JP6669197B2 - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents
Light emitting device and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP6669197B2 JP6669197B2 JP2018109992A JP2018109992A JP6669197B2 JP 6669197 B2 JP6669197 B2 JP 6669197B2 JP 2018109992 A JP2018109992 A JP 2018109992A JP 2018109992 A JP2018109992 A JP 2018109992A JP 6669197 B2 JP6669197 B2 JP 6669197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- circuit board
- light emitting
- light source
- reflecting member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same.
例えば特許文献１，２には、回路基板の裏面に実装される発光装置が記載されている。 For example, Patent Literatures 1 and 2 disclose a light emitting device mounted on a back surface of a circuit board.
しかしながら、特許文献１，２に記載の発光装置においては、樹脂モールド（キャップ）を有する発光部が比較的大きく、その分、発光部が差し込まれる回路基板の孔（開口部）も比較的大きく設ける必要がある。また、そのため、回路基板の孔及び／又はその近傍での光の吸収や漏れを生じやすい。 However, in the light emitting devices described in Patent Documents 1 and 2, the light emitting portion having the resin mold (cap) is relatively large, and accordingly, the hole (opening) of the circuit board into which the light emitting portion is inserted is provided relatively large. There is a need. In addition, light absorption and / or leakage in the hole of the circuit board and / or in the vicinity thereof are likely to occur.
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、従来に比べ小型化でき、高い光の取り出し効率が得られる発光装置、及び／又はそのような発光装置が得られる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to manufacture a light-emitting device that can be downsized compared to the related art and has high light extraction efficiency, and / or a light-emitting device that can obtain such a light-emitting device. The aim is to provide a method.
上記課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、上面から下面に貫通する孔を有する回路基板と、配線基板の上面に、フリップチップ実装された発光素子を含む光源部が設けられた光源装置と、を備え、前記光源装置は、前記光源部が前記回路基板の孔に挿入されて、前記配線基板の上面が前記回路基板の下面に接合されており、前記配線基板上に、前記発光素子の側面に接する光反射部材が設けられていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes a circuit board having a hole penetrating from an upper surface to a lower surface, and a light source unit including a light emitting element mounted on a flip chip on an upper surface of a wiring substrate. A light source device, wherein the light source unit is such that the light source unit is inserted into a hole of the circuit board, an upper surface of the wiring board is joined to a lower surface of the circuit board, and A light reflecting member is provided in contact with a side surface of the light emitting element.
また、本発明に係る別の発光装置は、上面から下面に貫通する孔を有する回路基板と、配線基板の上面に、フリップチップ実装された発光素子を含む光源部が設けられた光源装置と、を備え、前記光源装置は、前記光源部が前記回路基板の孔に挿入されて、前記配線基板の上面が前記回路基板の下面に接合されており、前記配線基板上における前記回路基板の孔の下方側の縁近傍に光反射部材が設けられており、前記光反射部材は、前記光源部の側面に接して設けられていることを特徴とする。 Further, another light emitting device according to the present invention, a circuit board having a hole penetrating from the upper surface to the lower surface, a light source device provided with a light source portion including a light emitting element mounted on the upper surface of the wiring board flip-chip, The light source device, wherein the light source unit is inserted into the hole of the circuit board, the upper surface of the wiring board is joined to the lower surface of the circuit board, and the hole of the circuit board on the wiring board A light reflecting member is provided near the lower edge, and the light reflecting member is provided in contact with a side surface of the light source unit.
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、上面から下面に貫通する孔を有する回路基板と、配線基板の上面に、フリップチップ実装された発光素子を含む光源部が設けられた光源装置と、光反射部材と、を備える発光装置の製造方法であって、前記光源装置の前記光源部を前記回路基板の孔に挿入し前記配線基板の上面を前記回路基板の下面に接合する第１工程と、前記第１工程の後、前記光反射部材を、前記配線基板上における前記回路基板の孔の下方側の縁近傍に形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 Further, a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a circuit board having a hole penetrating from an upper surface to a lower surface, and a light source device provided with a light source unit including a light emitting element mounted on a wiring board on an upper surface of a wiring board. And a light reflecting member, wherein the light source unit of the light source device is inserted into a hole of the circuit board, and the upper surface of the wiring board is joined to the lower surface of the circuit board. And, after the first step, a second step of forming the light reflecting member near the lower edge of the hole of the circuit board on the wiring board.
本発明によれば、従来に比べ小型化でき、高い光の取り出し効率が得られる発光装置、及び／又はその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a light-emitting device that can be downsized as compared with the related art and that can obtain high light extraction efficiency, and / or a method for manufacturing the same.
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置及びその製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device and the manufacturing method thereof described below are for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. In addition, the size, the positional relationship, and the like of the members illustrated in each drawing may be exaggerated for clarity of description.
また、本発光装置に係る「上」及び「下」の特定は、鉛直方向（重力の方向）によらず、本発光装置の使用時の向きを限定しない。主として、本発光装置の上方が主たる発光方向であり、本発光装置の上面を正面とすることができる。 Further, the specification of “up” and “down” according to the present light emitting device does not limit the orientation at the time of using the present light emitting device regardless of the vertical direction (direction of gravity). The main light emitting direction is mainly above the light emitting device, and the upper surface of the light emitting device can be the front.
＜実施の形態１＞
図１（ａ）は実施の形態１に係る発光装置１００の概略上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面を拡大して示す概略断面図であり、図１（ｃ）はこの発光装置１００が備える光源装置１０の概略斜視図である。
<First Embodiment>
FIG. 1A is a schematic top view of a
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、実施の形態１に係る発光装置１００は、光源装置１０と、回路基板４０と、を備えている。回路基板４０は、上面から下面に貫通する孔４５を有する。光源装置１０は、配線基板３０と、その上面に設けられた光源部２０と、を有する。光源部２０は、フリップチップ実装された発光素子２５を含む。光源装置１０は、光源部２０が回路基板の孔４５に挿入されて、配線基板３０の上面が回路基板４０の下面に接合されている。配線基板３０上には、発光素子２５の側面に接する光反射部材６０が設けられている。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
より詳細には、発光装置１００は、例えば液晶ディスプレイのエッジ型バックライト装置の光源として利用可能な発光装置である。発光装置１００（回路基板４０）は、上面視で一方向（「横」方向とする）に長い形状を有する。光源装置１０も同様に、上面視で横方向に長い形状を有する。回路基板４０は、基材４７と、その基材上に設けられた回路配線４８と、その基材及び／又は回路配線上に設けられた保護膜４９と、を有する。回路基板の孔４５は、複数設けられており、横方向に略等間隔に配列されている。光源装置１０は、回路基板の孔４５に各々対応して、複数設けられている。配線基板３０は、基材３７と、その基材上に設けられた正負の配線３８と、を有する。発光素子２５は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップである。発光素子２５の正負の電極は其々、配線基板の正負の配線３８に、導電性接着剤又はバンプを介して接合されている。光反射部材６０は、白色顔料を含有する樹脂の硬化物である。光反射部材６０は、発光素子２５の上方を開けて、発光素子２５の側方を包囲している。この光反射部材６０は、光源装置１０（光源部２０）の一部とみなすこともできる。発光素子２５の上面は、透光性を有する被覆部材２８により被覆されている。この被覆部材２８は、蛍光体を含有するが、これに限定されない。被覆部材２８は、光源部２０の一部である。光源部２０の最上位点及び光反射部材６０の最上位点は、回路基板４０の上面より下位にある。配線基板３０の上面の配線３８（の外部接続端子部）と、回路基板４０の下面の回路配線４８（のランド部）とは、接合部材５０を介して接合されている。
More specifically, the
このような構成を有する発光装置１００においては、発光素子２５がフリップチップ実装されるためワイヤを必要とせず、且つ発光素子２５の側面が光反射部材６０により直接被覆されることで、光源装置１０（光源部２０）及び回路基板の孔４５を小型に形成することができると共に、発光素子２５から側方に出射される光の回路基板の孔４５及び／又はその近傍での吸収や漏れを抑制することができる。
In the
なお、光源部２０の最上位点及び光反射部材６０の最上位点が回路基板４０の上面より下位にあることで、導光部材８０を、回路基板４０の上面に接するように配置することができる。但し、光源部２０及び／又は光反射部材６０との干渉を避けるための凹部（図１（ｂ）に点線で示す）が光入射面に設けられた導光部材８０を使用する場合、又は導光部材８０を回路基板４０から離して設ける場合、又は導光部材８０を設けない場合などは、この限りではない。その場合、光源部２０の最上位点及び／又は光反射部材６０の最上位点が回路基板４０の上面より上位にあってもよい。例えば光源部２０の最上位点が回路基板４０の上面より上位にあれば、導光部材８０の凹部から横方向にも光を入射することができる（後述する実施の形態２の図２（ｂ）参照）。これらのことは、以下、実施の形態２，３についても同様である。
Since the highest point of the
図１（ｂ）に示すように、発光装置１００において、光反射部材６０は、発光素子２５の下面と配線基板３０の上面の間にも設けられている。これにより、発光素子２５から下方に出射される光が、配線基板３０に吸収されたり、配線基板３０から下方へ漏れたり、するのを抑制することができる。
As shown in FIG. 1B, in the
図１（ａ）及び（ｃ）に示すように、発光装置１００において、光反射部材６０は、配線基板３０上の発光素子２５の全周にわたって設けられている。これにより、発光素子２５から側方に出射される光の回路基板の孔４５及び／又はその近傍での吸収や漏れを効果的に抑制しやすい。特に、配線基板３０と回路基板４０の間に形成されうる隙間からの光の漏れを抑制しやすい。
As shown in FIGS. 1A and 1C, in the
図１（ｂ）に示すように、発光装置１００において、回路基板の孔４５の側面は、下方側から上方側に向かって外側（側方）に傾いた部位を有している。これにより、回路基板の孔４５の下方側の開口径が小さくなり、配線基板３０の上面と回路基板の孔４５の下方側の縁近傍との間における、発光素子２５から側方に出射される光の吸収や漏れを抑制することができる。また、発光素子２５から側方に出射される光を、回路基板の孔４５の側面で上方に反射させ、効率良く取り出すことができる。回路基板の孔４５の側面の角度（孔４５の側面が下面となす角度）は、３０°以上９０°以下であることが好ましく、４０°以上７０°以下であることがより好ましい。また、回路基板の孔４５の側面は、その略全域が傾斜していてもよいし、その一部が傾斜していてもよいし、また傾斜角度が２段階以上変化してもよい。例えば、回路基板の孔４５の側面の下方側より上方側の傾斜が大きいこと（一例として、下方側が略垂直な面、上方側が傾斜面）は、回路基板の孔４５近傍の強度の観点で好ましい。
As shown in FIG. 1B, in the
図１（ｂ）に示すように、発光装置１００において、回路基板の孔４５の側面は、保護膜４９の表面で構成されている。したがって、保護膜４９を白色の膜にすることで、回路基板の孔４５の側面の光反射性を高め、発光素子２５から出射される光を効率良く取り出すことができる。また、回路基板４０の上面についても同様に、保護膜４９を白色の膜にすることで、導光部材８０に効率良く光を結合することができる。これらのことは、以下、実施の形態２，３についても同様である。
As shown in FIG. 1B, in the
＜実施の形態２＞
図２（ａ）は実施の形態２に係る発光装置２００の概略上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を拡大して示す概略断面図である。
<Embodiment 2>
FIG. 2A is a schematic top view of a
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、実施の形態２に係る発光装置２００は、光源装置１１と、回路基板４１と、を備えている。回路基板４１は、上面から下面に貫通する孔４５を有する。光源装置１１は、配線基板３１と、その上面に設けられた光源部２１と、を有する。光源部２１は、フリップチップ実装された発光素子２５を含む。光源装置１１は、光源部２１が回路基板の孔４５に挿入されて、配線基板３１の上面が回路基板４１の下面に接合されている。配線基板３１上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍には、光反射部材６１が設けられている。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
より詳細には、発光装置２００は、例えば液晶ディスプレイの直下型バックライト装置の光源として利用可能な発光装置である。発光装置２００（回路基板４１）の上面視形状は、一方向（例えば横方向）に長い形状でもよいし、正方形状でもよい。光源装置１１は上面視で正方形状を有する。回路基板４１は、基材４７と、その基材上に設けられた回路配線４８と、その基材及び／又は回路配線上に設けられた保護膜４９と、を有する。回路基板の孔４５は、複数設けられており、少なくとも横方向に略等間隔に配列されている。光源装置１１は、回路基板の孔４５に各々対応して、複数設けられている。配線基板３１は、基材３７と、その基材上に設けられた正負の配線３８と、を有する。発光素子２５は、ＬＥＤチップである。発光素子２５の正負の電極は其々、配線基板の正負の配線３８に、導電性接着剤又はバンプを介して接合されている。光反射部材６１は、白色顔料を含有する樹脂の硬化物である。発光素子２５は、透光性を有する被覆部材２９ａ，２９ｂ（２９ａ：発光素子に接する「内側被覆部材」、２９ｂ：内側被覆部材を覆う「外側被覆部材」とする）により被覆されている。この内側被覆部材２９ａは、蛍光体を含有するが、これに限定されない。内側被覆部材２９ａは、発光素子２５の上面及び側面を少なくとも覆い、好ましくは下面も覆う。内側被覆部材２９ａは、省略することもできる。外側被覆部材２９ｂの上面は、発光素子２５上において凸面に形成されている。被覆部材２９ａ，２９ｂは、光源部２１の一部である。光源部２１の最上位点及び光反射部材６１の最上位点は、回路基板４１の上面より下位にある。配線基板３１の上面の配線３８（の外部接続端子部）と、回路基板４１の下面の回路配線４８（のランド部）とは、接合部材５０を介して接合されている。
More specifically, the
このような構成を有する発光装置２００においては、発光素子２５がフリップチップ実装されるためワイヤを必要とせず、且つ配線基板３１上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に光反射部材６１が設けられていることで、光源装置１１（光源部２１）及び回路基板の孔４５を小型に形成することができると共に、発光素子２５から側方に出射される光の回路基板の孔４５及び／又はその近傍での吸収や漏れを抑制することができる。
In the
図２（ｂ）に示すように、発光装置２００において、光反射部材６１は、光源部２１の側面に接して設けられている。より詳細には、光反射部材６１は、被覆部材（外側被覆部材）２９ｂの側面に接して設けられている。これにより、光源部２１と回路基板の孔４５の側面との間において、発光素子２５から側方に出射される光が、配線基板３１に吸収されたり、配線基板３１から下方へ漏れたり、するのを抑制することができる。なお、「光源部の側面」は、光源部の表面が曲面若しくはそれに近似可能な面である場合、接線又は接平面が配線基板の上面に対して４５°（光源部内側の角度で考える）以上の部位とみなすことができる。
As shown in FIG. 2B, in the
図２（ｂ）に示すように、発光装置２００において、光反射部材６１は、回路基板の孔４５の側面に接して設けられている。これにより、発光素子２５から側方に出射される光の回路基板の孔４５及び／又はその近傍での吸収や漏れを効果的に抑制しやすい。このとき、回路基板の孔４５の側面に接する光反射部材６１は、発光素子２５の上面より高い位置まで至っていることが好ましく、蛍光体を含有する内側被覆部材２９ａの上面より高い位置まで至っていることがより好ましい。
As shown in FIG. 2B, in the
なお、発光装置２００においても、実施の形態１と同様に、光反射部材６１は、配線基板３１上の光源部２１（発光素子２５）の全周にわたって設けられていることが好ましい。また、光反射部材６１が配線基板３１と回路基板４１の間に形成されうる隙間に充填されてもよい。その場合、光反射部材６１は、配線基板３１と回路基板４１の接合強度を高める接着材としても機能させることができる。このことは、以下、実施の形態３についても同様である。
In the
図３（ａ）及び（ｂ）は、実施の形態２に係る発光装置２００の製造方法の一例を示す概略断面図である。発光装置２００の製造方法は、少なくとも以下の２つの工程を備える。
3A and 3B are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the
まず、図３（ａ）に示すように、光源装置１１の光源部２１を回路基板の孔４５に挿入し、配線基板３１の上面を回路基板４１の下面に接合する（第１工程）。より詳細には、回路基板４１の下面の回路配線４８（のランド部）上に、接合部材の材料５０１を塗布する。その後、その塗布された接合部材の材料５０１上に配線基板の上面の配線３８（の外部接続端子部）が位置するように光源装置１１を載置し（このとき、光源部２１が回路基板の孔４５に挿入される）、リフロー炉などで加熱して接合部材の材料５０１を溶融させ且つ冷却して固化させる。なお、接合部材の材料５０１は、配線基板の上面の配線３８側に塗布してもよい。
First, as shown in FIG. 3A, the
次に、図３（ｂ）に示すように、第１工程の後、光反射部材６１を、配線基板３１上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に形成する（第２工程）。より詳細には、液状又はゾル状など流動性を有する状態である光反射部材の材料６１１を、配線基板３１上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に塗布する。その後、光反射部材の材料６１１を硬化させることが好ましい。ここで、光反射部材の材料６１１は、例えば白色顔料を含有する樹脂である。光反射部材の材料６１１の塗布には、定量吐出装置（ディスペンサ）を用いることが塗布精度の観点で好ましい。以上のような塗布によれば、光反射部材６１を簡便に形成することができる。なお、ここでいう「塗布」には、滴下（ポッティング）などを含む。
Next, as shown in FIG. 3B, after the first step, the
＜実施の形態３＞
図４（ａ）は実施の形態３に係る発光装置３００の概略上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ断面を拡大して示す概略断面図である。
<Embodiment 3>
FIG. 4A is a schematic top view of a
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、実施の形態３に係る発光装置３００は、光源装置１２と、回路基板４２と、を備えている。回路基板４２は、上面から下面に貫通する孔４５を有する。光源装置１２は、配線基板３２と、その上面に設けられた光源部２２と、を有する。光源部２２は、フリップチップ実装された発光素子２５を含む。光源装置１２は、光源部２２が回路基板の孔４５に挿入されて、配線基板３２の上面が回路基板４２の下面に接合されている。配線基板３２上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍には、光反射部材６２が設けられている。
As shown in FIGS. 4A and 4B, the
より詳細には、発光装置３００は、例えば液晶ディスプレイのエッジ型バックライト装置の光源として利用可能な発光装置である。発光装置３００（回路基板４２）は、上面視で一方向（「横」方向とする）に長い形状を有する。光源装置１２も同様に、上面視で横方向に長い形状を有する。回路基板４２は、基材４７と、その基材上に設けられた回路配線４８と、その基材及び／又は回路配線上に設けられた保護膜４９と、を有する。回路基板の孔４５は、複数設けられており、横方向に略等間隔に配列されている。光源装置１２は、回路基板の孔４５に各々対応して、複数設けられている。配線基板３２は、基材３７と、その基材上に設けられた正負の配線３８と、を有する。発光素子２５は、ＬＥＤチップである。発光素子２５の正負の電極は其々、配線基板の正負の配線３８に、導電性接着剤又はバンプを介して接合されている。光反射部材６２は、含浸した樹脂により結着された白色顔料の凝集体である。発光素子２５は、透光性を有する封止部材７０により被覆されている。封止部材７０は、蛍光体を実質的に含有していないが、これに限定されない。光源部２２は、主として発光素子２５により構成されているが、封止部材７０を含めることもできる。光源部２２の最上位点及び光反射部材６２の最上位点は、回路基板４２の上面より下位にある。封止部材７０の最上位点もまた、回路基板４２の上面より下位にある。配線基板３２の上面の配線３８（の外部接続端子部）と、回路基板４２の下面の回路配線４８（のランド部）とは、接合部材５０を介して接合されている。
More specifically, the
このような構成を有する発光装置３００においては、発光素子２５がフリップチップ実装されるためワイヤを必要とせず、且つ配線基板３２上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に光反射部材６２が設けられていることで、光源装置１２（光源部２２）及び回路基板の孔４５を小型に形成することができると共に、発光素子２５から側方に出射される光の回路基板の孔４５及び／又はその近傍での吸収や漏れを抑制することができる。
In the
図４（ｂ）に示すように、発光装置３００において、光反射部材６２は、発光素子２５の側面に接して設けられている。これにより、発光素子２５と回路基板の孔４５の側面との間において、発光素子２５から側方に出射される光が、配線基板３２に吸収されたり、配線基板３２から下方へ漏れたり、するのを抑制することができる。特に、発光装置３００における光反射部材６２は、発光素子２５の側面の下方側に接して上方側を露出させている。この発光素子２５の側面の下方側には半導体素子構造の側面が含まれ、上方側の露出領域は基板の側面である。これにより、発光素子２５、特にその側面の上方側から、光を効率良く取り出すことができる。
As shown in FIG. 4B, in the
図５（ａ）及び（ｂ）は、実施の形態３に係る発光装置３００の製造方法の一例を示す概略断面図である。発光装置３００の製造方法は、少なくとも以下の２つの工程を備える。
FIGS. 5A and 5B are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the
まず、図５（ａ）に示すように、光源装置１２の光源部２２を回路基板の孔４５に挿入し、配線基板３２の上面を回路基板４２の下面に接合する（第１工程）。より詳細には、回路基板４２の下面の回路配線４８（のランド部）上に、接合部材の材料５０１を塗布する。その後、その塗布された接合部材の材料５０１上に配線基板の上面の配線３８（の外部接続端子部）が位置するように光源装置１２を載置し（このとき、光源部２２が回路基板の孔４５に挿入される）、リフロー炉などで加熱して接合部材の材料５０１を溶融させ且つ冷却して固化させる。なお、接合部材の材料５０１は、配線基板の上面の配線３８側に塗布してもよい。
First, as shown in FIG. 5A, the
次に、図５（ｂ）及び（ｃ）に示すように、第１工程の後、光反射部材６２を、配線基板３２上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に形成する（第２工程）。より詳細には、ここでは、光反射部材６２は、第１材料６２１ａと、第２材料６２１ｂと、により形成される。まず、光反射部材の第１材料６２１ａである粒子を、配線基板３２上における回路基板の孔４５の下方側の縁近傍に堆積させて、粒子の凝集体を形成する（図５（ｂ）参照）。光反射部材の第１材料６２１ａは、例えば白色顔料である。この粒子の凝集体は、例えば電着法、又は噴霧（スプレー）法により形成することができる。特に、電着法の場合には、光源装置１２、回路基板４２、及び接合部材５０の複合体における、主として導電性を有する部位の表面に、光反射部材の第１材料６２１ａを選択的に形成することができる。したがって、光吸収性の比較的大きい、配線３８、回路配線４８、及び接合部材５０などを光反射部材６２により簡便に覆うことができる。このため、配線基板３０の上面の例えば半分以上又は略全域（９０％以上）に配線３８を、回路基板の孔４５の側面の例えば半分以上又は略全域（９０％以上）に回路配線４８を、予め形成しておいてもよい。また、光反射部材の第１材料６２１ａの形成を意図しない部位は予めマスキングしておいてもよいし、形成された余計な光反射部材の第１材料６２１ａを送風器（ブロア）及び／又は洗浄により除去してもよい。そして、その後、この粒子の凝集体に、光反射部材の第２材料６２１ｂである結着材を含浸させる（図５（ｃ）参照）。光反射部材の第２材料６２１ｂは、例えば樹脂である。最後に、粒子の凝集体に含浸した結着材を硬化させることが好ましい。なお、光反射部材の第２材料６２１ｂは、封止部材７０が兼ねてもよい。
Next, as shown in FIGS. 5B and 5C, after the first step, the
以下、本発明の発光装置の各構成要素について説明する。 Hereinafter, each component of the light emitting device of the present invention will be described.
（光源装置１０，１１，１２）
光源装置は、配線基板と、その上面に設けられた光源部と、を少なくとも備える。光源装置は、主として、基板型（ＣＯＢ（チップ・オン・ボード）型）のＬＥＤである。なお、１つの発光装置に設けられる全ての光源装置が、光源部が回路基板の孔に挿入されて、配線基板の上面が回路基板の下面に接合されていることが、導光部材を回路基板の上面に接するように配置する上で好ましいが、例えば回路基板の上面側に別の光源装置が設けられることを排除はしない。
(
The light source device includes at least a wiring board and a light source unit provided on an upper surface thereof. The light source device is mainly a board-type (COB (chip-on-board) type) LED. In addition, all the light source devices provided in one light emitting device have light source portions inserted into holes of the circuit board, and the upper surface of the wiring board is joined to the lower surface of the circuit board. However, it is not excluded that another light source device is provided on the upper surface side of the circuit board, for example.
（光源部２０，２１，２２）
（発光素子２５）
発光素子は、少なくとも半導体素子構造を備え、基板を更に備えてもよい。基板を備えない発光素子は、側方への光出射が抑えられ、上方（正面方向）への指向性の高い発光が得られる。一方、基板を備える発光素子は、量産性に優れると共に、側面を光反射部材で覆いやすい。発光素子の上面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよい。発光素子（主に基板）の側面は、上面に対して、略垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。発光素子は、同一面側に正負（ｐ，ｎ）両電極を有し、フリップチップ（フェイスダウン）実装される。１つの光源装置に搭載される発光素子の個数は１つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。半導体素子構造は、半導体層の積層体、即ち少なくともｎ型半導体層とｐ型半導体層を含み、また活性層をその間に介することが好ましい。半導体素子構造は、絶縁膜及び／又は電極を含んでもよい。発光素子の発光波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる。半導体材料としては、蛍光体を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体（主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される）を用いることが好ましい。発光素子の発光波長は、蛍光体の発光との補色関係や樹脂部材の劣化等の観点から、４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。また、蛍光体の励起、発光効率の観点から、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の基板は、主として半導体素子構造を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。基板の厚さは、例えば２０μｍ以上１０００μｍ以下であり、基板の強度や発光装置の厚さの観点において、５０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
(
(Light emitting element 25)
The light emitting device includes at least a semiconductor device structure, and may further include a substrate. A light-emitting element having no substrate suppresses light emission to the side, and can emit light with high directivity upward (in the front direction). On the other hand, a light emitting element including a substrate is excellent in mass productivity and easily covers a side surface with a light reflecting member. The top view shape of the light emitting element is preferably a rectangle, particularly a square or a rectangle long in one direction, but may be another shape. The side surface of the light emitting element (mainly the substrate) may be substantially perpendicular to the upper surface, or may be inclined inward or outward. The light emitting element has both positive and negative (p, n) electrodes on the same surface side, and is mounted by flip chip (face down). The number of light emitting elements mounted on one light source device may be one or more. The plurality of light emitting elements can be connected in series or in parallel. The semiconductor element structure preferably includes a stack of semiconductor layers, that is, at least an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, with an active layer interposed therebetween. The semiconductor device structure may include an insulating film and / or an electrode. The emission wavelength of the light emitting element can be selected from the ultraviolet region to the infrared region depending on the semiconductor material and its mixed crystal ratio. As a semiconductor material, a nitride semiconductor (mainly InxAlyGa1-x-yN, 0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1), which is a material capable of emitting light of a short wavelength capable of efficiently exciting a phosphor, is used. Is preferably used. The emission wavelength of the light emitting element is preferably 400 nm or more and 530 nm or less, and more preferably 420 nm or more and 490 nm or less, from the viewpoint of complementary color relationship with the emission of the phosphor and deterioration of the resin member. In addition, from the viewpoint of excitation and emission efficiency of the phosphor, 450 nm or more and 475 nm or less are more preferable. In addition, an InAlGaAs-based semiconductor, an InAlGaP-based semiconductor, zinc sulfide, zinc selenide, silicon carbide, or the like can be used. The substrate of the light-emitting element is a substrate for crystal growth capable of mainly growing a semiconductor crystal constituting a semiconductor element structure, but may be a bonding substrate for bonding to a semiconductor element structure separated from the substrate for crystal growth. When the substrate has a light-transmitting property, it is easy to adopt flip-chip mounting, and it is easy to increase light extraction efficiency. Examples of the base material of the substrate include sapphire, spinel, gallium nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, gallium arsenide, gallium phosphide, indium phosphide, zinc sulfide, zinc oxide, zinc selenide, and diamond. The thickness of the substrate is, for example, not less than 20 μm and not more than 1000 μm, and preferably not less than 50 μm and not more than 500 μm from the viewpoint of the strength of the substrate and the thickness of the light emitting device.
（被覆部材２８，２９ａ，２９ｂ）
被覆部材は、発光素子を被覆する、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは光透過率７０％以上）を有する部材であればよい。特に、蛍光体を含有し、波長変換部材としての機能を有することが好ましい。具体的には、被覆部材は、後述の封止部材と同様の材料により構成することができる。
(
The covering member may be any member that covers the light emitting element, has electrical insulation properties, and has a property of transmitting light emitted from the light emitting element (preferably having a light transmittance of 70% or more). In particular, it is preferable to contain a phosphor and have a function as a wavelength conversion member. Specifically, the covering member can be made of the same material as a sealing member described later.
（配線基板３０，３１，３２）
配線基板は、発光素子と電気的に接続される配線と、その配線を保持する基材と、を有する。配線基板は、リジッド基板のほか、フレキシブル（可撓性）基板でもよい。配線基板の厚さ（総厚）は、例えば０．０３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下が好ましく、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下がより好ましい。なお、配線基板は、後述の回路基板と同様に保護膜を有していてもよい。
(
The wiring board has a wiring electrically connected to the light emitting element and a base material holding the wiring. The wiring board may be a flexible board in addition to the rigid board. The thickness (total thickness) of the wiring board is, for example, 0.03 mm or more and 2 mm or less, preferably 0.05 mm or more and 1 mm or less, and more preferably 0.05 mm or more and 0.5 mm or less. Note that the wiring board may have a protective film as in the case of a circuit board described later.
（基材３７）
配線基板の基材は、リジッド基板であれば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン若しくはこれらの混合物を含むセラミックス基板、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン若しくはこれらの合金を含む金属基板、ガラスエポキシ基板、ＢＴレジン基板、ガラス基板、樹脂基板、紙基板などが挙げられる。フレキシブル基板であれば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどのフィルムを用いることができる。
(Base material 37)
If the substrate of the wiring substrate is a rigid substrate, a ceramic substrate containing aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide, titanium nitride or a mixture thereof, copper, iron, nickel, chromium, aluminum, silver , A metal substrate containing gold, titanium or an alloy thereof, a glass epoxy substrate, a BT resin substrate, a glass substrate, a resin substrate, a paper substrate, and the like. For a flexible substrate, a film of polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, a liquid crystal polymer, a cycloolefin polymer, or the like can be used.
（配線３８）
配線は、箔又は膜として、基材の少なくとも上面に形成され、基材の内部及び／又は下面にも形成されていてもよい。また、配線は、発光素子が接合されるランド部、外部接続端子部、及びこれらを接続する引き出し配線部を含むことが好ましい。外部接続端子部は、基材の側面に延伸して形成されていることで、配線基板の側面も回路基板に接合部材を介して接合でき、接合強度を高めることができる。配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線の表層には、銀、プラチナ、アルミニウム、ロジウム、金、錫、銅若しくはこれらの合金などの鍍金又は光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。
(Wiring 38)
The wiring is formed as a foil or a film on at least the upper surface of the base material, and may also be formed inside and / or on the lower surface of the base material. Further, the wiring preferably includes a land portion to which the light emitting element is bonded, an external connection terminal portion, and a lead wiring portion connecting these. Since the external connection terminal portion is formed to extend on the side surface of the base material, the side surface of the wiring board can also be joined to the circuit board via a joining member, and the joining strength can be increased. The wiring can be formed of copper, iron, nickel, tungsten, chromium, aluminum, silver, gold, titanium, palladium, rhodium, or an alloy thereof. A single layer or a multilayer of these metals or alloys may be used. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation. In addition, the surface layer of the wiring may be provided with a plating such as silver, platinum, aluminum, rhodium, gold, tin, copper or an alloy thereof or a light reflecting film, and among them, silver or silver having excellent light reflectivity. Alloys are preferred.
（回路基板４０，４１）
回路基板は、外部電源から光源装置への給電を担う回路配線と、その回路配線を保持する基材と、保護膜と、を有する。回路基板は、リジッド基板のほか、フレキシブル（可撓性）基板でもよい。回路基板の厚さ（総厚）は、例えば０．０３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下が好ましく、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下がより好ましい。回路基板に設けられる孔の形状及び大きさは、特定に限定されず、光源部の挿入のしやすさ及び／又は回路配線の配置などにより決めればよい。但し、回路基板に設けられる孔の形状は、光源部の外形に沿う形状とすることが、配線基板の上面の露出領域の低減の観点から好ましい一例として挙げられる。具体的には、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状などが挙げられ、角が丸みを帯びていてもよい。また、回路基板に設けられる孔の大きさは、光の吸収や漏れの抑制の観点では小さいほうが好ましいが、例えば光源部の外形より０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲で大きいことが挙げられ、光源部の外形より０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲で大きいことが好ましく、光源部の外形より０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の範囲で大きいことがより好ましい。
(
The circuit board includes circuit wiring for supplying power from an external power supply to the light source device, a base material for holding the circuit wiring, and a protective film. The circuit board may be a flexible board in addition to the rigid board. The thickness (total thickness) of the circuit board is, for example, 0.03 mm or more and 2 mm or less, preferably 0.05 mm or more and 1 mm or less, and more preferably 0.05 mm or more and 0.5 mm or less. The shape and size of the holes provided in the circuit board are not particularly limited, and may be determined according to the ease of insertion of the light source unit and / or the arrangement of the circuit wiring. However, it is preferable that the shape of the hole provided in the circuit board conforms to the outer shape of the light source unit from the viewpoint of reducing the exposed area on the upper surface of the wiring board. Specific examples include a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, and an elliptical shape, and the corners may be rounded. The size of the hole provided in the circuit board is preferably smaller from the viewpoint of light absorption and suppression of leakage. For example, the size of the hole may be larger than the outer shape of the light source unit in a range of 0.05 mm to 1 mm. It is preferably larger in the range of 0.05 mm or more and 0.5 mm or less than the outer shape of the portion, and more preferably larger in the range of 0.05 mm or more and 0.3 mm or less than the outer shape of the light source portion.
（基材４７）
回路基板の基材は、上述の配線基板の基材と同様に構成することができる。
(Base material 47)
The substrate of the circuit board can be configured in the same manner as the above-described substrate of the wiring board.
（回路配線４８）
回路配線は、箔又は膜として、回路基板の基材の少なくとも下面に形成され、回路基板の基材の内部及び／又は上面にも形成されていてもよい。また、回路配線は、光源装置が接合されるランド部、外部接続端子部、及びこれらを接続する引き出し配線部を含むことが好ましい。具体的には、回路配線は、上述の配線基板の配線と同様に構成することができる。
(Circuit wiring 48)
The circuit wiring is formed as a foil or a film on at least the lower surface of the substrate of the circuit board, and may also be formed inside and / or on the upper surface of the substrate of the circuit board. Further, the circuit wiring preferably includes a land portion to which the light source device is joined, an external connection terminal portion, and a lead wiring portion connecting these. Specifically, the circuit wiring can be configured in the same manner as the wiring of the wiring board described above.
（保護膜４９）
保護膜は、電気的絶縁性を有し、基材及び／又は回路配線を保護する膜である。保護膜は、例えばカバーレイ、ソルダーレジスト、シルクなどである。保護膜は、インク又は塗料に顔料を含有することで、白色など任意に着色することができる。
(Protective film 49)
The protective film is a film having electrical insulation properties and protecting the base material and / or the circuit wiring. The protective film is, for example, coverlay, solder resist, silk, or the like. The protective film can be arbitrarily colored, such as white, by including a pigment in the ink or paint.
（接合部材５０）
接合部材は、各種の導電性接着材を用いることができる。具体的には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、又は錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、又は低融点金属などのろう材が挙げられる。なお、光源装置と回路基板の電気的接続を別途取る場合には、接合部材は電気的絶縁性の接着材でもよい。電気的絶縁性の接着材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はこれらの変性樹脂などが挙げられる。
(Joining member 50)
Various conductive adhesives can be used for the joining member. Specifically, a conductive paste such as silver, gold, and palladium, or a solder such as a tin-bismuth-based, tin-copper-based, tin-silver-based, or gold-tin-based solder, or a brazing material such as a low-melting-point metal may be used. Can be In a case where electrical connection between the light source device and the circuit board is separately made, the joining member may be an electrically insulating adhesive. Examples of the electrically insulating adhesive include an epoxy resin, a silicone resin, and a modified resin thereof.
（光反射部材６０，６１，６２）
光反射部材は、発光素子から出射される光に対して光反射性（好ましくは光反射率７０％以上、より好ましくは９０％以上）を有する部材であればよく、また電気的絶縁性を有することが好ましい。このような光反射部材としては、例えば白色顔料と樹脂により構成することができる。白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。樹脂は、後述の封止部材と同様の材料を用いることができ、また上述の保護膜と同様の材料を用いることもできる。このほか、白色顔料に代えて、銀、プラチナ、アルミニウム、ロジウム若しくはこれらの合金などの金属粒子を用いることができる。また。光反射部材は、これらの光反射性を有する金属の膜とすることもできる。
(
The light reflecting member may be a member having light reflectivity (preferably, light reflectivity of 70% or more, more preferably 90% or more) with respect to light emitted from the light emitting element, and has electrical insulation. Is preferred. Such a light reflecting member can be made of, for example, a white pigment and a resin. White pigments include titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate, barium titanate, barium sulfate, aluminum hydroxide, aluminum oxide, zirconium oxide, etc. Is mentioned. As the resin, the same material as the sealing member described later can be used, and the same material as the above-described protective film can be used. In addition, metal particles such as silver, platinum, aluminum, rhodium or alloys thereof can be used in place of the white pigment. Also. The light reflecting member may be a metal film having such light reflectivity.
（封止部材７０）
封止部材は、発光素子、及び配線の一部などを、封止して、埃や外力などから保護する部材である。封止部材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光に対して透光性（好ましくは光透過率７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する部材であればよい。封止部材の具体的な母材としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂若しくはこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。封止部材は、その母材中に、充填剤及び／又は蛍光体などを含有することが好ましいが、これに限定されない。
(Sealing member 70)
The sealing member is a member that seals a light emitting element, a part of a wiring, and the like to protect the light emitting element and dust from external force and the like. The sealing member may be a member that has electrical insulating properties and has a light-transmitting property (preferably, light transmittance of 70% or more, more preferably 85% or more) with respect to light emitted from the light-emitting element. . Specific examples of the base material of the sealing member include a silicone resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, a TPX resin, a polynorbornene resin, a modified resin thereof, or a hybrid resin containing at least one of these resins. Is mentioned. Glass may be used. Among them, a silicone resin or a modified resin thereof is preferable because it has excellent heat resistance and light resistance and has a small volume shrinkage after solidification. The sealing member preferably contains a filler and / or a phosphor in a base material thereof, but is not limited thereto.
（充填剤）
充填剤は、拡散剤及び／又は着色剤などを用いることができる。具体的には、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、珪酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、ワラストナイト、マイカ、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、炭化珪素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、窒化アルミニウム、窒化珪素、カーボンブラック、各種ガラスなどが挙げられる。充填剤の形状は、球状、不定形破砕状、針状、柱状、板状（鱗片状を含む）、繊維状、又は樹枝状などが挙げられる。また、中空又は多孔質のものでもよい。
(filler)
As the filler, a diffusing agent and / or a coloring agent can be used. Specifically, silica, titanium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, silicate Magnesium, barium sulfate, aluminum hydroxide, zirconium oxide, wollastonite, mica, potassium titanate, aluminum borate, silicon carbide, antimony oxide, zinc stannate, zinc borate, aluminum nitride, silicon nitride, carbon black, various types Glass etc. are mentioned. Examples of the shape of the filler include a spherical shape, an irregular crushed shape, a needle shape, a column shape, a plate shape (including a scale shape), a fiber shape, and a dendritic shape. It may be hollow or porous.
（蛍光体）
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。蛍光体は、１種でもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色系）を出射する光源装置若しくは発光装置、又は紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する光源装置若しくは発光装置とすることができる。
(Phosphor)
The phosphor absorbs at least a part of the primary light emitted from the light emitting element and emits secondary light having a different wavelength from the primary light. The phosphor may be one kind or a combination of two or more kinds. Specifically, yttrium aluminum garnet activated with cerium, nitrogen-containing calcium aluminosilicate activated with europium and / or chromium, sialon activated with europium, silicate activated with europium, activated with manganese And potassium fluorosilicate. Thereby, a light source device or a light emitting device that emits a mixed color light (for example, white light) of primary light and secondary light of visible wavelength, or a light source device that is excited by primary light of ultraviolet light and emits secondary light of visible wavelength Alternatively, it can be a light emitting device.
（導光部材８０）
導光部材は、主として板状（導光板）であるが、各種レンズなどでもよい。導光部材は、板状である場合、端面を光入射面とし第１主面を光出射面としてもよいし、第２主面（第１主面と反対側：裏面）を光入射面とし第１主面を光出射面としてもよい。導光部材の母材は、発光装置から出射される光に対して透光性（好ましくは透過率７０％以上、より好ましくは８５％以上）を有する材料であればよい。具体的には、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＰＭＭＡ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、ポリスチレン樹脂、又はガラスなどが挙げられる。
(Light guide member 80)
The light guide member is mainly plate-shaped (light guide plate), but may be various lenses. When the light guide member has a plate shape, the end surface may be a light incident surface and the first main surface may be a light emitting surface, or the second main surface (the side opposite to the first main surface: the back surface) may be a light incident surface. The first main surface may be a light emitting surface. The base material of the light guide member may be a material having a light transmitting property (preferably, transmittance of 70% or more, more preferably 85% or more) with respect to light emitted from the light emitting device. Specific examples include an acrylic resin, a polycarbonate resin, a PMMA resin, a polynorbornene resin, a polystyrene resin, and glass.
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。 Hereinafter, examples according to the present invention will be described in detail. It is needless to say that the present invention is not limited to only the examples described below.
＜実施例１＞
実施例１の発光装置は、図１に示す例の構造を有し、液晶ディスプレイのエッジ型バックライト装置の光源として利用可能な発光装置である。この発光装置は、以下のような、回路基板と、光源装置と、を備える。具体的には、この発光装置は、光源装置の光源部が回路基板の孔に挿入されて、配線基板の上面が回路基板の下面に錫−銀系半田の接合部材を介して接合されて、構成されている。
<Example 1>
The light emitting device according to the first embodiment has the structure shown in FIG. 1 and can be used as a light source of an edge type backlight device of a liquid crystal display. This light emitting device includes the following circuit board and light source device. Specifically, in this light emitting device, the light source unit of the light source device is inserted into the hole of the circuit board, and the upper surface of the wiring board is joined to the lower surface of the circuit board via a tin-silver solder joining member, It is configured.
（光源装置）
光源装置は、以下のように、配線基板の上面に光源部が設けられてなる。光源部は、主として、発光素子、光反射部材、被覆部材により構成されている。
(Light source device)
The light source device has a light source unit provided on the upper surface of a wiring board as described below. The light source section mainly includes a light emitting element, a light reflecting member, and a covering member.
配線基板の基材は、横（長手）方向の長さが１．８ｍｍ、縦（短手）方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．４５ｍｍの直方体形状を有する。この基材は、ＢＴレジン基板（三菱瓦斯化学社製：ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ）である。正負一対の配線は、基材側から銅／ニッケル／金（総厚：２０μｍ）が積層されて構成されている。正負一対の配線は其々、基材の上面から横方向の側面を経て下面に連続して形成されている。より詳細には、配線の発光素子が接合されるランド部は、銅の突起（厚さ２０μｍ）を有している。配線の外部接続端子部は、横方向端部の断面視Ｕ字状の部位である。配線の引き出し配線部は、ランド部と外部接続端子部の間において幅狭に形成された部位である。 The base material of the wiring board has a rectangular parallelepiped shape with a length in the horizontal (longitudinal) direction of 1.8 mm, a width in the vertical (short) direction of 0.3 mm, and a thickness of 0.45 mm. This base material is a BT resin substrate (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company: HL832NSF typeLCA). The pair of positive and negative wirings are formed by laminating copper / nickel / gold (total thickness: 20 μm) from the substrate side. The pair of positive and negative wires are respectively formed continuously from the upper surface of the base material to the lower surface via the lateral side surfaces. More specifically, the land portion of the wiring to which the light emitting element is bonded has a copper protrusion (thickness: 20 μm). The external connection terminal portion of the wiring is a U-shaped portion in cross section at the lateral end. The lead-out wiring part of the wiring is a part formed narrow between the land part and the external connection terminal part.
配線のランド部には、１つの発光素子が金−錫共晶半田によってフリップチップ実装されている。発光素子は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、その積層体上に正負一対の電極を有する、横方向の長さが０．９ｍｍ、縦方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。 One light emitting element is flip-chip mounted on the land portion of the wiring by gold-tin eutectic solder. The light-emitting element has a nitride semiconductor laminate formed over a sapphire substrate, and has a pair of positive and negative electrodes on the laminate. The length in the horizontal direction is 0.9 mm, the width in the vertical direction is 0.2 mm, and the thickness. Is a rectangular parallelepiped blue light emitting LED chip (emission peak wavelength: 455 nm) having a length of 0.15 mm.
光反射部材は、発光素子の側面の全周に接して被覆するように、基材の上面に設けられている。光反射部材は、平均粒径１４μｍのシリカと、白色顔料として平均粒径０．２５〜０．３μｍの酸化チタンと、を其々、該光反射部材の全重量に対して、２〜２．５ｗｔ％、４０〜５０ｗｔ％で含有するシリコーン樹脂の硬化物で構成されている。光反射部材は、外形が横方向の長さ（全長）１．２ｍｍ、縦方向の幅（全長）０．３ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍの直方体状に形成されている。また、光反射部材は、発光素子の下面と配線基板の上面の間にも設けられている。光反射部材の上面は、発光素子の上面と略一致している。 The light reflecting member is provided on the upper surface of the base member so as to cover and cover the entire periphery of the side surface of the light emitting element. The light reflecting member was composed of silica having an average particle diameter of 14 μm and titanium oxide having an average particle diameter of 0.25 to 0.3 μm as a white pigment, respectively. It is composed of a cured product of a silicone resin containing 5 wt% and 40 to 50 wt%. The light reflecting member is formed in a rectangular parallelepiped shape having a lateral length (total length) of 1.2 mm, a vertical width (total length) of 0.3 mm, and a thickness of 0.15 mm. The light reflection member is also provided between the lower surface of the light emitting element and the upper surface of the wiring board. The upper surface of the light reflecting member substantially coincides with the upper surface of the light emitting element.
発光素子と光反射部材の上には、被覆部材（厚さ２０μｍ）が配置されている。この被覆部材は、中心粒径８μｍ程度のＹＡＧ：Ｃｅの蛍光体を含有するシリコーン樹脂の硬化物で構成されている。 On the light emitting element and the light reflecting member, a covering member (thickness: 20 μm) is arranged. This covering member is made of a cured silicone resin containing a YAG: Ce phosphor having a center particle size of about 8 μm.
（回路基板）
回路基板は、横方向の長さが６３ｍｍ、縦方向の幅が１，３ｍｍ、厚さ（総厚）が０．４ｍｍのガラスエポキシを基材とするリジッド基板である。回路配線は、ランド部が基材側から銅／ニッケル／金（総厚：約６０μｍ）の積層体で構成され、ランド部以外が厚さ１８μｍの銅で構成されている。保護膜は、厚さ１０μｍの白色レジストである。回路基板は、５．１ｍｍの間隔（中心間距離）で配列された、上面から下面に貫通する、横方向の長さ１．４ｍｍ、縦方向の幅０．５ｍｍの上面視略矩形状の孔を１２個有している。孔の側面は、下方側から、略垂直な部位と、上方側に向かって外側（側方）に４５°程度傾いた部位と、を順に有している。そして、これらの孔に其々対応して上述の光源装置が設けられている。
(Circuit board)
The circuit board is a rigid board made of glass epoxy having a length in the horizontal direction of 63 mm, a width in the vertical direction of 1,3 mm, and a thickness (total thickness) of 0.4 mm. The circuit wiring has a land portion composed of a laminate of copper / nickel / gold (total thickness: about 60 μm) from the substrate side, and a portion other than the land portion composed of copper having a thickness of 18 μm. The protective film is a 10 μm thick white resist. The circuit boards are arranged at intervals of 5.1 mm (center-to-center distance), penetrate from the upper surface to the lower surface, and have a generally rectangular hole having a horizontal length of 1.4 mm and a vertical width of 0.5 mm as viewed from above. Are provided. The side surface of the hole has, in order, a substantially vertical portion from the lower side and a portion inclined about 45 ° outward (to the side) toward the upper side. The light source device described above is provided for each of these holes.
以上のように構成された実施例１の発光装置は、実施の形態１の発光装置１００と同様の効果を奏することができる。
The light emitting device of Example 1 configured as described above can achieve the same effects as the
本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置のほか、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。 The light-emitting device according to the present invention includes, in addition to a liquid crystal display backlight device, various lighting devices, large displays, various display devices such as advertisements and destination guidance, and further, images in digital video cameras, facsimile machines, copiers, scanners, and the like. It can be used for a reading device, a projector device, and the like.
１０，１１，１２…光源装置
２０，２１，２２…光源部（２５…発光素子、２８，２９ａ，２９ｂ…被覆部材）
３０，３１，３２…配線基板（３７…基材、３８…配線）
４０，４１，４２…回路基板（４５…孔、４７…基材、４８…回路配線、４９…保護膜）
５０…接合部材（５０１…接合部材の材料）
６０，６１，６２…光反射部材（６１１…光反射部材の材料、６２１ａ…光反射部材の第１材料、６２１ｂ…光反射部材の第２材料）
７０…封止部材
８０…導光部材
１００，２００，３００…発光装置
10, 11, 12:
30, 31, 32: wiring board (37: base material, 38: wiring)
40, 41, 42: circuit board (45: hole, 47: base material, 48: circuit wiring, 49: protective film)
50: joining member (501: material of joining member)
60, 61, 62... Light reflecting member (611... Light reflecting member material, 621a... Light reflecting member first material, 621b... Light reflecting member second material)
70 sealing
Claims (10)
配線基板の上面に、フリップチップ実装された発光素子を含む光源部が設けられた光源装置と、
を備え、
前記光源装置は、前記光源部が前記回路基板の孔に挿入されており、
前記回路基板の上面、前記回路基板の下面の一部及び前記回路基板の孔の側面に、樹脂を母材とする保護膜が設けられており、
前記回路基板の下面の一部に設けられた前記保護膜は、前記回路基板の下面において前記孔の周縁に設けられた部分と、前記回路基板の下面において前記孔の周縁に設けられた前記保護膜と離隔して設けられた部分と、を有し、
前記配線基板の上面と前記回路基板の下面とが、前記回路基板の下面の前記保護膜が設けられていない領域に配置された接合部材によって接合されており、
前記配線基板上に、前記発光素子の側面の全周に接して被覆する光反射部材が設けられている発光装置。 A circuit board having a hole penetrating from the upper surface to the lower surface,
A light source device provided with a light source unit including a light emitting element mounted on a flip chip on an upper surface of the wiring board,
With
In the light source device, the light source unit is inserted into a hole of the circuit board,
On the upper surface of the circuit board, a part of the lower surface of the circuit board and the side surface of the hole of the circuit board, a protective film having a resin as a base material is provided,
The protection film provided on a part of the lower surface of the circuit board includes a portion provided on a periphery of the hole on a lower surface of the circuit board, and a protection film provided on a periphery of the hole on a lower surface of the circuit board. A portion provided apart from the membrane,
The upper surface of the wiring board and the lower surface of the circuit board are joined by a joining member arranged in a region of the lower surface of the circuit board where the protective film is not provided,
A light-emitting device comprising: a light-reflecting member provided on and in contact with and covering the entire periphery of a side surface of the light-emitting element on the wiring board.
配線基板の上面に、フリップチップ実装された発光素子を含む光源部が設けられた光源装置と、
光反射部材と、を備える発光装置の製造方法であって、
前記光源装置の前記光源部を前記回路基板の孔に挿入し、前記回路基板の下面の前記保護膜が設けられていない領域に配置された接合部材によって、前記配線基板の上面を前記回路基板の下面に接合する第１工程と、
前記第１工程の後、前記光反射部材を、前記配線基板上における前記発光素子の側面の全周に接して被覆するように形成する第２工程と、を備える発光装置の製造方法。 A circuit board having a hole penetrating from the upper surface to the lower surface, and a protective film having a resin as a base material is provided on the upper surface, a part of the lower surface, and side surfaces of the hole , The protection film provided on a part is provided on a lower surface of the circuit board at a portion provided on a periphery of the hole, and is provided on a lower surface of the circuit board at a distance from the protection film provided on a periphery of the hole. A circuit board having
A light source device provided with a light source unit including a light emitting element mounted on a flip chip on an upper surface of the wiring board,
A light reflecting member, and a method for manufacturing a light emitting device comprising:
The light source unit of the light source device is inserted into the hole of the circuit board, and the upper surface of the wiring board is fixed to the upper surface of the circuit board by a bonding member arranged in a region on the lower surface of the circuit board where the protective film is not provided. A first step of bonding to the lower surface,
A second step of forming the light reflecting member so as to be in contact with and cover the entire periphery of the side surface of the light emitting element on the wiring board after the first step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018109992A JP6669197B2 (en) | 2018-06-08 | 2018-06-08 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018109992A JP6669197B2 (en) | 2018-06-08 | 2018-06-08 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014102138A Division JP6387677B2 (en) | 2014-05-16 | 2014-05-16 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018174334A JP2018174334A (en) | 2018-11-08 |
| JP6669197B2 true JP6669197B2 (en) | 2020-03-18 |
Family
ID=64107577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018109992A Active JP6669197B2 (en) | 2018-06-08 | 2018-06-08 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6669197B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6852822B2 (en) * | 2019-05-30 | 2021-03-31 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting module and its manufacturing method |
| US11681090B2 (en) * | 2019-05-30 | 2023-06-20 | Nichia Corporation | Light emitting module and method of manufacturing same |
| JP7189446B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
| JP7121302B2 (en) * | 2020-02-05 | 2022-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light-emitting module |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3991612B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting element |
| JP4045781B2 (en) * | 2001-08-28 | 2008-02-13 | 松下電工株式会社 | Light emitting device |
| JP4516337B2 (en) * | 2004-03-25 | 2010-08-04 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor light emitting device |
| JP2006128511A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ceramic substrate for light emitting element |
| JP5080758B2 (en) * | 2005-10-07 | 2012-11-21 | 日立マクセル株式会社 | Semiconductor device |
| TWI341038B (en) * | 2006-12-18 | 2011-04-21 | Delta Electronics Inc | Electroluminescence module |
| JP5400289B2 (en) * | 2007-11-13 | 2014-01-29 | 電気化学工業株式会社 | Light emitting device |
| JP5235105B2 (en) * | 2008-06-23 | 2013-07-10 | パナソニック株式会社 | Light emitting device |
| KR101077264B1 (en) * | 2009-02-17 | 2011-10-27 | (주)포인트엔지니어링 | Substrate for optical device, optical device package having the same and menufacturing method thereof |
| JP5326705B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
| DE102010011428A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for its production |
| TW201246618A (en) * | 2010-10-19 | 2012-11-16 | Kyushu Inst Technology | Led module device, method for manufacturing same, led package used for led module device, and method for manufacturing same |
| JP4904604B1 (en) * | 2011-02-17 | 2012-03-28 | 国立大学法人九州工業大学 | LED module device and manufacturing method thereof |
| JP2013058396A (en) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Koito Mfg Co Ltd | Vehicular lamp |
| JP6038443B2 (en) * | 2011-11-21 | 2016-12-07 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| JP2014082453A (en) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Method of manufacturing light-emitting device |
| JP6387677B2 (en) * | 2014-05-16 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
-
2018
- 2018-06-08 JP JP2018109992A patent/JP6669197B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018174334A (en) | 2018-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6127468B2 (en) | Light emitting device | |
| TWI593074B (en) | Mounting structure for semiconductor device, backlight device and mounting substrate | |
| JP6107136B2 (en) | LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME, AND LIGHTING DEVICE EQUIPPED WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE | |
| JP6217705B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP6291713B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate, light-emitting device including the same, and lead frame | |
| JP6669197B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP6277860B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP6175952B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6387677B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP6318844B2 (en) | Light emitting device | |
| TW201547062A (en) | Light emitting device | |
| JP6368924B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2016054251A (en) | Package and light-emitting device using the same | |
| JP6524624B2 (en) | Light emitting device | |
| TW201511353A (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP2016174120A (en) | Light emission device | |
| JP2014033168A (en) | Light-emitting device | |
| JP6326830B2 (en) | Light emitting device and lighting device including the same | |
| JP6399132B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6669208B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6729648B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2017224867A (en) | Light-emitting device and manufacturing method therefor | |
| JP6544410B2 (en) | Light emitting element mounting substrate and light emitting device provided with the same | |
| JP6959557B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2019033263A (en) | Package and light-emitting device using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180612 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180612 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190514 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190913 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200210 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6669197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |