JP6703619B2 - 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6703619B2 JP6703619B2 JP2018550075A JP2018550075A JP6703619B2 JP 6703619 B2 JP6703619 B2 JP 6703619B2 JP 2018550075 A JP2018550075 A JP 2018550075A JP 2018550075 A JP2018550075 A JP 2018550075A JP 6703619 B2 JP6703619 B2 JP 6703619B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding unit
- holding
- unit
- wafer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005304 joining Methods 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 10
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 286
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 17
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
- H01L2224/75802—Rotational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
- H01L2224/75804—Translational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
- H01L2224/75822—Rotational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
- H01L2224/75824—Translational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
本願は、2016年11月9日に日本国に出願された特願2016−218579号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
先ず、本実施の形態にかかる接合システムの構成について説明する。図1は、接合システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、接合システム1の内部構成の概略を示す側面図である。
次に、上述した接合装置41の構成について説明する。
接合装置41は、図4に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送領域60側の側面には、ウェハWU、WL、重合ウェハWTの搬入出口101が形成され、当該搬入出口101には開閉シャッタ102が設けられている。
次に、接合装置41の上チャック140と上チャック回転部150の詳細な構成について説明する。
第1のリニアスケール221はサーボアンプ(図示せず)に接続され、さらにサーボアンプは制御部70に接続されている。すなわち、第1のリニアスケール221はサーボ制御(フルクローズ制御)に用いられ、当該第1のリニアスケール221の測定結果は、後述するように上チャック140の鉛直軸回りの回転方向(θ方向)の位置を調節するために用いられる。
L1=y+Rθ ・・・(1)
L2=−x+Rθ ・・・(2)
L3=x+Rθ ・・・(3)
但し、
L1:第1のリニアスケール221のエンコーダ値
L2:第2のリニアスケール222のエンコーダ値
L3:第3のリニアスケール223のエンコーダ値
x:下チャック141に対する上チャック140のX方向偏心量
y:下チャック141に対する上チャック140のY方向偏心量
θ:下チャック141に対する上チャック140の回転方向偏心量(回転量)
R:上チャック140の半径
x=(L3−L2)/2 ・・・(4)
y=L1−(L3+L2)/2 ・・・(5)
θ=(L3+L2)/2R ・・・(6)
次に、接合装置41の下チャック141の詳細な構成について説明する。
次に、以上のように構成された接合システム1を用いて行われるウェハWU、WLの接合処理方法について説明する。図9は、かかるウェハ接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
x=(L3−L2)/2 ・・・(4)
y=L1−(L3+L2)/2 ・・・(5)
θ=(L3+L2)/2R ・・・(6)
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
30 表面改質装置
40 表面親水化装置
41 接合装置
61 ウェハ搬送装置
70 制御部
140 上チャック
141 下チャック
150 上チャック回転部
162 第1の下チャック移動部
165 第2の下チャック移動部
200 回転機構
221 第1のリニアスケール
222 第2のリニアスケール
223 第3のリニアスケール
WU 上ウェハ
WL 下ウェハ
WT 重合ウェハ
Claims (12)
- 基板同士を接合する接合装置であって、
下面に第1の基板を真空引きして吸着保持する第1の保持部と、
前記第1の保持部の下方に設けられ、上面に第2の基板を真空引きして吸着保持する第2の保持部と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に回転させる回転機構と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記回転機構によって回転する前記第1の保持部又は前記第2の保持部に設けられ、当該第1の保持部又は第2の保持部の位置を測定する3つの位置測定部と、
前記3つの位置測定部による測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御する制御部と、を有する、接合装置。 - 請求項1に記載の接合装置において、
前記制御部は、前記3つの位置測定部のうち第1の位置測定部による測定結果に基づいて、前記回転機構を制御した後、前記3つの位置測定部の測定結果に基づいて、前記移動機構を制御するように構成されている。 - 請求項1に記載の接合装置において、
前記制御部は、前記3つの位置測定部のうち第1の位置測定部による測定結果に基づいて、前記回転機構を制御した後、前記3つの位置測定部の測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御するように構成されている。 - 請求項2に記載の接合装置において、
前記回転機構は、前記第1の保持部の外周部又は前記第2の保持部の外周部に設けられ、
前記第1の位置測定部は、前記回転機構が設けられた前記第1の保持部の外周部又は前記第2の保持部の外周部において、当該第1の保持部又は第2の保持部の中心線上に前記回転機構に対向して設けられている。 - 請求項2に記載の接合装置において、
前記第1の位置測定部と第2の位置測定部の間隔と、前記第1の位置測定部と第3の位置測定部の間隔は等しい。 - 基板同士を接合する接合装置を備えた接合システムであって、
前記接合装置は、
下面に第1の基板を真空引きして吸着保持する第1の保持部と、
前記第1の保持部の下方に設けられ、上面に第2の基板を真空引きして吸着保持する第2の保持部と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に回転させる回転機構と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記回転機構によって回転する前記第1の保持部又は前記第2の保持部に設けられ、当該第1の保持部又は第2の保持部の位置を測定する3つの位置測定部と、
前記3つの位置測定部による測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御する制御部と、を有し、
