blackened layer may be further provided between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11.

また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。   Alternatively, for example, the surfaces 11b in FIG. 1A on which the metal layer 12 of the transparent substrate 11 and the like are not laminated may be bonded to each other so that the cross section has the structure shown in FIG. 4A.

なお、図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。   The width of the wiring and the distance between the wirings in the conductive substrate having the mesh-shaped wiring shown in FIGS. 3, 4A, and 4B are not particularly limited. It can be selected accordingly.

また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。   Further, although FIGS. 3 and 4 show an example in which linear wirings are combined to form a mesh wiring (wiring pattern), the invention is not limited to this form, and a wiring pattern is formed. The wiring can have any shape. For example, the shapes of the wirings that form the mesh-shaped wiring pattern may be various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) do not occur with the image on the display.

このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。The conductive substrate having the mesh-shaped wiring composed of the two layers of wiring as described above can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
(Method of manufacturing conductive substrate)
Next, a configuration example of the method of manufacturing the conductive substrate of the present embodiment will be described.

本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材の少なくとも一方の面側に金属層を形成する金属層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有することができる。The manufacturing method of the conductive substrate of the present embodiment,
A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface side of the transparent substrate,
And a blackening layer forming step of forming a blackening layer on at least one surface side of the transparent substrate.

そして、黒化層形成工程においては、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が、銅酸化物、及び銅水酸化物を含む黒化層を成膜することができる。   Then, in the blackened layer forming step, a blackened layer containing a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel, and the copper compound forms a blackened layer containing copper oxide and copper hydroxide. Can be membrane.

また、黒化層形成工程では、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積が４０以上、銅水酸化物のピーク面積が６０以下となるように黒化層を成膜できる。Further, in the blackening layer forming step, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the peak area of the copper oxide and the copper hydroxide obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum were measured. The blackened layer can be formed so that the peak area of the copper oxide is 40 or more and the peak area of the copper hydroxide is 60 or less when the sum of the peak areas of the products is 100.

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、本実施形態の導電性基板の製造方法により、既述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。   The method of manufacturing the conductive substrate of the present embodiment will be described below, but the conductive substrate described above can be preferably manufactured by the method of manufacturing the conductive substrate of the present embodiment. Therefore, except for the points described below, the configuration can be the same as that of the above-described conductive substrate, and thus the description thereof will be omitted.

なお、既述のように、本実施形態の導電性基板においては、金属層と黒化層とを透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記金属層形成工程と、黒化層形成工程とを実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。   As described above, in the conductive substrate of this embodiment, the order of stacking the metal layer and the blackening layer on the transparent substrate is not particularly limited. Also, a plurality of metal layers and a plurality of blackening layers may be formed. Therefore, the order of performing the metal layer forming step and the blackening layer forming step and the number of times of performing are not particularly limited, and any number of times and timings according to the structure of the conductive substrate to be formed can be used. Can be implemented in.

以下、各工程について説明する。   Hereinafter, each step will be described.

まず、金属層形成工程について説明する。   First, the metal layer forming step will be described.

金属層形成工程においては、透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成できる。   In the metal layer forming step, the metal layer can be formed on at least one surface of the transparent substrate.

なお、金属層形成工程、または黒化層形成工程に供する透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。   The type of the transparent substrate used in the metal layer forming step or the blackening layer forming step is not particularly limited, but as described above, a resin substrate (resin film) or a glass substrate that transmits visible light. Etc. can be preferably used. The transparent substrate can be cut into any size in advance if necessary.

そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。   The metal layer preferably has a metal thin film layer as described above. Further, the metal layer may have a metal thin film layer and a metal plating layer. Therefore, the metal layer forming step can include a step of forming the metal thin film layer by, for example, a dry plating method. The metal layer forming step includes a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method, and a step of forming a metal plating layer by an electroplating method which is a kind of wet plating method using the metal thin film layer as a power feeding layer, May have.

金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。   The dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer is not particularly limited, and for example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like can be used. A vacuum vapor deposition method can be preferably used as the vapor deposition method. As the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer, it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness can be easily controlled.

金属薄膜層は例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。   The metal thin film layer can be suitably formed using, for example, a roll-to-roll sputtering device.

以下に、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に金属薄膜層を形成する工程を説明する。   The process of forming the metal thin film layer will be described below by taking the case of using a roll-to-roll sputtering device as an example.

図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。   FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-roll sputtering apparatus 50.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。   The roll-to-roll sputtering apparatus 50 includes a housing 51 that houses most of its components.

筐体５１内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、巻取ロール５５等を具備する。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロールやヒーター５６等を設けることもできる。   The case 51 is provided with an unwinding roll 52 for supplying a base material for forming a metal thin film layer, a can roll 53, sputtering cathodes 54a to 54d, a winding roll 55, and the like. In addition to the above rolls, a guide roll, a heater 56, or the like may be optionally provided on the transport path of the base material on which the metal thin film layer is formed.

キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。   Although the structure of the can roll 53 is not particularly limited, for example, the surface thereof is finished by hard chrome plating, and the refrigerant and the heating medium supplied from the outside of the casing 51 circulate inside the can roll 53 to adjust the temperature to a substantially constant temperature. It is preferably configured so that it can.

スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの金属薄膜層を成膜する基材の幅方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の幅より広いことが好ましい。   The sputtering cathodes 54a to 54d are preferably magnetron cathode type and are arranged to face the can roll 53. The size of the sputtering cathodes 54a to 54d is not particularly limited, but the widthwise dimension of the base material on which the metal thin film layer of the sputtering cathodes 54a to 54d is formed may be wider than the width of the base material on which the metal thin film layer is formed. preferable.

金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで金属薄膜層が成膜される。   The base material on which the metal thin film layer is formed is conveyed in the roll-to-roll sputtering device 50 which is a roll-to-roll vacuum film forming device, and the metal thin film is formed by the sputtering cathodes 54a to 54d facing the can roll 53. A layer is deposited.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて金属薄膜層を成膜する場合、成膜する組成に対応したターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。そして、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入することができる。気体供給手段５８の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）５８１ａ、５８１ｂ、及びバルブ５８２ａ、５８２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。スパッタリングガスを筐体５１内に供給する際、スパッタリングガスの流量及び、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。   When the metal thin film layer is formed by using the roll-to-roll sputtering device 50, targets corresponding to the composition to be formed are attached to the sputtering cathodes 54a to 54d. Then, after evacuating the inside of the apparatus in which the base material for forming the metal thin film layer is set on the unwinding roll 52 by the vacuum pumps 57a and 57b, the sputtering gas such as argon is introduced into the housing 51 by the gas supply means 58. can do. The configuration of the gas supply unit 58 is not particularly limited, but it may have a gas storage tank (not shown). Then, mass flow controllers (MFC) 581a and 581b and valves 582a and 582b are provided between the gas storage tank and the casing 51 for each gas type so that the supply amount of each gas into the casing 51 can be controlled. Can be configured to. Although FIG. 5 shows an example in which two sets of a mass flow controller and a valve are provided, the number to be installed is not particularly limited, and the number to be installed can be selected according to the number of gas species used. When the sputtering gas is supplied into the housing 51, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjusting valve 59 provided between the vacuum pump 57b and the housing 51 are adjusted to adjust the inside of the apparatus to, for example, 0. It is preferable to hold the film at 13 Pa or more and 1.3 Pa or less and perform the film formation.

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ〜１０ｍの速度で搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続的に成膜することができる。   In this state, while the substrate is being conveyed from the unwinding roll 52 at a speed of 0.5 m to 10 m per minute, for example, power is supplied from the DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to perform sputtering discharge. Thereby, a desired metal thin film layer can be continuously formed on the substrate.

なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は上述した部材以外にも任意の部材を設けることができる。例えば図５に示したように、筐体５１内の真空度を測定するための真空計６０ａ、６０ｂや、ベントバルブ６１ａ、６１ｂ等を設けることができる。   The roll-to-roll sputtering apparatus 50 may be provided with any member other than the members described above. For example, as shown in FIG. 5, vacuum gauges 60a and 60b for measuring the degree of vacuum in the housing 51, vent valves 61a and 61b, and the like can be provided.

次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。   Next, the step of forming the metal plating layer will be described. The conditions in the step of forming the metal plating layer by the wet plating method, that is, the conditions of the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to a conventional method may be adopted. For example, the metal plating layer can be formed by supplying the base material on which the metal thin film layer is formed to the plating tank containing the metal plating solution and controlling the current density and the transfer speed of the base material.

次に、黒化層形成工程について説明する。   Next, the blackened layer forming step will be described.

黒化層形成工程は既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を成膜する工程である。黒化層の成膜手段は特に限定されるものではないが、スパッタリング法を好適に用いることができる。これは、スパッタリング法によれば、比較的容易に銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が、銅酸化物、及び銅水酸化物である層を形成できるためである。   As described above, the blackened layer forming step is a step of forming a blackened layer on at least one surface side of the transparent substrate. The means for forming the blackening layer is not particularly limited, but the sputtering method can be preferably used. According to the sputtering method, it is relatively easy to form a layer containing a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel, and the compound of copper being copper oxide and copper hydroxide. This is because it can be formed.

スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いることができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。   When the blackened layer is formed by the sputtering method, for example, the roll-to-roll sputtering device 50 described above can be used. The configuration of the roll-to-roll sputtering device has already been described, and thus the description thereof is omitted here.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合、例えばニッケル及び銅を含有する合金のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。そして、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気する。   When the blackening layer is formed by using the roll-to-roll sputtering device 50, for example, an alloy target containing nickel and copper is attached to the sputtering cathodes 54a to 54d. Then, the inside of the apparatus in which the substrate for forming the blackening layer is set on the unwinding roll 52 is evacuated by the vacuum pumps 57a and 57b.

その後、酸素ガスと、水蒸気とを含むスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。   After that, a sputtering gas containing oxygen gas and water vapor is introduced into the housing 51 by the gas supply means 58. At this time, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjusting valve 59 provided between the vacuum pump 57b and the housing 51 are adjusted to maintain the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferred to carry out a membrane.

なお、筐体５１内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。従って、スパッタリングガスは不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを含有することが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。   In order to easily adjust the amounts of oxygen and water vapor supplied to the blackening layer, an inert gas, an oxygen gas, and water vapor are simultaneously supplied into the housing 51, and the partial pressures of the respective gases are adjusted. It is preferable. Therefore, the sputtering gas preferably contains an inert gas, an oxygen gas, and water vapor. The inert gas is not particularly limited, and argon or helium can be preferably used. Also, water vapor can be supplied as a mixed gas with an inert gas.

スパッタリングガス中の酸素ガス及び水蒸気の比率は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成等に応じて選択することができる。   The ratio of oxygen gas and water vapor in the sputtering gas is not particularly limited and can be selected according to the composition of the blackened layer to be formed and the like.

例えば、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積が４０以上、銅水酸化物のピーク面積が６０以下であることが好ましい。このため、成膜した黒化層についてのＸ線光電子分光法の測定結果が上記結果となるように各ガスの供給量を調整をすることが好ましい。For example, when the formed blackened layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the peak area of the copper oxide and the copper hydroxide obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum are measured. It is preferable that the peak area of the copper oxide is 40 or more and the peak area of the copper hydroxide is 60 or less when the sum of the peak areas of the products is 100. Therefore, it is preferable to adjust the supply amount of each gas so that the measurement result of the formed blackened layer by the X-ray photoelectron spectroscopy has the above result.

また、黒化層を成膜する際、導電性基板の幅方向全体に渡って、黒化層中の銅酸化物、および銅水酸化物が例えば上述の所望の範囲となるように、ガスの供給配管の配置を調整しておくことが好ましい。   When forming the blackening layer, the copper oxide and the copper hydroxide in the blackening layer are, for example, in the desired range described above over the entire width direction of the conductive substrate. It is preferable to adjust the arrangement of the supply pipe.

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ〜１０ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。   In this state, while carrying the substrate from the unwinding roll 52 at a speed of 0.5 m to 10 m per minute, for example, power is supplied from the DC power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to perform sputtering discharge. . Thereby, a desired blackened layer can be continuously formed on the substrate.

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、金属層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。   Then, the conductive substrate obtained by the method for manufacturing a conductive substrate described here can be a conductive substrate having mesh-shaped wiring. In this case, in addition to the steps described above, it is possible to further include an etching step of forming a wiring by etching the metal layer and the blackened layer.

係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１Ａに示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法等、従来の技術と同様の方法により形成することができる。   In the etching process, for example, first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the conductive substrate. In the case of the conductive substrate shown in FIG. 1A, a resist can be formed on the exposed surface A of the blackening layer 13 arranged on the conductive substrate. The method of forming the resist having the opening corresponding to the portion to be removed by etching is not particularly limited, but it can be formed by a method similar to the conventional technique such as photolithography.

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、金属層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。   Then, the metal layer 12 and the blackening layer 13 can be etched by supplying an etching solution from the upper surface of the resist.

なお、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを同時にエッチングしてもよい。   In addition, when a metal layer and a blackening layer are arranged on both surfaces of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 1B, a resist having openings of a predetermined shape is formed on the surfaces A and B of the conductive substrate, The metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B formed on both sides of the transparent substrate 11 may be simultaneously etched.

また、透明基材１１の両側に形成された金属層１２Ａ、１２Ｂ及び黒化層１３Ａ、１３Ｂについて、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。   Further, the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B formed on both sides of the transparent substrate 11 may be subjected to etching treatment on each side. That is, for example, the metal layer 12B and the blackening layer 13B can be etched after the metal layer 12A and the blackening layer 13A are etched.

本実施形態の導電性基板に形成する黒化層は金属層と同様のエッチング液への反応性を示すため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に金属層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と塩酸との混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と塩酸との含有量は特に限定されるものではないが、例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。   Since the blackening layer formed on the conductive substrate of the present embodiment exhibits the same reactivity to the etching solution as the metal layer, the etching solution used in the etching step is not particularly limited, and generally the metal layer An etching solution used for etching can be preferably used. As the etching liquid, for example, a mixed aqueous solution of ferric chloride and hydrochloric acid can be more preferably used. The contents of ferric chloride and hydrochloric acid in the etching solution are not particularly limited, but for example, it is preferable that ferric chloride is contained in a proportion of 5% by weight or more and 50% by weight or less, and 10% by weight is preferable. More preferably, the content is 30% by weight or less. The etching solution preferably contains hydrochloric acid in a proportion of 1% by weight or more and 50% by weight or less, more preferably 1% by weight or more and 20% by weight or less. The balance can be water.

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもできる。例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。   The etching solution can be used at room temperature, but can also be used by heating to enhance the reactivity. For example, it can be used after being heated to 40 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。   Since the specific form of the mesh-shaped wiring obtained by the above-described etching process is as described above, the description thereof is omitted here.

また、既述のように、図１Ａ、図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に金属層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。   Further, as described above, two conductive substrates having a metal layer and a blackening layer are attached to one surface side of the transparent substrate 11 shown in FIGS. 1A and 2A to provide a mesh-like wiring. In the case of using a conductive substrate, a step of attaching the conductive substrates can be further provided. At this time, the method of bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and they can be bonded using, for example, an adhesive.

以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、黒化層についてもエッチング液に対する反応性が優れており、金属層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことができる。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合に、金属層及び黒化層を所望の形状にパターニングし、寸法ばらつきの発生を抑制できる。従って、金属層及び黒化層を同時にエッチングすることができる。   The conductive substrate and the method of manufacturing the conductive substrate according to this embodiment have been described above. According to such a conductive substrate, the blackened layer also has excellent reactivity with the etching liquid, and the metal layer and the blackened layer can exhibit substantially the same reactivity with the etching liquid. Therefore, when the metal layer and the blackening layer are simultaneously etched, the metal layer and the blackening layer can be patterned into a desired shape, and the occurrence of dimensional variation can be suppressed. Therefore, the metal layer and the blackening layer can be simultaneously etched.

また、黒化層は金属層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、配線表面での光の反射を抑制し、ディスプレイの視認性を高めることができる。   Further, the blackening layer can suppress the reflection of light by the metal layer, and when it is used as a conductive substrate for a touch panel, for example, it can suppress the reflection of light on the wiring surface and improve the visibility of the display. it can.

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
実施例、比較例において作製した試料について以下の方法により評価を行った。
（１）Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定
測定は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ社製、形式：ＱｕａｎｔａＳＸＭ）により行った。なお、Ｘ線源には単色化Ａｌ（１４８６．６ｅＶ）を使用した。Specific examples and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
(Evaluation methods)
The samples prepared in Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.
(1) Measurement by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) The measurement was performed by an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by PHI, model: QuantaSXM). Monochromatic Al (1486.6 eV) was used as the X-ray source.

後述のように、以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製した。そこで、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａをＡｒイオンエッチングし、最表面から１０ｎｍ内部のＣｕ ２Ｐ３／２スペクトル、及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを測定した。得られたスペクトルから銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合の、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積を算出した。すなわち、銅酸化物、及び銅水酸化物についての、銅酸化物のピーク面積比、及び銅水酸化物のピーク面積比を算出した。
（２）反射率測定
測定は、分光光度計（島津製作所製、形式：ＵＶ−２６００）により、入射角５°の正反射法にて波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光の平均反射率を求めた。具体的には、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の光について、１ｎｍ間隔で波長を変化させて照射することで、各波長における正反射率を測定し、その平均を波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均とした。なお、表１では単に反射率として記載している。As described below, in each of the following examples and comparative examples, a conductive substrate having the structure of FIG. 2A was manufactured. Therefore, the surface 132a exposed to the outside of the second blackened layer 132 in FIG. 2A was subjected to Ar ion etching, and the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum within 10 nm from the outermost surface were measured. The peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide were calculated from the obtained spectrum when the sum of the peak areas of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide was 100. That is, the peak area ratio of copper oxide and the peak area ratio of copper hydroxide for copper oxide and copper hydroxide were calculated.
(2) Reflectance measurement The measurement is carried out by a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2600) by the specular reflection method with an incident angle of 5 ° to obtain the average reflectance of light in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. It was Specifically, for light in the wavelength range of 400 nm to 700 nm, the specular reflectance at each wavelength is measured by irradiating the light with the wavelength changed at 1 nm intervals, and the average of the specular reflectance is reflected for light having a wavelength of 400 nm to 700 nm. The average of the rates. In Table 1, the reflectance is simply described.

以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製している。このため、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａの反射率を測定した。
（３）エッチング試験
エッチング試験では塩化第二鉄を１０重量％、塩酸を１重量％、残部は水からなるエッチング液を用いた。In each of the following examples and comparative examples, a conductive substrate having the structure of FIG. 2A is manufactured. Therefore, the reflectance of the surface 132a exposed to the outside of the second blackening layer 132 in FIG. 2A was measured.
(3) Etching test In the etching test, an etching solution containing 10% by weight of ferric chloride, 1% by weight of hydrochloric acid and the balance of water was used.

各実施例、比較例で作製した導電性基板を、レジスト等は形成せずに、温度２５℃のエッチング液中に６０ｓｅｃ浸漬した後、エッチング液から取り出した。そしてその後、水洗により導電性基板に付着したエッチング液を十分に洗い流した。   The conductive substrate produced in each of the examples and comparative examples was immersed in an etching solution at a temperature of 25 ° C. for 60 seconds without forming a resist or the like, and then taken out of the etching solution. Then, after that, the etching liquid adhering to the conductive substrate was sufficiently washed off by washing with water.

エッチング液に浸漬、水洗した後の導電性基板を目視により観察し、透明基材上に残った金属層および黒化層の有無を観察した。   The conductive substrate after being immersed in the etching solution and washed with water was visually observed to observe the presence or absence of the metal layer and the blackened layer remaining on the transparent substrate.

金属層および黒化層が残存しない場合、すなわち残渣が確認できない場合には、同時にエッチングできる金属層、および黒化層を備えた導電性基板であることを示している。これに対して金属層と、黒化層との少なくとも一方が残存している場合、すなわち残渣が確認できた場合には、成膜した金属層および黒化層を同時にエッチングできないことを示している。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図２Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。
（黒化層形成工程）
まず、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの長尺状のポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の巻出ロール５２にセットした。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。When the metal layer and the blackening layer do not remain, that is, when the residue cannot be confirmed, it indicates that the conductive substrate is provided with the metal layer and the blackening layer that can be simultaneously etched. On the other hand, when at least one of the metal layer and the blackened layer remains, that is, when the residue can be confirmed, it indicates that the deposited metal layer and the blackened layer cannot be simultaneously etched. .
(Sample preparation conditions)
As examples and comparative examples, conductive substrates were prepared under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method.
[Example 1]
A conductive substrate having the structure shown in FIG. 2A was produced.
(Blackening layer forming step)
First, a long transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 μm was set on the unwinding roll 52 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG. The total light transmittance of the transparent base material made of polyethylene terephthalate resin used as the transparent base material was 97% when evaluated by the method specified in JIS K7361-1.

また、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに、ニッケル６５ｗｔ％と、銅３５ｗｔ％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットをセットした。   A nickel-copper alloy target containing 65 wt% nickel and 35 wt% copper was set on the sputtering cathodes 54a to 54d.

次にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５６を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。   Next, the heater 56 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 was heated to 100 ° C. to heat the transparent base material to remove water contained in the base material.

続いて筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入した。なお、水蒸気は室温において飽和水分を含有するアルゴンガスとして導入している。アルゴンガス、酸素ガス、水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）は表１に示す供給量となるように筐体５１内に供給し、筐体５１内の圧力が２Ｐａになるように調整した。Then, after exhausting the inside of the housing 51 to 1 × 10 −4 Pa, argon gas, oxygen gas, and water vapor were introduced into the housing 51. Water vapor is introduced as argon gas containing saturated water at room temperature. Argon gas, oxygen gas, and argon gas containing water (argon / water mixed gas) are supplied into the housing 51 so that the supply amounts shown in Table 1 are obtained, and the pressure inside the housing 51 is set to 2 Pa. It was adjusted.

そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の黒化層１３１を厚さが２０ｎｍとなるように形成した。   Then, while the transparent base material is being conveyed from the unwinding roll 52 at a speed of 2 m / min, electric power is supplied from a sputtering DC power source connected to the sputtering cathodes 54a to 54d to carry out sputtering discharge, and the transparent base material is transferred onto the transparent base material. A blackened layer was continuously formed. By such an operation, the first blackened layer 131 was formed on the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.

なお、第１の黒化層を成膜する際、上述の様にニッケル−銅合金のターゲットを用い、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入してスパッタリングを行った。このため、第１の黒化層は銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有することとなる。
（金属層形成工程）
続いて、第１の黒化層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄにセットしたターゲットを銅のターゲットに変更した。そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内にアルゴンガスのみを導入し、圧力が０．３Ｐａになるように調整した点以外は第１の黒化層の場合と同様にして第１の黒化層の上面に金属薄膜層として銅薄膜層を厚さが８０ｎｍとなるように形成した。When forming the first blackening layer, a nickel-copper alloy target was used as described above, and argon gas, oxygen gas, and water vapor were introduced into the housing 51, and sputtering was performed. Therefore, the first blackened layer contains a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel.
(Metal layer forming step)
Subsequently, the transparent base material on which the first blackened layer was formed was set on the unwinding roll 52, and the targets set on the sputtering cathodes 54a to 54d were changed to copper targets. Then, after exhausting the inside of the casing 51 of the roll-to-roll sputtering device 50 to 1 × 10 −4 Pa, only argon gas was introduced into the casing 51, and the pressure was adjusted to 0.3 Pa. A copper thin film layer was formed as a metal thin film layer on the upper surface of the first blackened layer so as to have a thickness of 80 nm in the same manner as the first blackened layer except for the above points.

銅薄膜層を形成後、さらに電解めっき法により厚さが０．５μｍの銅めっき層を成膜した。なお、銅めっき層を成膜する際には銅薄膜層を給電層として用いた。
（黒化層形成工程）
続いて、第１の黒化層、及び金属層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、第１の黒化層１３１と同条件で金属層１２の上面に第２の黒化層１３２を形成した。After forming the copper thin film layer, a copper plating layer having a thickness of 0.5 μm was further formed by an electrolytic plating method. When forming the copper plating layer, the copper thin film layer was used as the power feeding layer.
(Blackening layer forming step)
Then, the transparent base material on which the first blackening layer and the metal layer are formed is set on the unwinding roll 52, and the second black film is formed on the upper surface of the metal layer 12 under the same conditions as the first blackening layer 131. The conversion layer 132 was formed.

作製した導電性基板の試料について、上述のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定、反射率測定、およびエッチング試験の評価を実施した。結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例４］
第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガス、および水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）の流量を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。The above-mentioned sample of the conductive substrate was evaluated by the above-mentioned measurement by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), reflectance measurement, and etching test. The results are shown in Table 1.
[Examples 2 to 4]
When forming the first blackened layer and the second blackened layer, the flow rates of the argon gas, the oxygen gas, and the argon gas containing water (argon / moisture mixed gas) supplied to the inside of the housing 51 are changed. A conductive substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the values shown in Table 1 were used.

結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガス、および水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）の流量を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。The results are shown in Table 1.
[Comparative Example 1 and Comparative Example 2]
When forming the first blackened layer and the second blackened layer, the flow rates of the argon gas, the oxygen gas, and the argon gas containing water (argon / moisture mixed gas) supplied to the inside of the housing 51 are changed. A conductive substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the values shown in Table 1 were used.

結果を表１に示す。   The results are shown in Table 1.

Figure 0006687033
表１に示した結果によると、実施例１〜実施例４の試料において、黒化層をＸＰＳにより評価を行ったところ、銅単体、および銅酸化物、銅水酸化物のピークが確認され、各成分を含有することが確認できた。
Figure 0006687033
 According to the results shown in Table 1, in the samples of Examples 1 to 4, when the blackened layer was evaluated by XPS, the peaks of copper simple substance, copper oxide, and copper hydroxide were confirmed, It was confirmed that each component was contained.

また、実施例１〜実施例４の試料においては、黒化層についてＸＰＳにより測定した結果から求めた、銅酸化物のピーク面積比が４０以上、銅水酸化物のピーク面積比が６０以下の範囲にあることが確認できた。   Further, in the samples of Examples 1 to 4, the peak area ratio of the copper oxide is 40 or more and the peak area ratio of the copper hydroxide is 60 or less, which are obtained from the results of measurement of the blackened layer by XPS. It was confirmed that it was within the range.

そして、エッチング試験の結果いずれも残渣がないことを確認できた。   As a result of the etching test, it was confirmed that there was no residue.

また、実施例１〜実施例４は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０．０％以下となっており、黒化層は金属層表面での光の反射を十分に抑制できていることを確認できた。   Further, in Examples 1 to 4, the average reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 40.0% or less, and the blackening layer sufficiently suppresses the reflection of light on the surface of the metal layer. I was able to confirm that it was done.

これに対して、比較例１、２の試料においては、黒化層をＸＰＳにより評価を行ったところ、銅単体、および銅酸化物、銅水酸化物のピークが確認され、各成分を含有することが確認できた。   On the other hand, in the samples of Comparative Examples 1 and 2, when the blackened layer was evaluated by XPS, peaks of copper simple substance, copper oxide, and copper hydroxide were confirmed, and each component was contained. I was able to confirm that.

しかしながら、黒化層について、ＸＰＳにより測定した結果から求めた、銅酸化物のピーク面積比が３９、３０といずれも４０未満であり、銅水酸化物のピーク面積比が６１、７０と６０を超えることが確認できた。   However, regarding the blackened layer, the peak area ratios of the copper oxides were 39 and 30 which were less than 40, and the peak area ratios of the copper hydroxide were 61, 70 and 60, which were determined from the results of measurement by XPS. It was confirmed to exceed.

そして、エッチング試験を実施した際にＰＥＴフィルム上には黒化層の残渣が認められた。すなわち、比較例１、２の導電性基板で形成した黒化層はエッチング液に対する反応性が低く、黒化層と金属層とを同時にエッチングできないことが確認できた。   Then, when the etching test was carried out, the residue of the blackened layer was recognized on the PET film. That is, it was confirmed that the blackened layer formed of the conductive substrates of Comparative Examples 1 and 2 had low reactivity with the etching solution, and the blackened layer and the metal layer could not be simultaneously etched.

以上のように、黒化層が銅の単体、銅酸化物、及び銅水酸化物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、ＸＰＳでの測定結果から算出した、銅酸化物、銅水酸化物のピーク面積比が所定の範囲の場合、エッチング液に対して良好な反応性を示すことを確認できた。すなわち、黒化層と金属層とを同時にエッチングできることを確認できた。   As described above, the blackened layer contains the simple substance of copper, the copper oxide, and the copper hydroxide, and the simple substance of nickel and / or the compound, and is calculated from the measurement result by XPS. It was confirmed that when the peak area ratio of the hydroxide was within the predetermined range, it showed good reactivity with the etching solution. That is, it was confirmed that the blackened layer and the metal layer can be simultaneously etched.

以上に導電性基板を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。   Although the conductive substrate has been described in the above embodiments and examples, the present invention is not limited to the above embodiments and examples. Various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

本出願は、２０１５年９月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−１９５１９９号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−１９５１９９号の全内容を本国際出願に援用する。   This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2015-195199 filed with the Japan Patent Office on September 30, 2015, and the entire content of Japanese Patent Application No. 2015-195199 is applied to the present international application. Incorporate.

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線10A, 10B, 20A, 20B, 30 Conductive substrate 11 Transparent base materials 12, 12A, 12B Metal layers 13, 13A, 13B, 131, 132, 131A, 131B, 132A, 132B, 32A, 32B Blackening layers 31A, 31B wiring

Claims (7)

透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
前記黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、
前記銅の化合物が、銅酸化物および銅水酸化物を含み、
前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、
Ｃｕ ２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、前記銅酸化物のピーク面積が４０以上、前記銅水酸化物のピーク面積が６０以下である導電性基板。A transparent substrate,
A metal layer formed on at least one surface of the transparent substrate,
And a blackening layer formed on at least one surface of the transparent substrate,
The blackened layer contains a simple substance and compound of copper and a simple substance and / or compound of nickel,
The copper compound contains copper oxide and copper hydroxide,
When the blackened layer was measured by X-ray photoelectron spectroscopy,
The peak area of the copper oxide is 40 or more when the sum of the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide, which are obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum, is 100 or more. A conductive substrate having a peak area of the copper hydroxide of 60 or less. 前記金属層は銅を含有する請求項１に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1, wherein the metal layer contains copper. 前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１または２に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein the metal layer and the blackening layer are formed in this order on at least one surface of the transparent substrate from the transparent substrate side. 前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記黒化層と、前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１または２に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1, wherein the blackening layer, the metal layer, and the blackening layer are formed in this order on at least one surface of the transparent base material from the transparent base material side. . 前記黒化層の厚さが１００ｎｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1, wherein the blackened layer has a thickness of 100 nm or less. 波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1, wherein an average reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 40% or less. メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性基板。   The conductive substrate according to claim 1, further comprising a mesh-shaped wiring.
JP2017543247A 2015-09-30 2016-09-26 Conductive substrate Active JP6687033B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015195199 2015-09-30
JP2015195199 2015-09-30
PCT/JP2016/078245 WO2017057262A1 (en) 2015-09-30 2016-09-26 Conductive substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017057262A1 JPWO2017057262A1 (en) 2018-08-16
JP6687033B2 true JP6687033B2 (en) 2020-04-22

Family

ID=58427471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017543247A Active JP6687033B2 (en) 2015-09-30 2016-09-26 Conductive substrate

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6687033B2 (en)
KR (1) KR102533946B1 (en)
CN (1) CN108027688B (en)
TW (1) TWI730988B (en)
WO (1) WO2017057262A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193940A1 (en) * 2017-04-17 2018-10-25 住友金属鉱山株式会社 Conductive substrate
JP7323293B2 (en) * 2019-02-12 2023-08-08 日東電工株式会社 Conductive film and touch panel
CN112735634B (en) * 2021-01-11 2023-03-14 江苏软讯科技有限公司 Conductive film with metal grid and production process thereof

