JP6668637B2 - Resin composition, resin film, circuit board, and semiconductor device - Google Patents

Resin composition, resin film, circuit board, and semiconductor device Download PDF

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Description

本発明は、樹脂組成物、樹脂膜、回路基板および半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition, a resin film, a circuit board, and a semiconductor device.

従来、半導体装置を構成する回路基板に設けられるソルダーレジスト膜として、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜を使用することが検討されている。
ここで、近年、かかる回路基板の導体パターンのコントラストを見えにくくするため、あるいは、半導体装置の意匠性を高めるためにこのソルダーレジスト膜に黒色を呈させる試みがなされている。
Conventionally, it has been studied to use a cured film formed using a thermosetting resin composition as a solder resist film provided on a circuit board constituting a semiconductor device.
In recent years, attempts have been made to render the solder resist film black in order to make the contrast of the conductor pattern of the circuit board less visible or to enhance the design of the semiconductor device.

これに関連して、特許文献1には、充分な黒色度を有しつつ解像性にも優れる黒色フォトソルダーレジストとして、カルボキシル基含有樹脂、光重合開始剤、希釈剤、1分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有する多官能エポキシ化合物、黒色着色剤、黒色着色剤以外の1種以上の着色剤を有する黒色ソルダーレジスト組成物が記載されている。
また、特許文献2は、柔軟性に優れ、紫外線領域の波長の透過率が高い黒色の硬化物が得られる黒色硬化性樹脂組成物として、カルボキシル基含有感光性樹脂と、光重合開始剤と、希釈剤と、エポキシ化合物と、ウレタン(メタ)アクリレートと、ペリレン系黒色着色剤と、を含有する黒色硬化性樹脂組成物が記載されている。
In this connection, Patent Document 1 discloses that a black photo solder resist having a sufficient degree of blackness and excellent resolution has a carboxyl group-containing resin, a photopolymerization initiator, a diluent, and at least one molecule per molecule. A black solder resist composition having a polyfunctional epoxy compound having two epoxy groups, a black colorant, and one or more colorants other than the black colorant is described.
Patent Document 2 discloses a carboxyl group-containing photosensitive resin, a photopolymerization initiator, and a black curable resin composition which is excellent in flexibility and obtains a black cured product having high transmittance at a wavelength in an ultraviolet region. A black curable resin composition containing a diluent, an epoxy compound, a urethane (meth) acrylate, and a perylene black colorant is described.

特開2008−257045号公報JP 2008-257045 A 特開2014−063091号公報JP 2014-063091 A

しかしながら、このような黒色を呈するソルダーレジスト用の樹脂組成物は、導体パターンの遮蔽や意匠性の向上を目的とする反面、硬化させた後、濃い黒色の箇所と黒色の薄れた箇所との色むらが目立ちやすい傾向がある。
このことから、半導体装置を長期使用する際であっても、この色むらの発生を抑制することが求められる。
However, such a resin composition for a solder resist exhibiting a black color is intended to improve the design and the shielding of a conductor pattern, but after curing, the color of a dark black portion and a black faded portion. Unevenness tends to be noticeable.
For this reason, even when the semiconductor device is used for a long time, it is required to suppress the occurrence of the color unevenness.

このような事情を鑑み、本発明は、黒色ソルダーレジスト膜を形成した際に、色むらの発生しづらい樹脂組成物を提供することを課題とする。   In view of such circumstances, an object of the present invention is to provide a resin composition in which color unevenness is less likely to occur when a black solder resist film is formed.

本発明によれば、
ソルダーレジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、
(A)ナフタレン型エポキシ樹脂と、
(B)黒色着色剤と、
(C)硬化剤と、
(D)無機充填材と、
(E)フェノキシ樹脂と、
を含み、
(C)硬化剤は、ナフトール樹脂を含み、
(B)黒色着色剤の含有量は、前記樹脂組成物の全固形分に対して、1質量%以上、10質量%以下であり、
(D)無機充填材の含有量は、前記樹脂組成物の全固形分に対して、30質量%以上、90質量%以下である、樹脂組成物が提供される。
According to the present invention,
A resin composition used to form a solder resist film,
(A) a naphthalene type epoxy resin,
(B) a black colorant;
(C) a curing agent,
(D) an inorganic filler;
(E) a phenoxy resin,
Only including,
(C) the curing agent contains a naphthol resin,
(B) the content of the black colorant is 1% by mass or more and 10% by mass or less based on the total solid content of the resin composition;
(D) A resin composition having a content of the inorganic filler of 30% by mass or more and 90% by mass or less based on the total solid content of the resin composition is provided.

また、本発明によれば、上記の樹脂組成物を硬化してなる樹脂膜が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a resin film obtained by curing the above resin composition.

また、本発明によれば、上記の樹脂膜を備える回路基板が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a circuit board including the above resin film.

また、本発明によれば、上記の回路基板を備える半導体装置が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor device including the above-described circuit board.

本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂として特定構造を有するエポキシ樹脂が含有される。これにより、ソルダーレジスト膜に含まれる黒色着色剤が、たとえば、酸素や水分などの外部環境の影響を受けづらくなり、結果として、黒色ソルダーレジスト膜としての、色むらが発生しづらくなる。   The resin composition of the present invention contains an epoxy resin having a specific structure as an epoxy resin. As a result, the black colorant contained in the solder resist film is less likely to be affected by an external environment such as oxygen and moisture, and as a result, the color unevenness of the black solder resist film is less likely to occur.

本実施形態に係るキャリア付樹脂組成物の一例を示す断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows an example of the resin composition with a carrier which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of the semiconductor device according to the embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、適宜、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

[樹脂組成物]
まず、本実施形態の樹脂組成物について説明する。
本実施形態の樹脂組成物は、
ソルダーレジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、
(A)ナフタレン型エポキシ樹脂またはナフチレンエーテル型エポキシ樹脂と、
(B)黒色着色剤と、
を含む。
以下、本実施形態の樹脂組成物を構成する各成分について説明する。
[Resin composition]
First, the resin composition of the present embodiment will be described.
The resin composition of the present embodiment,
A resin composition used to form a solder resist film,
(A) a naphthalene type epoxy resin or a naphthylene ether type epoxy resin;
(B) a black colorant;
including.
Hereinafter, each component constituting the resin composition of the present embodiment will be described.

((A)ナフタレン型エポキシ樹脂)
本実施形態の樹脂組成物は、(A)ナフタレン型エポキシ樹脂を含む。
この(A)ナフタレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中にナフタレン骨格を有するものをいう。(A)ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などが好ましい。これらのうち、いずれか1種以上を使用できる。
((A) naphthalene type epoxy resin)
The resin composition of the present embodiment contains (A) a naphthalene-type epoxy resin.
The (A) naphthalene type epoxy resin refers to a resin having a naphthalene skeleton in a repeating unit. (A) Examples of the naphthalene type epoxy resin include naphthol type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthalene aralkyl type epoxy resin, bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, naphthylene ether type epoxy resin and the like. preferable. Any one or more of these can be used.

かかる(A)ナフタレン型エポキシ樹脂は、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキング効果が高いため、特に、低熱膨張性、低熱収縮性に優れ、更に、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度が特に高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。また、本実施形態の樹脂組成物においては、上記のような特性も相俟って、樹脂組成物の硬化物が、外部環境の影響を受けにくくなる。そのため、黒色着色剤を用いた場合であっても、色むらの発生を抑制することができる。   Such (A) naphthalene type epoxy resin has a higher π-π stacking effect of a naphthalene ring than a benzene ring, and thus has particularly excellent low thermal expansion and low thermal shrinkage, and further has a high rigidity effect due to a polycyclic structure. Since the glass transition temperature is particularly high, the change in heat shrinkage before and after reflow is small. In addition, in the resin composition of the present embodiment, a cured product of the resin composition is less likely to be affected by an external environment, in combination with the above-described characteristics. Therefore, even when a black colorant is used, the occurrence of color unevenness can be suppressed.

ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式(VII−1)、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式(VII−2)、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式(VII−3)(VII−4)(VII−5)、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式(VII−6)で示すことができ、これらのうち、いずれか1種以上を使用できる。
なお、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂とは、ナフタレン骨格が酸素原子を介して、他のアリーレン構造と結合した構造を有するエポキシ樹脂である。
上記のなかでも、低吸水、低熱膨張の観点から、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂およびナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましい。
As the naphthol type epoxy resin, for example, the following general formula (VII-1), as the naphthalene diol type epoxy resin, the following formula (VII-2), and as the bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, the following formula (VII-3) (VII-4), (VII-5) and the naphthylene ether type epoxy resin can be represented by, for example, the following general formula (VII-6), and any one or more of these can be used.
In addition, the naphthylene ether type epoxy resin is an epoxy resin having a structure in which a naphthalene skeleton is bonded to another arylene structure via an oxygen atom.
Among them, bifunctional to tetrafunctional epoxy naphthalene resins and naphthylene ether epoxy resins are preferred from the viewpoint of low water absorption and low thermal expansion.

