JP6653308B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Description
基板を準備する工程と、
前記基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より第1処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する工程と、
を有し、前記膜を形成する工程では、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1〜図4を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔250a〜250cは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。
成されていてもよい。集積型供給システム248は、ガス供給管232a〜232gのそれぞれに対して接続され、ガス供給管232a〜232g内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ243a〜243gの開閉動作やMFC241a〜241gによる流量調整動作等が、後述するコントローラ121によって制御されるように構成されている。集積型供給システム248は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管232a〜232g等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、集積型供給システム248のメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する基板処理シーケンス例、すなわち、成膜シーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
基板としてのウエハ200を準備した後、
ウエハ200に対して第1供給部としてのノズル249aより不活性ガスとしてのN2ガスを供給し、ウエハ200に対して第2供給部としてのノズル249bより不活性ガスとしてのN2ガスを供給し、ウエハ200に対して平面視においてノズル249bとウエハ200の中心とを通る直線Lを挟んでノズル249aと反対側に設けられた第3供給部としてのノズル249cより第1処理ガスとしてのMSガスおよびドーパントガスとしてのPHガスを供給して、ウエハ200上に、Pが添加(ドープ)されたSiを含む膜、すなわち、PドープSi膜を形成するステップ(Si膜形成ステップ)を行う。本明細書では、PドープSi膜を、単にSi膜とも称する。
ウエハ200を準備した後、上述のSi膜形成ステップを行う前に、
ウエハ200に対してノズル249aより第2処理ガスとしてのDSガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249bよりN2ガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249cよりN2ガスを供給し、ウエハ200上に、シード層として、Siを含む層、すなわち、Si層を形成するステップ(シード層形成ステップ)を行う。以下、このSi層をSiシード層とも称する。
ウエハ200に対してノズル249a〜249cのいずれか(ここではノズル249b)より第3処理ガスとしてのDCSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対してノズル249aよりDSガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249bよりN2ガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249cよりN2ガスを供給するステップ2と、
を交互に行うサイクルを所定回数行う。
以下の変形例等の説明においても、同様の表記を用いる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の成膜温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップ1,2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対して、ノズル249bよりDCSガスを供給し、ノズル249a,249cのそれぞれよりN2ガスを供給する。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、清浄化されたウエハ200の表面に対して、ノズル249aよりDSガスを供給し、ノズル249b,249cのそれぞれよりN2ガスを供給する。
上述したステップ1,2を交互に、すなわち、同期させることなく非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、上述の核が高密度に形成されてなるシード層、すなわち、Siシード層を形成することができる。
DCSガス供給流量:10〜1000sccm
DCSガス供給時間:0.5〜10分
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
処理温度(第1温度):350〜450℃
処理圧力:400〜1000Pa
が例示される。
DSガス供給流量:10〜1000sccm
DSガス供給時間:0.5〜10分
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様な処理条件とする。
l6、略称:HCDS)ガス、オクタクロロトリシラン(Si3Cl8、略称:OCTS)ガス等のクロロシラン系ガスを用いることができる。また、第3処理ガスとして、テトラフルオロシラン(SiF4)ガス、テトラブロモシラン(SiBr4)ガス、テトラヨードシラン(SiI4)ガス等を用いることができる。すなわち、第3処理ガスとして、クロロシラン系ガスの他、フルオロシラン系ガス、ブロモシラン系ガス、ヨードシラン系ガス等のハロシラン系ガスを用いることができる。また、第3処理ガスとして、塩化水素(HCl)ガス、塩素(Cl2)ガス、トリクロロボラン(BCl3)ガス、フッ化塩素(ClF3)ガス等のSi非含有のハロゲン系ガスを用いることができる。
シード層形成ステップが終了した後、処理室201内の温度を、上述の第1温度よりも高い第2温度へ変更させるように、ヒータ207の出力を調整する。本ステップを行う際、バルブ243d〜243fを開き、ノズル249a〜249cを介して処理室201内へN2ガスを供給し、処理室201内をパージする。処理室201内の温度が第2温度に到達して安定した後、後述するSi膜形成ステップを開始する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成されたシード層の表面に対して、ノズル249cよりMSガスおよびPHガスを供給し、ノズル249a,249bのそれぞれよりN2ガスを供給する。
MSガス供給流量:10〜2000sccm
PHガス供給流量:0.1〜500sccm
MSガスおよびPHガス供給時間:1〜300分
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜20000sccm
処理温度(第2温度):500〜650℃
処理圧力:30〜200Pa
が例示される。ここに示した処理条件は、処理室201内において、MSガスが単独で存在した場合にMSガスが熱分解する条件、すなわち、CVD反応が生じる条件である。すなわち、ここに示した処理条件は、ウエハ200上へのSiの吸着(堆積)にセルフリミットがかからない条件、つまり、ウエハ200上へのSiの吸着がノンセルフリミットとなる条件である。
Si膜形成ステップが終了した後、ノズル249a〜249cのそれぞれからパージガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これによ
り、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
プを行うことにより、ウエハ200上に形成されるSi膜のインキュベーションタイム(成長遅れ)を短縮させることができ、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。
本実施形態における成膜ステップは、図4に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。これらの変形例は任意に組み合わせることができる。特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の基板処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とすることができる。
図4に示す成膜シーケンスではシード層形成ステップを実施する例について説明したが、シード層形成ステップを不実施としてもよい。本変形例においても、Si膜形成ステップにおいてノズル249cよりMSガスを供給する際、ノズル249aより供給するN2ガスの流量と、ノズル249bより供給するN2ガスの流量と、のバランスを制御することで、ウエハ200上に形成されるSi膜の面内膜厚分布を調整することが可能となる。
Si膜形成ステップでは、ノズル249cよりMSガス等を供給する際、ノズル249aより供給するN2ガスの流量を、ノズル249bより供給するN2ガスの流量よりも小さくするようにしてもよい。この場合、例えばノズル249aより供給するN2ガスの流量を10〜400sccmとし、ノズル249bより供給するN2ガスの流量を500〜2000sccmとする。流量バランスをこのように制御することで、ウエハ200の中央部に供給されるMSガス等の濃度(供給量)を低く(少なく)する方向に、また、ウエハ200の外周部に供給されるMSガス等の濃度(供給量)を高く(多く)する方向に、それぞれ制御することが可能となる。結果として、ウエハ200上に形成されるSi膜の面内膜厚分布を、例えば、中央凸分布からフラット分布へ近づけたり、さらには、中央凹分布へ近づけたりすることが可能となる。
Si膜形成ステップだけでなく、シード層形成ステップのステップ2においても、ノズル249aよりDSガスを供給する際、ノズル249bより供給するN2ガスの流量と、ノズル249cより供給するN2ガスの流量と、のバランスを制御するようにしてもよい。例えば、ノズル249bより供給するN2ガスの流量と、ノズル249cより供給するN2ガスの流量と、を異ならせることで、ウエハ200上に形成されるシード層の面内厚
さ分布を調整することが可能となり、結果として、ウエハ200上に形成されるSi膜の面内膜厚分布を調整することが可能となる。
シード層形成ステップのステップ2では、ウエハ200に対してノズル249aよりN2ガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249bよりN2ガスを供給し、ウエハ200に対してノズル249cよりDSガスを供給するようにしてもよい。すなわち、Si膜形成ステップと、シード層形成ステップのステップ2と、において、処理ガス(DSガス、MSガス)の供給を、共通のノズル249cより行うようにしてもよい。
シード層形成ステップのステップ1では、ウエハ200に対するDCSガスの供給を、ノズル249a,249cのいずれかより行うようにしてもよい。
のバランスを制御するようにしてもよい。例えば、ノズル249aより供給するN2ガスの流量と、ノズル249bより供給するN2ガスの流量と、を異ならせることで、ウエハ200の表面に対して行う清浄化の度合いを、ウエハ200の面内において異ならせることが可能となる。これにより、ウエハ200上に形成されるシード層の面内厚さ分布を調整することができ、結果として、ウエハ200上に形成されるSi膜の面内膜厚分布を調整することが可能となる。
変形例3〜5においては、Si膜形成ステップにおけるN2ガスの流量バランス制御を不実施としてもよい。この場合においても、ウエハ200上に形成されるシード層の面内厚さ分布を調整することで、ウエハ200上に形成されるSi膜の面内膜厚分布をある程度調整することが可能となる。
以下に示す成膜シーケンスのように、シード層形成ステップでは、ステップ1を不実施とし、ステップ2を所定回数(1回以上)行うようにしてもよい。また、ステップ2では、第2処理ガスとして、水素化ケイ素ガスの他、テトラキスジメチルアミノシラン(Si[N(CH3)2]4、略称:4DMAS)ガス、トリスジメチルアミノシラン(Si[N(CH3)2]3H、略称:3DMAS)ガス、ビスジエチルアミノシラン(Si[N(C2H5)2]2H2、略称:BDEAS)ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン(SiH2[NH(C4H9)]2、略称:BTBAS)ガス、ジイソプロピルアミノシラン(SiH3N[CH(CH3)2]2、略称:DIPAS)ガス等のアミノシラン系ガスを用いるようにしてもよい。
以下に示す成膜シーケンスのように、シード層形成ステップでは、ステップ1,2をそれぞれ1回ずつ実施するようにしてもよい。また、ステップ1では、第3処理ガスとして、ハロシラン系ガスの他、HClガス等のSi非含有のハロゲン系ガスを用いるようにし
てもよい。
第1処理ガスとして、水素化ケイ素ガスの他、例えば、DCSガスやHCDSガス等のクロロシラン系ガスや、3DMASガスやBDEASガス等のアミノシラン系ガスを用いてもよい。
(DCS→NH3)×n ⇒ SiN
(HCDS→NH3→O2)×n ⇒ SiON
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOC(N)
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
(HCDS→O2+H2)×n ⇒ SiO
(3DMAS→O3)×n ⇒ SiO
(BDEAS→O2 *)×n ⇒ SiO
第1処理ガス供給流量:10〜2000sccm
第1処理ガス供給時間:1〜120秒
処理温度:250〜800℃
処理圧力:1〜2666Pa
が例示される。他の処理条件は、図4に示す成膜シーケンスのSi膜形成ステップにおける処理条件と同様な処理条件とする。
反応体供給流量:100〜10000sccm
反応体供給時間:1〜120秒
処理圧力:1〜4000Pa
が例示される。他の処理条件は、本変形例の第1処理ガスを供給するステップにおける
処理条件と同様な処理条件とする。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
り供給するN2ガスの流量を40〜80sccmの範囲内の所定の流量とした。他の処理条件は、サンプルAを作製する際の処理条件と同様とした。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を準備する工程と、
前記基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して(平面視において)前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より第1処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する工程と、
を有し、前記膜を形成する工程では、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と異ならせる。
付記1または2に記載の方法であって、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量よりも大きくする。
付記1または2に記載の方法であって、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量よりも小さくする。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板を準備する工程の後、前記膜を形成する工程の前に、
前記基板に対して前記第1供給部より第2処理ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より不活性ガスを供給し、前記基板上にシード層を形成する工程を更に有し、
前記シード層を形成する工程では、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第3供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記シード層の基板面内厚さ分布を調整する。なお、この場合、前記膜は、前記基板上に形成された前記シード層上に形成される。
付記5に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第3供給部より供給する不活性ガスの流量と異ならせる。
付記5または6に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第3供給部より供給する不活性ガスの流量よりも小さくする。
付記5または6に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第3供給部より供給する不活性ガスの流量よりも大きくする。
付記5〜8のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記シード層を形成する工程では、
前記基板に対して前記第1供給部、前記第2供給部、および前記第3供給部のいずれか
より第3処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第1供給部より前記第2処理ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より不活性ガスを供給する工程と、
を交互に行うサイクルを所定回数行う。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板を準備する工程の後、前記膜を形成する工程の前に、
前記基板に対して前記第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より第2処理ガスを供給し、前記基板上にシード層を形成する工程を更に有し、
前記シード層を形成する工程では、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記シード層の基板面内厚さ分布を調整する。なお、この場合、前記膜は、前記基板上に形成された前記シード層上に形成される。
付記10に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と異ならせる。
付記10または11に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量よりも大きくする。
付記10または11に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量よりも小さくする。
付記10〜13のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記シード層を形成する工程では、
前記基板に対して前記第1供給部、前記第2供給部、および前記第3供給部のいずれかより第3処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して前記第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より前記第2処理ガスを供給する工程と、
を交互に行うサイクルを所定回数行う。
付記1〜14のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(平面視において、)前記第2供給部は(前記基板の中心を挟んで)前記各ガスを排気する排気口と対向するように配置されており、前記第1供給部と前記第3供給部は、前記第2供給部と前記排気口(の中心)とを通る直線を挟むように配置される。好ましくは、前記第1供給部と前記第3供給部は、前記第2供給部と前記排気口(の中心)とを通る直線を対称軸として線対称に配置される。
付記1〜15のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程は、前記第1処理ガスが熱分解する条件下で行われる。すなわち、前記膜を形成する工程は、CVD反応が生じる条件下、すなわち、セルフリミットがかからない条件下、つまり、ノンセルフリミットとなる条件下で行われる。
本発明の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給する第1供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給する第2供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より処理ガスを供給する第3供給系と、
前記処理室内に基板が準備された状態で、前記基板に対して前記第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より前記処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記基板上に膜を形成する処理において、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整するように、前記第1供給系、前記第2供給系、および前記第3供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内に基板を準備する手順と、
前記処理室内において、前記基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する手順と、
前記膜を形成する手順において、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
249a ノズル(第1供給部)
249b ノズル(第2供給部)
249c ノズル(第3供給部)
Claims (5)
- 基板を準備する工程と、
前記基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する工程と、
を有し、前記膜を形成する工程では、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整する半導体装置の製造方法。 - 前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と異ならせる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量を、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量よりも大きくする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給する第1供給系と、
前記処理室内の基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給する第2供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より処理ガスを供給する第3供給系と、
前記処理室内に基板が準備された状態で、前記基板に対して前記第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第3供給部より前記処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記基板上に膜を形成する処理において、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整するように、前記第1供給系、前記第2供給系、および前記第3供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内に基板を準備する手順と、
前記処理室内において、前記基板に対して第1供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して第2供給部より不活性ガスを供給し、前記基板に対して前記第2供給部と前記基板の中心とを通る直線を挟んで前記第1供給部と反対側に設けられた第3供給部より処理ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する手順と、
前記膜を形成する手順において、前記第1供給部より供給する不活性ガスの流量と、前記第2供給部より供給する不活性ガスの流量と、のバランスを制御することで、前記基板上に形成される前記膜の基板面内膜厚分布を調整する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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