JP6669387B2 - 電源装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
図12(a)は、従来の電流共振回路を有する電源装置129(電流共振電源)の回路構成を示す回路図である。図12(a)において、電源プラグ101を交流電源のコンセントに接続することにより、交流電圧が電源装置129に供給される。供給された交流電圧は、ノイズ低減用のラインフィルタ(不図示)を介してダイオードブリッジ102で全波整流され、平滑コンデンサ103により直流電圧に平滑される。第一のスイッチング手段であるハイサイドFET104(以下、FET104という)、第二のスイッチング手段であるローサイドFET105(以下、FET105という)は直列接続されるとともに、平滑コンデンサ103に並列接続されている。そして、FET105と並列に、トランス106の一次巻線と共振コンデンサ107が直列接続されている。即ち、FET105のドレイン端子は、トランス106の一次巻線の端部である一端と接続され、FET105のソース端子は、トランス106の一次巻線と接続されている端子の他端と接続されている。平滑コンデンサ103で平滑された直流電圧は、FET104とFET105をおおよそ50%のデューティで交互に駆動することで、共振コンデンサ107とトランス106のLC回路に方形波電圧を印加する。これにより、一次側と二次側とが絶縁された変圧素子であるトランス106の一次巻線106aに電流を流すとともに、容量素子である共振コンデンサ107に電荷を蓄積する。
また、スイッチング周波数とゲインの関係は、図12(b)に示される特性グラフのようになる。図12(b)において、横軸はスイッチング周波数(単位:kHz)、縦軸はゲインを示し、破線で示される負荷曲線Aは重負荷時における、実線で示される負荷曲線Bは軽負荷時におけるスイッチング周波数とゲインの関係の関係を示している。必要とするゲインは、トランスの入力電圧と二次側の負荷によって変化する。また、共振外れを防ぐため、負荷曲線においてゲインがピークのときの周波数よりも高い周波数での制御が必要になる。例えば負荷曲線Aに対し、入力電圧が高ければ必要とするゲインは小さくなるため周波数を高く制御し、入力電圧が低ければ必要とするゲインは大きくなるため、周波数を低く制御する。入力電圧が一定の場合は必要とするゲインも一定のため、同じゲインに対して、各負荷曲線とゲインとが交差する周波数で制御を行うことになる。例えば図12(b)において、入力電圧に対するゲインが1.6の場合には、軽負荷時には負荷曲線Bと交差する周波数である約88kHzで制御され、重負荷時には負荷曲線Aと交差する周波数である約80kHzで制御される。このように入力電圧と二次側負荷の変動に対して制御する周波数を変化させることで、出力電圧Voが一定になるように制御が行われる。
図13は、図12(a)のトランス106を等価回路で表した電源装置129の回路図である。図13では、図12(a)と同じ回路要素については同じ符号を使用し、図12(a)の一部の回路構成を省略している。図13(a)において、トランス106の一次側は、漏れインダクタンス801、802、励磁インダクタンス803、直流抵抗804から構成されている。漏れインダクタンス801は、トランス106における一次側の漏れインダクタンスであり、電源装置129では、一次側の漏れインダクタンス801を回路動作に使用しているため、必要な要素である。漏れインダクタンス802は、二次側の漏れインダクタンスを一次側に換算した漏れインダクタンスである。一方、トランス106の二次側は、直流抵抗805、806から構成されている。直流抵抗805は、正側出力用の二次巻線の直流抵抗であり、直流抵抗806は、負側出力用の二次巻線の直流抵抗である。ここで、正側出力とは、トランス106の一次側電流をFET104、105の中間点から一次巻線を介して共振コンデンサ107に流した場合の出力である。一方、負側出力とは、トランス106の一次側電流を、共振コンデンサ107から一次巻線を介して、FET104、105の中間点に流した場合の出力である。
図14(a)は、トランス106の二次側に所定の負荷が接続されたときのFET104、105に流れる電流波形Idh、Idlを示した図であり、横軸は時間(t)を、縦軸は電流(I)を示す。図14(a)は、図12(a)のFET104とFET105の電流波形であり、図14(a)において、電流IdhはFET104が導通時の期間301に流れる電流であり、電流IdlはFET105が導通時の期間302に流れる電流である。
図1は、実施例1の電流共振回路を備える電源装置129の回路構成を示す回路図である。図12(a)で説明した従来例の電源装置129と異なる点は、トランス106の代わりにトランス111を用いている点と、トランス111の一次巻線の構成が変更され、一次巻線の切り換えを行うスイッチ112が追加されている点である。図1において、トランス111は電流共振トランスを表わし、第一の一次巻線(以下、単に一次巻線という)111aは軽負荷時に使用する一次巻線、第二の一次巻線(以下、単に一次巻線という)111bは重負荷時に使用する一次巻線である。従来例のトランス106の一次巻線に対して、本実施例では、軽負荷用の一次巻線111aを追加した点が異なる。また、トランス111の二次巻線の構成はトランス106と同じであるが、図12(a)の二次巻線106cに対して図1では二次巻線111c、二次巻線106dに対しては二次巻線111dとしている。なお、図1では、前述した図12(a)の回路と同じ回路構成については同じ符号を付し、ここでの説明を省略する。
図2(a)は、図1に示すトランス111の内部構成を説明するためのトランス111の断面を示す断面図である。トランス111は、分割型のトランスであり、一次巻線と二次巻線の領域を仕切る仕切り部114aを有している。図2(a)において、スペーサ113は、軽負荷用の一次巻線111aを二次巻線111c、111dに近接させ、かつ巻線の位置を安定させるために設けられている。スペーサ113には厚みのあるテープを巻いてもよいし、薄いテープを何層か巻いてもよい。ボビン114には一次巻線111a、111b、及び二次巻線111c、111dが巻かれ、ボビン114に挿入かつ固定するコア115は磁性材料で作られている。
平滑コンデンサ103の端子間電圧が325V、出力電圧Voが25Vの条件で考えると、このときの励磁電流は、シミュレーション結果によると、二次側の負荷電流が1A出力時、約1.38Aとなる。
図2(b)は、二次側の出力電圧Voが25V、負荷電流が10A出力時の場合で、上述した条件(B)、条件(C)のときの出力特性曲線の例であり、横軸はスイッチング周波数(単位:kHZ)、縦軸は出力電圧Vo(単位:V)を示す。図2(b)において、破線で示す出力特性曲線303は上述した条件(B)の場合の出力特性を、実線で示す出力特性曲線304は上述した条件(C)の場合の出力特性を、それぞれ示す。この場合、2つの出力特性曲線303、304の出力特性の出力電圧のピーク部である最大出力電圧は、どちらも約46.5Vでほぼ同じである。上述したように、励磁電流は、条件(B)の場合の方が条件(C)の場合よりも減少しているため、シミュレーション結果によれば、次のことがわかる。即ち、同じピーク特性を持つパラメータでは、条件(C)のように共振コンデンサ107の容量を変えるよりも、条件(B)のように軽負荷用の一次巻線111aに切り換えた方が、励磁電流は減少することがわかる。
式(2)より、例えば一次巻線の巻数を増やせば、一次インダクタンスを大きくすることができることがわかる。
トランス111の一次巻線、二次巻線の内部構成の例を図3(a)〜(e)に示す。図3(a)、(b)では、ボビン114の中央に仕切り部114aを有する分割型のトランスを使用し、図3(c)〜(e)では、ボビン114に仕切り部を有しない積層型のトランスを使用している。図3に示すトランス111は、図2(a)と同様に、重負荷用の一次巻線111bの漏れインダクタンスを大きくするような内部構成としている。これにより、励磁電流が大きくなり、供給可能な最大負荷電流をより大きくすることができる。図3(a)、(b)は、図2(a)で示したトランスの内部構成の変形例である。図3(a)では、ボビン114の中央の仕切り部114aを挟んで、図中左側には一次巻線111a、111b、図中右側には二次巻線111c、111dが巻かれている。更に、ボビン114に対して、重負荷用の一次巻線111bは内側に巻かれ、軽負荷用の一次巻線111aは、一次巻線111bの外側に巻かれている。また、一次巻線111bとボビン114の仕切り部114aとの間にはスペーサ113が挿入され、一次巻線111aと比べて、一次巻線111bと二次巻線111c、111dとの間の距離を広げている。ボビン114に対して、二次巻線111dは内側に巻かれ、二次巻線111cは、二次巻線111dの外側に巻かれている。
図4(a)は、本実施例のトランス111の一次巻線の切り換え回路の一例を示す回路図である。実施例1では、切り換え回路であるスイッチ112では2接点のリレー素子を用いていたが、図4(a)では、2つのスイッチ、実際には1接点のリレーを2つ使用している点が異なる。2つのスイッチのうち、第一のスイッチ手段であるスイッチ117は、軽負荷時にオンするスイッチで、第二のスイッチ手段であるスイッチ118は重負荷時にオンするスイッチである。スイッチ117、118にはリレーを使用しているが、図4(a)では、リレー素子で構成されるスイッチ117、118を制御する回路は省略している。
図4(b)は、本実施例のトランス111の一次巻線の切り換え回路の一例を示す回路図である。図4(b)では、実施例1の図1、本実施例の図4(a)の回路と異なり、1接点のリレーを1つ使用した構成である点が異なる。図4(b)では、重負荷用の一次巻線111bは常に接続されており、切り換え手段であるスイッチ119を軽負荷時にオンさせ、重負荷時にはオフさせることにより、一次巻線の接続の切り換えを行う。図4(b)において、スイッチ119をオンした場合には、図4(a)のスイッチ117とスイッチ118をオンした場合と同じ回路となり、軽負荷時の効率を向上させることができる。図4(b)では、軽負荷時にスイッチ119をオンさせる構成であるため、図4(a)と同じく、軽負荷時の負荷電流に応じた定格電流のスイッチ119を選択することができる。
図4(c)は、本実施例のトランス111の一次巻線の切り換え回路の一例を示す回路図である。図4(c)では、切り換え手段であるスイッチ120に1接点のリレーを使用し、軽負荷用の一次巻線111aに並行に接続している点が、上述した実施例とは異なる。図4(c)の回路では、重負荷時にはスイッチ120をオンすることにより、一次巻線は、重負荷用の一次巻線111bだけが接続された状態となる。その結果、一次側電流は重負荷用の一次巻線111bには流れるが、軽負荷用の一次巻線111aには殆ど電流が流れないショート(短絡)状態となる。一方、軽負荷時には、スイッチ120はオフされ、一次巻線は重負荷用の一次巻線111bと軽負荷用の一次巻線111aが直列に接続された構成となり、2つの一次巻線111a、111bに電流が流れる。
式(3)において、Vmは入力電圧、Voは出力電圧、Mは出力電圧ゲインを表わす。スイッチ120をオン、又はオフすることによって、一次巻線の巻数が変わることにより巻数比を切り換え、入力電圧範囲が広い場合であっても、出力電圧及び出力電流を供給するのに適したゲインを得ることが可能になる。また、重負荷時は、スイッチ120をオンすることにより、前述した式(2)で示されるように、一次巻線の巻数を減らし、一次インダクタンスを下げることができる。これにより、励磁電流を大きくし、大きな出力電流が供給可能となる。
図5は、本実施例の電源装置129を備えた電子機器130の模式図である。図5に示すように、電子機器130は、電源装置129から供給される電力により、二次側負荷である負荷125を駆動する。電子機器130は、電子機器130の動作を制御する制御手段であるCPU124を備え、CPU124は、負荷125の状態に応じて、2つの動作モード、即ち通常モードとスタンバイモードを制御する。スタンバイモードは、駆動される負荷125が少ない軽負荷の場合の動作モードであり、通常モードは、スタンバイモードに比べ、駆動される負荷125が多い重負荷の場合の動作モードである。CPU124は、負荷125の状態に応じて、電源装置129に対し、スタンバイモード(軽負荷)又は通常モード(重負荷)を通知するStandby信号を出力する。
図6は、図5の一次巻線111aの接続、切断を制御するリレー121の制御シーケンスを示すフローチャートであり、電子機器130が電源オンすると起動され、CPU124により実行される。ステップ(以下、Sという)401では、CPU124は負荷125が軽負荷のスタンバイモードかどうかを判断する。CPU124は、負荷125はスタンバイモードと判断した場合には処理をS402に進め、スタンバイモードではない(通常モードである)と判断した場合には、処理をS404に進める。S402では、CPU124は、出力しているStandby信号のレベルがハイ(Hi)レベルかどうかを判断する。CPU124は、出力しているStandby信号のレベルがハイレベルであると判断した場合には処理をS404に進め、ハイレベルではない(ローレベルである)と判断した場合には、処理をS403に進める。S403では、CPU124は、Standby信号をハイレベル(Hi状態)に設定する。これにより、上述したように、リレー121がオンし、二次側負荷の軽負荷状態に合わせて、一次巻線111a、111bに電流が流れる。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
図7は、本実施例の電源装置129の回路構成を示す回路図である。実施例3の図5に示す電源装置129の回路構成と比べて、CPU124から出力されるStandby信号の信号線が削除され、トランス111の二次側の負荷電流を検知し、リレー121を制御する検知部が追加されている。なお、図7において、実施例3の図5と同様の回路構成については、同一の符号を使用することにより、ここでの説明を省略する。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
図8に示す本実施例の電源装置129の回路構成について説明する。図8に示す電源装置129の回路図は、前述した実施例2の図4(c)の回路図に、スイッチ120の制御を行う回路を追加した回路図である。図4(c)では、スイッチ手段であるスイッチ120はリレーであったが、本実施例では、スイッチ手段としてFET211を使用し、制御手段であるトランジスタ213、フォトカプラ216、抵抗212、214、215、217、218が追加されている。なお、図8のその他の回路については、上述した実施例1〜4と同様の回路部品であり、ここでの説明を省略する。共振コンデンサ206は、上述した実施例1〜4と同様に、電圧が印加されることにより電荷を蓄積(充電))するとともに、トランス111の一次巻線111a、111bに電流を流す。なお、共振コンデンサ206は、上述した実施例1〜4の共振コンデンサ107とは回路上での配置位置は異なるが、共振コンデンサとしての動作は同じである。また、図8では、一次巻線111bの巻き終わりと111aの巻き始めを共通ラインで描いている。本実施例のトランス111の構成としては、所定のピンを共通ピンとして共絡げの構成にしてもよいし、もしくは共通ピンではなく別ピン構成として、プリント基板のパターンで接続してもよい。
図8に示す回路構成の電源装置129では、電子機器130の動作状態が重負荷状態である通常モードの場合には、信号入力端子219の入力信号のレベルがハイレベルになる。この場合、フォトカプラ216の発光ダイオード216aに、電圧Voから抵抗217を介して電流が流れる。フォトカプラ216の発光ダイオード216aは電流が流れるとその電流値に応じた光を発し、発光ダイオード216aが発する光を受光したフォトトランジスタ216bはオン状態となる。その結果、FET211を駆動する電源電圧である電圧Vccから抵抗214を経由して、トランジスタ213のベース端子に電流が流れる。そして、抵抗214の両端に生じる電圧が、トランジスタ213のベース−エミッタ間電圧以上になると、トランジスタ213はオン状態となり、電圧Vccが抵抗212に印加される。そして、電圧Vccが印加された抵抗212を介して電流が流れ、FET211のゲート端子に電圧が印加されることにより、FET211がオンする。その結果、FET211のドレイン−ソース間がショート状態、即ち一次巻線111aの両端子間がショート(短絡)状態となる。このとき、トランス111の一次巻線の回路接続状態としては、一次巻線111b、111aのうち、一次巻線111aが回路的に存在しない状態となり、一次巻線111bのみに電流が流れている状態となる。トランス111の一次巻線の構成が一次巻線111bのみの状態で、必要とする最大電力を二次側負荷に供給できるように、回路定数の設定が行われる。
ここで、Imは励磁電流、nは巻数比、Voは出力電圧、fはスイッチング周波数、Lmは励磁インダクタンスを指している。
図8に示す回路構成の電源装置129では、電子機器130の動作状態が軽負荷状態であるスタンバイモードの場合には、信号入力端子219の入力信号のレベルがローレベルになる。この場合、フォトカプラ216の発光ダイオード216aには電流は流れず、その結果、フォトトランジスタ216bもオフ状態となるため、トランジスタ213もオフ状態となる。トランジスタ213がオフ状態であるため、FET211のゲート端子には電圧Vccが印加されず、FET211はオフ状態となる。したがって、トランス111の一次巻線の構成は、一次巻線111bと一次巻線111aが直列接続された状態となり、信号入力端子219の入力信号がハイレベルの場合と比べて、一次巻線の巻数が増加した状態に切り替わる。
ここで、Iopは負荷電流を一次側に変換した電流、Ioは負荷電流、nは巻数比である。式(5)より、一次巻線数を増やして巻数比nを上げると、一次側に変換した負荷電流Iopは低下することになり、励磁電流と合わせた一次側電流は、より低下することになる。ただし、そもそも軽負荷状態では負荷電流は殆ど流れていないため、この電流Iop自体、励磁電流と比較すると非常に小さい電流となっている。即ち、軽負荷状態における一次側電流は、励磁電流が殆ど支配的となっている。
<条件1>
このときの一次インダクタンス:65μH、漏れインダクタンス:30μH、一次巻線数:28ターン、二次巻線数:6ターン、負荷電流:0.01Aである。
このときのシミュレーション結果では、一次側電流の電流値は7.9Aであった。
<条件2>
このときの一次インダクタンス:102μH、漏れインダクタンス:30μH、一次巻線数:35ターン、二次巻線数:6ターン、負荷電流:0.01Aである。
条件2では、条件1に比べ、一次巻線数を7ターン(=35ターン−28ターン)増やした結果、一次側インダクタンスが37μH(=102μH−65μH)増加した。このときのシミュレーション結果では、一次側電流の電流値は6.2Aであり、約22%(=((7.9A−6.2A)/7.9A)×100(%))の低減効果があった。
図9(b)は、電流共振方式の電源装置129に使用される分割型のトランス111の断面を示した断面図である。図9(b)において、コア401は磁性材料としてのフェライトコアであり、ボビン402は、コア401を物理的に固定し、一次巻線、二次巻線の巻き領域を形成するためのボビンである。本実施例のトランス111は、上下からE型状のコア401をボビン402に通す縦型のトランスを表している。下側のコア401は、トランス111の直流重畳特性を延ばすために所定距離の間隙を構成し、コア401の中央部分に対して線対称の関係で一次巻線、二次巻線がボビン402に巻かれている。図9(b)中の403は図8の一次巻線111b、404は一次巻線111a、405は二次巻線111c、406は二次巻線111dに対応している。二次巻線405、406は、一次巻線403との結合を可能な限り近付けるため、交互に重ねるように巻かれている。ピン407は、各巻線を電気的に接続し、また、プリント基板(不図示)に半田付けするための絡げピンである。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
本実施例のトランス111の内部構成を表した断面図が図10(a)であり、実施例5の図9(b)の構成と同じ要素については、同一符号を付している。図10(a)では、ボビン402の内層に一次巻線403(図8の一次巻線111bに対応)を巻き、その上の層に一次巻線404(図8の一次巻線111aに対応)を巻いている。更に、一次巻線404の上の層に、図10(a)の上下方向に分けて、二次巻線405(図8の二次巻線111cに対応)、406(図8の二次巻線111dに対応)を巻いている。バリアテープ501は、各巻線間の沿面距離を確保するためのバリアテープであり、各巻線の巻数が少ない場合に、その巻き位置を設定するための目的にも使用する。なお、ボビン402と一次巻線403、404、二次巻線405、406の間に介在する白い部分がバリアテープである。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
本実施例の電源装置129の回路は、実施例5の図8に示す回路図において、FET211のオン、オフを制御する回路を削除し、FET105のゲート端子とFET211のゲート端子との間に、図10(b)に示す回路を追加した回路となる。即ち、図8の回路図において、FET211のゲート端子と信号入力端子219との間の回路要素である、トランジスタ213、フォトカプラ216、抵抗212、214、215、217、218を削除する。そして、これらの回路要素を取り除いた図8の回路図において、図10(b)に示す回路の入力端子601をFET105のゲート端子に接続し、出力端子608をFET211のゲート端子に接続した回路図が、本実施例での電源装置129の回路図となる。なお、その他の回路構成については、図8と同様であり、ここでの説明を省略する。以下では、本実施例で追加した回路部分について説明する。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
図11は、実施例1〜7で説明した電源装置129を備えた電子機器130の一例として、画像形成装置であるレーザビームプリンタ700の概略構成を示す断面図である。レーザビームプリンタ700は、静電潜像が形成される像担持体としての感光ドラム701、感光ドラム701を一様に帯電する帯電部702、感光ドラム701上に静電潜像を形成するレーザスキャナユニット708を備えている。更に、レーザビームプリンタ700は、感光ドラム701に形成された静電潜像をトナーで現像し、トナー像を形成させる現像部703を備えている。レーザビームプリンタ700は、感光ドラム701上のトナー像をカセット704から供給された記録材であるシート(不図示)に転写部705によって転写し、シートに転写されたトナー像を定着器706で定着させた後、シートをトレイ707に排出する。なお、画像形成部は、感光ドラム701、帯電部702、レーザスキャナユニット708、現像部703、転写部705から構成されている。また、レーザビームプリンタ700は、低圧電源である電源装置709を備えている。電源装置709は、上述した実施例1〜7の電源装置129に相当する。なお、実施例1〜7の電源装置129を適用可能な画像形成装置は、図11に例示したものに限定されず、例えば複数の画像形成部を備える画像形成装置であってもよい。更に、感光ドラム701上のトナー像を中間転写ベルトに転写する一次転写部と、中間転写ベルト上のトナー像をシートに転写する二次転写部を備える画像形成装置であってもよい。
以上説明したように、本実施例によれば、軽負荷時の効率を向上させることができる。
105 FET
107 共振コンデンサ
111 トランス
111a、111b 一次巻線
112 スイッチ
Claims (8)
- 一次側と二次側が絶縁されたトランスと、直列に接続された第一のスイッチング手段及び第二のスイッチング手段と、前記トランスの一次巻線に直列に接続された共振コンデンサと、を備え、
前記第二のスイッチング手段の一端は、前記一次巻線の前記共振コンデンサと接続された端部とは異なる端部に接続され、前記第二のスイッチング手段の他端は、前記共振コンデンサの前記一次巻線と接続された端部とは異なる端部に接続され、前記第一のスイッチング手段がオンされている場合には前記第二のスイッチング手段をオフし、前記第二のスイッチング手段がオンされる場合には前記第一のスイッチング手段をオフするように、前記第一のスイッチング手段と前記第二のスイッチング手段とを交互に動作させることにより、前記一次巻線と前記共振コンデンサを共振させて前記トランスの二次巻線に接続された負荷に電力を供給する電源装置であって、
前記一次巻線は、第一の一次巻線及び第二の一次巻線を有し、
一端を前記共振コンデンサに接続され、他端は前記第一の一次巻線に接続可能な第一のスイッチ手段と、一端を前記共振コンデンサに接続され、他端は前記第二の一次巻線に接続可能な第二のスイッチ手段と、を備え、
前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段は、前記負荷に応じて、それぞれ前記第一の一次巻線と前記共振コンデンサとの接続又は切断、前記第二の一次巻線と前記共振コンデンサとの接続又は切断を行うことを特徴とする電源装置。 - 前記負荷が軽負荷の場合には、前記第一のスイッチ手段をオンして、前記共振コンデンサと前記第一の一次巻線とを接続し、前記負荷が重負荷の場合には、前記第二のスイッチ手段をオンして、前記共振コンデンサと前記第二の一次巻線とを接続することを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
- 前記負荷が重負荷の場合には、前記第二のスイッチ手段をオンして、前記共振コンデンサと前記第二の一次巻線とを接続し、
前記負荷が中負荷の場合には、前記第一のスイッチ手段をオンして、前記共振コンデンサと前記第一の一次巻線とを接続し、
前記負荷が軽負荷の場合には、前記第一のスイッチ手段及び第二のスイッチ手段をオンして前記第一の一次巻線と前記第二の一次巻線を並列に接続し、前記共振コンデンサと前記第一の一次巻線及び前記第二の一次巻線とを接続することを特徴とする請求項1に記載の電源装置。 - 前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段を制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記負荷の状態を通知する信号に応じて、前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段をオン又はオフすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電源装置。 - 前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段は、リレー素子であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。
- 前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段は、双方向サイリスタであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源装置。
- 記録材に画像形成を行う画像形成手段と、
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電源装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。 - 記録材に画像形成を行う画像形成手段と、
前記画像形成手段を制御するコントローラと、
を備えた画像形成装置であって
請求項4に記載の電源装置と、
を備え、
前記コントローラは、前記画像形成装置の負荷の状態に基づいて、前記制御手段に前記負荷の状態を通知する信号を出力することを特徴とする画像形成装置。
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