Figure 0006668637
(nは平均1以上6以下の数を示し、Rはグリシジル基または炭素数1以上10以下の炭化水素基を示す。ただし、いずれか一方のRは、グリシジル基である。)
Figure 0006668637
(N represents an average of 1 or more and 6 or less, and R represents a glycidyl group or a hydrocarbon group having 1 or more and 10 or less carbon atoms. However, either R is a glycidyl group.)

Figure 0006668637
Figure 0006668637

Figure 0006668637
Figure 0006668637

Figure 0006668637
(式中、Rは水素原子又はメチル基を表し、Rはそれぞれ独立的に水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基、又はアラルキル基、又は、ナフタレン基、又はグリシジルエーテル基含有ナフタレン基を表し、o及びmはそれぞれ0〜2の整数であって、かつo又はmの何れか一方は1以上である。)
Figure 0006668637
(Wherein, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aralkyl group, or a naphthalene group, or a naphthalene containing a glycidyl ether group. Represents a group, and o and m are each an integer of 0 to 2, and one of o and m is 1 or more.)

ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂として、たとえば、以下の式(6)、(7)で示されるものを使用しても良い。   As the naphthylene ether type epoxy resin, for example, those represented by the following formulas (6) and (7) may be used.

Figure 0006668637
Figure 0006668637

Figure 0006668637
Figure 0006668637

(A)ナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して0.5質量%以上であることが好ましく、1質量%以上であることがより好ましく、1.5質量%以上であることがさらに好ましい。(A)ナフタレン型エポキシ樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物から硬化物を得る際に、熱膨張性が低く、剛性が高く、耐熱性に優れる硬化物を与えやすくなる。
一方で、(A)ナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して20質量%以下であることが好ましく、15質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましい。(A)ナフタレン型エポキシ樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、樹脂組成物から硬化物を得た際に、黒色着色剤に対する外部環境からの影響を適切に緩和できる。また、樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜について、適度な可撓性を付与することができる。
なお、熱硬化性樹脂組成物の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
(A) The content of the naphthalene type epoxy resin is, for example, preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and more preferably 1.5% by mass with respect to the total solid content of the resin composition. % Is more preferable. (A) By setting the content of the naphthalene type epoxy resin to the above lower limit or more, when obtaining a cured product from the resin composition, it is easy to give a cured product having low thermal expansion property, high rigidity, and excellent heat resistance. Become.
On the other hand, the content of the (A) naphthalene type epoxy resin is, for example, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and more preferably 10% by mass, based on the total solid content of the resin composition. It is more preferred that: By setting the content of the (A) naphthalene type epoxy resin to the above upper limit or less, when a cured product is obtained from the resin composition, the influence of the external environment on the black colorant can be appropriately mitigated. Also, the solder resist film formed using the resin composition can be given appropriate flexibility.
In addition, the total solid content of the thermosetting resin composition refers to all components excluding the solvent contained in the thermosetting resin composition. Hereinafter, the same applies in the present specification.

(A')他のエポキシ樹脂
また、本実施形態の樹脂組成物は、上述の(A)ナフタレン型エポキシ樹脂以外にも、他のエポキシ樹脂を含ませることができる。
この(A')他のエポキシ樹脂としては、たとえばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
(A ′) Other Epoxy Resins The resin composition of the present embodiment can contain other epoxy resins in addition to the above-mentioned (A) naphthalene-type epoxy resin.
Examples of the epoxy resin (A ′) include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, and bisphenol M epoxy resin (4,4 ′-(1 , 3-phenylenediisopridiene) bisphenol-type epoxy resin), bisphenol P-type epoxy resin (4,4 '-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol-type epoxy resin), bisphenol Z-type epoxy resin (4 Bisphenol type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, tetraphenol group ethane type novolak type epoxy resin, condensed ring aromatic hydrocarbon structure Novolak-type epoxy resins such as novolak-type epoxy resins having the following; biphenyl-type epoxy resins; aralkyl-type epoxy resins such as xylylene-type epoxy resins and biphenylaralkyl-type epoxy resins; anthracene-type epoxy resins; phenoxy-type epoxy resins; dicyclopentadiene-type epoxy Resins; norbornene-type epoxy resins; adamantane-type epoxy resins; fluorene-type epoxy resins, and the like.

この(A')他のエポキシ樹脂を含ませる場合、エポキシ樹脂の総量(すなわち、前述の(A)ナフタレン型エポキシ樹脂と、(A')他のエポキシ樹脂の含有量の総和)は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して8質量%以上であることが好ましく、10質量%以上であることがより好ましく、15質量%以上であることがさらに好ましい。
また、このエポキシ樹脂の総量(すなわち、前述の(A)ナフタレン型エポキシ樹脂と、(A')他のエポキシ樹脂の含有量の総和)は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して40質量%以下であることが好ましく、35質量%以下であることがより好ましく、30質量%以下であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂の量について、このように設定することより、ソルダーレジスト膜としての適度な柔軟性を発現することができる。
When this (A ′) other epoxy resin is included, the total amount of the epoxy resin (that is, the sum of the contents of the (A) naphthalene-type epoxy resin and the content of the (A ′) other epoxy resin) is, for example, It is preferably at least 8% by mass, more preferably at least 10% by mass, even more preferably at least 15% by mass, based on the total solid content of the composition.
The total amount of the epoxy resin (that is, the sum of the contents of the above-mentioned (A) naphthalene-type epoxy resin and (A ′) other epoxy resins) is, for example, 40 mass% with respect to the total solid content of the resin composition. %, Preferably 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less.
By setting the amount of the epoxy resin in such a manner, appropriate flexibility as a solder resist film can be exhibited.

((B)黒色着色剤)
本実施形態の樹脂組成物は、(B)黒色着色剤を含む。
この(B)黒色着色剤としては、公知の黒色顔料や黒色染料等を使用することができる。この(B)黒色着色剤としては、たとえば黒色酸化チタン、カーボンブラック(ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど)、グラファイト、シアニンブラック、フェライト、酸化銅、二酸化マンガン、アニリンブラック、ペリレンブラック、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などを用いることができる。
これらのうち、ソルダーレジスト膜としての耐久性や絶縁性、使用可使時間等を考慮し、黒色顔料を(B)黒色着色剤として含ませることが好ましく、その中でも、黒色酸化チタンを(B)黒色着色剤として含ませることがより好ましい。
また、上記の(B)黒色着色剤は、複数種を組み合わせることもできる。
((B) black colorant)
The resin composition of the present embodiment contains (B) a black colorant.
As the black colorant (B), known black pigments and black dyes can be used. Examples of the black colorant (B) include black titanium oxide, carbon black (furnace black, channel black, acetylene black, thermal black, lamp black, etc.), graphite, cyanine black, ferrite, copper oxide, manganese dioxide, aniline black. , Perylene black, magnetite, chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide, chromium complex, composite oxide black dye, anthraquinone organic black dye, and the like can be used.
Of these, it is preferable to include a black pigment as a black colorant (B) in consideration of the durability and insulation properties of the solder resist film, the usable life, and the like. More preferably, it is included as a black colorant.
Further, the black colorant (B) may be used in combination of a plurality of types.

この黒色酸化チタンは、TiOに対してチタン原子対する酸素原子が不足している亜酸化チタンを意味する。
本実施形態の黒色酸化チタンは、酸素欠陥を有するものであれば必ずしも制限されないが、TiO(ただし、Xは、実数であり、かつ1以上、2未満を示す)という一般式で表すことができる。また、本実施形態において、上記Xの下限値は、例えば、1以上が好ましく、1.2以上がより好ましく、1.5以上がさらに好ましい。上記Xの上限値は、たとえば、2未満が好ましく、1.9以下がより好ましく、1.85以下がさらに好ましい。上記Xを下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト膜の絶縁性を高めることができる。また、樹脂組成物中における黒色酸化チタンの分散性を向上させることができる。一方、上記Xを上限値以下とすることにより、YAGレーザー等のレーザーの捺印性を向上させることができる。
本実施形態の黒色酸化チタンの具体例としては、特に限定されないが、例えば、Ti、Ti、Ti、およびTi11等が挙げられる。本実施形態の(B)黒色着色剤は、黒色酸化チタンとして、Ti、Ti、およびTi11のうちの少なくとも一つを含むことができる。
This black titanium oxide means titanium suboxide in which TiO 2 lacks oxygen atoms with respect to titanium atoms.
The black titanium oxide of the present embodiment is not necessarily limited as long as it has an oxygen vacancy, but can be represented by a general formula of TiO x (where X is a real number and represents 1 or more and less than 2). it can. In the present embodiment, the lower limit of X is, for example, preferably 1 or more, more preferably 1.2 or more, and still more preferably 1.5 or more. The upper limit of X is, for example, preferably less than 2, more preferably 1.9 or less, and still more preferably 1.85 or less. By setting X to a value equal to or greater than the lower limit, the insulating property of the solder resist film can be increased. Further, the dispersibility of the black titanium oxide in the resin composition can be improved. On the other hand, when X is equal to or less than the upper limit, the printability of a laser such as a YAG laser can be improved.
Specific examples of the black titanium oxide of the present embodiment are not particularly limited, and include, for example, Ti 2 O 3 , Ti 4 O 7 , Ti 5 O 9 , and Ti 6 O 11 . The black colorant (B) of the present embodiment can include at least one of Ti 4 O 7 , Ti 5 O 9 , and Ti 6 O 11 as black titanium oxide.

