JP6668695B2 - 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 - Google Patents
回路装置、発振器、電子機器及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6668695B2 JP6668695B2 JP2015221730A JP2015221730A JP6668695B2 JP 6668695 B2 JP6668695 B2 JP 6668695B2 JP 2015221730 A JP2015221730 A JP 2015221730A JP 2015221730 A JP2015221730 A JP 2015221730A JP 6668695 B2 JP6668695 B2 JP 6668695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- power supply
- circuit device
- converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 224
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 160
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 128
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 38
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 33
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- OVOUKWFJRHALDD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-acetyloxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCOCCOC(C)=O OVOUKWFJRHALDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 102100029011 D-aminoacyl-tRNA deacylase 2 Human genes 0.000 description 8
- 101000838681 Homo sapiens D-aminoacyl-tRNA deacylase 2 Proteins 0.000 description 8
- 108700012361 REG2 Proteins 0.000 description 8
- 101150108637 REG2 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100120298 Rattus norvegicus Flot1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100412403 Rattus norvegicus Reg3b gene Proteins 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 102100023882 Endoribonuclease ZC3H12A Human genes 0.000 description 7
- 101710112715 Endoribonuclease ZC3H12A Proteins 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- QGVYYLZOAMMKAH-UHFFFAOYSA-N pegnivacogin Chemical compound COCCOC(=O)NCCCCC(NC(=O)OCCOC)C(=O)NCCCCCCOP(=O)(O)O QGVYYLZOAMMKAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 102100029010 D-aminoacyl-tRNA deacylase 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000838688 Homo sapiens D-aminoacyl-tRNA deacylase 1 Proteins 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101000873502 Homo sapiens S-adenosylmethionine decarboxylase proenzyme Proteins 0.000 description 5
- 241000594011 Leuciscus leuciscus Species 0.000 description 5
- 102100035914 S-adenosylmethionine decarboxylase proenzyme Human genes 0.000 description 5
- XBGNERSKEKDZDS-UHFFFAOYSA-N n-[2-(dimethylamino)ethyl]acridine-4-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(C(=O)NCCN(C)C)=CC=CC3=CC2=C1 XBGNERSKEKDZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 101150067537 AMD2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 101150113941 trt1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 101100538446 Aspergillus terreus (strain NIH 2624 / FGSC A1156) trt2 gene Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYPFDBRUNKHDGX-SOGSVHMOSA-N N1C2=CC=C1\C(=C1\C=CC(=N1)\C(=C1\C=C/C(/N1)=C(/C1=N/C(/CC1)=C2/C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1)\C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1 Chemical compound N1C2=CC=C1\C(=C1\C=CC(=N1)\C(=C1\C=C/C(/N1)=C(/C1=N/C(/CC1)=C2/C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1)\C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1 LYPFDBRUNKHDGX-SOGSVHMOSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012890 quintic function Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229960002197 temoporfin Drugs 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0088—Reduction of noise
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
図1に本実施形態の回路装置の基本構成例を示す。この回路装置は、DTCXOやOCXO(oven controlled crystal oscillator)等のデジタル方式の発振器を実現する回路装置(半導体チップ)である。例えばこの回路装置と振動子XTALをパッケージに収納することで、デジタル方式の発振器が実現される。
図2に、本実施形態の回路装置の第1のレイアウト構成例を示し、図3に、本実施形態の回路装置の第2のレイアウト構成例を示す。図2、図3は、回路装置の基板KBN(半導体基板、シリコン基板)を厚み方向に見た平面視図である。なお回路装置のレイアウト構成は図2、図3の構成には限定されない。例えば、以下で矩形領域と説明する領域は必ずしも矩形でなくてもよい。
以下、電源回路について詳細に説明する。図4に、回路装置の第1の詳細な構成例を示す。
図7に、基準電圧生成回路の詳細な構成例を示す。なお、図7の基準電圧生成回路は、基準電圧生成回路41〜47のいずれにも適用できる。図7の基準電圧生成回路は、第1の仕事関数差アンプREG1、第2の仕事関数差アンプREG2を含む。
図8に、基準電流生成回路170、発振回路150の詳細な構成例を示す。基準電流生成回路170は、トランジスターTDa、TDb、TDc、演算増幅器AMD1、AMD2、抵抗RDを含む。
温度補償型発振器であるTCXOでは、周波数精度の向上と低消費電力化への要求がある。例えばGPS内蔵の時計や脈波等の生体情報の測定機器などのウェアラブル機器では、バッテリーによる動作継続時間を長くする必要がある。このため、基準信号源となるTCXOに対しては、周波数精度を確保しながら、より低消費電力であることが要求される。
VA<(FD/FR)×VFS (1)
1/2i<(FD/FR) (2)
VFS×1/2i<(FD/FR)×VFS (3)
図13に、D/A変換部80の詳細な構成例を示す。D/A変換部80は、変調回路90とD/A変換器100とフィルター回路120を含む。
図14Aに温度センサー部10の第1の構成例を示す。図14Aの温度センサー部10は、電流源ISTと、電流源ISTからの電流がコレクターに供給されるバイポーラートランジスターTRTを有する。バイポーラートランジスターTRTは、そのコレクターとのベースが接続されるダイオード接続となっており、バイポーラートランジスターTRTのコレクターのノードに、温度特性を有する温度検出電圧VTDが出力される。温度検出電圧VTDの温度特性は、バイポーラートランジスターTRTのベース・エミッター間電圧の温度依存性によって生じる。図13Cに示すように温度検出電圧VTDは、負の温度特性(負の勾配を有する1次の温度特性)を有する。
図15に、A/D変換部20の詳細な構成例を示す。A/D変換部20は、処理部23、レジスター部24、D/A変換器DACE、DACF、比較部27を含む。また温度センサー部用アンプ28を含むことができる。処理部23、レジスター部24は、ロジック部22として設けられ、D/A変換器DACE、DACF、比較部27、温度センサー部用アンプ28は、アナログ部26として設けられる。
図16Aに、本実施形態の回路装置500を含む発振器400の構成例を示す。図16Aに示すように、発振器400は、振動子420と回路装置500を含む。振動子420と回路装置500は、発振器400のパッケージ410内に実装される。そして振動子420の端子と、回路装置500(IC)の端子(パッド)は、パッケージ410の内部配線により電気的に接続される。
24…レジスター部、26…アナログ部、27…比較部、
28…温度センサー部用アンプ、30…メモリー部、40…電源回路、
41…第1の基準電圧生成回路、42…第2の基準電圧生成回路、
43…第3の基準電圧生成回路、44…第4の基準電圧生成回路、
45…第5の基準電圧生成回路、46…第6の基準電圧生成回路、
47…基準電圧生成回路、50…処理部、70…出力部、80…D/A変換部、
82…ロジック部、84…アナログ部、90…変調回路、100…D/A変換器、
120…フィルター回路、140…発振信号生成回路、150…発振回路、
160…バッファー回路、170…基準電流生成回路、206…自動車、
207…車体、208…制御装置、209…車輪、400…発振器、
410…パッケージ、420…振動子、500…回路装置、510…通信部、
520…処理部、530…操作部、540…表示部、550…記憶部、
ADC…A/D変換部が配置される領域、BUF…バッファー回路が配置される領域、
CLKO…パッド(出力端子)、DAC…D/A変換部が配置される領域、
DR1…第1方向、DR2…第2方向、DR3…第3方向、DR4…第4方向、
DSPL…処理部が配置される領域、EN…パッド(イネーブル端子)、
FAM…メモリー部が配置される領域、HN1…第1の辺、HN2…第2の辺、
OSC…発振回路が配置される領域、RY1…第1のパッド領域、
RY2…第2のパッド領域、VD…パッド(第1の電源端子)、
VS…パッド(第2の電源端子)、XI…パッド(第1の振動子用端子)、
XO…パッド(第2の振動子用端子)、XTAL…振動子
Claims (14)
- 温度センサー部からの温度検出電圧のA/D変換を行い、温度検出データを出力するA/D変換部と、
前記温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力する処理部と、
前記処理部からの前記周波数制御データと振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路と、
を含み、
前記発振信号生成回路は、
前記処理部からの前記周波数制御データのD/A変換を行うD/A変換部と、
前記D/A変換部の出力電圧と前記振動子を用いて、前記発振信号を生成する発振回路と、
を有し、
前記D/A変換部は、前記A/D変換部の第1方向側に配置され、
前記第1方向に交差する方向を第2方向としたとき、前記処理部は、前記A/D変換部及び前記D/A変換部の前記第2方向側に配置され、
前記第2方向の反対方向を第3方向としたとき、前記発振回路は、前記D/A変換部の前記第3方向側又は前記第1方向側に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
前記温度補償処理の近似N次関数の係数データを記憶し、前記係数データを前記処理部に供給するメモリー部を含み、
前記メモリー部は、前記処理部の前記第2方向側に配置されることを特徴する回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記処理部及び前記メモリー部は、長辺方向が前記第1方向に沿うように配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路に接続されたバッファー回路を含み、
前記発振回路は前記D/A変換部の前記第3方向側に配置され、
前記第1方向の反対方向を第4方向としたとき、
前記バッファー回路は、前記発振回路の前記第4方向側に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路に接続されたバッファー回路を含み、
前記発振回路は前記D/A変換部の前記第1方向側に配置され、
前記バッファー回路は前記発振回路の第2方向側に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路は、前記D/A変換部に隣り合って配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の回路装置において、
外部電源が供給され、トランジスターの仕事関数差に基づき生成された基準電圧を生成する少なくとも1つの基準電圧生成回路を含み、
前記少なくとも1つの前記基準電圧生成回路は、パッドが配置されるパッド領域に配置されることを特徴とする回路装置。 - 請求項7に記載の回路装置において、
前記少なくとも1つの前記基準電圧生成回路として、
前記仕事関数差に基づき生成された第1の基準電圧を、第1の電源電圧として前記A/D変換部に供給する第1の基準電圧発生回路と、
前記仕事関数差に基づき生成された第2の基準電圧を、第2の電源電圧として前記処理部に供給する第2の基準電圧発生回路と、
前記仕事関数差に基づき生成された第3の基準電圧を、第3の電源電圧として前記D/A変換部に供給する第3の基準電圧発生回路のうちの、少なくとも1つを含むことを特徴とする回路装置。 - 請求項7又は8に記載の回路装置において、
前記基準電圧に基づいて基準電流を生成する基準電流生成回路を含み、
前記発振回路は、前記基準電流に基づく駆動電流により前記振動子を発振させることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路の発振信号に基づく信号を出力する出力端子と、
前記振動子が接続される第1の振動子用端子及び第2の振動子用端子と、
電源電圧が供給される第1の電源端子及び第2の電源端子と、
イネーブル端子と、
を含み、
前記発振回路は、前記D/A変換部の前記第3方向側に配置され、
前記出力端子と前記第1の振動子用端子と前記第1の電源端子は、回路装置の第1の辺に沿った第1のパッド領域に配置され、
前記第2の電源端子と前記第2の振動子用端子と前記イネーブル端子は、前記回路装置の前記第1の辺に対向する第2の辺に沿った第2のパッド領域に配置され、
前記第1のパッド領域及び前記第2のパッド領域の長辺方向は、前記第3方向であることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路の発振信号に基づく信号を出力する出力端子と、
前記振動子が接続される第1の振動子用端子及び第2の振動子用端子と、
電源電圧が供給される第1の電源端子及び第2の電源端子と、
イネーブル端子と、
を含み、
前記発振回路は、前記D/A変換部の前記第1方向側に配置され、
前記出力端子と前記第1の振動子用端子と前記第1の電源端子は、回路装置の第1の辺に沿った第1のパッド領域に配置され、
前記第2の電源端子と前記第2の振動子用端子と前記イネーブル端子は、前記回路装置の前記第1の辺に対向する第2の辺に沿った第2のパッド領域に配置され、
前記第1のパッド領域及び前記第2のパッド領域の長辺方向は、前記第1方向であることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。 - 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015221730A JP6668695B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
CN201610917535.4A CN107017839B (zh) | 2015-11-12 | 2016-10-20 | 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 |
US15/345,682 US10461693B2 (en) | 2015-11-12 | 2016-11-08 | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015221730A JP6668695B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092745A JP2017092745A (ja) | 2017-05-25 |
JP2017092745A5 JP2017092745A5 (ja) | 2018-12-20 |
JP6668695B2 true JP6668695B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=58692113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015221730A Active JP6668695B2 (ja) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10461693B2 (ja) |
JP (1) | JP6668695B2 (ja) |
CN (1) | CN107017839B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7124417B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2022-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
US10756671B2 (en) * | 2018-10-08 | 2020-08-25 | Ixi Technology Holdings, Inc. | Temperature compensation for a voltage controlled oscillator |
JP7275638B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
JP2020137023A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
JP7388015B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-11-29 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
JP2021153259A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | ミツミ電機株式会社 | 放電制御回路および電流源回路 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482809A (en) | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Kinseki Ltd | Digital temperature compensated crystal oscillator |
US5081431A (en) * | 1990-01-26 | 1992-01-14 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Digital temperature-compensated oscillator |
JP3111874B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2000-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 高周波装置 |
US5912595A (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-15 | Ma; John Y. | Digitally temperature compensated voltage-controlled oscillator tunable to different frequency channels |
JP2001339244A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Nippon Precision Circuits Inc | 温度補償型発振器とその製造方法および温度補償型発振用集積回路 |
US6661302B1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-12-09 | Cts Corporation | Compensation algorithm for crystal curve fitting |
JP2004135002A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 基準発振器およびそれを用いた電子装置 |
US7215214B1 (en) * | 2003-09-26 | 2007-05-08 | Cypress Semiconductor Corp. | Resonator and amplifying oscillator circuit having a high resolution skew-compensated frequency synthesizer integrated on a single substrate |
US7102447B2 (en) * | 2004-05-04 | 2006-09-05 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | XO-buffer robust to interference |
JP4322732B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2009-09-02 | 株式会社リコー | 定電流発生回路 |
US7145211B2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-12-05 | Micrel, Incorporated | Seal ring for mixed circuitry semiconductor devices |
US7193483B2 (en) * | 2005-03-24 | 2007-03-20 | Silicon Laboratories Inc. | Blocking a leakage current |
US7391278B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-06-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Oscillator with stacked amplifier |
US7371005B1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-13 | Intersil Americas Inc. | Automatic circuit and method for temperature compensation of oscillator frequency variation over temperature for a real time clock chip |
US7616074B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-11-10 | Synopsys, Inc. | Low-power fast-startup oscillator with digital feedback control |
US7791418B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-09-07 | Pentad Design, Llc | Systems and methods for compensating for variations of the output of a real-time clock |
JP5757786B2 (ja) * | 2011-01-06 | 2015-07-29 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
JP5772109B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置及び電子機器 |
JP5788755B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-10-07 | セイコーインスツル株式会社 | 発振装置 |
JP6241587B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-12-06 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路、振動デバイス、電子機器、移動体及び集積回路のモード切り替え方法 |
CN102930094A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-02-13 | 北京七芯中创科技有限公司 | 带温度补偿的高精度时钟芯片版图结构 |
JP2014197751A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
CN104683653B (zh) * | 2013-11-30 | 2018-12-14 | 南宁富桂精密工业有限公司 | 时钟信号产生电路及视频信号处理电路 |
JP6350793B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-12 JP JP2015221730A patent/JP6668695B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-20 CN CN201610917535.4A patent/CN107017839B/zh active Active
- 2016-11-08 US US15/345,682 patent/US10461693B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107017839A (zh) | 2017-08-04 |
US20170141727A1 (en) | 2017-05-18 |
CN107017839B (zh) | 2022-01-04 |
JP2017092745A (ja) | 2017-05-25 |
US10461693B2 (en) | 2019-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6638340B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6668695B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6350793B2 (ja) | 発振回路、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 | |
JP6728652B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 | |
JP6720687B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP2013211654A (ja) | 発振器、電子機器及び発振器の温度補償方法 | |
US10256824B2 (en) | D/A converter, circuit device, oscillator, electronic apparatus and moving object | |
JP6772542B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
CN108512546B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备、移动体及电路装置的制造方法 | |
CN107017885B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 | |
US10218375B2 (en) | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
CN107017837B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 | |
CN107017882B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 | |
JP6926546B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP2016134735A (ja) | 発振器、電子機器及び移動体 | |
US10680554B2 (en) | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
JP6736871B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
US10469089B2 (en) | Oscillation circuit, circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
JP2017085536A (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6668695 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |