JP6668066B2 - マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、外形形状が矩形状で一辺が３００ｍｍ以上のマスクブランク用基板を製造するマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板からマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法、マスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクから露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法に関する。

従来、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用大型マスクのガラス基板では、露光時に影響を及ぼす基板表面の平坦度が重要視されていた。
そこで、ＬＣＤ用大型マスクのガラス基板を製造するに際しては、特に規格が厳しい基板表面の平坦度に注意して、各工程が進められていた。

以下の特許文献１には、大型のマスクブランク用基板の製造方法が開示されている。
この製造方法は、研磨工程として、第一〜第三ポリッシング工程を有しており、第一ポリッシング工程では、前段のラッピング工程で残留している表面及び裏面の傷や歪みを除去する目的で、大型マスクブランク用両面研磨装置が、硬質ポリシャを用いて、基板の表面及び裏面を研磨している。
第二ポリッシング工程では、基板の表面の平坦度を高める目的で、大型マスクブランク用片面研磨装置が、超軟質ポリシャを用いて、基板の裏面を研磨している。
第三ポリッシング工程では、基板の表面及び裏面の平滑度を高める目的で、大型マスクブランク用両面研磨装置が、軟質ポリシャを用いて、基板の表面及び裏面を研磨している。
これらの工程を経て、大型のマスクブランク用基板を製造している。

特開２００７−５４９４４号公報

近年、スマートフォンなどのタブレットの普及拡大を背景に、パネルの高精細化技術が加速度的に進化し、解像度が大幅に向上しているパネルが登場してきている。しかし、パネルが高精細であればあるほど、パネルの製造の困難性が高まってきている。このため、大型基板で高精細パネルを作製するとすれば、多面取りする大型基板内で各パネルに均一性を持たせることが重要となり、パネル作製における各プロセスにおいて使用するそれぞれのツール精度を高める必要がある。フォトマスクは、それら精度を高める重要なファクターの一つであると言われており、パターン描画後のＸ，Ｙ軸の座標精度や、幾枚もマスクを重ねて転写する際の重ね合わせ精度に大きく影響を及ぼすものとなる。
また、マスクブランク用基板の精度向上によって、パネルメーカーにおけるパネル作製露光時の最適なパフォーマンスに対する精度マージンを２５〜３０％程度向上させることができると言われている。
マスクブランク用基板の精度としては、表面及び裏面の高い平坦性と小さい板厚バラツキが挙げられるが、従来においては、基板表面の平坦度のみしか注視できていなかった。基板裏面の平坦度に関しては、表面同様のプロセスを実施することで高い平坦度を実現することはできるが、小さい板厚バラツキに関しては、特許文献１に開示されているような従来の製造方法では対応が難しく、成り行きに従わざるを得ない状況であった。

このため、本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、板厚バラツキを低減して、マスクブランク用基板の平行度及び平坦度に関する要求仕様を満足することができるマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。

（構成１）
表面及び裏面からなる主表面を有し、外形形状が矩形状で一辺が３００ｍｍ以上のマスクブランク用基板を製造する製造方法であって、
前記基板の両主表面の表面形態情報を取得する表面形態情報取得工程と、
前記表面形態情報取得工程で得られた両主表面の表面形態情報から前記表面及び裏面の平坦度を算出する平坦度算出工程と、
前記平坦度算出工程で算出された表面及び裏面の平坦度が、前記マスクブランク用基板の平坦度に関する要求仕様を満足しているか否かを判定する判定工程と、
前記表面及び裏面のうち、前記判定工程によって平坦度が前記要求仕様を満たすと判定された一方の面を基準面として特定し、他方の面を加工面として特定する加工面特定工程と、
前記一方の面を基準面としたときに、前記一方の面と前記他方の面とにより算出される前記基板の平行度が設定値以下になるように、前記加工面の面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、該加工条件に従って前記加工面の加工を行う加工工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。

（構成２）
前記加工面特定工程は、前記判定工程によっていずれの面も前記平坦度に関する要求仕様を満足していないと判定された場合、前記表面及び裏面のうち、いずれか一方の面を前記加工面として、他方の面を前記基準面とし、
前記加工工程は、前記加工面を加工する前に、前記基準面に対して仮想的な絶対平面を設定し、前記基準面の中で、前記仮想的な絶対平面に対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定し、第２の加工手段が前記加工条件に従って前記基準面を加工することを特徴とする構成１記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成３）
前記表面形態情報取得工程で前記表面形態情報が取得される前に、前記表面及び裏面を研磨する研磨工程を有することを特徴とする構成１又は２記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成４）
前記加工工程によって前記加工面が加工された後、前記表面及び裏面を研磨して、前記表面及び裏面の平滑度を高める精密研磨工程を有することを特徴とする構成１乃至３のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成５）
前記加工工程では、前記第１の加工手段として、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、局所研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いることを特徴とする構成１乃至４のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成６）
前記加工工程では、前記第２の加工手段として、サンドブラスト装置、砥粒噴射装置、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、局所研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いることを特徴とする構成２記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成７）
前記表面形態情報取得工程で前記表面形態情報が取得される前に、前記表面及び裏面を研磨する研磨工程を有しており、
前記加工工程では、
前記第１の加工手段として、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、あるいは、局所研磨装置を用いる場合、前記第２の加工手段として、前記片面研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いる
ことを特徴とする構成２記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成８）
前記矩形状のマスクブランク用基板は、前記表面及び裏面のうち、いずれか一方の面に遮光性膜が形成されているマスクブランクから、前記遮光性膜が剥離されたリサイクル基板であることを特徴とする構成１乃至７のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板の製造方法。

（構成９）
構成１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の表面及び裏面のうち、いずれか一方の面に遮光性膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法。

（構成１０）
構成１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の表面及び裏面のうち、平坦度が高い方の面に遮光性膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法。

（構成１１）
前記遮光性膜は、露光光に対して位相差と透過率を有する位相シフト膜であることを特徴とする構成９又は１０記載のマスクブランクの製造方法。

（構成１２）
構成９乃至１１のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランクにおける前記遮光性膜をパターニングして遮光性膜パターンを形成することで、露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法。