(B)黒色着色剤として黒色酸化チタンを用いる場合、黒色酸化チタンの平均粒径D50の下限値は、特に限定されないが、例えば、0.1μm以上が好ましく、0.2μm以上がより好ましく、0.3μm以上がさらに好ましい。黒色酸化チタンの平均粒径D50の上限値は、特に限定されないが、例えば、2.0以下が好ましく、1.9μm以下がより好ましく、1.8μm以下がさらに好ましい。
黒色酸化チタンの平均粒径D50を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト膜の絶縁性を高めることができる。黒色酸化チタンの平均粒径D50を上記上限値以下とすることにより、黒色酸化チタンの分散性を高めることができる。この平均粒径D50の測定は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)を用いて測定することが可能である。
(B) When using a black titanium oxide as a black colorant, the lower limit of the average particle diameter D 50 of the black titanium oxide is not particularly limited, for example, is preferably at least 0.1 [mu] m, more preferably at least 0.2 [mu] m, 0.3 μm or more is more preferable. The upper limit of the oxide black average particle diameter D 50 of the titanium is not particularly limited, for example, preferably 2.0 or less, more preferably 1.9 .mu.m or less, and more preferably 1.8 .mu.m.
The average particle diameter D 50 of the black titanium oxide by the above-described lower limit, it is possible to improve the insulation of the solder resist film. The average particle diameter D 50 of the black titanium oxide by the above-described upper limit or less, it is possible to improve the dispersibility of the black titanium oxide. Measurement of the average particle diameter D 50, for example a laser diffraction particle size distribution analyzer (HORIBA Ltd., LA-500) can be measured using a.

(B)黒色着色剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。(B)黒色着色剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト膜として、充分に導体パターンを遮蔽できるだけの黒色を呈することができる。
一方で、(B)黒色着色剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して10質量%以下であることが好ましく、9質量%以下であることがより好ましく、8質量%以下であることがさらに好ましい。(B)黒色着色剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜について、適度な可撓性を付与することができる。
(B) The content of the black colorant is, for example, preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more based on the total solid content of the resin composition. Is more preferred. (B) By setting the content of the black colorant to the above lower limit or more, the solder resist film can exhibit a black color enough to sufficiently shield the conductor pattern.
On the other hand, the content of (B) the black colorant is, for example, preferably 10% by mass or less, more preferably 9% by mass or less, and more preferably 8% by mass or less based on the total solid content of the resin composition. Is more preferable. (B) By setting the content of the black colorant to be equal to or less than the above upper limit, appropriate flexibility can be imparted to the solder resist film formed using the resin composition.

((C)硬化剤)
本実施形態の樹脂組成物は、(C)硬化剤を含むことが好ましい。
この(C)硬化剤は、エポキシ樹脂を効果的に硬化させることのできる材料の中から適宜選択することができる。より具体的に、この(C)硬化剤としては、たとえば重付加型の硬化剤を用いることができる。
((C) curing agent)
The resin composition of the present embodiment preferably contains (C) a curing agent.
The curing agent (C) can be appropriately selected from materials capable of effectively curing the epoxy resin. More specifically, as the curing agent (C), for example, a polyaddition type curing agent can be used.

重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン;ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;フェノール樹脂、クレゾール樹脂、レゾルシン樹脂、キシレノール樹脂、ナフトール樹脂、ビスフェノールA樹脂、アラルキルフェノール樹脂、ビフェニルアラルキルフェノール樹脂等のフェノール樹脂;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。   Examples of the polyaddition type curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and meta-xylylenediamine (MXDA); diaminodiphenylmethane (DDM), and m-phenylenediamine (MPDA). Polyamine compounds including dicyandiamide (DICY), organic acid dihydralazide, etc., in addition to aromatic polyamines such as diaminodiphenyl sulfone (DDS); alicyclic compounds such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA) and methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Acid anhydrides including aromatic anhydrides such as acid anhydride, trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenonetetracarboxylic acid (BTDA); phenolic resins, cresol resins, and resols Resins, xylenol resins, naphthol resins, bisphenol A resins, aralkyl phenol resins, biphenyl aralkyl phenol resins, etc .; phenolic resins; polysulfides, thioesters, thioethers, etc .; polymercaptan compounds; Organic acids such as an acid-containing polyester resin are exemplified.

これらの中でも、得られるソルダーレジスト膜としての、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスの点からフェノール樹脂を(C)硬化剤として用いることが好ましい。なお、このフェノール樹脂とは、フェノール性水酸基を有する樹脂を指し、この水酸基を備える芳香環はベンゼン環に限定されない。
なお、硬化性の点からこのフェノール樹脂は、水酸基当量が90g/eq以上250g/eq以下であることが好ましい。
Among them, it is preferable to use a phenol resin as the curing agent (C) from the viewpoint of the balance of flame resistance, moisture resistance, electric characteristics, curability, storage stability and the like as the obtained solder resist film. The phenol resin refers to a resin having a phenolic hydroxyl group, and the aromatic ring having the hydroxyl group is not limited to a benzene ring.
From the viewpoint of curability, the phenol resin preferably has a hydroxyl equivalent of 90 g / eq to 250 g / eq.

これらの中でも、(C)硬化剤としてナフトール樹脂を含むことが好ましい。ナフトール樹脂は、ナフトール性水酸基を有し、かつ、エポキシ樹脂に対して硬化作用を有する硬化剤である。このナフトール樹脂としては、たとえば、ナフトールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂などが挙げられる、これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。また、ナフトール樹脂は、入手容易性、また、本実施形態の樹脂組成物の硬化物について、さらに剛性を持たせる観点から、下記式(1)であらわされるナフトールアラルキル型樹脂がより好ましい。
なお、ナフトールアラルキル型樹脂として市販されているものとしては、たとえば、新日鐵住金化学社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」および「SN395」、日本化薬社製の「NHN」および「CBN」等を挙げることができる。
Among these, it is preferable to include a naphthol resin as the curing agent (C). The naphthol resin is a curing agent having a naphthol hydroxyl group and having a curing action on the epoxy resin. Examples of the naphthol resin include a naphthol novolak resin and a naphthol aralkyl type resin. These may be used alone or in combination of two or more. The naphthol resin is more preferably a naphthol aralkyl-type resin represented by the following formula (1) from the viewpoint of easy availability and further increasing the rigidity of the cured product of the resin composition of the present embodiment.
Examples of commercially available naphthol aralkyl resins include “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, and “SN495” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation. SN375 "and" SN395 "," NHN "and" CBN "manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and the like.

Figure 0006668637
(上記一般式(1)式において、nは1以上15以下の整数であり、mはそれぞれ独立に1または2であり、lはそれぞれ独立に0または1であり、Rはそれぞれ独立にアルキル基、好ましくはメチル基である。)
Figure 0006668637
(In the above formula (1), n is an integer of 1 or more and 15 or less, m is each independently 1 or 2, l is each independently 0 or 1, and R is each independently an alkyl group. , Preferably a methyl group.)

(C)硬化剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。(C)硬化剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、得られるソルダーレジスト膜として、機械的強度を向上させることができる。
一方で、(C)硬化剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して10質量%以下であることが好ましく、9質量%以下であることがより好ましく、8質量%以下であることがさらに好ましい。(C)硬化剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜について、適度な可撓性を付与することができる。
(C) The content of the curing agent is, for example, preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more based on the total solid content of the resin composition. More preferred. By setting the content of the curing agent (C) to the above lower limit or more, the mechanical strength of the obtained solder resist film can be improved.
On the other hand, the content of the curing agent (C) is, for example, preferably 10% by mass or less, more preferably 9% by mass or less, and more preferably 8% by mass or less based on the total solid content of the resin composition. It is more preferred that there be. (C) By setting the content of the curing agent to be equal to or less than the above upper limit, appropriate flexibility can be imparted to the solder resist film formed using the resin composition.

((D)無機充填材)
本実施形態の樹脂組成物は、(D)無機充填材を含むことができる。(D)無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカを用いることがより好ましい。
((D) inorganic filler)
The resin composition of the present embodiment can include (D) an inorganic filler. (D) The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include silicates such as talc, calcined clay, unfired clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and fused silica; Carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate and hydrotalcite; hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; zinc borate , Borates such as barium metaborate, aluminum borate, calcium borate, and sodium borate; nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride; titanates such as strontium titanate and barium titanate And the like.
Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide are preferred, and silica is more preferred.

本実施形態に係るシリカは、特に限定されないが、例えば、球状シリカ、および破砕シリカのうちの少なくとも一方を含んでもよい。ソルダーレジスト膜の埋め込み性や表面平滑性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、シリカは、たとえば、溶融球状シリカでもよい。   The silica according to the present embodiment is not particularly limited, but may include, for example, at least one of spherical silica and crushed silica. From the viewpoint of improving the embedding property and surface smoothness of the solder resist film, it is more preferable to include spherical silica. Further, the silica may be, for example, fused spherical silica.

(D)無機充填材の平均粒径D50の下限値は、とくに限定されないが、0.01μm以上が好ましく、0.05μm以上がより好ましい。(D)無機充填材の平均粒径D50の上限値は、とくに限定されないが、5.0μm以下が好ましく、3.0μm以下がより好ましく、2.0μm以下がさらに好ましい。
このような範囲に設定することで、ソルダーレジスト膜の埋め込み性や表面平滑性をさらに向上させることができる。
また、(D)無機充填材は粒径の異なる複数種の無機充填材を組み合わせたものであっても構わない。
なお、(D)無機充填材の平均粒径D50は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)を用いて測定することが可能である。
The lower limit of the average particle diameter D 50 of the inorganic filler (D) is not particularly limited, it is preferably at least 0.01 [mu] m, more preferably not less than 0.05 .mu.m. The upper limit of the average particle diameter D 50 of the inorganic filler (D) is not particularly limited, is preferably from 5.0 .mu.m, more preferably at most 3.0 [mu] m, more preferably 2.0μm or less.
By setting the thickness in such a range, the embedding property and surface smoothness of the solder resist film can be further improved.
The inorganic filler (D) may be a combination of a plurality of types of inorganic fillers having different particle sizes.
The average particle diameter D 50 of the (D) inorganic filler, for example, a laser diffraction particle size distribution analyzer (HORIBA Ltd., LA-500) can be measured using a.

また、本実施形態の(D)無機充填材としては、シランカップリング剤等により表面処理が行われていても構わない。これにより、樹脂組成物全体に対する親和性を向上させることができる。   Further, as the inorganic filler (D) of the present embodiment, a surface treatment with a silane coupling agent or the like may be performed. Thereby, the affinity for the entire resin composition can be improved.

(D)無機充填材の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましく、50質量%以上であることがさらに好ましい。(D)無機充填材の含有量を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジスト膜の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、ソルダーレジスト膜を低線膨張化および高弾性率化させ、得られる半導体パッケージの反り低減に寄与することも可能である。
一方で、(D)無機充填材の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して90質量%以下であることが好ましく、85質量%以下であることがより好ましく、80質量%以下であることがさらに好ましい。(D)無機充填材の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト膜の埋め込み性をより効果的に向上させることが可能となる。
(D) The content of the inorganic filler is, for example, preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, and preferably 50% by mass or more based on the total solid content of the resin composition. Is more preferred. (D) By setting the content of the inorganic filler to the above lower limit or more, the heat resistance and the moisture resistance of the solder resist film obtained by using the resin composition can be effectively improved. Further, it is possible to reduce the linear expansion and the elastic modulus of the solder resist film, thereby contributing to a reduction in warpage of the obtained semiconductor package.
On the other hand, the content of the inorganic filler (D) is, for example, preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and more preferably 80% by mass or less based on the total solid content of the resin composition. Is more preferable. (D) By setting the content of the inorganic filler to the above upper limit or less, it becomes possible to more effectively improve the filling property of the solder resist film.

((E)フェノキシ樹脂)
本実施形態の樹脂組成物は(E)フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。これにより、ソルダーレジスト膜としての柔軟性を付与することができる。
(E)フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される一種または二種以上の骨格を有するものが挙げられる。(E)フェノキシ樹脂の末端はフェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。
(E)フェノキシ樹脂として市販されているものとしては、例えば、ジャパンエポキシレジン社製の「1256」、「4250」(ビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂)、ジャパンエポキシレジン社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂)、ジャパンエポキシレジン社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂)、東都化成社製の「FX280」、「FX293」、ジャパンエポキシレジン社製の「YL7553BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7482」等が挙げられる。
((E) phenoxy resin)
The resin composition of the present embodiment preferably contains (E) a phenoxy resin. Thereby, flexibility as a solder resist film can be imparted.
(E) Phenoxy resins include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, One having one or more skeletons selected from the group consisting of a terpene skeleton and a trimethylcyclohexane skeleton is exemplified. (E) The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group.
Examples of commercially available (E) phenoxy resins include "1256" and "4250" (bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Japan Epoxy Resin, and "YX8100" (bisphenol S manufactured by Japan Epoxy Resin). (Skeleton-containing phenoxy resin), Japan Epoxy Resin “YX6954” (bisphenolacetophenone skeleton-containing phenoxy resin), Toto Kasei Co., Ltd. “FX280” and “FX293”, Japan Epoxy Resin “YL7553BH30”, “YL6794” , “YL7213”, “YL7290”, “YL7482” and the like.

(E)フェノキシ樹脂の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して0.1質量%以上であることが好ましく、0.3質量%以上であることがより好ましく、0.5質量%以上であることがさらに好ましい。(E)フェノキシ樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジスト膜の耐湿性や柔軟性を効果的に向上させることができる。
一方で、(E)フェノキシ樹脂の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して10質量%以下であることが好ましく、5質量%以下であることがより好ましく、3質量%以下であることがさらに好ましい。(E)フェノキシ樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト膜の機械的強度の向上を図ることができる。
(E) The content of the phenoxy resin is, for example, preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and more preferably 0.5% by mass based on the total solid content of the resin composition. % Is more preferable. By setting the content of (E) the phenoxy resin to the above lower limit or more, the moisture resistance and flexibility of the solder resist film obtained using the resin composition can be effectively improved.
On the other hand, the content of the phenoxy resin (E) is, for example, preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and more preferably 3% by mass or less based on the total solid content of the resin composition. It is more preferred that there be. By setting the content of (E) the phenoxy resin to the above upper limit or less, the mechanical strength of the solder resist film can be improved.

((F)硬化促進剤)
本実施形態の樹脂組成物は、たとえば(F)硬化促進剤をさらに含むことができる。これにより、樹脂組成物の硬化性をさらに向上させることができる。
((F) curing accelerator)
The resin composition of the present embodiment can further include, for example, (F) a curing accelerator. Thereby, the curability of the resin composition can be further improved.

本実施形態に係る(F)硬化促進剤としては、エポキシ樹脂の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態の(F)硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(TPP−K)、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス(4−メチルフェニル)ボレート(TPP−MK)、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネートなどの四級ホスホニウム系化合物、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。   As the (F) curing accelerator according to the present embodiment, one that promotes the curing reaction of the epoxy resin can be used, and the type thereof is not particularly limited. The curing accelerator (F) in the present embodiment is not particularly limited, but includes, for example, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonatocobalt (II), tris Organic metal salts such as acetylacetonatocobalt (III), tertiary amines such as triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2,2] octane, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate (TPP-K), tetraphenylphosphonium -Quaternary phosphonium-based compounds such as tetrakis (4-methylphenyl) borate (TPP-MK) and (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole Imidazoles such as 2-phenyl-4-ethylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol, bisphenol A And one or more selected from phenol compounds such as nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid and paratoluenesulfonic acid, and onium salt compounds.

(F)硬化促進剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して0.05質量%以上であることが好ましく、0.1質量%以上であることがより好ましく、0.15質量%以上であることがさらに好ましい。(F)硬化促進剤の含有量を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。
一方で、(F)硬化促進剤の含有量は、たとえば樹脂組成物の全固形分に対して5質量%以下であることが好ましく、3質量%以下であることがより好ましく、2質量%以下であることがさらに好ましい。(F)硬化促進剤の含有量を上記上限値以下とすることにより、樹脂組成物の保存性を向上させることができる。
(F) The content of the curing accelerator is, for example, preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and more preferably 0.15% by mass, based on the total solid content of the resin composition. More preferably, it is not less than mass%. By setting the content of the curing accelerator (F) to the above lower limit or more, the curability of the resin composition can be more effectively improved.
On the other hand, the content of the (F) curing accelerator is, for example, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and more preferably 2% by mass or less based on the total solid content of the resin composition. Is more preferable. By setting the content of the (F) curing accelerator to the above upper limit or less, the storage stability of the resin composition can be improved.

(その他の成分)
本実施形態の樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、ポリビニルブチラール等のエラストマー、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
(Other components)
In the resin composition of the present embodiment, in addition to the above components, if necessary, a coupling agent, a leveling agent, a photosensitive agent, an antifoaming agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an antioxidant, a flame retardant, and polyvinyl butyral Or one or more additives selected from elastomers such as, and ion scavengers.

上記カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。   Examples of the coupling agent include a silane coupling agent such as an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. Examples of the leveling agent include an acrylic copolymer.

((S)溶剤)
本実施形態の樹脂組成物は、上述の成分を溶剤に溶解することで、ワニス状の樹脂組成物とすることができる。
この溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
((S) solvent)
The resin composition of the present embodiment can be made into a varnish-like resin composition by dissolving the above-described components in a solvent.
Examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, And one or more selected from organic solvents such as N-methylpyrrolidone.

樹脂組成物がワニス状である場合において、樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば30質量%以上80質量%以下であることが好ましく、40質量%以上70質量%以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた樹脂組成物が得られる。
なお、ワニス状の樹脂組成物は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
When the resin composition is in a varnish form, the solid content of the resin composition is preferably, for example, 30% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 40% by mass or more and 70% by mass or less. . Thereby, a resin composition having excellent workability and film formability can be obtained.
The varnish-shaped resin composition may be prepared, for example, by subjecting each of the above-described components to various methods such as an ultrasonic dispersion method, a high-pressure collision dispersion method, a high-speed rotation dispersion method, a bead mill method, a high-speed shear dispersion method, and a rotation revolution type dispersion method. It can be prepared by dissolving, mixing and stirring in a solvent using a mixer.

このようなワニス状の樹脂組成物を得る場合、さらに、このワニス状の樹脂組成物をフィルム状とすることにより、樹脂シートを得ることができる。
この樹脂シートは、たとえばワニス状の樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜に対して、溶剤除去処理を行うことにより得ることができる。この樹脂シートとしては、溶剤含有率が樹脂組成物全体に対して5質量%以下である場合を指すことができる。本実施形態においては、たとえば100℃以上150℃以下、1分以上5分以下の条件で溶剤除去処理を行うことができる。
これにより、樹脂組成物の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
When such a varnish-like resin composition is obtained, a resin sheet can be obtained by further converting the varnish-like resin composition into a film.
This resin sheet can be obtained, for example, by subjecting a coating film obtained by applying a varnish-like resin composition to a solvent removal treatment. This resin sheet can refer to a case where the solvent content is 5% by mass or less based on the entire resin composition. In the present embodiment, for example, the solvent removal treatment can be performed under the condition of 100 ° C. or more and 150 ° C. or less and 1 minute or more and 5 minutes or less.
This makes it possible to sufficiently remove the solvent while suppressing the progress of the curing of the resin composition.

なお、この樹脂シートを得るにあたって、樹脂組成物をキャリア基材に展開した上で、溶剤除去処理を行うことが好ましい。
樹脂組成物をキャリア基材に展開させる方法としては特に限定されないが、たとえばワニス状の樹脂組成物を、各種コーター装置を用いてキャリア基材に塗工する方法、スプレー装置を用いてワニス状の樹脂組成物をキャリア基材に噴霧塗工する方法などが挙げられる。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、ワニス状の樹脂組成物をキャリア基材に塗工し、これを乾燥することで樹脂シートを得る態様が好ましい。
これにより、ボイドがなく、均一な厚みを有する樹脂シートを得ることができる。
In addition, when obtaining this resin sheet, it is preferable to perform a solvent removal treatment after spreading the resin composition on the carrier base material.
The method for developing the resin composition on the carrier substrate is not particularly limited. For example, a method of applying a varnish-shaped resin composition to a carrier substrate using various coaters, a varnish-like method using a spray device. A method of spray-coating the resin composition on the carrier base material is exemplified.
Among these, a preferred embodiment is one in which a varnish-like resin composition is applied to a carrier substrate using various coaters such as a comma coater and a die coater and dried to obtain a resin sheet.
Thereby, a resin sheet having no void and a uniform thickness can be obtained.

以上、各成分を配合することで、本実施形態の樹脂組成物を調製することができるが、本実施形態の樹脂組成物は、以下に示す特性を満たすことが好ましい。   As described above, the resin composition of the present embodiment can be prepared by blending the respective components. However, the resin composition of the present embodiment preferably satisfies the following characteristics.

すなわち、本実施形態の樹脂組成物は、硬化物の25℃における貯蔵弾性率が、たとえば7GPa以上である。これにより、樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジスト膜を備える回路基板のたわみ抑制や強度向上、この回路基板を備える半導体パッケージの反り抑制等を図ることが可能となる。
この貯蔵弾性率は、10GPa以上であることがより好ましい。
一方で、上記貯蔵弾性率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば50GPaとすることができる。
なお、ここで樹脂硬化物から硬化物を得る条件としては、たとえば、200℃、1時間熱処理する条件を採用することができる。この硬化条件は、以下に示す各特性を評価する場合においても同様のものを採用することができる。
That is, in the resin composition of the present embodiment, the storage modulus of the cured product at 25 ° C. is, for example, 7 GPa or more. This makes it possible to suppress deflection and improve the strength of a circuit board provided with a solder resist film obtained by using the resin composition, suppress warpage of a semiconductor package provided with this circuit board, and the like.
This storage modulus is more preferably 10 GPa or more.
On the other hand, the upper limit of the storage elastic modulus is not particularly limited, but may be, for example, 50 GPa.
Here, as a condition for obtaining a cured product from the resin cured product, for example, a condition of heat treatment at 200 ° C. for one hour can be adopted. The same curing conditions can be employed in the case of evaluating the following properties.

また、本実施形態において、樹脂組成物の硬化物はガラス転移温度(Tg)が、たとえば160℃以上である。これにより、樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジスト膜の耐熱性および耐リフロー性の向上等を図ることが可能となる。また、このようなガラス転移温度(Tg)とすることで、硬化物としての剛性を高めることができ、硬化物に含まれる黒色着色剤は、外部環境からの影響をより受けにくくなる。
この硬化物のガラス転移温度は、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、210℃以上であることがとくに好ましい。
一方で、硬化物のガラス転移温度の上限値は、とくに限定されないが、たとえば350℃とすることができる。
In the present embodiment, the cured product of the resin composition has a glass transition temperature (Tg) of, for example, 160 ° C. or higher. This makes it possible to improve the heat resistance and the reflow resistance of the solder resist film obtained by using the resin composition. Further, by setting such a glass transition temperature (Tg), the rigidity of the cured product can be increased, and the black colorant contained in the cured product is less affected by the external environment.
The glass transition temperature of this cured product is more preferably 180 ° C. or higher, further preferably 200 ° C. or higher, and particularly preferably 210 ° C. or higher.
On the other hand, the upper limit of the glass transition temperature of the cured product is not particularly limited, but may be, for example, 350 ° C.

なお、樹脂組成物の硬化物の貯蔵弾性率とガラス転移温度は、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて周波数1Hz、昇温速度5℃/分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から、算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばセイコーインスツルメンツ社製、DMS6100を用いることができる。   The storage elastic modulus and the glass transition temperature of the cured product of the resin composition can be determined, for example, by performing a dynamic viscoelasticity test using a dynamic viscoelasticity measuring device at a frequency of 1 Hz and a temperature rising rate of 5 ° C./min. It can be calculated from the obtained measurement results. The dynamic viscoelasticity measuring device is not particularly limited, but for example, DMS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc. can be used.

また、本実施形態の樹脂組成物の硬化物の体積抵抗率の下限値は、特に限定されないが、例えば、1.0×1012Ω・cm以上が好ましく、5.0×1012Ω・cm以上がより好ましく、1.0×1013Ω・cm以上がさらに好ましく、5.0×1013Ω・cm以上がとくに好ましい。
上記硬化物の体積抵抗率の下限値は、特に限定されないが、例えば、1.0×1018Ω・cm以下が好ましく、5.0×1017Ω・cm以下がより好ましく、1.0×1017Ω・cm以下がさらに好ましい。
樹脂組成物の硬化物の体積抵抗率を上記範囲内とすることにより、信頼性に優れた配線基板および電子装置の構造を実現することができる。
The lower limit of the volume resistivity of the cured product of the resin composition of the present embodiment is not particularly limited, but is, for example, preferably 1.0 × 10 12 Ω · cm or more, and 5.0 × 10 12 Ω · cm. The above is more preferable, 1.0 × 10 13 Ω · cm or more is more preferable, and 5.0 × 10 13 Ω · cm or more is particularly preferable.
Although the lower limit of the volume resistivity of the cured product is not particularly limited, for example, it is preferably 1.0 × 10 18 Ω · cm or less, more preferably 5.0 × 10 17 Ω · cm or less, and 1.0 × 10 17 Ω · cm or less. It is more preferably 10 17 Ω · cm or less.
By setting the volume resistivity of the cured product of the resin composition within the above range, it is possible to realize a highly reliable structure of the wiring board and the electronic device.

次に、キャリア付樹脂組成物100について説明する。
図1は、本実施形態に係るキャリア付樹脂組成物100の一例を示す断面図である。キャリア付樹脂膜100は、ソルダーレジスト膜を形成するために用いられる。図1に示すように、キャリア付樹脂組成物100は、たとえばキャリア基材12と、キャリア基材12上に設けられた樹脂シート10と、を備える。樹脂シート10は、本実施形態に係る樹脂組成物を用いて形成される。
Next, the resin composition with a carrier 100 will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of the resin composition with a carrier 100 according to the present embodiment. The resin film with carrier 100 is used to form a solder resist film. As shown in FIG. 1, the resin composition with a carrier 100 includes, for example, a carrier substrate 12 and a resin sheet 10 provided on the carrier substrate 12. The resin sheet 10 is formed using the resin composition according to the present embodiment.

キャリア付樹脂組成物100は、たとえばキャリア基材12上にワニス状の樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成した後、当該塗布膜に対して溶剤除去処理を行うことによって樹脂シート10を形成することにより製造することができる。溶剤除去処理は、たとえば塗布膜の溶剤含有率が塗布膜全体に対して5質量%以下となる条件で行われる。キャリア基材12は、とくに限定されないが、たとえば、高分子フィルムや金属箔などを用いることができる。高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル;ポリカーボネート;シリコーンシート;フッ素系樹脂;ポリイミド樹脂などのフィルムが挙げられる。金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、鉄および鉄系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などが挙げられる。
また、樹脂シート10の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば5μm以上300μm以下とすることができる。これにより、ソルダーレジスト膜の形成に適した樹脂シート10を実現することができる。
The resin composition with a carrier 100 forms, for example, a varnish-like resin composition on the carrier base material 12 to form a coating film, and then performs a solvent removal treatment on the coating film to form the resin sheet 10. Can be manufactured. The solvent removal treatment is performed, for example, under the condition that the solvent content of the coating film is 5% by mass or less based on the entire coating film. The carrier base material 12 is not particularly limited, but for example, a polymer film or a metal foil can be used. Examples of the polymer film include, but are not particularly limited to, polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; polycarbonates; silicone sheets; The metal foil is not particularly limited, for example, copper and copper-based alloys, aluminum and aluminum-based alloys, iron and iron-based alloys, silver and silver-based alloys, gold and gold-based alloys, zinc and zinc-based alloys, nickel and Nickel-based alloys, tin, and tin-based alloys are exemplified.
The thickness of the resin sheet 10 is not particularly limited, but may be, for example, 5 μm or more and 300 μm or less. Thereby, the resin sheet 10 suitable for forming the solder resist film can be realized.

本実施形態においては、たとえば次のようにしてキャリア付樹脂組成物100を用いてソルダーレジスト膜を形成することができる。まず、回路基板の導体回路パターンが設けられた面上に、樹脂シート10が回路基板と対向するようキャリア付樹脂組成物100を貼付する。キャリア付樹脂組成物100の貼付は、たとえばキャリア付樹脂組成物100を回路基板上に積層した後、これを真空加熱加圧成形することにより行うことができる。次いで、キャリア基材12を、樹脂シート10から剥離する。次いで、回路基板上に残存した樹脂シート10を熱硬化させる。これにより、回路基板上に、導体回路パターンを覆うように、本実施形態の樹脂組成物を硬化して得られる樹脂膜(ソルダーレジスト膜)が形成されることとなる。   In the present embodiment, for example, a solder resist film can be formed using the resin composition with a carrier 100 as follows. First, the resin composition with a carrier 100 is attached on the surface of the circuit board on which the conductor circuit pattern is provided so that the resin sheet 10 faces the circuit board. The application of the resin composition with a carrier 100 can be performed, for example, by laminating the resin composition with a carrier 100 on a circuit board, and then subjecting the resin composition to vacuum heating and pressure molding. Next, the carrier base material 12 is peeled from the resin sheet 10. Next, the resin sheet 10 remaining on the circuit board is thermally cured. As a result, a resin film (solder resist film) obtained by curing the resin composition of the present embodiment is formed on the circuit board so as to cover the conductive circuit pattern.

次に、半導体装置102について説明する。
図2は、本実施形態に係る半導体装置102の一例を示す断面図である。図2に示すように、半導体装置102は、回路基板20を備えており、この回路基板20は樹脂膜26(ソルダーレジスト膜)を備えている。樹脂膜26は、本実施形態に係る樹脂組成物の硬化物により構成される。ここで、本実施形態の樹脂膜26は黒色を呈するものであるが、これに対して、特定のエポキシ樹脂が配合されるため、この黒色の変色が抑制されている。樹脂膜26の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば5μm以上300μm以下とすることができる。
Next, the semiconductor device 102 will be described.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of the semiconductor device 102 according to the embodiment. As shown in FIG. 2, the semiconductor device 102 includes a circuit board 20, and the circuit board 20 includes a resin film 26 (solder resist film). The resin film 26 is made of a cured product of the resin composition according to the present embodiment. Here, the resin film 26 of the present embodiment has a black color. On the other hand, since a specific epoxy resin is blended, the black discoloration is suppressed. The thickness of the resin film 26 is not particularly limited, but may be, for example, 5 μm or more and 300 μm or less.

半導体装置102は、たとえば回路基板20と、回路基板20上に搭載された半導体素子60と、を備えている。また、半導体素子60は、たとえばダイアタッチ材62を介して回路基板20上に搭載される。図2においては、コア基材22の一面と、当該一面と反対側の他面と、に導体回路パターン24が設けられてなる回路基板20が例示されている。この場合、コア基材22の上記一面および上記他面それぞれに、導体回路パターン24を覆うように、樹脂膜26が形成されることとなる。   The semiconductor device 102 includes, for example, the circuit board 20 and the semiconductor element 60 mounted on the circuit board 20. The semiconductor element 60 is mounted on the circuit board 20 via, for example, a die attach material 62. FIG. 2 illustrates a circuit board 20 in which a conductive circuit pattern 24 is provided on one surface of the core base material 22 and the other surface opposite to the one surface. In this case, a resin film 26 is formed on each of the one surface and the other surface of the core base material 22 so as to cover the conductive circuit pattern 24.

コア基材22は、たとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材である。コア基材22の厚さは、とくに限定されないが、たとえば10μm以上1000μm以下とすることができる。なお、本実施形態においては、コア基材22の上記一面および上記他面の少なくとも一方に、一または二以上のビルドアップ層が積層されていてもよい。この場合、樹脂膜26は、最上層のビルドアップ層上に形成されることとなる。   The core base material 22 is, for example, a resin base material obtained by impregnating a fiber base material with a resin composition. The thickness of the core substrate 22 is not particularly limited, but may be, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In the present embodiment, one or more build-up layers may be laminated on at least one of the one surface and the other surface of the core substrate 22. In this case, the resin film 26 is formed on the uppermost build-up layer.

樹脂膜26には、導体回路パターン24を露出させる開口部28が形成される。半導体素子60と回路基板20を接続するボンディングワイヤ50は、たとえば開口部28に露出した導体回路パターン24へボンディングされる。また、回路基板20に外部接続端子である半田ボール30が設けられる例においては、半田ボール30は、たとえば開口部28に露出した導体回路パターン24上に形成される。開口部28は、たとえばレーザー照射またはリソグラフィ処理によって形成される。
半導体素子60とボンディングワイヤ50は、たとえば封止樹脂40によって封止することもできる。封止樹脂40は、たとえばエポキシ樹脂組成物を用いて形成することができる。
An opening 28 for exposing the conductive circuit pattern 24 is formed in the resin film 26. The bonding wires 50 connecting the semiconductor element 60 and the circuit board 20 are bonded, for example, to the conductor circuit pattern 24 exposed at the opening 28. In the example in which the solder balls 30 as the external connection terminals are provided on the circuit board 20, the solder balls 30 are formed, for example, on the conductor circuit pattern 24 exposed at the opening 28. The opening 28 is formed by, for example, laser irradiation or lithography.
The semiconductor element 60 and the bonding wire 50 can be sealed with the sealing resin 40, for example. The sealing resin 40 can be formed using, for example, an epoxy resin composition.

半導体装置102は、たとえば次のようにして形成される。まず、コア基材22の上記一面上および上記他面上に導体回路パターン24を形成する。次いで、コア基材22の上記一面上および上記他面上それぞれに、樹脂膜26を形成する。樹脂膜26は、たとえば上述のキャリア付樹脂組成物100を用いて形成することができる。次いで、樹脂膜26に、レーザー照射によって開口部28を形成する。なお、露光および現像によるリソグラフィ処理によって開口部28を形成する場合には、樹脂膜26を熱硬化させる前に露光および現像を行って開口部28を形成した後、樹脂を熱硬化させ、樹脂膜26を形成させることとなる。また、開口部28を形成した後、回路基板の上記一面および上記他面に対してデスミア処理およびプラズマ処理を施すことができる。これにより得られた回路基板20の一面に、ダイアタッチ材62を介して半導体素子60を搭載する。次いで、半導体素子60と、回路基板20の上記一面側に設けられ、かつ開口部28から露出した導体回路パターン24と、をボンディングワイヤ50によって接続させる。次いで、半導体素子60とボンディングワイヤ50を封止樹脂40により封止する。その後、回路基板20の上記一面とは反対の他面側に設けられ、開口部28から露出した導体回路パターン24上に、半田ボール30を形成する。本実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置102を製造することができる。   The semiconductor device 102 is formed, for example, as follows. First, a conductive circuit pattern 24 is formed on one surface and the other surface of the core base material 22. Next, a resin film 26 is formed on each of the one surface and the other surface of the core base material 22. The resin film 26 can be formed, for example, using the above-described resin composition with a carrier 100. Next, an opening 28 is formed in the resin film 26 by laser irradiation. In the case where the opening 28 is formed by lithography using exposure and development, after the opening and opening 28 are formed by performing exposure and development before the resin film 26 is thermally cured, the resin is thermally cured, 26 will be formed. After the opening 28 is formed, desmear processing and plasma processing can be performed on the one surface and the other surface of the circuit board. The semiconductor element 60 is mounted on one surface of the circuit board 20 thus obtained via the die attach material 62. Next, the semiconductor element 60 and the conductive circuit pattern 24 provided on the one surface side of the circuit board 20 and exposed from the opening 28 are connected by bonding wires 50. Next, the semiconductor element 60 and the bonding wire 50 are sealed with the sealing resin 40. Thereafter, the solder balls 30 are formed on the conductor circuit pattern 24 provided on the other surface of the circuit board 20 opposite to the one surface and exposed from the opening 28. In the present embodiment, for example, the semiconductor device 102 can be manufactured in this manner.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、本発明の参考形態の一例を示す。
<1>
ソルダーレジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、
(A)ナフタレン型エポキシ樹脂と、
(B)黒色着色剤と、
を含む、樹脂組成物。
<2>
<1>に記載の樹脂組成物であって、
さらに(C)硬化剤を含む、樹脂組成物。
<3>
<2>に記載の樹脂組成物であって、
前記(C)硬化剤はフェノール樹脂を含む、樹脂組成物。
<4>
<2>または<3>に記載の樹脂組成物であって、
前記(C)硬化剤はナフトール樹脂を含む、樹脂組成物。
<5>
<1>ないし<4>のいずれか一つに記載の樹脂組成物であって、
前記(B)黒色着色剤は黒色酸化チタンを含む、樹脂組成物。
<6>
<1>ないし<5>のいずれか一つに記載の樹脂組成物であって、
さらに(D)無機充填材を含む、樹脂組成物。
<7>
<1>ないし<6>のいずれか一つに記載の樹脂組成物であって、
さらに(E)フェノキシ樹脂を含む、樹脂組成物。
<8>
<1>ないし<7>のいずれか一つに記載の樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)が160℃以上である、樹脂組成物。
<9>
<1>ないし<8>のいずれか一つに記載の樹脂組成物を硬化してなる樹脂膜。
<10>
<9>に記載の樹脂膜を備える回路基板。
<11>
<10>に記載の回路基板を備える半導体装置。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes modifications and improvements as long as the object of the present invention can be achieved.
Hereinafter, an example of a reference embodiment of the present invention will be described.
<1>
A resin composition used to form a solder resist film,
(A) a naphthalene type epoxy resin,
(B) a black colorant;
A resin composition comprising:
<2>
The resin composition according to <1>,
A resin composition further comprising (C) a curing agent.
<3>
The resin composition according to <2>,
(C) The resin composition, wherein the curing agent contains a phenol resin.
<4>
The resin composition according to <2> or <3>,
(C) A resin composition wherein the curing agent contains a naphthol resin.
<5>
The resin composition according to any one of <1> to <4>,
(B) The resin composition, wherein the black colorant includes black titanium oxide.
<6>
The resin composition according to any one of <1> to <5>,
A resin composition further comprising (D) an inorganic filler.
<7>
The resin composition according to any one of <1> to <6>,
A resin composition further comprising (E) a phenoxy resin.
<8>
The resin composition according to any one of <1> to <7>,
A resin composition wherein the cured product of the resin composition has a glass transition temperature (Tg) of 160 ° C. or higher.
<9>
A resin film obtained by curing the resin composition according to any one of <1> to <8>.
<10>
A circuit board comprising the resin film according to <9>.
<11>
A semiconductor device comprising the circuit board according to <10>.

次に、本発明の実施例について説明する。   Next, examples of the present invention will be described.

(樹脂組成物の調製)
各実施例および各比較例について、ワニス状の樹脂組成物を調製した。樹脂組成物は、表1に従い配合された各成分の原料を溶剤であるメチルエチルケトンに溶解、分散させた後、高速撹拌装置を用いて1時間撹拌することにより得た。表1における各成分の原料の詳細は下記のとおりである。なお、表1中における配合割合は各成分の固形分比率(質量%)を、それぞれ示しており、これらの各成分をすべて合わせた上で、樹脂組成物の固形分含有量が60質量%となるようにメチルエチルケトンに溶解させている。
なお、無機充填材1はフェニルアミノシランで、無機充填材はビニルシランで表面処理をしたものを用いた。また、フェノキシ樹脂1は固形分30%の製品を用いているが、表1には、フェノキシ樹脂として固形分換算した量が示されている。
(Preparation of resin composition)
For each example and each comparative example, a varnish-like resin composition was prepared. The resin composition was obtained by dissolving and dispersing the raw materials of each component blended according to Table 1 in methyl ethyl ketone as a solvent, and then stirring for 1 hour using a high-speed stirring device. The details of the raw materials of each component in Table 1 are as follows. In addition, the compounding ratio in Table 1 shows the solid content ratio (% by mass) of each component, and after all these components are combined, the solid content of the resin composition is 60% by mass. It is dissolved in methyl ethyl ketone.
The inorganic filler 1 was phenylaminosilane, and the inorganic filler was surface-treated with vinylsilane. The phenoxy resin 1 used is a product having a solid content of 30%. Table 1 shows the phenoxy resin in terms of solid content.

(A)ナフタレン型エポキシ樹脂
ナフタレン型エポキシ樹脂1:4官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−4710)
ナフタレン型エポキシ樹脂2:ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−6000)
(A) Naphthalene type epoxy resin Naphthalene type epoxy resin 1: 4 functional naphthalene type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-4710)
Naphthalene type epoxy resin 2: Naphthylene ether type epoxy resin (DIC Corporation, EPICLON HP-6000)

(A')他のエポキシ樹脂
エポキシ樹脂1:ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)
エポキシ樹脂2:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、jER828EL)
エポキシ樹脂3:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製、jER−807)
(A ') Other epoxy resin Epoxy resin 1: biphenylaralkyl epoxy resin (NC-3000, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Epoxy resin 2: bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER828EL)
Epoxy resin 3: bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER-807)

(B)黒色着色剤
黒色着色剤1:黒色酸化チタン(赤穂化学社製、SBM−7701、平均粒径0.2〜0.4μm)
黒色着色剤2:アントラキノン系化合物を含む染料(日本化薬社製、Kayaset Black A−N)
(B) Black Colorant Black Colorant 1: Black Titanium Oxide (Ako Chemical Co., SBM-7701, average particle size 0.2-0.4 μm)
Black colorant 2: dye containing anthraquinone compound (Kayaset Black AN, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(C)硬化剤
硬化剤1:ナフトール樹脂(東都化成社製、SN485)
(C) Curing agent Curing agent 1: naphthol resin (SN485, manufactured by Toto Kasei)

(D)無機充填材
無機充填材1:球状溶融シリカ(アドマテックス社製、SC4050、平均粒径1μm)
無機充填材2:ナノシリカ(株式会社アドマテックス製、YA050C−HHA 平均粒径50〜65nm)
(D) Inorganic filler Inorganic filler 1: spherical fused silica (manufactured by Admatechs, SC4050, average particle size 1 μm)
Inorganic filler 2: Nano silica (YA050C-HHA manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 50 to 65 nm)

(E)フェノキシ樹脂
フェノキシ樹脂1:フェノキシ樹脂(三菱化学社製、YX6954BH30、固形分30%)
(E) Phenoxy resin Phenoxy resin 1: Phenoxy resin (YX6954BH30, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, solid content 30%)

(F)硬化促進剤
硬化促進剤1:1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成社製、1B2PZ)
硬化促進剤2:(4一メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート(北興化学工業社製、TPTP−SCN)
(F) Curing accelerator Curing accelerator 1: 1-benzyl-2-phenylimidazole (1B2PZ, manufactured by Shikoku Chemicals)
Curing accelerator 2: (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate (TPTP-SCN manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd.)

ポリビニルブチラール樹脂:ポリビニルブチラール樹脂(積水化学社製、KS−1) Polyvinyl butyral resin: Polyvinyl butyral resin (KS-1 manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)

(キャリア付樹脂組成物の作製)
各実施例および各比較例について、得られた樹脂組成物をキャリア基材であるPETフィルム上に塗布した後、140℃、2分の条件で溶剤を除去して、厚さ30μmの樹脂シートを形成した。これにより、シート状のキャリア付樹脂組成物を得た。
(Preparation of resin composition with carrier)
About each Example and each comparative example, after apply | coating the obtained resin composition on PET film which is a carrier base material, the solvent was removed on condition of 140 degreeC and 2 minutes, and the resin sheet of thickness 30 micrometers was formed. Formed. Thus, a sheet-shaped resin composition with a carrier was obtained.

(貯蔵弾性率、ガラス転移温度)
各実施例および各比較例について、得られたキャリア付樹脂組成物からキャリア基材であるPETフィルムを剥離したものを3枚積層して、厚さ90μmの樹脂シートを作製した。次いで、当該樹脂シートを、200℃、1時間で熱処理した後、幅8mm×長さ50mm×厚さ90μmに切り出して測定サンプルとした。この測定サンプルに対し、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメンツ社製、DMS6100)を用いて、周波数1Hz、昇温速度5℃/分の条件で動的粘弾性試験を行った。次いで、得られた測定結果から、25℃における貯蔵弾性率(GPa)とガラス転移温度(℃)とを算出した。なお、ガラス転移温度は、tanδのピーク値から判定した。結果を表1に示す。
(Storage modulus, glass transition temperature)
In each of Examples and Comparative Examples, three sheets each obtained by peeling a PET film as a carrier substrate from the obtained resin composition with a carrier were laminated to produce a resin sheet having a thickness of 90 μm. Next, the resin sheet was heat-treated at 200 ° C. for 1 hour, and then cut out into a width of 8 mm × length of 50 mm × thickness of 90 μm to obtain a measurement sample. A dynamic viscoelasticity test was performed on the measurement sample using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Seiko Instruments Inc., DMS6100) under the conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 5 ° C./min. Next, the storage elastic modulus (GPa) at 25 ° C. and the glass transition temperature (° C.) were calculated from the obtained measurement results. The glass transition temperature was determined from the peak value of tan δ. Table 1 shows the results.

(体積抵抗率)
上記で得られたキャリア付樹脂組成物について、200℃、1時間熱処理を行い、樹脂組成物の硬化物を得た。
この硬化物を用い、JIS K 6911に準拠して体積抵抗率の測定を行った。測定試料は実施例および比較例から得られた硬化物から10cm×10cmになるように切り出したものを用いた。結果を表1に示す。
(Volume resistivity)
The resin composition with a carrier obtained above was heat-treated at 200 ° C. for 1 hour to obtain a cured product of the resin composition.
Using this cured product, the volume resistivity was measured in accordance with JIS K 6911. The measurement sample used was cut out from the cured product obtained from the example and the comparative example so as to have a size of 10 cm × 10 cm. Table 1 shows the results.

(色むら発生有無)
実施例および比較例で得られた樹脂組成物について、完全硬化させ硬化物を得、この硬化物から、一辺20mmの正方形のサンプルを作製した。
このサンプルについて、大気中で、湿度85%、温度85℃の条件で2000時間静置し、色むらの発生の有無を確認した。結果を表1に示す。
なお、評価は以下に基づいて行った。
◎:目視では色むらが確認できない。
○:わずかに色むらが確認できるが、製品品質上問題ない程度である。
×:色むらが観察される。
(Whether color unevenness occurs)
The resin compositions obtained in Examples and Comparative Examples were completely cured to obtain a cured product, and a square sample having a side of 20 mm was prepared from the cured product.
The sample was allowed to stand in the air under the conditions of a humidity of 85% and a temperature of 85 ° C. for 2000 hours, and it was confirmed whether or not color unevenness had occurred. Table 1 shows the results.
In addition, evaluation was performed based on the following.
:: No color unevenness was visually observed.
:: Color unevenness can be slightly confirmed, but there is no problem in product quality.
X: Color unevenness is observed.

Figure 0006668637
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表1に示されるように、実施例の樹脂組成物を用いた場合は、樹脂組成物の硬化物としての黒色が十分に保持され、色むらの発生が抑制されている。これにより、配線基板、半導体装置等の設計の幅を拡充することができる。   As shown in Table 1, when the resin composition of the example was used, black as a cured product of the resin composition was sufficiently maintained, and the occurrence of color unevenness was suppressed. As a result, the range of design of the wiring board, the semiconductor device, and the like can be expanded.

本発明の樹脂組成物は、黒色ソルダーレジスト膜としての色むらの発生を抑制できるものであり、種々の配線基板、半導体装置の設計に資する。   The resin composition of the present invention can suppress the occurrence of color unevenness as a black solder resist film, and contributes to the design of various wiring boards and semiconductor devices.

100 キャリア付樹脂組成物
102 半導体装置
10 樹脂シート
12 キャリア基材
20 回路基板
22 コア基材
24 導体回路パターン
26 樹脂膜
28 開口部
30 半田ボール
40 封止樹脂
50 ボンディングワイヤ
60 半導体素子
62 ダイアタッチ材
REFERENCE SIGNS LIST 100 Resin composition with carrier 102 Semiconductor device 10 Resin sheet 12 Carrier substrate 20 Circuit substrate 22 Core substrate 24 Conductor circuit pattern 26 Resin film 28 Opening 30 Solder ball 40 Sealing resin 50 Bonding wire 60 Semiconductor element 62 Die attach material

Claims (6)

ソルダーレジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、
(A)ナフタレン型エポキシ樹脂と、
(B)黒色着色剤と、
(C)硬化剤と、
(D)無機充填材と、
(E)フェノキシ樹脂と、
を含み、
(C)硬化剤は、ナフトール樹脂を含み、
(B)黒色着色剤の含有量は、前記樹脂組成物の全固形分に対して、1質量%以上、10質量%以下であり、
(D)無機充填材の含有量は、前記樹脂組成物の全固形分に対して、30質量%以上、90質量%以下である、樹脂組成物。
A resin composition used to form a solder resist film,
(A) a naphthalene type epoxy resin,
(B) a black colorant;
(C) a curing agent,
(D) an inorganic filler;
(E) a phenoxy resin,
Only including,
(C) the curing agent contains a naphthol resin,
(B) the content of the black colorant is 1% by mass or more and 10% by mass or less based on the total solid content of the resin composition;
(D) The resin composition, wherein the content of the inorganic filler is 30% by mass or more and 90% by mass or less based on the total solid content of the resin composition.
請求項1に記載の樹脂組成物であって、
前記(B)黒色着色剤は黒色酸化チタンを含む、樹脂組成物。
The resin composition according to claim 1 ,
(B) The resin composition, wherein the black colorant includes black titanium oxide.
請求項1または2に記載の樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)が160℃以上である、樹脂組成物。
The resin composition according to claim 1 or 2 ,
A resin composition wherein the cured product of the resin composition has a glass transition temperature (Tg) of 160 ° C. or higher.
請求項1ないしのいずれか一項に記載の樹脂組成物を硬化してなる樹脂膜。 The resin film obtained by curing the resin composition according to any one of claims 1 to 3. 請求項に記載の樹脂膜を備える回路基板。 A circuit board comprising the resin film according to claim 4 . 請求項に記載の回路基板を備える半導体装置。 A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 5 .
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JP7210901B2 (en) * 2017-06-26 2023-01-24 味の素株式会社 Resin composition layer
JP7052482B2 (en) * 2018-03-29 2022-04-12 住友ベークライト株式会社 Resin compositions for prepregs, prepregs, metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices
KR20210108992A (en) * 2018-12-27 2021-09-03 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 Resin composition for sealing, semiconductor device, and manufacturing method of a semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6123152B2 (en) * 2010-12-08 2017-05-10 味の素株式会社 Resin composition
JP5583091B2 (en) * 2011-08-31 2014-09-03 株式会社タムラ製作所 Black curable resin composition
WO2013171888A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 太陽インキ製造株式会社 Alkali-development-type thermoset resin composition and printed circuit board
JP5572737B1 (en) * 2013-06-04 2014-08-13 太陽インキ製造株式会社 Photo-curing thermosetting resin composition, cured product, and printed wiring board
JP6610069B2 (en) * 2015-08-06 2019-11-27 住友ベークライト株式会社 Resin composition for solder resist, resin film with carrier, wiring board, electronic device, and method of manufacturing electronic device

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