前記接合システムは、
前記接合装置を備えた処理ステーションと、
第1の基板、第2の基板又は第1の基板と第2の基板が接合された重合基板をそれぞれ複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して第1の基板、第2の基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、を備え、
前記処理ステーションは、
第1の基板又は第2の基板の接合される表面を改質する表面改質装置と、
前記表面改質装置で改質された第1の基板又は第2の基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
前記表面改質装置、前記表面親水化装置及び前記接合装置に対して、第1の基板、第2の基板又は重合基板を搬送するための搬送装置と、を有し、
前記接合装置では、前記表面親水化装置で表面が親水化された第1の基板と第2の基板を接合する。 - 接合装置を用いて基板同士を接合する接合方法であって、
前記接合装置は、
下面に第1の基板を真空引きして吸着保持する第1の保持部と、
前記第1の保持部の下方に設けられ、上面に第2の基板を真空引きして吸着保持する第2の保持部と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に回転させる回転機構と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記回転機構によって回転する前記第1の保持部又は前記第2の保持部に設けられ、当該第1の保持部又は第2の保持部の位置を測定する3つの位置測定部と、を有し、
前記接合方法は、
前記3つの位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する測定工程と、
前記測定工程における測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する位置調節工程と、を有する。 - 請求項7に記載の接合方法において、
前記3つの位置測定部のうち第1の位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する第1の測定工程と、
前記第1の測定工程における測定結果に基づいて、前記回転機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する第1の位置調節工程と、
その後、前記3つの位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する第2の測定工程と、
前記第2の測定工程における測定結果に基づいて、前記移動機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する第2の位置調節工程と、を有する。 - 請求項7に記載の接合方法において、
前記3つの位置測定部のうち第1の位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する第1の測定工程と、
前記第1の測定工程における測定結果に基づいて、前記回転機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する第1の位置調節工程と、
その後、前記3つの位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する第2の測定工程と、
前記第2の測定工程における測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する第2の位置調節工程と、を有する。 - 請求項8に記載の接合方法において、
前記回転機構は、前記第1の保持部の外周部又は前記第2の保持部の外周部に設けられ、
前記第1の位置測定部は、前記回転機構が設けられた前記第1の保持部の外周部又は前記第2の保持部の外周部において、当該第1の保持部又は第2の保持部の中心線上に前記回転機構に対向して設けられている。 - 請求項8に記載の接合方法において、
前記第1の位置測定部と第2の位置測定部の間隔と、前記第1の位置測定部と第3の位置測定部の間隔は等しい。 - 接合方法を接合装置によって実行させるように、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記接合装置は、
下面に第1の基板を真空引きして吸着保持する第1の保持部と、
前記第1の保持部の下方に設けられ、上面に第2の基板を真空引きして吸着保持する第2の保持部と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に回転させる回転機構と、
前記第1の保持部と前記第2の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記回転機構によって回転する前記第1の保持部又は前記第2の保持部に設けられ、当該第1の保持部又は第2の保持部の位置を測定する3つの位置測定部と、を有し、
前記接合方法は、
前記3つの位置測定部を用いて、前記第1の保持部又は前記第2の保持部の位置を測定する測定工程と、
前記測定工程における測定結果に基づいて、前記回転機構と前記移動機構を制御し、前記第1の保持部と前記第2の保持部の相対的な位置を調節する位置調節工程と、を有する。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016218579 | 2016-11-09 | ||
JP2016218579 | 2016-11-09 | ||
PCT/JP2017/036657 WO2018088091A1 (ja) | 2016-11-09 | 2017-10-10 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020082757A Division JP6883690B2 (ja) | 2016-11-09 | 2020-05-08 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018088091A1 JPWO2018088091A1 (ja) | 2019-09-26 |
JP6703619B2 true JP6703619B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=62110433
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018550075A Active JP6703619B2 (ja) | 2016-11-09 | 2017-10-10 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2020082757A Active JP6883690B2 (ja) | 2016-11-09 | 2020-05-08 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020082757A Active JP6883690B2 (ja) | 2016-11-09 | 2020-05-08 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11094667B2 (ja) |
JP (2) | JP6703619B2 (ja) |
KR (2) | KR102416773B1 (ja) |
CN (1) | CN109923639B (ja) |
WO (1) | WO2018088091A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6703619B2 (ja) * | 2016-11-09 | 2020-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP7370271B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2023-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置決め装置、基板位置決め方法および接合装置 |
CN112038220B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-02-03 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆键合工艺中改善晶圆边缘形变的方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5090725B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物検査装置 |
JP4978505B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2012-07-18 | 株式会社ニコン | 接合装置および製造方法 |
JP5732631B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2015-06-10 | ボンドテック株式会社 | 接合装置および接合方法 |
JP5421825B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5490741B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置 |
TWI625797B (zh) * | 2012-10-26 | 2018-06-01 | Nikon Corp | Substrate bonding device, substrate position matching device, substrate bonding method, and substrate position matching method |
JP6501447B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2019-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 貼合装置および貼合基板の製造方法 |
JP2015018919A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2015119088A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
JP6271404B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2018-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
JP6049820B1 (ja) * | 2015-07-24 | 2016-12-21 | 信越エンジニアリング株式会社 | 貼合デバイスの製造装置及び製造方法 |
JP6703619B2 (ja) * | 2016-11-09 | 2020-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2017
- 2017-10-10 JP JP2018550075A patent/JP6703619B2/ja active Active
- 2017-10-10 WO PCT/JP2017/036657 patent/WO2018088091A1/ja active Application Filing
- 2017-10-10 US US16/347,856 patent/US11094667B2/en active Active
- 2017-10-10 KR KR1020227002444A patent/KR102416773B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-10 KR KR1020197012912A patent/KR102356109B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-10 CN CN201780069249.XA patent/CN109923639B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-08 JP JP2020082757A patent/JP6883690B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-13 US US17/374,156 patent/US11658146B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190312006A1 (en) | 2019-10-10 |
US20210343678A1 (en) | 2021-11-04 |
WO2018088091A1 (ja) | 2018-05-17 |
CN109923639B (zh) | 2023-07-21 |
CN109923639A (zh) | 2019-06-21 |
JP2020127046A (ja) | 2020-08-20 |
KR20220017510A (ko) | 2022-02-11 |
JPWO2018088091A1 (ja) | 2019-09-26 |
US11658146B2 (en) | 2023-05-23 |
KR102356109B1 (ko) | 2022-02-03 |
JP6883690B2 (ja) | 2021-06-09 |
US11094667B2 (en) | 2021-08-17 |
KR20190075947A (ko) | 2019-07-01 |
KR102416773B1 (ko) | 2022-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102651554B1 (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP6703620B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6271404B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
KR20150055551A (ko) | 접합 장치 및 접합 시스템 | |
JP6883690B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6707420B2 (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP6596288B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP2015018920A (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2015018919A (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR102436811B1 (ko) | 접합 장치 및 접합 방법 | |
JP2015084369A (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP6929427B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20240002701A (ko) | 접합 장치 및 접합 방법 | |
JP2024006935A (ja) | 接合装置および接合方法 | |
JP2021180337A (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2021180202A (ja) | 検査装置、接合システムおよび検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6703619 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |