JP6421237B2 - メトロロジー方法、ターゲット、及び基板 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2014年8月29日出願の欧州出願第14182962.2号、2014年12月11日出願の米国出願第62/090,801号、及び2015年6月02日出願の米国出願第62/170,008号の優先権を主張し、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。
A=K1・sin(OV)
上式で、OVは、周期構造のピッチPが角度2πラジアンに対応するようなスケールで表される。異なる既知のバイアスを伴う周期構造と共に2つの測定を使用して、未知のK1及びオーバーレイOVを計算するために2つの式を解くことができる。
1.暗視野像において、各周期構造の周辺で大きなエッジ効果が観察される可能性がある。これは、以下の効果のうちの1つ以上を有する可能性がある。
・利用可能な関心領域(ROI)のサイズが(周期構造エッジを除外するための像のクロッピングに起因して)減少し、これによって計算される信号の再現性が乏しくなる。
・エッジ効果による放出からの光学的クロストークによる信号の汚染に起因して、計算される周期構造信号の精度(平均強度)が低下する可能性がある。
・基板全体に公表されるエッジ効果に伴う画像の変動及び経時的なプロセス変化に起因して、パターン認識障害のインスタンスが増加する可能性がある。
・ROI位置決めエラーに対する計算される信号の感度が上昇する可能性があり、例えば、大きなエッジ強度が誤って信号推定に含められる可能性がある。
・フルスケールの(全ダイナミックグレーレベルレンジの)検出器の使用が減少する可能性があり、これが低グレーレベルでの組織的非線形センサに対する再現性及び感度の低下の問題につながる。
2.周期構造を備える全領域は、ターゲット領域内で最大ではない。したがって、最大光子カウントに達していない(例えば、再現性に関して最適化されていない)。
1.全利用可能ターゲット域を考慮したターゲットレイアウトの構成(例えば、最適化)。
2.改良されたメトロロジープロセス応答(すなわち、リソグラフィプロセスを使用してターゲットをプリントするための、改良されたか又は最適化された機能についての構成の追加又は代替としての構成)のためのターゲットレイアウトを構成(例えば、最適化)するために、光近接効果補正(OPC)と同様の方法を使用する、計算機リソグラフィモデル化。結果として生じるターゲットは、メトロロジープロセス応答の改良又は最適化を支援するために、1つ以上の測定ツール駆動型光近接効果補正(MT−OPC)アシストフィーチャを使用することができる。実施形態において、MT−OPCアシストフィーチャのピッチ及び/又は寸法は、メトロロジー装置の下位分解能である。
1.設計制約に関した周期構造の構成(例えば、最適化)。こうした設計制約は、特定の製品設計、例えばフィーチャ幅、サブセグメント化、「ラインオンライン」、又は「ラインオントレンチ」などが与えられた、アプリケーションに依存する。
2.1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャを使用するいくつかのケースにおける、改良されたか又は最適なメトロロジープロセス検出のための全ターゲットレイアウトの構成。サブセグメント化及び/又は他の設計制約は、適用可能であれば、MT−OPCアシストフィーチャに適用可能である。
3.ステップ1及びステップ2で考案された所望のターゲットレイアウトが適切にプリントできることを保証するのを助けるために、ターゲットレイアウト全体に対して、1つ以上のリソグラフィOPCサイクルを実行すること。
−周期構造の中心強度と同次の大きさを有する、周期構造のエッジ強度。
−測定装置のオーバーレイ、デフォーカス、及び/又は収差の存在下での、エッジ効果の最低変動。実施形態では、測定レシピ(例えば、波長、フォーカスなど)に関するロバストネス。
−関連する波長範囲(例えば空間≧λ/2、λは測定放射波長を表す)について、改良されたか又は最適なターゲットパターン認識のための周期構造間の十分な間隔。例えば、強度しきい値を超える隣接する周期構造フィーチャ間のセンサピクセルのうちの少なくとも1ライン。
−最大周期構造域。
理想的には、最終ターゲット配置を考案する際にこれらの基準間で釣り合いを取る。
ステップT1−1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャに、「下位分解能」ピッチ及び/又は寸法を、例えば境界近く及び/又は設計ターゲット領域内部に、提供する。これにより、「利用可能/空き」設計ターゲット領域を画定する。例えば、暗視野像内で環境からターゲットを効率的に隔離するために、1つ以上のアシストフィーチャの特徴(例えば、フィーチャ幅、形状…)を選択することができる。
ステップT2−ターゲット境界に配置された1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャに基づいて、第1の周期構造の周期構造フィーチャ(拡張動作範囲メトロロジーターゲットの1つ以上のサブターゲットのフィーチャを備える)を、境界からターゲット領域の内部に向かう方向に連続して配置する。例えば、最後に配置されたフィーチャの一部が周期構造方向に利用可能ターゲット域の中間地点にわたって配置されるまで、フィーチャを配置する。
ステップT3−隣接する周期構造フィーチャのサイズ及びピッチに基づいた形を有し、「下位分解能」ピッチ及び/又は寸法をさらに有する、1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャを(必要な場合)追加する。
ステップT4−後者の1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャに基づき、適用可能な場合、次の周期構造のフィーチャ長さを残りの利用可能ターゲット領域に適合させる。
ステップT5−残りの周期構造に対して、ステップT2〜T4を反復する。
ステップT6−任意選択で、ターゲット領域の中央部分を1つ以上のMT−OPCアシストフィーチャで埋める。
1. リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットの周期構造を備える、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
2. 前記第1のサブターゲットは第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第5の周期構造は前記基板上の前記第6の周期構造とは異なる層にある、第1項に記載の方法。
3. 前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造のペアのフィーチャは、同じ方向に延在する、第1項又は第2項に記載の方法。
4. 前記第1及び第2の基板は各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備える、第1項又は第2項に記載の方法。
5. 前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第5の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第6の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第2項に記載の方法。
6. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々、周期構造のペアを備える、第1項から第5項のいずれかに記載の方法。
7. 前記第3のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、第6項に記載の方法。
8. 前記第3及び第4のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備える、第6項又は第7項に記載の方法。
9. 前記第3及び第4のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第9の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第10の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第7項に記載の方法。
10. 前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第1項から第9項のいずれかに記載の方法。
11. 前記照明することは、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第1項から第10項のいずれかに記載の方法。
12. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の1000μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第1項から第11項のいずれかに記載の方法。
13. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第1項から第11項のいずれかに記載の方法。
14. 前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第1項から第13項のいずれかに記載の方法。
15. 前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第1項から第14項のいずれかに記載の方法。
16. 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える、回折測定ターゲットであって、前記第1及び第2のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットの周期構造を備える、回折測定ターゲット。
17. 基板上の場合、前記第1のサブターゲットは第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第5の周期構造は前記第6の周期構造とは異なる層にある、第16項に記載のターゲット。
18. 前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造のペアのフィーチャは、同じ方向に延在する、第16項又は第17項に記載のターゲット。
19. 前記第1及び第2の基板は各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備える、第16項又は第17項に記載のターゲット。
20. 前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第5の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第6の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第17項に記載のターゲット。
21. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々、周期構造のペアを備える、第16項から第20項のいずれかに記載のターゲット。
22. 基板上の場合、前記第3のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記第10の周期構造とは異なる層にある、第21項に記載のターゲット。
23. 前記第3及び第4のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備える、第21項又は第22項に記載のターゲット。
24. 前記第3及び第4のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第9の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第10の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第22項に記載のターゲット。
25. 基板上の場合、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の1000μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第16項から第24項のいずれかに記載のターゲット。
26. 基板上の場合、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第16項から第24項のいずれかに記載のターゲット。
27. リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは第1の層内に少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1のサブターゲットは第1の周期構造を備え、前記第2のサブターゲットは第2の周期構造を備え、第3の周期構造は前記第1の層の下の第2の異なる層内の前記第1の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、前記第2の層内の前記第2の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第4の周期構造は前記第2の層の下の第3の異なる層内の前記第2の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第1から第4の周期構造によって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
28. 前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、第27項に記載の方法。
29. 前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットを備える、第28項に記載の方法。
30. 前記第1及び第2のサブターゲットは各々、前記第1及び第2の周期構造の前記フィーチャがそれぞれ延在する、第1の方向とは異なる第2の方向に延在するフィーチャを有するさらなる周期構造を備える、第27項から第29項のいずれかに記載の方法。
31. 前記第2の周期構造は、前記第1の周期構造のフィーチャが延在する第1の方向とは異なる第2の方向に延在するフィーチャを有する、第27項から第29項のいずれかに記載の方法。
32. 前記第3の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第4の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第30項又は第31項に記載の方法。
