JP6681357B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施例について、図1〜図6を用いて説明する。
図7に第2の実施例を示す。第1実施例との違いはセンサ出力がアナログ出力ではなくデジタル出力になっている点である。サージ検知回路12の出力信号配線18は処理回路702に入力され、処理回路702は、信号配線18のハイもしくはロウの状態に応じてデジタル信号の診断用のデータ内容を変更し、出力回路703に送るデータパタンを変更する。図8に出力回路703の構成を示す。オペアンプがなく、処理回路の出力信号配線19の信号をバッファしてセンサ出力配線5に出力する。
図9に第3の実施例を示す。第2実施例に対してサージ検知記録回路12とサージ検知電圧が異なるサージ検知記録回路902を持つことで、印加されたサージの大きさを判別することができる。処理903はサージ検知回路12と902からの信号に応じて異なるデータパタンを出力回路703に信号配線19を通じて出力する。本実施例ではサージ検知記録回路は2つだが、サージ検知電圧が異なる検知回路を増やすことで、より細かくサージの大きさを判別することが可能になる。
図10に第4の実施例を示す。第2実施例とサージ検知回路の構成が異なる。また、簡単のためセンサ出力のサージ検知がない場合を示す。
2・・・ブレーキ圧センサ
3・・・ブレーキ制御装置
4・・・電源配線
5・・・ブレーキ圧センサ出力信号配線
6・・・グラウンド配線
7・・・ブレーキ制御装置の制御信号配線
10・・・センサエレメント
11・・・信号処理回路
12・・・サージ検知記憶回路
13・・・出力回路
14・・・保護回路
15・・・内部電源配線
16・・・内部センサ出力配線
17・・・内部グラウンド配線
18、19・・・信号配線
19・・・オペアンプ
301、304・・・ダイオード
302、303、305、306、307、309、311・・・抵抗
308、310・・・N型トランジスタ
312、313・・・信号配線
401・・・インバータ回路
402・・・オペアンプ回路
403、406・・・P型トランジスタ
403、407・・・N型トランジスタ
408、409・・・抵抗
413、414、415、416・・・信号配線
701・・・ブレーキ圧センサ
702・・・信号処理回路
703・・・出力回路
801、803・・・P型トランジスタ
802、804・・・N型トランジスタ
901・・・ブレーキ圧センサ
902・・・サージ検知記録回路
903・・・信号処理回路
904・・・信号配線
1001・・・ブレーキ圧センサ
1002・・・サージ検知記録回路
1003・・・信号処理回路
1004、1005・・・信号配線
1101・・・ダイオード
1102、1103、1106、1108・・・抵抗
1105・・・P型トランジスタ
1107・・・N型トランジスタ
Claims (8)
- 外部と接続する端子と、
前記端子を介して供給される電圧或いは電流により駆動する駆動回路と、
前記端子と前記駆動回路との電気的経路の間に設けられる保護回路と、を備え、
該保護回路及び前記駆動回路は、前記端子から規定値以下の電圧或いは電流が印加されても通常動作をすることを保障されており、また前記規定値よりも大きい電圧或いは電流が印加されても破壊されない耐性値を有し、
前記端子に所定値以上の電圧或いは電流が印加されたことを検出する検出回路を有し、該所定値は、前記規定値より大きく前記耐性値よりも小さく、
前記検出回路は、
前記所定値でブレイクダウンする第一のダイオードと、
前記第一のダイオードのアノード側で接続される第一の抵抗と、
前記第一のダイオードと前記第一の抵抗の間にゲートが接続される第一のN型トランジスタと、
前記所定値でブレイクダウンする第二のダイオードと、
前記第二のダイオードのアノード側で接続される第二の抵抗と、
前記第二のダイオードと前記第二の抵抗の間にゲートが接続される第二のN型トランジスタと、
前記第二のダイオードのカソード側にドレインが接続され、前記第一のN型トランジスタのドレインとソースが接続されるP型トランジスタと、を備える半導体装置。 - 前記外部と接続する端子に信号を出力する出力回路を有し、
前記検出回路は前記所定値以上の電圧或いは電流が前記端子に印加されたことを検出すると、状態が変化する制御信号を前記出力回路に出力し、
前記出力回路は、前記制御信号に基づき前記端子に出力する信号を変化させる請求項1に記載の半導体装置。 - 前記検出回路は、前記所定値以上の電圧または電流が前記端子に印加されたことを検出した検出結果を不揮発性の記憶回路に記録する請求項1に記載の半導体装置。
- 前記検出回路は前記所定値以上の電圧または電流が前記端子に印加された場合に断線する抵抗を有する請求項3に記載の半導体装置。
- 前記検出回路は、前記所定値以上の電圧でブレイクダウンするダイオードと、前記ダイオードのアノード側に接続され、前記ダイオードがブレイクダウンすると断線する抵抗と、を備える請求項1または2に記載の半導体装置。
- センサの信号を処理する信号処理回路と、
前記信号処理回路の出力信号に対応した信号を前記外部端子に出力する出力回路と、を有し、
前記検出回路は、前記所定値以上の電圧または電流が前記端子に印加されたことを検出すると、状態が変化する制御信号を前記信号処理回路に出力し、
前記信号処理回路は、前記制御信号に基づき前記出力回路への入力信号を変化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記検出回路を複数有し、
各検出回路が検出する前記所定値の値がそれぞれで異なることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の半導体装置。 - 前記第一の抵抗が断線した場合、前記第一のN型トランジスタがオン状態となり、前記P型トランジスタがOFF状態からON状態となる請求項1に記載の半導体装置。
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