KR102522952B1 - 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그의 결함 검사 방법 - Google Patents
극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그의 결함 검사 방법 Download PDFInfo
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
EUV 용 블랭크마스크는 기판과 반사막을 구비하며, 기판과 반사막 사이에 반사막의 위상 결함 제어를 위한 금속 또는 금속화합물 재질의 제어막이 구비된다. 제어막은 Mo, Cr, Ti, W, Sn, Ru, Si, Nb, Zr, Al, Ta 중 어느 하나 이상을 포함하는 재질로 형성될 수 있다. 기판의 결함에 기인한 반사막의 결함이 방지되어 반사막의 결함 발생을 줄일 수 있다. 또한 블랙보더(Black Borader) 형성 후 발생하는 e-beam Repair, e-beam Inspection, Measurement 시 발생할 수 있는 Charge-up 현상이 방지된다.
Description
본 발명은 반도체 제조에 사용되는 극자외선(이하 EUV : Extreme Ultra Violet) 광을 노광광으로 사용하는 EUV 용 블랭크마스크에 관한 것이다.
반도체 회로 패턴의 미세화를 위하여 노광광으로서 13.5nm 의 극자외선(EUV : Extreme Ultra-Violet)의 사용이 추구되고 있다. EUV 를 이용하여 기판에 회로 패턴을 형성하기 위한 포토마스크의 경우 노광광을 반사시켜 웨이퍼에 조사하는 반사형 포토마스크가 주로 사용된다. 도 1 은 반사형 포토마스크의 제작을 위한 반사형 블랭크마스크의 일 예를 도시한 도면이고, 도 2 는 도 1 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 도시한 도면이다.
도 1 에 도시된 바와 같이, EUV 용 반사형 블랭크마스크는 기판(102), 기판(102)상에 적층된 반사막(104), 반사막(104) 위에 형성된 흡수막(106), 및 흡수막(106) 위에 형성된 레지스트막(108)을 포함하여 구성된다. 반사막(104)은 예컨대 Mo 로 이루어진 층과 Si 로 이루어진 층이 교대로 수십층 적층된 구조로 형성되며, 입사되는 노광광을 반사시키는 기능을 한다. 흡수막(106)은 통상적으로 TaBN 재질 또는 TaBON 재질로 형성되며, 입사된 노광광을 흡수하는 역할을 한다. 레지스트막(108)은 흡수막(106)을 패터닝하기 위해 사용된다. 흡수막(106)이 도 2 에 도시된 바와 같이 소정의 형상으로 패터닝됨에 따라 블랭크마스크가 포토마스크로 제작되며, 이러한 포토마스크에 입사되는 EUV 노광광은 흡수막(106)의 패턴에 따라 흡수 또는 반사된 후 반도체 웨이퍼상에 조사된다.
이러한 EUV 용 블랭크마스크의 제작에 사용되는 기판(102)으로는 통상적으로 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판이 사용된다. LETM 기판은 EUV 노광광을 이용한 노광 시 열에 의한 패턴의 변형 및 스트레스를 방지하기 위해 0±1.0×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 가지며, 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 갖도록 구성된다. 기판(202)의 소재로서는 SiO2-TiO2계 유리, 다성분계 유리 세라믹 등이 사용된다. 또한 LTEM 기판은 노광 시 반사광의 정밀도를 높이기 위하여 높은 평탄도(Flatness)를 가져야 한다. 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading) 값으로 표현되고, 기판(202)은 낮은 TIR 값을 갖는 것이 바람직하다. 기판(202)의 평탄도는 132mm2 영역 또는 142mm2 영역에서 100㎚ 이하, 바람직하게는 50㎚ 이하이다.
반사막(104)은 일반적으로 Mo층과 Si층으로 이루어진 쌍(pair)이 40~60층 적층되어 구성된다. 반사막(204)의 Mo층과 Si층은 각각 2∼4㎚, 3∼5㎚의 두께로 형성된다. 반사막(104)은 13.5㎚ 의 EUV 노광광에 대하여 높은 반사율, 바람직하게는 65% 이상의 반사율을 갖는다. 반사막(104)은 EUV 노광광에 대한 난반사를 억제하기 위하여 표면 거칠기(Surface Roughness)가 최대한 낮도록 구성된다. 또한 반사막(104)은 높은 표면 평탄도를 가지며, 표면 평탄도가 나쁜 경우 패턴 위치의 에러가 발생한다.
반사형 블랭크마스크는 최종 제작된 반사막(104)에서 결함이 발생할 수 있다. 결함(Defect)은 반사막(104)의 표면에 함몰부(pit)나 돌출부(bump)가 발생함에 따라 발생하며, 표면 결함(Surface Defect) 또는 위상 결함(Phase Defect)의 형태로 나타난다. 반사막(104)의 결함은 반사막(104)의 형성 공정에서 반사막(104)을 구성하는 각 층에서의 결함에 의해서 발생하기도 하며, 반사막(104)이 적층되는 기판(102) 자체에 pit 나 bump 가 존재함에 기인하여 발생하기도 한다.
그런데, 결함의 검사는 반사막 증착 후 표면검사와 내부 위상 결함을 검사한다. 특히 반사막(104)에 위상 결함이 발견된 경우 반사막(104)의 증착 공정에 소요된 시간이 허비되는 문제가 있다. 나아가, 기판(102) 결함에 의해 기인하는 결함은 반사막(104)의 형성 전에 검사에 의해 발견하는 것이 바람직하나, LTEM 기판(102)은 13.5nm 의 EUV 파장을 흡수하므로 EUV 파장의 검사광에 대해서는 기판(102) 자체에서의 결함을 검사하는 것이 불가능하며, 190~500nm 파장의 검사광에 대해서는 투과율이 높고 반사율이 낮아 검사 감도가 상대적으로 낮으므로 나노미터 크기 이하의 결함에 대해 정확한 검사가 이루어지기 어렵다.
따라서 반사막(104)의 형성 전에 기판(102)에서 검출되기 어려운 결함을 제어함으로써 적어도 기판(102)의 흠결에 기인하는 반사막(104)의 흠결이 반사막(104)의 형성 완료 후에 검사되는 낭비를 예방할 필요가 있다.
또한, 최근에는 EUV 블랭크 마스크의 외주영역 부근에 Black Boarder 형성을 위하여 반사막을 모두 식각하는 형태의 마스크 제작이 이루어지고 있다. 그러나, Blank Boarder 형성에 따른 기판의 노출은 상부 패턴의 e-beam repair 나아가 e-beam 을 이용한 Inspection, Measurement 시 Charge-up 현상을 발생시키는 문제점을 야기한다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판의 결함에 기인한 반사막의 결함을 방지함으로써, 반사막의 결함 발생을 줄이고 생산성을 향상할 수 있도록 하는 방안을 제공하는 것이다.
본 발명은 다른 목적은, 블랙보더(Black Borader) 형성 후 발생하는 e-beam Repair, e-beam Inspection, Measurement 시 발생할 수 있는 Charge-up 현상을 방지할 수 있는 방안을 제공하는 것이다.
본 발명의 EUV 용 블랭크마스크는 기판 및 상기 기판 상에 적층된 반사막을 구비하며, 상기 기판과 상기 반사막 사이에 상기 반사막의 위상 결함 제어를 위한 금속 또는 금속화합물 재질의 제어막이 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 제어막은 Mo, Cr, Ti, W, Sn, Ru, Si, Nb, Zr, Al, Ta 중 어느 하나 이상을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
상기 제어막은 O, N, C 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
상기 제어막은 1~50nm 의 두께를 갖는다.
상기 제어막은 상기 반사막의 식각 조건에서 식각되는 재질로 구성될 수 있다.
