JP6663314B2 - 圧力センサ - Google Patents
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Description
配管とサニタリー用圧力センサとの接続は、図19に示すようなクランプバンド(以下、単に「クランプ」とも称する。)と呼ばれる接続部材を用いることによって実現される。具体的には、図20に示すように、配管200の継手とサニタリー用圧力センサ300の継手とを対向させて配置し、その2つの継手をクランプ50のリング状の固定部51A,51Bによって挟み込み、ねじ52によって固定部51A,51Bを締め付けることによって、配管200とサニタリー用圧力センサ300とを接続する。
図1には、本実施の形態に係る圧力センサ100の斜視図が示され、図2には、図1のZ方向から見たときの圧力センサ100の平面構造が示され、図3には、図2のA−A断面における圧力センサ100の断面構造が示されている。なお、図1では、ハウジング4のみ180度の断面構造が示されている。
図4に示されるように、半導体チップ1aのダイアフラム3と対向する面、すなわち半導体チップ1aの裏面1aBには、支持部材2a,2bが接合される部分よりも薄く形成された薄肉部(ザグリ)1aCが形成されている。また、図示はしないが、半導体チップ1bの裏面1bBにも同様に、支持部材2c,2dが接合される部分よりも薄く形成された薄肉部1bCが形成されている。
図7に示すように、圧力センサ100のひずみゲージは、例えば半導体チップ1aに形成された2つの抵抗(例えば拡散抵抗)R1,R2と半導体チップ1bに形成されたR3,R4とを電気的に接続したブリッジ回路16によって構成されている。なお、図1〜4では、抵抗R1〜R4を接続するための信号線の図示を省略している。
ここで、円15の径は、特に限定されないが、円15が半導体チップ1a,1bの夫々の薄肉部1aC,1bC内に収まる長さであることが望ましい。
圧力センサ901は、平面視長方形の半導体チップ1Xと、ダイアフラム3の支持面3Bの中心30を通る直線25上に並んで垂設され、半導体チップ1Xを支持する3つの支持部材2ax,2bx,2cxとを有している。
図12A,12B,13A,13Bに示されるコンター図は、Z軸方向の変位の大きさが同じ領域を同色で表示したものである。
図14において、参照符号P1は、クランプ50のねじ52を図11に示す直線22上の位置P1に固定した場合に抵抗R1〜R4を形成する位置を半導体チップ1a,1bの中心に対して変化させたときの抵抗R1〜R4の応力分布から換算したブリッジ回路16の出力信号の大きさを表し、参照符号P2は、クランプ50のねじ52を図11に示す直線21上の位置P2に固定した場合に抵抗R1〜R4を形成する位置を半導体チップ1a,1bの中心に対して変化させたときの抵抗R1〜R4の応力分布から換算したブリッジ回路16の出力信号の大きさを表している。
なお、図15では、台座5,6の図示を省略している。
図15に示す圧力センサ100Aでは、抵抗R1と抵抗R2を半導体チップ1aの長辺と平行な方向(直線21に平行な方向)に並べて形成し、抵抗R3と抵抗R4を半導体チップ1bの長辺と平行な方向(直線22に平行な方向)に並べて形成している。ここで、抵抗R1〜R4は、例えば平面視長方形状に形成され、互いに同一の方向に延在している。例えば、図15に示すように抵抗R1〜R4を夫々直線22と平行な方向に延在させる。
Claims (8)
- 測定対象の流体の圧力を受ける第1主面と、前記第1主面の反対側の第2主面とを有するダイアフラムと、
前記第2主面に加わる圧力よりも大きな圧力が前記第1主面に加わったときに前記ダイアフラムが変形する前記第2主面の変形領域に、平面視で前記ダイアフラムと同心円状に設けられ、前記第2主面から垂直方向に突出した第1台座と、
前記変形領域に、平面視で前記ダイアフラムと同心円状に設けられ、前記第2主面から垂直方向に突出した前記第1台座よりも径の大きい第2台座と、
一の面にひずみゲージを構成する第1抵抗および第2抵抗が形成された第1半導体チップと、
一の面にひずみゲージを構成する第3抵抗および第4抵抗が形成された第2半導体チップと、
一端が、平面視で前記ダイアフラムの前記第2主面の中心を通る第1直線上の前記第1台座上に接合され、他端が前記第1半導体チップの他の面に接合されて、垂設された第1構造体と、
一端が、平面視で前記第1直線上の前記第2台座上に接合され、他端が前記第1半導体チップの他の面に接合されて、垂設された第2構造体と、
一端が、平面視で前記第2主面の中心を通り、前記第1直線に直交する第2直線上の前記第1台座上に接合され、他端が前記第2半導体チップの他の面に接合されて、垂設された第3構造体と、
一端が、平面視で前記第2直線上の前記第2台座上に接合され、他端が前記第2半導体チップの他の面に接合されて、垂設された第4構造体とを有し、
前記第1抵抗および前記第2抵抗は、前記第1半導体チップにおいて、平面視で、前記第1構造体が接合された接合面と前記第2構造体が接合された接合面との間の領域に形成され、
前記第3抵抗および前記第4抵抗は、前記第2半導体チップにおいて、平面視で、前記第3構造体が接合された接合面と前記第4構造体と接合された接合面との間の領域に形成されている
圧力センサ。 - 請求項1に記載の圧力センサにおいて、
前記第1半導体チップは、長方形状に形成されるとともに、前記第1半導体チップの長辺が前記第1直線と平行となるように配置され、
前記第2半導体チップは、長方形状に形成されるとともに、前記第2半導体チップの長辺が前記第2直線と平行となるように配置され、
前記第1抵抗と前記第2抵抗とは、前記第1半導体チップの短辺と平行な方向に並んで配置されるとともに、互いに異なる方向に延在して形成され、
前記第3抵抗と前記第4抵抗とは、前記第2半導体チップの短辺と平行な方向に並んで配置されるとともに、互いに異なる方向に延在して形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項2に記載の圧力センサにおいて、
前記第1抵抗および前記第4抵抗は、同一の方向に延在して形成され、
前記第2抵抗および前記第3抵抗は、前記第1抵抗および前記第4抵抗が延在する方向と垂直な方向に延在して形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項2または3に記載の圧力センサにおいて、
前記第1抵抗、前記第2抵抗、前記第3抵抗、および前記第4抵抗は、前記ダイアフラムの前記第2主面の中心から等距離に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1に記載の圧力センサにおいて、
前記第1半導体チップは、長方形状に形成されるとともに、前記第1半導体チップの長辺が前記第1直線と平行となるように配置され、
前記第2半導体チップは、長方形状に形成されるとともに、前記第2半導体チップの長辺が前記第2直線と平行となるように配置され、
前記第1抵抗および前記第2抵抗は、前記第1半導体チップの長辺と平行な方向に並んで形成され、
前記第3抵抗および前記第4抵抗は、前記第2半導体チップの長辺と平行な方向に並んで形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項5に記載の圧力センサにおいて、
前記第1抵抗、前記第2抵抗、前記第3抵抗、および前記第4抵抗は、同一の方向に延在して形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項5または6に記載の圧力センサにおいて、
前記第1抵抗および前記第4抵抗は、前記ダイアフラムの前記第2主面の中心から等距離に配置され、前記第2抵抗および前記第3抵抗は、前記ダイアフラムの前記第2主面の中心から等距離に配置されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1乃至7の何れか一項に記載の圧力センサにおいて、
前記第1半導体チップは、前記第1構造体および前記第2構造体が接合される領域よりも薄く形成された第1薄肉部を有し、
前記第2半導体チップは、前記第3構造体および前記第4構造体が接合される領域よりも薄く形成された第2薄肉部を有し、
前記第1抵抗および前記第2抵抗は、前記第1半導体チップの前記一の面における前記第1薄肉部に対応する領域内に形成され、
前記第3抵抗および前記第4抵抗は、前記第2半導体チップの前記一の面における前記第2薄肉部に対応する領域内に形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。
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