JP6671246B2 - Wafer processing method - Google Patents

Wafer processing method Download PDF

Info

Publication number
JP6671246B2
JP6671246B2 JP2016110192A JP2016110192A JP6671246B2 JP 6671246 B2 JP6671246 B2 JP 6671246B2 JP 2016110192 A JP2016110192 A JP 2016110192A JP 2016110192 A JP2016110192 A JP 2016110192A JP 6671246 B2 JP6671246 B2 JP 6671246B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
wafer
grinding wheel
inner peripheral
peripheral edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016110192A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017216400A (en
Inventor
亮輔 西原
亮輔 西原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2016110192A priority Critical patent/JP6671246B2/en
Publication of JP2017216400A publication Critical patent/JP2017216400A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6671246B2 publication Critical patent/JP6671246B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a method for processing a wafer.

例えばＳｉＰ（System in Package）等の普及に伴い、ウェーハを歩留まり良く薄化できる研削技術が要望されている。ウェーハを薄化する研削技術の一つとして、ＴＡＩＫＯ研削技術が知られている。ＴＡＩＫＯ研削技術は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域を表面に備えるウェーハの裏面を研削するとき、ウェーハの裏面の外周エッジ部分を残し、外周エッジ部分の内側のデバイス領域に対応するウェーハの裏面の内側部分のみを研削して薄化する技術である（特許文献１参照）。ＴＡＩＫＯ研削技術により、ウェーハの外周エッジ部分に補強部として機能する環状凸部が形成される。環状凸部が形成されることにより、ウェーハの内側部分が薄化された後においても、例えば、ウェーハの反り、及び搬送時におけるウェーハの割れ等が抑制される。   For example, with the spread of SiP (System in Package) and the like, there is a demand for a grinding technique capable of thinning a wafer with good yield. As one of the grinding techniques for thinning a wafer, a TAIKO grinding technique is known. TAIKO grinding technology, when grinding the back surface of a wafer having a plurality of devices formed device area on the front surface, leaving the outer peripheral edge portion of the back surface of the wafer, the back surface of the wafer corresponding to the device region inside the outer peripheral edge portion This is a technique of grinding only the inner portion of the thinner to make it thinner (see Patent Document 1). By the TAIKO grinding technique, an annular convex portion functioning as a reinforcing portion is formed at the outer peripheral edge portion of the wafer. The formation of the annular projection suppresses, for example, the warpage of the wafer and the cracking of the wafer during transport even after the inner portion of the wafer is thinned.

一般的な研削技術と同様、ＴＡＩＫＯ研削技術において、ウェーハは、第１の研削砥石で粗研削された後、第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２研削砥石で仕上げ研削される。第１の研削砥石による粗研削において、環状凸部の内周エッジ部に欠けが発生する可能性がある。環状凸部の内周エッジ部に発生した欠けを放置しておくと、ウェーハに割れが発生する可能性がある。そこで、ＴＡＩＫＯ研削技術において、ウェーハの外周エッジ部分の内側を第１の研削砥石で粗研削して環状凸部を形成した後、第２の研削砥石で環状凸部の内周エッジ部を研削して、欠けを除去する研削技術が案出されている（特許文献２参照）。欠けが除去されることにより、ウェーハの抗折強度の向上が図られる。   As in the general grinding technique, in the TAIKO grinding technique, a wafer is roughly ground with a first grinding wheel, and then finish-ground with a second grinding wheel having a smaller grain size than the first grinding wheel. In the rough grinding by the first grinding wheel, the inner peripheral edge of the annular projection may be chipped. If the chip generated at the inner peripheral edge of the annular convex portion is left as it is, the wafer may be cracked. Therefore, in the TAIKO grinding technique, the inside of the outer peripheral edge portion of the wafer is roughly ground with a first grinding wheel to form an annular convex portion, and then the inner peripheral edge portion of the annular convex portion is ground with a second grinding wheel. Thus, a grinding technique for removing chips has been devised (see Patent Document 2). By removing the chips, the die strength of the wafer is improved.

特許第５３９０７４０号公報Japanese Patent No. 5390740 特開２００８−０４２０８１号公報JP 2008-042081 A

一般に、研削砥石と研削対象物との接触時間又は接触圧力が大きいほど、研削砥石の消耗量は増大する。また、砥粒径が小さい第２の研削砥石は、第１の研削砥石に比べて、消耗し易い。そのため、第１の研削砥石による粗研削が実施された後、第１の研削砥石における研削送りの移動軌跡と同一の移動軌跡で第２の研削砥石を研削送りしてウェーハを仕上げ研削すると、第２の研削砥石は、第２の研削砥石の端部が丸みを帯びるように大きく消耗する。第２の研削砥石の端部が丸みを帯びると、仕上げ研削において、環状凸部の内周面と環状凸部の内側のデバイス領域に対応する内側部分の底面との境界が十分に研削されず、丸みを帯びてしまう。その結果、薄化されるデバイス領域が狭くなり、デバイスチップの取り個数を十分に確保できなくなってしまう。一方、第２の研削砥石の消耗を抑制するために、研削送り速度を低下させると、研削時間の長期化及び加工効率の低下がもたらされ、製造コストが増大する。   Generally, the greater the contact time or contact pressure between the grinding wheel and the grinding object, the greater the consumption of the grinding wheel. In addition, the second grinding wheel having a small abrasive particle diameter is more easily consumed than the first grinding wheel. For this reason, after the rough grinding by the first grinding wheel is performed, the second grinding wheel is ground and fed with the same movement trajectory as the movement trajectory of the grinding feed in the first grinding wheel. The second grinding wheel is greatly consumed so that the end of the second grinding wheel is rounded. When the end portion of the second grinding wheel is rounded, in the finish grinding, the boundary between the inner peripheral surface of the annular convex portion and the bottom surface of the inner portion corresponding to the device region inside the annular convex portion is not sufficiently ground. , Rounded. As a result, the device region to be thinned becomes narrow, and it becomes impossible to secure a sufficient number of device chips. On the other hand, if the grinding feed speed is reduced in order to suppress the consumption of the second grinding wheel, the grinding time is prolonged and the processing efficiency is reduced, and the manufacturing cost is increased.

本発明は、第２の研削砥石の消耗を抑制し、加工効率の低下を抑制しつつ、粗研削でウェーハに発生した欠けを除去することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of suppressing chipping generated on a wafer by rough grinding while suppressing wear of the second grinding wheel and suppressing reduction in processing efficiency. .

本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該保持ステップの後、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を第１の研削砥石で研削し、ウェーハの裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップと、第１研削ステップを実施した後、該第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２の研削砥石を、該保持面に向かって研削送りしつつ該環状凸部の頂点からウェーハの中心に向かって斜めに移動させ該環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に該第２の研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、該円形凹部の底面を該第２の研削砥石で研削する第２研削ステップと、を備え、該第２研削ステップでは、該内周エッジ部を研削して、該第１研削ステップで発生した該内周エッジ部の欠けを除去することを特徴とするウェーハの加工方法を提供する。   The present invention relates to a wafer processing method for processing a wafer provided with a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, wherein a protective member is attached to the surface of the wafer. A protecting member attaching step, a holding step of holding the wafer on a holding surface of the chuck table via the protecting member, and after the holding step, a back surface of the wafer corresponding to the device region is ground with a first grinding wheel. Grinding, forming a circular concave portion on the back surface of the wafer and forming an annular convex portion surrounding the circular concave portion, and after performing the first grinding step, a grinder smaller than the first grinding wheel. A second grinding wheel having a particle size is moved obliquely from the apex of the annular convex portion toward the center of the wafer while being grinded and fed toward the holding surface, and the inner peripheral edge portion of the annular convex portion is moved. Removing, further grinding and feeding the second grinding wheel in an empty state, and then grinding the bottom surface of the circular concave portion with the second grinding wheel. The present invention provides a method of processing a wafer, characterized in that the inner peripheral edge portion is ground to remove chipping of the inner peripheral edge portion generated in the first grinding step.

本発明に係るウェーハの加工方法において、該第２研削ステップで、該内周エッジ部を研削する時、又は該円形凹部の底面を研削する時より、該内周エッジ部を研削後に該第２の研削砥石が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定することが好ましい。   In the method of processing a wafer according to the present invention, in the second grinding step, the inner peripheral edge portion is ground after the inner peripheral edge portion is ground or the bottom surface of the circular concave portion is ground. It is preferable to set the grinding feed speed higher when the grinding wheel moves in the empty state.

本発明によれば、第２の研削砥石の消耗を抑制し、加工効率の低下を抑制しつつ、粗研削でウェーハに発生した欠けを除去することができるウェーハの加工方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a wafer processing method capable of removing chips generated on a wafer by rough grinding while suppressing wear of the second grinding wheel and suppressing a decrease in processing efficiency.

図１は、本実施形態に係るウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating an example of a wafer according to the present embodiment. 図２は、本実施形態に係るウェーハの加工方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of the wafer processing method according to the present embodiment. 図３は、本実施形態に係る保護部材貼着ステップの一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the protection member attaching step according to the present embodiment. 図４は、本実施形態に係る研削装置の一例を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing an example of the grinding device according to the present embodiment. 図５は、本実施形態に係る研削装置の一例を示す機能ブロック図である。FIG. 5 is a functional block diagram illustrating an example of the grinding device according to the present embodiment. 図６は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating an example of the first grinding step according to the present embodiment. 図７は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing an example of the first grinding step according to the present embodiment. 図８は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing an example of the second grinding step according to the present embodiment. 図９は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。FIG. 9 is a side view illustrating an example of the second grinding step according to the present embodiment. 図１０は、本実施形態に係る第２研削ステップが終了した後のウェーハの一部を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a part of the wafer after the second grinding step according to the present embodiment is completed. 図１１は、本実施形態に係る第２研削ステップにおける第２研削砥石の研削送り方向における移動速度プロファイルの一例を模式的に示す図である。FIG. 11 is a diagram schematically illustrating an example of a moving speed profile in the grinding feed direction of the second grinding wheel in the second grinding step according to the present embodiment.

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下で説明する実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. The components of the embodiments described below can be appropriately combined. In some cases, some components may not be used.

以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。   In the following description, an XYZ rectangular coordinate system is set, and the positional relationship between the components will be described with reference to the XYZ rectangular coordinate system. One direction in the horizontal plane is an X-axis direction, and a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction is a Z-axis direction. An XY plane including the X axis and the Y axis is parallel to the horizontal plane. The Z-axis direction orthogonal to the XY plane is a vertical direction.

図１は、本実施形態に係るウェーハ２の一例を示す斜視図である。図１に示すように、ウェーハ２は、実質的に円板状の部材であり、表面２Ａと、表面２Ａの逆方向を向く裏面２Ｂとを有する。表面２Ａと裏面２Ｂとは実質的に平行である。ウェーハ２は、基板と、基板の表面に設けられた機能層とを有する。ウェーハ２の表面２Ａは、機能層の表面を含む。ウェーハ２の裏面２Ｂは、基板の裏面を含む。機能層は、デバイスが形成される層である。基板は、シリコン基板、サファイア基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、及びセラミックス基板の少なくとも一つを含む。   FIG. 1 is a perspective view showing an example of the wafer 2 according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the wafer 2 is a substantially disk-shaped member, and has a front surface 2A and a back surface 2B facing in the opposite direction to the front surface 2A. The front surface 2A and the back surface 2B are substantially parallel. The wafer 2 has a substrate and a functional layer provided on the surface of the substrate. The surface 2A of the wafer 2 includes the surface of the functional layer. The back surface 2B of the wafer 2 includes the back surface of the substrate. The functional layer is a layer on which a device is formed. The substrate includes at least one of a silicon substrate, a sapphire substrate, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, and a ceramic substrate.

また、ウェーハ２は、ノッチ２１を有する。なお、ウェーハ２にオリエンテーションフラットが設けられてもよい。   The wafer 2 has a notch 21. Note that an orientation flat may be provided on the wafer 2.

ウェーハ２の表面２Ａは、複数のデバイス２２が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとを有する。デバイス領域ＤＡは、ウェーハ２の表面２Ａの中心を含む円形状の領域である。外周余剰領域ＳＡは、デイバス領域ＳＡの周囲に規定される輪帯状（円環状）の領域である。デバイス２２は、互いに交差する分割予定ライン２３に区画された複数の領域のそれぞれに形成される。   The front surface 2A of the wafer 2 has a device area DA in which a plurality of devices 22 are formed, and an outer peripheral surplus area SA surrounding the device area DA. The device area DA is a circular area including the center of the surface 2A of the wafer 2. The outer peripheral surplus area SA is an annular (annular) area defined around the device area SA. The device 22 is formed in each of a plurality of regions partitioned by the planned dividing lines 23 that cross each other.

デバイス２２は、ウェーハ２の表面２Ａにマトリクス状に配置される。分割予定ライン２３は、格子状に設けられる。デバイス２２は、分割予定ライン２３によって区画される。デバイス２２は、ウェーハ２のデバイス領域ＤＡに形成される。外周余剰領域ＳＡにデバイス２２は形成されない。ウェーハ２が分割予定ライン２３に沿って分割されることにより、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）のようなデバイスチップが製造される。   The devices 22 are arranged in a matrix on the surface 2A of the wafer 2. The planned dividing lines 23 are provided in a lattice shape. The device 22 is partitioned by the scheduled division line 23. The device 22 is formed in the device area DA of the wafer 2. The device 22 is not formed in the outer peripheral surplus area SA. By dividing the wafer 2 along the dividing lines 23, device chips such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration) are manufactured.

次に、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法について説明する。図２は、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法の一例を示すフローチャートである。図２に示すように、ウェーハ２の加工方法は、ウェーハ２の表面２Ａに保護部材を貼着する保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）と、保護部材を介してウェーハ２をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップ（ＳＰ２）と、保持ステップの後、デバイス領域ＤＡに対応するウェーハ２の裏面２Ｂを第１研削砥石で研削し、ウェーハ２の裏面２Ｂに円形凹部を形成するとともに円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップ（ＳＰ３）と、第１研削ステップを実施した後、第１研削砥石よりも小さい砥粒径の第２研削砥石を、保持面に向かって研削送りしつつ環状凸部の頂点からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させ環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に第２研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、円形凹部の底面を第２の研削砥石で研削する第２研削ステップ（ＳＰ４）と、を備える。   Next, a method for processing the wafer 2 according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of the method for processing the wafer 2 according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the processing method of the wafer 2 includes a protective member attaching step (SP1) of attaching a protective member to the surface 2A of the wafer 2, and the wafer 2 being held on the chuck table holding surface via the protective member. The holding step (SP2) for holding, and after the holding step, the back surface 2B of the wafer 2 corresponding to the device area DA is ground with a first grinding wheel to form a circular recess on the back surface 2B of the wafer 2 and surround the circular recess. After performing the first grinding step (SP3) for forming an annular convex portion to be formed and the first grinding step, a second grinding wheel having a smaller abrasive particle diameter than the first grinding wheel is ground and fed toward the holding surface. While moving obliquely from the apex of the annular convex portion toward the center of the wafer 2 while removing the inner peripheral edge portion of the annular convex portion, and further grinding and feeding the second grinding wheel in an empty state, the bottom surface of the circular concave portion It comprises a second grinding step of grinding the second grinding wheel (SP4), a.

保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）について説明する。図３は、本実施形態に係る保護部材貼着ステップの一例を示す図である。保護部材貼着ステップは、ウェーハ２の表面２Ａに保護部材３を貼着するステップである。図３に示すように、デバイス２２を保護するための保護部材３がウェーハ２の表面２Ａに貼着される。保護部材３は、シート状の部材である。ＸＹ平面内において、ウェーハ２の表面２Ａの外形及び寸法と、保護部材３の外形及び寸法とは、実質的に等しい。保護部材３は、例えばポリオレフィンを含む基材フィルムと、基材フィルムの片面に塗布された粘着材とを有する。保護部材３は、粘着材を介して、ウェーハ２の表面２Ａに貼着される。   The protection member attaching step (SP1) will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the protection member attaching step according to the present embodiment. The protective member attaching step is a step of attaching the protective member 3 to the front surface 2A of the wafer 2. As shown in FIG. 3, a protection member 3 for protecting the device 22 is attached to the front surface 2A of the wafer 2. The protection member 3 is a sheet-shaped member. In the XY plane, the outer shape and size of the surface 2A of the wafer 2 and the outer shape and size of the protection member 3 are substantially equal. The protection member 3 includes, for example, a base film containing polyolefin, and an adhesive applied to one surface of the base film. The protection member 3 is adhered to the front surface 2A of the wafer 2 via an adhesive.

次に、保持ステップ（ＳＰ２）について説明する。図４は、本実施形態に係る研削装置４の一例を示す側面図である。図５は、本実施形態に係る研削装置４の一例を示す機能ブロック図である。保持ステップは、保護部材３を介してウェーハ２を研削装置４のチャックテーブル５の保持面６で保持するステップである。保持ステップは、保護部材貼着ステップの後に実施される。   Next, the holding step (SP2) will be described. FIG. 4 is a side view showing an example of the grinding device 4 according to the present embodiment. FIG. 5 is a functional block diagram illustrating an example of the grinding device 4 according to the present embodiment. The holding step is a step of holding the wafer 2 on the holding surface 6 of the chuck table 5 of the grinding device 4 via the protection member 3. The holding step is performed after the protection member attaching step.

図４に示すように、研削装置４は、ウェーハ２を保持する保持面６を有するチャックテーブル５と、チャックテーブル５に保持されたウェーハ２を研削する研削ユニット７とを有する。   As shown in FIG. 4, the grinding apparatus 4 includes a chuck table 5 having a holding surface 6 for holding the wafer 2 and a grinding unit 7 for grinding the wafer 2 held on the chuck table 5.

チャックテーブル５は、保護部材３を介して、ウェーハ２を保持する。チャックテーブル５は、チャックテーブル５の保持面６とウェーハ２の裏面２Ｂに貼着された保護部材３とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、保護部材３を介してウェーハ２を保持する。   The chuck table 5 holds the wafer 2 via the protection member 3. The chuck table 5 is placed on the wafer through the protection member 3 such that the holding surface 6 of the chuck table 5 and the protection member 3 attached to the back surface 2B of the wafer 2 face each other, and the back surface 2B of the wafer 2 faces upward. Hold 2.

チャックテーブル５の保持面６は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル５は、ウェーハ２の裏面２ＢとＸＹ平面とが平行となるように、ウェーハ２を保持する。また、チャックテーブル５は、ＸＹ平面内における保持面６の中心とウェーハ２の裏面２Ｂの中心とが一致するように、ウェーハ２を保持する。   The holding surface 6 of the chuck table 5 is substantially parallel to the XY plane. The chuck table 5 holds the wafer 2 such that the back surface 2B of the wafer 2 is parallel to the XY plane. The chuck table 5 holds the wafer 2 such that the center of the holding surface 6 in the XY plane coincides with the center of the back surface 2B of the wafer 2.

チャックテーブル５は、ウェーハ２を着脱可能に保持する。チャックテーブル５は、真空チャック機構を含む。チャックテーブル５の保持面６には真空吸引源と接続される吸引口が複数設けられる。チャックテーブル５の保持面６に保護部材３を介してウェーハ２が載置された状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２はチャックテーブル５に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２及び保護部材３はチャックテーブル５から解放される。   The chuck table 5 detachably holds the wafer 2. The chuck table 5 includes a vacuum chuck mechanism. The holding surface 6 of the chuck table 5 is provided with a plurality of suction ports connected to a vacuum suction source. By operating the vacuum suction source while the wafer 2 is placed on the holding surface 6 of the chuck table 5 via the protection member 3, the wafer 2 is suction-held on the chuck table 5. When the operation of the vacuum suction source is stopped, the wafer 2 and the protection member 3 are released from the chuck table 5.

チャックテーブル５は、テーブル駆動装置の作動により、Ｚ軸と平行なテーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転可能である。   The chuck table 5 is rotatable around a table rotation axis AX1 parallel to the Z axis by the operation of the table driving device.

研削ユニット７は、チャックテーブル５に保持されているウェーハ２を研削する。研削ユニット７は、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化する。研削ユニット７は、支持機構（不図示）に移動可能に支持される。研削ユニット７は、研削ユニット駆動装置の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。   The grinding unit 7 grinds the wafer 2 held on the chuck table 5. The grinding unit 7 thins the wafer 2 by grinding the back surface 2B of the wafer 2. The grinding unit 7 is movably supported by a support mechanism (not shown). The grinding unit 7 is movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction by the operation of the grinding unit driving device.

研削ユニット７は、スピンドル９と、ホイールマウント１０を介してスピンドル９の下端部に接続される研削ホイール１１と、研削ホイール１１の下面に設けられる研削砥石８とを有する。   The grinding unit 7 includes a spindle 9, a grinding wheel 11 connected to a lower end of the spindle 9 via a wheel mount 10, and a grinding wheel 8 provided on a lower surface of the grinding wheel 11.

研削砥石８は、チャックテーブル５に保持されているウェーハ２の裏面２Ｂと対向可能である。ＸＹ平面内において、研削砥石８は円環状に設けられる。   The grinding wheel 8 can face the back surface 2 </ b> B of the wafer 2 held on the chuck table 5. The grinding wheel 8 is provided in an annular shape in the XY plane.

研削ホイール１１は、研削ユニット駆動装置の作動により、Ｚ軸と平行な研削回転軸ＡＸ２を中心に回転可能である。   The grinding wheel 11 is rotatable around a grinding rotation axis AX2 parallel to the Z axis by the operation of the grinding unit driving device.

研削砥石８の回転直径は、デバイス領域ＤＡよりも小さい。本実施形態において、研削砥石８の回転直径は、ウェーハ２の直径の約半分である。   The rotation diameter of the grinding wheel 8 is smaller than the device area DA. In the present embodiment, the rotation diameter of the grinding wheel 8 is about half of the diameter of the wafer 2.

研削ユニット７は、粗研削用の第１研削ユニット７１と、仕上げ研削用の第２研削ユニット７２とを含む。すなわち、本実施形態において、研削装置４は、第１研削ユニット７１及び第２研削ユニット７２の２つの研削ユニット７を有する。   The grinding unit 7 includes a first grinding unit 71 for rough grinding and a second grinding unit 72 for finish grinding. That is, in the present embodiment, the grinding device 4 has two grinding units 7, a first grinding unit 71 and a second grinding unit 72.

研削砥石８は、第１研削砥石８１と、第１研削砥石８１よりも小さい砥粒径の第２研削砥石８２とを含む。本実施形態において、第１研削砥石８１は、第１研削ユニット７１に設けられる。第２研削砥石８２は、第２研削ユニット７２に設けられる。   The grinding wheel 8 includes a first grinding wheel 81 and a second grinding wheel 82 having a smaller abrasive particle diameter than the first grinding wheel 81. In the present embodiment, the first grinding wheel 81 is provided in the first grinding unit 71. The second grinding wheel 82 is provided in the second grinding unit 72.

第１研削砥石８１は、砥粒径＃３２０以上６００以下のレジン又はビトリファイドボンドで構成された粗研削用の研削砥石である。第２研削砥石８２は、砥粒径＃２０００以上のレジン又はビトリファイドボンドで構成された仕上げ研削用の研削砥石である。   The first grinding wheel 81 is a grinding wheel for rough grinding composed of a resin or a vitrified bond having an abrasive particle size of # 320 or more and 600 or less. The second grinding wheel 82 is a grinding wheel for finish grinding composed of resin or vitrified bond having an abrasive particle size of # 2000 or more.

研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、研削砥石８は、矩形状である。研削砥石８は、研削回転軸ＡＸ２に対する放射方向において外側を向く外面８Ａと、下面８Ｂとを有する。下面８Ｂは、ＸＹ平面と実質的に平行である。研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、外面８Ａと下面８Ｂとにより角部８Ｋが形成される。研削砥石８が消耗していない新品時においては、研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、外面８Ａと下面８Ｂとは実質的に直交し、角部８Ｋは尖っている。   In the cross section including the grinding rotation axis AX2, the grinding wheel 8 has a rectangular shape. The grinding wheel 8 has an outer surface 8A facing outward in a radial direction with respect to the grinding rotation axis AX2, and a lower surface 8B. The lower surface 8B is substantially parallel to the XY plane. In the cross section including the grinding rotation axis AX2, a corner 8K is formed by the outer surface 8A and the lower surface 8B. In a new product in which the grinding wheel 8 is not consumed, the outer surface 8A and the lower surface 8B are substantially orthogonal to each other and the corners 8K are sharp in a cross section including the grinding rotation axis AX2.

図５に示すように、研削装置４は、チャックテーブル５を駆動するテーブル駆動装置１２と、研削ユニット７を駆動する研削ユニット駆動装置１３と、研削装置４を制御する制御手段１４とを備える。   As shown in FIG. 5, the grinding device 4 includes a table driving device 12 that drives the chuck table 5, a grinding unit driving device 13 that drives the grinding unit 7, and a control unit 14 that controls the grinding device 4.

テーブル駆動装置１２は、テーブル回転軸ＡＸ１を中心にチャックテーブル５を回転させるための動力を発生する回転アクチュエータを有する。また、テーブル駆動装置１２は、チャックテーブル５をＸ軸方向に移動させるための動力を発生するＸ軸アクチュエータと、チャックテーブル５をＹ軸方向に移動させるための動力を発生するＹ軸アクチュエータとを有する。テーブル駆動装置１２は、制御手段１４により制御される。チャックテーブル５は、テーブル駆動装置１２の作動により、テーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転可能である。また、チャックテーブル５は、テーブル駆動装置１２の作動により、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。   The table driving device 12 has a rotation actuator that generates power for rotating the chuck table 5 about the table rotation axis AX1. Further, the table driving device 12 includes an X-axis actuator that generates power for moving the chuck table 5 in the X-axis direction, and a Y-axis actuator that generates power for moving the chuck table 5 in the Y-axis direction. Have. The table driving device 12 is controlled by the control unit 14. The chuck table 5 is rotatable around the table rotation axis AX1 by the operation of the table driving device 12. The chuck table 5 is movable in the X-axis direction and the Y-axis direction by the operation of the table driving device 12.

研削ユニット駆動装置１３は、研削回転軸ＡＸ２を中心に研削ホイール１１を回転させるための動力を発生する回転アクチュエータを有する。また、研削ユニット駆動装置１３は、研削ユニット７をＸ軸方向に移動させるための動力を発生するＸ軸アクチュエータと、研削ユニット７をＹ軸方向に移動させるための動力を発生するＹ軸アクチュエータと、研削ユニット７をＺ軸方向に移動させるためのＺ軸アクチュエータとを有する。研削ユニット駆動装置１３は、制御手段１４により制御される。研削ユニット７の研削ホイール１１は、研削ユニット駆動装置１３の作動により、研削回転軸ＡＸ２を中心に回転可能である。また、研削ユニット７は、研削ユニット駆動装置１３の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。   The grinding unit drive device 13 has a rotary actuator that generates power for rotating the grinding wheel 11 about the grinding rotation axis AX2. The grinding unit driving device 13 includes an X-axis actuator that generates power for moving the grinding unit 7 in the X-axis direction, and a Y-axis actuator that generates power for moving the grinding unit 7 in the Y-axis direction. And a Z-axis actuator for moving the grinding unit 7 in the Z-axis direction. The grinding unit driving device 13 is controlled by the control means 14. The grinding wheel 11 of the grinding unit 7 is rotatable around the grinding rotation axis AX2 by the operation of the grinding unit drive device 13. The grinding unit 7 is movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction by the operation of the grinding unit driving device 13.

制御手段１４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置１５と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はストレージのような不揮発性メモリ及びＲＡＭ（Random Access Memory）のような揮発メモリを含む記憶装置１６と、入出力インターフェース装置１７とを有する。演算処理装置１５は、記憶装置１６に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置１７を介して、研削装置４を制御するための制御信号を出力する。   The control unit 14 includes an arithmetic processing unit 15 having a microprocessor such as a CPU (Central Processing Unit), a nonvolatile memory such as a ROM (Read Only Memory) or a storage, and a volatile memory such as a RAM (Random Access Memory). And an input / output interface device 17. The arithmetic processing device 15 performs arithmetic processing according to a computer program stored in the storage device 16 and outputs a control signal for controlling the grinding device 4 via the input / output interface device 17.

次に、第１研削ステップ（ＳＰ３）について説明する。図６は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す斜視図である。図７は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す側面図である。第１研削ステップは、デバイス領域ＤＡに対応するウェーハ２の裏面２Ｂを第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１で研削し、ウェーハ２の裏面２Ｂに円形凹部２４を形成するとともに、円形凹部２４を囲繞する環状凸部２５を形成するステップである。第１研削ステップは、保持ステップの後に実施される。   Next, the first grinding step (SP3) will be described. FIG. 6 is a perspective view illustrating an example of the first grinding step according to the present embodiment. FIG. 7 is a side view showing an example of the first grinding step according to the present embodiment. In the first grinding step, the back surface 2B of the wafer 2 corresponding to the device area DA is ground with the first grinding wheel 81 of the first grinding unit 71 to form the circular recess 24 on the back surface 2B of the wafer 2 and the circular recess 24 This is a step of forming an annular convex portion 25 surrounding. The first grinding step is performed after the holding step.

図６及び図７に示すように、ウェーハ２が保護部材３を介してチャックテーブル５に保持された後、チャックテーブル５がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に矢印Ｒ１で示すように回転されつつ、第１研削ユニット７１の研削ホイール１１が研削回転軸ＡＸ２を中心に矢印Ｒ２で示すように回転される。チャックテーブル５及び第１研削ユニット７１の研削ホイール１１が回転している状態で、第１研削ユニット７１が−Ｚ方向に下降（研削送り）されることにより、第１研削砥石８１とウェーハ２の裏面２Ｂとが接触される。これにより、ウェーハ２の裏面２Ｂが研削され、ウェーハ２が薄化される。   As shown in FIGS. 6 and 7, after the wafer 2 is held on the chuck table 5 via the protection member 3, the chuck table 5 is rotated around the table rotation axis AX1 as shown by an arrow R1, and The grinding wheel 11 of one grinding unit 71 is rotated about the grinding rotation axis AX2 as indicated by an arrow R2. While the chuck table 5 and the grinding wheel 11 of the first grinding unit 71 are rotating, the first grinding unit 71 is moved down (grinding feed) in the −Z direction, whereby the first grinding wheel 81 and the wafer 2 are moved. The back surface 2B is brought into contact. Thereby, the back surface 2B of the wafer 2 is ground, and the wafer 2 is thinned.

第１研削ステップにおいては、第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって、保護部材３を介してチャックテーブル５に保持されているウェーハ２の裏面２Ｂの一部が研削される。   In the first grinding step, a part of the back surface 2B of the wafer 2 held on the chuck table 5 via the protection member 3 is ground by the first grinding wheel 81 of the first grinding unit 71.

第１研削ステップにおいては、ウェーハ２の裏面２Ｂのうち、表面２Ａに規定されたデバイス領域ＤＡに対応する対応デバイス領域ＥＡが第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって研削される。   In the first grinding step, the corresponding device area EA corresponding to the device area DA defined on the front surface 2A of the back surface 2B of the wafer 2 is ground by the first grinding wheel 81 of the first grinding unit 71.

すなわち、本実施形態においては、ウェーハ２の表面２Ａにおいて、複数のデバイス２２が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＳＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとが規定される。ウェーハ２の裏面２Ｂにおいて、デバイス領域ＤＡに対応する対応デバイス領域ＥＡと、対応デバイス領域ＥＡを囲繞する対応外周余剰領域ＴＡとが規定される。   That is, in the present embodiment, on the front surface 2A of the wafer 2, the device area DA in which the plurality of devices 22 are formed and the outer peripheral surplus area SA surrounding the device area SA are defined. On the back surface 2B of the wafer 2, a corresponding device area EA corresponding to the device area DA and a corresponding outer peripheral surplus area TA surrounding the corresponding device area EA are defined.

対応デバイス領域ＥＡは、ウェーハ２の裏面２Ｂの中心を含む円形状の領域である。ＸＹ平面内において、デバイス領域ＤＡの外形及び寸法と、対応デバイス領域ＥＡの外形及び寸法とは、実質的に同一である。また、ＸＹ平面内において、デバイス領域ＤＡの位置と、対応デバイス領域ＥＡの位置とは、実質的に同一である。   The corresponding device area EA is a circular area including the center of the back surface 2B of the wafer 2. In the XY plane, the outer shape and dimensions of the device area DA and the outer shape and dimensions of the corresponding device area EA are substantially the same. In the XY plane, the position of the device area DA and the position of the corresponding device area EA are substantially the same.

対応外周余剰領域ＴＡは、対応デイバス領域ＥＡの周囲に規定される輪帯状（円環状）の領域である。ＸＹ平面内において、外周余剰領域ＳＡの外形及び寸法と、対応外周余剰領域ＴＡの外形及び寸法とは、実質的に同一である。また、ＸＹ平面内において、外周余剰領域ＳＡの位置と、対応外周余剰領域ＴＡの位置とは、実質的に同一である。   The corresponding outer peripheral surplus area TA is an annular (annular) area defined around the corresponding device area EA. In the XY plane, the outer shape and dimensions of the outer peripheral surplus area SA and the outer shapes and dimensions of the corresponding outer peripheral surplus area TA are substantially the same. In the XY plane, the position of the outer peripheral surplus area SA and the position of the corresponding outer peripheral surplus area TA are substantially the same.

図６及び図７に示すように、第１研削ステップにおいては、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応デバイス領域ＥＡが第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって研削され、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応外周余剰領域ＴＡは研削されない。これにより、図６及び図７に示すように、ウェーハ２の裏面２Ｂに、ＸＹ平面において円形の円形凹部２４が形成される。また、円形凹部２４の周囲に、円形凹部２４を囲繞する環状凸部２５が形成される。   As shown in FIGS. 6 and 7, in the first grinding step, the corresponding device area EA of the back surface 2B of the wafer 2 is ground by the first grinding wheel 81 of the first grinding unit 71, and the corresponding back surface 2B of the wafer 2 is The outer peripheral surplus area TA is not ground. Thereby, as shown in FIGS. 6 and 7, a circular concave portion 24 is formed on the back surface 2B of the wafer 2 in the XY plane. Further, an annular convex portion 25 surrounding the circular concave portion 24 is formed around the circular concave portion 24.

円形凹部２４は、底面２６と、底面２６の外縁と接続される内周面２７とを有する。ＸＹ平面内において、底面２６は、円形である。底面２６は、ＸＹ平面と実質的に平行である。内周面２７は、底面２６と直交するように形成される。   The circular recess 24 has a bottom surface 26 and an inner peripheral surface 27 connected to an outer edge of the bottom surface 26. In the XY plane, the bottom surface 26 is circular. The bottom surface 26 is substantially parallel to the XY plane. The inner peripheral surface 27 is formed so as to be orthogonal to the bottom surface 26.

環状凸部２５は、端面２８を有する。端面２８は、裏面２Ｂのうち研削されていない面であり、ＸＹ平面と実質的に平行である。ＸＹ平面において、端面２８は、輪帯状（円環状）である。環状凸部２５の端面２８の内縁は、内周面２７と接続される。端面２８と内周面２７とは直交する。端面２８と内周面２７とにより角部２９が形成される。   The annular projection 25 has an end face 28. The end surface 28 is an unground surface of the back surface 2B, and is substantially parallel to the XY plane. In the XY plane, the end face 28 has a ring shape (annular shape). The inner edge of the end surface 28 of the annular convex portion 25 is connected to the inner peripheral surface 27. The end surface 28 and the inner peripheral surface 27 are orthogonal to each other. A corner 29 is formed by the end surface 28 and the inner peripheral surface 27.

以下の説明においては、少なくとも角部２９を含む環状凸部２５の一部分を適宜、環状凸部２５の内周エッジ部３０、と称する。内周エッジ部３０は、角部２９と結ばれる内周面２７の一部及び角部２９と結ばれる端面２８の一部を含む概念でもよい。   In the following description, a part of the annular convex portion 25 including at least the corner portion 29 is appropriately referred to as an inner peripheral edge portion 30 of the annular convex portion 25. The inner peripheral edge portion 30 may be a concept including a part of the inner peripheral surface 27 connected to the corner 29 and a part of the end surface 28 connected to the corner 29.

本実施形態においては、デバイス領域ＤＡにおけるウェーハ２の厚みが、第１厚みＴ１になるまで、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応デバイス領域ＥＡが第１研削砥石８１で研削される。なお、研削されていない環状凸部２５の厚みは、第１厚みＴ１よりも厚い厚みＴｒである。   In the present embodiment, the corresponding device area EA on the back surface 2B of the wafer 2 is ground by the first grinding wheel 81 until the thickness of the wafer 2 in the device area DA reaches the first thickness T1. In addition, the thickness of the annular protrusion 25 that is not ground is a thickness Tr that is thicker than the first thickness T1.

次に、第２研削ステップ（ＳＰ４）について説明する。図８及び図９は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。図１０は、本実施形態に係る第２研削ステップが終了した後のウェーハ２の一部を示す断面図である。   Next, the second grinding step (SP4) will be described. 8 and 9 are side views illustrating an example of the second grinding step according to the present embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a part of the wafer 2 after the second grinding step according to the present embodiment has been completed.

第２研削ステップは、第１研削砥石８１よりも小さい砥粒径の第２研削砥石８２を、チャックテーブル５の保持面６に向かって研削送りしつつ環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させ環状凸部２５の内周エッジ部３０を除去し、更に第２研削砥石８２を空切り状態で研削送りさせた後、円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削するステップである。第２研削ステップは、第１研削ステップの後に実施される。   The second grinding step grinds and feeds a second grinding wheel 82 having a smaller abrasive particle diameter than the first grinding wheel 81 toward the holding surface 6 of the chuck table 5 while the vertex of the annular convex portion 25 (corner portion 29). After moving obliquely toward the center of the wafer 2 to remove the inner peripheral edge portion 30 of the annular convex portion 25 and further grinding and feeding the second grinding wheel 82 in an empty state, the bottom surface 26 of the circular concave portion 24 is removed. This is a step of grinding with the second grinding wheel 82. The second grinding step is performed after the first grinding step.

第１研削ステップによって、ウェーハ２に円形凹部２４及び環状凸部２５が形成された後、円形凹部２４及び環状凸部２５が形成されたウェーハ２が保護部材３を介してチャックテーブル５に保持された状態で、チャックテーブル５がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に矢印Ｒ１で示すように回転される。また、第２研削砥石８２を有する第２研削ユニット７２の研削ホイール１１が研削回転軸ＡＸ２を中心に矢印Ｒ２で示すように回転される。第２研削ユニット７２の第２研削砥石８２とウェーハ２とが接触する前においては、ウェーハ２の中心に対する放射方向において研削回転軸ＡＸ２よりも外側に配置される第２研削砥石８２の下面８Ｂの一部と環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向するように、ウェーハ２を保持したチャックテーブル５と第２研削砥石８２とが位置合わせされる。   After the circular concave portion 24 and the annular convex portion 25 are formed on the wafer 2 by the first grinding step, the wafer 2 on which the circular concave portion 24 and the annular convex portion 25 are formed is held on the chuck table 5 via the protection member 3. In this state, the chuck table 5 is rotated about the table rotation axis AX1 as shown by an arrow R1. Further, the grinding wheel 11 of the second grinding unit 72 having the second grinding wheel 82 is rotated about the grinding rotation axis AX2 as shown by an arrow R2. Before the second grinding wheel 82 of the second grinding unit 72 comes into contact with the wafer 2, the lower surface 8 </ b> B of the second grinding wheel 82 disposed outside the grinding rotation axis AX <b> 2 in the radial direction with respect to the center of the wafer 2. The chuck table 5 holding the wafer 2 and the second grinding wheel 82 are positioned so that a part thereof and the end face 28 of the annular convex portion 25 face each other with a gap therebetween.

以下の説明においては、図８の実線で示すような、ウェーハ２の中心に対する放射方向において研削回転軸ＡＸ２よりも外側に配置される第２研削砥石８２の下面８Ｂの一部と環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向する状態を適宜、第１状態、と称する。   In the following description, a part of the lower surface 8B of the second grinding wheel 82 disposed outside the grinding rotation axis AX2 in the radial direction with respect to the center of the wafer 2 and the annular projection 25 as shown by a solid line in FIG. The state in which the end surface 28 of the first pair faces the other side via a gap is appropriately referred to as a first state.

制御手段１４は、チャックテーブル５及び第２研削ユニット７２の研削ホイール１１が回転している状態で、第１状態から、第２研削ユニット７２をチャックテーブル５の保持面６に向かって−Ｚ方向に下降（研削送り）するとともに、環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させる。   The control unit 14 moves the second grinding unit 72 from the first state toward the holding surface 6 of the chuck table 5 in the −Z direction while the grinding table 11 and the grinding wheel 11 of the second grinding unit 72 are rotating. (Grinding feed), and is moved obliquely from the vertex (corner 29) of the annular convex portion 25 toward the center of the wafer 2.

以下の説明においては、図８の矢印Ｃ１で示すように、第１状態の第２研削ユニット７２を、チャックテーブル５の保持面６に向かって−Ｚ方向に研削送りしつつ、環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させることを適宜、斜め加工送り、と称する。   In the following description, while the second grinding unit 72 in the first state is being ground and fed in the −Z direction toward the holding surface 6 of the chuck table 5 as shown by an arrow C1 in FIG. The oblique movement from the vertex (corner 29) toward the center of the wafer 2 is appropriately referred to as oblique processing feed.

また、本実施形態において、研削送り方向と直交するＸＹ平面と、矢印Ｃ１で示す第２研削砥石８２の移動方向と平行な移動軸とがなす角度θを適宜、第２研削砥石８２のスロープ角度θ、と称する。本実施形態において、スロープ角度θは、０［°］＜θ＜９０［°］、の条件を満足する。好ましくは、スロープ角度θは、６０［°］≦θ≦８５［°］の条件を満足する。   In the present embodiment, the angle θ formed between the XY plane orthogonal to the grinding feed direction and the movement axis parallel to the movement direction of the second grinding wheel 82 indicated by the arrow C1 is appropriately set to the slope angle of the second grinding wheel 82. θ. In the present embodiment, the slope angle θ satisfies the condition of 0 [°] <θ <90 [°]. Preferably, the slope angle θ satisfies the condition of 60 [°] ≦ θ ≦ 85 [°].

第２研削ユニット７２が矢印Ｃ１で示すように移動され、斜め加工送りが実施されることにより、第２研削砥石８２と、環状凸部２５の内周エッジ部３０とが接触する。これにより、角部２９を含む環状凸部２５の内周エッジ部３０が第２研削砥石８２によって除去される。内周エッジ部３０が除去されることにより、図９に示すように、内周面２７と端面２８との間に傾斜面３１が形成される。傾斜面３１は、ウェーハ２の中心に対する放射方向において外側に向かって保持面６から離れるように形成される。   When the second grinding unit 72 is moved as indicated by the arrow C1 and the slanted processing feed is performed, the second grinding wheel 82 and the inner peripheral edge 30 of the annular convex portion 25 come into contact with each other. Thereby, the inner peripheral edge portion 30 of the annular convex portion 25 including the corner portion 29 is removed by the second grinding wheel 82. By removing the inner peripheral edge portion 30, an inclined surface 31 is formed between the inner peripheral surface 27 and the end surface 28 as shown in FIG. The inclined surface 31 is formed so as to be away from the holding surface 6 outward in the radial direction with respect to the center of the wafer 2.

第１研削ステップにおいて形成された環状凸部２５の内周エッジ部３０に欠けが発生する可能性がある。本実施形態においては、第２研削ステップにおいて、内周エッジ部３０が第２研削砥石８２で研削される。第２研削ステップにおいて、第２研削砥石８２で内周エッジ部３０が研削されることにより、第１研削ステップで発生した内周エッジ部３０の欠けが除去される。   Chipping may occur in the inner peripheral edge portion 30 of the annular convex portion 25 formed in the first grinding step. In the present embodiment, in the second grinding step, the inner peripheral edge portion 30 is ground by the second grinding wheel 82. In the second grinding step, the chip of the inner peripheral edge portion 30 generated in the first grinding step is removed by grinding the inner peripheral edge portion 30 with the second grinding wheel 82.

本実施形態において、制御手段１４は、内周面２７の一部及び端面２８の一部が残るように、第２研削ユニット７２を斜め加工送りする。第１状態から斜め加工送りされ、傾斜面３１を形成した第２研削砥石８２は、ウェーハ２と接触しない第２状態に遷移する。   In the present embodiment, the control means 14 feeds the second grinding unit 72 obliquely so that a part of the inner peripheral surface 27 and a part of the end surface 28 remain. The second grinding wheel 82 that has been slanted and fed from the first state and has formed the inclined surface 31 transitions to the second state in which it does not contact the wafer 2.

制御手段１４は、第１状態の第２研削ユニット７２を斜め加工送りさせて第２状態に遷移させた後、第２研削砥石８２を、環状凸部２５と接触させない空切り状態で、矢印Ｃ２で示すように−Ｚ方向に研削送りする。   The control means 14 moves the second grinding unit 72 in the first state obliquely and feeds the second grinding unit 82 to the second state. The grinding feed is performed in the -Z direction as shown by.

第２研削ユニット７２が−Ｚ方向に研削送りされることにより、やがて、円形凹部２４の底面２６と第２研削砥石８２とが接触する。制御手段１４は、円形凹部２４の底面２６と第２研削砥石８２とが接触した状態で、テーブル回転軸ＡＸ１を中心にチャックテーブル５を回転させ、研削回転軸ＡＸ２を中心に研削ホイール１１を回転させて、円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削する。   When the second grinding unit 72 is ground and fed in the −Z direction, the bottom surface 26 of the circular concave portion 24 and the second grinding wheel 82 come into contact with each other. The control means 14 rotates the chuck table 5 about the table rotation axis AX1 and rotates the grinding wheel 11 about the grinding rotation axis AX2 in a state where the bottom surface 26 of the circular recess 24 is in contact with the second grinding wheel 82. Then, the bottom surface 26 of the circular recess 24 is ground by the second grinding wheel 82.

本実施形態においては、デバイス領域ＤＡにおけるウェーハ２の厚みが、第１厚みＴ１よりも薄い第２厚みＴ２になるまで、円形凹部２４の底面２６が第２研削砥石８２で研削される。すなわち、第２研削砥石８２と第１厚みＴ１の円形凹部２４の底面２６とが接触された後、第２研削砥石８２が更に−Ｚ方向に研削送りされる。   In the present embodiment, the bottom surface 26 of the circular recess 24 is ground with the second grinding wheel 82 until the thickness of the wafer 2 in the device area DA becomes the second thickness T2 smaller than the first thickness T1. That is, after the second grinding wheel 82 is brought into contact with the bottom surface 26 of the circular recess 24 having the first thickness T1, the second grinding wheel 82 is further ground and fed in the −Z direction.

本実施形態においては、第２研削砥石８２で円形凹部２４の底面２６を研削するとき、第２研削砥石８２と内周面２７とが接触しないように、第２研削ステップが実施される。   In the present embodiment, when grinding the bottom surface 26 of the circular concave portion 24 with the second grinding wheel 82, the second grinding step is performed so that the second grinding wheel 82 and the inner peripheral surface 27 do not come into contact with each other.

本実施形態においては、第２研削ステップで、内周エッジ部３０を第２研削砥石８２で研削する時、又は円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削する時より、内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定する。   In the present embodiment, in the second grinding step, the inner peripheral edge portion 30 is ground with the second grinding wheel 82 or the inner peripheral edge portion is more sharply ground than the bottom surface 26 of the circular recess 24 with the second grinding wheel 82. The grinding feed speed is set higher when the second grinding wheel 82 moves in an empty state after grinding the part 30.

図１１は、本実施形態に係る第２研削ステップにおける第２研削砥石８２の研削送り方向であるＺ軸方向における移動速度プロファイルの一例を模式的に示す図である。図１１において、縦軸は、Ｚ軸方向における第２研削砥石８２の移動速度（研削送り速度）を示し、横軸は、第２研削ステップが開始されてからの経過時間を示す。   FIG. 11 is a diagram schematically illustrating an example of a moving speed profile in the Z-axis direction which is the grinding feed direction of the second grinding wheel 82 in the second grinding step according to the present embodiment. In FIG. 11, the vertical axis indicates the moving speed (grinding feed speed) of the second grinding wheel 82 in the Z-axis direction, and the horizontal axis indicates the elapsed time from the start of the second grinding step.

時点ｔ１は、図８を参照して説明したような、第２研削砥石８２の下面８Ｂと環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向する第１状態の時点である。時点ｔ１から斜め加工送りが実施され、時点ｔ２において第２研削砥石８２と内周エッジ部３０とが接触する。斜め加工送りが継続され、内周エッジ部３０が除去され、傾斜面３１が形成される。時点ｔ３において斜め加工送りされている第２研削砥石８２と環状凸部２５とが離れる。時点ｔ３は、斜め加工送りされた第２研削砥石８２と環状凸部２５とが離れる第２状態の時点である。第２切削砥石８２を使って内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ１である。   The time point t1 is a time point in the first state in which the lower surface 8B of the second grinding wheel 82 and the end surface 28 of the annular convex portion 25 face each other with a gap as described with reference to FIG. The slanting processing feed is performed from time t1, and the second grinding wheel 82 and the inner peripheral edge portion 30 come into contact at time t2. The slant processing feed is continued, the inner peripheral edge portion 30 is removed, and the inclined surface 31 is formed. At time t3, the second grinding wheel 82 and the annular convex portion 25 that are being fed obliquely are separated. The time point t3 is a time point in the second state in which the second grinding wheel 82 and the annular convex portion 25 that have been fed obliquely are separated. The grinding feed speed of the second grinding wheel 82 when the inner peripheral edge portion 30 is ground using the second cutting wheel 82 is the speed V1.

第２状態になった後、第２研削砥石８２は、環状凸部２５に対して非接触状態で、すなわち空切り状態で、保持面６に向かって−Ｚ方向に研削送りされる。内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ２である。   After being in the second state, the second grinding wheel 82 is ground and fed in the −Z direction toward the holding surface 6 in a non-contact state with the annular convex part 25, that is, in an empty state. The grinding feed speed of the second grinding wheel 82 when the second grinding wheel 82 moves in an empty state after grinding the inner peripheral edge portion 30 is the speed V2.

空切り状態で研削送りされる第２研削砥石８２は、時点ｔ４において円形凹部２４の底面２６と接触する。円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削するために、第２研削砥石８２は、円形凹部２４の底面２６に接触した状態で、−Ｚ方向に研削送りされる。第２切削砥石８２を使って円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ３である。   The second grinding wheel 82 that is fed while being ground in an empty state comes into contact with the bottom surface 26 of the circular concave portion 24 at time t4. In order to grind the bottom surface 26 of the circular recess 24 with the second grinding wheel 82, the second grinding wheel 82 is fed in the −Z direction while being in contact with the bottom surface 26 of the circular recess 24. The grinding feed speed of the second grinding wheel 82 when the bottom surface 26 of the circular recess 24 is ground using the second cutting wheel 82 is V3.

本実施形態においては、内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ２は、内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ１、及び円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ３よりも、速い速度に設定される。   In the present embodiment, the grinding feed speed V2 of the second grinding wheel 82 when the second grinding wheel 82 moves in an empty state after grinding the inner peripheral edge portion 30 is determined when the inner peripheral edge portion 30 is ground. The speed is set to be higher than the grinding feed speed V1 of the second grinding wheel 82 and the grinding feed speed V3 of the second grinding wheel 82 when grinding the bottom surface 26 of the circular recess 24.

以上説明したように、本実施形態によれば、ＴＡＩＫＯ研削技術において、第２研削砥石８２を使って仕上げ研削するとき、斜め加工送りされる第２研削砥石８２により、環状凸部２５の内周エッジ部３０が除去される。第１研削砥石８１を使って粗研削したとき、環状凸部２５の内周エッジ部３０に欠けが発生する可能性が高い。一方、例えば、内周面２７と底面２６との境界、又は端面２８においては、欠けが発生する可能性は低い。本実施形態においては、仕上げ研削において、第２研削砥石８２を斜め加工送りすることにより、欠けが発生する可能性が高い内周エッジ部３０のみを除去することができる。第２研削砥石８２と環状凸部２５との接触時間又は接触圧力を最小限に抑制しつつ内周エッジ部３０が除去されるため、第２研削砥石８２の消耗が抑制された状態で、欠けを除去することができる。第２研削砥石８２の消耗が抑制されるため、第２研削砥石８２の角部８Ｋが尖っている状態が長期間維持される。第２研削砥石８２の角部８Ｋが丸みを帯びずに尖っている状態が長期間維持されるため、内周エッジ部３０を第２研削砥石８２で除去した後、第２研削砥石８２をウェーハ２と接触させないように空切り状態で移動させ、その後、第２研削砥石８２で円形凹部２４の底面２６を研削するとき、底面２６は、第２研削砥石８２によって、内周面２７との境界付近まで十分に研削される。これにより、第２厚みＴ２に薄化されるデバイス領域ＤＡが狭くなることが抑制される。第２研削砥石８２の角部８Ｋが丸みを帯びると、図１０に示したような、第２研削砥石８２によって第２厚みＴ２に薄化されない部分ＤＬが大きくなってしまう。本実施形態においては、第２研削砥石８２の消耗が抑制され、角部８Ｋが尖っている状態が長期間維持されるため、部分ＤＬを小さくすることができる。部分ＤＬを小さくすることができ、第２厚みＴ２に薄化されるデバイス領域ＤＡを大きくすることができるため、デバイスチップの取り個数は十分に確保される。   As described above, according to the present embodiment, in the TAIKO grinding technique, when the finish grinding is performed using the second grinding wheel 82, the inner peripheral surface of the annular convex portion 25 is formed by the second grinding wheel 82 that is fed obliquely. The edge portion 30 is removed. When rough grinding is performed using the first grinding wheel 81, there is a high possibility that the inner peripheral edge portion 30 of the annular convex portion 25 will be chipped. On the other hand, for example, at the boundary between the inner peripheral surface 27 and the bottom surface 26 or at the end surface 28, the possibility of occurrence of chipping is low. In the present embodiment, in the finish grinding, by feeding the second grinding wheel 82 obliquely, it is possible to remove only the inner peripheral edge portion 30 in which chipping is likely to occur. Since the inner peripheral edge portion 30 is removed while the contact time or contact pressure between the second grinding wheel 82 and the annular convex portion 25 is minimized, the chipping occurs in a state where the consumption of the second grinding wheel 82 is suppressed. Can be removed. Since the consumption of the second grinding wheel 82 is suppressed, the sharpened corner 8K of the second grinding wheel 82 is maintained for a long time. Since the state in which the corner 8K of the second grinding wheel 82 is sharp without being rounded is maintained for a long period of time, after the inner peripheral edge portion 30 is removed by the second grinding wheel 82, the second grinding wheel 82 is removed from the wafer. When the bottom surface 26 of the circular concave portion 24 is ground with the second grinding wheel 82, the bottom surface 26 is bounded by the second grinding wheel 82 with the inner peripheral surface 27. It is sufficiently ground to the vicinity. Thereby, the device area DA reduced to the second thickness T2 is suppressed from becoming narrow. If the corner 8K of the second grinding wheel 82 is rounded, a portion DL that is not reduced to the second thickness T2 by the second grinding wheel 82 as shown in FIG. 10 becomes large. In the present embodiment, the consumption of the second grinding wheel 82 is suppressed, and the sharpened corner 8K is maintained for a long period of time, so that the portion DL can be reduced. Since the portion DL can be reduced and the device area DA reduced to the second thickness T2 can be increased, the number of device chips to be taken is sufficiently ensured.

また、本実施形態においては、空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ２は、内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ１、及び円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ３よりも速い速度に設定される。内周エッジ部３０及び底面２６を研削するときには、第２研削砥石８２の研削送り速度を低速化することにより、ウェーハ２の偏摩耗が抑制され、研削を高品質で実施することができる。ウェーハ２と接触せずに第２研削砥石８２を移動させるときには、第２研削砥石８２の加工送り速度を高速化することにより、研削時間の長期化及び加工効率の低下を抑制することができる。   In the present embodiment, the grinding feed speed V2 of the second grinding wheel 82 when moving in the empty cutting state is the grinding feed speed V1 of the second grinding wheel 82 when grinding the inner peripheral edge portion 30, and The speed is set higher than the grinding feed speed V3 of the second grinding wheel 82 when grinding the bottom surface 26 of the circular concave portion 24. When grinding the inner peripheral edge portion 30 and the bottom surface 26, by reducing the grinding feed speed of the second grinding wheel 82, uneven wear of the wafer 2 is suppressed, and grinding can be performed with high quality. When the second grinding wheel 82 is moved without contacting the wafer 2, the processing feed speed of the second grinding wheel 82 is increased to suppress the prolongation of the grinding time and the reduction in the processing efficiency.

また、本実施形態においては、ＴＡＩＫＯ研削技術により、補強部として機能する環状凸部２５がウェーハ２に形成される。環状凸部２５が形成されることにより、ウェーハ２のデバイス領域ＤＡが薄化された後においても、ウェーハ２の反り、及び搬送時におけるウェーハ２の割れ等が抑制される。したがって、研削処理後のウェーハ２についてスパッタ処理のような後処理を実施する場合、その後処理は精度良く実施される。   In the present embodiment, an annular convex portion 25 functioning as a reinforcing portion is formed on the wafer 2 by the TAIKO grinding technique. By forming the annular convex portion 25, even after the device area DA of the wafer 2 is thinned, warpage of the wafer 2 and cracking of the wafer 2 during transfer are suppressed. Therefore, when a post-process such as a sputter process is performed on the wafer 2 after the grinding process, the subsequent process is performed with high accuracy.

また、ウェーハ２の後処理において、スピンコータでウェーハ２を回転させつつウェーハ２にエッチング液を供給するエッチング処理が実施される場合がある。斜め加工送りされる第２研削砥石８２で内周エッジ部３０が研削され、内周面２７と端面２８との間に傾斜面３１が形成されることにより、スピンコータにおいて円形凹部２４を供給されたエッチング液は、傾斜面３１に沿って円形凹部２４の外側に円滑に排出される。   In the post-processing of the wafer 2, an etching process for supplying an etching solution to the wafer 2 while rotating the wafer 2 with a spin coater may be performed. The inner peripheral edge portion 30 is ground by the second grinding wheel 82 which is fed obliquely, and the inclined surface 31 is formed between the inner peripheral surface 27 and the end surface 28, so that the circular concave portion 24 is supplied by the spin coater. The etchant is smoothly discharged to the outside of the circular recess 24 along the inclined surface 31.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   Note that the present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

２ ウェーハ
２Ａ 表面
２Ｂ 裏面
３ 保護部材
４ 研削装置
５ チャックテーブル
６ 保持面
７ 研削ユニット
８ 研削砥石
８Ａ 外面
８Ｂ 下面
８Ｋ 角部
９ スピンドル
１０ ホイールマウント
１１ 研削ホイール
１２ テーブル駆動装置
１３ 研削ユニット駆動装置
１４ 制御手段
１５ 演算処理装置
１６ 記憶装置
１７ 入出力インターフェース装置
２１ ノッチ
２２ デバイス
２３ 分割予定ライン
２４ 円形凹部
２５ 環状凸部
２６ 底面
２７ 内周面
２８ 端面
２９ 角部
３０ 内周エッジ部
３１ 傾斜面
７１ 第１研削ユニット
７２ 第２研削ユニット
８１ 第１研削砥石
８２ 第２研削砥石
ＡＸ１ テーブル回転軸
ＡＸ２ 研削回転軸
ＤＡ デバイス領域
ＥＡ 対応デバイス領域
ＳＡ 外周余剰領域
ＴＡ 対応外周余剰領域
Ｔ１ 第１厚み
Ｔ２ 第２厚み
Ｔｒ 厚み 2 Wafer 2A Front surface 2B Back surface 3 Protective member 4 Grinding device 5 Chuck table 6 Holding surface 7 Grinding unit 8 Grinding wheel 8A Outer surface 8B Lower surface 8K Corner 9 Spindle 10 Wheel mount 11 Grinding wheel 12 Table drive unit 13 Grinding unit drive unit 14 Control Means 15 Arithmetic processing device 16 Storage device 17 Input / output interface device 21 Notch 22 Device 23 Planned dividing line 24 Circular concave portion 25 Annular convex portion 26 Bottom surface 27 Inner peripheral surface 28 End surface 29 Corner 30 Inner peripheral edge portion 31 Inclined surface 71 First Grinding unit 72 second grinding unit 81 first grinding wheel 82 second grinding wheel AX1 table rotation axis AX2 grinding rotation axis DA device area EA corresponding device area SA outer peripheral surplus area TA corresponding outer peripheral extra area T1 first thickness T2 second thickness Tr Thickness

Claims (2)

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介してウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を第１の研削砥石で研削し、ウェーハの裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップと、
第１研削ステップを実施した後、該第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２の研削砥石を、該保持面に向かって研削送りしつつ該環状凸部の頂点からウェーハの中心に向かって斜めに移動させ該環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に該第２の研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、該円形凹部の底面を該第２の研削砥石で研削する第２研削ステップと、を備え、
該第２研削ステップでは、該内周エッジ部を研削して、該第１研削ステップで発生した該内周エッジ部の欠けを除去することを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method for processing a wafer having a device region formed with a plurality of devices and a peripheral surplus region surrounding the device region on a surface,
A protective member attaching step of attaching a protective member to the surface of the wafer,
Holding step of holding the wafer on the holding surface of the chuck table via the protection member,
After the holding step, the back surface of the wafer corresponding to the device region is ground with a first grinding wheel to form a circular concave portion on the back surface of the wafer and to form an annular convex portion surrounding the circular concave portion. Steps and
After performing the first grinding step, a second grinding wheel having a smaller abrasive particle diameter than the first grinding wheel is ground and fed toward the holding surface from the vertex of the annular convex portion to the center of the wafer. After moving obliquely toward the inner side to remove the inner peripheral edge portion of the annular convex portion and further grinding and feeding the second grinding wheel in an empty state, the bottom surface of the circular concave portion is removed by the second grinding wheel. A second grinding step of grinding,
In the second grinding step, a wafer processing method characterized in that the inner peripheral edge is ground to remove chipping of the inner peripheral edge generated in the first grinding step. 該第２研削ステップで、該内周エッジ部を研削する時、又は該円形凹部の底面を研削する時より、該内周エッジ部を研削後に該第２の研削砥石が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定する請求項１に記載のウェーハの加工方法。   In the second grinding step, the second grinding wheel moves in an empty state after grinding the inner peripheral edge portion, when grinding the inner peripheral edge portion or when grinding the bottom surface of the circular concave portion. 2. The wafer processing method according to claim 1, wherein the grinding feed speed is set to be higher at the time.
JP2016110192A 2016-06-01 2016-06-01 Wafer processing method Active JP6671246B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016110192A JP6671246B2 (en) 2016-06-01 2016-06-01 Wafer processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016110192A JP6671246B2 (en) 2016-06-01 2016-06-01 Wafer processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017216400A JP2017216400A (en) 2017-12-07
JP6671246B2 true JP6671246B2 (en) 2020-03-25

Family

ID=60577277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016110192A Active JP6671246B2 (en) 2016-06-01 2016-06-01 Wafer processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6671246B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6460074B2 (en) * 2016-10-07 2019-01-30 トヨタ自動車株式会社 Manufacturing method of semiconductor wafer and semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4986568B2 (en) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ Wafer grinding method
JP5081643B2 (en) * 2008-01-23 2012-11-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2011054808A (en) * 2009-09-03 2011-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer, and wafer processed by the same
JP6360750B2 (en) * 2014-08-26 2018-07-18 株式会社ディスコ Wafer processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017216400A (en) 2017-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758222B2 (en) Wafer processing method and apparatus
JP5081643B2 (en) Wafer processing method
JP6360750B2 (en) Wafer processing method
JP2019220632A (en) Processing method for work piece
CN111480216A (en) Substrate processing system, substrate processing method, and computer storage medium
TW202205418A (en) Method of grinding workpiece
KR20220139232A (en) Method for processing workpiece
JP2010131687A (en) Grinder and grinding method
CN108081118B (en) Method for processing wafer
TWI727089B (en) Wafer processing method and polishing device
JP5119614B2 (en) Wafer outer periphery grinding method
JP6671246B2 (en) Wafer processing method
JP2006294855A (en) Method and device for back grinding semiconductor wafer
US20220088742A1 (en) Grinding method for workpiece and grinding apparatus
JP6963075B2 (en) Wafer surface treatment equipment
JP2009224496A (en) Wafer edge grinding method, wafer edge grinding unit, and wafer rear-face grinder
KR20220047507A (en) Method for manufacturing wafer
JP6843692B2 (en) Grinding wheel dressing method
JP2021068744A (en) Wafer processing method
JP6941420B2 (en) Wafer surface treatment equipment
JP2019029398A (en) Processing method of wafer
JP6938160B2 (en) Processing method of work piece
JP2024017800A (en) Processing method for work-piece
KR20230065689A (en) Method and apparatus for grinding a workpiece
JP6537439B2 (en) Wafer processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190424

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200303

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6671246

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250