JP6701878B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
まず、図1〜図4を参照して、本発明の第1実施形態による電力変換装置100の構成について説明する。
本発明の第1実施形態による電力変換装置100は、図1に示すように、円形形状の基板1を含む。
第1実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
図5を参照して、本発明の第2実施形態による電力変換装置200の構成について説明する。第2実施形態では、上記第1実施形態の構成と異なり、基板11は、2つの互いに異なる基板を接合した構成である。なお、上記第1実施形態と同様の構成は、第1実施形態と同じ符号を付して図示するとともに説明を省略する。
第2実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
[第3実施形態]
図6〜図9を参照して、本発明の第3実施形態による電力変換装置300の構成について説明する。第3実施形態では、上記第1実施形態と異なり、基板21が多層構造を有する構成である。なお、上記第1実施形態と同様の構成は、第1実施形態と同じ符号を付して図示するとともに説明を省略する。
第3実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
1a 端部(基板の端部)
2 コンデンサ(直流部)
2a、2b、2c、2d 端部(直流部の端部)
2e 正電位端子(正電位側)
2f 負電位端子(負電位側)
3 U相半導体素子(第1半導体素子)
3a 上アームを構成する半導体素子(第1正電位側素子)
3b 下アームを構成する半導体素子(第1負電位側素子)
3c、3d 端部(第1半導体素子の端部)
4 V相半導体素子(第2半導体素子)
4a 上アームを構成する半導体素子(第2正電位側素子)
4b 下アームを構成する半導体素子(第2負電位側素子)
4c 外側端部
5 W相半導体素子(第3半導体素子)
5a 上アームを構成する半導体素子(第3正電位側素子)
5b 下アームを構成する半導体素子(第3負電位側素子)
5c 外側端部
6 直流電源(直流部)
7、17、27 表層
7a 正電位用配線(第1正電位用配線)
7b 負電位用配線(第1負電位用配線)
7c 負電位用配線(第2負電位用配線)
7d 正電位用配線(第2正電位用配線)
11a 第1基板
11b 第2基板
21a 正電位用配線層
21b 負電位用配線層
22a 貫通孔(第1貫通孔)
22b 貫通孔(第2貫通孔)
100、200、300 電力変換装置
104 絶縁層
O 中央部
X 方向(第1方向)
Y 方向(第2方向)
Claims (8)
- 基板と、
第1の相の一対の第1半導体素子と、
第2の相の一対の第2半導体素子と、
第3の相の一対の第3半導体素子と、
前記一対の第1半導体素子、前記一対の第2半導体素子、および、前記一対の第3半導体素子のそれぞれに接続される複数の直流部と、を備え、
平面視において、前記一対の第1半導体素子は、前記基板の第1方向の端部側において前記第1方向と交差する第2方向に並んで配置され、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子の各々は、前記基板の中央部側において、前記第2方向に沿って並んで配置されており、
前記複数の直流部は、前記基板において、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子の近傍に配置されている、電力変換装置。 - 前記基板は、円形形状を有し、前記円形形状の前記基板の所定の半径方向を前記第1方向とした場合に、前記所定の半径方向の外側端部側に、前記所定の半径方向と交差する前記第2方向に沿って、前記第2方向の一方側から他方側に向かって、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子が並んで配置されている、請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記一対の第1半導体素子の前記第2方向の一方側および他方側の端部は、それぞれ、前記一対の第2半導体素子の前記第2方向の一方側における外側端部および前記一対の第3半導体素子の前記第2方向の他方側における外側端部よりも内側に配置されるように構成されている、請求項2に記載の電力変換装置。
- 平面視において、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子から相対的に近い領域に配置される前記直流部の数が、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子から相対的に遠い領域に配置される前記直流部の数よりも大きくなるように構成されている、請求項2または3に記載の電力変換装置。
- 前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子から相対的に遠い領域に配置される前記直流部の前記第2方向の一方側および他方側の端部は、前記一対の第2半導体素子および前記一対の第3半導体素子から相対的に近い領域に配置される前記直流部の前記第2方向の一方側および他方側の端部よりも内側に配置されるように構成されている、請求項4に記載の電力変換装置。
- 前記一対の第1半導体素子は、第1正電位側素子と第1負電位側素子とを含み、
前記一対の第2半導体素子は、第2正電位側素子と第2負電位側素子とを含み、
前記一対の第3半導体素子は、第3正電位側素子と第3負電位側素子とを含み、
前記第1正電位側素子が、前記第2負電位側素子よりも前記第2正電位側素子に近い側に配置されるとともに、前記第1負電位側素子が、前記第3正電位側素子よりも前記第3負電位側素子に近い側に配置され、
前記第1正電位側素子と、前記第2正電位側素子と、前記直流部の正電位側とを電気的に接続するとともに、前記第2正電位側素子と前記第3負電位側素子との間を通るように前記基板上に設けられた第1正電位用配線と、
前記第1負電位側素子と、前記第3負電位側素子と、前記直流部の負電位側とを電気的に接続するとともに、前記第2正電位側素子と前記第3負電位側素子との間を通るように前記基板上に設けられた第1負電位用配線と、
前記第2負電位側素子と、前記直流部の負電位側とを電気的に接続するように、前記基板上に設けられた第2負電位用配線と、
前記第3正電位側素子と、前記直流部の正電位側とを電気的に接続するように、前記基板上に設けられた第2正電位用配線と、をさらに備える、請求項4または5に記載の電力変換装置。 - 前記一対の第1半導体素子は、第1正電位側素子と第1負電位側素子とを含み、
前記一対の第2半導体素子は、第2正電位側素子と第2負電位側素子とを含み、
前記一対の第3半導体素子は、第3正電位側素子と第3負電位側素子とを含み、
前記基板は、前記一対の第1半導体素子と前記一対の第2半導体素子と前記一対の第3半導体素子と前記直流部とが配置される表層と、前記表層の下方に設けられ、正電位用配線層と、前記正電位用配線層と絶縁層を介して積層される負電位用配線層とを含み、
前記第1正電位側素子、前記第2正電位側素子、および、前記第3正電位側素子の各々と、前記直流部の正電位側とは、前記表層を貫通する第1貫通孔と前記正電位用配線層とを介して電気的に接続されているとともに、前記第1負電位側素子、前記第2負電位側素子、および、前記第3負電位側素子の各々と、前記直流部の負電位側とは、前記表層を貫通する第2貫通孔と前記負電位用配線層とを介して電気的に接続されるように構成されている、請求項4または5に記載の電力変換装置。 - 前記基板は、前記一対の第1半導体素子と前記一対の第2半導体素子と前記一対の第3半導体素子とが配置される第1基板と、前記第1基板とは別個に設けられ、前記複数の直流部が配置される第2基板とを含む、請求項4〜7のいずれか1項に記載の電力変換装置。
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