JP5119614B2 - Wafer outer periphery grinding method - Google Patents

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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Description

本発明は、半導体材料や電子部品材料等のウェーハの外周部を研削するウェーハ外周部研削方法に関するものである。   The present invention relates to a wafer outer periphery grinding method for grinding an outer periphery of a wafer such as a semiconductor material or an electronic component material.

半導体装置や電子部品等の製造工程では、表面側に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハに対して、プロービング、ダイシング、ダイボンディング、及びワイヤボンディング等の各工程を経た後、樹脂モールドされて半導体装置や電子部品等の完成品となる。   In the manufacturing process of semiconductor devices, electronic components, etc., wafers with semiconductor devices, electronic components, etc. formed on the front side are subjected to probing, dicing, die bonding, wire bonding, etc., and then resin molded. It becomes a finished product such as a semiconductor device or an electronic component.

近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどに代表されるモバイル機器や車載用のパワーデバイス等で利用される半導体装置や電子部品では、多機能化やデバイス特性向上のため、より薄く小型化されたものの需要が高まっている。そのため、半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハでは、１００μｍ以下の極薄ウェーハの需要が増大している。   In recent years, semiconductor devices and electronic components used in mobile devices such as mobile phones and portable music players and in-vehicle power devices have been made thinner and smaller in order to increase functionality and improve device characteristics. Demand is increasing. For this reason, the demand for ultra-thin wafers of 100 μm or less is increasing for wafers on which semiconductor devices, electronic components, and the like are formed.

このような極薄のウェーハは、半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハ表面に半導体装置や電子部品等を保護するテープを貼り付け、裏面側を研削加工（バックグラインド）することにより製造される。このとき、ウェーハはインゴットの状態から内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスされた後、その周縁の割れや欠け等を防止するため、図８（ａ）に示されるように、外周部が曲面、またはテーパ形状に面取り加工が施されている。そのため、そのままバックグラインドを行うと図８（ｂ）のＥ部のようにウェーハ裏面側の外周部が鋭角になる。   Such an ultra-thin wafer is manufactured by applying a tape that protects a semiconductor device or electronic component to the surface of the wafer on which the semiconductor device or electronic component is formed, and then grinding the back surface (back grinding). The At this time, after the wafer is sliced from the ingot state by a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw, the outer peripheral portion is prevented as shown in FIG. Is chamfered into a curved surface or a tapered shape. Therefore, if the back grinding is performed as it is, the outer peripheral portion on the back surface side of the wafer becomes an acute angle as shown by E portion in FIG.

このようなウェーハ外周部が鋭角になった状態でカセット等に収納し、次のダイシング工程等へ搬送を行うと、外周部にチッピングや欠けが生じ、ウェーハの破損や、チッピング片がパーティクルとなってウェーハ表面に残るなどの問題を発生させる。   When the wafer outer peripheral part is stored in a cassette or the like with an acute angle and transported to the next dicing process or the like, chipping or chipping occurs in the outer peripheral part, and the wafer breaks or chipping pieces become particles. Cause problems such as remaining on the wafer surface.

この問題を解決する手段として、ドーム型のホルダー内部に設けられた砥石により鋭角になったウェーハ外周部を研削する半導体素子の製造装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−４１２５９号公報 As means for solving this problem, there has been proposed a semiconductor device manufacturing apparatus that grinds an outer peripheral portion of a wafer having an acute angle by a grindstone provided inside a dome-shaped holder (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-41259

特許文献１に記載された技術によれば、鋭角になったウェーハ外周部がホルダー内部に設けられた砥石の角度に合わせて鈍角となり、外周部のチッピングや欠けが押さえられる。しかし、特許文献１における半導体素子の製造装置では、通常の面取り加工を行う装置の他に、新たな鋭角部を除去する装置が必要となり、設備費を増大させる。   According to the technique described in Patent Document 1, the wafer outer peripheral portion having an acute angle becomes an obtuse angle in accordance with the angle of the grindstone provided inside the holder, and chipping and chipping of the outer peripheral portion are suppressed. However, the semiconductor element manufacturing apparatus in Patent Document 1 requires a device for removing a new acute angle portion in addition to a normal chamfering device, which increases the equipment cost.

また、既にチッピングや欠けが生じやすくなっている鋭角部に対して砥石を当てるため、研削中にウェーハが破損する恐れがあり、歩留まりを低下させる原因となる。   In addition, since the grindstone is applied to an acute angle portion where chipping or chipping is already likely to occur, the wafer may be damaged during grinding, which causes a decrease in yield.

本発明は、このような問題に対して成されたものであり、バックグラインド後のウェーハに鋭角部を生じさせず、チッピング、欠け、又はウェーハ割れなどが起きない歩留まりの向上したウェーハ外周部研削方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve such a problem, and does not produce an acute angle portion in a wafer after back grinding, and has improved yield without causing chipping, chipping, or wafer cracking. It aims to provide a method.

請求項１の発明は、ウェーハの裏面側を研削することにより前記ウェーハの厚みを薄くする裏面研削工程実施前に行われる、前記ウェーハの外周部を研削する外周部研削工程において、前記ウェーハの外周部端面をストレート形状の砥石によりストレート形状に研削した後、前記ウェーハ外周部端面の表面側と裏面側との角部を研削して前記角部にテーパ形状を設けるウェーハ外周部研削方法であって、前記ウェーハの表面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さく、前記ウェーハの裏面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハ外周部端面のストレート形状部分が前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも大きくなる位置まで研削して形成されることを特徴としている。 According to a first aspect of the present invention, in the outer periphery grinding step for grinding the outer periphery of the wafer, the outer periphery of the wafer is performed before the back surface grinding step for reducing the thickness of the wafer by grinding the back surface side of the wafer. A wafer outer periphery grinding method in which a corner end surface of the wafer outer peripheral portion end face is ground to a straight shape with a straight grindstone, and then a corner portion between the front surface side and the back surface side is ground to provide a tapered shape at the corner portion. The tapered shape formed on the front surface side of the wafer is smaller than the thickness of the wafer when the back surface grinding process of the wafer is completed, and the tapered shape formed on the back surface side of the wafer is the wafer. Grind to a position where the straight-shaped part of the outer peripheral end face is larger than the thickness of the wafer when the wafer back grinding process is completed. It is being formed.

本発明によれば、ウェーハのバックグラインドを行う前に、面取り装置に設けられたストレート形状の砥石により、ウェーハの外周部端面がストレート形状に研削される。ストレート形状に研削されたウェーハ外周部は、表面側と裏面側の角部をテーパが付いた砥石、または傾けた砥石により研削され、テーパ形状となる。これにより、ストレート形状に研削されたウェーハ外周部端面の角部が更に鈍角となり、チッピングや欠けが発生しなくなる。よって歩留まりの高い安定したウェーハの加工が可能となる。
また、本発明によれば、ストレート形状に研削されたウェーハ外周部端面の表面側の角部がバックグラインド後のウェーハ厚みよりも小さいテーパ形状に研削される。ウェーハ外周部端面の裏面側の角部に形成されるテーパ形状は、テーパ形状形成後の外周部のストレート形状がバックグラインド後のウェーハ厚みよりも大きくなる位置まで研削される。これにより、バックグラインドで表面側に形成されたテーパ形状まで研削されないため、バックグラインド後のウェーハに鋭角部が発生しない。更に、裏面側には大きなテーパ形状が形成されているので、バックグラインド時に砥石の突入によるダメージを軽減する。 According to the present invention , before the wafer is back-grinded, the end face of the outer peripheral portion of the wafer is ground into a straight shape by the straight grindstone provided in the chamfering device. The wafer outer peripheral portion ground in a straight shape is ground with a grindstone with tapered corners on the front surface side and the back surface side, or with an inclined grindstone, and becomes a tapered shape. As a result, the corner portion of the end surface of the outer periphery of the wafer that has been ground into a straight shape is further obtuse, and chipping and chipping do not occur. Therefore, it is possible to process a stable wafer with a high yield.
Further, according to the present invention, the corner portion on the surface side of the wafer outer peripheral end surface ground into a straight shape is ground into a tapered shape smaller than the wafer thickness after back grinding. The tapered shape formed at the corner on the back side of the wafer outer peripheral end surface is ground to a position where the straight shape of the outer peripheral portion after forming the tapered shape is larger than the wafer thickness after back grinding. As a result, the taper shape formed on the surface side by back grinding is not ground, so that an acute angle portion does not occur in the wafer after back grinding. Furthermore, since a large taper shape is formed on the back surface side, damage caused by the entry of a grindstone during back grinding is reduced.

請求項２の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ウェーハの表面側に貼着される、ウェーハ表面を保護するためのテープは、前記ウェーハ外径の大きさよりも小さいことを特徴としている。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the tape for protecting the wafer surface, which is adhered to the front surface side of the wafer, is smaller than the outer diameter of the wafer. Yes.

これにより、ウェーハ外周部を研削するときにウェーハ表面を保護するテープが研削する砥石に干渉せず、安定した研削を行なうことが可能となる。   This makes it possible to perform stable grinding without interfering with the grindstone to be ground by the tape that protects the wafer surface when grinding the outer peripheral portion of the wafer.

以上説明したように、本発明のウェーハ外周部研削方法によれば、バックグラインド後のウェーハに鋭角部を生じさせず、チッピング、欠け、又はウェーハ割れなどが起きない歩留まりの向上したウェーハ外周部研削が可能となる。   As described above, according to the wafer peripheral portion grinding method of the present invention, the wafer peripheral portion grinding with improved yield that does not cause an acute angle portion on the wafer after back grinding and does not cause chipping, chipping, or wafer cracking. Is possible.

以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ外周部研削方法の好ましい実施の形態について詳説する。   Hereinafter, preferred embodiments of a wafer peripheral portion grinding method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

最初に、本発明に使用するウェーハ面取り装置について説明する。図１は、面取り装置の主要部を示す正面図である。   First, a wafer chamfering apparatus used in the present invention will be described. FIG. 1 is a front view showing a main part of the chamfering apparatus.

面取り装置１０は、ウェーハ送りユニット２０、砥石回転ユニット５０、図示しないウェーハ供給／収納部、ウェーハ洗浄／乾燥部、ウェーハ搬送手段、及び面取り装置各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。   The chamfering apparatus 10 includes a wafer feeding unit 20, a grindstone rotating unit 50, a wafer supply / storage unit (not shown), a wafer cleaning / drying unit, a wafer transfer unit, and a controller that controls operations of each part of the chamfering device.

ウェーハ送りユニット２０は、本体ベース１１上に載置されたＸ軸ベース２１、２本のＸ軸ガイドレール２２、２２、４個のＸ軸リニアガイド２３、２３、…、ボールスクリュー及びステッピングモータから成る直線移動軸であるＸ軸駆動手段２５によって図のＸ方向に移動されるＸテーブル２４を有している。   The wafer feeding unit 20 includes an X-axis base 21, two X-axis guide rails 22, 22, four X-axis linear guides 23, 23,..., A ball screw and a stepping motor mounted on the main body base 11. It has an X table 24 that is moved in the X direction in the figure by an X axis driving means 25 that is a linear movement axis.

Ｘテーブル２４には、２本のＹ軸ガイドレール２６、２６、４個のＹ軸リニアガイド２７、２７、…、図示しないボールスクリュー及びステッピングモータから成る直線移動軸であるＹ軸駆動手段によって図のＹ方向に移動されるＹテーブル２８が組込まれている。   The X table 24 has two Y-axis guide rails 26, 26, four Y-axis linear guides 27, 27,..., And a Y-axis drive means that is a linear movement shaft composed of a ball screw and a stepping motor (not shown). A Y table 28 that is moved in the Y direction is incorporated.

Ｙテーブル２８には、２本のＺ軸ガイドレール２９、２９と図示しない４個のＺ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びステッピングモータから成る直線移動軸であるＺ軸駆動手段３０によって図のＺ方向に移動されるＺテーブル３１が組込まれている。   The Y table 28 is guided by two Z-axis guide rails 29 and 29 and four Z-axis linear guides (not shown), and is shown by a Z-axis drive means 30 which is a linear movement shaft composed of a ball screw and a stepping motor. A Z table 31 that is moved in the Z direction is incorporated.

Ｚテーブル３１には、θ軸モータ３２、θスピンドル３３が組込まれ、θスピンドル３３にはウェーハＷを吸着載置するウェーハテーブル（載置台）３４が取り付けられており、ウェーハテーブル３４はウェーハテーブル回転軸心ＣＷを中心として図のθ方向に回転される。   The Z table 31 incorporates a θ-axis motor 32 and a θ spindle 33, and a wafer table (mounting table) 34 on which the wafer W is sucked and mounted is attached to the θ spindle 33, and the wafer table 34 rotates the wafer table. It is rotated around the axis CW in the θ direction in the figure.

また、ウェーハテーブル３４の下部には、ウェーハＷの外周部を仕上げ研削する砥石のツルーイングに用いるツルーイング砥石４１（以下ツルアー４１と称する）が、ウェーハテーブル回転軸心ＣＷと同心に取り付けられている。   A truing grindstone 41 (hereinafter referred to as a truer 41) used for truing a grindstone for finishing and grinding the outer periphery of the wafer W is attached to the lower portion of the wafer table 34 concentrically with the wafer table rotation axis CW.

このウェーハ送りユニット２０によって、ウェーハＷ及びツルアー４１は図のθ方向に回転されるとともに、Ｘ、Ｙ、及びＺ方向に移動される。   By the wafer feeding unit 20, the wafer W and the truer 41 are rotated in the θ direction in the figure and are moved in the X, Y, and Z directions.

砥石回転ユニット５０は、外周加工砥石５２が取り付けられ、図示しない外周砥石モータによって軸心ＣＨを中心に回転駆動される外周砥石スピンドル５１、外周加工砥石５２の上方に配置されたターンテーブル５３に取付けられた外周精研スピンドル５４及び外周精研モータ５６、ノッチ粗研スピンドル６０及びノッチ粗研モータ６２、ノッチ精研スピンドル５７及びノッチ精研モータ５９を有している。   The grindstone rotating unit 50 is mounted with an outer peripheral grindstone 52, and is mounted on an outer grindstone spindle 51 that is driven to rotate about an axis CH by an outer grindstone motor (not shown), and a turntable 53 disposed above the outer peripheral grindstone 52. The outer peripheral fine spindle 54 and the outer peripheral fine spindle motor 56, the notch rough spindle 60 and the notch coarse motor 62, the notch fine spindle 57 and the notch fine motor 59 are provided.

外周精研スピンドル５４にはウェーハＷの外周を仕上げ研削する面取り用砥石である外周精研削砥石５５が取付けられている。   A peripheral grinding wheel 55 which is a chamfering grindstone for finish grinding the outer circumference of the wafer W is attached to the peripheral grinding spindle 54.

ノッチ粗研スピンドル６０にはノッチ粗研削砥石６１が、またノッチ精研スピンドル５７には、ノッチ部を仕上げ研削する面取り砥石であるノッチ精研削砥石５８が取付けられている。   A notch rough grinding wheel 61 is attached to the notch rough spindle 60, and a notch fine grinding wheel 58, which is a chamfering grind for finishing grinding the notch portion, is attached to the notch fine spindle 57.

外周加工砥石５２、外周精研削砥石５５、ノッチ粗研削砥石６１、及びノッチ精研削砥石５８は、メタルボンド砥石、レジンボンド砥石、またはビトリファイド砥石のいずれかにより形成されている。   The outer peripheral processing grindstone 52, the outer peripheral fine grinding grindstone 55, the notch rough grinding grindstone 61, and the notch fine grinding grindstone 58 are formed of any one of a metal bond grindstone, a resin bond grindstone, and a vitrified grindstone.

外周加工砥石５２、外周精研削砥石５５、ノッチ粗研削砥石６１、及びノッチ精研削砥石５８には、それぞれ図２（ａ）に示す、希望する外周部形状にツルーイングされた溝Ｐ、または図２（ｂ）に示す、表面側と裏面側の希望する形状とストレート形状を備えた溝Ｑが形成されている。   In the outer peripheral processing grindstone 52, the outer peripheral fine grinding grindstone 55, the notch rough grinding grindstone 61, and the notch fine grinding grindstone 58, respectively, the groove P that is trued to the desired outer peripheral shape shown in FIG. A groove Q having a desired shape and a straight shape on the front surface side and the back surface side is formed as shown in FIG.

以上のような構成の面取り装置により、ウェーハの外周部研削が行なわれる。   By the chamfering apparatus having the above configuration, the outer peripheral portion of the wafer is ground.

次に、本発明に係わるウェーハ外周部研削方法について説明する。図３は本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第１の実施の形態における加工手順を示した側面図である。   Next, a method for grinding the outer periphery of the wafer according to the present invention will be described. FIG. 3 is a side view showing a processing procedure in the first embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention.

インゴットを内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスすることにより製造されたウェーハＷは、研磨等の工程が行われるとともに、外周面を図１に示す面取り装置１０により、チッピング、欠け、又はウェーハ割れを防止するため、外周部が研削される。研削されたウェーハＷの外周部は、図３（ａ）に示すように、接触などによりかかる外周部への負荷が小さくなる曲面形状、又はテーパ形状等の形状に研削される。この状態でバックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれる。   The wafer W manufactured by slicing the ingot with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw is subjected to a process such as polishing, and the outer peripheral surface is chipped, chipped, or removed by the chamfering device 10 shown in FIG. In order to prevent wafer breakage, the outer periphery is ground. As shown in FIG. 3A, the outer peripheral portion of the ground wafer W is ground into a curved shape or a tapered shape that reduces the load on the outer peripheral portion due to contact or the like. In this state, processing is performed up to the process before the back grinding process is performed.

バックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれたウェーハは、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５のストレート形状部により研削され、図３（ｂ）に示すように、外周部端面がストレート形状に研削される。   The wafer that has been processed up to the step before the back grinding process is ground by the straight shape portions of the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral fine grinding grindstone 55, and as shown in FIG. The end face is ground into a straight shape.

