JP6708643B2 - Manufacturing method of display device - Google Patents
Manufacturing method of display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6708643B2 JP6708643B2 JP2017524137A JP2017524137A JP6708643B2 JP 6708643 B2 JP6708643 B2 JP 6708643B2 JP 2017524137 A JP2017524137 A JP 2017524137A JP 2017524137 A JP2017524137 A JP 2017524137A JP 6708643 B2 JP6708643 B2 JP 6708643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- transistor
- film
- conductive film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 409
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 249
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 112
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 22
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 61
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 56
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 56
- 230000006870 function Effects 0.000 description 55
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 42
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 31
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Description
本発明の一態様は、表示装置と、その作製方法に関する。または、本発明の一態様は、ヘッドマウントディスプレイ及びプロジェクター等の電子機器に関する。One embodiment of the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof. Alternatively, one embodiment of the present invention relates to electronic devices such as a head mounted display and a projector.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。より具体的に本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入出力装置(例えば、タッチパネルなど)、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. More specifically, as technical fields of one embodiment of the invention disclosed in this specification and the like, a semiconductor device, a display device, a light-emitting device, a power storage device, a storage device, an electronic device, a lighting device, an input/output device (e.g., a touch panel, or the like) ), their driving method, or those manufacturing methods can be mentioned as an example.
近年、解像度の高い表示装置が求められている。例えば、フルハイビジョン(画素数1920×1080)、4K(画素数3840×2160もしくは4096×2160等)、さらには8K(画素数7680×4320もしくは8192×4320等)といった画素数の多いテレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)が盛んに開発されている。In recent years, display devices with high resolution have been demanded. For example, a television device having a large number of pixels such as full high-definition (the number of pixels is 1920×1080), 4K (the number of pixels is 3840×2160 or 4096×2160), and further 8K (the number of pixels is 7680×4320 or 8192×4320). Television, or television receiver) is being actively developed.
他にも、スマートフォンなどの携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、タブレット端末などの携帯情報端末、デジタルカメラのビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどのウェアラブルディスプレイ、プロジェクター等において、高解像度の表示装置が求められている。In addition, high-resolution display on mobile phones such as smartphones (also called mobile phones and mobile phone devices), mobile information terminals such as tablets, viewfinders for digital cameras, wearable displays such as head-mounted displays, and projectors. A device is needed.
また、携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイに用いる表示装置には、薄型であること、軽量であること、破損しにくいこと、可撓性を有すること等が求められている。In addition, a display device used for a portable electronic device or a wearable display is required to be thin, lightweight, not easily damaged, and flexible.
エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence、以下ELとも記す)現象を利用した発光素子(EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置への応用が検討されている。A light-emitting element (also referred to as an EL element) utilizing an electroluminescence (hereinafter also referred to as EL) phenomenon is thin and lightweight, and can respond to an input signal at high speed. It has characteristics such that it can be driven, and its application to a display device is under consideration.
例えば、特許文献1に、有機EL素子が適用された可撓性を有する発光装置が開示されている。For example,
携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイに用いる表示装置は、テレビジョン装置に用いる表示装置に比べて、表示領域の面積が極めて小さいため、解像度を高めるためには、精細度を極めて高くする必要がある。また、携帯用途の電子機器又はウェアラブルディスプレイは、軽量であることが求められるため、薄型で軽量な表示装置を用いることが望ましい。A display device used for a portable electronic device or a wearable display has a display area which is extremely smaller than that of a display device used for a television device; therefore, in order to increase resolution, it is necessary to have extremely high definition. .. In addition, since electronic devices or wearable displays for mobile use are required to be lightweight, it is desirable to use thin and lightweight display devices.
本発明の一態様は、精細度が極めて高く、可撓性を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、精細度が極めて高く、曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device having extremely high definition and flexibility. An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device having a highly curved surface and a curved surface.
本発明の一態様は、小型であり、可撓性を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、小型であり、曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device which is small and has flexibility. An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device which is small and has a curved surface.
本発明の一態様は、精細度又は解像度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、小型又は軽量な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、厚さが薄い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、可撓性を有する、又は曲面を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、使用者が二次元画像に強い立体感もしくは奥行き感を得ることを課題の一とする。本発明の一態様は、破損しにくい表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with high definition or high resolution. An object of one embodiment of the present invention is to provide a small or lightweight display device. An object of one embodiment of the present invention is to provide a thin display device. An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device having flexibility or a curved surface. An object of one embodiment of the present invention is to provide a user with a strong stereoscopic effect or depth feeling in a two-dimensional image. An object of one embodiment of the present invention is to provide a display device which is less likely to be damaged. One object of one embodiment of the present invention is to provide a display device with low power consumption. An object of one embodiment of the present invention is to provide a highly reliable display device.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。Note that the description of these problems does not prevent the existence of other problems. Note that one embodiment of the present invention does not need to solve all of these problems. Note that it is possible to extract other problems from the description, drawings, and claims.
本発明の一態様は、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、結晶性半導体基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性半導体基板を研磨し、結晶性半導体基板に厚さ1μm以上100μm以下の部分を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。According to one embodiment of the present invention, a step of forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate, a step of forming a display element electrically connected to the transistor over the crystalline semiconductor substrate, and a crystalline semiconductor substrate And a step of polishing the crystalline semiconductor substrate to form a portion having a thickness of 1 μm or more and 100 μm or less on the crystalline semiconductor substrate.
本発明の一態様は、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタを形成する工程と、結晶性半導体基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性半導体基板の一部が残るように結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。結晶性半導体基板を研磨した後の表示装置は可撓性を有する。According to one embodiment of the present invention, a step of forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate, a step of forming a display element electrically connected to the transistor over the crystalline semiconductor substrate, and a crystalline semiconductor substrate And a step of polishing the crystalline semiconductor substrate so that a part of the above is left, and a method for manufacturing a display device. The display device having flexibility after polishing the crystalline semiconductor substrate has flexibility.
上記各作製方法において、表示素子を形成する工程では、発光素子を形成してもよい。このとき、結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有する。当該絶縁膜は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。当該発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。In each of the above manufacturing methods, a light emitting element may be formed in the step of forming a display element. At this time, before the step of polishing the crystalline semiconductor substrate, a step of forming an insulating film over the light emitting element and a step of forming a coloring layer over the insulating film are included. The insulating film has a function of transmitting light emitted from the light emitting element. The light emitting element has a function of emitting light to the colored layer side.
または、上記各作製方法において、表示素子を形成する工程で発光素子を形成する場合、結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、作製基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に着色層を形成する工程と、発光素子と着色層とが互いに向き合うように、結晶性半導体基板と作製基板とを、第1の接着層を用いて貼り合わせる工程と、作製基板と絶縁膜とを分離する工程と、絶縁膜とフィルムとを、第2の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有してもよい。当該絶縁膜及び当該フィルムは、発光素子が発する光を透過する機能を有する。当該発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。Alternatively, in each of the above manufacturing methods, when a light-emitting element is formed in the step of forming a display element, a step of forming a peeling layer over the manufacturing substrate and a step of forming a peeling layer over the peeling layer before the step of polishing the crystalline semiconductor substrate. A step of forming an insulating film, a step of forming a colored layer on the insulating film, and a crystalline semiconductor substrate and a manufacturing substrate using a first adhesive layer so that the light emitting element and the colored layer face each other. The method may include a step of attaching, a step of separating the manufacturing substrate and the insulating film, and a step of attaching the insulating film and the film using a second adhesive layer. The insulating film and the film have a function of transmitting light emitted from the light emitting element. The light emitting element has a function of emitting light to the colored layer side.
上記各作製方法において、結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板であることが好ましく、単結晶シリコンを有することがより好ましい。In each of the above manufacturing methods, the crystalline semiconductor substrate is preferably a single crystal semiconductor substrate, more preferably single crystal silicon.
本発明の一態様は、結晶性基板上にトランジスタを形成する工程と、結晶性基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性基板を研磨し、結晶性半導体基板に厚さ1μm以上100μm以下の部分を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法である。One embodiment of the present invention includes a step of forming a transistor over a crystalline substrate, a step of forming a display element electrically connected to the transistor over the crystalline substrate, polishing the crystalline substrate, and removing the crystalline semiconductor. And a step of forming a portion having a thickness of 1 μm or more and 100 μm or less on a substrate.
本発明の一態様は、結晶性基板上にトランジスタを形成する工程と、結晶性基板上にトランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、結晶性基板の一部が残るように結晶性基板を研磨する工程と、を有する表示装置の作製方法である。結晶性基板を研磨した後の表示装置は可撓性を有する。One embodiment of the present invention includes forming a transistor over a crystalline substrate, forming a display element electrically connected to the transistor over the crystalline substrate, and leaving a part of the crystalline substrate. And a step of polishing a crystalline substrate, which is a method for manufacturing a display device. The display device has flexibility after polishing the crystalline substrate.
トップエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、単結晶シリコンを有することが好ましい。ボトムエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、石英ガラス又はサファイアを有することが好ましい。In the case of a display device having a top emission structure, the crystalline substrate preferably has single crystal silicon. In the case of a display device having a bottom emission structure, the crystalline substrate preferably contains quartz glass or sapphire.
本発明の一態様は、上記の表示装置の作製方法のいずれかを用いて作製された、表示装置である。One embodiment of the present invention is a display device manufactured using any of the above methods for manufacturing a display device.
本発明の一態様は、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、結晶性半導体基板は、1μm以上100μm以下の厚さの部分を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention includes a crystalline semiconductor substrate, a transistor having a channel formation region in the crystalline semiconductor substrate, and a display element electrically connected to the transistor, and the crystalline semiconductor substrate has a thickness of 1 μm or more. A display device having a portion with a thickness of 100 μm or less.
本発明の一態様は、少なくとも一部が可撓性を有する表示装置であり、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention is a display device at least a part of which has flexibility, a crystalline semiconductor substrate, a transistor having a channel formation region in the crystalline semiconductor substrate, and a display element electrically connected to the transistor. And a display device.
本発明の一態様は、少なくとも一部に曲面を有する表示装置であり、結晶性半導体基板と、チャネル形成領域を結晶性半導体基板に有するトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention is a display device having a curved surface at least in part, a crystalline semiconductor substrate, a transistor having a channel formation region in the crystalline semiconductor substrate, and a display element electrically connected to the transistor, And a display device.
上記各表示装置において、表示素子は、発光素子であってもよい。このとき、表示装置は、表示素子上の封止層と、封止層上の着色層と、を有していてもよい。着色層は、発光素子と重なる部分を有する。封止層は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。さらに、着色層上の絶縁膜と、絶縁膜上の接着層と、接着層上の可撓性を有する基板と、を有していてもよい。In each of the above display devices, the display element may be a light emitting element. At this time, the display device may have a sealing layer on the display element and a colored layer on the sealing layer. The colored layer has a portion overlapping with the light-emitting element. The sealing layer has a function of transmitting light emitted from the light emitting element. The light emitting element has a function of emitting light to the colored layer side. Further, an insulating film over the coloring layer, an adhesive layer over the insulating film, and a flexible substrate over the adhesive layer may be provided.
上記各表示装置において、結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板であることが好ましく、単結晶シリコンを有することがより好ましい。In each of the above display devices, the crystalline semiconductor substrate is preferably a single crystal semiconductor substrate, more preferably single crystal silicon.
上記各表示装置において、結晶性半導体基板と可撓性を有する基板との間に位置するタッチセンサを有していてもよい。Each of the above display devices may include a touch sensor positioned between the crystalline semiconductor substrate and the flexible substrate.
本発明の一態様は、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、結晶性基板は、1μm以上100μm以下の厚さの部分を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention includes a crystalline substrate, a transistor over the crystalline substrate, and a display element electrically connected to the transistor, and the crystalline substrate has a portion with a thickness of 1 μm to 100 μm inclusive. And a display device.
本発明の一態様は、少なくとも一部が可撓性を有する表示装置であり、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention is a display device at least a part of which has flexibility, the display device including a crystalline substrate, a transistor over the crystalline substrate, and a display element electrically connected to the transistor. It is a device.
本発明の一態様は、少なくとも一部に曲面を有する表示装置であり、結晶性基板と、結晶性基板上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有する、表示装置である。One embodiment of the present invention is a display device having a curved surface at least in part, which includes a crystalline substrate, a transistor over the crystalline substrate, and a display element electrically connected to the transistor. is there.
上記結晶性基板を有する各表示装置は、表示素子上の封止層と、封止層上の着色層と、を有していてもよい。表示素子は、発光素子であってもよい。このとき、着色層は、発光素子と重なる部分を有する。封止層は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。さらに、表示装置は、着色層上の絶縁膜と、絶縁膜上の接着層と、接着層上の可撓性を有する基板と、を有していてもよい。Each display device including the crystalline substrate may include a sealing layer on the display element and a colored layer on the sealing layer. The display element may be a light emitting element. At this time, the colored layer has a portion overlapping with the light-emitting element. The sealing layer has a function of transmitting light emitted from the light emitting element. The light emitting element has a function of emitting light to the colored layer side. Further, the display device may include an insulating film over the coloring layer, an adhesive layer over the insulating film, and a flexible substrate over the adhesive layer.
上記結晶性基板を有する各表示装置において、表示素子が発光素子である場合、結晶性基板と発光素子の間に位置する着色層を有していてもよい。結晶性基板は、発光素子が発する光を透過する機能を有する。発光素子は、着色層側に光を射出する機能を有する。In each display device including the crystalline substrate, when the display element is a light emitting element, the display element may have a colored layer located between the crystalline substrate and the light emitting element. The crystalline substrate has a function of transmitting light emitted from the light emitting element. The light emitting element has a function of emitting light to the colored layer side.
トップエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、単結晶シリコンを有することが好ましい。ボトムエミッション構造の表示装置の場合、結晶性基板は、石英又はサファイアを有することが好ましい。In the case of a display device having a top emission structure, the crystalline substrate preferably has single crystal silicon. In the case of a display device having a bottom emission structure, the crystalline substrate preferably has quartz or sapphire.
上記各表示装置の精細度は、400ppi以上4000ppi以下であることが好ましい。The definition of each display device is preferably 400 ppi or more and 4000 ppi or less.
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置を有し、FPC(Flexible printed circuit)もしくはTCP(Tape Carrier Package)などのコネクタが取り付けられたモジュール、又はCOG(Chip On Glass)方式、COF(Chip On Film)方式等によりICが実装されたモジュール等のモジュールである。One embodiment of the present invention includes a display device having any of the above structures and a module to which a connector such as an FPC (Flexible printed circuit) or a TCP (Tape Carrier Package) is attached, or a COG (Chip On Glass) system. , COF (Chip On Film) method, etc., and a module such as a module in which an IC is mounted.
本発明の一態様では、上記のいずれかの構成又は作製方法が、表示装置でなく、発光装置又は入出力装置(タッチパネルなど)に適用されていてもよい。In one embodiment of the present invention, any of the above structures or manufacturing methods may be applied to a light-emitting device or an input/output device (touch panel or the like) instead of the display device.
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する電子機器である。One embodiment of the present invention is an electronic device including any of the above display devices and at least one of an antenna, a battery, a housing, a camera, a speaker, a microphone, and an operation button.
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、ヘッドマウントディスプレイである。One embodiment of the present invention is a head-mounted display including any of the above display devices and at least one of an antenna, a battery, a camera, a speaker, headphones, earphones, a microphone, and an operation button. ..
本発明の一態様は、左目用の表示部と、右目用の表示部と、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有し、左目用の表示部及び右目用の表示部は、それぞれ、上記のいずれかの構成の表示装置を有する、ヘッドマウントディスプレイである。One embodiment of the present invention includes a left-eye display portion, a right-eye display portion, and at least one of an antenna, a battery, a camera, a speaker, headphones, earphones, a microphone, and an operation button. The display unit for and the display unit for the right eye are head mounted displays each having the display device having any one of the above configurations.
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、レンズ、ミラー、プリズム、アンテナ、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、プロジェクターである。One embodiment of the present invention is a projector including a display device having any of the above structures and at least one of a lens, a mirror, a prism, an antenna, and an operation button.
本発明の一態様により、精細度が極めて高く、可撓性を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、精細度が極めて高く、曲面を有する表示装置を提供できる。According to one embodiment of the present invention, a display device having extremely high definition and flexibility can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device having extremely high definition and a curved surface can be provided.
本発明の一態様により、小型であり、可撓性を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、小型であり、曲面を有する表示装置を提供できる。According to one embodiment of the present invention, a small-sized and flexible display device can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device which is small and has a curved surface can be provided.
本発明の一態様により、精細度又は解像度の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、小型又は軽量な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、厚さが薄い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、可撓性を有する、又は曲面を有する表示装置を提供できる。本発明の一態様により、使用者は、二次元画像に強い立体感もしくは奥行き感を得ることができる。本発明の一態様により、破損しにくい表示装置を提供できる。本発明の一態様により、消費電力が低い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。According to one embodiment of the present invention, a display device with high definition or high resolution can be provided. According to one embodiment of the present invention, a small or lightweight display device can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device having a small thickness can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device having flexibility or a curved surface can be provided. According to one embodiment of the present invention, a user can obtain a strong stereoscopic effect or depth feeling in a two-dimensional image. According to one embodiment of the present invention, a display device which is less likely to be damaged can be provided. According to one embodiment of the present invention, a display device with low power consumption can be provided. According to one embodiment of the present invention, a highly reliable display device can be provided.
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。Note that the description of these effects does not disturb the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have to have all of these effects. It is possible to extract effects other than these from the description, drawings, and claims.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。Note that in the structures of the invention described below, the same reference numerals are commonly used in different drawings for the same portions or portions having similar functions, and repeated description thereof is omitted. Further, when referring to the same function, the hatch pattern may be the same and may not be given a reference numeral.
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。In addition, the position, size, range, and the like of each configuration illustrated in the drawings may not represent the actual position, size, range, or the like for easy understanding. Therefore, the disclosed invention is not necessarily limited to the position, size, range, or the like disclosed in the drawings.
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電膜」という用語を、「導電層」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁層」という用語を、「絶縁膜」という用語に変更することが可能である。Note that the term “film” and the term “layer” can be interchanged with each other depending on the case or circumstances. For example, the term "conductive film" can be changed to the term "conductive layer". Alternatively, for example, the term “insulating layer” can be changed to the term “insulating film”.
なお、本明細書中において、「基板」は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを支持する機能を有することが好ましい。なお、「基板」は、これらを支持する機能を有していなくてもよく、例えば、装置の表面を保護する機能、又は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを封止する機能等を有していてもよい。In the present specification, the “substrate” preferably has a function of supporting at least one of a functional circuit, a functional element, a functional film, and the like. Note that the “substrate” does not have to have a function of supporting these, and for example, has a function of protecting the surface of the device or at least one of a functional circuit, a functional element, a functional film, and the like. It may have a function of stopping.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図1〜図23を用いて説明する。(Embodiment 1)
In this embodiment, a display device of one embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIGS.
表示装置の基板には、ガラス基板が用いられることが多い。しかし、表示装置の作製における加熱工程によって、ガラスは収縮する場合がある。ガラスの熱収縮は、熱処理によるガラスの構造緩和に由来する。具体的には、ガラスを加熱することによって、ガラスの構造がより安定な状態に緩和して高密度化する(つまり収縮する)。A glass substrate is often used as the substrate of the display device. However, the glass may shrink due to the heating step in manufacturing the display device. The heat shrinkage of glass is derived from the structural relaxation of glass by heat treatment. Specifically, by heating the glass, the structure of the glass is relaxed to a more stable state and densified (ie, contracted).
精細度の高い表示装置の作製には、微細な加工が必要となるため、加熱工程により基板が収縮すると、パターンにずれが生じ、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下につながる。Since fine processing is required to manufacture a display device with high definition, when the substrate shrinks in the heating step, a pattern shift occurs, which deteriorates the characteristics of the transistor or the display element or lowers the yield of the manufacturing process. Lead to
例えば、低温ポリシリコンを用いたトランジスタを作製する場合、作製工程の最高温度が600℃程度となることもあるため、ガラス基板の熱収縮の問題が顕著となる。For example, when a transistor using low-temperature polysilicon is manufactured, the maximum temperature in the manufacturing process may be about 600° C., so that the problem of heat shrinkage of a glass substrate becomes significant.
そこで、本発明の一態様では、熱収縮の少ない基板を用いる。例えば、チャネル形成領域を熱収縮の少ない基板に有するトランジスタを形成する。または、熱収縮の少ない基板上に、トランジスタ及び表示素子を形成する。Therefore, in one embodiment of the present invention, a substrate with less heat shrinkage is used. For example, a transistor including a channel formation region over a substrate with less heat shrinkage is formed. Alternatively, the transistor and the display element are formed over a substrate which is less likely to shrink due to heat.
本発明の一態様では、熱収縮の少ない基板として、結晶性基板を用いる。結晶性基板を用いることで、基板の熱収縮が原因でパターンにずれが生じることを抑制できる。これにより、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制できる。本発明の一態様を適用することで、精細度が極めて高い表示装置を作製することができる。具体的には、本発明の一態様を適用することで、400ppi以上4000ppi以下、又は4000ppi以上の精細度の表示装置を作製することができる。According to one embodiment of the present invention, a crystalline substrate is used as the substrate with less heat shrinkage. By using the crystalline substrate, it is possible to prevent the pattern from being displaced due to the thermal contraction of the substrate. Accordingly, deterioration in characteristics of the transistor or the display element or reduction in yield of the manufacturing process can be suppressed. By applying one embodiment of the present invention, a display device with extremely high definition can be manufactured. Specifically, by applying one embodiment of the present invention, a display device having a definition of 400 ppi or more and 4000 ppi or less, or 4000 ppi or more can be manufactured.
表示装置の精細度が高いと、使用者は、二次元画像に立体感を得ることができる。本発明の一態様の表示装置は、高い精細度を有するため、複雑な構成(例えば、両眼視差を含む画像、又は立体視用のメガネ)を用いなくとも、使用者が画像に立体感を得ることができる。When the definition of the display device is high, the user can obtain a stereoscopic effect in the two-dimensional image. Since the display device of one embodiment of the present invention has high definition, the user can obtain a stereoscopic effect on an image without using a complicated structure (for example, an image including binocular parallax or glasses for stereoscopic vision). Obtainable.
また、表示装置は、画素数が多いことが好ましく、例えば、フルハイビジョン、4K、又は8Kの表示を行えることが好ましい。Further, it is preferable that the display device has a large number of pixels, and for example, it is preferable that full display, 4K, or 8K display can be performed.
本発明の一態様の表示装置には、様々な表示素子を用いることができる。例えば、EL素子(有機EL素子及び無機EL素子)等の発光素子、液晶素子、電気泳動素子、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子等が挙げられる。Various display elements can be used for the display device of one embodiment of the present invention. Examples thereof include light emitting elements such as EL elements (organic EL elements and inorganic EL elements), liquid crystal elements, electrophoretic elements, and display elements using MEMS (micro electro mechanical system).
特に、液晶素子及び有機EL素子は、高精細化が容易であるため、好ましい。さらに、有機EL素子を用いると、液晶素子を用いる場合に比べて、表示装置の使用者が、画像に、強い立体感又は奥行き感を得ることができるため、好ましい。また、有機EL素子は、液晶素子に比べて、フレキシブル化が容易であるため、好ましい。In particular, a liquid crystal element and an organic EL element are preferable because high definition can be easily achieved. Further, the use of the organic EL element is preferable because the user of the display device can obtain a strong stereoscopic effect or depth feeling in the image as compared with the case of using the liquid crystal element. Further, the organic EL element is preferable because it can be easily made flexible as compared with the liquid crystal element.
結晶性基板としては、例えば、単結晶基板、多結晶基板、化合物基板、及び酸化物基板等を用いることができる。具体的には、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、SiC、SiO2、GaAs、InAs、InP、GaSb、InSb、GaN、AlN、GaP、GaInAsP、Al2O3(サファイア)、CdSe、CdS、ZnSe、ZnTe、ZnS、MgO、SrTiO3、又はZnO等を有する結晶性基板を用いることができる。As the crystalline substrate, for example, a single crystal substrate, a polycrystalline substrate, a compound substrate, an oxide substrate, or the like can be used. Specifically, silicon (Si), germanium (Ge), silicon germanium (SiGe), SiC, SiO 2 , GaAs, InAs, InP, GaSb, InSb, GaN, AlN, GaP, GaInAsP, Al 2 O 3 (sapphire). ), CdSe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, MgO, SrTiO 3 , or ZnO, or the like can be used as a crystalline substrate.
特に、シリコンウェハは、ガラスよりも平坦でうねりが少ないため、好ましい。In particular, a silicon wafer is preferable because it is flat and has less waviness than glass.
結晶性基板の熱収縮率は、0ppm/℃より大きく10ppm/℃以下であることが好ましく、0ppm/℃より大きく5ppm/℃以下であることがより好ましく、0ppm/℃より大きく3ppm/℃以下であることがさらに好ましい。The heat shrinkage rate of the crystalline substrate is preferably more than 0 ppm/°C and 10 ppm/°C or less, more preferably more than 0 ppm/°C and 5 ppm/°C or less, and more than 0 ppm/°C and 3 ppm/°C or less. It is more preferable that there is.
結晶性基板としては、特に、単結晶基板を用いることが好ましい。例えば、単結晶半導体基板、単結晶金属基板、人工水晶(石英の単結晶)基板等を用いることができる。As the crystalline substrate, it is particularly preferable to use a single crystal substrate. For example, a single crystal semiconductor substrate, a single crystal metal substrate, an artificial quartz (quartz single crystal) substrate, or the like can be used.
なお、トランジスタのチャネル形成領域を結晶性基板に形成する場合は、結晶性半導体基板を用いる。結晶性半導体基板の材料としては、例えば、Si、Ge、SiGe、SiC等を好適に用いることができる。特に、単結晶半導体基板を用いることが好ましく、単結晶シリコン基板を用いることがより好ましい。Note that when a channel formation region of a transistor is formed over a crystalline substrate, a crystalline semiconductor substrate is used. As the material of the crystalline semiconductor substrate, for example, Si, Ge, SiGe, SiC or the like can be preferably used. In particular, a single crystal semiconductor substrate is preferably used, and a single crystal silicon substrate is more preferably used.
さらに、本発明の一態様では、トランジスタ及び表示素子等を作製した後に、結晶性基板を研磨する。例えば、表示装置が可撓性を有する程度に、又は、結晶性基板が1μm以上100μm以下の厚さの部分を有するように、結晶性基板を研磨する。Further, in one embodiment of the present invention, the crystalline substrate is polished after the transistor, the display element, and the like are manufactured. For example, the crystalline substrate is polished such that the display device has flexibility or the crystalline substrate has a portion with a thickness of 1 μm to 100 μm inclusive.
これにより、精細度が極めて高い表示装置の小型化、軽量化、薄型化、又はフレキシブル化が可能となる。本発明の一態様を適用して作製された表示装置は、使用者が繰り返し曲げることができてもよい。または、該表示装置は、1度曲げられることで、その曲がった状態(曲面を有する状態)を維持することができてもよい。または、該表示装置は、曲がらなくてもよい。As a result, it becomes possible to reduce the size, weight, thickness, or flexibility of a display device having extremely high definition. A display device manufactured by applying one embodiment of the present invention may be repeatedly bendable by a user. Alternatively, the display device may be able to maintain the bent state (state having a curved surface) by being bent once. Alternatively, the display device need not bend.
なお、本発明の一態様では、可撓性を有する結晶性基板上に、トランジスタ及び表示素子等を作製してもよい。この場合、トランジスタ及び表示素子等を作製した後に、結晶性基板を研磨しなくてもよい。または、可撓性を有する結晶性基板を研磨し、さらに薄型化、軽量化、又はフレキシブル化を図ってもよい。なお、表示装置の作製工程及び搬送を容易とするため、トランジスタ及び表示素子等を作製する時点では、結晶性基板は十分な厚さを有していることが好ましく、素子の形成工程後に、該結晶性基板を研磨する等によって、厚さを薄くすることが好ましい。Note that in one embodiment of the present invention, a transistor, a display element, or the like may be manufactured over a flexible crystalline substrate. In this case, the crystalline substrate does not need to be polished after the transistor, the display element, and the like are manufactured. Alternatively, a flexible crystalline substrate may be polished to further reduce the thickness, the weight, or the flexibility. Note that in order to facilitate the manufacturing process and the transportation of the display device, the crystalline substrate preferably has a sufficient thickness at the time of manufacturing the transistor, the display element, and the like. It is preferable to reduce the thickness by polishing the crystalline substrate.
本発明の一態様の表示装置は、小型及び薄型にすることが容易であるため、軽量化が可能であり、携帯用途の電子機器やウェアラブルディスプレイに好適に用いることができる。Since the display device of one embodiment of the present invention can be easily reduced in size and thickness, it can be reduced in weight and can be preferably used for an electronic device for a portable application or a wearable display.
以下では、本発明の一態様の表示装置の構成例を説明する。Hereinafter, a structural example of the display device of one embodiment of the present invention will be described.
まず、図2(A)〜(C)に、本発明の一態様の表示装置の上面図をそれぞれ示す。First, FIGS. 2A to 2C are top views of a display device of one embodiment of the present invention.
図2(A)では、結晶性半導体基板101上に画素部160が設けられている。画素部160は、結晶性半導体基板101と接着層196と可撓性基板191とによって封止されている。図2(A)では、結晶性半導体基板101上の接着層196と可撓性基板191とによって封止されている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路4003及び走査線駆動回路4004が実装されている。信号線駆動回路4003及び走査線駆動回路4004は、それぞれ、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体を用いて形成されている。また、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、又は画素部160に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018a、FPC4018bから供給されている。なお、本明細書中では、可撓性を有する基板を、可撓性基板とも記す。In FIG. 2A, the
図2(B)、(C)では、結晶性半導体基板101上に画素部160と、走査線駆動回路150とが設けられている。画素部160と、走査線駆動回路150とは、結晶性半導体基板101と接着層196と可撓性基板191とによって封止されている。図2(B)、(C)では、結晶性半導体基板101上の接着層196と可撓性基板191とによって封止されている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路4003が実装されている。信号線駆動回路4003は、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半導体を用いて形成されている。図2(B)、(C)では、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、又は画素部160に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。2B and 2C, the
図2(B)、(C)では、信号線駆動回路4003を別途形成し、結晶性半導体基板101に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装してもよい。2B and 2C illustrate an example in which the signal
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンディング、COG、TCP、COF等を用いることができる。図2(A)は、COGにより信号線駆動回路4003及び走査線駆動回路4004を実装する例であり、図2(B)は、COGにより信号線駆動回路4003を実装する例であり、図2(C)は、TCPにより信号線駆動回路4003を実装する例である。The method of connecting the separately formed drive circuit is not particularly limited, and wire bonding, COG, TCP, COF, or the like can be used. 2A shows an example of mounting the signal
結晶性半導体基板101上に設けられた画素部160及び走査線駆動回路150は、トランジスタを複数有する。The
図2(D)〜(F)を用いて、本発明の一態様の表示装置を曲げる例について説明する。An example of bending the display device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図2(D)に示すように、本発明の一態様が適用された表示装置110は、可逆的に曲げることができる。As illustrated in FIG. 2D, the
表示装置110を曲げた状態で保持するために、表示装置110を他の部材で固定してもよい。部材には、ガラス、プラスチック、金属、合金、木材、及び石材等を用いることができる。部材は、単層構造又は積層構造とすることができ、例えば、板、又はフィルム等を積層してもよい。部材を表示装置110の表示面側に重ねて配置する場合、部材は可視光を透過するものとする。部材が可視光を透過しない場合、該部材は、表示装置110の表示面側に重ならないよう、配置する。The
図2(E)に示すように、表示装置110を部材210の曲面に沿って曲げた状態で、部材210に固定してもよい。表示装置110は、着脱可能に固定してもよいし、接着剤などで部材210の曲面に貼り付けてもよい。As shown in FIG. 2E, the
図2(F)に示すように、表示装置110を部材215a、215bの間に挟持して、表示装置110を曲げた状態で固定してもよい。部材215aと部材215bは接着剤などで互いに貼り付けられていてもよい。または、部材215aと部材215bは留め具などにより着脱可能に固定されていてもよい。As shown in FIG. 2F, the
次に、本発明の一態様の表示装置の断面構成例と、作製方法について説明する。Next, an example of a cross-sectional structure of a display device of one embodiment of the present invention and a manufacturing method will be described.
<断面構成例1>
図1に、図2(B)における走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。<Cross section configuration example 1>
FIG. 1 is a cross-sectional view of the scan
図1では、結晶性半導体基板101、トランジスタ151n、トランジスタ151p、トランジスタ161、トランジスタ162、素子分離領域118、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 1, the
結晶性半導体基板101にトランジスタのチャネル形成領域を設けることができる。表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性半導体基板101は収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。A channel formation region of a transistor can be provided in the
結晶性半導体基板101は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性半導体基板101の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、1μm以上50μm以下がより好ましい。The
走査線駆動回路150及び画素部160は、それぞれ、p型のトランジスタのみを有していてもよく、n型のトランジスタのみを有していてもよく、p型のトランジスタとn型のトランジスタの両方を有していてもよい。図1では、走査線駆動回路150において、結晶性半導体基板101上にp型のトランジスタ151pとn型のトランジスタ151nとが設けられている例を示す。また、図1では、画素部160において、結晶性半導体基板101上にそれぞれn型の、トランジスタ161及びトランジスタ162が設けられている例を示す。The scan
トランジスタ151pは、p型のトランジスタである。トランジスタ151pは、nウェル112n、p型不純物領域113p、LDD(Lightly Doped Drain)領域114p、ゲート絶縁膜115、ゲート116a、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123a、導電膜123b、導電膜124a、及び導電膜124bを有する。The
トランジスタ151pが有するp型不純物領域113pの一方は、導電膜123aを介して、絶縁膜122上の導電膜124aと電気的に接続されており、他方は、導電膜123bを介して、絶縁膜122上の導電膜124bと電気的に接続されている。One of the p-
トランジスタ151nは、n型のトランジスタである。トランジスタ151nは、pウェル112p、n型不純物領域113n、LDD領域114n、ゲート絶縁膜115、ゲート116b、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123c、導電膜123d、導電膜124c、及び導電膜124dを有する。The
トランジスタ151nが有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123cを介して、絶縁膜122上の導電膜124cと電気的に接続されており、他方は、導電膜123dを介して、絶縁膜122上の導電膜124dと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ161は、n型のトランジスタである。トランジスタ161は、pウェル112p、n型不純物領域113n、LDD領域114n、ゲート絶縁膜115、ゲート116c、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123e、導電膜123f、導電膜124e、及び導電膜124fを有する。The
トランジスタ161が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123eを介して、絶縁膜122上の導電膜124eと電気的に接続されており、他方は、導電膜123fを介して、絶縁膜122上の導電膜124fと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ162は、n型のトランジスタである。トランジスタ162は、pウェル112p、n型不純物領域113n、LDD領域114n、ゲート絶縁膜115、ゲート116d、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123g、導電膜123h、導電膜124g、及び導電膜124hを有する。The
トランジスタ162が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123gを介して、絶縁膜122上の導電膜124gと電気的に接続されており、他方は、導電膜123hを介して、絶縁膜122上の導電膜124hと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ161のゲート116cは、トランジスタ162のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、ゲート116cは、導電膜123iを介して、導電膜124gと電気的に接続されている。そして、導電膜124gは、導電膜123gを介して、n型不純物領域113nと電気的に接続されている。The
図1に示すように、同一基板上にp型のトランジスタとn型のトランジスタを形成する場合、結晶性半導体基板101の一部にnウェル112n及びpウェル112pのうち少なくとも一方を形成してもよい。例えば、n型の結晶性半導体基板を用いた場合、結晶性半導体基板101にp型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素を添加してpウェル112pを形成してもよい。同様に、例えば、p型の結晶性半導体基板を用いた場合、結晶性半導体基板101にn型の導電性を付与するリンなどの不純物元素を添加してnウェル112nを形成してもよい。As shown in FIG. 1, when a p-type transistor and an n-type transistor are formed on the same substrate, even if at least one of the
各トランジスタは一対のn型不純物領域113n又は一対のp型不純物領域113pを有する。一対の不純物領域の一方は、ソース領域として機能し、他方は、ドレイン領域として機能する。n型不純物領域113nには、n型の導電性を付与するリンなどの不純物元素が含まれる。p型不純物領域113pには、p型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素が含まれる。Each transistor has a pair of n-
各トランジスタは、低濃度不純物領域を有していてもよい。n型のトランジスタのLDD領域114nには、n型の導電性を付与するリンなどの不純物元素が含まれる。p型のトランジスタのLDD領域114pには、p型の導電性を付与するホウ素などの不純物元素が含まれる。Each transistor may have a low concentration impurity region. The
ゲート絶縁膜115は、結晶性半導体基板101と各トランジスタのゲートの間に位置する。各トランジスタのゲートは、ゲート絶縁膜115を挟んで、結晶性半導体基板101のチャネル形成領域と重なる。The
各トランジスタは、素子分離領域118により電気的に分離されている。素子分離領域118は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法、又はSTI(Shallow Trench Isolation)法等を用いて形成することができる。Each transistor is electrically isolated by an
発光素子180は、電極181、EL層183、及び電極185を有する。発光素子180は、着色層195側に光を射出する。The
電極181及び電極185のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極181及び電極185の間に、発光素子180の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層183に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層183において再結合し、EL層183に含まれる発光物質が発光する。One of the
トランジスタ161のソース又はドレインは、導電膜127を介して、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The source or the drain of the
絶縁膜122及び絶縁膜125等の上面には、必要に応じてCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。It is preferable that the upper surfaces of the insulating
電極181は画素電極として機能し、発光素子180ごとに設けられている。隣り合う2つの電極181は、絶縁膜128によって電気的に絶縁されている。電極185は、共通電極として機能し、複数の発光素子180にわたって設けられている。The
図1では、絶縁膜128が無機絶縁膜である例を示すが、絶縁膜128は有機絶縁膜であってもよい。Although the insulating
結晶性半導体基板101とは異なる基板上で作製された、絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195は、接着層196によって、結晶性半導体基板101と貼り合わされている。トランジスタ等に比べて微細な加工が必要とされない機能素子又は機能膜のみを基板上に作製する場合は、基板の熱収縮の影響を受けにくいこともある。そのため、絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195等は、結晶性基板上に作製しなくても構わない。なお、作製において微細な加工が必要な場合は、絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195等も、結晶性基板上に作製することが好ましい。The insulating
例えば、可撓性基板191上に、絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195を直接形成してもよい。なお、発光素子又はトランジスタが、水分等の不純物により劣化しやすい場合、可撓性基板191のガスバリア性が低いと、表示装置の信頼性が不十分となる場合がある。可撓性基板191にガスバリア性が低い材料(有機樹脂など)を用いる場合には、絶縁膜193のガスバリア性が高いことが好ましい。図1に示す構成は、例えば、作製基板上で作製した絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195を接着層196で結晶性半導体基板101上に転置した後、作製基板を剥離し、絶縁膜193と可撓性基板191とを接着層192で貼り合わせることで作製できる。耐熱性の高い作製基板上で高温をかけて絶縁膜193を形成することで、絶縁膜193のガスバリア性を高めることができる。For example, the insulating
発光素子180は、接着層196を介して着色層195と重なる。絶縁膜128は、接着層196を介して遮光層194と重なる。The
<断面構成例1の作製方法>
図3〜図5を用いて、断面構成例1(図1)の作製方法の一例を説明する。<Fabrication Method of Sectional Configuration Example 1>
An example of a method for manufacturing the cross-sectional structure example 1 (FIG. 1) will be described with reference to FIGS.
まず、図3(A)に示すように、結晶性半導体基板101上に、トランジスタ151p、151n、161、162、絶縁膜125、及び発光素子180等を作製する。First, as illustrated in FIG. 3A, the
また、図3(B)に示すように、作製基板911上に、剥離層992を形成する。次に、剥離層992上に絶縁膜193を形成する。次に、絶縁膜193上に遮光層194及び着色層195を形成する。Further, as illustrated in FIG. 3B, a
作製基板911には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板911としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。As the
なお、量産性を向上させるため、作製基板911として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第3世代(550mm×650mm)以上第10世代(2950mm×3400mm)以下のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板を用いることが好ましい。Note that in order to improve mass productivity, a large glass substrate is preferably used as the
作製基板911にガラス基板を用いる場合、作製基板911と剥離層992との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。When a glass substrate is used as the
剥離層992は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、In−Ga−Zn酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層992に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥離層の形成工程の自由度が高まるため好ましい。The
剥離層992は、例えばスパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法(スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む)、印刷法等により形成できる。剥離層992の厚さは例えば1nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上100nm以下とする。The
剥離層992が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。When the
また、剥離層992として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理又は加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理又は加熱処理により、剥離層992の表面状態を変えることで、剥離層992と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。In the case of forming a stacked-layer structure of a layer containing tungsten and a layer containing an oxide of tungsten as the
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射又は加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上にトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。Note that when peeling is possible at the interface between the formation substrate and the layer to be peeled, the peeling layer may not be provided. For example, glass is used as a manufacturing substrate, and an organic resin such as polyimide, polyester, polyolefin, polyamide, polycarbonate, or acrylic is formed in contact with the glass. Next, laser irradiation or heat treatment is performed to improve the adhesion between the formation substrate and the organic resin. Then, a transistor or the like is formed on the organic resin. After that, laser irradiation is performed with an energy density higher than that of the above laser irradiation, or heat treatment is performed at a temperature higher than that of the above heat treatment, whereby separation can be performed at the interface between the formation substrate and the organic resin. Further, at the time of peeling, a liquid may be permeated into the interface between the production substrate and the organic resin for separation.
なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。Note that the organic resin may be used as a substrate forming a device, or the organic resin may be removed and another substrate may be attached to the exposed surface of the layer to be peeled with an adhesive.
または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。Alternatively, a metal layer may be provided between the formation substrate and the organic resin, and the metal layer may be heated by applying an electric current to the metal layer, and peeling may be performed at the interface between the metal layer and the organic resin.
