JP6708746B2 - ガラスキャリアウェハー用の低cteボロアルミノシリケートガラス - Google Patents
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Description
本発明は、ガラスキャリアウェハーとして使用するための低脆性の低CTEボロアルミノシリケートガラスに関する。本発明はまた、該低CTEボロアルミノシリケートガラス製のガラスキャリアウェハー、およびシリコン基板を処理するためのガラスキャリアウェハーとしてのその使用に関する。本発明はさらに、低CTEボロアルミノシリケートガラスを提供する方法に関する。
例えば半導体チップや半導体ダイといった固体電子デバイスは、典型的には、例えばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウム/ヒ化物といった半導体材料から作製される。こうしたデバイスの1つの表面上に、例えば周辺部の周りに形成された入出力パッドを伴って回路が形成される。
したがって本発明の一目的は、従来技術の欠点を克服するガラスを提供することである。特に本発明の一目的は、低いCTE、特にシリコンのCTEに近いCTEを有するガラスと、ダイシング性能または切断性能が良好な該ガラス製のガラスウェハーとを提供することである。本発明のもう1つの目的は、半導体産業での使用に適し、特にWLP用途やMEMS用途に適したガラスおよび該ガラス製のガラスキャリアウェハーを提供することである。本発明のもう1つの目的は、コスト効率の高い半導体デバイス製造を可能にする、半導体産業での使用に向けたガラスまたは該ガラス製のガラスウェハーを提供することである。本発明のもう1つの目的は、ダイシング歩留まりの高い、特にWLP用途やMEMS用途での使用に向けたガラスおよびガラスウェハーを提供することである。
多面体1つあたりの非架橋酸素の平均数(NBO)は、−0.2以上であり、比B2O3/Al2O3は、0.5以上であり、ここで、前記NBOは、NBO=2×Omol/(Simol+Almol+Bmol)−4と定義される低CTEボロアルミノシリケートガラスに関する。
X=多面体1つあたりの非架橋酸素の平均数、すなわちNBO;
Y=多面体1つあたりの架橋酸素の平均数;
Z=多面体1つあたりの全酸素平均数;および
R=酸素の総数と網目形成体の総数との比。
R=Omol/(Simol+Almol+Bmol) (1)
Y=2Z−2R (2)
X=2R−Z (3)
シリケートの場合:
Z=4 (4)。
X=2×Omol/(Simol+Almol+Bmol)−4 (5)
と結論付けることができる。
図1に、ウェハーレベルパッケージング(WLP)用途における例示的なダイシングプロセスを示す。シリコン基板2は、接着層3を介してガラスウェハー1に接着されている。ガラスウェハー1は、厚さtを有する。第1の切断ステップでは、第1の幅w1を有する第1のブレード4でガラスウェハー1を切断する。この場合の切断は、接着層3には延びているが、シリコン基板2には延びていない。この切断は、回転ブレード4により達成される。
以下の表1に、本発明による11個の例示的なガラス組成を示す。例12〜14に、本発明の範囲に包含されない例示的な比較ガラスを示す。例1〜5および7〜11には無アルカリガラスの組成を示し、例6にはアルカリ含有ガラスを記載する。
Claims (17)
- 前記多面体1つあたりの非架橋酸素の平均数(NBO)は、−0.18以上であり、好ましくは−0.16以上であり、かつ/または前記比B2O3/Al2O3は、0.8以上であり、好ましくは1.0以上である、請求項1又は2に記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- 前記多面体1つあたりの非架橋酸素の平均数(NBO)は、−0.1以下であり、かつ前記比B2O3/Al2O3は、10以下である、請求項1から3までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- 脆性指数HV/KICは、12μm−1/2以下であり、好ましくは10μm−1/2以下であり、さらに好ましくは8μm−1/2以下であり、ここで、HVはビッカース硬さを指し、KICは、前記ボロアルミノシリケートガラスの破壊靭性を指す、請求項1から4までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- Li2Oを実質的に含有しない、請求項1から5までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- 前記熱膨張係数(CTE)は、2.0ppm/K〜4.0ppm/Kの範囲にあり、好ましくは2.6ppm/K〜3.8ppm/Kの範囲にある、請求項1から6までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- 550℃超、好ましくは650℃超、さらに好ましくは700℃超の転移温度Tgを有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラス製のガラスキャリアウェハー。
- 1.2mm以下、好ましくは0.7mm以下、好ましくは0.5mm以下、さらに好ましくは0.35mm以下の厚さを有する、請求項9に記載のガラスキャリアウェハー。
- 前記ガラスキャリアウェハーのダイシング後の最大エッジチッピングサイズは、30μm以下であり、好ましくは20μm以下であり、さらに好ましくは10μm以下である、請求項9又は10に記載のガラスキャリアウェハー。
- 請求項9から11までのいずれか1項記載のガラスキャリアウェハーと、該ガラスキャリアウェハーに特に接着層によって接合されたシリコン基板とを含む、接合物品。
- 請求項9から12までのいずれか1項記載のガラスキャリアウェハーの、ウェハーレベルパッケージング(WLP)用途での、シリコン基板を処理するためのキャリアウェハーとしての使用。
- 前記シリコン基板は、特に接着層により前記ガラスキャリアウェハーに接着している、請求項13に記載の使用。
- 前記シリコン基板の処理は、該シリコン基板を前記ガラスキャリアウェハーに接着した状態のまま該ガラスキャリアウェハー面からダイシングすることを含む、請求項13又は14に記載の使用。
- 前記シリコン基板をダイシングする前に、該シリコン基板にダイシングフィルム、特にダイシングテープを貼付する、請求項13から15までのいずれか1項記載の使用。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載の低CTEボロアルミノシリケートガラスを提供する方法において、該方法は、低い脆性指数HV/KIC として12μm−1/2未満の脆性指数HV/KICを達成するために、所与の低CTEボロアルミノシリケートガラスの組成のNBO数を調節し、かつB2O3/Al2O3の比を調節することによって前記組成を変更することを含み、ここで、前記NBO数は、NBO=2×Omol/(Simol+Almol+Bmol)−4と定義される方法。
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US6060168A (en) * | 1996-12-17 | 2000-05-09 | Corning Incorporated | Glasses for display panels and photovoltaic devices |
DE10000837C1 (de) * | 2000-01-12 | 2001-05-31 | Schott Glas | Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendungen |
DE10000836B4 (de) * | 2000-01-12 | 2005-03-17 | Schott Ag | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
DE102005004068B4 (de) * | 2005-01-24 | 2008-01-17 | Schott Ag | Blei- und cadmiumfreies Glas und Verfahren zum Glasieren, Emaillieren und Dekorieren von Gläsern oder Glaskeramiken sowie Verwendung des Glases |
JP4218839B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2009-02-04 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板及びそれを用いた磁気情報記録媒体 |
DE102006016257B4 (de) | 2006-03-31 | 2014-04-30 | Schott Ag | Aluminoborosilikatglas und dessen Verwendung |
JP5703535B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2015-04-22 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス基板 |
JP5435394B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2014-03-05 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス基板及びその製造方法 |
JP5091696B2 (ja) * | 2008-01-26 | 2012-12-05 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージの製造方法 |
DE102009036063B3 (de) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Schott Ag | Hoch UV-durchlässige Borosilicatgläser mit reduziertem Bor-Gehalt |
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MY156178A (en) * | 2010-04-27 | 2016-01-15 | Asahi Glass Co Ltd | Method for producing magnetic disk, and glass substrate for information recording medium |
US20120135853A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Jaymin Amin | Glass articles/materials for use as touchscreen substrates |
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TWI564262B (zh) * | 2012-02-29 | 2017-01-01 | 康寧公司 | 高cte之硼矽酸鉀核心玻璃與包含其之玻璃物件 |
DE102013114225B4 (de) * | 2013-12-17 | 2017-03-16 | Schott Ag | Chemisch vorspannbares Glas und daraus hergestelltes Glaselement |
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