상기 제어막은 상기 반사막의 식각 물질과 상이한 물질에 의해 식각되는 재질로 구성될 수 있다. 상기 제어막은 크롬(Cr), 보론(B)이 도핑된 실리콘(Si), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi), 탄탈륨(Ta), 루테늄(Ru), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제어막은, Mo 재질로 형성된 하부층 및 Cr 및 Si 를 포함하는 물질로 형성되어 상기 반사막에 대한 식각 선택비를 갖는 상부층을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 제어막은 블랙보더 형성에 따른 e-beam Inspection, e-beam repair, Measurement Tool 에 대하여 Charg-up 현상을 방지하는 기능을 한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판, 및 상기 기판 상에 적층된 반사막을 구비하는 EUV 용 블랭크마스크의 흠결 검사 방법으로서, 상기 기판 상에 금속 재질의 제어막을 형성하는 단계; 및 상기 제어막 상에 반사막을 형성하기 전에 상기 제어막에 대해 결함을 검사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크의 흠결 검사 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 결함에 기인한 반사막의 결함이 방지되어 반사막의 결함 발생을 줄일 수 있다. 또한 블랙보더(Black Borader) 형성 후 발생하는 e-beam Repair, e-beam Inspection, Measurement 시 발생할 수 있는 Charge-up 현상이 방지된다.
도 1 은 종래의 일반적인 EUV 용 반사형 블랭크마스크의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2 는 도 1 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 도시한 도면.
도 3 은 본 발명에 따른 EUV 용 블랭크마스크를 도시한 도면.
도 4 는 도 3 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크의 상면을 도시한 도면.
도 5 는 도 4 의 측단면도.
도 6 은 본 발명의 구현예들의 구성을 도시한 도면.
도 7 은 도 6 의 각 구성에 따른 구현예들에 대해 반사막의 반사율을 측정한 그래프.
도 2 는 도 1 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 도시한 도면.
도 3 은 본 발명에 따른 EUV 용 블랭크마스크를 도시한 도면.
도 4 는 도 3 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크의 상면을 도시한 도면.
도 5 는 도 4 의 측단면도.
도 6 은 본 발명의 구현예들의 구성을 도시한 도면.
도 7 은 도 6 의 각 구성에 따른 구현예들에 대해 반사막의 반사율을 측정한 그래프.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 3 은 본 발명에 따른 EUV 용 블랭크마스크를 도시한 도면이다.
본 발명의 EUV 용 블랭크마스크는, 기판(202), 기판(202)상에 적층된 반사막(204), 반사막(204) 위에 형성된 흡수막(206), 및 흡수막(206) 위에 형성된 레지스트막(208)을 포함하여 구성된다. 반사막(204)의 상부에는 위상반전막(도시되지 않음)이 추가로 구비될 수 있다. 본 발명의 EUV 용 블랭크마스크는 기판(202)과 반사막(204) 사이에 형성된 제어막(203)을 추가로 구비한다.
기판(202)은 EUV 노광광을 이용하는 반사형 블랭크마스크용 글래스 기판으로서 적합하도록 노광 시의 열에 의한 패턴의 변형 및 스트레스를 방지하기 위해 0±1.0×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 가지며, 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃ 범위 내의 저 열팽창 계수를 갖는 LTEM(Low Thermal Expansion Material) 기판으로 구성된다. 기판(202)의 소재로서는 SiO2-TiO2계 유리, 다성분계 유리 세라믹 등을 이용할 수 있다.
기판(202)은 노광 시 반사광의 정밀도를 높이기 위하여 높은 평탄도(Flatness)가 요구된다. 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading) 값으로 표현되고, 기판(202)은 낮은 TIR 값을 갖는 것이 바람직하다. 기판(202)의 평탄도는 132mm2 영역 또는 142mm2 영역에서 100㎚ 이하, 바람직하게는 50㎚ 이하이다.
반사막(300)은 EUV 노광광을 반사하는 기능을 가지며, Mo 층과 Si 층이 적층된 쌍이 40 내지 60쌍 적층되어 구성된다. 반사막(300)은 270nm 이상의 두께를 갖는다
반사막(300)은 성막 후 RTP, Furnace, Hot-plate 등을 이용하여 열처리될 수 있다. 열처리를 하면 반사막(300)의 응력이 증가하여 평탄도가 개선된다. 바람직하게는 반사막(300)은 열처리 후의 표면 TIR 이 600nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하가 되도록 구성된다.
