JP6688949B2 - 2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、500℃以下又は400℃未満の低温でのMoS2の適切な成長方法は、まだ報告されておらず、まだ550℃〜850℃の高温でのMoO3−xの硫化を必要とする。MoS2を成長させるための新規前駆体としてモリブデンペンタクロライド(MoCl5)及びモリブデンヘキサカルボニル[Mo(CO)6]を用いて行われたいくつかの研究にもかかわらず、低温での前記合成は、基材上に3次元(3D)構造のMoS2の形成を誘導する傾向がある。通常、より高い温度は、少数の核、表面上の長い拡散長、及び揮発性物質の効果的な脱着により、高品質のフィルムの成長を容易にする。しかし、低温では、 核生成に対する小さな臨界半径及び表面の短い拡散長のため、高品質フィルムの成長が容易ではなく、特に単層成長に対しては挑戦的である。
T:温度、
λ0:前指数因子(pre−exponential factor)、
Ea:吸着エネルギー(adsorption energy)、
Ed:拡散障壁(diffusion barrier)、
KB:ボルツマン定数
(1)蒸着チャンバー内で基板の表面処理により基板の表面エネルギーを減少させるステップと;(2)500℃以下の温度及び0.001Torr乃至760Torrの圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイドの結晶を生成させるステップと;(3)ステップ(2)の圧力よりも増加された圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイドの結晶サイズを増大させるステップと;(4)ステップ(3)の圧力よりも増加された圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイド単層を形成するステップと;を含む、2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法を提供する。
添付した図20は、蒸着チャンバー内の圧力に応じた2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の合成結果を示す走査電子顕微鏡イメージである。
成長工程
2次元遷移金属ジカルコゲナイドであるMoS2は、遷移金属含有前駆体としてMo(CO)6(=99.9%、Sigma Aldrich、CAS number 13939−06−5)を用いてシャワーヘッド型反応器によって成長された。厚さ300nmのSiO2層を有する高ドープされた(<0.005Ω・cm)p型Siが基材として用いられた。前記基材は、予備洗浄され、周辺環境でのすべての汚染を防止するために、短い時間内にロードロックチャンバー(load−lock chamber)内でシリコンカーバイド(SiC) コーティングされたサセプター(susceptor)上に配置された。CVD内の加熱ブロックは、成長前に350℃まで予熱された。前記基材を有する前記サセプターは反応器に移送され、前記基材の温度は、アルゴンの流れで10分にわたって増加した。前記成長は、0.5Torrの一定の圧力下で成長時間の間にH2Sと昇華された前駆体だけを用いて行われた。成長の後、前記基材は、ロードロックチャンバーに移送され、100sccmのアルゴンの流れを用いて1時間冷却された。前記成長後の処理は、任意の既知の方法(高温でのアルゴン及びH2Sアニーリングなどの)によって行われていない。全ての分析は、前記成長されたサンプルを用いて行われた。
原子間力顕微鏡(AFM) 測定
製造された2次元遷移金属ジカルコゲナイドの表面形状、グレインサイズ、核生成及び成長工程は、AFMを用いて測定された(XE−150、Park Systems)。より良い品質のために、AFMイメージは、5nm以下(<5nm)の曲率半径を有する非常に鋭いシリコンチップを用いて測定された。測定中の静電気を防止するために、軟質X線イオン発生モジュール(soft X−ray ionizer module)が適用された。前記イメージは、512×512ピクセルの解像度及び0.5Hzの測定速度で1μm2〜2μm2の領域に渡って撮影された。前記イメージは750nm2に調節された。
前記実施例で製造された2次元遷移金属ジカルコゲナイドのラマン分光測定は、DXRラマン顕微鏡(Thermo Scientific)を用いて行われた。532nmの励起波長、0.7μmのスポットサイズ、及び8mWの電力を有するレーザーを用いた。前記大略のスペクトル解像度は0.5cm−1であり、520.8cm−1のSiピークが正規化(normalization)のために用いられた。成長されたサンプルの光発光(LabRam ARAMIS、Horiba Jobin Yvon)の測定は、514nmの波長及び10mWのレーザーパワーで行われた。エリプソメトリ(M2000D、JA Woollam Co.)のマッピング測定は、0.5cmのステップサイズで行われた。前記厚さの結果は、多層モデリング(four−layer model、air/MoS2/ SiO2/ Si)によって抽出された。XPS測定(SES−100、VG−SCIENTA)は、超高真空条件(<10−8Torr)下で非単色光(non−monochromatic)マグネシウムKα光源を用いて行われた。
ポリ(メチルメタクリレート)(poly(methyl methacrylate))(PMMA)(950 A2、MicroChem)が4,000rpmで成長されたMoS2/SiO2/Siサンプル上に60秒間スピンコーティングされた。前記SiO2層は、バッファされた酸化物エッチング(BOE)溶液(6:1、J.T.Baker)に前記コーティングされた試料を浸漬させてエッチングされた。前記分離されたPMMA/MoS2は、脱イオン水で数回にわたって洗浄された後、カーボングリッド(HC300−CU、 Electron Microscopy Sciences)上に簡単に配置された。PMMAは、高真空条件下で(<10−5Torr)30分間300℃でアニーリングによって除去された。
前記実施例で製造された2次元遷移金属ジカルコゲナイドのHAADF−STEMイメージは、19.3ミリラジアン(mrad)収束角及び50−100pAのスクリーン電流を用いて300kVで作動するCs−STEM(Titan cubed G2 60−300、FEI)を用いて撮影された。前記イメージは、コントラスト(contrast)を向上させるために、平滑化及びフーリエ(Fourier)フィルタリングされた。
バックゲートFETデバイスは、電子ビーム蒸着法を用いて成長されたMoS2単層上に直接Ti/Au(5/50nm)電極を蒸着させて製造された。前記電極の形態は、PMMA(950 C4、MicroChem)層の電子ビームリソグラフィを用いてパターン化され、希釈されたMIBK(MIBK:IPA=1:1、MicroChem)溶液で現像された。リフト・オフ工程はジクロロメタン(DCM:dichloromethane)及びIPA中に浸漬させ、高純度N2(99.999%)を用いて乾燥させることにより行われた。前記デバイスの電気的性能は、精密な半導体パラメータアナライザ(4156A、Hewlett−Packard)を有する4−プローブステーション(in−house four−probe station)を用いて周囲条件下で室温で測定された。前記デバイスは、アニーリングされなかった。
前駆体の蒸気圧と分解特性は、CVD工程に対するその適合性を考慮すると重要なパラメータである。蒸気圧の測定のために、自体製作の測定システムが用いられた。特定の体積のベッセル(vessel)がターボ分子ポンプ(turbomolecular pump、TMP)により高真空条件下でまず維持され、次に前記前駆体を含有する、連結されたクォーツチューブを開口(opening)し、圧力が一定に維持されるまで数時間維持された。30、50、及び70℃の前駆体の温度でMo(CO)6の蒸気圧は、それぞれ0.31、1.27、及び5.24Torr[図1(a)]で測定され、クラペイロン式(Clapeyron equation)の単純化された形態、ln(Psat/Pa)=A−B /(T/K)を用いて分析され、ここでPsat及びTは、それぞれ飽和蒸気圧及び前駆体の温度である。Mo(CO)6の分解特性は、FT−IR(Nicolet 6700、Thermo Scientific)を用いて評価された。Mo(CO)6の主な吸収ピークは、従来の研究と一致する2,000cm−1で測定され、前記前駆体は、約250℃及び0.5Torrの圧力で完全に分解された[図1(b)]。高い蒸気圧と低い分解温度の特性により、Mo(CO)6は低温CVD工程に対する適切な前駆体となる。
2次元遷移金属ジカルコゲナイドである積層されたMoS2の低温成長は、図2(a)及び図2(b)に示すように、ガス流動ラインとロードロックチャンバーに連結されたシャワーヘッド型反応器を用いて行われた。予備−洗浄又は処理された(ピラニア又は高真空アニーリングによって)SiO2基材は、ロードロックチャンバーに配置され、その後、メインチャンバーにサンプルが移送された。Mo(CO)6の分圧は、冷却器−ヒーターユニット(unit)を用いて正確に制御された(調節可能な範囲は、−20℃〜80℃である)。H2Sの流量は、質量流量制御器を用いて制御された。大サイズのクラスターの形成を防止するために、キャリアガスに(Ar又はH2)の使用は排除された。
<1−1:3次元構造の遷移金属ジカルコゲナイド>
図3に示すように、本研究者らは、走査電子顕微鏡(SEM、S−4800、HITACHI)、高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM、Tecnai G2 F30 S−Twin、FEI)、及びラマン分光法を用いて、硫黄含有前駆体とモリブデン金属含有前駆体との様々な分圧の比(PSR/PMoP)で成長されたMoS2を評価した。大サイズの3次元構造のMoS2は、気相反応により形成された大サイズのクラスターによって成長された。多量のカーバイドと酸化物が混入されたMoS2(PSR/PMoP=1、0.5Torr)が成長され、ラマン分光法によって確認された(酸化物に対して285cm−1、カーバイドに対して1350及び1580cm−1) 。増加された圧力条件下で成長されたMoS2内でカーバイドの存在は観察されず、MoO3とMoS2ピークのみが測定された。チャンバーの圧力が増加するにつれてMo(CO)6の分圧が減少したにもかかわらず、H2Sの分圧は減少しなかった。その結果、PSR/PMoP が増加し、これは小サイズのクラスターの形成を誘導した。このような予備実験では、クラスターサイズが制御される構造変化及び容易な脱カルボニル化方法に対する前記分圧比の効果を示す。
エッジ(edge)構造の二つのタイプ(Mo及びSエッジ)が、様々な条件下で形成できることが知られている。生成されたエッジタイプ及びS/Moの比の関連パラメータに基づく硫黄カバレッジ(sulfur coverage)は、高品質のMoS2でしばしば発見される三角形単層ドメインを説明する。完全で、規則的であり、三角形で形成されたドメインは、100%硫黄原子で覆われたSエッジ2次元MoS2クラスターに対して存在する。このような構造は、高い硫化(sulfiding)条件下で時々形成される。図4において、計算されたS/Moの比は、様々なエッジタイプ及び硫黄カバレッジに対するクラスターサイズの関数で表される。前記XPS測定結果及び様々なPSR/PMoP値で成長されたMoS2のAFMイメージは、高いPSR/PMoPが表面エネルギーの減少に応じて2次元成長を容易にするということを示す。
図5a及び図5bは、低温での成長ウィンドウ(図5a)を示す様々なPSR/PMoP値で成長されたサンプルの顕微鏡イメージ(図5b)である。三角形の2次元MoS2の領域は、73の特定のPSR/PMoP下で成長された。前記スケールバーは200nmである。図6(a)は、PSR/PMoPの様々な値で成長された異なる構造(3次元:cases 1及び2、3次元+2次元:case 3、2次元:case 4)を有するMoS2のAFMイメージである。前記スケールバーは200nmである。前記領域の測定された高さプロファイルは、開かれた黄色の四角形により示された挿入図内に示した。図6(b)及び図6(c)は、本願のクラスターサイズ制御メカニズムの概略図である。前記クラスターの形成が、より高いPSR/PMoP(c)で制限されたのに対し、より大きいMoS2クラスターは、低いPSR/PMoP(b)における気相反応によって形成された。
図7に示すように、異なる成長時間に対する異なる基材上における成長工程がAFMを用いて観察された(PSR/PMoP=146)。前記処理において、未処理SiO2が最初に最初にアセトン、IPA、及び脱イオン水で洗浄された。その後、前記基材は、ダングリングボンドを水酸化するために10分間ピラニア溶液で浸漬され、続いて脱イオン水で洗浄された。前記未処理SiO2基材は、水素−不動態化されたダングリングボンドを脱不動態化するために750℃で140分間高真空条件(<10−5Torr)下でアニーリングされた。多数のMoS2核が他の二つの基材と比較して、ピラニア処理された基材上の核生成サイトで観察され、新しい核生成サイトは、成長中に生成されない。代わりに、MoS2核は、予備成長されたMoS2のエッジに付けられた。このような成長のメカニズムのために、グレインサイズの増加は、低温でも核生成サイトを制限することにより達成できる。他の基材で成長されたMoS2の前記グレインサイズは、50nm(ピラニア処理されたもの)、70nm(未処理)、及び100nm(高真空アニーリングされたもの)である。前記核生成サイトの制限は、完全にカバーされた単層に対して、成長時間をわずかに妨害する。前記スケールバーは100nmである。図8(a)乃至図8(c)は、それぞれ異なる基材上に成長されたMoS2単層領域のAFMイメージである:(a)ピラニア処理されたMoS2、(b)未処理(bare)MoS2、及び(c)高真空アニーリングされたMoS2。高真空アニーリングは、未処理SiO2で不動態化(passivated)されたダングリングボンドを脱不動態化(de−passivated)させる一方、前記ピラニア処理は、ダングリングボンドを不動態化する。大サイズの領域(island)が制限された核生成サイトのために、高真空アニーリングされたSiO2基材上で成長された。前記成長時間は12時間であり、PSR/PMoP=314である。前記スケールバーは100nmである。
<3−1:積層された遷移金属ジカルコゲナイドの成長>
図9(a)は、成長の初期相(phase)を示す。前記単層MoS2の小型三角形の領域は、SiO2基材上の核生成サイトで成長された。図9(b)乃至図9(d)において、前記MoS2領域はさらに成長し、多結晶性単層MoS2が互いに併合して形成された。図9(e)及び図9(f)において、三角形のMoS2二重層領域は、完全にカバーされた単層で成長された。それぞれの成長時間に対するラマンスペクトルにおけるΔkの該当値は、単層、二重層領域を有する単層のそれぞれについて18.8、及び19.3乃至20.3cm−1と測定された。完全にカバーされた単層と二重層との間の中間相(phase)において、前記Δkの平均値は、完全にカバーされたMoS2単層及び二重層それぞれに対して18.8及び22.4cm−1であった。前記スケールバーは100nmである。図11(a)は、未処理SiO2及び1×1cm2SiO2基材上で成長した単層〜5層のMoS2の写真である。前記層は、成長時間によって制御され、その他の条件は変更されなかった。図11(b)乃至図11(c)は、積層されたMoS2のラマンスペクトルである。前記E1 2g及びA1gモードは、層の数を増加させることにより、それぞれ赤色−及び青色−変位された。Δkの値は、単層〜5層のMoS2に対してそれぞれ18.8、22.6、23.6、24.5、及び25cm−1と測定された。図11(d)は、積層されたMoS2の光発光である。二つの直接エキシトン遷移(direct excitonic transitions)(A1及びB1)と一致する二つの優勢な吸収ピーク(670nm及び620nm付近)が観察され、その強度は層の数が増加するにつれて減少した。前記間接的バンドギャップの遷移は多層積層されたサンプルでは観察されず、これはSiO2基材に対する通常の現象である。
図10(a)は、4″SiO2/Siウェハ上に成長された単層MoS2の写真を示す。成長したMoS2の均一度は、エリプソメトリマッピング分析によって評価された[図10(b)]。前記厚さは、0.7乃至0.8 nmであった。MoS2は、3″の領域に渡って成功的に成長した。図10(b)において挿入値の単位はナノメートルである。