被剥離層として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層として、剥離層992上に接する絶縁膜193と、遮光層194と、着色層195と、を作製する。The layer formed as the layer to be peeled is not particularly limited. In this embodiment mode, an insulating
絶縁膜193は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。The insulating
絶縁膜193は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃以下として形成することで、緻密で非常にガスバリア性の高い膜とすることができる。なお、絶縁膜193の厚さは10nm以上3000nm以下、さらには200nm以上1500nm以下が好ましい。The insulating
次に、図4に示すように、結晶性半導体基板101と作製基板911とを、接着層196を用いて貼り合わせる。Next, as illustrated in FIG. 4, the
次に、レーザ光又は鋭利な刃物等を用いて、剥離の起点を形成する。剥離層992にクラックを入れる(膜割れ又はひびを生じさせる)ことで、剥離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照射によって、絶縁膜193に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。Next, the starting point of peeling is formed using laser light or a sharp blade or the like. By forming a crack in the peeling layer 992 (making a film crack or a crack), a peeling starting point can be formed. For example, by irradiation with laser light, part of the film included in the insulating
そして、形成した剥離の起点から、物理的な力(人間の手もしくは治具で引き剥がす処理、又は、基板に密着させたローラーを回転させることで分離する処理等)によって絶縁膜193と作製基板911とを分離する。図5の上部に、絶縁膜193から分離された剥離層992と作製基板911を示す。その後、露出した絶縁膜193と、可撓性基板191とを、接着層192を用いて貼り合わせる(図5)。Then, from the starting point of the formed peeling, the insulating
最後に、結晶性半導体基板101を研磨又は研削し、厚さを薄くする。図5では、研磨する前の結晶性半導体基板101の厚さを点線で示している。Finally, the
以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、結晶性基板を用いるため、加熱処理を施しても基板の熱収縮の影響を受けにくく、精細度が極めて高い表示装置を歩留まりよく作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板を剥離し、可撓性基板を貼ること、及び結晶性基板を研磨することにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。As described above, in the method for manufacturing a display device of one embodiment of the present invention, a crystalline substrate is used; therefore, even if heat treatment is performed, the display device is unlikely to be affected by thermal contraction of the substrate and has a very high definition. It can be manufactured well. In addition, a high-reliability display device can be manufactured by forming a high-temperature insulating film over a manufacturing substrate. Further, by peeling the manufacturing substrate, attaching a flexible substrate, and polishing the crystalline substrate, the display device can be thin, lightweight, and flexible.
以下に、断面構成例1とは異なる断面構成例を示す。なお、断面構成例1と同様の部分については、詳細な説明を省略する場合がある。Below, an example of a sectional structure different from the sectional structure example 1 will be shown. Note that detailed description may be omitted for the same parts as in the cross-sectional configuration example 1.
<断面構成例2>
図6(A)、(B)に、図1とは異なる画素部の断面図を示す。断面構成例2は、トランジスタ163、164を有する点で、図1の構成と異なる。<Cross section configuration example 2>
6A and 6B are cross-sectional views of a pixel portion which is different from that in FIG. The cross-sectional configuration example 2 is different from the configuration in FIG. 1 in that the
図6(A)は、トランジスタ163のチャネル長方向の断面図であり、図6(B)は、トランジスタ163のチャネル幅方向の断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view of the
図6(A)では、結晶性半導体基板101、トランジスタ163、トランジスタ164、素子分離領域118、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 6A, the
表示装置には、トランジスタ163及びトランジスタ164のようなFin型のトランジスタを用いてもよい。トランジスタをFin型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大し、トランジスタのオン特性を向上させることができる。また、ゲートの電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタのオフ特性を向上させることができる。Fin-type transistors such as the
図6(B)に示すトランジスタ163では、結晶性半導体基板101の一部が凸形状を有し、その側面及び上面に沿ってゲート絶縁膜115及びゲート116cが設けられている。このように、Fin型のトランジスタでは、チャネル形成領域における凸部の側部及び上部と、ゲートとがゲート絶縁膜を間に挟んで重なることで、チャネル形成領域の側部と上部を含めた広い範囲においてキャリアが流れる。そのため、トランジスタの結晶性基板上における占有面積を小さく抑えつつ、トランジスタにおけるキャリアの移動量を増加させることができる。その結果、トランジスタは、オン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高められる。In the
本構成例では、半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、SOI(Silicon on Insulator)基板を加工して凸形状を有する半導体膜を形成してもよい。In this configuration example, the case where the convex portion is formed by processing a part of the semiconductor substrate is shown, but an SOI (Silicon on Insulator) substrate may be processed to form a semiconductor film having a convex shape.
トランジスタ163は、n型のトランジスタである。トランジスタ163は、n型不純物領域113n、LDD領域114n、ゲート絶縁膜115、ゲート116c、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123e、導電膜123f、導電膜124e、導電膜124f、導電膜129e、及び導電膜129fを有する。The
トランジスタ163が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123e及び導電膜129eを介して、絶縁膜122上の導電膜124eと電気的に接続されており、他方は、導電膜123f及び導電膜129fを介して、絶縁膜122上の導電膜124fと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ164は、n型のトランジスタである。トランジスタ164は、n型不純物領域113n、LDD領域114n、ゲート絶縁膜115、ゲート116d、サイドウォール117、絶縁膜121、絶縁膜122、導電膜123g、導電膜123h、導電膜124g、導電膜124h、導電膜129g、及び導電膜129hを有する。The
トランジスタ164が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123g及び導電膜129gを介して、絶縁膜122上の導電膜124gと電気的に接続されており、他方は、導電膜123h及び導電膜129hを介して、絶縁膜122上の導電膜124hと電気的に接続されている。One of the n-
図6(A)に示すように、トランジスタ163のゲート116cは、トランジスタ164のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、図6(A)、(B)に示すように、ゲート116cは、導電膜123i及び導電膜129iを介して、導電膜124gと電気的に接続されている。そして、図6(A)に示すように、導電膜124gは、導電膜123g及び導電膜129gを介して、n型不純物領域113nと電気的に接続されている。As illustrated in FIG. 6A, the
トランジスタ163のソース又はドレインは、導電膜126及び導電膜127を介して、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The source or the drain of the
図6(A)では、絶縁膜128が有機絶縁膜である例を示す。FIG. 6A shows an example in which the insulating
<断面構成例3>
図7に、図1とは異なる画素部の断面図を示す。<Cross section configuration example 3>
FIG. 7 shows a cross-sectional view of a pixel portion different from that in FIG.
図7は、発光素子上に絶縁膜197を有し、絶縁膜197上に着色層を有する点で、図1と異なる。7 is different from FIG. 1 in that an insulating
図7では、結晶性半導体基板101、トランジスタ161、トランジスタ162、素子分離領域118、発光素子180G、発光素子180R、着色層195R、着色層195G、絶縁膜197等を示している。FIG. 7 illustrates the
図7では、隣り合う赤色の副画素と緑色の副画素の断面図を示すが、画素を構成する副画素の色及び配列に限定はない。7A and 7B show cross-sectional views of the red subpixel and the green subpixel which are adjacent to each other, the color and arrangement of the subpixels included in the pixel are not limited.
赤色の副画素は、発光素子180Rを有する。緑色の副画素は発光素子180Gを有する。発光素子180Rと発光素子180Gは、EL層183を構成する少なくとも1層(例えば発光層)の材料が異なる、又は、それぞれマイクロキャビティ構造が適用されている、等によって、互いに異なる色を呈する光を射出することができてもよい。発光素子180Rから射出された光が着色層195Rを通ることで、赤色の副画素からは赤色を呈する光が取り出される。同様に、発光素子180Gから射出された光が着色層195Gを通ることで、緑色の副画素からは緑色を呈する光が取り出される。The red subpixel has a
または、発光素子180Rと発光素子180Gは、同一の構成であってもよい。例えば、発光素子180Rと発光素子180Gは、いずれも白色を呈する光を射出する構成であってもよい。発光素子180Rから射出された白色を呈する光が着色層195Rを通ることで、赤色の副画素からは赤色を呈する光が取り出される。同様に、発光素子180Gから射出された白色を呈する光が着色層195Gを通ることで、緑色の副画素からは緑色を呈する光が取り出される。Alternatively, the
発光素子180R上及び発光素子180G上には、絶縁膜197が設けられている。発光素子180R上には、絶縁膜197を介して、着色層195Rが設けられている。発光素子180G上には、絶縁膜197を介して、着色層195Gが設けられている。An insulating
図7に示すように、発光素子上に、ガスバリア性の高い絶縁膜197を形成し、絶縁膜197上に着色層を形成してもよい。絶縁膜197は、発光素子の封止層として機能する。封止層を設けることで、封止のための基板を別途設ける必要がなくなるため、表示装置の薄型化、軽量化、又はフレキシブル化等が容易となる。また、着色層を発光素子とは異なる基板に形成した場合、表示装置の精細度が高いほど、発光素子と着色層の位置を合わせるために、基板の貼り合わせの精度を高める必要がある。一方、図7の構成では、発光素子上に絶縁膜197を介して着色層を直接形成できるため、高精度で基板を貼り合わせる技術が不要であり、所望の領域に着色層を形成することが容易となる。As shown in FIG. 7, an insulating
なお、封止性能を高めるため、発光素子上に封止層を設け、さらに、接着層を用いて封止のための可撓性基板を貼り合わせてもよい。つまり、図1等において、発光素子180と接着層196との間に封止層を設けてもよい。Note that in order to improve the sealing performance, a sealing layer may be provided over the light-emitting element, and a flexible substrate for sealing may be attached to the light-emitting element using an adhesive layer. That is, in FIG. 1 and the like, a sealing layer may be provided between the light emitting
図7に示すトランジスタ161及びトランジスタ162の構成は、図1と同様である。The configurations of the
<断面構成例4>
図8に、図1とは異なる走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。<Cross section configuration example 4>
FIG. 8 is a cross-sectional view of the scan
図8は、カラーフィルタ方式でなく、塗り分け方式が適用されている点で、図1と異なる。FIG. 8 differs from FIG. 1 in that a coloring method is applied instead of the color filter method.
図8では、結晶性半導体基板101、トランジスタ151n、トランジスタ151p、トランジスタ161、トランジスタ162、素子分離領域118、発光素子180、絶縁膜197等を示している。FIG. 8 illustrates the
図8では、EL層183全体が異なる色の副画素間で塗り分けられている例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。本発明の一態様では、EL層183を構成する少なくとも1層(例えば発光層)が、異なる色の副画素間で塗り分けられる。塗り分け方式を用いることで、カラーフィルタ等の着色層を設ける必要がなく、作製工程の簡略化、コストの削減などが可能となる。Although FIG. 8 illustrates an example in which the
発光素子180上には、絶縁膜197が設けられている。発光素子上に封止層として機能する絶縁膜を設けることで、封止のための基板を別途設ける必要がなくなるため、表示装置の薄型化、軽量化、又はフレキシブル化等が容易となる。発光素子180は、絶縁膜197側に光を射出する。An insulating
図8に示すトランジスタ151n、トランジスタ151p、トランジスタ161、及びトランジスタ162の構成は、図1と同様である。The configurations of the
<断面構成例5>
図9(A)に、図1とは異なる画素部160の断面図を示す。<Cross section configuration example 5>
FIG. 9A is a cross-sectional view of the
図9(A)は、表示素子として、液晶素子を有する点で、図1と異なる。9A is different from FIG. 1 in that a liquid crystal element is included as a display element.
図9(A)では、結晶性半導体基板101、トランジスタ161、トランジスタ162、素子分離領域118、液晶素子250、絶縁膜253、遮光層194、着色層195、オーバーコート255、可撓性基板191等を示している。In FIG. 9A, the
液晶素子250には、FFS(Fringe Field Switching)モードが適用されている。液晶素子250は、導電膜251、導電膜252、及び液晶254を有する。導電膜251と導電膜252との間に生じる電界により、液晶254の配向を制御することができる。導電膜251は、画素電極として機能することができる。導電膜252は、共通電極として機能することができる。A FFS (Fringe Field Switching) mode is applied to the
導電膜251に、可視光を反射する導電性材料を用い、導電膜252に可視光を透過する導電性材料を用いることで、本発明の一態様の表示装置を、反射型の液晶表示装置として機能させることができる。また、結晶性基板が可視光を透過する場合、導電膜251及び導電膜252に、可視光を透過する導電性材料を用いることで、本発明の一態様の表示装置を、透過型の液晶表示装置として機能させることができる。By using a conductive material that reflects visible light for the
可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。As the conductive material that transmits visible light, for example, a material containing one kind selected from indium (In), zinc (Zn), and tin (Sn) may be used. Specifically, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, indium oxide containing tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, Examples thereof include indium tin oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing silicon oxide, zinc oxide, and zinc oxide containing gallium. Note that a film containing graphene can also be used. The film containing graphene can be formed by reducing a film containing graphene oxide, which is formed into a film shape, for example. Alternatively, a semiconductor such as an oxide semiconductor containing an impurity element may be used.
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、又はこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。Examples of the conductive material that reflects visible light include aluminum, silver, and alloys containing these metal materials.
画素電極として機能する導電膜251は、トランジスタ161のソース又はドレインと電気的に接続される。図9(A)では、導電膜251は、導電膜127を介して、導電膜124eと電気的に接続されている。The
導電膜252は、櫛歯状の上面形状(平面形状ともいう)、又はスリットが設けられた上面形状を有する。導電膜251と導電膜252の間には、絶縁膜253が設けられている。導電膜251は、絶縁膜253を介して導電膜252と重なる部分を有する。また、導電膜251と着色層195とが重なる領域において、導電膜251上に導電膜252が配置されていない部分を有する。The
可撓性基板191には、遮光層194、着色層195、オーバーコート255が設けられている。着色層195は、液晶素子250と重なる部分を有する。The
オーバーコート255は、着色層195や遮光層194等に含まれる不純物が液晶254に拡散することを防ぐ機能を有することが好ましい。オーバーコート255は設けなくてもよい。The
なお、液晶254と接する配向膜が設けられていてもよい。配向膜は、液晶254の配向を制御することができる。Note that an alignment film which is in contact with the
また、表示装置は、スペーサ256を有する。スペーサ256は、結晶性半導体基板101と可撓性基板191との距離が一定以上近づくことを防ぐ機能を有する。The display device also includes a
図9(A)では、スペーサ256は、オーバーコート255上に設けられている例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。スペーサ256は、結晶性半導体基板101側に設けられていてもよいし、可撓性基板191側に設けられていてもよい。図9(A)では、スペーサ256が、絶縁膜253及びオーバーコート255と接する例を示すが、結晶性半導体基板101側又は可撓性基板191側のいずれかに設けられた構造物と接していなくてもよい。Although the
スペーサ256として粒状のスペーサを用いてもよい。粒状のスペーサとしては、シリカなどの材料を用いることができる。粒状のスペーサとして、樹脂又はゴムなどの弾性を有する材料を用いることが好ましい。このとき、粒状のスペーサは上下方向に潰れた形状となる場合がある。A granular spacer may be used as the
なお、本発明の一態様の表示装置を、透過型の液晶表示装置として機能させる場合、偏光板を、表示部を挟むように2つ配置する。偏光板よりも外側に配置されたバックライトからの光は偏光板を介して入射される。このとき、導電膜251と導電膜252の間に与える電圧によって液晶254の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板を介して射出される光の強度を制御することができる。また、入射光は着色層195によって特定の波長領域以外の光が吸収されるため、射出される光は例えば赤色、青色、又は緑色を呈する光となる。Note that when the display device of one embodiment of the present invention is made to function as a transmissive liquid crystal display device, two polarizing plates are provided so as to sandwich the display portion. Light from a backlight arranged outside the polarizing plate enters through the polarizing plate. At this time, the orientation of the
また、偏光板に加えて、例えば円偏光板を用いることができる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と1/4波長位相差板を積層したものを用いることができる。円偏光板により、表示装置の表示の視野角依存を低減することができる。Further, in addition to the polarizing plate, for example, a circular polarizing plate can be used. As the circularly polarizing plate, for example, a layered product of a linearly polarizing plate and a quarter wave retardation plate can be used. The circularly polarizing plate can reduce the viewing angle dependence of the display of the display device.
なお、ここでは液晶素子250としてFFSモードが適用された素子を用いたが、これに限られず様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えば、VA(Vertical Alignment)モード、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In−Plane−Switching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro−cell)モード、OCB(Optically Compensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる。Note that here, an element to which the FFS mode is applied is used as the
また、本発明の一態様では、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向(VA)モードを採用した透過型の液晶表示装置を適用してもよい。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASVモードなどを用いることができる。In addition, in one embodiment of the present invention, a normally black liquid crystal display device, for example, a transmissive liquid crystal display device using a vertical alignment (VA) mode may be used. As the vertical alignment mode, MVA (Multi-Domain Vertical Alignment) mode, PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, ASV mode and the like can be used.
なお、液晶素子は、液晶の光学変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。Note that the liquid crystal element is an element which controls transmission or non-transmission of light by an optical modulation action of liquid crystal. Note that the optical modulation action of the liquid crystal is controlled by an electric field applied to the liquid crystal (including a horizontal electric field, a vertical electric field, or an oblique electric field). As the liquid crystal used in the liquid crystal element, thermotropic liquid crystal, low-molecular liquid crystal, polymer liquid crystal, polymer dispersed liquid crystal (PDLC: Polymer Dispersed Liquid Crystal), ferroelectric liquid crystal, antiferroelectric liquid crystal, or the like may be used. You can These liquid crystal materials show a cholesteric phase, a smectic phase, a cubic phase, a chiral nematic phase, an isotropic phase, etc. depending on the conditions.
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶及びネガ型の液晶の中から、適用するモード及び設計等に応じて最適な液晶材料を用いることができる。Further, as the liquid crystal material, an optimum liquid crystal material can be used from positive type liquid crystal and negative type liquid crystal, depending on the mode and design to be applied.
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶254に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良又は破損を軽減することができる。In the case of adopting the horizontal electric field method, liquid crystal exhibiting a blue phase for which an alignment film is unnecessary may be used. The blue phase is one of the liquid crystal phases, and is a phase that appears immediately before the transition from the cholesteric phase to the isotropic phase when the temperature of the cholesteric liquid crystal is increased. Since the blue phase appears only in a narrow temperature range, a liquid crystal composition containing 5% by weight or more of a chiral agent is used for the
ここで、可撓性基板191よりも上部に、指又はスタイラスなどの被検知体が直接触れる基板を設けてもよい。またこのとき、可撓性基板191と当該基板との間に偏光板又は円偏光板を設けることが好ましい。その場合、当該基板上に保護層(セラミックコート等)を設けることが好ましい。保護層は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)などの無機絶縁材料を用いることができる。また、当該基板に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン交換法もしくは風冷強化法等により、物理的又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を加えたものを用いることができる。Here, above the
図9(A)に示すトランジスタ161及びトランジスタ162の構成は、図1と同様である。The structures of the
また、液晶素子の他の構成例について、図9(B)〜(E)に示す。9B to 9E show another structural example of the liquid crystal element.
図9(B)〜(D)に示すように、導電膜251及び導電膜252の双方が、櫛歯状の上面形状(平面形状ともいう)、又はスリットが設けられた上面形状を有していてもよい。As shown in FIGS. 9B to 9D, both the
例えば、上面から見て、一方の導電膜のスリットの端部と、他方の導電膜のスリットの端部が重なる形状であってもよい。この場合の断面図を図9(B)に示す。For example, the shape may be such that the ends of the slits of one conductive film overlap the ends of the slits of the other conductive film when viewed from the top surface. A cross-sectional view in this case is shown in FIG.
または、上面から見て、導電膜251及び導電膜252の双方が設けられていない部分を有していてもよい。この場合の断面図を図9(C)に示す。Alternatively, it may have a portion where neither the
または、上面から見て、導電膜251及び導電膜252が互いに重なる部分を有していてもよい。この場合の断面図を図9(D)に示す。Alternatively, the
図9(E)に示すように、導電膜251は、液晶254を介して導電膜252と重なっていてもよい。つまり、導電膜251が、液晶254よりも結晶性半導体基板101側に設けられ、導電膜252が液晶254よりも可撓性基板191側に設けられていてもよい。また、液晶254中に、樹脂等からなるポリマー壁257を設けてもよい。液晶254と接する一対の層の間(図9(E)では、導電膜251と導電膜252との間)にポリマー壁257を設けることで、可撓性を有する液晶表示装置を曲げた場合でも、一対の基板間の距離を一定に保つことができる。As illustrated in FIG. 9E, the
また、図9(E)に示すように、液晶254と導電膜251との間に、配向膜258を有していてもよい。同様に、液晶254と導電膜252との間に、配向膜259を有していてもよい。Further, as shown in FIG. 9E, an
断面構成例1〜5では、結晶性半導体基板101にトランジスタのチャネル形成領域を設ける例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。以降の断面構成例6〜11では、結晶性基板102上に、別途、半導体膜を形成する例を示す。例えば、多結晶シリコン等のシリコン、又はインジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体等を半導体材料として用いることができる。Although cross-sectional structure examples 1 to 5 show examples in which a channel formation region of a transistor is provided in the
<断面構成例6>
図10に、図1とは異なる走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。さらに、図10では、表示装置におけるFPC4018の接続部の断面図も示す。<Cross section configuration example 6>
10 is a cross-sectional view of the scan
図10では、結晶性基板102、トランジスタ153、トランジスタ165、トランジスタ166、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 10, the
図10に示す結晶性基板102は、導電性基板、半導体基板、及び絶縁性基板のいずれでもよい。表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性基板102は収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。The
結晶性基板102は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性基板102の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、1μm以上50μm以下がより好ましい。The
走査線駆動回路150において、結晶性基板102上に、絶縁膜111を介して、トランジスタ153が設けられている。画素部160において、結晶性基板102上に、絶縁膜111を介して、トランジスタ165及びトランジスタ166が設けられている。絶縁膜111は下地膜として機能する。絶縁膜111は設けなくてもよい。In the scan
トランジスタ153、165、166は、いずれも同一の構造であるが、いずれかが異なる構造のトランジスタであってもよい。Although the
トランジスタのチャネル形成領域には、様々な半導体を用いることができる。例えば、酸化物半導体、又は、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコンなどが挙げられる。また、トランジスタの構造は限定されない。Various semiconductors can be used for the channel formation region of the transistor. For example, oxide semiconductor, polycrystalline silicon, or silicon such as single crystal silicon transferred from a single crystal silicon substrate or the like can be given. Further, the structure of the transistor is not limited.
図10に示す各トランジスタは、ゲート116、ゲート絶縁膜115、半導体膜131、及び2つの導電膜123を有する、ボトムゲート型のトランジスタである。2つの導電膜123の一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。また、各トランジスタは絶縁膜121に覆われている。Each transistor illustrated in FIG. 10 is a bottom-gate transistor including a
発光素子180は、電極181、EL層183、及び電極185を有する。発光素子180は、着色層195側に光を射出する。The
トランジスタ165のソース又はドレインは、絶縁膜122上の導電膜124を介して、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The source or the drain of the
電極181は画素電極として機能し、発光素子180ごとに設けられている。隣り合う2つの電極181は、絶縁膜128によって電気的に絶縁されている。電極185は、共通電極として機能し、複数の発光素子180にわたって設けられている。The
また、ゲート絶縁膜115上の導電膜187は、外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き出し配線として機能する。ここでは、外部入力端子としてFPC4018を設ける例を示している。FPC4018と導電膜187は、導電膜189及び接続体199を介して電気的に接続されている。引き出し配線として機能する導電膜は、トランジスタ又は表示素子を構成する電極又は他の配線の少なくとも一つと同一の材料及び同一の工程で作製すると、工程の増加を抑制できるため好ましい。ここでは、導電膜187をトランジスタのソース及びドレインと同一の材料及び同一の工程で作製し、導電膜189を発光素子180の電極181と同一の材料及び同一の工程で作製する例を示す。Further, the
結晶性基板102とは異なる基板上で作製された、絶縁膜193、遮光層194、及び着色層195は、接着層196によって、結晶性基板102と貼り合わされている。The insulating
発光素子180は、接着層196を介して着色層195と重なる。絶縁膜128は、接着層196を介して遮光層194と重なる。The
本発明の一態様では、結晶性基板上にトランジスタ及び表示素子を形成するため、加熱処理を施しても基板の熱収縮の影響を受けにくく、精細度が極めて高い表示装置を歩留まりよく作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板を剥離し、可撓性基板を貼ること、及び結晶性基板を研磨又は研削することにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。In one embodiment of the present invention, a transistor and a display element are formed over a crystalline substrate; therefore, a display device which is not easily affected by heat contraction of the substrate even when heat treatment is performed and has extremely high definition can be manufactured with high yield. You can In addition, a high-reliability display device can be manufactured by forming a high-temperature insulating film over a manufacturing substrate. Further, by peeling the manufacturing substrate, attaching a flexible substrate, and polishing or grinding the crystalline substrate, the display device can be thin, lightweight, and flexible.
<断面構成例7>
図11に、図10とは異なる走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。断面構成例7は、トランジスタ154、167、168を有する点で、図10の構成と異なる。<Cross section configuration example 7>
11 is a cross-sectional view of the scan
図11では、結晶性基板102、絶縁膜111、トランジスタ154、トランジスタ167、トランジスタ168、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 11, the
図11に示す各トランジスタは、ゲート116、ゲート絶縁膜115、半導体膜(チャネル形成領域119a及び低抵抗領域119bを含む)、並びに2つの導電膜123を有する、トップゲート型のトランジスタである。2つの導電膜123の一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。Each transistor illustrated in FIG. 11 is a top-gate transistor including a
トランジスタ167のソース又はドレインは、絶縁膜122上の導電膜124を介して、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The source or the drain of the
または、本発明の一態様の表示装置には、図12(A)に示すトランジスタ169を適用することもできる。Alternatively, the
図12(A)に、トランジスタ169の上面図を示す。図12(B)は、本発明の一態様の表示装置の、トランジスタ169のチャネル長方向の断面図である。図12(B)に示すトランジスタ169は、図12(A)における一点鎖線X1−X2間の断面に相当する。図12(C)は、本発明の一態様の表示装置の、トランジスタ169のチャネル幅方向の断面図である。図12(C)に示すトランジスタ169は、図12(A)における一点鎖線Y1−Y2間の断面に相当する。A top view of the
トランジスタ169はバックゲートを有するトップゲート型のトランジスタの一種である。The
トランジスタ169では、絶縁膜135に設けた凸部上に半導体膜119が形成されている。絶縁膜135に設けた凸部上に半導体膜119を設けることによって、半導体膜119の側面もゲート116で覆うことができる。すなわち、トランジスタ169は、ゲート116の電界によって、半導体膜119を電気的に取り囲むことができる構造を有している。このように、導電膜の電界によって、チャネルが形成される半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、surrounded channel(s−channel)構造とよぶ。また、s−channel構造を有するトランジスタを、「s−channel型トランジスタ」もしくは「s−channelトランジスタ」ともいう。In the
s−channel構造では、半導体膜119の全体(バルク)にチャネルを形成することもできる。s−channel構造では、トランジスタのドレイン電流を大きくすることができ、さらに大きいオン電流を得ることができる。また、ゲート116の電界によって、半導体膜119に形成されるチャネル形成領域の全領域を空乏化することができる。したがって、s−channel構造では、トランジスタのオフ電流をさらに小さくすることができる。In the s-channel structure, a channel can be formed over the entire semiconductor film 119 (bulk). With the s-channel structure, the drain current of the transistor can be increased, and a larger on-current can be obtained. Further, the electric field of the
バックゲート136は結晶性基板102上に絶縁膜111を介して設けられている。The
絶縁膜122上に設けられた導電膜123xは、ゲート絶縁膜115、絶縁膜121x、絶縁膜121y、及び絶縁膜122に設けられた開口747xにおいて、半導体膜119と電気的に接続されている。また、絶縁膜122上に設けられた導電膜123yは、ゲート絶縁膜115、絶縁膜121x、絶縁膜121y、及び絶縁膜122に設けられた開口747yにおいて、半導体膜119と電気的に接続されている。The
ゲート絶縁膜115上に設けられたゲート116は、ゲート絶縁膜115及び絶縁膜135に設けられた開口748x及び開口748yにおいて、バックゲート136と電気的に接続されている。よって、ゲート116とバックゲート136には、同じ電位が供給される。また、開口748x及び開口748yは、どちらか一方を設けなくてもよい。また、開口748x及び開口748yの両方を設けなくてもよい。開口748x及び開口748yの両方を設けない場合は、バックゲート136とゲート116に異なる電位を供給することができる。The
なお、s−channel構造を有するトランジスタに用いる半導体としては、酸化物半導体、又は、多結晶シリコン、もしくは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン等のシリコンなどが挙げられる。Note that as a semiconductor used for a transistor having an s-channel structure, an oxide semiconductor, polycrystalline silicon, silicon such as single crystal silicon transferred from a single crystal silicon substrate, or the like can be given.
導電膜123xは、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The
<断面構成例8>
図13に、図10とは異なる画素部160の断面図を示す。<Cross section configuration example 8>
FIG. 13 shows a cross-sectional view of the
図13では、結晶性基板951、トランジスタ165、着色層195、発光素子180、可撓性基板191、接着層196等を示している。In FIG. 13, a
図13に示す結晶性基板951には、可視光を透過する結晶性基板を用いる。可視光を透過する結晶性基板を用いることで、結晶性基板951を表示装置の表示面側の基板とすることができる。図13では、ボトムエミッション構造の表示装置を例示している。また、表示装置の作製における加熱工程によって、結晶性基板951が収縮しにくいため、トランジスタもしくは表示素子の特性の劣化、又は作製工程の歩留まりの低下を抑制し、精細度の高い表示装置を作製できる。As the
結晶性基板951は、可撓性を有することが好ましい。例えば、結晶性基板951の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、1μm以上50μm以下がより好ましい。The
画素部160において、結晶性基板951上に、トランジスタ165が設けられている。結晶性基板951とトランジスタ165の間に、下地膜として機能する絶縁膜111を有していてもよい。In the
発光素子180は、電極181、EL層183、及び電極185を有する。発光素子180は、着色層195側に光を射出する。The
図13では、絶縁膜121上に着色層195を有する例を示すが、本発明の一態様はこれに限られない。着色層195は、結晶性基板951と電極181の間に設けることができる。Although FIG. 13 illustrates an example in which the
図13に示すトランジスタ165の構成は、図10と同様である。The structure of the
<断面構成例9>
図14に、図10とは異なる走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。<Cross section configuration example 9>
14 is a cross-sectional view of the scan
図14では、結晶性基板102、絶縁膜111、トランジスタ152n、トランジスタ152p、トランジスタ155、トランジスタ156、発光素子180、可撓性基板191、接着層196等を示している。FIG. 14 illustrates the
本発明の一態様では、例えば、SOI基板を用いてもよい。In one embodiment of the present invention, an SOI substrate may be used, for example.
図14では、走査線駆動回路150において、結晶性基板102上に、絶縁膜111を介して、p型のトランジスタ152pとn型のトランジスタ152nとが設けられている例を示す。また、図14では、画素部160において、結晶性基板102上に、絶縁膜111を介して、それぞれn型の、トランジスタ155及びトランジスタ156が設けられている例を示す。FIG. 14 illustrates an example in which the scan
トランジスタ152pは、p型のトランジスタである。トランジスタ152pは、半導体膜131(一部に、p型不純物領域113p及びLDD領域114pを含む)、ゲート絶縁膜115、ゲート116a、サイドウォール117、絶縁膜122、導電膜123a、導電膜123b、導電膜124a、及び導電膜124bを有する。The
トランジスタ152pが有するp型不純物領域113pの一方は、導電膜123aを介して、絶縁膜122上の導電膜124aと電気的に接続されており、他方は、導電膜123bを介して、絶縁膜122上の導電膜124bと電気的に接続されている。One of the p-
トランジスタ152nは、n型のトランジスタである。トランジスタ152nは、半導体膜131(一部に、n型不純物領域113n及びLDD領域114nを含む)、ゲート絶縁膜115、ゲート116b、サイドウォール117、絶縁膜122、導電膜123c、導電膜123d、導電膜124c、及び導電膜124dを有する。The
トランジスタ152nが有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123cを介して、絶縁膜122上の導電膜124cと電気的に接続されており、他方は、導電膜123dを介して、絶縁膜122上の導電膜124dと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ155は、n型のトランジスタである。トランジスタ155は、半導体膜131(一部に、n型不純物領域113n及びLDD領域114nを含む)、ゲート絶縁膜115、ゲート116c、サイドウォール117、絶縁膜122、導電膜123e、導電膜123f、導電膜124e、及び導電膜124fを有する。The
トランジスタ155が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123eを介して、絶縁膜122上の導電膜124eと電気的に接続されており、他方は、導電膜123fを介して、絶縁膜122上の導電膜124fと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ156は、n型のトランジスタである。トランジスタ156は、半導体膜131(一部に、n型不純物領域113n及びLDD領域114nを含む)、ゲート絶縁膜115、ゲート116d、サイドウォール117、絶縁膜122、導電膜123g、導電膜123h、導電膜124g、及び導電膜124hを有する。The transistor 156 is an n-type transistor. The transistor 156 includes a semiconductor film 131 (including part of the n-
トランジスタ156が有するn型不純物領域113nの一方は、導電膜123gを介して、絶縁膜122上の導電膜124gと電気的に接続されており、他方は、導電膜123hを介して、絶縁膜122上の導電膜124hと電気的に接続されている。One of the n-
トランジスタ155のゲート116cは、トランジスタ156のソース又はドレインと電気的に接続されている。具体的には、ゲート116cは、導電膜123iを介して、導電膜124gと電気的に接続されている。そして、導電膜124gは、導電膜123gを介して、n型不純物領域113nと電気的に接続されている。The
ゲート絶縁膜115は、半導体膜131と各トランジスタのゲートの間に位置する。各トランジスタのゲートは、ゲート絶縁膜115を挟んで、半導体膜131のチャネル形成領域と重なる。The
発光素子180は、電極181、EL層183、及び電極185を有する。発光素子180は、可撓性基板191側に光を射出する。The
トランジスタ155のソース又はドレインは、導電膜127を介して、絶縁膜125上の電極181と電気的に接続されている。The source or the drain of the
電極181は画素電極として機能し、発光素子180ごとに設けられている。隣り合う2つの電極181は、絶縁膜128によって電気的に絶縁されている。EL層183は、異なる色の副画素間で塗り分けられている。電極185は、共通電極として機能し、複数の発光素子180にわたって設けられている。さらに、発光素子180上に封止層として機能する絶縁膜を設けると、発光素子180の信頼性が高めるため好ましい。The
<断面構成例10>
図15に、図10とは異なる走査線駆動回路150及び画素部160の断面図を示す。断面構成例10は、結晶性基板102及び絶縁膜111を有さず、可撓性基板901、接着層903、及び絶縁膜105を有する点で、図10の構成と異なる。<Cross section configuration example 10>
15 is a cross-sectional view of the scan
図15では、可撓性基板901、接着層903、絶縁膜105、トランジスタ153、トランジスタ165、トランジスタ166、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 15, the
本発明の一態様では、結晶性基板上にトランジスタ及び発光素子等を含む素子層を形成した後、該結晶性基板を剥離し、他の基板と該素子層とを貼り合わせてもよい。In one embodiment of the present invention, after an element layer including a transistor, a light-emitting element, and the like is formed over a crystalline substrate, the crystalline substrate may be separated and another element and the element layer may be attached to each other.
<断面構成例10の作製方法>
図16〜図18を用いて、断面構成例10の作製方法の一例を説明する。なお、断面構成例1の作製方法と同様の部分については、説明を省略する場合がある。<Fabrication Method of Sectional Configuration Example 10>
An example of a method for manufacturing the cross-sectional configuration example 10 will be described with reference to FIGS. Note that description of the same parts as those of the manufacturing method of the cross-sectional configuration example 1 may be omitted.
まず、図16(A)に示すように、結晶性基板102上に、剥離層103を形成する。次に、剥離層103上に絶縁膜105を形成する。次に、絶縁膜105上にトランジスタ153、165、166、絶縁膜121、122、125、及び発光素子180等を作製する。First, as illustrated in FIG. 16A, the
剥離層103に用いることができる材料は、剥離層992に用いることができる材料と同様である。絶縁膜105に用いることができる材料は、絶縁膜193に用いることができる材料と同様である。The material that can be used for the
また、図16(B)に示すように、作製基板911上に、剥離層992を形成する。次に、剥離層992上に絶縁膜193を形成する。次に、絶縁膜193上に遮光層194及び着色層195を形成する。In addition, as illustrated in FIG. 16B, a
次に、図17に示すように、結晶性基板102と作製基板911とを、接着層196を用いて貼り合わせ、接着層196を硬化させる。Next, as shown in FIG. 17, the
次に、作製基板911と、結晶性基板102と、をそれぞれ素子層から剥離する。作製基板911と結晶性基板102は、どちらの基板から剥離しても構わない。本実施の形態では、結晶性基板102を先に剥離する場合を例に説明する。Next, the
まず、レーザ光又は鋭利な刃物等を用いて、剥離の起点を形成する。剥離層103にクラックを入れることで、結晶性基板102を剥離するための剥離の起点を形成できる。例えば、レーザ光の照射によって、絶縁膜105に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。First, a starting point of peeling is formed using a laser beam or a sharp blade or the like. By forming a crack in the
そして、形成した剥離の起点から、物理的な力によって絶縁膜105と結晶性基板102とを分離する。図18の下部に、絶縁膜105から分離された剥離層103と結晶性基板102を示す。その後、露出した絶縁膜105と、可撓性基板901とを、接着層903を用いて貼り合わせる(図18)。Then, the insulating
次に、剥離層912にクラックを入れることで、作製基板911を剥離するための剥離の起点を形成する。Next, the
そして、形成した剥離の起点から、物理的な力によって絶縁膜193と作製基板911とを分離する。図18の上部に、絶縁膜193から分離された剥離層912と作製基板911を示す。その後、露出した絶縁膜193と、可撓性基板191とを、接着層192を用いて貼り合わせる(図18)。Then, the insulating
表示装置を構成する機能素子等は、全て結晶性基板102及び作製基板911上で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性基板には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性基板を貼り付けることができる。Since all the functional elements and the like which form the display device are formed on the
なお、図18では、導電膜189が接着層196及び絶縁膜193等で覆われている。外部入力端子と電気的に接続させるために、導電膜189を露出させる必要がある。例えば、導電膜189上の接着層196及び絶縁膜193等を、レーザ光の照射又は切削加工等により除去することができる。Note that in FIG. 18, the
または、図16(A)に示す段階で、導電膜189上に、導電膜189との密着性が低い機能膜を形成する、又は、導電膜189上に、互いに密着性の低い2層以上の積層膜を形成してもよい。このように、導電膜189上に膜を形成することで、外部入力端子と接続させる領域のみ、絶縁膜193と剥離層912の界面でなく、導電膜189と機能膜の界面、又は導電膜189上の密着性の低い積層膜の界面で分離することができる。この場合、作製基板911を剥離する工程で、導電膜189の露出が可能となるため、工程数の削減が可能となる。なお、導電膜189上に、他の膜が一部残る場合もある。そのときは、ドライ処理(ドライアイスの粉を吹き付ける方法など)又はウエット処理(有機溶媒、水、又は過酸化水素水等で拭き取る方法など)により、導電膜189上に残存した膜を除去することが好ましい。16A, a functional film having low adhesion to the
以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、結晶性基板上にトランジスタ及び発光素子を形成することで精細度が極めて高い表示装置を作製することができる。また、作製基板上で高温をかけて絶縁膜を形成することで、信頼性の高い表示装置を作製することができる。さらに、作製基板及び結晶性基板をそれぞれ剥離し、可撓性基板を貼ることにより、表示装置の薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能となる。As described above, in the method for manufacturing a display device of one embodiment of the present invention, a transistor and a light-emitting element are formed over a crystalline substrate, so that a display device with extremely high definition can be manufactured. In addition, a high-reliability display device can be manufactured by forming a high-temperature insulating film over a manufacturing substrate. Further, by peeling off the manufacturing substrate and the crystalline substrate and attaching the flexible substrate, the display device can be thin, lightweight, and flexible.
<断面構成例11>
図19に、図1とは異なる画素部の断面図を示す。<Cross section configuration example 11>
FIG. 19 shows a cross-sectional view of a pixel portion different from that in FIG.
図19に示すように、本発明の一態様では、絶縁膜及び導電膜の積層構造でなる多層配線構造を採用して、高度に集積化した表示装置を実現することも可能である。As shown in FIG. 19, in one embodiment of the present invention, a highly integrated display device can be realized by using a multilayer wiring structure including a stacked structure of an insulating film and a conductive film.
図19では、結晶性半導体基板101、トランジスタ161、複数の容量素子170、発光素子180、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、接着層196等を示している。In FIG. 19, a
トランジスタ161が有する導電膜124eは、複数の導電膜を介して、発光素子180の電極181と電気的に接続されている。導電膜124eと、絶縁膜125上の導電膜141と、は、導電膜149によって電気的に接続されている。絶縁膜125上の導電膜141と、絶縁膜143上の導電膜141と、は、別の導電膜149によって電気的に接続されている。絶縁膜143は4層積層されており、一番上の1つを除いた3つの絶縁膜143上に、それぞれ導電膜141が設けられ、全ての導電膜141が、導電膜149によって電気的に接続されている。4層のうち一番上の絶縁膜143上には、電極181が設けられている。4層のうち一番上の導電膜141と、電極181とは、導電膜149によって電気的に接続されている。The
また、多層配線構造の少なくとも一部に、容量素子170を有していてもよい。容量素子170は、一対の導電膜(導電膜141及び導電膜148)と、その間に設けられた絶縁膜142と、を有する。また、上下に重なる2つの容量素子170において、下側の容量素子170が有する導電膜148と、上側の容量素子170が有する導電膜141とは、1以上の導電膜149によって、電気的に接続されている。Further, the
図19に示すトランジスタ161の構成は、図1と同様である。The structure of the
<断面構成例12>
図20に、画素回路の一例を示す回路図を示す。また、図21に図1とは異なる画素部の断面図を示す。<Cross section configuration example 12>
FIG. 20 is a circuit diagram showing an example of the pixel circuit. Further, FIG. 21 shows a cross-sectional view of a pixel portion different from that in FIG.
図20に示す画素回路は、発光素子180、トランジスタ3200、トランジスタ3300、及び容量素子3400を有する。トランジスタ3200は、駆動トランジスタとして機能する。トランジスタ3300は、選択トランジスタとして機能する。The pixel circuit illustrated in FIG. 20 includes a
発光素子180の第1の電極は、第1の配線3001と電気的に接続されている。発光素子180の第2の電極は、トランジスタ3200の第1の電極と電気的に接続されている。トランジスタ3200の第2の電極は、第2の配線3002と電気的に接続されている。トランジスタ3200のゲートは、トランジスタ3300の第1の電極及び容量素子3400の第1の電極と電気的に接続されている。トランジスタ3300の第2の電極は、第3の配線3003と電気的に接続されている。トランジスタ3300のゲートは、第4の配線3004と電気的に接続されている。容量素子3400の第2の電極は、第5の配線3005と電気的に接続されている。The first electrode of the
図20に示す画素回路において、トランジスタ3300は、トランジスタ3200とは異なる半導体を用いて形成されている。具体的には、トランジスタ3200は、シリコンを用いたトランジスタであり、トランジスタ3300は、酸化物半導体を用いたトランジスタである。In the pixel circuit illustrated in FIG. 20, the
図21は、図20に示す発光素子180、トランジスタ3200、トランジスタ3300、及び容量素子3400を含む、表示装置の断面図に相当する。21 corresponds to a cross-sectional view of a display device including the light-emitting
図21では、トランジスタ3200の上方にトランジスタ3300が配置され、トランジスタ3300の上方に容量素子3400が配置され、容量素子3400の上方に発光素子180が配置されている。In FIG. 21, the
図21に示すように、本発明の一態様では、2つ以上のトランジスタを積層した表示装置を実現することも可能である。As shown in FIG. 21, in one embodiment of the present invention, a display device in which two or more transistors are stacked can be realized.
なお、トランジスタ3200、3300は、図21に示す構成に限定されず、上述した様々な構造を適用することができる。Note that the
トランジスタ3200は、結晶性半導体基板101を用いたトランジスタである。The
トランジスタ3200は、結晶性半導体基板101中の不純物領域474a及び不純物領域474bと、ゲート絶縁膜462と、ゲート454と、を有する。The
トランジスタ3200において、不純物領域474a及び不純物領域474bは、ソース領域及びドレイン領域として機能する。ゲート454に印加する電位によって、チャネル形成領域の抵抗を制御することができる。即ち、ゲート454に印加する電位によって、不純物領域474aと不純物領域474bとの間の導通・非導通を制御することができる。In the
なお、トランジスタ3200は、素子分離領域460などによって隣接するトランジスタと分離される。素子分離領域460は、絶縁性を有する領域である。Note that the
トランジスタ3300は、酸化物半導体膜406bを用いたトランジスタである。The
トランジスタ3300は、ゲート401、ゲート絶縁膜403、酸化物膜406a、酸化物半導体膜406b、酸化物膜406c、導電膜404a、及び導電膜404bを有する。The
酸化物膜406a及び酸化物膜406cには、それぞれ、酸化物半導体膜406bを構成する酸素以外の元素一種以上を有する酸化物を用いることが望ましい。For each of the
絶縁膜475の開口部には、導電膜484dが埋め込まれている。導電膜484dに一定の電位を印加することで、トランジスタ3300のしきい値電圧などの電気特性を制御しても構わない。または、例えば、導電膜484dとゲート401とを電気的に接続しても構わない。こうすることで、トランジスタ3300のオン電流を大きくすることができる。また、パンチスルー現象を抑制することができるため、トランジスタ3300の飽和領域における電気特性を安定にすることができる。また、導電膜484dは、トランジスタ3300のボトムゲート電極としての機能を有しても構わない。このとき、ゲート401は、バックゲート電極として機能することができる。A
容量素子3400は、導電膜494、絶縁膜498、及び導電膜496を有する。容量素子3400を、トランジスタ3300の上方又は下方に形成することで、表示装置の大きさを縮小することができ、好ましい。The
不純物領域474aは、複数の導電膜を介して、導電膜489aと電気的に接続されている。具体的には、不純物領域474aは、導電膜480aを介して、絶縁膜464上の導電膜478aと電気的に接続されている。導電膜478aは、導電膜476aを介して、絶縁膜468上の導電膜479aと電気的に接続されている。導電膜479aは、導電膜477aを介して、絶縁膜472上の導電膜484aと電気的に接続されている。導電膜484aは、導電膜483aを介して、絶縁膜428上の導電膜485aと電気的に接続されている。導電膜485aは、導電膜487aを介して、絶縁膜465上の導電膜488aと電気的に接続されている。導電膜488aは、導電膜490aを介して、絶縁膜467上の導電膜489aと電気的に接続されている。The
不純物領域474bは、複数の導電膜を介して、発光素子180の電極181と電気的に接続されている。具体的には、不純物領域474bは、導電膜480bを介して、絶縁膜464上の導電膜478bと電気的に接続されている。導電膜478bは、導電膜476bを介して、絶縁膜468上の導電膜479bと電気的に接続されている。導電膜479bは、導電膜477bを介して、絶縁膜472上の導電膜484bと電気的に接続されている。導電膜484bは、導電膜483bを介して、絶縁膜428上の導電膜485bと電気的に接続されている。導電膜485bは、導電膜487bを介して、絶縁膜465上の導電膜488bと電気的に接続されている。導電膜488bは、導電膜490bを介して、絶縁膜467上の導電膜489bと電気的に接続されている。導電膜489bは、導電膜491を介して、絶縁膜469上の電極181と電気的に接続されている。The
トランジスタ3200のゲート454は、複数の導電膜を介して、トランジスタ3300の導電膜404bと電気的に接続されている。また、トランジスタ3200のゲート454は、複数の導電膜を介して、容量素子3400の導電膜494と電気的に接続されている。具体的には、ゲート454は、導電膜480cを介して、絶縁膜464上の導電膜478cと電気的に接続されている。導電膜478cは、導電膜476cを介して、絶縁膜468上の導電膜479cと電気的に接続されている。導電膜479cは、導電膜477cを介して、絶縁膜472上の導電膜484cと電気的に接続されている。導電膜484cは、導電膜483cを介して、絶縁膜428上の導電膜485cと電気的に接続されている。導電膜485cは、導電膜483fを介して、導電膜404bと電気的に接続されている。導電膜485cは、導電膜487cを介して、絶縁膜465上の導電膜488cと電気的に接続されている。導電膜488cは、導電膜494と電気的に接続されている。The
トランジスタ3300のゲート401は、導電膜483dを介して導電膜485dと電気的に接続されている。トランジスタ3300の導電膜404aは、導電膜483eを介して導電膜485eと電気的に接続されている。The
トランジスタ3200上には、絶縁膜464が配置されている。絶縁膜464上には、絶縁膜466が配置されている。絶縁膜466上には、絶縁膜468が配置されている。絶縁膜468上には、絶縁膜470が配置されている。絶縁膜470上には、絶縁膜472が配置されている。絶縁膜472上には、絶縁膜475が配置されている。絶縁膜475上には、絶縁膜402が配置されている。An insulating
ゲート401及び絶縁膜410上には、絶縁膜418が配置されている。絶縁膜418上には、絶縁膜408が配置されている。絶縁膜408上には、絶縁膜428が配置されている。絶縁膜428上には、絶縁膜465が配置されている。絶縁膜465上には、絶縁膜467が配置されている。絶縁膜467及び容量素子3400上には、絶縁膜469が配置されている。An insulating
なお、トランジスタ3300を、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜で囲うことによって、トランジスタ3300の電気特性を安定にすることができる。例えば絶縁膜408及び絶縁膜472に、それぞれ、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜を用いることが好ましい。Note that by surrounding the
例えば、絶縁膜408及び絶縁膜472には、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム又は酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコン又は窒化シリコンなどを用いることができる。なお、絶縁膜408及び絶縁膜472は、酸化アルミニウムを有することが好ましい。For example, the insulating
図21における発光素子180と可撓性基板191の間の構成は、図19と同様である。The configuration between the light emitting
<応用例>
本発明の一態様では、タッチセンサが搭載された表示装置(以下、タッチパネルとも記す)を作製することができる。<Application example>
According to one embodiment of the present invention, a display device including a touch sensor (hereinafter also referred to as a touch panel) can be manufactured.
本発明の一態様のタッチパネルが有する検知素子(センサ素子ともいう)に限定は無い。指もしくはスタイラスなどの被検知体の近接又は接触を検知することのできる様々なセンサを、検知素子として適用することができる。There is no limitation on a sensing element (also referred to as a sensor element) included in the touch panel of one embodiment of the present invention. Various sensors that can detect the proximity or contact of a detection target such as a finger or a stylus can be applied as the detection element.
例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式など様々な方式を用いることができる。For example, as a sensor system, various systems such as a capacitance system, a resistance film system, a surface acoustic wave system, an infrared system, an optical system, and a pressure sensitive system can be used.
本実施の形態では、静電容量方式の検知素子を有するタッチパネルを例に挙げて説明する。In the present embodiment, a touch panel having a capacitance type detection element will be described as an example.
静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。As the electrostatic capacity method, there are a surface type electrostatic capacity method, a projection type electrostatic capacity method and the like. Further, as the projection type electrostatic capacity method, there are a self capacity method, a mutual capacity method and the like. The use of the mutual capacitance method is preferable because simultaneous multipoint detection is possible.
本発明の一態様のタッチパネルは、別々に作製された表示パネルと検知素子とを貼り合わせる構成、表示素子を支持する基板及び対向基板の一方又は双方に検知素子を構成する電極等を設ける構成等、様々な構成を適用することができる。A touch panel according to one embodiment of the present invention has a structure in which a display panel and a sensing element which are separately manufactured are attached to each other, a structure in which an electrode or the like forming the sensing element is provided on one or both of a substrate supporting a display element and a counter substrate, or the like , Various configurations can be applied.
図22(A)に、断面構成例2(図6(A))の表示パネルと検知素子とを貼り合わせた構成を示す。FIG. 22A shows a structure in which the display panel and the sensing element of Cross-sectional structure example 2 (FIG. 6A) are attached to each other.
図22(A)における結晶性半導体基板101と可撓性基板191の間の構成は、図6(A)と同様である。The structure between the
図22(A)では、可撓性基板171、導電膜173、絶縁膜174、導電膜175、接着層176、及び導電膜177等を示している。In FIG. 22A, a
検知素子等は、接着層176によって、可撓性基板191に貼り合わされている。The sensing element and the like are attached to the
なお、可撓性基板171の代わりに、可撓性を有していない基板を用いてもよい。Note that a substrate having no flexibility may be used instead of the
導電膜173、導電膜175、及び導電膜177は、それぞれ、可視光を透過する導電性材料を用いて形成することができる。The
導電膜173は、接続体178を介してFPC179と電気的に接続されている。The
図22(B)に、断面構成例2(図6(A))の表示パネルの対向基板(可撓性基板191)側に検知素子を設けた構成を示す。FIG. 22B shows a structure in which a detection element is provided on the counter substrate (flexible substrate 191) side of the display panel of Cross-sectional structure example 2 (FIG. 6A).
図22(B)における結晶性半導体基板101と接着層196の間の構成は、図6(A)と同様である。The structure between the
図22(B)では、可撓性基板191、接着層192、絶縁膜193、遮光層194、着色層195、絶縁膜172、導電膜173、絶縁膜174、導電膜175、及び導電膜177等を示している。In FIG. 22B, the
図22(B)に示すような表示パネルの対向基板側に検知素子を有する構成とするための表示装置の作製方法の一例を説明する。An example of a method for manufacturing a display device having a structure in which a sensing element is provided on a counter substrate side of a display panel as illustrated in FIG. 22B is described.
まず、作製基板上に、剥離層を形成する。次に、剥離層上に絶縁膜193を形成する。次に、絶縁膜193上に導電膜173及び導電膜177を形成し、さらに、絶縁膜174を形成する。次に、絶縁膜174上に、導電膜175を形成し、さらに、絶縁膜172を形成する。そして、絶縁膜172上に遮光層194及び着色層195を形成する。First, a peeling layer is formed over a manufacturing substrate. Next, the insulating
次に、結晶性半導体基板101と作製基板とを、接着層196を用いて貼り合わせる。そして、作製基板と絶縁膜193とを分離し、露出した絶縁膜193と可撓性基板191とを接着層192を用いて貼り合わせる。Next, the
図22(B)に示す表示装置は、基板を2枚(結晶性半導体基板101及び可撓性基板191)とすることができるため、より一層の薄型化及び軽量化を図ることができる。Since the display device illustrated in FIG. 22B can have two substrates (the
図23(A)に、塗り分け方式を適用した表示パネル上に、検知素子を貼り合わせた構成を示す。FIG. 23A shows a structure in which a sensing element is attached to a display panel to which a coloring method is applied.
図23(A)における可撓性基板171と可撓性基板191の間の構成は、図22(A)と同様である。図22(A)では、可撓性基板171が表示装置の外側に位置するが、図23(A)に示すように、可撓性基板171が表示装置の内側に位置してもよい。例えば、FPC179を導電膜173に接続させやすくなる方を選択することが好ましい。The structure between the
なお、接着層196のガスバリア性が高い場合、又は可撓性基板171と可撓性基板191の間に、ガスバリア性が高い膜を有する場合などには、発光素子180上の封止層を設けなくてもよい。または、封止層として、発光素子180上に、図8等で示した絶縁膜128を形成し、絶縁膜197と可撓性基板171とを接着層196で貼り合わせてもよい。Note that a sealing layer over the light-emitting
図23(A)に示すトランジスタ163及びトランジスタ164の構成は、図6(A)と同様である。The structures of the
<変形例>
本発明の一態様では、単色表示の表示装置を作製することができる。単色表示の表示装置は、例えば、実施の形態2で説明するプロジェクター等に用いることができる。なお、本発明の一態様は表示装置に限られず、単色発光の照明装置等に適用してもよい。<Modification>
According to one embodiment of the present invention, a display device having a single color display can be manufactured. The display device for monochrome display can be used, for example, in the projector described in the second embodiment. Note that one embodiment of the present invention is not limited to a display device and may be applied to a single-color light emitting lighting device or the like.
図23(B)に示す発光素子180は、複数の画素にわたって、EL層183が設けられている。また、発光素子180が発する光は、カラーフィルタ等を介することなく、表示装置の外に取り出される。自発光が可能な発光素子を用いることで、カラーフィルタ等を用いる必要がなく、表示装置を少ない積層数で作製することができる。これにより、コスト削減、又は表示装置の薄型化もしくは軽量化が可能となる。In the light-emitting
図23(B)に示すトランジスタ163及びトランジスタ164の構成は、図6と同様である。The structures of the
<材料の一例>
次に、本実施の形態の表示装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。<Example of material>
Next, materials and the like that can be used for the display device of this embodiment will be described. Note that the description of the configuration described earlier in this specification may be omitted.
本発明の一態様では、トランジスタや発光素子を形成する際の支持基板に、結晶性基板を用いる。なお、対向基板や封止基板は結晶性基板に限定されず、以下の材料も用いることができる。または、結晶性基板を剥離した後、素子層と別の基板を貼り合わせる場合にも、以下の材料を用いることができる。In one embodiment of the present invention, a crystalline substrate is used as a supporting substrate when forming a transistor or a light emitting element. Note that the counter substrate and the sealing substrate are not limited to crystalline substrates, and the following materials can also be used. Alternatively, the following materials can be used also when the element layer and another substrate are attached to each other after the crystalline substrate is separated.
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。Materials such as glass, quartz, organic resins, metals, alloys, and semiconductors can be used for the substrate. A material that transmits the light is used for the substrate on the side where the light from the light-emitting element is extracted.
特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂、又は、可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。例えば、可撓性基板の厚さは、1μm以上200μm以下が好ましく、1μm以上100μm以下がより好ましく、1μm以上50μm以下がさらに好ましく、1μm以上25μm以下がさらに好ましく、1μm以上10μm以下が特に好ましい。In particular, it is preferable to use a flexible substrate. For example, an organic resin, or glass, metal, or an alloy having a thickness such that it has flexibility can be used. For example, the thickness of the flexible substrate is preferably 1 μm or more and 200 μm or less, more preferably 1 μm or more and 100 μm or less, still more preferably 1 μm or more and 50 μm or less, still more preferably 1 μm or more and 25 μm or less, and particularly preferably 1 μm or more and 10 μm or less.
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて表示装置を軽量化でき、好ましい。Since organic resin has a smaller specific gravity than glass, it is preferable to use an organic resin as the flexible substrate because the weight of the display device can be reduced as compared with the case of using glass.
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板、又は、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい表示装置を実現できる。It is preferable to use a material having high toughness for the substrate. As a result, it is possible to realize a display device that is excellent in impact resistance and is not easily damaged. For example, by using an organic resin substrate or a thin metal substrate or an alloy substrate, a display device which is lighter and less likely to be damaged than a glass substrate can be realized.
金属材料及び合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料又は合金材料を用いた基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。Metallic materials and alloy materials have high thermal conductivity and can easily conduct heat to the entire substrate, and thus a local temperature rise of the display device can be suppressed, which is preferable. The thickness of the substrate using a metal material or an alloy material is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 50 μm or less.
金属基板又は合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。半導体基板を構成する材料としては、シリコン等が挙げられる。The material forming the metal substrate or the alloy substrate is not particularly limited, but, for example, aluminum, copper, nickel, or an alloy of metals such as aluminum alloy or stainless steel can be preferably used. Examples of the material forming the semiconductor substrate include silicon.
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると表示装置の表面温度が高くなることを抑制でき、表示装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物又はセラミック材料を用いることができる)の積層構造としてもよい。In addition, when a material having a high thermal emissivity is used for the substrate, it is possible to suppress an increase in the surface temperature of the display device, and it is possible to prevent the display device from being broken or the reliability from being lowered. For example, the substrate may have a laminated structure of a metal substrate and a layer having a high thermal emissivity (for example, a metal oxide or a ceramic material can be used).
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂(ナイロン、アラミド等)、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリプレグともいう)、又は無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板を使用することもできる。Examples of the flexible and translucent material include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylonitrile resin, polyimide resin, polymethylmethacrylate resin, polycarbonate (PC) resin, Examples thereof include polyether sulfone (PES) resin, polyamide resin (nylon, aramid, etc.), cycloolefin resin, polystyrene resin, polyamideimide resin, polyvinyl chloride resin, polytetrafluoroethylene (PTFE) resin and the like. In particular, it is preferable to use a material having a low linear expansion coefficient, and for example, a polyamide-imide resin, a polyimide resin, a polyamide resin, PET or the like can be preferably used. Alternatively, a substrate in which a fibrous body is impregnated with a resin (also referred to as a prepreg) or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin to have a low linear expansion coefficient can be used.
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層(例えば、窒化シリコン層など)、又は押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。As the flexible substrate, a layer using the above material is a hard coat layer (for example, a silicon nitride layer) that protects the surface of the device from scratches, or a layer that can disperse pressure (for example, aramid resin). Layer) and the like may be laminated.
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水又は酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。The flexible substrate can also be used by stacking a plurality of layers. In particular, when the glass layer is included, the barrier property against water or oxygen can be improved and the display device can have high reliability.
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水又は酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機樹脂層を設けることにより、ガラス層の割れ又はクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな表示装置とすることができる。For example, a flexible substrate in which a glass layer, an adhesive layer, and an organic resin layer are stacked from the side closer to the light emitting element can be used. The thickness of the glass layer is 20 μm or more and 200 μm or less, preferably 25 μm or more and 100 μm or less. The glass layer having such a thickness can simultaneously realize high barrier property against water or oxygen and flexibility. The thickness of the organic resin layer is 10 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less. By providing such an organic resin layer, cracks or cracks in the glass layer can be suppressed and mechanical strength can be improved. By applying such a composite material of a glass material and an organic resin to a substrate, a flexible display device with extremely high reliability can be obtained.
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。例えば、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、又はシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。For the adhesive layer, various curable adhesives such as an ultraviolet curable photocurable adhesive, a reaction curable adhesive, a thermosetting adhesive, and an anaerobic adhesive can be used. Alternatively, an adhesive sheet or the like may be used. For example, a resin such as polyurethane, an acrylic resin, an epoxy resin, or a resin having a siloxane bond can be used.
また、接着層には乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウム又は酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライト又はシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が向上するため好ましい。Further, the adhesive layer may contain a desiccant. For example, a substance that adsorbs water by chemisorption, such as an alkaline earth metal oxide (such as calcium oxide or barium oxide), can be used. Alternatively, a substance that adsorbs water by physical adsorption, such as zeolite or silica gel, may be used. The inclusion of a desiccant is preferable because impurities such as moisture can be prevented from entering the functional element and the reliability of the display device can be improved.
また、接着層に屈折率の高いフィラー又は光散乱部材を含ませることで、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。Further, by including a filler having a high refractive index or a light scattering member in the adhesive layer, it is possible to improve the light extraction efficiency from the light emitting element. For example, titanium oxide, barium oxide, zeolite, zirconium or the like can be used.
絶縁膜及びオーバーコートには、それぞれ、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等が挙げられる。An organic insulating material or an inorganic insulating material can be used for the insulating film and the overcoat, respectively. Examples of the resin include acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polyimideamide resin, siloxane resin, benzocyclobutene resin, and phenol resin. As the inorganic insulating film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film, a hafnium oxide film, a yttrium oxide film, a zirconium oxide film, a gallium oxide film, a tantalum oxide film, a magnesium oxide film. Examples thereof include a film, a lanthanum oxide film, a cerium oxide film, and a neodymium oxide film.
絶縁膜193、絶縁膜197、及び絶縁膜105には、それぞれ、ガスバリア性の高い絶縁膜を用いることが好ましい。または、絶縁膜193、絶縁膜197、及び絶縁膜105は、それぞれ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ機能を有していることが好ましい。As the insulating
ガスバリア性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、又は窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。Examples of the insulating film having a high gas barrier property include a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film or a silicon nitride oxide film, or a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film. Alternatively, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or the like may be used.
例えば、ガスバリア性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/(m2・day)]以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×10−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m2・day)]以下とする。For example, the amount of water vapor permeation of the insulating film having a high gas barrier property is 1×10 −5 [g/(m 2 ·day)] or less, preferably 1×10 −6 [g/(m 2 ·day)] or less, It is more preferably 1×10 −7 [g/(m 2 ·day)] or less, still more preferably 1×10 −8 [g/(m 2 ·day)] or less.
表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナー型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、ソースとドレインがトランジスタの上下に設けられる構造の縦型トランジスタ(SGT:Surrounding Gate Transistor)としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。The structure of the transistor included in the display device is not particularly limited. For example, a planar transistor, a staggered transistor, or an inverted staggered transistor may be used. Further, either a top-gate or bottom-gate transistor structure may be used. Further, a vertical transistor (SGT: Surrounding Gate Transistor) having a structure in which a source and a drain are provided above and below the transistor may be used. The semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and examples thereof include silicon, germanium, and an organic semiconductor. Alternatively, an oxide semiconductor containing at least one of indium, gallium, and zinc such as an In—Ga—Zn-based metal oxide may be used.
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。There is no particular limitation on the crystallinity of a semiconductor material used for a transistor, either an amorphous semiconductor or a crystalline semiconductor (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor partially having a crystalline region). May be used. It is preferable to use a semiconductor having crystallinity because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.
本発明の一態様では、単結晶半導体基板にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることが好ましい。例えば、単結晶シリコン基板にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることができる。In one embodiment of the present invention, a transistor including a channel formation region in a single crystal semiconductor substrate is preferably used. For example, a transistor having a channel formation region in a single crystal silicon substrate can be used.
または、本発明の一態様では、トランジスタに用いる半導体材料として、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)を用いることが好ましい。CAAC−OSは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高めることができる。また、CAAC−OSは結晶粒界が確認されないという特徴を有するため、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する表示装置を湾曲させたときの応力によってCAAC−OS膜にクラックが生じにくい。Alternatively, in one embodiment of the present invention, it is preferable to use CAAC-OS (CAxis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor) as a semiconductor material used for the transistor. Unlike amorphous, CAAC-OS has few defect states and can increase reliability of the transistor. In addition, since the CAAC-OS has a feature that crystal grain boundaries are not confirmed, a stable and uniform film can be formed over a large area, and stress due to bending when a flexible display device is bent. Cracks are unlikely to occur in the CAAC-OS film.
CAAC−OSは、膜面に対して、結晶のc軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるナノ結晶(nc:nanocrystal)など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。CAAC−OSは、単結晶よりも結晶性が低く、ncに比べて結晶性が高い。The CAAC-OS is a crystalline oxide semiconductor in which the c-axis of crystals is approximately vertical to the film surface. As for the crystal structure of an oxide semiconductor, it has been confirmed that there are various other structures different from a single crystal, such as a nanocrystal (nc: nanocrystal) that is a nanoscale microcrystal aggregate. CAAC-OS has lower crystallinity than a single crystal and higher crystallinity than nc.
また、CAAC−OSは、c軸配向性を有し、かつa−b面方向において複数のペレット(ナノ結晶)が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、CAAC−OSを、CAA crystal(c−axis−aligned a−b−plane−anchored crystal)を有する酸化物半導体と称することもできる。Further, the CAAC-OS has a crystal structure having c-axis orientation, a plurality of pellets (nanocrystals) connected in the ab plane direction, and a strain. Therefore, the CAAC-OS can also be referred to as an oxide semiconductor having a CAA crystal (c-axis-aligned ab-plane-anchored crystal).
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD(Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。It is preferable to provide a base film for stabilizing the characteristics of the transistor. As the base film, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a silicon nitride oxide film can be used and can be formed in a single layer or stacked layers. The base film is formed by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (a plasma CVD method, a thermal CVD method, a MOCVD (Metal Organic CVD) method, etc.), an ALD (Atomic Layer Deposition) method, a coating method, a printing method, or the like. it can. The base film may be omitted if it is not necessary.
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。As the light-emitting element, an element capable of self-luminance can be used, and an element whose luminance is controlled by current or voltage is included in its category. For example, a light emitting diode (LED), an organic EL element, an inorganic EL element or the like can be used.
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。The light emitting element may be any of a top emission type, a bottom emission type and a dual emission type. A conductive film that transmits visible light is used for the electrode on the light extraction side. Further, it is preferable to use a conductive film that reflects visible light for the electrode from which light is not extracted.
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛(ZnO)、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。The conductive film that transmits visible light is formed using indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, zinc oxide (ZnO), zinc oxide to which gallium is added, or the like, for example. You can In addition, metal materials such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, alloys containing these metal materials, or nitrides of these metal materials (for example, Titanium nitride) or the like can also be used by forming it so thin that it has a light-transmitting property. Alternatively, a stacked film of any of the above materials can be used as the conductive film. For example, it is preferable to use a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO, because conductivity can be increased. Alternatively, graphene or the like may be used.
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、APCとも記す)、又は銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。For the conductive film which reflects visible light, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials is used. You can Further, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the above metal material or alloy. Further, an alloy of aluminum and titanium, an alloy of aluminum and nickel, an alloy of aluminum and neodymium, an alloy containing aluminum such as aluminum, nickel, and an alloy of lanthanum (Al-Ni-La) (aluminum alloy), silver and copper. It can be formed using an alloy, an alloy of silver, palladium and copper (also referred to as Ag—Pd—Cu, APC), or an alloy containing silver such as an alloy of silver and magnesium. An alloy containing silver and copper is preferable because it has high heat resistance. Further, by stacking a metal film or a metal oxide film in contact with the aluminum alloy film, oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed. Examples of materials for the metal film and the metal oxide film include titanium and titanium oxide. In addition, a conductive film that transmits visible light and a film formed of a metal material may be stacked. For example, a laminated film of silver and ITO, a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO, or the like can be used.
電極は、それぞれ、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成することができる。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。Each of the electrodes can be formed by using a vapor deposition method or a sputtering method. In addition, a discharge method such as an inkjet method, a printing method such as a screen printing method, or a plating method can be used.
EL層183は少なくとも発光層を有する。EL層183は、複数の発光層を有していてもよい。EL層183は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。The
EL層183には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。EL層183を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。For the
発光素子180は、2種類以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発光の発光素子を実現することができる。例えば2種類以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、又はO(橙)等の発光を示す発光物質、又はR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることができる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。このとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含むことが好ましい。また、発光素子180の発光スペクトルは、可視領域の波長(例えば350nm以上750nm以下、又は400nm以上800nm以下など)の範囲内に2以上のピークを有することが好ましい。The
また、発光素子180は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生層を介して積層されたEL層を複数有するタンデム素子であってもよい。The light-emitting
また、本発明の一態様では、量子ドットなどの無機化合物を用いた発光素子を適用してもよい。量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料、などが挙げられる。例えば、カドミウム(Cd)、セレン(Se)、亜鉛(Zn)、硫黄(S)、リン(P)、インジウム(In)、テルル(Te)、鉛(Pb)、ガリウム(Ga)、ヒ素(As)、アルミニウム(Al)等の元素を有していてもよい。In addition, in one embodiment of the present invention, a light-emitting element using an inorganic compound such as a quantum dot may be applied. Examples of the quantum dot material include colloidal quantum dot material, alloy type quantum dot material, core/shell type quantum dot material, core type quantum dot material, and the like. For example, cadmium (Cd), selenium (Se), zinc (Zn), sulfur (S), phosphorus (P), indium (In), tellurium (Te), lead (Pb), gallium (Ga), arsenic (As). ), aluminum (Al), and the like.
発光素子は、一対のガスバリア性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性の低下を抑制できる。The light emitting element is preferably provided between a pair of insulating films having a high gas barrier property. This can prevent impurities such as moisture from entering the light emitting element, and can suppress deterioration in reliability of the display device.
導電膜は、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いることができる。なお、導電膜には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させた多結晶シリコン、もしくは酸化物半導体に代表される半導体、又はニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。For the conductive film, for example, a metal such as aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, silver, tantalum, or tungsten, or an alloy containing any of these as a main component is used as a single-layer structure or a stacked-layer structure. You can Note that the conductive film includes indium tin oxide, indium oxide containing tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing titanium oxide, indium zinc oxide. Alternatively, a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide to which silicon oxide is added may be used. Alternatively, polycrystalline silicon containing an impurity element, a semiconductor typified by an oxide semiconductor, or silicide such as nickel silicide may be used.
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。The colored layer is a colored layer that transmits light in a specific wavelength band. For example, a color filter that transmits light in a red, green, blue, or yellow wavelength band can be used. Examples of the material that can be used for the colored layer include a metal material, a resin material, and a resin material containing a pigment or a dye.
なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。Note that one embodiment of the present invention is not limited to the color filter method, and a coloring method, a color conversion method, a quantum dot method, or the like may be applied.
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、又は、顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層は、駆動回路などの画素部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。The light shielding layer is provided between the adjacent colored layers. The light shielding layer blocks light from the adjacent light emitting elements and suppresses color mixing between the adjacent light emitting elements. Here, light leakage can be suppressed by providing the end portion of the colored layer so as to overlap the light shielding layer. As the light-blocking layer, a material that blocks light emission from the light-emitting element can be used, and for example, a black matrix can be formed using a metal material or a resin material containing a pigment or a dye. Note that it is preferable to provide the light-blocking layer in a region other than the pixel portion such as a driver circuit because unintended light leakage due to guided light can be suppressed.
オーバーコートは、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又はアクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。The overcoat can prevent diffusion of impurities contained in the coloring layer into the light emitting element. The overcoat is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element. For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, or an organic insulating film such as an acrylic film or a polyimide film can be used. A laminated structure of a film and an inorganic insulating film may be used.
また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ITO膜などの酸化物導電膜、又は透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜を用いることが好ましい。When the material for the adhesive layer is applied on the colored layer and the light shielding layer, it is preferable to use a material having high wettability with respect to the material for the adhesive layer as the overcoat material. For example, it is preferable to use an oxide conductive film such as an ITO film or a metal film such as an Ag film that is thin enough to have a light-transmitting property as the overcoat.
オーバーコートの材料に、接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることで、接着層の材料を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせた際に気泡が混入することを抑制でき、表示不良を抑制できることができる。By using a material having high wettability for the material of the adhesive layer as the material of the overcoat, the material of the adhesive layer can be uniformly applied. Accordingly, it is possible to prevent bubbles from being mixed in when the pair of substrates are bonded together, and it is possible to suppress display defects.
接続体としては、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)、又は異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。Various anisotropic conductive films (ACF:Anisotropic Conductive Film), anisotropic conductive pastes (ACP:Anisotropic Conductive Paste) etc. can be used as a connection body.
以上のように、本発明の一態様の表示装置は、熱収縮の少ない結晶性基板を用いて作製されるため、高い精細度を実現することができる。また、結晶性基板を研磨し、非常に薄い厚さとすることで、精細度が高く、可撓性を有する表示装置を作製することができる。As described above, the display device of one embodiment of the present invention is manufactured using a crystalline substrate with less heat shrinkage; therefore, high definition can be realized. Further, by polishing the crystalline substrate to have an extremely thin thickness, a display device having high definition and flexibility can be manufactured.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について図24〜図30を用いて説明する。(Embodiment 2)
In this embodiment, electronic devices and lighting devices of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の一態様の表示装置を用いて、高精細、高解像度、又は高表示品位であり、曲面又は可撓性を有する電子機器を作製することができる。By using the display device of one embodiment of the present invention, an electronic device having high definition, high resolution, or high display quality and having a curved surface or flexibility can be manufactured.
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、プロジェクター、プロジェクションテレビ(リアプロジェクター)、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。Examples of electronic devices include television devices, projectors, projection televisions (rear projectors), goggle-type displays (head-mounted displays), monitors for computers, digital cameras, digital video cameras, digital photo frames, mobile phones, and mobile phones. Type game machines, portable information terminals, sound reproducing devices, large game machines such as pachinko machines, and the like.
また、本発明の一態様の電子機器は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。In addition, since the electronic device of one embodiment of the present invention has flexibility, it can be incorporated along an inner wall or an outer wall of a house or a building, or a curved surface of an interior or exterior of an automobile.
また、本発明の一態様の電子機器は二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。In addition, the electronic device of one embodiment of the present invention may include a secondary battery, and it is preferable that the secondary battery can be charged using non-contact power transmission.
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池(リチウムイオンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。As the secondary battery, for example, a lithium ion secondary battery such as a lithium polymer battery (lithium ion polymer battery) using a gel electrolyte, a nickel hydrogen battery, a nicad battery, an organic radical battery, a lead storage battery, an air secondary battery, nickel A zinc battery, a silver zinc battery, etc. are mentioned.
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像又は情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。The electronic device of one embodiment of the present invention may include an antenna. By receiving the signal with the antenna, an image, information, or the like can be displayed on the display portion. When the electronic device has a secondary battery, the antenna may be used for non-contact power transmission.
図24(A)、(B)に、ヘッドマウントディスプレイ7900の斜視図を示す。図24(C)は、ヘッドマウントディスプレイ7900の使用者の顔に接する面の概略図である。24A and 24B are perspective views of the head mounted
ヘッドマウントディスプレイ7900は、本体7902及び装着部7903を有し、本体7902には、表示装置7901及びレンズ7904が取り付けられている。使用者は、レンズ7904を通して、表示装置7901の表示を視認することができる。The head mounted
装着部7903の長さ及びレンズ7904の位置は、使用者によって、適宜変更できる仕様である。The length of the mounting
ヘッドマウントディスプレイ7900は、ヘッドトラッキング装置等の視線追従装置を有することが好ましい。これにより、使用者の視線を追跡し、視線に合った表示を行うことで、臨場感を高めることができる。The head mounted
また、ヘッドマウントディスプレイ7900は、アンテナ、バッテリ、カメラ、スピーカ、ヘッドホン、イヤホン、マイク、及び操作ボタンのうち、一つ以上を有することが好ましい。Further, the head mounted
ヘッドマウントディスプレイは、使用者が装着する本体(表示ユニット)とは別に、映像処理又は音声処理等を行うプロセッサを含むユニット、本体に電力を供給するバッテリを含むユニット等を有していてもよい。各ユニットは、有線又は無線により接続することができる。The head mounted display may have a unit including a processor that performs video processing or audio processing, a unit including a battery that supplies power to the main body, etc., in addition to the main body (display unit) worn by the user. .. Each unit can be connected by wire or wirelessly.
本実施の形態では、没入型のヘッドマウントディスプレイを例示したが、本発明の一態様の表示装置は、透過型のヘッドマウントディスプレイに適用されてもよい。Although an immersive head mounted display is illustrated in this embodiment, the display device of one embodiment of the present invention may be applied to a transmissive head mounted display.
ヘッドマウントディスプレイは使用者が頭に装着して用いるため、長時間使用しても疲労しないように、軽量であることが望まれる。本発明の一態様の表示装置は、小型及び薄型にすることが容易であるため、軽量化が可能であり、ヘッドマウントディスプレイに好適に用いることができる。Since the head-mounted display is worn by the user for use on the head, the head-mounted display is desired to be lightweight so as not to be tired even when used for a long time. Since the display device of one embodiment of the present invention can be easily reduced in size and thickness, it can be reduced in weight and can be preferably used for a head-mounted display.
本発明の一態様の表示装置は、高い精細度を有するため、複雑な構成(例えば、両眼視差を含む画像、又は立体視用のメガネ)を用いなくとも、使用者が画像に立体感を得ることができる。そのため、ヘッドマウントディスプレイの表示内容への高い没入感が得られる。Since the display device of one embodiment of the present invention has high definition, the user can obtain a stereoscopic effect on an image without using a complicated structure (for example, an image including binocular parallax or glasses for stereoscopic vision). Obtainable. Therefore, a high sense of immersion in the display contents of the head mounted display can be obtained.
また、本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する。本発明の一態様の表示装置は、その表示面を湾曲し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。ヘッドマウントディスプレイ7900は、湾曲した表示面を有することで、平面の表示面を有する場合に比べて、使用者が得られる、画像の立体感、又は表示内容への没入感を高めることができる。Further, the display device of one embodiment of the present invention has flexibility. The display device of one embodiment of the present invention can have a curved display surface and can perform display along the curved display surface. The head-mounted
また、表示装置7901の湾曲の加減を、手動又は自動で変化させることができてもよい。これにより、個人差や表示内容によらず、使用者が画像に強い立体感又は奥行き感を得ることができる。Further, the degree of bending of the
また、使用者は、レンズ7904を通して表示装置7901の表示を視認するため、画像が歪んで見える場合がある。例えば、歪みの少ないレンズを用いる、又は、歪みを考慮して画像を補正して表示することで、使用者が視認する画像の歪みを低減させることができる。しかし、歪みの少ないレンズは高価であり、コストが高くなることが多い。また、使用者が視認する画像の歪みを低減させるために、画像の補正をすると、解像度が低下する場合がある。そこで、本発明の一態様では、表示装置7901の形状を変化させることにより、使用者が画像の歪みを視認しにくい表示を行う。これにより、複雑な構成を必要とせず、かつ、解像度を大きく下げることなく、使用者にとって画像が歪んで見えにくくすることができる。Further, since the user visually recognizes the display on the
図25(A)〜(C)に、ヘッドマウントディスプレイ7920の斜視図を示す。ヘッドマウントディスプレイ7920は、表示装置を2つ有する点で、ヘッドマウントディスプレイ7900と異なる。それ以外の構成については、ヘッドマウントディスプレイ7900の説明を適宜参酌できる。25A to 25C are perspective views of the head mounted
ヘッドマウントディスプレイ7920は、本体7922及び装着部7923を有し、本体7922には、表示装置7921L、表示装置7921R、及びレンズ7924が取り付けられている。使用者は、レンズ7924を通して、表示装置7921L及び表示装置7921Rの表示を視認することができる。図25(C)では、2つの表示装置の形状及び配置例を示すために、レンズ7924等を示していない。ヘッドマウントディスプレイは、レンズ及び表示装置の少なくとも一方が着脱可能であってもよい。The head mounted
ヘッドマウントディスプレイ7920では、左目用の表示装置7921Lと、右目用の表示装置7921Rと、のそれぞれが、湾曲した表示面を有するため、使用者が得られる、画像の立体感、又は表示内容への没入感を高めることができる。また、表示装置7921Lと表示装置7921Rの湾曲の加減を、それぞれ独立に、手動又は自動で変化させることができてもよい。または、表示装置7921Lと表示装置7921Rの湾曲の加減を一律で変化させることができてもよい。In the head-mounted
図26(A)〜(C)に、プロジェクター7910を示す。プロジェクター7910は、表示装置7911と光学系7912を有する。A
表示装置7911は、表示素子として有機EL素子を有する。自発光の表示素子を用いることで、プロジェクター7910に、別途、光源を設ける必要がない。したがって、プロジェクター7910の軽量、かつ、小型にすることができる。The
図26(A)は三板式のプロジェクターであり、3つの表示装置7911を有する。各表示装置7911は、凹曲面の表示面を有する。FIG. 26A illustrates a three-panel type projector including three
図26(B)は単板式のプロジェクターであり、1つの表示装置7911を有する。表示装置7911は、凸曲面の表示面を有する。FIG. 26B illustrates a single-panel type projector including one
図26(C)は超短焦点のプロジェクターである。投射したいスクリーン又は壁等の近くに配置することができるため、狭い場所又は限られた空間での使用に効果的である。FIG. 26C shows an ultra-short focus projector. Since it can be placed near the screen or wall where you want to project, it is effective for use in a narrow space or limited space.
光学系7912は、ミラー、プリズム、位相差板、レンズ、偏光機能を有するフィルム、位相差を調節するためのフィルム、及びIRフィルムのうち、少なくとも一つを有することが好ましい。例えば、表示装置7911から射出された光は、ズームレンズを通してスクリーンに投影される。The
表示装置7911は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示装置7911は可撓性を有する部分を有していてもよい。表示装置7911は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。The
表示装置7911の表示は、光学系7912を通してスクリーン7913に投射されるため、画像が歪んで見える場合がある。例えば、歪みの少ないレンズを用いる、又は、歪みを考慮して画像を補正して表示することで、画像の歪みを低減させることができる。しかし、歪みの少ないレンズは高価であり、コストが高くなることが多い。また、画像の歪みを低減させるために、画像の補正をすると、解像度が低下する場合がある。そこで、本発明の一態様では、表示装置7911の形状を変化させることにより、画像の歪みを低減させる。これにより、複雑な構成を必要とせず、かつ、解像度を大きく下げることなく、画像の歪みを低減させることができる。Since the display of the
なお、表示装置7911は、表示面が凸曲面であってもよく、凹曲面であってもよく、凸曲面及び凹曲面の双方を有していてもよい。また、表示装置7911の表示面は、平面であってもよい。また、プロジェクターが複数の表示装置7911を有する場合、各表示装置7911の表示面の形状は、異なっていてもよいし、同一であってもよい。Note that the display surface of the
図27(A)、(B)、(C1)、(C2)、(D)、(E)に、湾曲した表示部7000を有する電子機器の一例を示す。表示部7000はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。27(A), (B), (C1), (C2), (D), and (E) show an example of an electronic device having a
表示部7000は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。The
本発明の一態様により、精細度が高く、湾曲した表示部を備えた電子機器を提供できる。According to one embodiment of the present invention, an electronic device including a curved display portion with high definition can be provided.