本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法によれば、表面及び裏面のうち、判定工程によって平坦度が要求仕様を満たすと判定された一方の面を基準面として特定し、他方の面を加工面として特定する加工面特定工程を備え、加工工程において、前記基準面に対する前記加工面の平行度が設定値以下になるように、前記加工面の面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、該加工条件に従って前記加工面の加工を行うようにしている。これにより、加工後の加工面の表面形態が基準面の表面形態に近づいて板厚バラツキが低減されるため、平坦度に関する要求仕様だけでなく、平行度に関する要求仕様を満足しているマスクブランク用基板を製造することができる。

本発明に係るマスクブランクの製造方法によれば、請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の表面又は裏面に遮光性膜を形成してマスクブランクを製造している。これにより、平行度に関する要求仕様を満足しているマスクブランクを製造することができる。

本発明に係る露光用マスクの製造方法によれば、請求項９乃至１１のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランクにおける前記遮光性膜をパターニングして遮光性膜パターンを形成している。これにより、平行度に関する要求仕様を満足している露光用マスクを製造することができる。

本発明の実施形態１によるマスクブランク用基板の製造方法が適用されるガラス基板を示す側面図である。 両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の平坦度と、表面１ａと裏面１ｂの平行度とを説明するための概略図である。 本発明の実施形態１によるマスクブランク用基板の製造方法を示すフローチャートである。 表面１ａ及び裏面１ｂの双方が平坦度に関する要求仕様を満足していない場合のガラス基板を示す側面図である。 加工工程で用いられる片面研磨装置を示す構成図である。 実施例１における第１表面形態情報取得工程（３）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板の板厚分布、及び第１平坦度算出工程（４）で算出された平坦度・平行度を示す説明図である。 実施例１における表面加工工程（第２研磨工程）（７）で、片面研磨装置を用いて、裏面１ｂを加工する場合の加工条件を示す説明図である。 実施例１における第２表面形態情報取得工程（８）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板の板厚分布、及び第２平坦度算出工程（９）で算出された平坦度・平行度を示す説明図である。 実施例１における加工工程（第３研磨工程）（１０）で、片面研磨装置を用いて、表面１ａを加工する場合の加工条件を示す説明図である。 実施例１における第３表面形態情報取得工程（１１）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板の板厚分布、及び第３平坦度算出工程（１２）で算出された平坦度・平行度を示す説明図である。 比較例１における第１表面形態情報取得工程（３）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板の板厚分布、及び第１平坦度算出工程（４）で算出された平坦度・平行度を示す説明図である。 比較例１における表面加工工程（第２研磨工程）（７）で、片面研磨装置を用いて、表面１ａ及び裏面１ｂを加工する場合の加工条件を示す説明図である。 比較例１における第２表面形態情報取得工程（８）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板の板厚分布、及び第２平坦度算出工程（９）で算出された平坦度・平行度を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の一形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。なお、図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。

実施形態１．
実施形態１では、マスクブランク用基板の製造方法について説明する。

図１は本発明の実施形態１によるマスクブランク用基板の製造方法が適用されるガラス基板を示す側面図である。
図１において、ガラス基板１は、表面１ａ及び裏面１ｂからなる２つの主表面と、該ガラス基板１の外形形状及びサイズを確定する端面とを有する、合成石英ガラス基板である。このガラス基板１の外形形状は矩形状であり、ガラス基板１の縦×横のサイズは、例えば、１２２０ｍｍ×１４００ｍｍである。

ガラス基板１から製造されるマスクブランク用基板には、その用途に応じて、両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の平坦度及び表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度に関する要求仕様がある。これについて、図２を用いて説明する。
図２は両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の平坦度と、ガラス基板１の平行度とを説明するための概略図である。
本発明における平坦度は、両主表面１ａ、１ｂにおける表面形状の測定点の最大高さ（最高点）と最小高さ（最低点）の高さ差（両主表面１ａ、１ｂから最小自乗法で算出される仮想絶対平面２ａ、２ｂ（基準面＝０）に対する各測定点の最大値（最高点）と最小値（最低点）の差（高さの差））をいう。基板１の主表面（例えば１ａ）における平坦度の測定は、例えば、光の干渉を利用した平坦度測定装置や、基板形状検査装置などを用いて行うことができる。具体的には、これらの装置を用いて、上記主表面１ａ内の複数の測定点における仮想絶対平面２ａ（基準面＝０）からの高さ情報を取得し、この高さ情報から最大値Ｌ_ｍａｘ１と最小値Ｌ_ｍｉｎ１を求め、その最大値Ｌ_ｍａｘ１と最小値Ｌ_ｍｉｎ１との差（Ｌ_ｍａｘ１−Ｌ_ｍｉｎ１）を平坦度として算出する。同様に、主表面１ｂにおける平坦度は、Ｌ_ｍａｘ２−Ｌ_ｍｉｎ２となる。
ここで、両主表面１ａ、１ｂの外周部の所定領域を除く中心部領域につき、縦×横、所定間隔（例えば、１０ｍｍ間隔）に設定した各測定点の高さ情報を測定するようにしてもよい。また、平坦度の測定を高精度に行うためには、高さ情報を取得する測定点をなるべく多くすることが望ましい。但し、測定点をあまり多くすると、測定に要する時間がかかってしまうので、それとの兼ね合いで適宜設定すればよい。さらには、測定領域の表面形状を三次元的に測定したデータから前記高さ情報を取得するようにしてもよい。

本発明における平行度とは、ガラス基板１の一方の主表面（例えば裏面１ｂ）側を基準面とした場合における他方の主表面（例えば表面１ａ）側の主表面面内における最大高さと最小高さの板厚差をいう。
例えば、図２を参照して説明すると、表面１ａと裏面１ｂが最も離れている位置での板厚がＬ_ｍａｘ３、表面１ａと裏面１ｂが最も近い位置での板厚がＬ_ｍｉｎ３である場合、Ｌ_ｍａｘ３−Ｌ_ｍｉｎ３が、ガラス基板１の平行度となる。

図３は本発明の実施形態１によるマスクブランク用基板の製造方法を示すフローチャートである。
この実施形態１では、マスクブランク用基板の製造方法が、表面形態情報取得工程と、平坦度算出工程と、判定工程と、加工面特定工程と、加工工程とを有している。

