JP6713251B2 - 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の構成1は、基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成されることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成2は、前記補助マークが、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、構成1に記載の多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成3は、前記メインマークが、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークが、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、構成1又は2に記載の多層反射膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成4は、基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成されることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成5は、前記補助マークが、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークが、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、構成4に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成6は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成4又は5に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成7は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成4又は5に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。
本発明の構成8は、構成1〜7のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする反射型マスクブランクである。本発明の構成8によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクブランクを得ることができる。
本発明の構成9は、構成8に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングした吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスクである。本発明の構成9によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクを得ることができる。
本発明の構成10は、構成8に記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
本発明の構成11は、基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする多層反射膜付き基板である。
本発明の構成12は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マークの断面の形状が略三角形である、構成11に記載の多層反射膜付き基板である。
本発明の構成13は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成11又は12に記載の多層反射膜付き基板である。
本発明の構成14は、前記メインマークが、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークが、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、構成11〜13のいずれかに記載の多層反射膜付き基板である。
本発明の構成15は、基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクであって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする反射型マスクブランクである。
本発明の構成16は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、構成15に記載の反射型マスクブランクである。
本発明の構成17は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成15又は16に記載の反射型マスクブランクである。
本発明の構成18は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成15〜17のいずれかに記載の反射型マスクブランクである。
本発明の構成19は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成15〜17のいずれかに記載の反射型マスクブランクである。
本発明の構成20は、構成11〜19のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
本発明の構成21は、基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成され、前記吸収体膜が転写用パターンを有する反射型マスクであって、
前記反射型マスクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする反射型マスクである。
本発明の構成22は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、構成21に記載の反射型マスクである。
本発明の構成23は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成21又は22に記載の反射型マスクである。メインマークの深さが、補助マークの深さよりも深いので、メインマークの検出が容易になる。
本発明の構成24は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成21〜23のいずれかに記載の反射型マスクである。
本発明の構成25は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成21〜23のいずれかに記載の反射型マスクである。
まず、本発明における基準マーク13(以下、「本発明の基準マーク13」とも呼ぶ。)について詳しく説明する。
次に、本発明の多層反射膜付き基板30及びその製造方法について説明する。本発明の多層反射膜付き基板30は、基板11の上にEUV光を反射する多層反射膜31が形成されている。図7に、多層反射膜付き基板30の断面模式図を示す。
次に、本発明の反射型マスクブランク40及びその製造方法について、説明する。
次に、本発明の反射型マスク60及びその製造方法について説明する。
図9は、ガラス基板11上に、遮光膜51が形成されているバイナリマスクブランク50を示す。本発明の基準マーク13(メインマーク13a及び補助マーク13b)は、ガラス基板11及び/又は遮光膜51に形成することができる。
図11は、図9のバイナリマスクブランク50における遮光膜51がパターニングされた遮光膜パターン51aを備えるバイナリマスク70を示す。マスクブランクにおける転写パターンとなる上記遮光膜51等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィ法が最も好適である。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したSiO2−TiO2系のガラス基板11(大きさが約152.4mm×約152.4mm、厚さが約6.35mm)を準備した。
実施例2として、上記実施例1における補助マーク13b及びメインマーク13aを多層反射膜31に形成せず、吸収体膜41に形成した以外は実施例1と同様にして反射型マスクブランク40を作製した。
実施例3として、上記実施例1におけるメインマーク13aを多層反射膜31に形成せず、吸収体膜41に形成した以外は実施例1と同様にして反射型マスクブランク40を作製した。補助マーク13bは、上記実施例1と同様に、多層反射膜31に形成した。
比較例1として、上記実施例1における補助マーク13bを、微小圧子によるインデンテーション(パンチ)により形成せず、集束イオンビーム(FIB)により多層反射膜31に形成した以外は実施例1と同様にして、比較例1の反射型マスクブランク40を作製した。
12 ラフアライメントマーク
13 基準マーク(ファインマーク)
13a メインマーク
13b、13c 補助マーク
21 下地膜
30 多層反射膜付き基板
31 多層反射膜
32 保護膜
40 反射型マスクブランク
41 吸収体膜
41a 吸収体膜パターン
42 裏面導電膜
50 バイナリマスクブランク
51 遮光膜
51a 遮光膜パターン
60 反射型マスク
70 バイナリマスク
80 電子線又は欠陥検査光の走査方向
Claims (26)
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成され、
前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
前記メインマークの縦横の長さである大きさが、200nm以上20μm以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが200μm以上600μm以下であるか、または
前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
ことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 前記補助マークは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記メインマークは、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークは、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、請求項1又は2に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成され、
前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
前記メインマークの縦横の長さである大きさが、200nm以上20μm以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが200μm以上600μm以下であるか、または
前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
ことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記補助マークは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、請求項4に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項4又は5に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
ことを特徴とする、請求項4又は5に記載の反射型マスクブランクの製造方法。 - 請求項4〜7のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。 - 基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
前記メインマークの縦横の長さである大きさが、200nm以上20μm以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが200μm以上600μm以下であるか、または
前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
ことを特徴とする多層反射膜付き基板。 - 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マークの断面の形状が略三角形である、請求項9に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項9又は10に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の多層反射膜付き基板。
- 前記メインマークは、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークは、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、請求項9〜12のいずれか1項に記載の多層反射膜付き基板。
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクであって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
前記メインマークの縦横の長さである大きさが、200nm以上20μm以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが200μm以上600μm以下であるか、または
前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
ことを特徴とする反射型マスクブランク。 - 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、請求項14に記載の反射型マスクブランク。
- 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項14又は15に記載の反射型マスクブランク。
- 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載の反射型マスクブランク。
- 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項14〜17のいずれか1項に記載の反射型マスクブランク。
- 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
ことを特徴とする、請求項14〜17のいずれか1項に記載の反射型マスクブランク。 - 請求項14〜19のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。 - 基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜とが形成され、前記吸収体膜が転写用パターンを有する反射型マスクであって、
前記反射型マスクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
前記メインマークの縦横の長さである大きさが、200nm以上20μm以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが200μm以上600μm以下であるか、または
前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
ことを特徴とする反射型マスク。 - 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、請求項21に記載の反射型マスク。
- 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項21又は22に記載の反射型マスク。
- 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項21〜23のいずれか1項に記載の反射型マスク。
- 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項21〜24のいずれか1項に記載の反射型マスク。
- 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
ことを特徴とする、請求項21〜24のいずれか1項に記載の反射型マスク。
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