JP6469495B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム - Google Patents
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Description
基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素元素を含み、前記金属元素と反応する反応ガスを供給する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素元素を含む金属窒化層を形成する工程と、
前記基板に対して、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する工程を有し、
前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%とする技術が提供される。
以下、本発明の好適な第1の実施形態について図1〜3を用いて説明する。基板処理装置10は、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程である基板処理工程において使用される装置の一例として構成されている。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に、ハードマスクとして金属膜を形成する工程の一例について説明する。金属膜を形成する工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端開口を閉塞した状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
続いて、第1の層としてのTiN層を形成するステップを実行する。TiN層形成ステップは、以下に説明するハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。
バルブ314を開き、ガス供給管310内にハロゲン系原料であるTiCl4ガスを流す。ガス供給管310内を流れたTiCl4ガスは、MFC312により流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はTiCl4ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整される。流量調整されたN2ガスはTiCl4ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420、ノズル430内へのTiCl4ガスの侵入を防止するために、バルブ524、534を開き、ガス供給管520、ガス供給管530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320、ガス供給管330、ノズル420、ノズル430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
第1のTi含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1のTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。すなわち、第1のTi含有層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくは第1のTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1のTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ334を開き、ガス供給管330内にN含有ガスであるNH3ガスを流す。ガス供給管330内を流れたNH3ガスは、MFC332により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、ノズル430のガス供給孔430aから処理室201内に供給される。処理室201内に供給されたNH3ガスは、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、熱で活性化されたNH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ534を開き、ガス供給管530内にN2ガスを流す。ガス供給管530内を流れたN2ガスは、MFC532により流量調整される。N2ガスはNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410,420内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514,524を開き、ガス供給管510,520内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,320,ノズル410,ノズル420を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiN層を形成した後、バルブ334を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上記したハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップを順に時分割して行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、すなわち、ハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップの処理を1サイクルとして、これらの処理をn1サイクル(n1は1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さのTiN層(第1の層)を形成する。
続いて、第2の層としてのTiCN層を形成するステップを実行する。TiCN層形成ステップは、以下に説明する有機系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。
バルブ324を開き、ガス供給管320内に有機系原料ガスであるTDMATガスを流す。ガス供給管320内を流れたTDMATガスは、MFC322により流量調整される。流量調整されたTDMATガスは、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対してTDMATガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はTDMATガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガスを流す。ガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整される。流量調整されたN2ガスはTDMATガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル410,ノズル430内へのTDMATガスの侵入を防止するために、バルブ514,534を開き、ガス供給管510,ガス供給管530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,ガス供給管330,ノズル410,ノズル430を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
その後、バルブ324を閉じてTDMATガスの供給を停止する。ハロゲン系原料ガス供給ステップ後の残留ガス除去ステップと同様の処理手順により、処理室201内、すなわち第2のTi含有層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくは上記した第2のTi含有層の形成に寄与した後のTDMATガスを処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガスを完全に排除しなくてもよい点は、ハロゲン系原料ガス供給ステップ後の残留ガス除去ステップと同様である。