まず、表面形態情報取得工程では、マスクブランク用基板であるガラス基板１における両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報（例えば、表面１ａから最小自乗法で算出される仮想絶対平面２ａに対する各測定点の高さ情報、及び、裏面１ｂから最小自乗法で算出される仮想絶対平面２ｂに対する各測定点の高さ情報）を取得する（ステップＳＴ１）。ガラス基板１の両主表面１ａ、１ｂの表面形態情報の取得には、通常、レーザー変位計や光学干渉計が使用される。光学干渉計には、例えばフリンジ観察干渉計や位相シフト干渉計などがある。上記レーザー変位計や光学干渉計によって測定された結果は、コンピュータなどの記録媒体に保存される。

次に、平坦度算出工程では、表面形態情報取得工程で得られた両主表面１ａ、１ｂの表面形態情報から、両主表面１ａ、１ｂの平坦度及びガラス基板１の平行度を算出する（ステップＳＴ２）。具体的には、コンピュータなどの演算処理手段によって、凹凸形状の測定結果と予め設定された仮想絶対平面２ａ、２ｂとが比較され、その差分が両主表面１ａ、１ｂの所定領域（例えば１０ｍｍ角の領域）毎に算出される。

次に、判定工程では、平坦度算出工程で算出された表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度が、マスクブランク用基板の平坦度に関する要求仕様を満足しているか否かを判定する。
まず、一方の主表面である表面１ａの平坦度が要求仕様（例えば平坦度７μｍ以下）を満足しているか否かを判定する（ステップＳＴ３）。その後、他方の主表面である裏面１ｂの平坦度が要求仕様（例えば平坦度７μｍ以下）を満足しているか否かを判定する（ステップＳＴ４、ステップＳＴ６）。なお、本実施形態１では、表面１ａの判定を先に行っているが、裏面１ｂの判定を先に行ってもよいことはもちろんである。

次に、加工面特定工程では、判定工程での判定結果にしたがって、一方の主表面を基準面として特定し、他方の主表面を加工面として特定する。以下、具体的に説明する。
まず、表面１ａの平坦度が要求仕様を満足していないと判定され（ステップＳＴ３の判定結果がＮＯである場合）、裏面１ｂの平坦度が要求仕様を満足していると判定された場合（ステップＳＴ６の判定結果がＹＥＳである場合）、裏面１ｂを基準面として特定し、表面１ａを加工面として特定する（ステップＳＴ７）。
一方、表面１ａの平坦度が要求仕様を満足していると判定され（ステップＳＴ３の判定結果がＹＥＳである場合）、裏面１ｂの平坦度が要求仕様を満足していないと判定された場合（ステップＳＴ４の判定結果がＮＯである場合）、表面１ａを基準面として特定し、裏面１ｂを加工面として特定する（ステップＳＴ５）。
そして、表面１ａの平坦度が要求仕様を満足していると判定され（ステップＳＴ３の判定結果がＹＥＳである場合）、裏面１ｂの平坦度が要求仕様を満足していると判定された場合（ステップＳＴ４の判定結果がＹＥＳである場合）、加工の容易さ等の事情を考慮して、両主表面のうち、いずれか一方の面を加工面とし、他方の面を基準面とする（ステップＳＴ９）。
また、表面１ａの平坦度が要求仕様を満足していないと判定され（ステップＳＴ３の判定結果がＮＯである場合）、裏面１ｂの平坦度も要求仕様を満足していないと判定された場合（ステップＳＴ６の判定結果がＮＯである場合）も、加工の容易さ等の事情を考慮して、両主表面のうち、いずれか一方の面を加工面とし、他方の面を基準面とする（ステップＳＴ８）。
なお、本実施形態１においては、加工の容易さ等の事情を考慮して基準面を特定するために、表面１ａの平坦度が要求仕様を満足している場合（ステップＳＴ３の判定結果がＹＥＳである場合）にも、他方の主表面である裏面１ｂの平坦度が要求仕様（例えば平坦度７μｍ以下）を満足しているか否かを判定している（ステップＳＴ４）。しかしながら、本発明はこれに限定されず、一方の主表面の平坦度が要求仕様を満足していることが分かった場合には、他方の主表面の平坦度の判定を省略してもよい（ステップＳＴ４を省略してステップＳＴ５に進むようにしてもよい）。

図１では、ガラス基板１の裏面１ｂは、平坦度に関する要求仕様を満足しているが、表面１ａは、平坦度に関する要求仕様を満足していない例を示している。
このため、図１に示したガラス基板１では、加工面特定工程によって、基準面として裏面１ｂが特定されて、加工面として表面１ａが特定される。
また、図４では、表面１ａ及び裏面１ｂの双方が平坦度に関する要求仕様を満足していない例を示している。
この場合、加工面特定工程によって、表面１ａ及び裏面１ｂのうち、いずれか一方の面が加工面として特定されて、他方の面が基準面として特定されるが、図４に示したガラス基板１では、基準面として裏面１ｂが特定されて、加工面として表面１ａが特定される。

加工工程は、基準面である裏面１ｂの平坦度が要求仕様を満足するように、第２の加工手段が基準面である裏面１ｂを加工する工程と、裏面１ｂを基準面にしたときに、裏面１ｂと加工面である表面１ａとにより算出されるガラス基板１の平行度が要求仕様（例えば、７μｍ以下）を満たすように、第１の加工手段が加工面である表面１ａを加工する工程とから構成されている。
第２の加工手段が基準面を加工する工程では、加工面特定工程によって特定された基準面に対して仮想絶対平面を設定する。
そして、基準面が平坦度に関する要求仕様を満足するようにするため、基準面の中で、仮想絶対平面に対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定し、第２の加工手段が当該加工条件に従って基準面を加工する（ステップＳＴ１０）。
図４の例では、基準面として裏面１ｂが特定されて、加工面として表面１ａが特定されているので、基準面である裏面１ｂに対して仮想絶対平面２ｂを設定し、裏面１ｂの中で、仮想絶対平面２ｂに対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定し、第２の加工手段が当該加工条件に従って裏面１ｂを加工する。
なお、表面１ａと裏面１ｂの双方が平坦度に関する要求仕様を満足している場合（ステップＳＴ９の場合）、あるいは、表面１ａ及び裏面１ｂのうち、基準面として特定された一方の面の平坦度が要求仕様を満足している場合（ステップＳＴ５、ステップＳＴ７の場合）、第２の加工手段が基準面を加工する工程は実施しなくてよい。

第２の加工手段としては、例えば、サンドブラスト装置、砥粒噴射装置、片面研磨装置、局所研磨装置、局所エッチング装置などを用いることができる。
ここで、図５は加工工程で用いられる片面研磨装置を示す構成図である。
片面研磨装置は、基準面である裏面１ｂを加工する場合、裏面１ｂを下向きにして、研磨パッド１１が載せられている研磨定盤１２の上にガラス基板１を載せた状態で、表面１ａに対向して設けられている複数のエアーシリンダ１３（加圧手段）がガラス基板１を研磨定盤１２に押さえつけながら、エアーシリンダ１３を内蔵している基板保持プレート１４と研磨定盤１２を逆方向に回転させることで、裏面１ｂの全体を研磨する装置である。この片面研磨装置は、複数のエアーシリンダ１３の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えている。なお、図５において、１１ａは研磨用のスラリーである。

また、局所研磨装置は、基準面である裏面１ｂを加工する場合、裏面１ｂを上向きにして、基板保持台にガラス基板１を載せた状態で、裏面１ｂを部分的に研磨する回転加工ツールを移動させながら、裏面１ｂの全体を研磨する装置である。
局所エッチング装置は、基準面である裏面１ｂを加工する場合、裏面１ｂを上向きにして、基板保持台にガラス基板１を載せた状態で、液体又は気体からなるエッチング剤を、ノズル等を介して、裏面１ｂの一部分に供給しながら、ノズルとガラス基板１の相対位置を変化させることで、裏面１ｂの全体を研磨する装置である。
また、サンドブラスト装置は、基準面である裏面１ｂを加工する場合、裏面１ｂを上向きにして、基板保持台にガラス基板１を載せた状態で、酸化セリウムや酸化アルミニウムなどの研磨剤の微粒子を圧縮空気に混ぜて、ノズル等を介して、裏面１ｂの一部分に供給しながら、ノズルとガラス基板１の相対位置を変化させることで、裏面１ｂの全体を研磨する装置である。
砥粒噴射装置は、基準面である裏面１ｂを加工する場合、裏面１ｂを上向きにして、基板保持台にガラス基板１を載せた状態で、圧縮空気に対して、水などの液体に酸化セリウムや酸化ケイ素などの研磨剤の微粒子を懸濁させたスラリーを、ノズル等を介して、裏面１ｂの一部分に供給しながら、ノズルとガラス基板１の相対位置を変化させることで、裏面１ｂの全体を研磨する装置である。

次に、第１の加工手段が加工面を加工する工程では、裏面１ｂを基準面としたときに、裏面１ｂと加工面である表面１ａとにより算出されるガラス基板１の平行度が要求仕様を満たす設定値以下になるように、加工面の面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、第１の加工手段が当該加工条件に従って加工面を加工する（ステップＳＴ１１）。
図１及び図４の例では、基準面として裏面１ｂが特定されて、加工面として表面１ａが特定されているので、裏面１ｂを基準面としたときに、裏面１ｂと表面１ａとにより算出されるガラス基板１の平行度が設定値以下になるように（図４の例では第２の加工手段により加工された後の裏面１ｂを基準面にしたときに、裏面１ｂと表面１ａとにより算出されるガラス基板１の平行度が設定値以下になるように）、表面１ａの面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、第１の加工手段が当該加工条件に従って表面１ａの加工を行う。
図１において、１ｃで示した点線は上記の加工条件に従って加工された後の表面を示している。この図に示されるように、加工後の表面１ｃと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度が、加工前の表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度より向上している。即ち、加工後の表面１ｃの平坦度は、要求仕様を満たす裏面１ｂの平坦度と同様に良好なものとなっている。
なお、この工程の後に、精密研磨工程や追加工程を行ってもよい（後述の実施例１、２及び比較例を参照）。
このように、この実施形態１におけるマスクブランク用基板の製造方法によれば、板厚バラツキを低減して、平行度及び平坦度に関する要求仕様を満足することができるマスクブランク用基板を製造することができる。また、このマスクブランク用基板を用いてマスクブランク、露光用マスクを製造することで、平行度及び平坦度に関する要求仕様を満足することができるマスクブランク、露光用マスクを製造することができる（後述の実施例３、４を参照）。

この実施形態１では、表面１ａ及び裏面１ｂの双方が平坦度に関する要求仕様を満足している場合（ステップＳＴ３，ＳＴ４の判定結果がともにＹＥＳである場合）でも、第１の加工手段が加工面を加工している。通常、表面１ａ及び裏面１ｂの双方が平坦度に関する要求仕様を満足していても、表面１ｃと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度が要求仕様を満足していることはまれであるからである。ただし、表面１ｃと裏面１ｂにより求められるガラス基板１の平行度が要求仕様を満足していることが明らかである場合（例えば所定の基準を満たしたリサイクル基板を用いる場合）には、第１の加工手段が加工面を加工する工程を省略するようにしてもよい。
第１の加工手段としては、例えば、片面研磨装置、局所研磨装置、局所エッチング装置などを用いることができる。
なお、この実施形態１では、マスクブランク用基板のガラス基板１として、表面１ａ及び裏面１ｂのうち、いずれか一方の面に遮光性膜が形成されているマスクブランクから、その遮光性膜が剥離されたリサイクル基板を用いるようにしてもよい。また、マスクブランク用のガラス基板１として、表面１ａ及び裏面１ｂのうち、いずれか一方の面に遮光性膜パターンが形成されている露光用マスクから、その遮光性膜パターンが剥離されたリサイクル基板を用いるようにしてもよい。

＜実施例１＞
この実施例１では、マスクブランク用基板の製造方法が、基板準備工程（１）と、第１研磨工程（２）と、第１表面形態情報取得工程（３）と、第１平坦度算出工程（４）と、判定工程（５）と、加工面特定工程（６）と、表面加工工程（第２研磨工程）（７）と、第２表面形態情報取得工程（８）と、第２平坦度算出工程（９）と、加工工程（第３研磨工程）（１０）と、第３表面形態情報取得工程（１１）と、第３平坦度算出工程（１２）と、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）と、第４表面形態情報取得工程（１４）と、第４平坦度算出工程（１５）とを有し、これらの工程によって、ガラス基板１の両主表面の平坦度が７μｍ以下、平行度が７μｍ以下であるマスクブランク用基板を製造した。

［基板準備工程（１）］
基板準備工程（１）では、マスクブランク用基板のガラス基板１として、端面が面取り加工され、また、表面１ａ及び裏面１ｂがラッピング（研削）されている合成石英ガラス基板を準備した。
このガラス基板１の外形形状は矩形状であり、ガラス基板１の縦×横のサイズは、１２２０ｍｍ×１４００ｍｍであった。

［第１研磨工程（２）］
第１研磨工程（２）では、ラッピング（研削）で残留している傷や歪みの除去を目的として、ガラス基板１の両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）を研磨した。
この工程での研磨は、両面研磨装置を用いて行った。両面研磨装置の研磨条件は、下記の通りとした。
研磨条件：
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：硬質ポリシャ
上定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て時計回りに回転）
下定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て反時計回りに回転）
圧力：８０〜１００ｇ／ｃｍ^２
第１研磨工程（２）が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板１を薬液洗浄し、その後、ガラス基板１を純水洗浄した。

［第１表面形態情報取得工程（３）］
第１表面形態情報取得工程（３）では、第１研磨工程（２）後に、薬液洗浄と純水洗浄が行われたガラス基板１の両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報を取得した。
この表面形態情報は、両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の凹凸を示す情報であり、具体的には、例えば、両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の外周１０ｍｍを除く領域を、１０ｍｍ間隔（縦１２０点×横１３８点、合計１６，５６０点）で測定した、仮想絶対平面２ａ、２ｂに対する両主表面の各測定点の高さ情報である。
なお、表面形態情報の取得に用いる測定器として、黒田精工（株）製のフラットネステスターを用いた。

［第１平坦度算出工程（４）］
第１平坦度算出工程（４）では、コンピュータを用いて、第１表面形態情報取得工程（３）で得られた両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報から表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度（Ｌ_ｍａｘ１−Ｌ_{ｍｉｎ１、}Ｌ_ｍａｘ２−Ｌ_ｍｉｎ２）を算出するとともに、表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度（Ｌ_ｍａｘ３−Ｌ_ｍｉｎ３）を算出した。

その結果、図６に示すように、表面１ａの平坦度が２２．５μｍ、裏面１ｂの平坦度が２６．４μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度が４１．３μｍであった。

［判定工程（５）］
判定工程（５）では、コンピュータを用いて、第１平坦度算出工程（４）で算出された表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度が、マスクブランク用基板の平坦度に関する要求仕様を満足しているか否かを判定した。
この実施例１では、マスクブランク用基板の表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度に関する要求仕様が７μｍ以下であるため、第１平坦度算出工程（４）で算出された表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度が７μｍ以下であるか否かを判定した。この実施例１では、判定工程（５）によって、表面１ａと裏面１ｂの双方が、要求仕様を満足していないと判定された。

［加工面特定工程（６）］
加工面特定工程（６）では、コンピュータを用いて、判定工程（５）での判定結果にしたがって両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）のうち一方の面を加工面として特定し、他方の面を基準面として特定した。この実施例１では、加工の容易さ等の事情を考慮して、図４に示した裏面１ｂを基準面として特定し、表面１ａを加工面として特定した。

［表面加工工程（第２研磨工程）（７）］
表面加工工程（第２研磨工程）（７）では、加工面特定工程（６）によって基準面に特定された裏面１ｂに対して仮想絶対平面２ｂを設定した。
そして、表面加工工程（第２研磨工程）（７）では、基準面である裏面１ｂが７μｍ以下の要求仕様を満足するようにするため、基準面である裏面１ｂの中で、仮想絶対平面２ｂに対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定し、第２の加工手段が当該加工条件に従って基準面である裏面１ｂを加工した（図４のハッチング部分参照）。

そして、表面加工工程（第２研磨工程）（７）で、図５に示した片面研磨装置を用いて、図７に示すような加工条件において、裏面１ｂを加工した。片面研磨装置として、８０個のエアーシリンダ１３を８×１０（合計８０個）で２次元配置したものを用いた。図７に示した圧力データは各エアーシリンダに付与される規格化された圧力値を示している。実施例１のガラス基板１は、図６（ｂ）に示されるように、裏面１ｂの面形状が、中心部分が凹んでいる凹形状である。このため、図７に示すように、中心部分の加圧量が周辺部分の加圧量と比べて小さくなるように加工条件を設定した。

片面研磨装置の研磨条件は、下記の通りである。
研磨条件：
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：軟質ポリシャ
基板保持プレート１４の回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレート１４の上面から見て反時計回りに回転）
研磨定盤１２の回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレート１４の上面から見て時計回りに回転）
表面加工工程（第２研磨工程）（７）が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板１を薬液洗浄し、その後、ガラス基板１を純水洗浄した。

［第２表面形態情報取得工程（８）］
第２表面形態情報取得工程（８）では、表面加工工程（第２研磨工程）（７）後に、薬液洗浄と純水洗浄が行われたガラス基板１の基準面である裏面１ｂの表面形態情報を取得した。

［第２平坦度算出工程（９）］
第２平坦度算出工程（９）では、コンピュータや計算機などが、第２表面形態情報取得工程（８）で得られた基準面である裏面１ｂの表面形態情報から裏面１ｂの平坦度を算出するとともに、表面１ａと裏面１ｂの表面形態情報からガラス基板１の平行度を算出した。
第２平坦度算出工程（９）による平坦度及び平行度の算出処理は、第１平坦度算出工程（４）での算出処理と同様に行った。

その結果、図８に示すように、裏面１ｂの平坦度が３．８μｍとなり、要求仕様（７μｍ）を満たすものとなった。また、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度が２２．９μｍであり、この段階では要求仕様（７μｍ）を満たしていなかった。また、図８に示すように、裏面１ｂの表面形状は、ランダムな凹凸分布を有するものであった。裏面１ｂの表面形状がランダムな凹凸分布を有しているので、裏面１ｂを基準面としたときに、裏面１ｂと表面１ａとにより算出されるガラス基板１の平行度を要求仕様に合うように加工した後の、ガラス基板１の端面と裏面１ｂ、表面１ａとの垂直性（真直性）が良好となるので好ましい。ランダムな凹凸分布とは、裏面１ｂの表面形状（高さ分布）が該主表面の中心から周縁に向かって滑らかな増加傾向を示す単純な凹状の曲面形状でなく、又、裏面１ｂの表面形状（高さ分布）が該主表面の中心から周縁に向かって滑らかな減少傾向を示す単純な凸状の曲面形状でない表面形状をいい、表面形状の測定領域において、複数の凸又は凹が不規則に存在している表面形状をいう。

［加工工程（第３研磨工程）（１０）］
加工工程（第３研磨工程）（１０）では、裏面１ｂを基準面としたときに、裏面１ｂと表面１ａ（加工面）とにより算出されるガラス基板１の平行度が設定値（この場合７μｍ）以下になるように、表面１ａの面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、第１の加工手段が当該加工条件に従って表面１ａの加工を行った。
即ち、加工後の表面１ａの３次元表面形状が、基準面である裏面１ｂの３次元表面形状と揃うような加工条件を決定し、第１の加工手段が当該加工条件に従って表面１ａの加工を行った。

実施例１のガラス基板１は、図６（ａ）に示されるように、表面１ａの面形状が、中心部分が出っ張っている凸形状である。このため、図９に示すように、中心部分の加圧量が周辺部分の加圧量と比べて大きくなっている。

片面研磨装置の研磨条件は、下記の通りである。
研磨条件：
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：軟質ポリシャ
基板保持プレート１４の回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレート１４の上面から見て反時計回りに回転）
研磨定盤１２の回転数：３〜２０ｒｐｍ（基板保持プレート１４の上面から見て時計回りに回転）
加工工程（第３研磨工程）（１０）が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板１を薬液洗浄し、その後、ガラス基板１を純水洗浄した。

［第３表面形態情報取得工程（１１）］
第３表面形態情報取得工程（１１）では、加工工程（第３研磨工程）（１０）後に、薬液洗浄と純水洗浄が行われたガラス基板１の両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報を取得した。

［第３平坦度算出工程（１２）］
第３平坦度算出工程（１２）では、コンピュータを用いて、第３表面形態情報取得工程（１１）で得られた両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報から表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度を算出するとともに、ガラス基板１の平行度を算出した。
第３平坦度算出工程（１２）による平坦度及び平行度の算出処理は、第１平坦度算出工程（４）での算出処理と同様に行った。

ここで、図１０は実施例１における第３表面形態情報取得工程（１１）で得られた表面形態情報が示す両主表面の３次元表面形状データ、ガラス基板１の板厚分布、及び第３平坦度算出工程（１２）で算出された平坦度・平行度を示す。
図１０（ａ）は表面１ａの３次元表面形状データと平坦度を示し、図１０（ｂ）は裏面１ｂの３次元表面形状データと平坦度を示している。また、図１０（ｃ）はガラス基板１の板厚分布と平行度を示している。
図１０に示すように、表面１ａの平坦度が６．９μｍ、裏面１ｂの平坦度が３．８μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度が６．８μｍとなり、平坦度及び平行度に関する要求仕様（共に７μｍ以下）を満足していることが分かった。
なお、加工工程（第３研磨工程）（１０）後の表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の板厚分布は、ランダムな凹凸分布を有していた。このように、ガラス基板１の板厚分布がランダムな凹凸分布を有しているので、後の精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）での軟質ポリシャによる表面１ａ、裏面１ｂへの荷重が均一に分散される傾向となるので、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）前後でのガラス基板１の表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度・平行度の維持または向上できるので好ましい。

［精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）］
精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）では、両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の平滑度を高める目的で、ガラス基板１の表面１ａ及び裏面１ｂを研磨した。
この工程での研磨は、両面研磨装置を用いた。両面研磨装置の研磨条件は、下記の通りである。
研磨条件：
研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径：５０〜８０ｎｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
研磨布：軟質ポリシャ
上定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て時計回りに回転）
下定盤回転数：１〜３０ｒｐｍ（両面研磨装置上面から見て反時計回りに回転）
圧力：８０〜１００ｇ／ｃｍ^２
精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）が終了したのち、低濃度のアルカリ水溶液を用いて、ガラス基板１を薬液洗浄し、その後、ガラス基板１を純水洗浄した。

［第４表面形態情報取得工程（１４）］
第４表面形態情報取得工程（１４）では、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）後に、薬液洗浄と純水洗浄が行われたガラス基板１の両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報を取得した。

［第４平坦度算出工程（１５）］
第４平坦度算出工程（１５）では、コンピュータによって、第４表面形態情報取得工程（１４）で得られた両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報から表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度を算出するとともに、ガラス基板１の平行度を算出した。
第４平坦度算出工程（１５）による平坦度及び平行度の算出処理は、第１平坦度算出工程（４）での算出処理と同様とした。
その結果、算出された表面１ａの平坦度が６．８μｍ、裏面１ｂの平坦度が３．８μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度が６．８μｍであった。また、精密研磨工程前に比して、平滑度が向上した。なお、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）後のガラス基板１の板厚分布は、ランダムな凹凸分布を有するものとなった。

上記の各工程（１）〜（１５）によって製造されたマスクブランク用基板は、両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の平坦度及び平行度が共に７μｍ以下であるため、高精細なパターンを形成するための露光用マスクなどの製造に適している。
具体的には、例えば、パターンの重ね合わせ精度が要求される縦型有機発光トランジスタであるＯＬＥＴ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）製造用の露光用マスクであって、マスクパターン（転写パターン）のパターン線幅が１．５μｍ以下となる露光用マスクや、転写パターンの解像性を高める位相シフト膜が形成された位相シフトマスクなどの製造に適している。
特に、２．０μｍ以下（例えば、２．０μｍ〜１．２μｍ）のラインアンドスペースパターンや、２．０μｍ以下（例えば、２．０〜１．５μｍ）のホールパターンが形成される露光用マスク（特に、位相シフトマスク）の製造に適している。
これらの露光用マスクは、解像度で５００ｐｐｉを超える（例えば、６００ｐｐｉ以上）高解像度の表示パネル（液晶パネルや有機ＥＬパネル）の作製に適用される。

＜比較例１＞
上述の実施例１において、判定工程（５）、加工面特定工程（６）、加工工程（第３研磨工程）（１０）を行わず、新たに追加工程（１６）を行ったことの他は、実施例１と同様にして、マスククブランク用基板を作成した。

図１１に示すように、比較例１のガラス基板は、表面１ａの平坦度が２５．８μｍ、裏面１ｂの平坦度が２４．０μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出されるガラス基板１の平行度が３６．４μｍであった。

［表面加工工程（第２研磨工程）（７）］
表面加工工程（第２研磨工程）（７）では、実施例１と同様に、表面１ａ及び裏面１ｂに対して仮想絶対平面２ａ，２ｂを設定し、表面１ａ及び裏面１ｂが７μｍ以下の要求仕様を満足するようにするため、表面１ａ及び裏面１ｂの中で、それぞれの仮想絶対平面２ａ，２ｂに対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定した。具体的には、図１２に示すように、表面１ａの加圧量、及び、裏面１ｂの加圧量を設定した。その後、実施例１と同様に、表面加工工程（第２研磨工程）（７）、第２表面形態情報取得工程（８）、第２平坦度算出工程（９）を行った。

その結果、図１３に示すように、表面１ａの平坦度が６．４μｍ、裏面１ｂの平坦度が４．８μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度が１３．９μｍとなった。
このように、表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度は、要求仕様である７μｍ以下になったものの、平行度は、要求仕様である７μｍ以下を満たさなかった。

［追加工程（１６）］
追加工程（１６）では、表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度が７μｍ以下で、平行度が７μｍ以下となるように、表面加工工程（第２研磨工程）（７）、第２表面形態情報取得工程（８）及び第２平坦度算出工程（９）を３回繰り返し実施した。しかし、追加工程（１６）を実施しても、平行度が１０μｍを超えてしまい、要求仕様である７μｍ以下となることはなかった。
また、実施例１と同様に、第２研磨工程で得られた両主表面に対して、両面研磨装置を用いて第３研磨工程を実施したが、表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度は７μｍ以下であったが、平行度は１０μｍを超え、７μｍ以下に改善されることはなかった。

＜実施例２＞
この実施例２では、表面加工工程（第２研磨工程）（７）において、上記実施例１で用いた片面研磨装置の代わりに、円盤形状の回転加工ツール（局所研磨ツール）に研磨布を張られている局所研磨装置を用いて、裏面１ｂを基準面として加工した。

局所研磨装置による表面加工工程（第２研磨工程）（７）では、表面１ａの平坦度が７μｍ以下になるように、凸の領域（主に外周領域）を選択的に除去できるような加工条件を決定し、表面加工を実施した。

実施例２における局所研磨装置の研磨条件は、下記の通りである。
研磨条件：
回転加工ツールの先端に取り付けられている円盤の直径：３０ｍｍφ、１００ｍｍφ
研磨布：軟質ポリシャ
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：１μｍ）砥粒に水を加えた遊離砥粒
回転加工ツールの回転数：９００ｒｐｍ
回転加工ツールの圧力：１００〜２００ｇ／ｃｍ^２

そして、上記実施例１と同様に、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）後に、第４表面形態情報取得工程（１４）及び第４平坦度算出工程（１５）を行い、第４表面形態情報取得工程（１４）で得られた両主表面（表面１ａ、裏面１ｂ）の表面形態情報から表面１ａ及び裏面１ｂの平坦度を算出するとともに、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度を算出した。

この実施例２では、表面１ａの平坦度が６．４μｍ、裏面１ｂの平坦度が５．４μｍ、表面１ａと裏面１ｂにより算出したガラス基板１の平行度が７．０μｍとなり、平坦度及び平行度に関する要求仕様（共に７μｍ以下）を満足していることが分かった。
なお、精密研磨工程（第４研磨工程）（１３）後のガラス基板１の板厚分布は、ランダムな凹凸分布を有していた。

なお、マスクブランク用基板の製造方法が、第１研磨工程（２）を有している場合、加工工程（第３研磨工程）（１０）が用いる第１の加工手段と、表面加工工程（第２研磨工程）（７）が用いる第２の加工手段との適正な組み合わせとして、例えば、下記の示すような組み合わせが考えられる。
第１の加工手段 第２の加工手段
片面研磨装置 ⇔ 片面研磨装置（実施例１の組み合わせ）
片面研磨装置 ⇔ 局所研磨装置（実施例２の組み合わせ）
局所エッチング装置 ⇔ 片面研磨装置
局所エッチング装置 ⇔ 局所研磨装置

＜実施例３＞
この実施例３では、実施例１によって得られたマスクブランク用基板を用いて、以下の方法により、位相シフトマスクブランクを製造した。
まず、上記実施例１で得られたマスクブランク用基板（合成石英ガラス基板）の主表面のうち、平坦度が高い主表面（実施例１において裏面１ｂ）を、スパッタリング装置（不図示）内に設置されたスパッタターゲット面と対向するようにセットして、スパッタリング法によってマスクブランク用基板の主表面上に、遮光性膜としても機能する位相シフト膜を成膜した。

具体的には、まず、クロムターゲットが配置されているスパッタリング装置のスパッタリング室内に、ＡｒガスとＮ_２ガスとＣＯ_２ガスとの混合ガス（Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ_２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ_２が１４．５ｓｃｃｍ）を導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＯＣＮからなる膜厚８９ｎｍの位相シフト層を成膜した。
次に、クロムターゲットが配置されているスパッタリング室内に、ＡｒガスとＣＨ_４ガスとの混合ガス（Ａｒガス中に８％の濃度でＣＨ_４ガスが含まれている混合ガス）を導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＣからなる膜厚１０ｎｍのメタル層を成膜した。
最後に、クロムターゲットが配置されているスパッタリング室内に、ＡｒガスとＮ_２ガスとＣＯ_２ガスとの混合ガス（Ａｒが３５ｓｃｃｍ、Ｎ_２が３５ｓｃｃｍ、ＣＯ_２が１８．２ｓｃｃｍ）を導入し、反応性スパッタリングによって、ＣｒＯＣＮからなる膜厚３０ｎｍの反射率低減層を成膜した。
これにより、基板上に位相シフト層（ＣｒＯＣＮ、膜厚８９ｎｍ）と、メタル層（ＣｒＣ、膜厚１０ｎｍ）と、反射率低減層（ＣｒＯＣＮ、膜厚３０ｎｍ）とから構成されている位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクが得られた。

上記のように形成された位相シフト膜は、位相シフト層とメタル層と反射率低減層との３層構造により、３６５ｎｍの光に対する透過率として５．９８％、位相差として１７８．６６°を有していた。透過率と位相差は、日本Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製のＭＰＭ−１００（商品名）を用いて測定した。
また、得られた位相シフトマスクブランクの平行度は、実施例１によって得られたマスクブランク用基板の平行度に依存し、７μｍ以下であった。

上記の工程によって製造された位相シフトマスクブランクの平行度が７μｍ以下であるため、高精細な位相シフトマスクなどの製造に適している。
特に、２．０μｍ以下（例えば、２．０μｍ〜１．２μｍ）のラインアンドスペースパターンや、２．０μｍ以下（例えば、２．０〜１．５μｍ）のホールパターンが形成される位相シフトマスクの製造に適している。
この位相シフトマスクは、解像度で５００ｐｐｉを超える（例えば、６００ｐｐｉ以上）高解像度の表示パネル（液晶パネルや有機ＥＬパネル）の作製に適用される。

＜実施例４＞
この実施例４では、実施例３で製造された位相シフトマスクブランクを用いて、以下の方法により、露光用マスクを製造した。
まず、実施例３で製造された位相シフトマスクブランクの位相シフト膜（遮光性膜）上に、ノボラック系のポジ型のフォトレジストからなるレジスト膜を形成した。その後、レーザー描画機により、波長４１３ｎｍのレーザー光を用いて、そのレジスト膜に所定のパターンを描画した。その後、レジスト膜を所定の現像液で現像して、その位相シフト膜上にレジスト膜パターンを形成した。
その後、レジスト膜パターンをマスクにして、位相シフト膜をエッチングすることで、位相シフト膜パターン（遮光性膜パターン）を形成した。

位相シフト膜を構成する位相シフト層、メタル層及び反射率低減層の各々は、クロム（Ｃｒ）を含むクロム系材料から形成される。このため、位相シフト層、メタル層及び反射率低減層は、同じエッチング溶液によってエッチングすることができる。
ここでは、位相シフト膜をエッチングするエッチング溶液として、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含むエッチング溶液を用いた。
その後、レジスト剥離液を用いて、レジスト膜パターンを剥離することで、露光用マスクを得た。

位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、７０ｎｍであり、良好であった。
ＣＤばらつきは、目標とするラインアンドスペースパターン（ラインパターンの幅：２．０μｍ、スペースパターンの幅：２．０μｍ）からのずれ幅である。位相シフトマスクの位相シフト膜パターンのＣＤばらつきは、セイコーインスツルメンツナノテクノロジー（株）製のＳＩＲ８０００を用いて測定した。
上述した位相シフトマスクは、優れたパターン断面形状及び優れたＣＤ均一性を有しているので、上述した位相シフトマスクを用いて、高解像度、高精細の表示装置（有機ＥＬパネル）を製造することができると言える。

１ ガラス基板、１ａ 表面、１ｂ 裏面、１ｃ 加工後の表面、２ａ，２ｂ 仮想絶対平面、１１ 研磨パッド、１１ａ 研磨用のスラリー、１２ 研磨定盤、１３ エアーシリンダ（加圧手段）、１４ 基板保持プレート。

Claims (11)

1. 表面及び裏面からなる主表面を有し、外形形状が矩形状で一辺が３００ｍｍ以上のマスクブランク用基板を製造する製造方法であって、
   前記マスクブランク用基板の両主表面の表面形態情報を取得する表面形態情報取得工程と、
   前記表面形態情報取得工程で得られた両主表面の表面形態情報から前記表面及び裏面の平坦度を算出する平坦度算出工程と、
   前記平坦度算出工程で算出された表面及び裏面の平坦度が、前記マスクブランク用基板の平坦度に関する要求仕様を満足しているか否かを判定する判定工程と、
   前記表面及び裏面のうち、前記判定工程によって平坦度が前記要求仕様を満たすと判定された一方の面を基準面として特定し、他方の面を加工面として特定する加工面特定工程と、
   前記一方の面を前記基準面としたときに、前記一方の面と前記他方の面とにより算出される前記マスクブランク用基板の平行度が設定値以下になるように、前記加工面の面内で加工量の異なる第１の加工手段の加工条件を決定し、該加工条件に従って前記加工面の加工を行う加工工程と、
   を有し、
   前記加工面特定工程は、前記判定工程によっていずれの面も前記平坦度に関する要求仕様を満足していないと判定された場合、前記表面及び裏面のうち、いずれか一方の面を前記加工面として、他方の面を前記基準面とし、
   前記加工工程は、前記加工面を加工する前に、前記基準面に対して仮想的な絶対平面を設定し、前記基準面の中で、前記仮想的な絶対平面に対して凸となる領域が、凸となる領域以外の領域と比べて、面の加工量が多くなる加工条件を決定し、第２の加工手段が前記加工条件に従って前記基準面を加工することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
2. 前記表面形態情報取得工程で前記表面形態情報が取得される前に、前記表面及び裏面を研磨する研磨工程を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
3. 前記加工工程によって前記加工面が加工された後、前記表面及び裏面を研磨して、前記表面及び裏面の平滑度を高める精密研磨工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランク用基板の製造方法。
4. 前記加工工程では、前記第１の加工手段として、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、局所研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
5. 前記加工工程では、前記第２の加工手段として、サンドブラスト装置、砥粒噴射装置、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、局所研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
6. 前記表面形態情報取得工程で前記表面形態情報が取得される前に、前記表面及び裏面を研磨する研磨工程を有しており、
   前記加工工程では、
   前記第１の加工手段として、前記主表面の一方に対向して設けられた複数の加圧手段の加圧量が調整可能な加圧調整手段を備えた片面研磨装置、あるいは、局所研磨装置を用いる場合、前記第２の加工手段として、前記片面研磨装置、あるいは、局所エッチング装置を用いる
   ことを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
7. 前記マスクブランク用基板は、前記表面及び裏面のうち、いずれか一方の面に遮光性膜が形成されているマスクブランクから、前記遮光性膜が剥離されたリサイクル基板であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の表面及び裏面のうち、いずれか一方の面に遮光性膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法。
9. 請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の表面及び裏面のうち、平坦度が高い方の面に遮光性膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法。
10. 前記遮光性膜は、露光光に対して位相差と透過率を有する位相シフト膜であることを特徴とする請求項８又は９記載のマスクブランクの製造方法。
11. 請求項８乃至１０のいずれか一つに記載の製造方法によって製造されたマスクブランクにおける前記遮光性膜をパターニングして遮光性膜パターンを形成することで、露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法。

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