JP6723269B2 - 焦点感応オーバーレイターゲットを使用する焦点決定のためのシステムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 87
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 38
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims 5
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 16
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-{[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethyl](methyl)amino}-2-(propan-2-yl)pentanenitrile Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1CCN(C)CCCC(C#N)(C(C)C)C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
OL1(X,Y)=(X01,Y01)+OL(X,Y)+(b・FX,c・FY)
として記載されてもよく、式中X01およびY01は非対称セグメント(たとえば散乱バーなど)の存在により第1の印刷要素と関連付けられるオフセットを表し、OLは真のオーバーレイ誤差であり、FXおよびFYはXおよびY方向に測定される焦点位置誤差(たとえば公称焦点位置からの試料焦点位置の偏差)に対応し、ならびにbおよびcは(たとえば試料の焦点位置の偏差の関数として測定オーバーレイの感応性に対応する、などの)倍率を表す。
OL2(X,Y)=(X02,Y02)+OL(X,Y)+(−b・FX−c・FY)
として記載されてもよく、式中X02およびY02は非対称セグメント(たとえば散乱バーなど)の存在により第2の印刷要素と関連付けられるオフセットを表す。
OL1−OL2=(X01−X02,Y01−Y02)+(2b・FX,2c・FY)。
Claims (30)
- 少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素を備え、特定の非対称セグメント化パターン要素が、少なくとも2つのセグメントを含み、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の画像が非セグメント化パターン画像であるように、試料上に前記特定の非対称セグメント化パターン要素の前記画像を生成するための一組の投影光学系の分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の場所を示し、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、非セグメント化フィーチャを構成し、前記非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントが、非セグメント化画像を介して試料上に生成された前記非セグメント化フィーチャの1以上の次元に寄与し、前記非セグメント化フィーチャは、1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットの部分を含み、前記1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットは、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントから生成され、前記少なくとも2つのセグメントは、1以上の非対称散乱バーと1以上のオーバーレイターゲットパターンを含む、
リソグラフィマスク。 - 請求項1に記載のリソグラフィマスクであって、
前記非対称セグメント化パターン要素とは異なる少なくとも1つの追加のパターン要素をさらに備えることを特徴とするリソグラフィマスク。 - 請求項2に記載のリソグラフィマスクであって、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記少なくとも1つの追加のパターン要素の画像の位置が、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所に対して一定であることを特徴とするリソグラフィマスク。
- 請求項3に記載のリソグラフィマスクであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、
非セグメント化パターン要素または対称セグメント化パターン要素の少なくとも1つから成ることを特徴とするリソグラフィマスク。 - 請求項2に記載のリソグラフィマスクであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、追加の非対称セグメント化パターン要素であり、特定の追加のパターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記特定の追加のパターン要素の画像が追加の非セグメント化パターン画像であるように、前記一組の投影光学系の前記分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記追加の非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の前記場所を示し、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った試料の偏差が、第1の方向に沿った前記非セグメント化パターン画像の前記位置の偏差および前記第1の方向と反対の第2の方向に沿った前記追加の非セグメント化パターン画像の偏差を生成することを特徴とするリソグラフィマスク。
- 請求項2に記載のリソグラフィマスクであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上のセグメント化パターン要素を含み、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上の追加のパターン要素を含むことを特徴とするリソグラフィマスク。
- 請求項1に記載のリソグラフィマスクであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、実質的に不透明材料から成ることを特徴とするリソグラフィマスク。
- 請求項7に記載のリソグラフィマスクであって、前記実質的に不透明材料が、金属を含むことを特徴とするリソグラフィマスク。
- 請求項1に記載のリソグラフィマスクであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、バイナリパターン要素から成ることを特徴とするリソグラフィマスク。
- リソグラフィマスクを固定するように構成されるマスク支持装置であって、前記リソグラフィマスクが、少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素を含み、特定の非対称セグメント化パターン要素が、少なくとも2つのセグメントを含む、マスク支持装置と、
前記リソグラフィマスクに照明を向けるように構成される照明源と、
試料上に前記特定の非対称セグメント化パターン要素の画像を生成するように構成される一組の投影光学系であって、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の前記画像が非セグメント化パターン画像であるように、前記一組の投影光学系の分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の場所を示す、一組の投影光学系とを備え、
前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、非セグメント化フィーチャを構成し、前記非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントが、非セグメント化画像を介して試料上に生成された前記非セグメント化フィーチャの1以上の次元に寄与し、前記非セグメント化フィーチャは、1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットの部分を含み、前記1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットは、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントから生成され、前記少なくとも2つのセグメントは、1以上の非対称散乱バーと1以上のオーバーレイターゲットパターンを含む、
リソグラフィシステム。 - 請求項10に記載のリソグラフィシステムであって、前記リソグラフィマスクが、
前記非対称セグメント化パターン要素とは異なる少なくとも1つの追加のパターン要素をさらに備えることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 請求項11に記載のリソグラフィシステムであって、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記少なくとも1つの追加のパターン要素の画像の位置が、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所に対して一定であることを特徴とするリソグラフィシステム。
- 請求項12に記載のリソグラフィシステムであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、
非セグメント化パターン要素または対称セグメント化パターン要素の少なくとも1つから成ることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 請求項11に記載のリソグラフィシステムであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、追加の非対称セグメント化パターン要素であり、特定の追加のパターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記特定の追加のパターン要素の画像が追加の非セグメント化パターン画像であるように、前記一組の投影光学系の前記分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記追加の非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の前記場所を示し、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った試料の偏差が、第1の方向に沿った前記非セグメント化パターン画像の前記位置の偏差および前記第1の方向と反対の第2の方向に沿った前記追加の非セグメント化パターン画像の偏差を生成することを特徴とするリソグラフィシステム。
- 請求項11に記載のリソグラフィシステムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上のセグメント化パターン要素を含み、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上の追加のパターン要素を含むことを特徴とするリソグラフィシステム。
- 請求項10に記載のリソグラフィシステムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、実質的に不透明材料から成ることを特徴とするリソグラフィシステム。
- 請求項16に記載のリソグラフィシステムであって、前記実質的に不透明材料が、金属を含むことを特徴とするリソグラフィシステム。
- 請求項10に記載のリソグラフィシステムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、バイナリパターン要素から成ることを特徴とするリソグラフィシステム。
- 計測ターゲットを載置した前記基板を支持するように構成される試料台であって、前記計測ターゲットが、リソグラフィマスクの画像と関連付けられ、前記リソグラフィマスクが、少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素を含み、特定の非対称セグメント化パターン要素が、少なくとも2つのセグメントを含み、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の画像が非セグメント化パターン画像であるように、試料上に前記特定の非対称セグメント化パターン要素の前記画像を生成するための一組の投影光学系の分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の場所を示す、試料台であり、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、非セグメント化フィーチャを構成し、前記非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントが、非セグメント化画像を介して試料上に生成された前記非セグメント化フィーチャの1以上の次元に寄与し、前記非セグメント化フィーチャは、1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットの部分を含み、前記1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットは、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントから生成され、前記少なくとも2つのセグメントは、1以上の非対称散乱バーと1以上のオーバーレイターゲットパターンを含む、試料台と、
前記計測ターゲットを照明するように構成される少なくとも1つの照明源と、
前記計測ターゲットからの照明を受光するように構成される少なくとも1つの検出器と、
前記検出器に通信可能に結合され、かつ前記非セグメント化パターン画像の前記位置に基づいて前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所を決定するように構成される少なくとも1つのコントローラとを備えることを特徴とする、計測システム。 - 請求項19に記載の計測システムであって、前記計測ターゲットからの前記照明が、反射照明、散乱照明、または発光照明の少なくとも1つを含むことを特徴とする計測システム。
- 請求項19に記載の計測システムであって、前記リソグラフィマスクが、
前記非対称セグメント化パターン要素とは異なる少なくとも1つの追加のパターン要素をさらに備えることを特徴とする計測システム。 - 請求項21に記載の計測システムであって、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記少なくとも1つの追加のパターン要素の画像の位置が、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所に対して一定であることを特徴とする計測システム。
- 請求項22に記載の計測システムであって、前記計測ターゲットが、第1の層及び第2の層を有する格子上格子計測ターゲットであり、前記非セグメント化パターン画像が、前記格子上格子計測ターゲットの前記第1の層と関連付けられ、前記少なくとも1つの追加のパターン要素の前記画像が、前記格子上格子計測ターゲットの前記第2の層と関連付けられ、前記コントローラは、前記非セグメント化パターン画像の前記位置に基づいて前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所を決定することを特徴とする計測システム。
- 請求項22に記載の計測システムであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、
非セグメント化パターン要素または対称セグメント化パターン要素の少なくとも1つから成ることを特徴とする計測システム。 - 請求項21に記載の計測システムであって、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、追加の非対称セグメント化パターン要素であり、特定の追加のパターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記一組の投影光学系によって生成される前記試料上の前記特定の追加のパターン要素の画像が追加の非セグメント化パターン画像であるように、前記一組の投影光学系の前記分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記追加の非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の前記場所を示し、前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った試料の偏差が、第1の方向に沿った前記非セグメント化パターン画像の前記位置の偏差および前記第1の方向と反対の第2の方向に沿った前記追加の非セグメント化パターン画像の偏差を生成することを特徴とする計測システム。
- 請求項21に記載の計測システムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上のセグメント化パターン要素を含み、前記少なくとも1つの追加のパターン要素が、複数のセル構造にわたって分布される2つ以上の追加のパターン要素を含むことを特徴とする計測システム。
- 請求項19に記載の計測システムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、実質的に不透明材料から成ることを特徴とする計測システム。
- 請求項27に記載の計測システムであって、前記実質的に不透明材料が、金属を含むことを特徴とする計測システム。
- 請求項19に記載の計測システムであって、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、バイナリパターン要素から成ることを特徴とする計測システム。
- リソグラフィシステムの光軸に沿った試料の位置を決定するための方法であって、
一組の投影光学系でリソグラフィマスクの画像を生成することであり、前記リソグラフィマスクが、少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素を含み、特定の非対称セグメント化パターン要素が、少なくとも2つのセグメントを含み、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の連続するセグメント間の分離距離が、前記特定の非対称セグメント化パターン要素の画像が非セグメント化パターン画像であるように、試料上に前記特定の非対称セグメント化パターン要素の前記画像を生成するための一組の投影光学系の分解能より小さいように構成可能であり、前記試料上の前記非セグメント化パターン画像の位置が、前記一組の投影光学系の光軸に沿った前記試料の場所を示すことであり、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素が、非セグメント化フィーチャを構成し、前記非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントが、非セグメント化画像を介して試料上に生成された前記非セグメント化フィーチャの1以上の次元に寄与し、前記非セグメント化フィーチャは、1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットの部分を含み、前記1以上の焦点感応オーバーレイ計測ターゲットは、前記少なくとも1つの非対称セグメント化パターン要素の前記少なくとも2つのセグメントから生成され、前記少なくとも2つのセグメントは、1以上の非対称散乱バーと1以上のオーバーレイターゲットパターンを含む、ことと、
計測ツールを使用して前記特定の非対称セグメント化パターン要素と関連付けられる前記非セグメント化パターン画像の前記位置を測定することと、
前記非セグメント化パターン画像の前記測定位置に基づいて前記一組の投影光学系の前記光軸に沿った前記試料の前記場所を決定することを含む、方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562162573P | 2015-05-15 | 2015-05-15 | |
US62/162,573 | 2015-05-15 | ||
US15/154,051 | 2016-05-13 | ||
PCT/US2016/032533 WO2016187062A1 (en) | 2015-05-15 | 2016-05-13 | System and method for focus determination using focus-sensitive overlay targets |
US15/154,051 US10401740B2 (en) | 2015-05-15 | 2016-05-13 | System and method for focus determination using focus-sensitive overlay targets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018517932A JP2018517932A (ja) | 2018-07-05 |
JP6723269B2 true JP6723269B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=57276026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017559548A Active JP6723269B2 (ja) | 2015-05-15 | 2016-05-13 | 焦点感応オーバーレイターゲットを使用する焦点決定のためのシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10401740B2 (ja) |
JP (1) | JP6723269B2 (ja) |
KR (1) | KR102323388B1 (ja) |
CN (1) | CN107949807B (ja) |
WO (1) | WO2016187062A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6421237B2 (ja) | 2014-08-29 | 2018-11-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法、ターゲット、及び基板 |
US10754260B2 (en) * | 2015-06-18 | 2020-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for process control with flexible sampling |
KR102424805B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2022-07-22 | 케이엘에이 코포레이션 | 핫 스폿 및 프로세스 창 모니터링 |
US10018919B2 (en) * | 2016-05-29 | 2018-07-10 | Kla-Tencor Corporation | System and method for fabricating metrology targets oriented with an angle rotated with respect to device features |
US10209627B2 (en) * | 2017-01-06 | 2019-02-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for focus-sensitive metrology targets |
KR102524291B1 (ko) | 2017-01-25 | 2023-04-24 | 현대자동차주식회사 | 자동차의 에어백 점화 제어 시스템 및 이를 이용한 에어백 점화 제어 방법 |
EP3422102A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
WO2019015995A1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | Asml Netherlands B.V. | METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
US10817999B2 (en) * | 2017-07-18 | 2020-10-27 | Kla Corporation | Image-based overlay metrology and monitoring using through-focus imaging |
US10499876B2 (en) * | 2017-07-31 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Test key design to enable X-ray scatterometry measurement |
CN108965735B (zh) * | 2018-09-27 | 2023-11-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 对焦补偿的方法及其设备 |
US10962892B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography process monitoring method |
DE102019100154B4 (de) | 2018-09-28 | 2020-11-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Verfahren zum Durchführen eines Lithografieprozesses und Lithographieprozess-Überwachungsverfahren |
US10990022B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-04-27 | Kla Corporation | Field-to-field corrections using overlay targets |
US11460783B2 (en) * | 2021-01-07 | 2022-10-04 | Kla Corporation | System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target |
US12044982B2 (en) * | 2021-12-02 | 2024-07-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for diffraction base overlay measurements |
CN115236955B (zh) * | 2022-09-23 | 2023-06-13 | 武汉光谷量子技术有限公司 | 一种获得对称图形的光刻方法 |
US20240167813A1 (en) * | 2022-11-23 | 2024-05-23 | Kla Corporation | System and method for suppression of tool induced shift in scanning overlay metrology |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5300786A (en) * | 1992-10-28 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process |
US5608526A (en) | 1995-01-19 | 1997-03-04 | Tencor Instruments | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
US5859424A (en) | 1997-04-08 | 1999-01-12 | Kla-Tencor Corporation | Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US6602728B1 (en) * | 2001-01-05 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Method for generating a proximity model based on proximity rules |
US6433878B1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-13 | Timbre Technology, Inc. | Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry |
US7382447B2 (en) | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
US6884552B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof |
US6673638B1 (en) | 2001-11-14 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features |
WO2003046020A1 (fr) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Bridgestone Corporation | Polymere dienique conjugue, procede de fabrication et compositions elastomeres contenant ce polymere |
US7352453B2 (en) | 2003-01-17 | 2008-04-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals |
JP4015087B2 (ja) | 2003-08-27 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | レチクル、及び露光方法 |
US7478019B2 (en) | 2005-01-26 | 2009-01-13 | Kla-Tencor Corporation | Multiple tool and structure analysis |
DE102005046973B4 (de) * | 2005-09-30 | 2014-01-30 | Globalfoundries Inc. | Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers |
US20070141477A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-21 | Chin-Lung Lin | Optical proximity correction method, optical proximity correction mask and conductive line structure |
US7408642B1 (en) * | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
US7916284B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
US7545520B2 (en) * | 2006-11-15 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for CD determination using an alignment sensor of a lithographic apparatus |
US7648805B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Masks and methods of manufacture thereof |
US20090135390A1 (en) * | 2007-11-26 | 2009-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithographic alignment marks |
JP5412528B2 (ja) * | 2008-12-30 | 2014-02-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法、検査システム、基板、およびマスク |
NL2004656A (en) | 2009-05-12 | 2010-11-15 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2006451A (en) * | 2010-05-06 | 2011-11-08 | Asml Netherlands Bv | Production of an alignment mark. |
US8871409B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-10-28 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Lithographic targets for uniformity control |
US8631361B2 (en) * | 2012-05-29 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit design method with dynamic target point |
US9466100B2 (en) * | 2012-06-06 | 2016-10-11 | Kla-Tencor Corporation | Focus monitoring method using asymmetry embedded imaging target |
NL2010905A (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Asml Netherlands Bv | Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
US8751976B2 (en) * | 2012-06-27 | 2014-06-10 | Cheng-Lung Tsai | Pattern recognition for integrated circuit design |
US9454072B2 (en) * | 2012-11-09 | 2016-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change |
US9213233B2 (en) * | 2013-07-12 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photolithography scattering bar structure and method |
KR20170015984A (ko) * | 2014-06-30 | 2017-02-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 선량 결정 방법, 검사 장치, 패터닝 디바이스, 기판, 및 디바이스 제조 방법 |
US10228320B1 (en) * | 2014-08-08 | 2019-03-12 | KLA—Tencor Corporation | Achieving a small pattern placement error in metrology targets |
CN108369387B (zh) * | 2015-12-17 | 2020-11-03 | Asml荷兰有限公司 | 使用非对称亚分辨率特征改善测量的光刻过程的光学量测术 |
US10018919B2 (en) * | 2016-05-29 | 2018-07-10 | Kla-Tencor Corporation | System and method for fabricating metrology targets oriented with an angle rotated with respect to device features |
US10095122B1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-10-09 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for fabricating metrology targets with sub-resolution features |
-
2016
- 2016-05-13 US US15/154,051 patent/US10401740B2/en active Active
- 2016-05-13 JP JP2017559548A patent/JP6723269B2/ja active Active
- 2016-05-13 CN CN201680026716.6A patent/CN107949807B/zh active Active
- 2016-05-13 WO PCT/US2016/032533 patent/WO2016187062A1/en active Application Filing
- 2016-05-13 KR KR1020177036248A patent/KR102323388B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160334716A1 (en) | 2016-11-17 |
CN107949807A (zh) | 2018-04-20 |
KR102323388B1 (ko) | 2021-11-05 |
KR20180008704A (ko) | 2018-01-24 |
JP2018517932A (ja) | 2018-07-05 |
WO2016187062A1 (en) | 2016-11-24 |
US10401740B2 (en) | 2019-09-03 |
CN107949807B (zh) | 2022-06-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |