JP6671050B2 - Copper foil with release film - Google Patents
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Description
本発明はプリント配線板、電子部品、電磁波シールド用途等に好適に使用される離型フィルム付銅箔に関する。 The present invention relates to a copper foil with a release film that is suitably used for printed wiring boards, electronic components, electromagnetic wave shielding applications, and the like.
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（以下、「半導体素子」ということがある。）は、近年、高性能化、多機能化が進んでいる。このため、半導体素子の端子間ピッチは狭ピッチ化が求められており、半導体素子が搭載されるプリント配線板であるパッケージ基板等も配線パターンの微細化が求められている。 2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor integrated circuit element (hereinafter, sometimes referred to as a “semiconductor element”) used as a microprocessor of a computer or the like has recently been improved in performance and function. For this reason, the pitch between terminals of a semiconductor element is required to be narrower, and a finer wiring pattern is also required for a package substrate or the like which is a printed wiring board on which the semiconductor element is mounted.
プリント配線板の配線パターンを形成する方法は、銅張積層板の銅層をエッチングやめっき加工することにより製造されてきた。銅張積層板とは絶縁層樹脂に銅箔を貼り付けたものである。例えばサブトラクティブ法は銅張積層板から不要な銅層部分を取り除いて回路を形成する方法であり、配線として残したい部分にインクや塗料を塗布して覆い、金属腐食性の薬品で銅層をエッチングして必要な回路を形成する方法である。また、セミアディティブ法は絶縁層基板に回路パターンを後から付け加える方法であり、パターンを形成しない部分にレジストを形成し、めっきを施しパターンを形成する方法である。 A method of forming a wiring pattern on a printed wiring board has been manufactured by etching or plating a copper layer of a copper-clad laminate. The copper-clad laminate is obtained by attaching a copper foil to an insulating layer resin. For example, the subtractive method is a method of forming a circuit by removing an unnecessary copper layer portion from a copper-clad laminate, applying ink or paint to the portion to be left as wiring, covering the portion, and removing the copper layer with a metal corrosive chemical. In this method, a necessary circuit is formed by etching. Further, the semi-additive method is a method of adding a circuit pattern to an insulating layer substrate later, in which a resist is formed on a portion where a pattern is not formed, and plating is performed to form a pattern.
近年の小型軽量化の図られた電子機器等に掲載するプリント配線板は、部品実装密度を向上させ狭小領域に配置されるため、ファインピッチ回路を形成することが求められてきた。 2. Description of the Related Art In recent years, printed wiring boards described in electronic devices and the like that have been reduced in size and weight have been required to form a fine pitch circuit because they are arranged in a narrow area with an improved component mounting density.
配線材料には銅箔が好適に用いられ、この要求に応えるために銅箔の厚みを小さくすることが求められていた。ところが、薄い銅箔を使用するほど銅箔のハンドリングが困難になり、シワ等の結果が発生しやすくなる。銅箔にシワやピンホールがあると、プレス成型時に銅箔のシワ部分から亀裂が発生し、流動化した絶縁層樹脂が亀裂から浸み出し、銅張積層板の表面が汚染されたり、銅箔の平坦度を損ねたりするおそれがある。これら銅張積層板の欠陥は、その後のプリント配線板の製造工程において形成される配線回路のショートや断線等を起こす原因となる。 Copper foil is suitably used as the wiring material, and it has been required to reduce the thickness of the copper foil in order to meet this demand. However, the thinner the copper foil is, the more difficult it is to handle the copper foil, and the more likely it is to cause wrinkles and the like. If there are wrinkles or pinholes in the copper foil, cracks will occur from the wrinkles of the copper foil during press molding, the fluidized insulating layer resin will seep out of the cracks, contaminating the surface of the copper clad laminate, The flatness of the foil may be impaired. These defects of the copper-clad laminate cause a short circuit or disconnection of a wiring circuit formed in a subsequent manufacturing process of the printed wiring board.
フレキシブルタイプの銅張積層板を製造する場合のロールラミネート、キャスティング法等のプレス加工とは異なる方法を用いた場合でも、銅箔に存在したシワは銅張積層板の状態になった以降もその表面に凹凸として残り、同様の問題を起こす。 Even when using a method different from press working such as roll lamination when manufacturing a flexible type copper-clad laminate, a wrinkle that was present in the copper foil even after using a method different from press processing such as a copper-clad laminate. Asperities remain on the surface, causing the same problem.
この問題を解決するため様々な提案がなされている。例えばキャリアシートを用いたキャリア付銅箔が提案されている（例えば、特許文献１）。キャリアシート上に金属層および炭素層を形成し、この上に銅めっきによって極薄の銅箔を形成する方法である。キャリアシートを用いることで銅箔のハンドリングの問題を解決し、３〜５μｍの薄い銅箔を実現している。この方法では３００℃以上の高温加熱後でもキャリアシートを剥離することを可能としている。 Various proposals have been made to solve this problem. For example, a copper foil with a carrier using a carrier sheet has been proposed (for example, Patent Document 1). This is a method in which a metal layer and a carbon layer are formed on a carrier sheet, and an ultra-thin copper foil is formed thereon by copper plating. The use of the carrier sheet solves the problem of copper foil handling, and realizes a thin copper foil of 3 to 5 μm. According to this method, the carrier sheet can be peeled even after heating at a high temperature of 300 ° C. or more.
しかしながら、近年の回路システムにおける高速動作を実現するために、高周波信号を伝送可能な配線基板が要求されている。一般に、配線基板の導体層に高周波信号を伝送させる場合は、導体表面の近傍に電流が集中する表皮効果が生じ、周波数が高くなるほど表皮効果の影響によって導体損失が増加していく。そして導体層の表面が粗い場合は表皮効果により電流が導体表面の凹凸部分を集中的に流れることになるため、導体損失の増加が顕著となる。したがって高周波信号を伝送可能な配線基板を作製するためには表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の平滑な銅箔である必要がある。 特許文献１のようなキャリア付銅箔の場合は銅箔の表面粗さＲａは一般的に０．２０μｍ以上のものが多く、めっき液の組成を変更してレベリング性を向上しても表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の銅箔を作製することは難しい。 However, in order to realize a high-speed operation in a recent circuit system, a wiring board capable of transmitting a high-frequency signal is required. Generally, when a high-frequency signal is transmitted to a conductor layer of a wiring board, a skin effect in which a current is concentrated near the conductor surface occurs, and as the frequency increases, the conductor loss increases due to the effect of the skin effect. When the surface of the conductor layer is rough, the current flows intensively through the irregularities on the conductor surface due to the skin effect, so that the conductor loss increases remarkably. Therefore, in order to manufacture a wiring board capable of transmitting a high-frequency signal, it is necessary to use a smooth copper foil having a surface roughness Ra of 0.10 μm or less. In the case of a copper foil with a carrier as in Patent Document 1, the surface roughness Ra of the copper foil is generally 0.20 μm or more, and even if the leveling property is improved by changing the composition of the plating solution, the surface roughness is increased. It is difficult to produce a copper foil having a thickness Ra of 0.10 μm or less.
また、キャリアとして銅箔を用いたキャリア箔付銅箔が提案されている（例えば、特許文献２）。キャリアである銅箔上に炭素層および金属層を形成し、物理蒸着法によって銅箔を形成する方法である。金属層にチタン層を用いることで常態では剥離しないが３００℃以上の高温加熱後ではキャリア箔を剥離することを可能としている。 Further, a copper foil with a carrier foil using a copper foil as a carrier has been proposed (for example, Patent Document 2). In this method, a carbon layer and a metal layer are formed on a copper foil as a carrier, and the copper foil is formed by a physical vapor deposition method. By using a titanium layer for the metal layer, the carrier foil is not peeled off in a normal state, but after heating at a high temperature of 300 ° C. or more, the carrier foil can be peeled off.
特許文献２では物理蒸着法によってキャリア箔上に銅箔を形成している。またキャリアの銅箔の表面粗さＲａは一般的に０．２０μｍ以上のものが多く、蒸着法によって形成された銅箔は基材の表面粗さの影響を受けるため得られた銅箔の表面粗さもＲａが０．２０μｍとなり、表面粗さＲａ０．１０μｍ以下の銅箔を作製することは難しい。また工程中に基材と銅箔が剥離しないように、離型性を有する炭素層と銅層の間に金属層を設けているが、剥離するためには３００℃以上の高温加熱を有する。 In Patent Document 2, a copper foil is formed on a carrier foil by a physical vapor deposition method. The surface roughness Ra of the copper foil of the carrier is generally 0.20 μm or more, and the copper foil formed by the vapor deposition method is affected by the surface roughness of the base material. The roughness Ra is 0.20 μm, and it is difficult to produce a copper foil having a surface roughness Ra of 0.10 μm or less. In addition, a metal layer is provided between the carbon layer and the copper layer having releasability so that the base material and the copper foil are not peeled off during the process.
これらの問題について炭素層を剥離層として設けた離型フィルムに物理蒸着法によって銅層を設けた離型フィルム付銅箔がある（例えば、特許文献３，４）。蒸着法によって形成された銅箔は基材の表面粗さの影響を受けるため表面粗さＲａが０．１０μｍ以下の平滑なフィルム上に銅層を形成することで表面粗さＲａ０．１０μｍ以下の平滑な銅箔を実現している。また、銅箔表面の結晶粒径を制御することで平滑性を維持したまま、絶縁層樹脂と高密着を得ることを実現している。 Regarding these problems, there is a copper foil with a release film in which a copper layer is provided by a physical vapor deposition method on a release film provided with a carbon layer as a release layer (for example, Patent Documents 3 and 4). Since the copper foil formed by the vapor deposition method is affected by the surface roughness of the base material, the surface roughness Ra is 0.10 μm or less. By forming a copper layer on a smooth film having a surface roughness Ra of 0.10 μm or less. Realizes smooth copper foil. Further, by controlling the crystal grain size on the surface of the copper foil, it is possible to obtain high adhesion to the insulating layer resin while maintaining smoothness.
離型フィルム付銅箔は絶縁層樹脂との貼り合わせまでに確実に保持する必要があるが、現状では、離型フィルムは低剥離であり、わずかなきっかけで剥離してしまい、収率低下の要因となっていた。 It is necessary to securely hold the copper foil with release film until bonding with the insulating layer resin, but at present, the release film has low peeling and peels off with a slight trigger, resulting in lower yield. Was a factor.
そこで本発明では絶縁層樹脂の貼り合わせ完了まで確実に銅箔を保持して、貼り合わせ後には剥離することができる銅箔厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下、かつ表面粗さＲａが０．１０μｍ以下を維持した離型フィルム付銅箔を提供する。 Therefore, in the present invention, the copper foil is reliably held until the bonding of the insulating layer resin is completed, and after the bonding, the copper foil that can be peeled has a thickness of 0.3 μm or more and 3.0 μm or less and a surface roughness Ra of 0 or less. Provided is a copper foil with a release film that maintains a thickness of 10 μm or less.
本発明者らは、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、剥離層を有しない箇所を設けることによって、工程中に銅層と剥離層の間に空間を生じさせず収縮差による剥離およびシワを生じず幅が広くても銅箔とフィルムが剥離することのない離型フィルム付銅箔を得るに至った。 The present inventors have conducted intensive studies in view of the above problems, and as a result, by providing a portion having no release layer, peeling and wrinkling due to a difference in shrinkage without creating a space between the copper layer and the release layer during the process. A copper foil with a release film that does not occur and does not peel off the copper foil and the film even when the width is wide has been obtained.
すなわち本発明は、フィルムの少なくとも一方の面に部分的に剥離層を有する離型フィルムの該剥離層側に銅層が設けられた離型フィルム付銅箔であって、銅層とフィルムが直接接する領域がスジ状に存在することを特徴とする離型フィルム付銅箔に関する。 That is, the present invention is a copper foil with a release film in which a copper layer is provided on the release layer side of a release film having a release layer partially on at least one surface of the film, wherein the copper layer and the film are directly The present invention relates to a copper foil with a release film, wherein a contact area exists in a streak shape.
好ましい態様は、該スジ状がフィルムの両端部に施され、該剥離層は該フィルムの両端からフィルム全幅に対し一領域の幅で０．５％以上距離が離れた領域で形成されている離型フィルム付銅箔に関する。 In a preferred embodiment, the streaks are applied to both ends of the film, and the release layer is formed in a region which is separated from the both ends of the film by a distance of 0.5% or more in one region with respect to the entire width of the film. The present invention relates to a copper foil with a mold film.
好ましい態様は、該銅膜と該離型フィルムの引き剥がし強さが、該剥離層が形成されている部位で１.０×１０−３Ｎ／ｍｍ以上１．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以下であり、該剥離層が形成されていない部位で５．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以上である離型フィルム付銅箔に関する。 In a preferred embodiment, the peel strength between the copper film and the release film is 1.0 × 10 −3 N / mm or more and 1.0 × 10 −2 N / mm at a portion where the release layer is formed. The present invention relates to a copper foil with a release film having a release layer not formed and having a release film of not less than 5.0 × 10 −2 N / mm.
好ましい態様は、該剥離層は厚みが０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の炭素層であり、該銅膜は厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下であり、表面粗さＲａが０．１０μｍ以下である離型フィルム付銅箔に関する。 In a preferred embodiment, the release layer is a carbon layer having a thickness of 0.5 nm or more and 5.0 nm or less, the copper film having a thickness of 0.3 μm or more and 3.0 μm or less, and a surface roughness Ra of 0.10 μm or less. And a copper foil with a release film.
好ましい態様は、該フィルムはポリイミドフィルムまたはポリエステルフィルムであり、該銅膜が厚み方向に対して柱状晶を有する離型フィルム付銅箔に関する。 A preferred embodiment relates to a copper foil with a release film, wherein the film is a polyimide film or a polyester film, and the copper film has columnar crystals in the thickness direction.
本発明によって、絶縁層樹脂との貼り合わせ完了まで銅箔を保持して、貼り合わせ後には剥離することができる銅箔厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下、かつ表面粗さＲａが０．１０μｍ以下を維持した離型フィルム付銅箔を提供することができる。また本発明の離型フィルム付銅箔は厚みが薄くその表面が平滑なものであり、この離型フィルム付銅箔と絶縁層シートとを貼りあわせることで銅膜表面が平滑な銅張積層板が得られ、高周波回路用途に適した回路基板を作製することができる。 According to the present invention, the copper foil is held until the bonding with the insulating layer resin is completed, and after the bonding, the copper foil that can be peeled has a thickness of 0.3 μm or more and 3.0 μm or less and a surface roughness Ra of 0.1 μm or less. A copper foil with a release film that maintains 10 μm or less can be provided. The copper foil with a release film of the present invention is thin and has a smooth surface, and the copper foil with a smooth copper film surface is obtained by laminating the copper foil with a release film and an insulating layer sheet. Is obtained, and a circuit board suitable for high-frequency circuit applications can be manufactured.
本発明について以下詳細に説明する。 The present invention will be described in detail below.
本発明の離型フィルム付銅箔は、フィルムの片面に剥離層を有し、この剥離層側に銅膜が形成されている。 The copper foil with a release film of the present invention has a release layer on one side of the film, and a copper film is formed on the release layer side.
本発明で用いられるフィルムとは、合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したものである。 The film used in the present invention is formed by molding a polymer such as a synthetic resin into a thin film.
本発明における銅膜は、物理蒸着法における真空蒸着法により形成されることが好ましい。 The copper film in the present invention is preferably formed by a vacuum deposition method in a physical vapor deposition method.
本発明における銅膜の厚みは０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。３．０μｍを超えると蒸着時にフィルムにかかる熱量が大きくなるため、フィルムが熱変形してしまうおそれがあり好ましくない。厚みが０．３μｍ未満であると銅膜中の未蒸着部が増えてしまい、樹脂と貼り合わせるプレス工程等で流動化した絶縁層樹脂が亀裂から浸み出し、銅張積層板の表面が汚染されたり、銅箔の平坦度を損ねたりするおそれがあり好ましくない。ここで未蒸着部とはフィルム上にあるゴミやキズによって蒸着に抜けが生じ蒸着されなかった領域のことである。 The thickness of the copper film in the present invention is preferably 0.3 μm or more and 3.0 μm or less. If it exceeds 3.0 μm, the amount of heat applied to the film at the time of vapor deposition increases, and the film may be thermally deformed, which is not preferable. If the thickness is less than 0.3 μm, the undeposited portion in the copper film increases, and the insulating layer resin fluidized in a pressing step of bonding with the resin oozes out of cracks, contaminating the surface of the copper clad laminate. Or the flatness of the copper foil may be impaired. Here, the non-deposited portion is a region where the deposition is omitted due to dust or scratches on the film and the deposition is not performed.
真空蒸着法には誘導加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザービーム蒸着法、電子ビーム蒸着法などがある。どの蒸着法を用いても構わないが高い成膜速度を有する観点から電子ビーム蒸着法が好適に用いられる。蒸着中は基材の温度が上昇しないようにフィルムを冷却しながら蒸着を行うことが好ましい。また真空蒸着法で形成した後、絶縁層樹脂との密着向上のために銅表面にスパッタリング法により銅膜を形成しても構わない。スパッタリング法は真空蒸着と同じ装置内で逐次的に膜形成が可能なマグネトロンスパッタリング法が好ましく用いられる。 The vacuum evaporation method includes an induction heating evaporation method, a resistance heating evaporation method, a laser beam evaporation method, an electron beam evaporation method, and the like. Although any vapor deposition method may be used, an electron beam vapor deposition method is suitably used from the viewpoint of having a high film formation rate. During vapor deposition, it is preferable to perform vapor deposition while cooling the film so that the temperature of the substrate does not rise. After the formation by the vacuum evaporation method, a copper film may be formed on the copper surface by a sputtering method in order to improve the adhesion to the insulating layer resin. As the sputtering method, a magnetron sputtering method capable of sequentially forming a film in the same apparatus as the vacuum evaporation is preferably used.
本発明では生産性の観点から真空蒸着法によってロールトゥロールでフィルム上に銅膜を形成されるのが好ましく、その場合、蒸着時にフィルムは熱に曝される。このとき、フィルムは冷却ロールにより冷却されるが、フィルムの耐熱温度が低かったりフィルムの熱収縮が大きかったりするとフィルムの変形に伴って冷却ロールから浮いてしまい、冷却が十分にされず高温になり溶融により穴が空いてしまったりする。よってフィルムは耐熱温度が高く、また、熱収縮が小さい方が望ましい。電子ビーム蒸着法によって銅膜を形成するときのフィルム上の温度は１００〜１２０℃程度であることが想定される。このため耐熱温度が１２０℃以上あり、１２０℃での熱収縮率がフィルムの長手方向（MD方向ともいう）、幅方向（TD方向ともいう）のいずれも２．０％以下であることが好ましい。２．０％を超えると蒸着工程で張力変更やロールの冷却によってフィルムの変形を制御することが難しく、上記銅膜の厚みを形成しようとするとフィルムがロールから離れてフィルムの温度が上昇し溶融して穴が空いてしまうおそれがある。より好ましくは熱収縮率が１．８％以下、さらに好ましくは１．５％以下である。フィルムの熱収縮率は所定の温度で２０分間熱処理した前後の寸法変化率により得ことが出来る。 In the present invention, it is preferable to form a copper film on a film by roll-to-roll by a vacuum evaporation method from the viewpoint of productivity, in which case the film is exposed to heat during the evaporation. At this time, the film is cooled by the cooling roll, but if the heat resistance temperature of the film is low or the heat shrinkage of the film is large, the film is lifted from the cooling roll with the deformation of the film, and the cooling is not sufficiently performed, and the temperature becomes high. Holes are created by melting. Therefore, it is desirable that the film has a high heat-resistant temperature and a small heat shrinkage. It is assumed that the temperature on the film when the copper film is formed by the electron beam evaporation method is about 100 to 120 ° C. For this reason, it is preferable that the heat-resistant temperature is 120 ° C. or more, and the thermal shrinkage at 120 ° C. is 2.0% or less in both the longitudinal direction (also called MD direction) and the width direction (also called TD direction) of the film. . If it exceeds 2.0%, it is difficult to control the deformation of the film by changing the tension or cooling the roll in the vapor deposition process, and when trying to form the thickness of the copper film, the film separates from the roll and the temperature of the film rises and the film is melted. Hole may be formed. More preferably, the heat shrinkage is 1.8% or less, further preferably 1.5% or less. The heat shrinkage of the film can be obtained from the dimensional change before and after heat treatment at a predetermined temperature for 20 minutes.
本発明の離型フィルム付銅箔は、絶縁層樹脂と貼り合わせる工程において加熱工程を有することがあり、その場合、フィルムの耐熱性が要求される。ここで絶縁層樹脂はエポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を含んでおり貼り合わせ時に樹脂を硬化させる必要があるため、真空熱プレス等による貼り合わせ工程を必要とする。この温度条件は絶縁層樹脂の種類によって様々であるが微細配線を必要とする樹脂では２２０℃程度の温度条件を必要とする。よってフィルムの融点は２２０℃以上であることが好ましい。さらに好ましくは２３０℃以上である。 The copper foil with a release film of the present invention may have a heating step in the step of bonding with the insulating layer resin, and in that case, heat resistance of the film is required. Here, the insulating layer resin contains a thermosetting resin such as an epoxy resin, and it is necessary to cure the resin at the time of bonding. Therefore, a bonding step by a vacuum hot press or the like is required. This temperature condition varies depending on the type of insulating layer resin, but a resin requiring fine wiring requires a temperature condition of about 220 ° C. Therefore, the melting point of the film is preferably 220 ° C. or higher. More preferably, the temperature is 230 ° C. or higher.
本発明で好適に用いられるフィルムとして、例えばポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、変性ポリフェニレンエーテルフィルム、フッ素フィルム、液晶ポリマーフィルム等が例示される。このうちポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムがより好ましく用いられる。これらのフィルムは単独で用いても構わないし、複合されたものを用いても構わない。また該貼り合わせ工程の温度条件を満たせば表面に樹脂等をコーティングしたものを用いても構わない。 Examples of the film suitably used in the present invention include a polyester film, a polyimide film, a syndiotactic polystyrene film, an aromatic polyamide film, a modified polyphenylene ether film, a fluorine film, and a liquid crystal polymer film. Among them, a polyester film and a polyimide film are more preferably used. These films may be used alone or in combination. If the temperature condition of the bonding step is satisfied, a resin coated on the surface may be used.
またかかるフィルムの厚みは２５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。フィルムの厚みが２５μｍ未満であると蒸着中に生じる応力によってフィルムが変形したり破れたりしてしまう可能性がある。また１５０μｍを超えるとフィルムを張力で制御できなくなり、巻きズレ等を起こしてしまうおそれがあり、また一度の蒸着で投入できる量が減ってしまい生産性を悪くしてしまうことがある。より好ましくは３５μｍ以上１２５μｍ以下である。 Further, the thickness of such a film is preferably from 25 μm to 150 μm. If the thickness of the film is less than 25 μm, the film may be deformed or broken by the stress generated during vapor deposition. On the other hand, if the thickness exceeds 150 μm, the film cannot be controlled by the tension, which may cause a winding deviation or the like. In addition, the amount that can be supplied by one vapor deposition may be reduced, and the productivity may be deteriorated. More preferably, it is 35 μm or more and 125 μm or less.
本発明では、フィルムの少なくとも一方の面に剥離層を有しており、フィルムと剥離層を含めて離型フィルムとしている。絶縁層樹脂と離型フィルム付銅箔の銅箔面を貼り合わせた後、離型フィルムを銅箔から剥離できればよく、剥離する際、後工程で悪影響を及ぼさない限り、剥離層はフィルムと銅箔のどちらの表面に残っていても構わない。ただし、銅箔表面に残った剥離層が後工程で悪影響を及ぼす場合は、銅箔表面には残らないように剥離できることが好ましい。 In the present invention, a release layer is provided on at least one surface of the film, and the release film includes the film and the release layer. After bonding the insulating layer resin and the copper foil surface of the copper foil with the release film, it is sufficient that the release film can be peeled off from the copper foil. It may be left on either surface of the foil. However, when the peeling layer remaining on the copper foil surface has an adverse effect in a later step, it is preferable that the peeling can be performed so as not to remain on the copper foil surface.
本発明における剥離層はメラミン樹脂、セルロース樹脂、炭素層等が好適に用いられる。なかでも炭素層が好ましく用いられる。メラミン樹脂やセルロース樹脂はフィルム上に塗工することによって形成されるのに対し、炭素層はスパッタリング法やCVD法で形成できるため１つの装置内で銅膜の形成と同時に行うことが出来る。このため、炭素層が好ましく用いられる。 As the release layer in the present invention, a melamine resin, a cellulose resin, a carbon layer or the like is suitably used. Among them, a carbon layer is preferably used. A melamine resin or a cellulose resin is formed by coating on a film, whereas a carbon layer can be formed by a sputtering method or a CVD method. Therefore, the carbon layer can be formed simultaneously with the formation of a copper film in one apparatus. For this reason, a carbon layer is preferably used.
本発明において例えば電子ビーム法を用いて蒸着を行うと、フィルムや剥離層は電子線の影響を受ける。電子線によって分子鎖が切断したり、また切断した分子同士が架橋したりすることが想定される。このためフィルム自体が劣化することや、フィルムと剥離層が化学的に結合してしまい剥離できなくなってしまうことが生じる。このことからも電子ビーム蒸着法を用いる場合は炭素層が好適に用いられる。 In the present invention, when vapor deposition is performed using, for example, an electron beam method, a film or a release layer is affected by an electron beam. It is assumed that the molecular chain is cut by the electron beam, or the cut molecules are cross-linked. For this reason, the film itself may be deteriorated, or the film and the release layer may be chemically bonded to each other and cannot be separated. For this reason, when the electron beam evaporation method is used, a carbon layer is preferably used.
剥離層の形成方法は蒸着による方法や有機溶媒中から炭素膜を電気的に析出させる方法もある。蒸着による方法では、アークイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法、高周波プラズマCVD法、パルス方式直流プラズマCVD法、イオン化蒸着法プラズマイオン注入成膜法などが例示される。比較的簡易に装置化できるマグネトロンスパッタリング法が好適に用いられる。マグネトロンスパッタリング法ではアルゴンガスや窒素ガスが好ましく用いられる。 As a method for forming the release layer, there are a method by vapor deposition and a method of electrically depositing a carbon film from an organic solvent. Examples of the method by vapor deposition include an arc ion plating method, a magnetron sputtering method, a high-frequency plasma CVD method, a pulse DC plasma CVD method, an ionization vapor deposition method, and a plasma ion implantation film forming method. A magnetron sputtering method, which can be relatively easily manufactured, is preferably used. In the magnetron sputtering method, argon gas or nitrogen gas is preferably used.
かかる炭素層の厚みは０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であることが好ましい。０．５ｎｍ未満であると密着強度が強くなり剥離できない。また、５．０ｎｍを超えると炭素層と銅膜の剥離力が弱くなってしまい、蒸着搬送中に剥離を起こしてしまうおそれがある。より好ましくは１．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下である。 The thickness of such a carbon layer is preferably 0.5 nm or more and 5.0 nm or less. If it is less than 0.5 nm, the adhesion strength becomes so high that it cannot be peeled off. On the other hand, when the thickness exceeds 5.0 nm, the peeling force between the carbon layer and the copper film is weakened, and there is a possibility that peeling may occur during the vapor transfer. More preferably, it is 1.0 nm or more and 4.0 nm or less.
かかる炭素層の厚みは直接測定することが困難であるが透過率から後述するランバート・ベールの法則 It is difficult to directly measure the thickness of such a carbon layer, but Lambert-Beer's law described later
を用いて算出することが出来る。ここでＩ０は薄膜通過前の光量、Ｉは薄膜通過後の光量、αは吸光係数、Ｚは膜厚、ｋは消衰係数、λは波長である。 Can be calculated using Here, I 0 is the light amount before passing through the thin film, I is the light amount after passing through the thin film, α is the absorption coefficient, Z is the film thickness, k is the extinction coefficient, and λ is the wavelength.
本発明における剥離層にメラミン樹脂やセルロース樹脂を用いた場合、剥離層の厚みは特に限定されないが、該樹脂を溶媒で希釈してフィルム表面に塗工し溶媒を乾燥させて該剥離層を形成する。このため０．１μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。０．１μｍ未満は膜厚を調整することが困難であり、２．０μｍを超えると溶媒を希釈する量が増えるため乾燥に時間を要してしまう。より好ましくは０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。 When a melamine resin or a cellulose resin is used for the release layer in the present invention, the thickness of the release layer is not particularly limited, but the resin is diluted with a solvent, coated on the film surface, and the solvent is dried to form the release layer. I do. Therefore, it is preferable that the thickness be 0.1 μm or more and 2.0 μm or less. If the thickness is less than 0.1 μm, it is difficult to adjust the film thickness. If the thickness is more than 2.0 μm, the amount of diluting the solvent increases, so that it takes time for drying. More preferably, it is 0.2 μm or more and 1.0 μm or less.
本発明における剥離層はフィルムの全面に作製されるのではなく、フィルム面の一部分に剥離層を設けず、フィルムと銅が直接接する領域がスジ状に存在することが望ましい。フィルム上に直接銅箔が形成される領域は剥離層を有する部分よりもフィルムと銅箔の密着力が格段に強いため、銅箔がフィルムにより強く保持される。ゆえにフィルムと銅箔が直接形成される領域があることで、製造工程中にフィルムと銅箔の熱膨張あるいは熱収縮差による内部応力が生じたとしても、銅膜とフィルムが位置ズレを起こさず、銅箔とフィルムの間に空間を生じさせることがないため、製造工程中で剥離してしまう不具合なく離型フィルム付銅箔を得ることができる。 It is preferable that the release layer in the present invention is not formed on the entire surface of the film, but the release layer is not provided on a part of the film surface, and a region where the film and copper are in direct contact exists in a stripe shape. The area where the copper foil is formed directly on the film has much stronger adhesion between the film and the copper foil than the part having the release layer, so that the copper foil is more strongly held by the film. Therefore, since there is an area where the film and the copper foil are directly formed, even if an internal stress occurs due to a thermal expansion or thermal contraction difference between the film and the copper foil during the manufacturing process, the copper film and the film do not shift in position. Since no space is created between the copper foil and the film, a copper foil with a release film can be obtained without the problem of peeling during the manufacturing process.
フィルムと銅が直接接する領域がスジ状に存在するとは例えば、フィルム両端部に存在することが挙げられる。銅箔と離型フィルムが貼り合わせられた端部は、製造工程中のフィルムと銅箔の熱膨張あるいは熱収縮差による内部応力や外部からの力が集中しやすく、銅箔とフィルムの間に空間を発生させやすい。フィルム両端部にフィルム上に直接銅膜が形成される領域が存在し、銅箔が安定に保持することで、製造後も剥離しない離型フィルム付銅箔を得ることができる。 The region where the film and copper are in direct contact with each other may be in the form of a streak, for example, when the region exists at both ends of the film. At the end where the copper foil and the release film are bonded, the internal stress and the external force due to the thermal expansion or thermal contraction difference between the film and the copper foil during the manufacturing process are likely to concentrate, and between the copper foil and the film Easy to create space. A region where a copper film is directly formed on the film is present at both ends of the film, and the copper foil is stably held, so that a copper foil with a release film that does not peel even after production can be obtained.
また、フィルムと銅が直接接する領域がスジ状に存在する箇所はロール状に巻かれた離型フィルム付銅箔の巻きだした両端部、あるいは両端部および中央部であっても構わない。この中央部は１カ所または数カ所存在しても構わない。幅の広いフィルムで離型フィルム付銅箔を作製する場合、スリットする領域の中央部にあらかじめフィルムと銅が直接接する領域を設けることにより、スリット後のフィルムの両端にフィルムと銅が直接接する領域が存在する離型フィルム付銅箔を得ることが出来る。 The area where the film and the copper are in direct contact with each other may be in the form of a streak at both ends of the rolled copper foil with release film, or at both ends and the center. This central portion may be present at one or several places. When making a copper foil with a release film with a wide film, by providing an area where the film and copper directly contact in advance in the center of the area to be slit, the area where the film and copper directly contact both ends of the film after slitting Can be obtained.
また、剥離層はフィルムの両端からフィルム全幅に対し一領域の幅で０．５％以上距離が離れた領域で形成されていることが好ましい。フィルムと銅膜が直接接する領域がフィルム全幅に対し距離が０．５％未満であるとフィルムと銅膜の収縮差により位置ズレを防止できない可能性がある。より好ましくは距離が１．０％以上、さらに好ましくは２．０％以上である。またフィルムと銅箔が直接接する領域が大きいことに特に問題はないが、得られる離型フィルム銅箔の幅が小さくなってしまうため生産性の悪化を招いてしまう。よって５．０％以下が好ましい。 Further, it is preferable that the release layer is formed in a region which is separated from both ends of the film by a distance of 0.5% or more in one region with respect to the entire width of the film. If the area where the film and the copper film are in direct contact with each other has a distance of less than 0.5% with respect to the entire width of the film, there is a possibility that positional displacement cannot be prevented due to a difference in contraction between the film and the copper film. More preferably, the distance is 1.0% or more, further preferably 2.0% or more. There is no particular problem in that the area where the film and the copper foil are in direct contact with each other is large, but the resulting release film copper foil has a small width, which leads to a decrease in productivity. Therefore, 5.0% or less is preferable.
本発明の離型フィルム付銅箔の銅膜と離型フィルムを引き剥がした時の強さは剥離層が形成されている部分では１．０×１０−３Ｎ／ｍｍ以上１．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。１．０×１０−３Ｎ／ｍｍ未満であると銅箔の重みによって自然に剥離してしまうおそれがある。また１．０×１０−２Ｎ／ｍｍより大きいと、剥離が困難となり無理に引き剥がそうとして剥離時にシワ等が生じてしまうおそれがある。より好ましくは１．０×１０−３Ｎ／ｍｍ以上８．０×１０−３Ｎ／ｍｍ以下、さらに好ましくは２．０×１０−３Ｎ／ｍｍ以上６．０×１０−３Ｎ／ｍｍ以下である。 The strength when the copper film and the release film of the copper foil with the release film of the present invention are peeled off is 1.0 × 10 −3 N / mm or more and 1.0 × 10 3 at the portion where the release layer is formed. It is preferably at most -2 N / mm. If it is less than 1.0 × 10 −3 N / mm, the weight of the copper foil may cause natural peeling. On the other hand, if it is larger than 1.0 × 10 −2 N / mm, peeling becomes difficult, and there is a possibility that wrinkles or the like may be generated at the time of peeling due to forcible peeling. More preferably, 1.0 × 10 −3 N / mm or more and 8.0 × 10 −3 N / mm or less, further preferably 2.0 × 10 −3 N / mm or more and 6.0 × 10 −3 N / mm. It is as follows.
フィルムと銅膜が直接接する領域の引き剥がし強さは５．０×１０−２Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましい。５．０×１０−２Ｎ／ｍｍ未満であるとフィルムと銅膜の収縮差により位置ズレを防止できない可能性がある。引き剥がし強さの上限については特になく、強いほど位置ズレ防止には有効である。 The peel strength of the region where the film and the copper film directly contact each other is preferably 5.0 × 10 −2 N / mm or more. If it is less than 5.0 × 10 −2 N / mm, it may not be possible to prevent misalignment due to a difference in shrinkage between the film and the copper film. There is no particular upper limit on the peeling strength, and the stronger the peeling strength, the more effective in preventing positional displacement.
本発明の離型フィルム付銅箔の銅層は物理蒸着法によって好ましく形成される。物理蒸着法で金属を形成する場合、基板の温度が金属の融点より低いと厚み方向に対して柱状晶になることが知られている。本発明では離型フィルム上に銅蒸着を行い、フィルムの溶融を抑制するためフィルムを冷却しながら蒸着を行いことが好ましい。このためフィルムの温度は金属の融点より低くなるため、厚み方向に対して柱状晶を有していることが好ましい。柱状晶を有していると厚み方向のエッチング性がよく、直線性のよい配線が得られる。 The copper layer of the copper foil with a release film of the present invention is preferably formed by physical vapor deposition. When a metal is formed by physical vapor deposition, it is known that if the temperature of the substrate is lower than the melting point of the metal, a columnar crystal is formed in the thickness direction. In the present invention, it is preferable to perform copper vapor deposition on the release film and perform vapor deposition while cooling the film in order to suppress melting of the film. For this reason, since the temperature of the film is lower than the melting point of the metal, the film preferably has columnar crystals in the thickness direction. When the columnar crystal is provided, the etching property in the thickness direction is good, and a wiring with good linearity can be obtained.
本発明の離型フィルム付銅箔は、剥離層と接していない面の銅膜の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下であることが好ましい。高周波化に伴い、表皮効果と呼ばれる現象で電気信号は導体である銅箔の表面に集中する。信号の周波数が６０ＧＨｚなら表面厚み０．２７μｍ、１００ＧＨｚなら表面厚み０．２１μｍに信号が集中することとなる。このため信号を減衰させないためには表面粗さＲａが０．１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以下、さらに好ましくは０，０３μｍ以下である。銅膜の表面粗さは例えばレーザー顕微鏡（キーエンス製、VK-8500）を用いて表面観察を行いJIS B0601-1994に準拠して行うことで得ることができる。 In the copper foil with a release film of the present invention, the surface roughness Ra of the copper film on the surface not in contact with the release layer is preferably 0.01 μm or more and 0.10 μm or less. With the increase in frequency, electric signals are concentrated on the surface of a copper foil as a conductor by a phenomenon called a skin effect. If the frequency of the signal is 60 GHz, the signal concentrates on the surface thickness of 0.27 μm, and if the signal frequency is 100 GHz, the signal concentrates on the surface thickness of 0.21 μm. Therefore, in order not to attenuate the signal, the surface roughness Ra is preferably 0.10 μm, more preferably 0.05 μm or less, and further preferably 0.03 μm or less. The surface roughness of the copper film can be obtained, for example, by observing the surface using a laser microscope (manufactured by Keyence, VK-8500) and performing the observation in accordance with JIS B0601-1994.
また本発明の離型フィルム付銅箔の銅膜はフィルムの表面粗さに依存する。かかる理由からフィルムについても少なくとも剥離層と接する面の表面粗さＲａが０．１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは０．０５μｍ以下、さらに好ましくは０，０３μｍ以下である。 The copper film of the copper foil with a release film of the present invention depends on the surface roughness of the film. For this reason, it is preferable that the surface roughness Ra of at least the surface in contact with the release layer is 0.10 μm or less. More preferably, it is 0.05 μm or less, further preferably 0.03 μm or less.
本発明で得られる銅箔は真空熱プレスや真空ラミネートなどの２２０℃までの熱処理後も剥離可能であり、絶縁層シートと貼りあわせることで銅膜表面が平滑な銅張積層板が得られる。この銅張積層板はエッチングすることで配線上に欠点が少なく良好な回路パターンのプリント配線板を得ることが出来る。またこの銅張積層板は高周波用途にも好適に用いることができる。 The copper foil obtained in the present invention can be peeled off even after heat treatment up to 220 ° C. such as vacuum hot pressing or vacuum lamination, and a copper-clad laminate having a smooth copper film surface can be obtained by laminating with an insulating layer sheet. By etching this copper-clad laminate, a printed circuit board having a good circuit pattern with few defects on the wiring can be obtained. Further, this copper-clad laminate can be suitably used for high frequency applications.
また本発明で得られる銅箔は回路用途が主であるがこれに限らず、例えば、電磁波などのシールド用途、タッチパネルなどの転写箔の用途などに用いることができる。 The copper foil obtained by the present invention is mainly used for circuits, but is not limited thereto. For example, the copper foil can be used for shielding electromagnetic waves and the like, transfer foils for touch panels and the like.
なお、本発明は、以上に説明した各構成に限定されるものではなく、種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 It should be noted that the present invention is not limited to the configurations described above, and various modifications are possible. Embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also described. Included in the technical scope of the invention.
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
（表面粗さの測定）
表面粗さＲａはJIS B 0601-1994に定義される算術平均粗さのことであり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準粗さ（ｌ）だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、X軸と直行する方向にY軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）であらわしたときに、次の式によって求められる値である。
(Measurement of surface roughness)
The surface roughness Ra is an arithmetic average roughness defined in JIS B 0601-1994. A surface is extracted from a roughness curve by a reference roughness (l) in a direction of the average line, and a direction of the average line of the extracted portion. When the roughness curve is represented by y = f (x), and the X axis is taken along the Y axis in a direction perpendicular to the X axis, the value is obtained by the following equation.
フィルムおよび離型フィルム付銅箔をレーザー顕微鏡（キーエンス製、VK-8500）を用いて表面観察を行いJIS B0601-1994に準拠して行った。解析は株式会社キーエンス製の解析アプリケーションソフトVK-H1Wを用い、カットオフ値は０．２５μｍとした。該ソフトにおいて、１００μｍの長さを指定して表面粗さＲａを求めた。測定はサンプルのある一方向とその垂直な方向で測定して値の大きな方を表面粗さＲａとした。表面粗さＲａは０．０５μｍ以下のものを◎、０．０５μｍより大きく０．１０μｍ以下のものを○、０．１０μｍより大きいものを×とした。 The surface of the film and the copper foil with the release film were observed using a laser microscope (manufactured by Keyence, VK-8500), and the observation was performed in accordance with JIS B0601-1994. Analysis was performed using analysis application software VK-H1W manufactured by Keyence Corporation, and the cutoff value was 0.25 μm. In this software, the surface roughness Ra was determined by designating a length of 100 μm. The measurement was performed in one direction of the sample and a direction perpendicular to the direction, and the larger value was defined as the surface roughness Ra. The surface roughness Ra was rated as ◎ when the surface roughness was 0.05 μm or less, ○ when the surface roughness was greater than 0.05 μm and 0.10 μm or less, and × when the surface roughness was greater than 0.10 μm.
（銅膜の厚み測定）
離型フィルム付銅箔の銅膜の厚みは蛍光Ｘ線膜厚計（エスエスアイ・ナノテクノロジー製、ＳＦＴ９４００）にて測定した。
(Measurement of copper film thickness)
The thickness of the copper film of the copper foil with a release film was measured by a fluorescent X-ray film thickness meter (SFT9400, manufactured by SSI Nanotechnology).
（炭素層の厚み）
フィルムに成膜した炭素層の透過率を透過率計で測定し、得られた値からランバート・ベールの法則
(Thickness of carbon layer)
The transmittance of the carbon layer formed on the film is measured with a transmittance meter, and the Lambert-Beer law
から膜厚を算出した。ここでＩ０は薄膜通過前の光量、Ｉは薄膜通過後の光量、αは吸光係数、Ｚは膜厚、ｋは消衰係数、λは波長である。Ｉ／Ｉ０を透過率として波長６３２．８ｎｍのときの消衰係数０．０４７の値を採用し、炭素層の膜厚とした。 The film thickness was calculated from. Here, I 0 is the light amount before passing through the thin film, I is the light amount after passing through the thin film, α is the absorption coefficient, Z is the film thickness, k is the extinction coefficient, and λ is the wavelength. The value of the extinction coefficient of 0.047 at a wavelength of 632.8 nm was adopted as the transmittance using I / I 0 as the thickness of the carbon layer.
（離型フィルム付銅箔の剥離力測定）
離型フィルム付銅箔を１５０ｍｍ×１０ｍｍの大きさにカットした。カットしたサンプルの銅膜面を両面テープ（ナイスタック強力タイプ）でアクリル板に固定した。剥離層を介してフィルムを銅膜から一部剥離してテンシロンに固定し、銅膜を１８０°ピールで剥離して得られた値を１ｃｍ当りの剥離力に換算して剥離力とした。ここで剥離層を有していない箇所の剥離力については幅方向で剥離層を有した箇所から測定を行い剥離層が無くなり剥離力が上昇した時の値を読み取り、剥離力値とした。
(Measurement of peeling force of copper foil with release film)
The copper foil with the release film was cut into a size of 150 mm × 10 mm. The copper film surface of the cut sample was fixed to an acrylic plate with a double-sided tape (Nystack strong type). The film was partly peeled off from the copper film via the peeling layer, fixed to Tensilon, and the copper film was peeled off at 180 ° peel. Here, the peeling force of the portion having no peeling layer was measured from the portion having the peeling layer in the width direction, and the value when the peeling layer disappeared and the peeling force increased was read, and the value was taken as the peeling force value.
（真空プレス後の剥離試験）
離型フィルム付銅箔を３４０ｍｍ×３４０ｍｍの大きさにカットして、アドフレマＮＣ０２０４（ナミックス(株)製）との貼り合わせを行った。貼り合わせは１１０℃、３０ｍｉｎ、０．５ＭＰａの後、１８０℃で１０５ｍｉｎ、３．０ＭＰａの条件で真空プレスを行った。真空条件は１６ｔｏｒｒとした。貼り合わせ後にフィルムがスムーズに剥離可能であったものを◎とし、剥離可能であったが、剥離中に一部剥離が困難であったものを○とし、剥離できなかったものは×とした。
(Peeling test after vacuum pressing)
The copper foil with a release film was cut into a size of 340 mm x 340 mm, and bonded to Adfrema NC0204 (manufactured by Namics Corporation). After bonding at 110 ° C. for 30 minutes and 0.5 MPa, vacuum pressing was performed at 180 ° C. for 105 minutes and 3.0 MPa. The vacuum condition was 16 torr.も の indicates that the film could be peeled off smoothly after lamination, and を indicates that the film could be peeled off, but partial peeling was difficult during peeling, and x indicates that the film could not be peeled off.
（実施例１）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 1)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。またスパッタガン中央部に１００ｍｍの防着版を設置し、中央部１００ｍｍも炭素層が形成されないようにした。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). In addition, a 100 mm anti-adhesion plate was provided at the center of the sputter gun so that the carbon layer was not formed even at the center of 100 mm.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０６μｍ、表面粗さＲａは０．０３μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.06 μm, and the surface roughness Ra was 0.03 μm, ie, ◎.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離することなく作製することができた。またこの離型フィルムをスリット半裁したところ、剥離することなくロール状に巻きあげることが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００２Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 The copper foil with a release film could be produced without peeling during vapor deposition. Further, when this release film was slit in half, it could be wound up in a roll without peeling. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.002 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例２）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 2)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。スパッタガン中央部には防着版を設置しなかった。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). No deposition plate was installed at the center of the sputter gun.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０４μｍ、表面粗さＲａは０．０３μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.04 μm, and the surface roughness Ra was 0.03 μm, ie, ◎.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離することなく作製することができた。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００２Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 The copper foil with a release film could be produced without peeling during vapor deposition. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.002 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例３）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 3)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０９４ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から３ｍｍずつは炭素層が形成されない）。スパッタガン中央部には防着版を設置しなかった。
炭素層の透過率は９９．９％であり換算式から算出した炭素層膜厚は１．０ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 2 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1094 mm by using an anti-adhesion plate (a carbon layer was not formed on each of 3 mm from both ends). No deposition plate was installed at the center of the sputter gun.
The transmittance of the carbon layer was 99.9%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 1.0 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０４μｍ、表面粗さＲａは０．０２μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.04 μm, and the surface roughness Ra was 0.02 μm.
離型フィルム付銅箔は銅膜剥がれが生じている箇所が一部発生したが大部分は剥離することなく作製することが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００５Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 Although the copper foil with the release film had a portion where the copper film was peeled off, the copper foil was able to be produced without peeling most of the portion. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.005 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例４）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 4)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて１．２ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。またスパッタガン中央部に１００ｍｍの防着版を設置し、中央部１００ｍｍも炭素層が形成されないようにした。
炭素層の透過率は９９．９４％であり換算式から算出した炭素層膜厚は０．６ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 1.2 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). In addition, a 100 mm anti-adhesion plate was provided at the center of the sputter gun so that the carbon layer was not formed even at the center of 100 mm.
The transmittance of the carbon layer was 99.94%, and the carbon layer thickness calculated from the conversion formula was 0.6 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０４μｍ、表面粗さＲａは０．０４μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.04 μm, and the surface roughness Ra was 0.04 μm.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離することなく作製することができた。またこの離型フィルムをスリット半裁したところ、剥離することなくロール状に巻きあげることが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．０１４Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。剥離力が多少強く、引き剥がし時にシワが発生した。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。
（実施例５）
厚さ５０μｍ、幅１０４８ｍｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、商標名“カプトン”タイプ：２００ＥＮ）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
The copper foil with a release film could be produced without peeling during vapor deposition. Further, when this release film was slit in half, it could be wound up in a roll without peeling. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.014 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. The peeling force was somewhat strong, and wrinkles occurred during peeling. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
(Example 5)
A carbon film was formed by a magnetron sputtering method on a polyimide film (trade name “Kapton” type: 200EN, manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm and a width of 1048 mm to prepare a release film.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて１２．１ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０３０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から９ｍｍずつは炭素層が形成されない）。スパッタガン中央部には防着版を設置しなかった。
炭素層の透過率は９９．４％であり換算式から算出した炭素層膜厚は６．２ｎｍであった。
As a sputtering condition for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 12.1 kW using a DC power supply. In addition, the sputtered film was formed to have a width of 1030 mm using a deposition-preventing plate (a carbon layer was not formed at 9 mm from both ends). No deposition plate was installed at the center of the sputter gun.
The transmittance of the carbon layer was 99.4%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 6.2 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．００μｍ、表面粗さＲａは０．０５μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.00 μm, and the surface roughness Ra was 0.05 μm, ◎.
離型フィルム付銅箔は銅膜剥がれが生じている箇所が一部発生したが大部分は剥離することなく作製することが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．０００８Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 Although the copper foil with the release film had a portion where the copper film was peeled off, the copper foil was able to be produced without peeling most of the portion. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.0008 N / mm, and the peel strength of the end portion and the central portion where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例６）
厚さ７５μｍ、幅１１００ｍｍのポリイミドフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｓ１０）に、グラビアコート法でメラミン樹脂を０．４μｍの厚さにコーティングし、剥離層をもつ離型フィルムを作製した。コート幅は１０８０ｍｍとし、両端部から９ｍｍずつは剥離層が形成されないようにした。
(Example 6)
A melamine resin is coated to a thickness of 0.4 μm by a gravure coating method on a polyimide film (trade name “Lumirror” type: S10, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 75 μm and a width of 1100 mm, and a release layer having a release layer A film was prepared. The coat width was 1080 mm, and no peeling layer was formed 9 mm each from both ends.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０３μｍ、表面粗さＲａは０．０２μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of this copper film was 2.03 μm, and the surface roughness Ra was 0.02 μm.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離することなく作製することができた。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．０２Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の剥離層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。剥離力が多少強く、引き剥がし時にシワが発生した。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 The copper foil with a release film could be produced without peeling during vapor deposition. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.02 N / mm, and the peel strength at the end and the central part where the peel layer was not formed was 0.2 N / mm or more. The peeling force was somewhat strong, and wrinkles occurred during peeling. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例７）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 7)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。スパッタガン中央部には防着版を設置しなかった。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). No deposition plate was installed at the center of the sputter gun.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度４．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで４．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは４．０６μｍ、表面粗さＲａは０．０３μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of this release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 4.0 μm at a film forming speed of 4.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min, and a release film. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 4.06 μm, and the surface roughness Ra was 0.03 μm.
離型フィルム付銅箔は銅膜剥がれが生じている箇所が一部発生したが大部分は剥離することなく作製することが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００１Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 Although the copper foil with the release film had a portion where the copper film was peeled off, the copper foil was able to be produced without peeling most of the portion. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.001 N / mm, and the peel strength of the end portion and the central portion where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例８）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 8)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。スパッタガン中央部には防着版を設置しなかった。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 2 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). No deposition plate was installed at the center of the sputter gun.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１０．０ｍ／ｍｉｎで０．２μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは０．２１μｍ、表面粗さＲａは０．０３μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of this release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 0.2 μm at a film formation rate of 2.0 μm · m / min and a line speed of 10.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 0.21 μm, and the surface roughness Ra was 0.03 μm, ie, ◎.
離型フィルム付銅箔は銅膜剥がれが生じている箇所が一部発生したが大部分は剥離することなく作製することが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．０２９Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、一部離型フィルム剥離が困難となり、剥離困難な部分に銅面に樹脂の浸み出しが生じており、○であった。 Although the copper foil with the release film had a portion where the copper film was peeled off, the copper foil was able to be produced without peeling most of the portion. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.029 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. When this release film-attached copper foil and resin were bonded and then the release film was peeled off, peeling of the release film became partly difficult, and resin leaching occurred on the copper surface in the part where peeling was difficult. And it was ○.
（実施例９）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 9)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは形成されない）。炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。 As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm using a deposition-preventing plate (10 mm was not formed from both ends). The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの離型面にマグネトロンスパッタリング法で銅膜を形成した。銅膜形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて１０ｋｗを採用した。スパッタリング法で０．０８μｍの銅の厚みを製膜した。その後、この銅表面に銅めっきによって２．０μｍ厚みの銅膜を形成した。この銅膜の厚みは平均２．１２μｍであったが測定箇所による厚みばらつきは大きかった。表面粗さＲａは０．０９μｍで○であった。 A copper film was formed on the release surface of the release film by magnetron sputtering. As sputtering conditions for forming a copper film, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 10 kW using a DC power supply. A copper film having a thickness of 0.08 μm was formed by a sputtering method. Thereafter, a copper film having a thickness of 2.0 μm was formed on the copper surface by copper plating. The thickness of this copper film was 2.12 μm on average, but the thickness variation between measurement points was large. The surface roughness Ra was 0.09 μm and was ○.
離型フィルム付銅箔は銅膜剥がれが生じている箇所が一部発生したが大部分は剥離することなく作製することが出来た。この離型フィルムの中央部の引き剥がし強さは０．００５Ｎ／ｍｍ、端部の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。剥離力が多少強く、引き剥がし時にシワが発生した。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有しておらず粒上であった。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 Although the copper foil with the release film had a portion where the copper film was peeled off, the copper foil was able to be produced without peeling most of the portion. The peel strength at the center of the release film was 0.005 N / mm, and the peel strength at the end was 0.2 N / mm or more. The peeling force was somewhat strong, and wrinkles occurred during peeling. Further, when the cross section of the copper foil was observed by TEM, it was found to have no columnar crystals and to be on the grains. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（実施例１０）
厚さ７５μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｘ１０Ｓ）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Example 10)
A release layer was prepared by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film having a thickness of 75 μm and a width of 1100 mm (trade name “Lumirror”: X10S, manufactured by Toray Industries, Inc.) by magnetron sputtering.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１０８０ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部から１０ｍｍずつは炭素層が形成されない）。またスパッタガン中央部に１００ｍｍの防着版を設置し、中央部１００ｍｍも炭素層が形成されないようにした。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1080 mm by using an adhesion-preventing plate (a carbon layer was not formed at 10 mm from both ends). In addition, a 100 mm anti-adhesion plate was provided at the center of the sputter gun so that the carbon layer was not formed even at the center of 100 mm.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０１μｍ、表面粗さＲａは０．１３μｍで×であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. This copper film had a thickness of 2.01 μm and a surface roughness Ra of 0.13 μm and was x.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離することなく作製することができた。またこの離型フィルムをスリット半裁したところ、剥離することなくロール状に巻きあげることが出来た。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００２Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、良好に剥離することが出来、◎であった。 The copper foil with a release film could be produced without peeling during vapor deposition. Further, when this release film was slit in half, it could be wound up in a roll without peeling. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.002 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off.
（比較例１）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
(Comparative Example 1)
A release layer was produced by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１１００ｍｍの幅で形成されるようにした（両端部の形成されない箇所は無し）。
炭素層の透過率は９９．９１％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1100 mm using an anti-adhesion plate (there is no place where both ends are not formed).
The transmittance of the carbon layer was 99.91%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製しようとしたが工程中に銅膜剥がれが生じて離型フィルム付銅箔を作製できなかった。
（比較例２）
厚さ１００μｍ、幅１１００ｍｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、商標名“ルミラー”タイプ：Ｕ４８３）に、マグネトロンスパッタリング法で炭素層を形成して離型フィルムを作製した。
Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attempt was made to produce a copper foil with a release film, but the copper film was peeled off during the process, and a copper foil with a release film could not be produced.
(Comparative Example 2)
A release layer was prepared by forming a carbon layer on a biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name “Lumirror”: U483) having a thickness of 100 μm and a width of 1100 mm by a magnetron sputtering method.
炭素層形成のスパッタリング条件としては、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、真空到達度は１×１０−２Ｐａ以下、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて５ｋｗを採用した。また、スパッタ膜は防着板を用いて１１００ｍｍの幅で形成されるようにした。
炭素層の透過率は９９．８％であり換算式から算出した炭素層膜厚は２．５ｎｍであった。
As the sputtering conditions for forming the carbon layer, a target having a size of 70 mm × 550 mm was used, the degree of vacuum reached was 1 × 10 −2 Pa or less, and the sputtering output was 5 kW using a DC power supply. Further, the sputtered film was formed to have a width of 1100 mm using a deposition-preventing plate.
The transmittance of the carbon layer was 99.8%, and the thickness of the carbon layer calculated from the conversion formula was 2.5 nm.
この離型フィルムの炭素層形成面に電子ビーム蒸着法によって銅を成膜速度２．０μｍ・ｍ／ｍｉｎ、ライン速度１．０ｍ／ｍｉｎで２．０μｍの厚さに真空蒸着して離型フィルム付銅箔を作製した。この銅膜の厚みは２．０６μｍ、表面粗さＲａは０．０３μｍで◎であった。 Copper is vacuum-deposited on the carbon layer forming surface of the release film by an electron beam evaporation method to a thickness of 2.0 μm at a film forming speed of 2.0 μm · m / min and a line speed of 1.0 m / min. An attached copper foil was produced. The thickness of the copper film was 2.06 μm, and the surface roughness Ra was 0.03 μm, ie, ◎.
離型フィルム付銅箔は蒸着中において剥離が生じたが枚葉サンプルは採取することが出来た。枚葉サンプルは銅膜と離型フィルムが剥がれている箇所が生じていた。この離型フィルムの剥離部の引き剥がし強さは０．００２Ｎ／ｍｍ、端部および中央部の炭素層が形成されていない箇所の引き剥がし強さは０．２Ｎ／ｍｍ以上あった。また銅箔の断面をＴＥＭ観察したところ柱状晶を有していた。この離型フィルム付銅箔と樹脂の貼り合わせを行い、その後離型フィルムを剥離したところ、銅箔に亀裂が生じており樹脂が浸みだして剥離することが出来ず、×であった。 The release of the copper foil with the release film occurred during the vapor deposition, but a single-wafer sample could be collected. In the single-wafer sample, there were portions where the copper film and the release film were peeled off. The peel strength of the peeled portion of the release film was 0.002 N / mm, and the peel strength of the end and center portions where the carbon layer was not formed was 0.2 N / mm or more. When the cross section of the copper foil was observed with a TEM, it had columnar crystals. The copper foil with the release film was bonded to the resin, and then the release film was peeled off. As a result, the copper foil was cracked and the resin leached out and could not be peeled off.
Claims (5)
The copper foil with a release film according to any one of claims 1 to 4, wherein the film is a polyimide film or a polyester film, and the copper film has columnar crystals in a thickness direction.
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