JP6664897B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態1による半導体装置の構造を図1および図2を用いて説明する。図1(a)および(b)はそれぞれ、本実施の形態1によるインターポーザを構成する一つの機能ブロックの要部平面図およびインターポーザの要部平面図であり、基板上の保護膜および層間絶縁膜などを透視した要部平面を示している。図2は、図1(b)のA1−A1線に沿った断面とA2−A2線に沿った断面とを合わせた要部断面図である。
本実施の形態2による半導体装置の構造を、図11を用いて説明する。図11は、本実施の形態2によるインターポーザの要部平面図であり、基板上の保護膜および層間絶縁膜を透過した要部平面を示している。
CL1,CL2 絶縁膜
CT 開口部
IL 層間絶縁膜
IP0,IP1,IP1a,IP1b,IP2、IP3,IP4,IP5 インターポーザ
LC 光コネクタ
LD 発光素子
LDC 発光素子チップ
LF 光ファイバー
LSI 半導体集積回路
MD 機能ブロック
ML 電気配線
MS プリント配線基板
PC シリコン導波路
PD 受光素子
PDC 受光素子チップ
PL 保護膜
R1 第1領域
R2 第2領域
R3 第3領域
SB 基板
SD 半導体装置
SC,SC1,SC2 半導体チップ
SR サーバーラック
SV サーバー
TE 外部端子
TE1 外部端子
TE2a,TE2b 外部端子
Claims (13)
- 同一の露光マスクを用いた分割露光工程を含む製造方法によって製造される半導体装置であって、
平面形状が四角形状のインターポーザを備え、
前記インターポーザは、第1方向に配置され、かつ互いに一体として形成された複数の機能ブロックを有し、
前記複数の機能ブロックのそれぞれは、電子デバイスを配置する第1領域、光デバイスを配置する第2領域および複数の光導波路を有し、
互いに隣り合う2つの前記電子デバイスは、電気配線を介して、互いに電気的に接続されており、
前記機能ブロックのそれぞれにおいて、
前記第2領域は、前記第1領域と前記インターポーザの前記第1方向に沿った第1の辺との間に配置され、
前記複数の光導波路は、前記第2領域と前記第1の辺との間に配置され、かつ平面視において、前記互いに隣り合う2つの前記電子デバイスと重ならないように、前記第2領域から前記第1の辺に向かって延在している、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記インターポーザは、
シリコンからなる基板と、
前記基板の上面に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成されたシリコンからなる前記複数の光導波路と、
前記複数の光導波路を覆うように形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成された複数の電気配線と、
を有する、半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記複数の電気配線のうち、電源電位または接地電位を供給する電気配線は、前記第1方向に互いに隣り合う前記機能ブロックの間を前記第1方向に延在する、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記光デバイスは、前記複数の光導波路を形成するシリコンと同一層のシリコンから形成される、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数の光導波路は、前記第1方向に互いに隣り合う前記機能ブロックの間には形成されない、半導体装置。 - 同一の露光マスクを用いた、分割露光工程を含む製造方法によって製造される半導体装置であって、
平面形状が四角形状のインターポーザを備え、
前記インターポーザは、第1方向に配置され、かつ互いに一体として形成された複数の機能ブロックを有し、
前記複数の機能ブロックのそれぞれは、電子デバイスを配置する第1領域、光デバイスを配置する第2領域および複数の光導波路を有し、
互いに隣り合う2つの前記電子デバイスは、電気配線を介して、互いに電気的に接続されており、
前記機能ブロックのそれぞれにおいて、
前記第1領域と前記第2領域とは、前記第1方向に互いに隣り合って配置され、
前記複数の光導波路は、前記第2領域と前記インターポーザの前記第1方向に沿った第1の辺との間に配置され、かつ平面視において、前記互いに隣り合う2つの前記電子デバイスと重ならないように、前記第2領域から前記第1の辺に向かって延在している、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記インターポーザは、
シリコンからなる基板と、
前記基板の上面に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成されたシリコンからなる前記複数の光導波路と、
前記複数の光導波路を覆うように形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成された複数の電気配線と、
を有する、半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記複数の電気配線のうち、電源電位または接地電位を供給する電気配線は、前記第1領域および前記第2領域と前記インターポーザの前記第1の辺と対向する前記第1方向に沿った第2の辺との間に配置され、前記第1領域および前記第2領域から前記第2の辺に向かって延在する、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記光デバイスは、前記複数の光導波路を形成するシリコンと同一層のシリコンから形成される、半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
前記複数の光導波路は、前記第1方向に互いに隣り合う前記機能ブロックの間には形成されない、半導体装置。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記インターポーザの平面形状は、長方形状である、半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記複数の同一機能ブロックは、前記インターポーザの長軸方向に沿って配置されている、半導体装置。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記光導波路は、シリコンからなる、半導体装置。
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