図12(a)は、転写された3次元構造のMoS2の低倍率HRTEMイメージである[図1(a)、case 1)。図12(b)乃至図12(d)は、対応するFFTパターンを有する図12(a)において任意の位置で選択された高倍率イメージを示す。多重積層された多結晶MoS2は、小サイズの3次元積層された構造のドメインからなり、重なった層の干渉と小さなグレインサイズの故にグレインの境界を区別しにくい。図13(a)は、多結晶単層MoS2の低倍率STEM−HAADFイメージである。100nmの大略のサイズを有する三角形の単一ドメインが観察でき、グレイン境界(黄色点線三角形)を生成することができる。図13(a)は、多結晶単層MoS2の低倍率STEM−HAADFイメージである。100nmの大略のサイズを有する三角形の単一ドメインが観察でき、グレイン境界(黄色点線三角形)を生成することができる。図13(b)は、グレイン境界の高倍率STEM−HAADFイメージである。2つの隣接した単結晶ドメインは、31°の傾斜角を有するグレイン境界を形成する。前記挿入図は、MoS2単層の六角形構造を示すFFTパターンを示す。図13(c)は、図13(b)における平滑化及びフーリエ(Fourier)フィルタリングされたイメージである。非常に均一で欠陥のない構造がより明るいMo原子及びより暗いS原子に対して観察された。図13(d)は、5μm及び10μmのチャネル長及び幅(挿入図、スケールバー:5μm)を有するように作製されたFETデバイスの電気的特性である。0.15cm2V−1s−1の移動度及び5Vで105の最大オン/オフ比は、−150V〜150Vの範囲の適用されたバックゲート電圧で測定された。前記MoS2の単層はパターニングされていない。
厚さ300nmのSiO2層を有する高ドープされた(<0.005Ω・cm)p型Siが基板として用いられた。前記基板は、予備洗浄され、周囲環境でのすべての汚染を防止するために、短い時間内にロードロックチャンバー(load−lock chamber)内でシリコンカーバイド(SiC)コーティングされたサセプター(susceptor)上に配置された。その後、水酸化カリウム溶液で前記基板の表面処理を行うことにより前記基板の表面エネルギーを減少させた。続いて、カルコゲン含有前駆体としてのH2S、遷移金属含有前駆体としてのMo(CO)6(=99.9%、Sigma Aldrich、CAS number 13939−06−5)、前駆体分解促進触媒としてのH2ガス、及び2次元遷移金属ジカルコゲナイド二重層の生成を防止するための抑制剤としてのH2Oを、前記チャンバー内に供給し、化学気相蒸着(CVD)法を用いて、シャワーヘッド−型反応器で2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜であるMoS2薄膜を合成した。CVD内の加熱ブロックは、成長前に250℃に予熱された。前記基板を有する前記サセプターは、反応器に移送され、前記基板の温度は、アルゴンの流れで10分にわたって増加した。前記合成は、一定の圧力(例えば、3.0Torr)下で合成時間の間H2S、Mo(CO)6、H2、及びH2Oの昇華された前駆体だけを用いて行われた。合成の後、前記基板は、ロードロックチャンバーに移送され、100sccmのアルゴンの流れを用いて1時間冷却された。前記合成後の処理は、任意の既知の方法(高温でのアルゴン及びH2Sアニーリングなど)によって行われていない。
前駆体分解促進触媒であるH2ガスをチャンバー内に供給しないことを除いては、実施例5と同様の方法で2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜であるMoS2薄膜を合成した。
2次元遷移金属ジカルコゲナイド二重層の生成を防止するための抑制剤であるH2Oをチャンバー内に供給しないことを除いては、実施例5と同様の方法で2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜であるMoS2薄膜を合成した。
厚さ300nmのSiO2層を有する高ドープされた(<0.005Ω・cm)p型Siが基板として用いられた。前記基板は、予備洗浄され、周囲環境でのすべての汚染を防止するために、短時間内にロードロックチャンバー(load−lock chamber)内でシリコンカーバイド(SiC)コーティングされたサセプター(susceptor)上に配置された。その後、水酸化カリウム溶液で前記基板の表面処理を行うことにより、前記基板の表面エネルギーを減少させた。続いて、3.0Torrの一定の圧力下で、一定時間の間、カルコゲン含有前駆体としてのH2S、遷移金属含有前駆体としてのMo(CO)6(=99.9%、Sigma Aldrich、CAS number 13939−06−5)、前駆体分解促進触媒としてのH2ガス、及び2次元遷移金属ジカルコゲナイド二重層の生成を防止するための抑制剤としてのH2Oを、前記チャンバー内に供給し、化学気相蒸着(CVD)法を用いて前記基板上にMoS2の結晶を生成させた。また、9.0Torrの一定の圧力下で一定時間の間H2S、Mo(CO)6、H2及びH2Oを前記チャンバー内に供給して、前記基板上に生成されたMoS2の結晶サイズを増大させた。続いて、9Torrを超える(例えば、12Torr)一定の圧力下で一定時間の間H2S、Mo(CO)6、H2及びH2Oを前記チャンバー内に供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイド単層を形成することにより、2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜であるMoS2薄膜を合成した。CVD内の加熱ブロックは、成長前に250℃に予熱された。前記基板を有する前記サセプターは、反応器に移送され、前記基板の温度は、アルゴンの流れで10分にわたって増加した。合成の後、前記基板は、ロードロックチャンバーに移送され、100sccmのアルゴンの流れを用いて1時間冷却された。前記合成後の処理は、任意の既知の方法(高温でのアルゴン及びH2Sアニーリングなど)によって行われていない。
図16(a)及び図16(b)の比較結果、前駆体分解促進触媒なしで2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜を合成した場合には、合計9時間の合成時間がかかったが(図16(b)参照) 、前駆体分解促進触媒としてH2を用いながら2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜を合成した場合には、合計2時間の合成時間がかかったので(図16(a)参照)、前駆体分解促進触媒を用いることにより、 2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の合成速度が4.5倍速くなったことを確認することができる。
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者による様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
Claims (21)
- 蒸着チャンバー内で基材を前処理するステップと;
前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基材上に2次元遷移金属ジカルコゲナイドを蒸着するステップと;を含む、2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。 - 前記遷移金属含有前駆体は、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Nb、Ta、Mo、W、Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir 、Pt、Ag、Au、Cd、In、Tl、Sn、Pb、Sb、Bi、Zr、Te、Pd、Hf、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される遷移金属を含む、請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記カルコゲン含有前駆体/遷移金属含有前駆体の分圧の比は、2:1以上である、請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記カルコゲン含有前駆体は、S含有有機又は無機化合物を含む、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記蒸着は、600℃以下の低温で行われる、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記蒸着は、化学気相蒸着法により行われる、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記化学気相蒸着法は、低圧化学気相蒸着法、 常圧化学気相成長法、金属有機化学気相成長法、プラズマ化学気相蒸着法、誘導結合プラズマ化学気相蒸着法 、原子層蒸着法、又はプラズマ原子層蒸着法を含む、 請求項6に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記基材を前処理することにより、前記基材上に蒸着される遷移金属ジカルコゲナイドの核生成サイト(nucleation site)が調節される、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記カルコゲン含有前駆体/遷移金属含有前駆体の分圧の比を調節することにより、前記遷移金属ジカルコゲナイドの蒸着過程において気相反応により形成されるクラスターのサイズが調節され、表面エネルギーを調節して前記遷移金属ジカルコゲナイドの2次元成長が誘導される、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 前記蒸着過程において、前記蒸着チャンバー内の圧力を調節して、前記蒸着チャンバー内に供給される前記カルコゲン含有前駆体及び前記遷移金属含有前駆体の量を調節することにより、前記カルコゲン含有前駆体/遷移金属含有前駆体の分圧の比が調節される、 請求項1に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。
- 蒸着チャンバー内で基板の表面処理により基板の表面エネルギーを減少させるステップと;
前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体、遷移金属含有前駆体及び前駆体分解促進触媒を供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイド単層(monolayer)を蒸着するステップと;を含む、2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。 - 蒸着ステップにおいて、2次元遷移金属ジカルコゲナイド二重層(bilayer)の生成を防止するための抑制剤を追加で供給する、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- 抑制剤の吸着エネルギー(adsorption energy)は、遷移金属ジカルコゲナイド単層の基底面(basal plane)よりも基板及び遷移金属ジカルコゲナイド単層の面位置でより高く、
カルコゲンの吸着エネルギーは、遷移金属ジカルコゲナイド単層の面位置よりも基板及び遷移金属ジカルコゲナイド単層の基底面でより高い、 請求項12に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。 - 前駆体分解促進触媒は、カルコゲン含有前駆体内のカルコゲン原子からカルコゲン原子と結合されたリガンドの分解を促進及び/又は遷移金属含有前駆体内の遷移金属原子から遷移金属原子と結合されたリガンドの分解を促進する、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- 基板の表面処理は、ピラニア(piranha)溶液の処理、硫酸(H2SO4)溶液の処理、塩酸(HCl)溶液の処理及びアルカリ金属水酸化物溶液の処理からなる群から選択される湿式処理方法;又はO2プラズマ処理及び水蒸気を用いた熱処理からなる群から選択される乾式処理方法;により行われる、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- 基板が、SiO2、Al2O3、HfO2、LiAlO3、MgO、Si、Ge、GaN、AlN、GaP、InP、GaAs、SiC、ガラス、石英、サファイア、グラファイト、グラフェン、プラスチック、高分子、窒化ホウ素(h−BN)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- 基板が、SiO2、Al2O3、HfO2、LiAlO3、MgO、及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、
基板の表面処理は、ピラニア(piranha)溶液の処理、硫酸(H2SO4)溶液の処理、塩酸(HCl)溶液の処理及びアルカリ金属水酸化物溶液の処理からなる群から選択される湿式処理方法;又はO2プラズマ処理及び水蒸気を用いた熱処理からなる群から選択される乾式処理方法;により行われる、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。 - カルコゲン含有前駆体/遷移金属含有前駆体の分圧の比が2以上である、 請求項11に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- (1)蒸着チャンバー内で基板の表面処理により基板の表面エネルギーを減少させるステップと;
(2)500℃以下の温度及び0.001Torr乃至760Torrの圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上に2次元遷移金属ジカルコゲナイドの結晶を生成させるステップと;
(3)ステップ(2)の圧力より増加された圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上で2次元遷移金属ジカルコゲナイドの結晶サイズを増大させるステップと;
(4)ステップ(3)の圧力より増加された圧力下で、前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基板上で2次元遷移金属ジカルコゲナイド単層を形成するステップと;を含む、2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。 - ステップ(2)乃至ステップ(4)において、蒸着チャンバー内に前駆体分解促進触媒を追加で供給する、 請求項19に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
- ステップ(2)乃至ステップ(4)において、2次元遷移金属ジカルコゲナイド二重層(bilayer)の生成を防止するための抑制剤を追加で供給する、 請求項19に記載の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法。
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US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) * | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
KR102184699B1 (ko) | 2017-12-13 | 2020-12-01 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 전이금속-디칼코게나이드 박막, 및 그 제조 방법 |
CN108091699B (zh) * | 2017-12-17 | 2020-08-14 | 华中科技大学 | 基于柔性衬底底栅结构的MoS2TFT器件及制备方法 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11447862B2 (en) | 2018-03-07 | 2022-09-20 | Uchicago Argonne, Llc | Methods to deposit controlled thin layers of transition metal dichalcogenides |
US11393681B2 (en) | 2018-03-07 | 2022-07-19 | Uchicago Argonne, Llc | Methods to deposit and etch controlled thin layers of transition metal dichalcogenides |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
DE102018109936A1 (de) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | Aixtron Se | Mit mehreren zweidimensionalen Schichten beschichtetes Bauteil sowie Beschichtungsverfahren |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
CN112456815A (zh) * | 2018-07-19 | 2021-03-09 | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 | 过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃 |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
DE102018120580A1 (de) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht bei atmosphärendruck |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US11037783B2 (en) * | 2018-09-25 | 2021-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Field effect transistor using transition metal dichalcogenide and a method for forming the same |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11756828B2 (en) | 2018-11-20 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Cluster processing system for forming a transition metal material |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
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JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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US11142824B2 (en) | 2019-04-23 | 2021-10-12 | Uchicago Argonne, Llc | Method of producing thin layer of large area transition metal dichalcogenides MoS2 and others |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210009160A (ko) * | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성방법 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
CN110828375B (zh) * | 2019-10-25 | 2022-06-17 | 东南大学 | 一种快速、无刻蚀的转移二维材料和制备异质结的方法 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
CN112899654A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-06-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种Ag2S薄膜的制备方法 |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11519068B2 (en) | 2020-04-16 | 2022-12-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides |
US20220325415A1 (en) * | 2020-04-16 | 2022-10-13 | Honda Motor Co., Ltd. | Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides |
KR102387536B1 (ko) * | 2020-04-16 | 2022-04-18 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마를 이용한 팔면체 전이금속 디칼코게나이드 제조 방법 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
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JP2021172570A (ja) * | 2020-04-28 | 2021-11-01 | 東京都公立大学法人 | 導電膜、導電部材及び導電膜の製造方法 |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
JPWO2022249642A1 (ja) | 2021-05-24 | 2022-12-01 | ||
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
KR20230055027A (ko) * | 2021-10-18 | 2023-04-25 | 세메스 주식회사 | 기판 상의 오염 물질 분석 방법 및 기판 처리 방법 |
CN114540958B (zh) * | 2022-02-25 | 2022-12-27 | 南京大学 | 一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法 |
CN114622235B (zh) * | 2022-03-02 | 2024-02-02 | 浙江工业大学 | 一种稳定的1t相二硫化钼电极的制备方法 |
CN114855266A (zh) * | 2022-03-25 | 2022-08-05 | 南京邮电大学 | 一种二维二硫化钨薄膜晶界的鉴别方法 |
WO2023230668A1 (en) * | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Monash University | Transition metal di-chalcogenides |
CN115216845B (zh) * | 2022-06-06 | 2024-01-16 | 河南大学 | 厘米级尺寸的Co基三元绝缘体单晶及其制备方法 |
CN115650297B (zh) * | 2022-11-10 | 2024-01-26 | 江南大学 | 一种二维二硫化钼枝晶的大面积可控制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4996108A (en) * | 1989-01-17 | 1991-02-26 | Simon Fraser University | Sheets of transition metal dichalcogenides |
US7846489B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-12-07 | State of Oregon acting by and though the State Board of Higher Education on behalf of Oregon State University | Method and apparatus for chemical deposition |
US20070065578A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Applied Materials, Inc. | Treatment processes for a batch ALD reactor |
KR101515544B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2015-04-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 칼코제나이드 박막 형성방법 |
KR20120123126A (ko) * | 2010-02-03 | 2012-11-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 박막 증착용 칼코게나이드-함유 전구체, 그의 제조 방법 및 사용 방법 |
US20110262660A1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition |
US20120058576A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Beck Markus E | Deposition System |
KR101621470B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2016-05-16 | 건국대학교 산학협력단 | MoS2 박막 및 이의 제조방법 |
KR101529788B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-06-29 | 성균관대학교산학협력단 | 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법 |
TWI532892B (zh) * | 2015-02-16 | 2016-05-11 | 炬力奈米科技有限公司 | 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備 |
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