33. 前記第1及び第2のサブターゲットの、及び前記第3及び第4の周期構造の、各々の前記周期構造のフィーチャは、同じ方向に延在する、第27項から第29項のいずれかに記載の方法。
34. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第27項から第33項のいずれかに記載の方法。
35. 前記第3のサブターゲットは前記基板上の第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは前記基板上の第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第5の周期構造は前記第6の周期構造とは異なる層にある、第34項に記載の方法。
36. 前記第3のサブターゲットは第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第4のサブターゲットは第2の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備える、第34項又は第35項に記載の方法。
37. 前記第3のサブターゲットは第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第4のサブターゲットは第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第5の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第6の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第35項に記載の方法。
38. 前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第27項から第37項のいずれかに記載の方法。
39. 前記照明することは、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第27項から第38項のいずれかに記載の方法。
40. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の1000μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第27項から第39項のいずれかに記載の方法。
41. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第27項から第39項のいずれかに記載の方法。
42. 前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第27項から第41項のいずれかに記載の方法。
43. 前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第27項から第42項のいずれかに記載の方法。
44. 基板上の場合、第1の層内にある、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットであって、前記第1のサブターゲットは第1の周期構造を備え、前記第2のサブターゲットは第2の周期構造を備える、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットと、前記基板上の場合、前記第1の層の下の第2の異なる層内の前記第1の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された、第3の周期構造であって、前記第2の層内の前記第2の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在しない、第3の周期構造と、前記基板上の場合、前記第2の層の下の第3の異なる層内の前記第2の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された、第4の周期構造と、
を備える、回折測定ターゲット。
45. 前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、第44項に記載のターゲット。
46. 前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットを備える、第45項に記載のターゲット。
47. 前記第1及び第2のサブターゲットは各々、前記第1及び第2の周期構造の前記フィーチャがそれぞれ延在する、第1の方向とは異なる第2の方向に延在するフィーチャを有するさらなる周期構造を備える、第44項から第46項のいずれかに記載のターゲット。
48. 前記第2の周期構造は、前記第1の周期構造のフィーチャが延在する第1の方向とは異なる第2の方向に延在するフィーチャを有する、第44項から第47項のいずれかに記載のターゲット。
49. 前記第3の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第4の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第47項又は第48項に記載のターゲット。
50. 前記第1及び第2のサブターゲットの、及び前記第3及び第4の周期構造の、各々の前記周期構造のフィーチャは、同じ方向に延在する、第44項から第46項のいずれかに記載のターゲット。
51. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第46項から第50項のいずれかに記載のターゲット。
52. 基板上の場合、前記第3のサブターゲットは前記基板上の第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは前記基板上の第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第5の周期構造は前記第6の周期構造とは異なる層にある、第51項に記載のターゲット。
53. 前記第3のサブターゲットは第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第4のサブターゲットは第2の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備える、第51項又は第52項に記載のターゲット。
54. 前記第3のサブターゲットは第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第4のサブターゲットは第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第5の周期構造は前記第1の方向に延在するフィーチャを有し、前記第6の周期構造は前記第2の方向に延在するフィーチャを有する、第52項に記載のターゲット。
55. 前記基板上の場合、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の1000μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第44項から第54項のいずれかに記載のターゲット。