このとき、ウェーハＷの表面側Ｆには、ウェーハ表面を保護するための不図示の保護テープが貼着されている。保護テープは、ウェーハＷの外径よりも小さい外径であって、外周部を研削する際に外周加工砥石５２、または外周精研削砥石５５と干渉しない。   At this time, a protective tape (not shown) for protecting the wafer surface is attached to the front side F of the wafer W. The protective tape has an outer diameter smaller than the outer diameter of the wafer W, and does not interfere with the outer peripheral processing grindstone 52 or the outer peripheral fine grinding grindstone 55 when the outer peripheral portion is ground.

外周部端面を研削されたウェーハＷは、バックグラインド工程で裏面側Ｂが研削され、極薄のウェーハＷＦとなる。ウェーハＷＦの厚さｔは、本実施の形態においては１００μｍ程度とする。   The wafer W whose outer peripheral end face has been ground is ground on the back side B in a back grinding process, and becomes an extremely thin wafer WF. The thickness t of the wafer WF is about 100 μm in the present embodiment.

これにより、ウェーハＷＦの外周部端面はストレート形状となり、鋭角部が形成されない。   Thereby, the outer peripheral end surface of the wafer WF becomes a straight shape, and an acute angle portion is not formed.

次に、本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第２の実施の形態について説明する。図４は本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第２の実施の形態における加工手順を示した側面図である。   Next, a second embodiment of the wafer peripheral grinding method according to the present invention will be described. FIG. 4 is a side view showing a processing procedure in the second embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention.

インゴットを内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスすることにより製造されたウェーハＷは、研磨等の工程が行われるとともに、外周部が研削され、図４（ａ）に示すような曲面形状、又はテーパ形状等に研削される。この状態でバックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれる。   The wafer W manufactured by slicing the ingot with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw is subjected to a process such as polishing, and the outer peripheral portion is ground to obtain a curved surface shape as shown in FIG. Or ground into a tapered shape or the like. In this state, processing is performed up to the process before the back grinding process is performed.

バックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれたウェーハは、表面側Ｆに保護テープが貼着され、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５のストレート形状部により図４（ｂ）に示すように、外周部端面をストレート形状に研削される。   The wafer that has been processed up to the step before the back grinding step is attached with a protective tape on the front side F, and the straight shape portions of the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral fine grinding grindstone 55 are used as shown in FIG. ), The outer peripheral end face is ground into a straight shape.

ストレート形状に研削されたウェーハＷの外周部端面は、表面側Ｆの角部Ｋ１と裏面側Ｂの角部Ｋ２が、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５に形成された溝Ｐ、又は溝Ｑの傾斜部により研削される。これにより、ウェーハＷの表面側Ｆと裏面側Ｂにはそれぞれテーパ形状Ｃ１、Ｃ２が形成される。   The outer peripheral end face of the wafer W ground in a straight shape has a groove K formed on the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral precision grinding grindstone 55, with the corner K1 on the front surface side F and the corner K2 on the rear surface B side, or It is ground by the inclined portion of the groove Q. Thereby, taper shapes C1 and C2 are formed on the front surface side F and the back surface side B of the wafer W, respectively.

このとき、テーパ形状Ｃ１、Ｃ２の大きさは、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも小さい。   At this time, the sizes of the tapered shapes C1 and C2 are smaller than the thickness t of the wafer WF after the back grinding process.

これにより、ウェーハＷＦの外周部は、角部がテーパＣ１により更に鈍角となり、チッピングや欠けが発生しなくなる。よって歩留まりの高い安定したウェーハの加工が可能となる。   As a result, the outer peripheral portion of the wafer WF has an obtuse angle due to the taper C1, and no chipping or chipping occurs. Therefore, it is possible to process a stable wafer with a high yield.

次に、本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第３の実施の形態について説明する。図５は本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第３の実施の形態における加工手順を示した側面図である。   Next, a third embodiment of the wafer peripheral grinding method according to the present invention will be described. FIG. 5 is a side view showing a processing procedure in the third embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention.

インゴットを内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスすることにより製造されたウェーハＷは、研磨等の工程が行われるとともに、外周部が研削され、図５（ａ）に示すような曲面形状、又はテーパ形状等に研削される。この状態でバックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれる。   The wafer W manufactured by slicing the ingot with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw is subjected to a process such as polishing, and the outer peripheral portion is ground to have a curved surface shape as shown in FIG. Or ground into a tapered shape or the like. In this state, processing is performed up to the process before the back grinding process is performed.

バックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれたウェーハは、表面側Ｆに保護テープが貼着され、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５のストレート形状部により図５（ｂ）に示すように、外周部端面をストレート形状に研削される。   The wafer that has been processed up to the process before the back grinding process is attached with a protective tape on the front surface side F, and the straight shape portions of the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral fine grinding grindstone 55 are used as shown in FIG. ), The outer peripheral end face is ground into a straight shape.

ストレート形状に研削されたウェーハＷの外周部端面は、表面側Ｆの角部Ｋ１と裏面側Ｂの角部Ｋ２が、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５に形成された溝Ｐ、又は溝Ｑの傾斜部により研削される。これにより、ウェーハＷの表面側Ｆにテーパ形状Ｃ１が形成され、裏面側Ｂにはテーパ形状Ｃ３が形成される。   The outer peripheral end face of the wafer W ground in a straight shape has a groove K formed on the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral precision grinding grindstone 55, with the corner K1 on the front surface side F and the corner K2 on the rear surface B side, or It is ground by the inclined portion of the groove Q. Thereby, a taper shape C1 is formed on the front surface side F of the wafer W, and a taper shape C3 is formed on the back surface side B.

このとき、テーパ形状Ｃ１の大きさは、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも小さい。また、テーパ形状Ｃ２は、図５（ｃ）に示すように、テーパ形状Ｃ１とテーパ形状Ｃ３が形成された後のウェーハＷの外周部端面のストレート形状が、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも大きくなる位置まで研削されて形成される。   At this time, the size of the taper shape C1 is smaller than the thickness t of the wafer WF after the back grinding process. Further, as shown in FIG. 5C, the taper shape C2 is such that the straight shape of the outer peripheral end face of the wafer W after the taper shape C1 and the taper shape C3 are formed is the thickness of the wafer WF after the back grinding process. It is formed by grinding to a position larger than the length t.

これにより、ウェーハＷＦの外周部は、角部がテーパＣ１により更に鈍角となり、更に、裏面側Ｂには大きなテーパ形状Ｃ３が形成されているので、バックグラインド時に砥石の突入によるダメージが軽減される。   Thereby, the outer peripheral portion of the wafer WF is further obtuse due to the taper C1, and further, since the large taper shape C3 is formed on the back surface B, damage due to the entry of the grindstone during back grinding is reduced. .

次に、本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第４の実施の形態について説明する。図６は本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第４の実施の形態における加工手順を示した側面図である。   Next, a fourth embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention will be described. FIG. 6 is a side view showing a processing procedure in the fourth embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention.

インゴットを内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスすることにより製造されたウェーハＷは、研磨等の工程が行われるとともに、外周部が研削され、図６（ａ）に示すような曲面形状、又はテーパ形状等に研削される。この状態でバックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれる。   The wafer W manufactured by slicing the ingot with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw is subjected to a process such as polishing, and the outer peripheral portion is ground to obtain a curved surface shape as shown in FIG. Or ground into a tapered shape or the like. In this state, processing is performed up to the process before the back grinding process is performed.

バックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれたウェーハは、表面側Ｆに保護テープが貼着され、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５のストレート形状部により図６（ｂ）に示すように、外周部端面をストレート形状に研削される。   The wafer that has been processed up to the process before the back grinding process is attached with a protective tape on the surface side F, and the straight shape portions of the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral precision grinding grindstone 55 are used in FIG. ), The outer peripheral end face is ground into a straight shape.

ストレート形状に研削されたウェーハＷの外周部端面は、表面側Ｆの角部Ｋ１と裏面側Ｂの角部Ｋ２が、外周加工砥石５２、及び外周精研削砥石５５に形成された溝Ｐ、又は溝Ｑの傾斜部により研削される。これにより、ウェーハＷの表面側Ｆにテーパ形状Ｃ１が形成され、裏面側Ｂにはテーパ形状Ｃ４が形成される。   The outer peripheral end face of the wafer W ground in a straight shape has a groove K formed on the outer peripheral processing grindstone 52 and the outer peripheral precision grinding grindstone 55, with the corner K1 on the front surface side F and the corner K2 on the rear surface B side, or It is ground by the inclined portion of the groove Q. Thereby, a taper shape C1 is formed on the front surface side F of the wafer W, and a taper shape C4 is formed on the back surface side B.

このとき、テーパ形状Ｃ１の大きさは、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも小さい。また、テーパ形状Ｃ４は、図６（ｃ）に示すように、テーパ形状Ｃ１とテーパ形状Ｃ４が形成された後のウェーハＷの外周部端面のストレート形状が、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも小さく、尚且つテーパ形状Ｃ１とテーパ形状Ｃ４とが重ならない位置まで研削されて形成される。   At this time, the size of the taper shape C1 is smaller than the thickness t of the wafer WF after the back grinding process. Further, as shown in FIG. 6C, the taper shape C4 is such that the straight shape of the outer peripheral end surface of the wafer W after the taper shape C1 and the taper shape C4 are formed is the thickness of the wafer WF after the back grinding process. It is formed by grinding to a position that is smaller than the length t and does not overlap the tapered shape C1 and the tapered shape C4.

これにより、ウェーハＷＦの外周部には、表面側にテーパ形状Ｃ１、裏面側にはテーパ形状Ｃ５が形成され、角部が鈍角となりチッピングや欠けが発生しない。よって歩留まりの高い安定したウェーハの加工が可能となる。   Thus, a taper shape C1 is formed on the front surface side and a taper shape C5 is formed on the back surface side on the outer peripheral portion of the wafer WF, and the corner portion becomes an obtuse angle so that no chipping or chipping occurs. Therefore, it is possible to process a stable wafer with a high yield.

次に、本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第５の実施の形態について説明する。図７は本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第５の実施の形態における加工手順を示した側面図である。   Next, a fifth embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention will be described. FIG. 7 is a side view showing a processing procedure in the fifth embodiment of the wafer outer periphery grinding method according to the present invention.

インゴットを内周刃やワイヤーソー等のスライシング装置でスライスすることにより製造されたウェーハＷは、研磨等の工程が行われるとともに、外周部が研削され、図７（ａ）に示すような曲面形状、又はテーパ形状等に研削される。この状態でバックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれる。   The wafer W manufactured by slicing the ingot with a slicing device such as an inner peripheral blade or a wire saw is subjected to a process such as polishing, and the outer peripheral portion is ground to have a curved surface shape as shown in FIG. Or ground into a tapered shape or the like. In this state, processing is performed up to the process before the back grinding process is performed.

バックグラインド工程が実施される前の工程まで加工が行なわれたウェーハは、表面側Ｆに保護テープが貼着され、図７（ｂ）に示すように、外周加工砥石５２の角部により、ウェーハＷ外周部の表面側Ｆをｔ１の深さまで除去する。ｔ１は、図７（ｄ）に示す、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも大きい。   The wafer that has been processed up to the process before the back grinding process is bonded with a protective tape on the front side F, and as shown in FIG. The front surface side F of the W outer peripheral portion is removed to a depth of t1. t1 is larger than the thickness t of the wafer WF after the back grinding process shown in FIG.

表面側Ｆをｔ１の深さまで除去されたウェーハＷの外周部は、更に外周精研削砥石５５の角部により、図７（ｃ）に示すように、表面側Ｆからｔ２の深さまで除去される。ｔ１は、バックグラインド工程後のウェーハＷＦの厚さｔよりも大きく、ｔ１よりも小さい。   The outer peripheral portion of the wafer W from which the surface side F has been removed to the depth t1 is further removed from the surface side F to the depth t2 by the corner portion of the outer peripheral grinding wheel 55 as shown in FIG. . t1 is larger than the thickness t of the wafer WF after the back grinding process and smaller than t1.

これにより、バックグラインドされたウェーハＷＦの外周部は鋭角にならず、フラット形状となって残る。よって、チッピングや欠けが発生せず、歩留まりの高い安定したウェーハの加工が可能となる。   As a result, the outer peripheral portion of the back-ground wafer WF does not become an acute angle but remains in a flat shape. Therefore, chipping and chipping do not occur, and stable wafer processing with a high yield is possible.

また、ウェーハＷＦに形成されたフラット形状部分は、外周精研削砥石５５によって研削されているため研削面に研削ダメージが残らず、ｔ１よりも浅いｔ２の位置までの研削であるため効率よく研削される。   Further, since the flat shape portion formed on the wafer WF is ground by the peripheral grinding wheel 55, there is no grinding damage on the grinding surface, and the grinding is performed to the position of t2 shallower than t1, so that it is efficiently ground. The

以上説明したように、本発明に係わるウェーハ外周部研削方法によれば、バックグラインド後のウェーハ外周部に鋭角部を生じさせず、バックグラインド工程から次工程への搬送中、または次工程において、チッピング、欠け、又はウェーハ割れなどが発生しない。これにより、歩留まりが向上し、安定したウェーハの加工が可能になる。   As described above, according to the wafer outer peripheral portion grinding method according to the present invention, without causing an acute angle portion in the wafer outer peripheral portion after back grinding, during the transfer from the back grinding process to the next process, or in the next process, No chipping, chipping, or wafer cracking occurs. This improves the yield and enables stable wafer processing.

なお、本実施の形態では、ウェーハ外周部の研削に面取り装置を使用しているが、本発明はそれに限らず、別の研削装置等によっても好適に利用可能である。   In this embodiment, a chamfering device is used for grinding the outer peripheral portion of the wafer. However, the present invention is not limited to this, and can be suitably used by another grinding device or the like.

面取り装置の主要部を示す正面図。The front view which shows the principal part of a chamfering apparatus. 研削砥石の溝部を示した横断面図。The cross-sectional view which showed the groove part of the grinding wheel. 本発明に係わるウェーハ外周研削方法の第１の実施の形態における加工手順を示した側面図。The side view which showed the process sequence in 1st Embodiment of the wafer outer periphery grinding method concerning this invention. 第２の実施の形態における加工手順を示した側面図。The side view which showed the process sequence in 2nd Embodiment. 第３の実施の形態における加工手順を示した側面図。The side view which showed the process sequence in 3rd Embodiment. 第４の実施の形態における加工手順を示した側面図。The side view which showed the process sequence in 4th Embodiment. 第５の実施の形態における加工手順を示した側面図。The side view which showed the process sequence in 5th Embodiment. バックグラインド前と後とのウェーハ外周部を示した断面図。Sectional drawing which showed the wafer outer peripheral part before and after back grinding.

符号の説明Explanation of symbols

１０…面取り装置，２４…Ｘテーブル，２８…Ｙテーブル，３３…θスピンドル，３４…ウェーハテーブル，４１…ツルーイング砥石（ツルアー），５２…外周加工砥石，５４…外周精研スピンドル，５５…外周精研削砥石，５８…ノッチ精研削砥石，６１…ノッチ粗研削砥石，Ｂ…ウェーハ裏面側，Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５…テーパ形状，Ｅ…鋭角部，Ｆ…ウェーハ表面側，Ｋ１、Ｋ２…角部，Ｐ、Ｗ…溝，Ｗ…ウェーハ，ＷＦ…バックグラインド後ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Chamfering device, 24 ... X table, 28 ... Y table, 33 ... θ spindle, 34 ... Wafer table, 41 ... Truing grindstone (truer), 52 ... Peripheral processing grindstone, 54 ... Peripheral precision spindle, 55 ... Peripheral precision Grinding wheel, 58 ... Notch fine grinding wheel, 61 ... Notch rough grinding wheel, B ... Wafer back side, C1, C2, C3, C4, C5 ... Tapered shape, E ... Sharp angle part, F ... Wafer surface side, K1, K2 ... Corner, P, W ... Groove, W ... Wafer, WF ... Wafer after back grinding

Claims (2)

ウェーハの裏面側を研削することにより前記ウェーハの厚みを薄くする裏面研削工程実施前に行われる、前記ウェーハの外周部を研削する外周部研削工程において、前記ウェーハの外周部端面をストレート形状の砥石によりストレート形状に研削した後、前記ウェーハ外周部端面の表面側と裏面側との角部を研削して前記角部にテーパ形状を設けるウェーハ外周部研削方法であって、
前記ウェーハの表面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さく、前記ウェーハの裏面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハ外周部端面のストレート形状部分が前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも大きくなる位置まで研削して形成されることを特徴とするウェーハ外周部研削方法。 In the outer peripheral portion grinding step for grinding the outer peripheral portion of the wafer, which is performed before the back surface grinding step for reducing the thickness of the wafer by grinding the rear surface side of the wafer, the outer peripheral end face of the wafer is a straight-shaped grindstone After grinding into a straight shape by grinding the corners of the front and back sides of the wafer outer peripheral end surface to provide a taper shape at the corners ,
The taper shape formed on the front surface side of the wafer is smaller than the thickness of the wafer when the back surface grinding process of the wafer is completed, and the taper shape formed on the back surface side of the wafer is the outer periphery of the wafer. A method for grinding a wafer outer peripheral portion, wherein a straight-shaped portion of a part end surface is formed by grinding to a position where the thickness of the wafer becomes larger than the thickness of the wafer at the time when the wafer back grinding process is completed . 前記ウェーハの表面側に貼着される、ウェーハ表面を保護するためのテープは、前記ウェーハ外径の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のウェーハ外周部研削方法。 Is affixed to the front surface side of the wafer, the tape for protecting the wafer surface, the wafer outer peripheral portion grinding method according to claim 1, characterized in that less than the size of the wafer outer diameter.
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