반사막(300)은 13.5㎚ 의 EUV 노광광에 대하여 60% 이상, 바람직하게는 65% 이상의 반사율을 갖는다.
반사막(300)은 EUV 노광광에 대한 난반사를 억제하기 위하여 표면 거칠기(Surface Roughness)가 0.5㎚Ra 이하, 바람직하게는 0.3㎚Ra 이하, 더욱 바람직하게는 0.1㎚Ra 이하의 값을 갖는다.
흡수막(206)은 캡핑막(205) 상에 형성되며 노광광을 흡수하는 역할을 한다. 구체적으로는, 흡수막(206)은 13.5㎚ 파장의 EUV 노광광에 대해 10% 이하의 반사율, 바람직하게는 1~8% 의 반사율을 가지며, 이에 따라 노광광의 대부분을 흡수한다. 흡수막(206)은 60nm 이하의 두께를 가지며, 바람직하게는 55nm 이하의 두께를 갖는다. 흡수막(206)은 TaN, TaBN, TaON, TaBON 등의 재질로 구성될 수 있다.
레지스트막(208)은 화학증폭형 레지스트(CAR: Chemically Amplified Resist)로 구성된다. 레지스트막(208)은 150㎚ 이하의 두께를 갖고, 바람직하게, 100㎚ 이하의 두께를 갖는다.
제어막(203)은 반사막의 결함, 특히 기판에 의해 기인하는 결함을 필터링 하는 역할을 수행한다. 또한, 제어막(203)은 블랙보더(BB) 형성 후 e-beam repair, e-beam Inspection, Measurement Tool 등에 의해 발생하는 Charge-up 현상을 예방한다. 제어막(203) 물질로서 금속 또는 금속화합물로 형성되는 것이 바람직하다. 제어막(203)을 형성하는 재질은 Mo, Cr, Ti, W, Sn, Ru, Si, Nb, Zr, Al, Ta 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 Mo 를 포함하여 구성된다.
기판(202) 상에 금속 재질의 제어막(203)이 형성됨에 따라 기판(203)에 pit 나 bump 와 같은 흠결이 존재하는 경우에도 제어막(203)에 의해 흠결이 보완되어 흠결이 없는 매끄러운 표면상에 반사막(204)이 형성될 수 있다.
제어막(203)은 1~50nm 의 두께를 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 1nm 이하의 두께인 경우에는 제어막(203)이 흠결 보완의 기능을 발휘하지 못할 수 있고, 50nm 이상의 두께인 경우에는 불필요한 공정 소모가 발생한다.
또한 제어막(203)의 표면을 더욱 평활하게 하여 흠결이 없도록 하기 위한 후속 공정을 수행할 수 있다. 이러한 공정은 예컨대 MP 공정, polighing, etching, cleaning 등의 공정일 수 있다. 금속 재질의 제어막(203)은 SiO2 기반 재질의 기판(202)에 비하여 경도가 낮으므로 이러한 후속 공정에 의하여 제어막(203) 자체의 흠결을 보완하는 것이 상대적으로 더 용이하다.
이와 같은 금속 재질의 제어막(203)을 형성함으로써, 기판(202)의 상면에 pit 또는 bump 와 같은 결함이 존재하는 경우에도 제어막(203)에 의해 결함이 보상되어 반사막(204)이 형성될 표면의 평탄도가 기판(202)에 비하여 매우 높아진다. 따라서 추후 공정에서 형성되는 반사막(204)의 결함이 현저하게 줄어들게 된다.
또한, 제어막(203)이 금속 또는 금속화합물로 형성되어 있으므로 제어막(203)의 형성 후에 제어막(203) 자체의 결함의 검사가 용이하게 된다. 따라서 반사막(204)의 형성 전에 제어막(203)의 결함 검사를 수행하여 결함을 발견함으로써, 치유 가능한 결함의 경우 결함의 제거를 위한 추가적인 공정을 수행하거나 치유 불가능한 결함의 경우 폐기 처분함으로써 반사막(204) 형성 공정 후에 결함을 발견하는 상황을 사전에 방지할 수 있다. 예를 들어 추가적인 공정이란 MP, Polishing, Etching, Cleaning 공정을 포함할 수 있다.
한편, 블랭크마스크를 이용하여 포토마스크를 제작할 때, 완성된 포토마스크를 여러 개 배열함으로써 여러 개의 포토마스크의 반사광을 하나의 웨이퍼에 조사한다. 이러한 상황에서 이웃하는 포토마스크들간의 경계를 명확하게 하고 또한 이웃하는 포토마스크들이 각각 담당하는 웨이퍼상의 각 영역들 사이에서 반사광의 상호 침범을 방지하기 위하여, 각각의 포토마스크에는 흡수막(206)이 패터닝되는 유효 영역을 둘러싸는 블랙보더(Black Boarder)가 형성된다.
도 4 는 도 3 의 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크의 상면을 도시한 도면이고, 도 5 는 도 4 의 측단면도이다. 블랭크마스크(BM)의 상면에는 반사막(204) 상의 흡수막(206)이 패터닝되어 웨이퍼에 조사될 EUV 광을 패터닝된 형태에 따라 반사시키는 영역인 유효영역(R)이 마련되어 있고, 이 유효영역(R)을 둘러싸는 블랙보더(BB)가 형성되어 있다. 도 5 에 도시된 바와 같이 블랙보더(BB)는 트렌치의 형태를 갖도록 반사막(204)의 판면을 관통하는 형상을 가지며, 본 발명에서는 종래의 블랭크마스크에 비하여 제어막(203)을 추가로 구비함에 따라 블랙보더(BB)는 제어막(203)도 관통하도록 형성될 수 있다.
이와 같이 블랙보더(BB)를 형성할 때 블랙보더(BB)를 이루는 트렌치가 제어막(203)까지 관통되도록 할 수 있다. 예컨대 블랙보더(BB)의 트렌치에서의 반사율은 2% 이하, 바람직하게는 0.1% 이하가 되어야 하는데, 만약 제어막(203)의 존재에 의하여 이러한 반사율 조건을 충족하지 못하게 되면 제어막(203)까지 관통되도록 트렌치가 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우 반사막(204)의 식각에 의한 트렌치 형성 후 제어막(203)도 식각하여야 하는데, 두 막(204, 203)의 식각을 한 번의 식각 공정으로 수행하기 위해서는 제어막(203)은 반사막(204)과 동일한 식각 조건에서 식각되는 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이 반사막(204)이 Mo/Si 층으로 구성되는 경우, 이를 고려한 제어막(203)의 바람직한 재질은 Mo 이다.
한편, 제어막(203)은 블랙보더(BB) 형성 공정 시 식각이 되지 않는 물질로 형성할 수 있다. 제어막(203)이 식각되지 않도록 함으로써 기판 상에 형성된 반사막(204), 흡수막(206)의 면저항을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 최종적으로 패턴 e-beam Repair, e-beam Inspection, Measurement Tool 을 이용할 시 Charge-up 현상을 감소시킬 수 있다. 이를 위한 물질로서, 크롬(Cr), 보론(B)이 도핑된 실리콘(Si), 몰리브데늄 실리사이드(MoSi), 탄탈륨(Ta), 루테늄(Ru), 티타늄(Ti)의 단독 또는 선택된 1종 이상의 물질이 사용될 수 있다. 구체적으로는, 상기 결함 검사와 더불어 상기 Charge-up 현상을 방지하기 위하여 단층 또는 다층으로 제어막을 형성할 수 있으며, 다층으로 형성할 경우 하부층은 Charge-up 현상을 방지하기 위하여 전도도가 높은 몰리브데늄(Mo)을 적용하고, 상부층은 블랙보더(BB) 형성 시 식각 선택비가 우수한 크롬(Cr) 및 실리콘(Si)을 포함한 물질을 적용할 수 있다. 특히 상부층의 식각 선택비 확보를 위하여 실리콘(Si) 물질은 실리콘에 산소 또는 질소를 포함한 물질로 형성할 수 있다.
제어막(203)은 상기 재질에 O, N, C 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 재질로 형성될 수 있다. 이 원소들은 제어막(203)의 식각 속도를 필요한 정도로 조절하기 위하여 적절한 조성 및 조성비로 함유된다.
한편, 블랙보더(BB) 형성을 위한 트렌치는 반사막(204)만을 관통하도록 형성하고 제어막(203)은 관통하지 않도록 형성하여도 무방할 수 있다. 예컨대 제어막(203)이 트렌치 내에 존재하여도 요구되는 반사율을 충족한다면 제어막(203)은 남아 있도록 트렌치를 형성하여도 무방하다.
도 6 은 본 발명의 구현예들의 구성을 도시한 도면이고, 도 7 은 도 6 의 각 구성에 따른 구현예들에 대해 반사막의 반사율을 측정한 그래프이다.
상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 기초하여, 본 발명에 따른 블랭크마스크를 제어막(203)의 다양한 두께에 대해 구현하였다. 도 6 과 같이, 반사막(204)의 Mo 층과 Si 층은 각각 2.78nm 와 4.17nm 두께를 갖도록 하여 Mo/Si pair 의 각 두께가 6.95nm 를 갖도록 구성하였다. 이러한 구성에 대해 반사막(204) 하부의 제어막(203)의 두께를 5nm 에서 20nm 까지 변화시키며 4 개의 제품을 제작하였고, 비교예로서 제어막(203)이 형성되지 않은 제품(제어막의 두께가 0nm 로 기재된 예)를 제작하였다. 이와 같이 제작된 비교예 하나와 구현예 4 개에 대해 검사광의 각 파장별로 반사율을 측정하여 도 7 과 같은 그래프를 얻었다.
13.5nm 의 EUV 파장 검사광에 대해서, 비교예에서는 최대 72.98% 의 반사율을 얻었으며, 5nm 내지 20nm 의 각 제품에서는 최소 72.13%, 72.67%. 72.97%, 72.29% 의 반사율을 얻었다. 비교예에 비하여 제어막(203)을 추가 형성한 각 경우의 반사율 저감은 0.1% 미만으로서, 제어막(203)의 형성에 의하여 반사막(204)의 반사율 저감은 극히 미미한 것으로 파악되었다.
Claims (10)
- 기판, 및 상기 기판 상에 적층된 반사막을 구비하는 EUV 용 블랭크마스크로서,
상기 반사막은 Mo 층과 Si 층이 복수 회 적층되어 형성되고,
상기 기판과 상기 반사막 사이에 상기 반사막의 위상 결함 제어를 위한 금속 또는 금속화합물을 포함하는 재질의 제어막이 구비되고,
상기 제어막은 상기 기판상에 형성된 하부층 및 상기 하부층상에 형성된 상부층을 포함하며,
상기 상부층은 Cr 을 포함하는 재질로 형성되어 상기 반사막에 대해 식각선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제어막은 O, N, C 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제어막은 1~50nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 하부층은 Mo 를 포함하고, 상기 상부층은 Si 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크.
- 제 8 항에 있어서,
상기 하부층은 산소 또는 질소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 용 블랭크마스크. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200111918A KR102522952B1 (ko) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그의 결함 검사 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200111918A KR102522952B1 (ko) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그의 결함 검사 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220030116A KR20220030116A (ko) | 2022-03-10 |
| KR102522952B1 true KR102522952B1 (ko) | 2023-04-19 |
Family
ID=80816457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200111918A KR102522952B1 (ko) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그의 결함 검사 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102522952B1 (ko) |
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- 2020-09-02 KR KR1020200111918A patent/KR102522952B1/ko active IP Right Grant
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| KR20220030116A (ko) | 2022-03-10 |
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