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367428A (en) * 2001-06-04 2002-12-20 Asahi Glass Co Ltd Application liquid for forming colored transparent conductive film, base body with the colored transparent conductive film, method of manufacture and display device
JP4086132B2 (en) 2001-11-16 2008-05-14 株式会社ブリヂストン Transparent conductive film and touch panel
US8513878B2 (en) * 2006-09-28 2013-08-20 Fujifilm Corporation Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode
KR101142842B1 (en) * 2007-12-14 2012-05-08 울박, 인크 Touch panel and method for manufacturing touch panel
JP5739742B2 (en) * 2010-11-04 2015-06-24 日東電工株式会社 Transparent conductive film and touch panel
JP5914036B2 (en) * 2011-04-20 2016-05-11 日東電工株式会社 Method for producing conductive laminated film
JP6099875B2 (en) * 2011-11-22 2017-03-22 東レ株式会社 Manufacturing method of laminate
CN103987688B (en) * 2011-12-09 2017-05-24 株式会社日本触媒 Compound, metal oxide particles, and method for producing same and use of same
JP5781428B2 (en) * 2011-12-20 2015-09-24 日東電工株式会社 Conductive film and conductive film roll
JP5531029B2 (en) * 2012-01-05 2014-06-25 日東電工株式会社 Conductive film and conductive film roll
JP5826656B2 (en) * 2012-02-06 2015-12-02 日東電工株式会社 Method for producing conductive film roll
JP2013206315A (en) 2012-03-29 2013-10-07 Toppan Printing Co Ltd Film-shaped touch panel sensor and method for manufacturing the same
CN104380150B (en) * 2012-07-04 2016-08-24 日本曹达株式会社 Functional antireflective layered material
JP2014073642A (en) * 2012-10-05 2014-04-24 Nippon Electric Glass Co Ltd Transparent conductive glass substrate, and touch panel
WO2015064664A1 (en) * 2013-10-31 2015-05-07 住友金属鉱山株式会社 Electrically conductive substrate and method for manufacturing electrically conductive substrate
JP6107637B2 (en) * 2013-12-16 2017-04-05 住友金属鉱山株式会社 Method for manufacturing conductive substrate
JP2015164030A (en) * 2014-01-31 2015-09-10 住友金属鉱山株式会社 Conductive substrate, conductive substrate laminate, method for producing conductive substrate, and method for producing conductive substrate laminate
JP6201804B2 (en) * 2014-02-17 2017-09-27 住友金属鉱山株式会社 Thin line pattern forming method and conductive substrate manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN108027688B (en) 2021-04-13
TWI730988B (en) 2021-06-21
KR102533946B1 (en) 2023-05-17
TW201726381A (en) 2017-08-01
CN108027688A (en) 2018-05-11
KR20180061171A (en) 2018-06-07
JPWO2017057262A1 (en) 2018-08-16
WO2017057262A1 (en) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102390079B1 (en) conductive substrate
TWI671663B (en) Conductive substrate for touch panel and method for producing conductive substrate for touch panel
JP6687033B2 (en) Conductive substrate
TWI712506B (en) Laminate substrate, method of manufacturing laminate substrate, conductive substrate, and method of manufacturing conductive substrate
JP6823363B2 (en) Conductive substrate, manufacturing method of conductive substrate
TWI655570B (en) Conductive substrate, laminated conductive substrate, method for producing conductive substrate, and method for producing laminated conductive substrate
KR102537748B1 (en) conductive substrate
TWI686292B (en) Laminate substrate, conductive substrate, method for manufacturing laminate substrate, method for manufacturing conductive substrate
JP6455366B2 (en) LAMINATED BOARD, CONDUCTIVE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATED SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE SUBSTRATE
JP6417964B2 (en) LAMINATED BOARD, WIRING BOARD AND METHOD FOR PRODUCING THEM
JP6107637B2 (en) Method for manufacturing conductive substrate
TWI713591B (en) Laminate substrate, conductive substrate, manufacturing method of multilayer substrate, manufacturing method of conductive substrate
TWI740970B (en) Laminated body substrate, conductive substrate, manufacturing method of laminated body substrate, and conductive substrate manufacturing method
JP6729007B2 (en) Laminated substrate, conductive substrate, laminated substrate manufacturing method, and conductive substrate manufacturing method
JP6932908B2 (en) Laminated board, conductive board, method of manufacturing laminated board, method of manufacturing conductive board
JP6447185B2 (en) Method for manufacturing conductive substrate, method for manufacturing laminated conductive substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6687033

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150