56. 前記基板上の場合、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より少ないか又は等しい連続領域内にある、第44項から第55項のいずれかに記載のターゲット。
57. リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
58. 前記第1のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第1の周期及び第1のフィーチャ又は空間幅を有し、前記第2のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第2の周期及び第2のフィーチャ又は空間幅を有し、前記異なる設計は、前記第2の周期、前記第2のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第1の周期、前記第1のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、第57項に記載の方法。
59. 前記第1のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、第57項又は第58項に記載の方法。
60. 前記第9の周期構造のフィーチャは前記第1の方向に延在し、前記第10の周期構造のフィーチャは前記第2の方向に延在する、第59項に記載の方法。
61. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第60項に記載の方法。
62. 前記第3のサブターゲットは第13の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第14の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第13の周期構造は前記基板上の前記第14の周期構造とは異なる層にあり、第13及び第14の周期構造は、前記第9及び第10の周期構造とは異なる層にある、第61項に記載の方法。
63. 前記測定ターゲットは400μm2の領域内にフィットする、第57項から第62項のいずれかに記載の方法。
64. 前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第57項から第63項のいずれかに記載の方法。
65. 前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第57項から第64項のいずれかに記載の方法。
66. 前記照明することは、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第57項から第65項のいずれかに記載の方法。
67. 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、回折測定ターゲット。
68. 基板上の場合、前記第1のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、第67項に記載のターゲット。
69. 前記第9の周期構造のフィーチャは前記第1の方向に延在し、前記第10の周期構造のフィーチャは前記第2の方向に延在する、第68項に記載のターゲット。
70. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第69項に記載のターゲット。
72. 基板上の場合、前記第3のサブターゲットは第13の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第14の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第13の周期構造は前記基板上の前記第14の周期構造とは異なる層にあり、第13及び第14の周期構造は、前記第9及び第10の周期構造とは異なる層にある、第70項に記載のターゲット。
73. 基板上の場合、前記測定ターゲットは400μm2の領域内にフィットする、第67項から第72項のいずれかに記載のターゲット。
74. 前記第1のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第1の周期及び第1のフィーチャ又は空間幅を有し、前記第2のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第2の周期及び第2のフィーチャ又は空間幅を有し、前記異なる設計は、前記第2の周期、前記第2のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第1の周期、前記第1のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、第67項から第73項のいずれかに記載のターゲット。
75. 前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第67項から第74項のいずれかに記載のターゲット。
76. リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は前記基板上の1000μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
77. 前記第1のサブターゲットは前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、第76項に記載の方法。
78. 前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットを備える、第77項に記載の方法。
79. 前記第1のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、第76項から第78項のいずれかに記載の方法。
80. 前記第9の周期構造のフィーチャは前記第1の方向に延在し、前記第10の周期構造のフィーチャは前記第2の方向に延在する、第79項に記載の方法。
81. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第80項に記載の方法。
82. 前記第3のサブターゲットは第13の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第14の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第13の周期構造は前記基板上の前記第14の周期構造とは異なる層にあり、第13及び第14の周期構造は、前記第9及び第10の周期構造とは異なる層にある、第81項に記載の方法。
83. 前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第76項から第82項のいずれかに記載の方法。
84. 前記照明することは、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第76項から第83項のいずれかに記載の方法。
85. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、第76項から第84項のいずれかに記載の方法。
86. 前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第76項から第85項のいずれかに記載の方法。
87. 前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第76項から第86項のいずれかに記載の方法。
88. 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備え、前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は基板上の1000μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、回折測定ターゲット。
89. 前記第2のサブターゲットは前記第1のサブターゲットとは異なる設計を有する、第88項に記載のターゲット。
90. 基板上の場合、前記第1のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、第88項から第89項のいずれかに記載のターゲット。
91. 前記第9の周期構造のフィーチャは前記第1の方向に延在し、前記第10の周期構造のフィーチャは前記第2の方向に延在する、第90項に記載のターゲット。
92. 少なくとも第3のサブターゲット及び少なくとも第4のサブターゲットをさらに備え、前記第3及び第4のサブターゲットは各々周期構造を備える、第91項に記載のターゲット。
93. 基板上の場合、前記第3のサブターゲットは第13の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第4のサブターゲットは第14の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第13の周期構造は前記基板上の前記第14の周期構造とは異なる層にあり、第13及び第14の周期構造は、前記第9及び第10の周期構造とは異なる層にある、第92項に記載のターゲット。
94. 前記基板上の場合、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、第88項から第93項のいずれかに記載のターゲット。
95. メトロロジーターゲット設計の方法であって
複数のサブターゲットを有する回折メトロロジーターゲットの前記設計のための指示を受信することであって、各サブターゲットは、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアとを備える、受信すること、
前記回折メトロロジーターゲットの前記領域、寸法、又はその両方に関する制約を受信すること、及び、
プロセッサによって、少なくとも前記制約に基づいて前記回折メトロロジーターゲットの設計を選択すること、
を含む、方法。
96. 前記回折メトロロジーターゲットの前記領域、寸法、又はその両方に関する前記制約は、前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部が基板上の1000μm2より小さいか又は等しい連続領域内にあることを含む、第95項に記載の方法。
97. 少なくとも2つの異なるプロセススタックに関する情報を受信することをさらに含み、前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、異なるプロセススタックについて設計された前記サブターゲットの各々を備える、第95項又は第96項に記載の方法。
98. 前記回折メトロロジーターゲットによって測定されることになる多層ペアに関する情報を受信することをさらに含み、前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、異なる層ペアについて設計された前記サブターゲットの各々を備える、第95項から第97項のいずれかに記載の方法。
99. 前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、前記第2のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第2のサブターゲットを備える、第95項から第98項のいずれかに記載の方法。
100. 放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することを含む方法であって、前記測定ターゲットは少なくとも第1のサブターゲット、第2のサブターゲット、及び第3のサブターゲットを備え、前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは設計が異なる、方法。
101. 前記異なる設計は、前記第1から第3のサブターゲットのうちの別の1つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1から第3のサブターゲットのうちの1つを備える、第100項に記載の方法。
102. 前記第1のサブターゲットは第1の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第2の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第2の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第1の周期構造は、前記基板上の前記第2及び第3の周期構造とは異なる層にあり、前記第2の周期構造は、前記基板上の前記第1及び第2の周期構造とは異なる層にある、第100項又は第101項に記載の方法。
103. 前記照明することは、前記第1から第3のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第100項から第102項のいずれかに記載の方法。
104. 前記第1から第3のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、第100項から第103項のいずれかに記載の方法。
105. 前記第1から第3のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第100項から第104項のいずれかに記載の方法。
106. 前記第1から第3のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第100項から第105項のいずれかに記載の方法。
107. 少なくとも第1のサブターゲット、第2のサブターゲット、及び第3のサブターゲットを備える回折メトロロジーターゲットであって、前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは設計が異なる、回折メトロロジーターゲット。
108. 前記異なる設計は、前記第1から第3のサブターゲットのうちの別の1つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1から第3のサブターゲットのうちの1つを備える、第107項に記載のターゲット。
109. 前記第1から第3のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、第107項又は第108項に記載のターゲット。
110. 前記第1から第3のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第107項から第109項のいずれかに記載のターゲット。
111. 前記第1から第3のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第107項から第110項のいずれかに記載の方法。
112. 2つの層間のオーバーレイを測定することを含む方法であって、
放射を用いて、2つの層の各々の上にターゲットの一部を有する基板上の回折測定ターゲットを照明することを含み、前記2つの層は少なくとも1つの他の層によって分離される、方法。
113. 前記2つの層のうちの第1の層は、少なくとも第1のサブターゲット及び第2のサブターゲットを備え、第1の周期構造は、前記2つの層のうちの第2の層内の前記第1のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置され、前記第2の層内の前記第2のサブターゲットの下にはいずれの周期構造も存在しない、第112項に記載の方法。
114. 前記第1及び第2のサブターゲットは設計が異なる、第113項に記載の方法。
115. 前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットを備える、第114項に記載の方法。
116. 第2の周期構造は、前記少なくとも1つの他の層内の前記第2のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置される、第113項から第115項のいずれかに記載の方法。
117. 前記照明することは、前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第113項から第116項のいずれかに記載の方法。
118. 前記第1及び第2のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の400μm2より小さいか又は等しい連続領域内にある、第113項から第117項のいずれかに記載の方法。
119. 前記第1及び第2のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第113項から第118項のいずれかに記載の方法。
120. 前記第1及び第2のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第113項から第119項のいずれかに記載の方法。
121. 回折測定ターゲットの配置を考案する方法であって、前記ターゲットは複数のサブターゲットを備え、各サブターゲットは複数の周期構造を備え、各サブターゲットは、異なる層ペアを測定するように、又は異なるプロセススタックについて測定するように設計され、前記方法は、
前記サブターゲットの前記周期構造をターゲット領域内に配置すること、及び、
アシストフィーチャを前記サブターゲットうちの少なくとも1つの周辺に配置することを含み、前記アシストフィーチャは、前記少なくとも1つのサブターゲットの前記周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成される、
方法。
122. サブターゲットの特定の周期構造に隣接し、前記周期構造と共に配向された、前記アシストフィーチャは、前記周期構造と同相に位置決めされる、第121項に記載の方法。
123. 前記アシストフィーチャは複数のアシストフィーチャを備え、前記ターゲット領域は、前記ターゲット領域をほぼ取り囲む前記複数のアシストフィーチャによって画定される、第121項又は第122項に記載の方法。
124. 前記アシストフィーチャは、前記ターゲット領域内の各サブターゲット間に提供されたさらなる複数のアシストフィーチャを備える、第123項に記載の方法。
125. 前記さらなる複数のアシストフィーチャは、前記関連する検査波長の少なくとも半分の波長を備える前記サブターゲット間の空間を埋めるように配置される、第124項に記載の方法。
126. 各サブターゲットは、各サブターゲットをその周囲の環境から隔離するように、前記アシストフィーチャによってほぼ囲まれている、第121項から第125項のいずれかに記載の方法。
127. 前記アシストフィーチャは、前記複数のサブターゲットのうちのサブターゲットの周期構造のピッチよりも大幅に小さいピッチを有するフィーチャを備える、第121項から第126項のいずれかに記載の方法。
128. 前記アシストフィーチャの複数の構造のピッチは、前記アシストフィーチャがメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査中に検出されない、第121項から第127項のいずれかに記載の方法。
129. 前記アシストフィーチャは、各サブターゲットの最も外側の各構造に直接隣接して配置される、第121項から第128項のいずれかに記載の方法。
130. 回折ベースのメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査によって取得される結果の画像をモデル化すること、及び、
前記ターゲット配置が前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用する検出について最適化されているかどうかを評価すること、
をさらに含む、第121項から第129項のいずれかに記載の方法。
131. 前記方法は、前記ターゲット配置を最適化するために反復的に繰り返される、第130項に記載の方法。
132. 特定のターゲット配置が最適化されているとみなされるかどうかを考慮するための基準は、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用して検査した場合、前記サブターゲット周辺の強度が前記サブターゲット中心と同じ次数の大きさであるかどうかを決定すること、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用して検査した場合、オーバーレイ、デフォーカス、及び/又は収差の存在下で前記サブターゲット周辺に最小の強度変動が存在するかどうかを決定すること、
前記関連する検査波長範囲にとって最適なターゲット認識のための十分な間隔がサブターゲット間に存在するかどうかを決定すること、及び/又は、
前記格子域全体が最大であるかどうかを決定すること、
から選択された、少なくとも1つを含む、第130項又は第131項に記載の方法。
133. 前記ターゲットは2つ以上のオーバーレイされたターゲット層を備え、上位ターゲット層はオーバーレイバイアス及び前記アシストフィーチャを備え、前記バイアスは前記上位層内の前記アシストフィーチャに適用されない、第121項から第132項のいずれかに記載の方法。
134. 前記ターゲットは2つ以上のオーバーレイされたターゲット層を備え、上位ターゲット層はオーバーレイバイアスを備え、前記上位層はいずれのアシストフィーチャも備えない、第121項から第132項のいずれかに記載の方法。
135. 前記アシストフィーチャは前記少なくとも1つのサブターゲットとは異なる層内に配置される、第121項から第132項のいずれかに記載の方法。
136. 前記ターゲットのターゲット領域内の複数のサブターゲットであって、各々のサブターゲットが複数の周期構造を備え、各々のサブターゲットが異なる層ペアを測定するか又は異なるプロセススタックについて測定するように設計された、複数のサブターゲットと、
前記サブターゲットのうちの少なくとも1つの周辺のアシストフィーチャであって、前記サブターゲットの周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成された前記アシストフィーチャと、
を備える、回折測定ターゲット。
137. 前記アシストフィーチャは、前記複数のサブターゲットのうちのサブターゲットの周期構造のピッチよりも大幅に小さいピッチを有するフィーチャを備える、第136項に記載のターゲット。
138. 各サブターゲットは、各サブターゲットをその周囲の環境から隔離するように、前記アシストフィーチャによってほぼ囲まれている、第136項又は第137項に記載のターゲット。
139. 前記アシストフィーチャは複数のアシストフィーチャを備え、前記複数のアシストフィーチャは前記ターゲット領域をほぼ取り囲む、第136項から第138項のいずれかに記載のターゲット。
140. 前記アシストフィーチャは、前記ターゲット領域内の各サブターゲット間に提供されたさらなる複数のアシストフィーチャを備える、第139項に記載のターゲット。
141. 前記アシストフィーチャのフィーチャのピッチは、前記アシストフィーチャがメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査中に検出されない、第136項から第140項のいずれかに記載のターゲット。
142. 前記アシストフィーチャは、各サブターゲット周辺の回折強度ピークを低減させるように構成される、第136項から第141項のいずれかに記載のターゲット。
143. 前記アシストフィーチャは、各サブターゲットの最も外側の各構造に直接隣接して配置される、第136項から第142項のいずれかに記載のターゲット。
144. サブターゲットの特定の周期構造に隣接し、前記周期構造と共に配向された、前記アシストフィーチャは、前記周期構造と同相に位置決めされる、第136項から第143項のいずれかに記載のターゲット。
145. デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して一連の基板に適用される、デバイスを製造する方法であって、第1から9項、第15から24項、第31から37項、第43から51項、第61から67項、又は第73から81項のいずれかの記載の方法を使用して、前記基板のうちの少なくとも1つの上に前記デバイスパターンの一部として又は前記デバイスパターンの代わりに形成される少なくとも回折測定ターゲットを検査すること、及び、前記方法の結果に従ってその後の基板に対する前記リソグラフィプロセスを制御することを含む、方法。
146. 第1から9項、第15から24項、第31から37項、第43から51項、第56から67項、第73から81項、又は第82から96項のいずれかに記載の方法をプロセッサに実行させるための機械可読命令を備える、非一時的コンピュータプログラム製品。
147. 第10から14項、第25から30項、第38から42項、第52から55項、第68から72項、又は第97〜105項のいずれかに記載の前記ターゲットを定義する機械可読命令又はデータを備える、非一時的コンピュータプログラム製品。
148. 第10から14項、第25から30項、第38から42項、第52から55項、第68から72項、又は第97〜105項のいずれかに記載の前記ターゲットを備える基板。
149. 第10から14項、第25から30項、第38から42項、第52から55項、第68から72項、又は第97〜105項のいずれかに記載の前記回折測定ターゲットを少なくとも部分的に形成するように構成された、パターニングデバイス。
150. 基板上の回折測定ターゲット上にビームを提供するように、及びリソグラフィプロセスのパラメータを決定するために前記ターゲットによって回折される放射を検出するように構成された、検査装置と、
第146項又は第147項に記載の前記非一時的コンピュータプログラム製品と、
を備える、システム。
151. 放射ビームを変調するためにパターニングデバイスを保持するように構成された支持構造と、前記変調済みを放射感知基板上に投影するように構成された投影光学システムと、を備える、リソグラフィ装置をさらに備える、第150項に記載のシステム。
Claims (21)
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは、各々周期構造のペアを備え、前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットの周期構造を備えることと、
少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。 - 前記第1のサブターゲットは、第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、 前記第2のサブターゲットは、第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、 前記第5の周期構造は、前記基板上の前記第6の周期構造とは異なる層にある、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第1及び第2のサブターゲットは、各々周期構造のペアを備え、
前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有し、
前記異なる設計は、前記第2のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1のサブターゲットの周期構造を備え、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。 - 基板上の場合、前記第1のサブターゲットは、第5の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは、第6の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第5の周期構造は、前記第6の周期構造とは異なる層にある、請求項3に記載のターゲット。
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、第1の層内に少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1のサブターゲットは、第1の周期構造を備え、前記第2のサブターゲットは、第2の周期構造を備え、第3の周期構造は、前記第1の層の下の第2の異なる層内の前記第1の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、前記第2の層内の前記第2の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第4の周期構造は、前記第2の層の下の第3の異なる層内の前記第2の周期構造の下に少なくとも部分的に配置されることと、
少なくとも前記第1から第4の周期構造から回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。 - 前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項5に記載の方法。
- 基板上の場合、第1の層内にある少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットであって、前記第1のサブターゲットは、第1の周期構造を備え、前記第2のサブターゲットは、第2の周期構造を備える、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットと、
前記基板上の場合、前記第1の層の下の第2の異なる層内の前記第1の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された第3の周期構造であって、前記第2の層内の前記第2の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在しない、第3の周期構造と、
前記基板上の場合、前記第2の層の下の第3の異なる層内の前記第2の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された第4の周期構造と、を備え、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。 - 前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項7に記載のターゲット。
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは、各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアと、を備え、前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有することと、
少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。 - 前記第1のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第1の周期及び第1のフィーチャ又は空間幅を有し、
前記第2のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも1つは、第2の周期及び第2のフィーチャ又は空間幅を有し、
前記異なる設計は、前記第2の周期、前記第2のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第1の周期、前記第1のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、請求項9に記載の方法。 - 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアと、を備え、
前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有し、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。 - 基板上の場合、前記第1のサブターゲットは第9の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第2のサブターゲットは第10の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第9の周期構造は、前記基板上の前記第10の周期構造とは異なる層にある、請求項11に記載のターゲット。
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備え、前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアと、を備え、前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は前記基板上の1000μm2より小さいか又は等しい連続領域内にあることと、
少なくとも前記第1及び第2のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。 - 前記第1のサブターゲットは、前記第2のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項13に記載の方法。
- 少なくとも第1のサブターゲット及び少なくとも第2のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第1及び第2のサブターゲットは各々、第1の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第1のペアと、第2の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第2のペアと、を備え、
前記第1及び第2のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は、基板上の1000μm2より小さいか又は等しい連続領域内にあり、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。 - 前記第2のサブターゲットは、前記第1のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項15に記載のターゲット。
- 放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することを含む方法であって、
前記測定ターゲットは、少なくとも第1のサブターゲット、第2のサブターゲット、及び第3のサブターゲットを備え、
前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは、設計が異なり、
前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。 - 前記異なる設計は、前記第1から第3のサブターゲットのうちの別の1つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1から第3のサブターゲットのうちの1つを備える、請求項17に記載の方法。
- 少なくとも第1のサブターゲット、第2のサブターゲット、及び第3のサブターゲットを備える回折メトロロジーターゲットであって、
前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは、設計が異なり、
前記第1、第2、及び第3のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折メトロロジーターゲット。 - 前記異なる設計は、前記第1から第3のサブターゲットのうちの別の1つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び/又はセグメンテーションを有する前記第1から第3のサブターゲットのうちの1つを備える、請求項19に記載のターゲット。
- 2つの層間のオーバーレイを測定することを含む方法であって、
放射を用いて、2つの層の各々の上にターゲットの一部を有する基板上の回折測定ターゲットを照明することを含み、
前記2つの層は、少なくとも1つの他の層によって分離され、
前記2つの層のうちの第1の層は、少なくとも第1のサブターゲット及び第2のサブターゲットを備え、
第1の周期構造は、前記2つの層のうちの第2の層内の前記第1のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置され、
前記第2の層内の前記第2のサブターゲットの下には、いずれの周期構造も存在せず、
前記第1及び第2のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
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