JP6671459B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents
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Description
まず、実施形態に係る基板処理システム1の構成について図1および図2を参照して説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システム1の模式平面図である。また、図2は、実施形態に係る基板処理システム1の模式側面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
搬入出ブロック2は、載置部11と、搬送部12とを備える。載置部11には、複数枚のウェハWを水平状態で収容する複数のカセットCが載置される。
図2に示すように、処理ブロック3は、第1処理ブロック3Uと、第2処理ブロック3Lとを備える。第1処理ブロック3Uと第2処理ブロック3Lとは、隔壁やシャッター等によって空間的に仕切られており、高さ方向に並べて配置される。本実施形態では、第1処理ブロック3Uが上段側に配置され、第2処理ブロック3Lが下段側に配置される。
第1処理ブロック3Uは、図1に示すように、搬送部16と、第1搬送装置17と、複数の第1処理ユニット18とを備える。第1搬送装置17は、搬送部16の内部に配置され、複数の第1処理ユニット18は、搬送部16の外部において搬送部16に隣接して配置される。
つづいて、第2処理ブロック3Lの構成について図3を参照して説明する。図3は、第2処理ブロック3Lの模式平面図である。
次に、受渡ブロック4について説明する。図1および図2に示すように、受渡ブロック4の内部には、複数の移し換え装置15a,15bと、第1バッファ部21Uと、第2バッファ部21Lと、第1受渡部22Uと、第2受渡部22Lと、第1反転機構23aと、第2反転機構23bとが配置される。
基板処理システム1は、制御装置5(図1参照)を備える。制御装置5は、たとえばコンピュータであり、制御部51と記憶部52とを備える。記憶部52には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部51は、例えばCPU(Central Processing Unit)であり、記憶部52に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
次に、基板処理システム1におけるウェハWの搬送フローの一例について簡単に説明する。基板処理システム1では、まず、主搬送装置13がカセットCから未処理のウェハWを複数枚まとめて取り出して第1バッファ部21Uに収容する。つづいて、移し換え装置15aが、第1バッファ部21Uから未処理のウェハWを取り出して第1受渡部22Uに移し換え、第1処理ブロック3Uの第1搬送装置17が、第1受渡部22UからウェハWを取り出して第1処理ユニット18へ搬送し、第1処理ユニット18が、ウェハWに対してベベル洗浄処理を行う。ベベル洗浄処理が終了すると、第1搬送装置17が、ベベル洗浄処理済みのウェハWを第1処理ユニット18から取り出して第1受渡部22Uに収容する。
次に、裏面洗浄部204の具体的な構成について図6〜図11を参照して説明する。まず、裏面ブラシ241の構成について図6および図7を参照して説明する。図6は、裏面ブラシ241の模式側面図である。また、図7は、液受け部材と周壁部207との関係を示す図である。
次に、裏面ブラシ241の収容部208aの構成について図11を参照して説明する。図11は、収容部208aの模式側面図である。
次に、第2処理ユニット28において実行される裏面洗浄処理の具体的な処理手順について図12を参照して説明する。図12は、裏面洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図12に示す各処理手順は、制御部51が第2処理ユニット28の基板保持部202、裏面洗浄部204、第1供給部205および第2供給部206等を制御することによって実行される。
次に、第1処理ユニット18の構成について図14を参照して説明する。図14は、第1処理ユニット18の模式側面図である。
28 第2処理ユニット
101 本体部
102 接続部
103 洗浄体
104 液受け部材
111 第1本体部
112 第2本体部
113 中空部
202 基板保持部
203 回収カップ
204 裏面洗浄部
205 第1供給部
206 第2供給部
207 周壁部
241 裏面ブラシ
242 スピンドル
243 アーム
244 旋回昇降機構
Claims (10)
- ブラシを用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記基板を回転可能に保持する基板保持部と、
前記ブラシをスピンドルを介して回転可能に支持するアームと、
前記基板に対して処理液を供給する供給部と
を備え、
前記ブラシは、
疎水性の外周部を有し、前記スピンドルに接続される本体部と、
前記本体部の下部に設けられ、前記基板に押し当てられる洗浄体と、
前記本体部の前記外周部に設けられ、前記本体部の前記外周部から突出しており、前記洗浄体から飛散する前記処理液を疎水性の下面で受け止める液受け部材と
を備え、
前記基板保持部は、
前記基板の周縁部を把持する把持部
を備え、
前記液受け部材の下面は、前記洗浄体が前記基板に押し当てられた状態において前記把持部の上端よりも上方に位置する、基板洗浄装置。 - 前記液受け部材は、
上面が傾斜した庇形状を有する、請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 前記液受け部材は、
前記本体部における前記洗浄体の取付面よりも上方に配置される、請求項1または2に記載の基板洗浄装置。 - 前記基板保持部の周囲を取り囲み、前記基板保持部から飛散する処理液を受ける周壁部
を備え、
前記液受け部材の径は、
少なくとも前記洗浄体から飛散する処理液の前記基板に対する角度と前記周壁部の高さとの関係に基づいて決定される、請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記ブラシの退避位置に設けられ、鉛直上方に向けて洗浄液を吐出する吐出口を有し、前記退避位置に配置された前記ブラシを前記吐出口から吐出される洗浄液を用いて洗浄するブラシ洗浄部
を備え、
前記ブラシ洗浄部の吐出口は、前記退避位置に配置された前記洗浄体の外周部と前記液受け部材の基端部とを含む領域の鉛直下方に配置される、請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記アームは、
前記スピンドルを回転させる駆動部と前記スピンドルの一部とを収容する第1内部空間と、
前記第1内部空間と外部とを連通し、前記第1内部空間から露出する前記スピンドルの一部を覆う第2内部空間と、
前記第2内部空間に対して不活性ガスを供給するガス供給部と
を備える、請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記アームは、
前記第2内部空間を吸気する吸気部
を備える、請求項6に記載の基板洗浄装置。 - 前記吸気部は、
前記ガス供給部よりも前記第1内部空間寄りの位置に設けられる、請求項7に記載の基板洗浄装置。 - 前記供給部は、
前記ブラシの外方から前記ブラシよりも手前の前記基板上の位置であって、前記基板上で跳ね返った前記処理液が前記液受け部材によって受け止められる前記位置へ向けて前記処理液を斜めに吐出すること
を特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記供給部は、
前記処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを支持するノズルアームと、
前記アームを移動させる第1移動機構と、
前記ノズルアームを移動させる第2移動機構と、
前記第1移動機構と前記第2移動機構とを制御して、前記供給部が、前記ブラシの外方から前記ブラシよりも手前の前記基板上の位置であって、前記基板上で跳ね返った前記処理液が前記液受け部材によって受け止められる前記位置へ向けて前記処理液を斜めに吐出する状態を維持しながら、前記ブラシと前記ノズルとを移動させる制御部と
を備えることを特徴とする請求項9に記載の基板洗浄装置。
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