次に、前述のN含有ガス供給ステップと同様の処理手順、処理条件により、N含有ガスとしてNH3ガスを処理室201内に供給する。上述の条件下でウエハ200に対してNH3ガスを供給することにより、ウエハ200上に形成されたTi含有層の少なくとも一部とNH3ガスとが置換反応する。置換反応の際には、Ti含有層に含まれるTiとNH3ガスに含まれるNとが結合して、ウエハ200上にTi,C,Nを含むTiCN層が形成される。TiCN層は、Ti(C)N層、TiN層とも称する。
続いて、前述のハロゲン系原料ガス供給ステップ後の残留ガス供給ステップと同様の処理により、処理室201内に残留する未反応もしくは上記したTiCN層の形成に寄与した後のNH3ガスおよび副生成物を処理室201内から排除する。
上述したTiN層(第1の層)を形成するステップと、上述したTiCN層(第2の層)を形成するステップとを、時分割してn3回(n3は1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、TiN層とTiCN層とが交互に積層されてなる積層膜として構成される所定の厚さのTiCN膜を形成する。TiCN膜の厚さは、5〜30nmの範囲内の(所定の)厚さであって、好ましくは5〜20nmの範囲内の(所定の)厚さであり、より好ましくは5〜10nmの範囲内の(所定の)厚さとする。TiCN膜の厚さが5nm未満となると、エッチング耐性が低くなりすぎエッチング中にTiCN膜が無くなってしまいハードマスクとしての機能を果たさなくなる可能性があり、TiCN膜の厚さが30nmを超えると、加工性の問題によりパターンを基板に対して垂直に加工することが困難となる可能性がある。TiCN膜の厚さは要求されるTiCN膜の性質に影響がない範囲の誤差を含む。上述のステップは、複数回繰り返すのが好ましい。
バルブ514,524,534を開き、ガス供給管510,520,530のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
(B)ハロゲン系原料ガスを用いてTiN層を形成する回数(n1回)と、有機系原料ガスを用いてTiCN層を形成する回数(n2回)を調整してTiCN膜に含まれるC濃度を、例えば5〜50%の範囲内の(所定の)濃度であって、5〜40%の範囲内の(所定の)濃度であり、5〜30%の範囲内の(所定の)濃度とすることにより、ハードマスクとして要求される高いドライエッチング耐性を得ることが可能となる。
(C)TiCN層形成ステップにおいてTDMASガスの供給流量および/または供給時間を調整してTiCN膜に含まれるC濃度を、例えば5〜50%の範囲内の(所定の)濃度であって、5〜40%の範囲内の(所定の)濃度であり、5〜30%の範囲内の(所定の)濃度とすることにより、ハードマスクとして要求される高いドライエッチング耐性を得ることが可能となる。
(D)ハードマスクとしてTiCN膜のようにCが含まれている膜を用いることにより、仮にTiCN膜にドライエッチング時に用いられるエッチングガスに含まれるハロゲン化物が結合したとしても、結合により生成される物質の蒸気圧が低くなるため、ハードマスクから離れず(除去されず)に残り、ドライエッチングにより除去されないような高いドライエッチング耐性を有するハードマスクを得ることが可能となる。
(E)ハロゲン系原料ガスを用いてTiN層を形成する回数(n1回)と、有機系原料ガスを用いてTiCN層を形成する回数(n2回)を調整してTiN層とTiCN層とからなるTiCN膜(ラミネート膜)の各々の膜の膜厚比でC元素の組成比を調整することができ、仕事関数を制御することができる。すなわち、本実施形態によれば、最終的に得られるTiN膜に含まれる元素Cの原子濃度の制御性を高めることが可能となり、それにより、TiCN膜の仕事関数の制御性を高めることが可能となる。
(F)TiCN膜を形成する際、Ti含有ガスとして、例えばハロゲン系原料ガスおよび有機系原料ガスのように異なる分子構造(化学構造)を有するものを選択することにより、基板上に形成する膜に含まれる各Ti含有ガスに由来する各元素の組成比を調整することができる。
本実施形態では、図6に示すように、有機系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを1サイクルとして順に時分割してn1サイクル(n1は1以上の整数)行った後、ハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、N含有ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを1サイクルとして順に時分割してn2サイクル(n2は1以上の整数)行い、これらをn3回(n3は1以上の整数)繰り返すことにより、ウエハ200上にTiCN膜を形成する。
本実施形態では、図7に示すように、有機系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、ハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを1サイクルとして順に時分割してn1サイクル(n1は1以上の整数)行った後、N含有ガス供給ステップを1サイクル行い、これらをm回(mは1以上の整数)繰り返すことにより、ウエハ200上にTiCN膜を形成する。
本実施形態では、図8に示すように、ハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、有機系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを1サイクルとして順に時分割してn1サイクル(n1は1以上の整数)行った後、N含有ガス供給ステップを1サイクル行い、これらをm回(mは1以上の整数)繰り返すことにより、ウエハ200上にTiCN膜を形成する。
本実施形態では、図9に示すように、有機系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、ハロゲン系原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップのサイクルを1サイクルとして順に時分割してn1サイクル(n1は1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上にTiCN膜を形成する。
上述の各実施形態は、適宜組み合わせて用いることができる。さらに、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
理条件とすることができる。
本発明の一態様によれば、
基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素元素を含み、前記金属元素と反応する反応ガスを供給する工程と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素を含む金属窒化層を形成する工程と、
前記基板に対して、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する工程と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する工程を有し、
前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%、好ましくは5〜40%、より好ましくは5〜30%とする半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数とを制御して、前記金属炭窒化膜の膜厚が5〜30nmとする。
付記1もしくは2に記載の方法であって、前記金属元素はチタンである。
付記1〜3に記載のいずれかの方法であって、前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を制御することにより、エッチングレートを制御する。
付記4に記載の方法であって、前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を高くすることにより、ウェットエッチングレートを低くする。
付記4に記載の方法であって、前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を低くすることにより、エッチングレートを高くする。
本発明の別の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガス、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガス、窒素元素を含み前記金属元素と反応する反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、前記処理室に収容された基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素元素を含む金属窒化層を形成する処理と、前記基板に対して、前記有機系原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する処理と、を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する処理を有し、前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%、好ましくは5〜40%、より好ましくは5〜30%とするよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明の更に別の態様によれば、
基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、窒素元素を含み、前記金属元素と反応する反応ガスを供給する手順と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素元素を含む金属窒化層を形成する手順と、
前記基板に対して、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、前記反応ガスを供給する手順と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する手順と、
を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する手順を有し、
前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%、好ましくは5〜40%、より好ましくは5〜30%とする手順をコンピュータに実行させるプログラム、または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200・・・ウエハ
201・・・処理室
202・・・処理炉
Claims (10)
- 基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素元素を含み、前記金属元素と反応する反応ガスを供給する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素元素を含む金属窒化層を形成する工程と、
前記基板に対して、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する工程と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する工程を有し、
前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%とする半導体装置の製造方法。 - 前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5%以上40%以下とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5%以上30%以下とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数とを制御して、前記金属炭窒化膜の膜厚が5〜30nmとする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属元素は、チタン、タンタル、タングステン、コバルト、イットリウム、ルテニウム、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、モリブデンのいずれである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を制御することにより、前記金属炭窒化膜のエッチングレートを制御する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を高くすることにより、ウェットエッチングレートを低くするよう制御する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を低くすることにより、ウェットエッチングレートを高くするよう制御する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガス、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガス、窒素元素を含み前記金属元素と反応する反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、前記処理室に収容された基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素を含む金属窒化層を形成する処理と、前記基板に対して、前記有機系原料ガスを供給する処理と、前記基板に対して、前記反応ガスを供給する処理と、を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素および前記窒素を含む金属炭窒化層を形成する処理と、を時分割して所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する処理を有し、前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%とするよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室に収容された基板に対して、金属元素を含むハロゲン系原料ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、窒素元素を含み、前記金属元素と反応する反応ガスを供給する手順と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素および前記窒素元素を含む金属窒化層を形成する手順と、
前記基板に対して、前記金属元素および炭素元素を含む有機系原料ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、前記反応ガスを供給する手順と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化層を形成する手順と、
を時分割して所定回数行うことにより、前記基板上に前記金属元素、前記炭素元素および前記窒素元素を含む金属炭窒化膜を形成する手順を有し、
前記金属窒化層を形成する工程を行う回数と、前記金属炭窒化層を形成する工程を行う回数と、の比を制御して前記金属炭窒化膜に含まれる炭素濃度を5〜50%とする手順を行う前記基板処理装置を制御させるためのプログラム。
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