図27(A)に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機7100は、筐体7101、表示部7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク7106等を有する。An example of a mobile phone is illustrated in FIG. The
図27(A)に示す携帯電話機7100は、表示部7000にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指又はスタイラスなどで表示部7000に触れることで行うことができる。A
また、操作ボタン7103の操作により、電源のON、OFF動作、及び表示部7000に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。Further, by operating the
図27(B)にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置7200は、筐体7201に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7203により筐体7201を支持した構成を示している。An example of a television device is shown in FIG. A
図27(B)に示すテレビジョン装置7200の操作は、筐体7201が備える操作スイッチ、及び別体のリモコン操作機7211により行うことができる。または、表示部7000にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作してもよい。リモコン操作機7211は、当該リモコン操作機7211から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7211が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映像を操作することができる。The
なお、テレビジョン装置7200は、受信機又はモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。Note that the
図27(C1)、(C2)、(D)、(E)に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体7301及び表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部7000にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指又はスタイラスなどで表示部7000に触れることで行うことができる。27(C1), (C2), (D), and (E) show examples of portable information terminals. Each mobile information terminal has a
図27(C1)は、携帯情報端末7300の斜視図であり、図27(C2)は携帯情報端末7300の上面図である。図27(D)は、携帯情報端末7310の斜視図である。図27(E)は、携帯情報端末7320の斜視図である。27C1 is a perspective view of the
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。The mobile information terminal exemplified in this embodiment has one or more functions selected from, for example, a telephone set, a notebook, an information browsing device, and the like. Specifically, each can be used as a smartphone. The portable information terminal exemplified in this embodiment can execute various applications such as mobile phones, e-mails, text browsing and creation, music playback, Internet communication, and computer games.
携帯情報端末7300、携帯情報端末7310及び携帯情報端末7320は、文字又は画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図27(C1)、(D)に示すように、3つの操作ボタン7302を一の面に表示し、矩形で示す情報7303を他の面に表示することができる。図27(C1)、(C2)では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図27(D)では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよく、図27(E)では、情報7304、情報7305、情報7306がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。The
なお、情報の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)の通知、電子メール又は電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。Examples of the information include notification of SNS (social networking service), display for notifying an incoming call such as e-mail or telephone, name or sender name of e-mail, date and time, remaining battery level, antenna For example, the strength of reception. Alternatively, an operation button, an icon, or the like may be displayed instead of the information at the position where the information is displayed.
例えば、携帯情報端末7300の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末7300を収納した状態で、その表示(ここでは情報7303)を確認することができる。For example, the user of the
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末7300の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末7300をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。Specifically, the telephone number or name of the caller of the incoming call is displayed at a position where it can be observed from above the
図27(F)〜(H)に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。27F to 27H illustrate an example of a lighting device having a curved light emitting portion.
図27(F)〜(H)に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の発光装置を用いて作製される。The light-emitting portion included in each lighting device in FIGS. 27F to 27H is manufactured using the light-emitting device of one embodiment of the present invention.
本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。According to one embodiment of the present invention, a highly reliable lighting device including a curved light emitting portion can be provided.
図27(F)に示す照明装置7400は、波状の発光面を有する発光部7402を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。A
図27(G)に示す照明装置7410の備える発光部7412は、凸状に湾曲した2つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7410を中心に全方位を照らすことができる。A
図27(H)に示す照明装置7420は、凹状に湾曲した発光部7422を備える。したがって、発光部7422からの発光を、照明装置7420の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいとう効果を奏する。The
また、照明装置7400、照明装置7410及び照明装置7420の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材又は可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。In addition, each light-emitting portion included in the
照明装置7400、照明装置7410及び照明装置7420は、それぞれ、操作スイッチ7403を備える台部7401と、台部7401に支持される発光部を有する。The
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。In addition, here, the illuminating device in which the light emitting unit is supported by the pedestal has been illustrated, but the housing including the light emitting unit may be fixed to the ceiling or may be used by being hung from the ceiling. Since the light emitting surface can be used by being curved, the light emitting surface can be curved in a concave shape to illuminate a specific region brightly, or the light emitting surface can be curved in a convex shape to brightly illuminate the entire room.
図28(A1)、(A2)、(B)〜(I)に、可撓性を有する表示部7001を有する携帯情報端末の一例を示す。FIGS. 28A1, 28A2, and 28I show an example of a portable information terminal including a
表示部7001は、本発明の一態様の表示装置を用いて作製される。例えば、曲率半径0.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7001に触れることで携帯情報端末を操作することができる。The
本発明の一態様により、精細度が高く、可撓性を有する表示部を備えた電子機器を提供できる。According to one embodiment of the present invention, an electronic device including a highly flexible display portion can be provided.
図28(A1)は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図28(A2)は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末7500は、筐体7501、表示部7001、引き出し部材7502、操作ボタン7503等を有する。28A1 is a perspective view illustrating an example of a portable information terminal, and FIG. 28A2 is a side view illustrating an example of a portable information terminal. The
携帯情報端末7500は、筐体7501内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部7001を有する。The
また、携帯情報端末7500は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部7001に表示することができる。また、携帯情報端末7500にはバッテリが内蔵されている。また、筐体7501にコネクタを接続する端子部を備え、映像信号又は電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。In addition, the
また、操作ボタン7503によって、電源のON、OFF動作、及び表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図28(A1)、(A2)、(B)では、携帯情報端末7500の側面に操作ボタン7503を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末7500の表示面と同じ面(おもて面)又は裏面に配置してもよい。In addition, an
図28(B)には、表示部7001を引き出し部材7502により引き出した状態の携帯情報端末7500を示す。この状態で表示部7001に映像を表示することができる。また、表示部7001の一部がロール状に巻かれた図28(A1)の状態と表示部7001を引き出し部材7502により引き出した図28(B)の状態とで、携帯情報端末7500が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図28(A1)の状態のときに、表示部7001のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末7500の消費電力を下げることができる。FIG. 28B shows the
なお、表示部7001を引き出した際に表示部7001の表示面が平面状となるように固定するため、表示部7001の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。Note that a frame for reinforcement may be provided on a side portion of the
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。In addition to this configuration, a speaker may be provided in the housing and a voice may be output by an audio signal received together with the video signal.
図28(C)〜(E)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図28(C)では、展開した状態、図28(D)では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図28(E)では、折りたたんだ状態の携帯情報端末7600を示す。携帯情報端末7600は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。28C to 28E show an example of a foldable portable information terminal. In FIG. 28C, the portable information terminal is in an expanded state, in FIG. 28D, is in a state in which one of the expanded state and the folded state is changing to the other, and in FIG. 28E, the portable information terminal is in a folded state. 7600 is shown. The
表示部7001はヒンジ7602によって連結された3つの筐体7601に支持されている。ヒンジ7602を介して2つの筐体7601間を屈曲させることにより、携帯情報端末7600を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。The
図28(F)、(G)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図28(F)では、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図28(G)では、表示部7001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携帯情報端末7650は表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7650を使用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部7001の汚れ及び傷つきを抑制できる。28F and 28G show an example of a foldable portable information terminal. 28F illustrates the
図28(H)に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7700は、筐体7701及び表示部7001を有する。さらに、入力手段であるボタン7703a、7703b、音声出力手段であるスピーカ7704a、7704b、外部接続ポート7705、マイク7706等を有していてもよい。また、携帯情報端末7700は、可撓性を有するバッテリ7709を搭載することができる。バッテリ7709は例えば表示部7001と重ねて配置してもよい。FIG. 28H illustrates an example of a portable information terminal having flexibility. The
筐体7701、表示部7001、及びバッテリ7709は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末7700を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末7700に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末7700は、表示部7001が内側又は外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末7700をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体7701及び表示部7001を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末7700は、落下した場合、又は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。The
また、携帯情報端末7700は軽量であるため、筐体7701の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、又は、筐体7701を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。In addition, since the
図28(I)に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7800は、バンド7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バンド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を有するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は例えば表示部7001又はバンド7801と重ねて配置してもよい。FIG. 28I shows an example of a wristwatch type portable information terminal. The
バンド7801、表示部7001、及びバッテリ7805は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末7800を所望の形状に湾曲させることが容易である。The
操作ボタン7803は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。The
また、表示部7001に表示されたアイコン7804に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。The application can be started by touching the
また、携帯情報端末7800は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。Further, the
また、携帯情報端末7800は入出力端子7802を有していてもよい。入出力端子7802を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。In addition, the
図29(A)〜(C)に折り畳み可能な腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7850は、表示部7851、筐体7852、筐体7853、バンド7854、操作ボタン7855等を有する。29A to 29C show an example of a foldable wristwatch type portable information terminal. The
携帯情報端末7850は、図29(A)に示す筐体7852が筐体7853上に重ねられた状態と、図29(C)に示す表示部7851が展開された状態と、の一方から他方に可逆的に変形できる。例えば、図29(A)の状態から、筐体7852を持ち上げることにより(図29(B))、図29(C)の状態へと変形させることができる。そのため携帯情報端末7850は、表示部7851を折り畳んだ状態と、表示部7851を展開することにより表示領域を広げた状態の双方で、使用することができる。The
表示部7851は、タッチパネルとしての機能を有する。表示部7851に触れることで携帯情報端末7850を操作することができる。また、操作ボタン7855を押す、回す、若しくは上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯情報端末7850を操作することができる。The
図29(A)に示すように、筐体7852と筐体7853とが重なった状態で、筐体7852と筐体7853とが意図せずに離れることを抑制するための、ロック機構を有することが好ましい。このとき、例えば操作ボタン7855を押すなどの操作により、ロック状態を解除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を解除したときに、図29(A)に示す状態から図29(C)に示す状態に自動的に変形する機構を有していてもよい。または、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体7852と筐体7853の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで容易に筐体7852と筐体7853とを脱着させることができる。As shown in FIG. 29A, in the case where the
図29(A)〜(C)では、バンド7854の曲がる向きに対して概略垂直な方向に表示部7851を展開できる構成を示したが、図29(D)、(E)に示すように、バンド7854の曲がる向きに概略平行な方向に表示部7851を展開できる構成としてもよい。また、バンド7854に巻きつけるように、表示部7851を湾曲させて用いてもよい。29A to 29C, the
図30(A)に自動車9700の外観を示す。図30(B)に自動車9700の運転席を示す。自動車9700は、車体9701、車輪9702、ダッシュボード9703、ライト9704等を有する。本発明の一態様の表示装置は、自動車9700の表示部などに用いることができる。例えば、図30(B)に示す表示部9710乃至表示部9715に本発明の一態様の表示装置を設けることができる。FIG. 30A shows the appearance of the
表示部9710と表示部9711は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様の表示装置は、電極及び配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部9710及び表示部9711がシースルー状態であれば、自動車9700の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車9700のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、又は酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。The
表示部9712はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部9712に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部9713はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部9713に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。The
また、図30(C)は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部9721は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部9721に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部9722は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部9723は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面又は背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。Further, FIG. 30C shows the interior of an automobile in which bench seats are used for the driver's seat and the passenger seat. The
表示部9714、表示部9715、又は表示部9722はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部9710乃至表示部9713、表示部9721、表示部9723にも表示することができる。また、表示部9710乃至表示部9715、表示部9721乃至表示部9723は照明装置として用いることも可能である。また、表示部9710乃至表示部9715、表示部9721乃至表示部9723は加熱装置として用いることも可能である。The
本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発明の一態様の表示装置は、曲面及び可撓性を有さない構成であってもよい。The display unit to which the display device of one embodiment of the present invention is applied may be flat. In that case, the display device of one embodiment of the present invention may have a structure without a curved surface and flexibility.
図30(D)に示す携帯型ゲーム機は、筐体9801、筐体9802、表示部9803、表示部9804、マイクロフォン9805、スピーカ9806、操作キー9807、スタイラス9808等を有する。The portable game machine illustrated in FIG. 30D includes a
図30(D)に示す携帯型ゲーム機は、2つの表示部(表示部9803と表示部9804)を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、2つに限定されず1つであっても3つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも1つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有する。The portable game machine illustrated in FIG. 30D includes two display portions (a
図30(E)はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体9821、表示部9822、キーボード9823、ポインティングデバイス9824等を有する。FIG. 30E illustrates a laptop personal computer, which includes a
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態3)
本実施の形態では、リソグラフィー法で用いる露光装置の性能の一つである解像度の限界よりも微細なL/S(Line & Space)を有する配線又は電極の加工方法の一例について説明する。(Embodiment 3)
In this embodiment mode, an example of a method for processing a wiring or an electrode having L/S (Line & Space) finer than the resolution limit, which is one of the performances of an exposure apparatus used in a lithography method, will be described.
L/S(Line & Space)とは、配線の幅と隣り合う配線同士の間隔のことである。Lはライン(Line)を示し、Sはスペース(Space)を示す。L/S (Line & Space) is the width of a wiring and the distance between adjacent wirings. L indicates a line, and S indicates a space.
本明細書において、導電体、絶縁体、及び半導体の成膜は、それぞれ、スパッタリング法、CVD法、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法もしくはパルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)法、ALD法、熱酸化法、又はプラズマ酸化法などを用いて行うことができる。In this specification, a conductor, an insulator, and a semiconductor are formed by a sputtering method, a CVD method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, or a pulsed laser deposition (PLD) method, respectively. It can be performed using an ALD method, a thermal oxidation method, a plasma oxidation method, or the like.
なお、CVD法は、プラズマを利用するプラズマCVD法、熱を利用する熱CVD法、光を利用する光CVD法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属CVD法、MOCVD法に分けることができる。The CVD method can be classified into a plasma CVD method using plasma, a thermal CVD method using heat, and an optical CVD method using light. Further, it can be classified into a metal CVD method and a MOCVD method depending on the raw material gas used.
プラズマCVD法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱CVD法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。例えば、表示装置に含まれる配線、電極、素子(トランジスタ、容量素子など)などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、表示装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱CVD法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、表示装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱CVD法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。The plasma CVD method can obtain a high quality film at a relatively low temperature. Further, the thermal CVD method is a film forming method which can reduce plasma damage to an object to be processed because plasma is not used. For example, a wiring, an electrode, an element (a transistor, a capacitor, or the like) included in a display device might be charged up by receiving electric charge from plasma. At this time, the accumulated charge may destroy wirings, electrodes, elements, and the like included in the display device. On the other hand, in the case of the thermal CVD method that does not use plasma, such plasma damage does not occur, so that the yield of the display device can be increased. Further, in the thermal CVD method, plasma damage does not occur during film formation, so that a film with few defects can be obtained.
また、ALD法も、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。ALD法を用いることにより、欠陥の少ない膜が得られる。Further, the ALD method is also a film forming method capable of reducing plasma damage to an object to be processed. By using the ALD method, a film with few defects can be obtained.
CVD法及びALD法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ALD法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ALD法は、成膜速度が比較的遅いため、成膜速度の速いCVD法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。The CVD method and the ALD method are film forming methods in which a film is formed by a reaction on the surface of an object to be processed, unlike a film forming method in which particles emitted from a target or the like are deposited. Therefore, the film forming method is not easily affected by the shape of the object to be processed and has good step coverage. In particular, the ALD method has excellent step coverage and excellent thickness uniformity, and is therefore suitable for coating the surface of the opening having a high aspect ratio. However, since the ALD method has a relatively low film forming rate, it may be preferable to use it in combination with another film forming method such as a CVD method having a high film forming rate.
CVD法及びALD法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、CVD法及びALD法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、CVD法及びALD法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、表示装置の生産性を高めることができる場合がある。In the CVD method and the ALD method, the composition of the obtained film can be controlled by the flow rate ratio of the source gas. For example, in the CVD method and the ALD method, a film having an arbitrary composition can be formed depending on the flow rate ratio of the source gas. Further, for example, in the CVD method and the ALD method, a film having a continuously changed composition can be formed by changing the flow rate ratio of the raw material gas during film formation. When forming a film while changing the flow rate ratio of the source gas, it is possible to shorten the film forming time by the amount of time required for transport and pressure adjustment as compared with the case of forming a film using a plurality of film forming chambers. it can. Therefore, the productivity of the display device may be improved in some cases.
以下では、配線又は電極の加工方法について、図31〜図33に示す断面図を用いて説明する。Hereinafter, a method of processing wirings or electrodes will be described with reference to the sectional views shown in FIGS.
まず、基板305上に導電体310を成膜する。本実施の形態では、導電体310を基板305上に成膜する例を示すが、これに限らず、例えば、絶縁層上又は半導体装置上などに成膜してもよい。導電体310としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、プラチナ、銀、インジウム、スズ、タンタル、及びタングステンのうち一種以上を含む導電体を、単層で、又は積層で形成することができる。導電体310は、例えば、合金膜又は化合物膜であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅及びチタンを含む導電体、銅及びマンガンを含む導電体、インジウム、スズ及び酸素を含む導電体、又はチタン及び窒素を含む導電体などを用いてもよい。First, the
次に、導電体310上に導電体320を成膜する。導電体320には、例えば、導電体310に用いることができる材料を適用できる。Next, the
本実施の形態では、導電体310上に導電体320を成膜する例を示すが、導電体ではなく絶縁体を成膜してもよい。または、絶縁体と導電体を積層して多層膜としてもよい。Although the
次に、導電体320上に、リソグラフィー法を用いて、レジストマスク340を形成する(図31(A))。ここでは、リソグラフィー法に用いる露光装置が可能な最小のL/Sの寸法でレジストマスクを形成する。Next, a resist
次に、レジストマスク340をエッチングマスクとして、導電体320の不要な部分をエッチングして導電体325を形成する。導電体320のエッチングにドライエッチング法を用いると、微細加工が容易となり好ましい。また、導電体320のエッチング中にレジストマスク340の一部がエッチングされて縮小することで、導電体325のライン幅をレジストマスクのライン幅よりも縮小することができる。さらに、導電体325のライン幅を縮小するためには、導電体320のエッチング時間を長くすることが好ましい(図31(B))。Next, an unnecessary portion of the
次に、レジストマスク340を除去する。レジストマスクは、酸素を含むプラズマ処理を行うことにより除去することができる。または、薬液を用いたウエット処理を行ってレジストマスクを除去してもよい。または、酸素を含むプラズマ処理を行った後に薬液を用いたウエット処理を行ってレジストマスクを除去してもよい。Next, the resist
次に、導電体310上及び導電体325を覆うように絶縁体350を成膜する。絶縁体350としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、又はタンタルを含む絶縁体を、単層で、又は積層で形成することができる。例えば、絶縁体350は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有することが好ましい。Next, the
次に、絶縁体350を導電体325の上面に達するまで、及び導電体310の上面に達するまでエッチングすることで、導電体325の側面に絶縁体355を形成する(図32(B))。絶縁体350のエッチングは、ドライエッチング法を用いることが好ましい。特に、エッチングの進む方向が基板305の底面と平行な面を基準として垂直方向である異方性エッチングであることがより好ましい。Next, the
次に、導電体325を除去する。導電体325の除去には、ドライエッチング法又はウエットエッチング法を用いることができ、ウエットエッチング法を用いることが好ましい。ウエットエッチング法を用いることで、絶縁体355と導電体325とのエッチング速度の比を大きくすることができる。具体的には、絶縁体355のエッチング速度を1とすると導電体325のエッチング速度を20以上とすることができる。ウエットエッチング法は、エッチングが等方的に進むため、例えば絶縁体355の影になる部分の導電体325のエッチングも可能となる。従ってウエットエッチング法を用いることで、絶縁体355の膜減り、絶縁体355の変形、及び導電体325の膜残りを防ぐことができ、好適である。これで、絶縁体355を有するハードマスクを形成することができる(図33(A))。Next, the
絶縁体350の導電体325への被覆性が絶縁体355のライン幅を決めることになる。導電体325の上面の絶縁体350の膜厚をAとし、導電体325の側面の絶縁体350の膜厚をBとし、絶縁体350の被覆性をCとして、被覆性CをB/Aと定義する。例えば絶縁体350の被覆性Cが0.8である場合、絶縁体350の膜厚Aを1000nmとすると、導電体325の側面の絶縁体350の膜厚Bは800nmとなる。従って、絶縁体355の膜厚すなわち絶縁体355のライン幅は、800nmとなる。あらかじめ絶縁体350の被覆性を測定しておけば、絶縁体355の膜厚を調整することで、必要な絶縁体355のライン幅を形成できる。このように絶縁体355は、リソグラフィー工程を用いることなく形成できるので、リソグラフィーに使用する露光装置の解像度を超える微細なL/Sを形成することができる。絶縁体350の被覆性Cは、0.3以上1.0以下、好ましくは、0.5以上1.0以下とする。The coverage of the
次に、絶縁体355をエッチングマスクとして、導電体310の一部をエッチングすることで、導電体315を形成する。導電体310のエッチングは、ドライエッチング法を用いることが好ましい(図33(B))。Next, the
次に、絶縁体355を除去する。絶縁体355の除去には、ドライエッチング法又はウエットエッチングを用いることができる。以上により、露光装置の解像度の限界よりも微細なL/Sの寸法の導電体315を作製することができる(図33(C))。Next, the
本実施の形態で説明した、本発明の一態様の配線又は電極の加工方法を適用することで、精細度が高い表示装置を作製することができる。By applying the wiring or electrode processing method of one embodiment of the present invention described in this embodiment, a display device with high definition can be manufactured.
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。This embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
101 結晶性半導体基板
102 結晶性基板
103 剥離層
105 絶縁膜
110 表示装置
111 絶縁膜
112n nウェル
112p pウェル
113n n型不純物領域
113p p型不純物領域
114n LDD領域
114p LDD領域
115 ゲート絶縁膜
116 ゲート
116a ゲート
116b ゲート
116c ゲート
116d ゲート
117 サイドウォール
118 素子分離領域
119 半導体膜
119a チャネル形成領域
119b 低抵抗領域
121 絶縁膜
121x 絶縁膜
121y 絶縁膜
122 絶縁膜
123 導電膜
123a 導電膜
123b 導電膜
123c 導電膜
123d 導電膜
123e 導電膜
123f 導電膜
123g 導電膜
123h 導電膜
123i 導電膜
123x 導電膜
123y 導電膜
124 導電膜
124a 導電膜
124b 導電膜
124c 導電膜
124d 導電膜
124e 導電膜
124f 導電膜
124g 導電膜
124h 導電膜
125 絶縁膜
126 導電膜
127 導電膜
128 絶縁膜
129e 導電膜
129f 導電膜
129g 導電膜
129h 導電膜
129i 導電膜
131 半導体膜
135 絶縁膜
136 バックゲート
141 導電膜
142 絶縁膜
143 絶縁膜
148 導電膜
149 導電膜
150 走査線駆動回路
151n トランジスタ
151p トランジスタ
152n トランジスタ
152p トランジスタ
153 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
156 トランジスタ
160 画素部
161 トランジスタ
162 トランジスタ
163 トランジスタ
164 トランジスタ
165 トランジスタ
166 トランジスタ
167 トランジスタ
168 トランジスタ
169 トランジスタ
170 容量素子
171 可撓性基板
172 絶縁膜
173 導電膜
174 絶縁膜
175 導電膜
176 接着層
177 導電膜
178 接続体
179 FPC
180 発光素子
180G 発光素子
180R 発光素子
181 電極
183 EL層
185 電極
187 導電膜
189 導電膜
191 可撓性基板
192 接着層
193 絶縁膜
194 遮光層
195 着色層
195G 着色層
195R 着色層
196 接着層
197 絶縁膜
199 接続体
210 部材
215a 部材
215b 部材
250 液晶素子
251 導電膜
252 導電膜
253 絶縁膜
254 液晶
255 オーバーコート
256 スペーサ
257 ポリマー壁
258 配向膜
259 配向膜
305 基板
310 導電体
315 導電体
320 導電体
325 導電体
340 レジストマスク
350 絶縁体
355 絶縁体
401 ゲート
402 絶縁膜
403 ゲート絶縁膜
404a 導電膜
404b 導電膜
406a 酸化物膜
406b 酸化物半導体膜
406c 酸化物膜
408 絶縁膜
410 絶縁膜
418 絶縁膜
428 絶縁膜
454 ゲート
460 素子分離領域
462 ゲート絶縁膜
464 絶縁膜
465 絶縁膜
466 絶縁膜
467 絶縁膜
468 絶縁膜
469 絶縁膜
470 絶縁膜
472 絶縁膜
474a 不純物領域
474b 不純物領域
475 絶縁膜
476a 導電膜
476b 導電膜
476c 導電膜
477a 導電膜
477b 導電膜
477c 導電膜
478a 導電膜
478b 導電膜
478c 導電膜
479a 導電膜
479b 導電膜
479c 導電膜
480a 導電膜
480b 導電膜
480c 導電膜
483a 導電膜
483b 導電膜
483c 導電膜
483d 導電膜
483e 導電膜
483f 導電膜
484a 導電膜
484b 導電膜
484c 導電膜
484d 導電膜
485a 導電膜
485b 導電膜
485c 導電膜
485d 導電膜
485e 導電膜
487a 導電膜
487b 導電膜
487c 導電膜
488a 導電膜
488b 導電膜
488c 導電膜
489a 導電膜
489b 導電膜
490a 導電膜
490b 導電膜
491 導電膜
494 導電膜
496 導電膜
498 絶縁膜
747x 開口
747y 開口
748x 開口
748y 開口
901 可撓性基板
903 接着層
911 作製基板
912 剥離層
951 結晶性基板
992 剥離層
3001 第1の配線
3002 第2の配線
3003 第3の配線
3004 第4の配線
3005 第5の配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4018 FPC
4018a FPC
4018b FPC
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7850 携帯情報端末
7851 表示部
7852 筐体
7853 筐体
7854 バンド
7855 操作ボタン
7900 ヘッドマウントディスプレイ
7901 表示装置
7902 本体
7903 装着部
7904 レンズ
7910 プロジェクター
7911 表示装置
7912 光学系
7913 スクリーン
7920 ヘッドマウントディスプレイ
7921L 表示装置
7921R 表示装置
7922 本体
7923 装着部
7924 レンズ
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
9801 筐体
9802 筐体
9803 表示部
9804 表示部
9805 マイクロフォン
9806 スピーカ
9807 操作キー
9808 スタイラス
9821 筐体
9822 表示部
9823 キーボード
9824 ポインティングデバイス101 crystalline semiconductor substrate 102 crystalline substrate 103 peeling layer 105 insulating film 110 display device 111 insulating film 112n n well 112p p well 113n n type impurity region 113p p type impurity region 114n LDD region 114p LDD region 115 gate insulating film 116 gate 116a Gate 116b Gate 116c Gate 116d Gate 117 Sidewall 118 Element isolation region 119 Semiconductor film 119a Channel formation region 119b Low resistance region 121 Insulating film 121x Insulating film 121y Insulating film 122 Insulating film 123 Conductive film 123a Conductive film 123b Conductive film 123c Conductive film 123d Conductive film 123e conductive film 123f conductive film 123g conductive film 123h conductive film 123i conductive film 123x conductive film 123y conductive film 124 conductive film 124a conductive film 124b conductive film 124c conductive film 124d conductive film 124e conductive film 124f conductive film 124g conductive film 124h conductive film 125 insulating film 126 conductive film 127 conductive film 128 insulating film 129e conductive film 129f conductive film 129g conductive film 129h conductive film 129i conductive film 131 semiconductor film 135 insulating film 136 back gate 141 conductive film 142 insulating film 143 insulating film 148 conductive film 149 conductive Film 150 Scan line driver circuit 151n Transistor 151p Transistor 152n Transistor 152p Transistor 153 Transistor 154 Transistor 155 Transistor 156 Transistor 160 Pixel part 161 Transistor 162 Transistor 163 Transistor 164 Transistor 165 Transistor 166 Transistor 167 Transistor 168 Transistor 169 Transistor 170 Capacitive element 171 Flexible Substrate 172 Insulating film 173 Conductive film 174 Insulating film 175 Conductive film 176 Adhesive layer 177 Conductive film 178 Connector 179 FPC
180 Light-Emitting Element 180G Light-Emitting Element 180R Light-Emitting Element 181 Electrode 183 EL Layer 185 Electrode 187 Conductive Film 189 Conductive Film 191 Flexible Substrate 192 Adhesive Layer 193 Insulating Film 194 Light-Shielding Layer 195 Coloring Layer 195G Coloring Layer 195R Coloring Layer 196 Adhesive Layer 197 Insulation Film 199 Connection body 210 Member 215a Member 215b Member 250 Liquid crystal element 251 Conductive film 252 Conductive film 253 Insulating film 254 Liquid crystal 255 Overcoat 256 Spacer 257 Polymer wall 258 Alignment film 259 Alignment film 305 Substrate 310 Conductor 315 Conductor 320 Conductor 325 Conductor 340 Resist mask 350 Insulator 355 Insulator 401 Gate 402 Insulating film 403 Gate insulating film 404a Conductive film 404b Conductive film 406a Oxide film 406b Oxide semiconductor film 406c Oxide film 408 Insulating film 410 Insulating film 418 Insulating film 428 Insulation Film 454 Gate 460 Element isolation region 462 Gate insulating film 464 Insulating film 465 Insulating film 466 Insulating film 467 Insulating film 468 Insulating film 469 Insulating film 470 Insulating film 472 Insulating film 474a Impurity region 474b Impurity region 475 Insulating film 476a Conductive film 476b Conductive film 476c conductive film 477a conductive film 477b conductive film 477c conductive film 478a conductive film 478b conductive film 478c conductive film 479a conductive film 479b conductive film 479c conductive film 480a conductive film 480b conductive film 480c conductive film 483a conductive film 483b conductive film 483c conductive film 483d conductive film Film 483e conductive film 483f conductive film 484a conductive film 484b conductive film 484c conductive film 484d conductive film 485a conductive film 485b conductive film 485c conductive film 485d conductive film 485e conductive film 487a conductive film 487b conductive film 487c conductive film 488a conductive film 488b conductive film 488c Conductive film 489a Conductive film 489b Conductive film 490a Conductive film 490b Conductive film 491 Conductive film 494 Conductive film 496 Conductive film 498 Insulating film 747x Opening 747y Opening 748x Opening 748y Opening 901 Flexible substrate 903 Adhesive layer 911 Fabricating substrate 912 Stripping layer 951 Crystal Substrate 992 peeling layer 3001 first wiring 3002 second wiring 3003 third wiring 3004 fourth wiring 3005 fifth wiring 3200 transistor 3300 transistor 3400 capacitive element Child 4003 Signal line drive circuit 4004 Scan line drive circuit 4018 FPC
4018a FPC
4018b FPC
7000 display unit 7001 display unit 7100 mobile phone 7101 housing 7103 operation button 7104 external connection port 7105 speaker 7106 microphone 7200 television device 7201 housing 7203 stand 7211 remote controller 7300 portable information terminal 7301 housing 7302 operation button 7303 information 7304 information 7305 information 7306 information 7310 portable information terminal 7320 portable information terminal 7400 lighting device 7401 stand portion 7402 light emitting portion 7403 operation switch 7410 lighting device 7412 light emitting portion 7420 lighting device 7422 light emitting portion 7500 portable information terminal 7501 housing 7502 member 7503 operation button 7600 portable Information terminal 7601 Housing 7602 Hinge 7650 Portable information terminal 7651 Non-display portion 7700 Portable information terminal 7701 Housing 7703a Button 7703b Button 7704a Speaker 7704b Speaker 7705 External connection port 7706 Microphone 7709 Battery 7800 Portable information terminal 7801 Band 7802 Input/output terminal 7803 Operation Button 7804 Icon 7805 Battery 7850 Portable information terminal 7851 Display unit 7852 Housing 7853 Housing 7854 Band 7855 Operation button 7900 Head mount display 7901 Display device 7902 Main body 7903 Mounting portion 7904 Lens 7910 Projector 7911 Display device 7912 Optical system 7913 Screen 7920 Head mount Display 7921L Display device 7921R Display device 7922 Main body 7923 Mounting part 7924 Lens 9700 Automobile 9701 Body 9702 Wheel 9703 Dashboard 9704 Light 9710 Display part 9711 Display part 9712 Display part 9713 Display part 9714 Display part 9715 Display part 9721 Display part 9722 Display part 9723 Display portion 9801 Housing 9802 Housing 9803 Display portion 9804 Display portion 9805 Microphone 9806 Speaker 9807 Operation key 9808 Stylus 9821 Housing 9822 Display portion 9823 Keyboard 9824 Pointing device
Claims (6)
前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
前記結晶性半導体基板を研磨し、前記結晶性半導体基板に厚さ1μm以上100μm以下の部分を形成する工程と、を有し、
前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、前記発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜は、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有する、表示装置の作製方法。 Forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate;
Forming a display element electrically connected to the transistor on the crystalline semiconductor substrate;
The crystalline semiconductor substrate is polished and have a, forming a thickness of 1μm or more 100μm following portion to the crystalline semiconductor substrate,
In the step of forming the display element, a light emitting element is formed,
Prior to the step of polishing the crystalline semiconductor substrate, a step of forming an insulating film on the light emitting element, and a step of forming a colored layer on the insulating film,
The insulating film has a function of transmitting light emitted from the light emitting element,
The method for manufacturing a display device, wherein the light-emitting element has a function of emitting light to the colored layer side.
前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
前記結晶性半導体基板の一部が残るように前記結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法であって、
前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、前記発光素子上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜は、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有し、
前記結晶性半導体基板を研磨した後の前記表示装置は可撓性を有する、表示装置の作製方法。 Forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate;
Forming a display element electrically connected to the transistor on the crystalline semiconductor substrate;
And a step of polishing the crystalline semiconductor substrate so that a part of the crystalline semiconductor substrate remains .
In the step of forming the display element, a light emitting element is formed,
Prior to the step of polishing the crystalline semiconductor substrate, a step of forming an insulating film on the light emitting element, and a step of forming a colored layer on the insulating film,
The insulating film has a function of transmitting light emitted from the light emitting element,
The light emitting device, have a function for emitting light to the colored layer side,
A method for manufacturing a display device, wherein the display device has flexibility after polishing the crystalline semiconductor substrate.
前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
前記結晶性半導体基板を研磨し、前記結晶性半導体基板に厚さ1μm以上100μm以下の部分を形成する工程と、を有し、
前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、
作製基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、
前記発光素子と前記着色層とが互いに向き合うように、前記結晶性半導体基板と前記作製基板とを、第1の接着層を用いて貼り合わせる工程と、
前記作製基板と前記絶縁膜とを分離する工程と、
前記絶縁膜とフィルムとを、第2の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有し、
前記絶縁膜及び前記フィルムは、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有する、表示装置の作製方法。 Forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate;
Forming a display element electrically connected to the transistor on the crystalline semiconductor substrate;
The crystalline semiconductor substrate is polished and have a, forming a thickness of 1μm or more 100μm following portion to the crystalline semiconductor substrate,
In the step of forming the display element, a light emitting element is formed,
Before the step of polishing the crystalline semiconductor substrate,
A step of forming a release layer on the manufacturing substrate,
A step of forming an insulating film on the release layer,
Forming a colored layer on the insulating film,
Bonding the crystalline semiconductor substrate and the fabrication substrate using a first adhesive layer so that the light emitting element and the colored layer face each other;
A step of separating the production substrate and the insulating film,
Bonding the insulating film and the film using a second adhesive layer,
The insulating film and the film have a function of transmitting light emitted from the light emitting element,
The method for manufacturing a display device, wherein the light-emitting element has a function of emitting light to the colored layer side.
前記結晶性半導体基板上に前記トランジスタと電気的に接続される表示素子を形成する工程と、
前記結晶性半導体基板の一部が残るように前記結晶性半導体基板を研磨する工程と、を有する、表示装置の作製方法であって、
前記表示素子を形成する工程では、発光素子を形成し、
前記結晶性半導体基板を研磨する工程の前に、
作製基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に着色層を形成する工程と、
前記発光素子と前記着色層とが互いに向き合うように、前記結晶性半導体基板と前記作製基板とを、第1の接着層を用いて貼り合わせる工程と、
前記作製基板と前記絶縁膜とを分離する工程と、
前記絶縁膜とフィルムとを、第2の接着層を用いて貼り合わせる工程と、を有し、
前記絶縁膜及び前記フィルムは、前記発光素子が発する光を透過する機能を有し、
前記発光素子は、前記着色層側に光を射出する機能を有し、
前記結晶性半導体基板を研磨した後の前記表示装置は可撓性を有する、表示装置の作製方法。 Forming a transistor having a channel formation region in a crystalline semiconductor substrate;
Forming a display element electrically connected to the transistor on the crystalline semiconductor substrate;
And a step of polishing the crystalline semiconductor substrate so that a part of the crystalline semiconductor substrate remains .
In the step of forming the display element, a light emitting element is formed,
Before the step of polishing the crystalline semiconductor substrate,
A step of forming a release layer on the manufacturing substrate,
A step of forming an insulating film on the release layer,
Forming a colored layer on the insulating film,
Bonding the crystalline semiconductor substrate and the fabrication substrate using a first adhesive layer so that the light emitting element and the colored layer face each other;
A step of separating the production substrate and the insulating film,
Bonding the insulating film and the film using a second adhesive layer,
The insulating film and the film have a function of transmitting light emitted from the light emitting element,
The light emitting device, have a function for emitting light to the colored layer side,
A method for manufacturing a display device, wherein the display device has flexibility after polishing the crystalline semiconductor substrate.
前記結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板である、表示装置の作製方法。 In any one of Claim 1 thru|or Claim 4 ,
The method for manufacturing a display device, wherein the crystalline semiconductor substrate is a single crystal semiconductor substrate.
前記結晶性半導体基板は、単結晶シリコンを有する、表示装置の作製方法。 In any one of Claim 1 thru|or Claim 4 ,
The method for manufacturing a display device, wherein the crystalline semiconductor substrate has single crystal silicon.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015123825 | 2015-06-19 | ||
JP2015123825 | 2015-06-19 | ||
JP2015201642 | 2015-10-12 | ||
JP2015201642 | 2015-10-12 | ||
PCT/IB2016/053314 WO2016203340A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-06-07 | Method for fabricating display device, display device, electronic device, projector, and head-mounted display |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020088974A Division JP2020140213A (en) | 2015-06-19 | 2020-05-21 | Display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016203340A1 JPWO2016203340A1 (en) | 2018-06-28 |
JP6708643B2 true JP6708643B2 (en) | 2020-06-10 |
Family
ID=57545079
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017524137A Expired - Fee Related JP6708643B2 (en) | 2015-06-19 | 2016-06-07 | Manufacturing method of display device |
JP2020088974A Withdrawn JP2020140213A (en) | 2015-06-19 | 2020-05-21 | Display device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020088974A Withdrawn JP2020140213A (en) | 2015-06-19 | 2020-05-21 | Display device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6708643B2 (en) |
WO (1) | WO2016203340A1 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10319743B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display system, and electronic device |
KR102185116B1 (en) | 2017-12-19 | 2020-12-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
KR102104981B1 (en) * | 2017-12-19 | 2020-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
CN112639937B (en) * | 2018-09-05 | 2023-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | Display device, display module, electronic apparatus, and method for manufacturing display device |
JP6969807B2 (en) * | 2019-09-24 | 2021-11-24 | サン・シールド株式会社 | Work support system |
JP7338887B2 (en) * | 2021-08-27 | 2023-09-05 | 株式会社Joled | Display device |
WO2023073478A1 (en) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0798460A (en) * | 1992-10-21 | 1995-04-11 | Seiko Instr Inc | Semiconductor device and light valve device |
US7786496B2 (en) * | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2005266754A (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing electrooptical device, electrooptical device and electronic equipment |
US7851804B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
EP2105957A3 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate and method for manufacturing semiconductor device |
US20100224880A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8013525B2 (en) * | 2009-04-09 | 2011-09-06 | Global Oled Technology Llc | Flexible OLED display with chiplets |
JP2011253733A (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Akevono Kohgyo Co Ltd | Electroluminescent element and method for manufacturing the same |
JP5372112B2 (en) * | 2011-11-04 | 2013-12-18 | 新光電気工業株式会社 | Wiring board manufacturing method and semiconductor package manufacturing method |
JP2013251255A (en) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing light-emitting device |
JP2015056335A (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device |
JP5992006B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-09-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
CN103996696A (en) * | 2014-05-09 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED display panel, manufacturing method of OLED display panel and display device |
-
2016
- 2016-06-07 WO PCT/IB2016/053314 patent/WO2016203340A1/en active Application Filing
- 2016-06-07 JP JP2017524137A patent/JP6708643B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-05-21 JP JP2020088974A patent/JP2020140213A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016203340A1 (en) | 2016-12-22 |
JP2020140213A (en) | 2020-09-03 |
JPWO2016203340A1 (en) | 2018-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11800747B2 (en) | Display device and electronic device | |
JP6708643B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
KR102443065B1 (en) | Display device and electronic device | |
US11411208B2 (en) | Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device | |
JP6768874B2 (en) | Display device | |
JP2020109521A (en) | Display, module, and electronic apparatus | |
TWI747677B (en) | Display device, display module, and electronic device | |
US9843017B2 (en) | Display device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
TW201628096A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
CN115332356A (en) | Semiconductor device and display device including the same | |
CN107359202B (en) | Semiconductor device and display device including the same | |
JP2018022890A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
KR20150128609A (en) | Display device, light-emitting device, and electronic appliance | |
KR20220104165A (en) | A display device, a display module, an electronic device, and a manufacturing method of the display device | |
TW202234695A (en) | display device | |
KR20170015205A (en) | Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6708643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |