JP6652563B2 - 電子部品の製造方法及びパッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品保護フィルム、電子部品保護部材、電子部品の製造方法及びパッケージの製造方法に関する。更に詳しくは、個片化された半導体部品を再配置したのち封止剤でアレイ状に封止する際に利用される電子部品保護フィルム、電子部品保護部材、及び、この電子部品保護フィルムを用いた電子部品の製造方法、並びに、この電子部品の製造方法を利用したパッケージの製造方法に関する。

近年、ウエハを個片化した後、得られた半導体部品を検査し、検査合格した半導体部品のみをキャリア上に再配置し、その後、封止剤でアレイ状に封止する工程を含む電子部品の製造方法が知られている。このタイプの製造方法としては、例えば、下記特許文献１（図３Ａ−図３Ｅ、［００２８］及び［００２９］参照）に開示された技術が知られている。一方、電子部品を扱う際に利用される粘着フィルムとしては、下記特許文献２に開示された技術が知られている。

特開２００６−２８７２３５号公報 特開２０１０−２７８０６５号公報

上記特許文献２では、粘着フィルムを介してリングフレームに半導体ウエハを接着保持する過程を備えたマウント方法が開示されている。この文献における粘着フィルムは、いわゆるダイシングフィルムであり、ダイシングフィルムから被保持物を剥離し易くするために、粘着層に熱発泡性の粘着剤が利用されている。
一方、上記特許文献１に開示されている通り、上述の電子部品の製造方法では、半導体部品をキャリア上に再配置する際に、粘着フィルム等を介してキャリアに固定する必要がある。近年、この特許文献１の技術に利用される粘着フィルムとして、上記特許文献２に開示されるような、熱発泡性の粘着剤を利用した粘着フィルムが利用されている。

そして、特許文献１の方法によれば、個片化した複数の半導体部品を粘着フィルム上に再配置した後、封止剤を用いて一体的に封止する封止工程を備える。この際、利用される封止剤としては、熱硬化性の封止剤が汎用される。そのため、上記特許文献２の熱発泡性の粘着剤を利用した粘着フィルム上で封止を行うと、熱硬化の際に粘着層の発泡も始まってしまうおそれがある。この問題を避けるため、昨今の封止剤では、硬化温度を低く調整し、封止剤の硬化温度で粘着剤の発泡が始まらないようにする対策が取られている場合がある。
しかしながら、封止剤の硬化温度を低くすると、封止剤の硬化が不十分となり、得られる電子部品の耐久信頼性が低下することが危惧される。即ち、封止剤の熱硬化温度を下げるという要請と、電子部品の耐熱性を十分に得るという要請と、が相反するという問題を生じている。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、個片化された半導体部品を再配置したのち封止剤でアレイ状に封止する際に利用される電子部品保護フィルムであって、封止剤の硬化温度を低く調整する必要がない電子部品保護フィルム、電子部品保護部材、電子部品の製造方法及びパッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明には以下の事項が含まれる。
［１］開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着するフィルム貼着工程と、
前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
加熱したチャックテーブルに前記電子部品保護フィルムの基層の側を吸着固定して、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
前記電子部品保護フィルムは、前記基層と前記粘着材層とを有し、
前記基層は、厚さが１５μｍ以上５０μｍ以下であり、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であり、１×１０ ^８ ≦Ｅ’（５０）≦１×１０ ^１０ であることを要旨とする電子部品の製造方法。
［２］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａである［１］に記載の電子部品の製造方法。
［３］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｋ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである［１］又は［２］に記載の電子部品の製造方法。
［４］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含む［１］乃至［３］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［５］更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備える［１］乃至［４］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［６］前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備える［１］乃至［５］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［７］［６］に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを要旨とするパッケージの製造方法。

［８］開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着して電子部品保護部材を形成する電子部品保護部材形成工程と、
前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
加熱したチャックテーブルに前記電子部品保護フィルムの基層の側を吸着固定して、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
前記電子部品保護フィルムは、前記基層と前記粘着材層とを有し、
前記基層は、厚さが１５μｍ以上５０μｍ以下であり、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であり、１×１０ ^８ ≦Ｅ’（５０）≦１×１０ ^１０ であることを要旨とする電子部品の製造方法。
［９］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａである８に記載の電子部品の製造方法。
［１０］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである［８］又は［９］に記載の電子部品の製造方法。
［１１］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含む［８］乃至［１０］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［１２］更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備える［８］乃至［１１］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［１３］前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備える［８］乃至［１２］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［１４］［１３］に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを要旨とするパッケージの製造方法。

尚、本明細書には下記［１］〜［２２］に関する説明が含まれる。
［１］電子部品の製造方法に用いられ、基層と粘着材層とを備える電子部品保護フィルムであって、
前記製造方法は、開口部を有する枠体の、前記開口部を覆うように前記枠体の一面に前記電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着した後、前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着し、次いで、前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆った後、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る方法であり、
前記基層の１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ _Ｅ （＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ _Ｅ ＜１であることを要旨とする電子部品保護フィルム。
［２］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０ ^４ 〜５００×１０ ^４ Ｐａであることを要旨とする［１］に記載の電子部品保護フィルム。
［３］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｋ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることを要旨とする［１］又は［２］に記載の電子部品保護フィルム。
［４］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含むことを要旨とする［１］乃至［３］のうちのいずれかに記載の電子部品保護フィルム。
［５］開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着するフィルム貼着工程と、
前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
前記電子部品保護フィルムは、基層と前記粘着材層とを有し、
前記基層は、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ _Ｅ （＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ _Ｅ ＜１であることを要旨とする電子部品の製造方法。
［６］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０ ^４ 〜５００×１０ ^４ Ｐａであることを要旨とする［５］に記載の電子部品の製造方法。
［７］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｋ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることを要旨とする［５］又は［６］に記載の電子部品の製造方法。
［８］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含むことを要旨とする［５］乃至［７］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［９］更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備えることを要旨とする［５］乃至［８］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［１０］前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備えることを要旨とする［５］乃至［９］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［１１］［１０］に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを要旨とするパッケージの製造方法。
［１２］電子部品の製造方法に用いられる電子部品保護部材であって、開口部を有する枠体と、前記開口部を覆うように前記枠体の一面に貼着された電子部品保護フィルムと、を備え、
前記電子部品保護フィルムは、基層と粘着材層とを備えるとともに、前記枠体の一面に前記粘着材層が貼着されており、
前記製造方法は、前記電子部品保護部材の前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着し、次いで、前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆った後、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る方法であり、
前記電子部品保護フィルムを構成する前記基層の１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ _Ｅ （＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ _Ｅ ＜１であることを要旨とする電子部品保護部材。
［１３］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０ ^４ 〜５００×１０ ^４ Ｐａであることを要旨とする［１２］に記載の電子部品保護部材。
［１４］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることを要旨とする［１２］又は［１３］に記載の電子部品保護部材。
［１５］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれることを要旨とする［１２］乃至［１４］のうちのいずれかに記載の電子部品保護部材。
［１６］開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着して電子部品保護部材を形成する電子部品保護部材形成工程と、
前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
前記電子部品保護フィルムは、基層と前記粘着材層とを有し、
前記基層は、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であることを要旨とする電子部品の製造方法。
［１７］前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａであることを要旨とする［１６］に記載の電子部品の製造方法。
［１８］前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることを要旨とする［１６］又は［１７］に記載の電子部品の製造方法。
［１９］前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含むことを要旨とする［１６］乃至［１８］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［２０］更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備えることを要旨とする［１６］乃至［１９］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［２１］前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備えることを要旨とする［１６］乃至［２０］のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
［２２］［２１］に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを要旨とするパッケージの製造方法。

本発明の電子部品保護フィルム、電子部品保護部材、電子部品の製造方法及びパッケージの製造方法によれば、個片化された半導体部品を再配置したのち封止剤でアレイ状に封止する際に、封止剤の硬化温度を低く調整する必要がない。そのため、特に熱特性に優れた耐久性の高い電子部品を得ることができる。

本電子部品保護フィルムの一例の断面を説明する説明図である。 本電子部品の製造方法に係るフィルム貼着工程を説明する説明図である。 本電子部品の製造方法に係る半導体部品貼着工程を説明する説明図である。 本電子部品の製造方法の係る封止剤被覆工程を説明する説明図である。 本電子部品の製造方法の係る加熱硬化工程を説明する説明図である。

以下、本発明を、図を参照しながら説明する。ここで示す事項は例示的なもの及び本発明の実施形態を例示的に説明するためのものであり、本発明の原理と概念的な特徴とを最も有効に且つ難なく理解できる説明であると思われるものを提供する目的で述べたものである。この点で、本発明の根本的な理解のために必要で、ある程度以上に本発明の構造的な詳細を示すことを意図してはおらず、図面と合わせた説明によって本発明の幾つかの形態が実際にどのように具現化されるかを当業者に明らかにするものである。

［１］電子部品保護フィルム
本発明の電子部品保護フィルム１は、電子部品の製造方法に用いられる電子部品保護フィルムである。この電子部品の製造方法は、開口部７１を有する枠体７の、開口部７１を覆うように枠体７の一面７ａに電子部品保護フィルム１の粘着材層１２を貼着した後、開口部７１に露出された粘着材層１２の表面１２ａに、複数の半導体部品２０を離間させた状態に貼着し、次いで、粘着材層１２の表面１２ａ及び半導体部品２０を封止剤３０で覆った後、封止剤３０を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品５０を得る方法である（図２−図３参照）。この電子部品の製造方法については後述する。

（１）基層
電子部品保護フィルム１は、基層１１と粘着材層１２とを備える（図１参照）。このうち、基層１１は、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１である。
ここで、「Ｅ’（１６０）」は、基層１１の１６０℃における引張弾性率を表わし、「Ｅ’（５０）」は、基層１１の５０℃における引張弾性率を表わす。更に、比Ｒ_Ｅは、Ｅ’（５０）に対するＥ’（１６０）の割合｛Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０）｝を表わす。
従って、比Ｒ_Ｅが０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であることは、基層１１の１６０℃における引張弾性率が、基層１１の５０℃における引張弾性率の５％を超え１００％未満であることを表わす。本発明の電子部品保護フィルム１では、基層１１が、０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であることによって、上述の電子部品の製造方法における封止剤の硬化温度を低く調整することなく、汎用された封止剤を用いて、半導体部品２０がアレイ状に封止した電子部品５０を得ることができる。
比Ｒ_Ｅは、０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１の範囲であればよいが、０．１０≦Ｒ_Ｅ≦０．９５が好ましく、０．２０≦Ｒ_Ｅ≦０．９０がより好ましく、０．３０≦Ｒ_Ｅ≦０．８５が特に好ましい。

各引張弾性率Ｅ’（Ｐａ）は特に限定されないが、引張弾性率Ｅ’（５０）は、１×１０^８≦Ｅ’（５０）≦１×１０^１０が好ましく、１×１０^９≦Ｅ’（５０）≦５×１０^９がより好ましい。
一方、引張弾性率Ｅ’（１６０）は、５×１０^６≦Ｅ’（１６０）≦１×１０^１０が好ましく、５×１０^７≦Ｅ’（１６０）≦５×１０^９がより好ましい。
尚、基層１１の各温度における引張弾性率Ｅ’は、後述する実施例に記載の方法により測定される。

また、基層１１の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以上５０μｍ以下が特に好ましい。
更に、熱膨張率は、特に限定されないが、温度５０℃から温度１５０℃における熱膨張率が１ｐｐｍ／Ｋ以上１００ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましく、１０ｐｐｍ／Ｋ以上９５ｐｐｍ／Ｋ以下がより好ましい。

基層１１は、粘着材層１２を支持でき、上述の比Ｒ_Ｅを有すればよく、その材質は特に限定されない。基層１１を構成する材料としては、樹脂が好ましい。
樹脂としては、ポリイミド系樹脂（ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなど）、ポリエステル系樹脂（ポリオレフィンテレフタレート、ポリオレフィンナフタレートなど）、ポリアミド系樹脂（ナイロンなど）、ポリオレフィン系樹脂（高密度ポリオレフィン、低密度ポリオレフィン、ホモポリオレフィン、ランダムポリオレフィンなど）、ポリスルホン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリウレタン樹脂（熱可塑ポリウレタンエラストマー等）などが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

これらのなかでは、ポリイミド系樹脂及び／又はポリエステル系樹脂が好ましい。
このうち、ポリイミド系樹脂としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド及びポリアミドイミド等が挙げられる。これらのなかでは、ポリイミドが好ましい。具体的には、三井化学株式会社製「オーラム（商品名）」、東レ・デュポン社製「カプトン（商品名）」、東洋紡績株式会社製「ゼノマックス（商品名）」、宇部興産株式会社製「ユーピレックス（商品名）」、株式会社カネカ製「アピカル（商品名）」、三菱ガス化学株式会社製の「ネオプリム（商品名）」、倉敷紡績株式会社製の「ミドフィル（商品名）」等が挙げられる。

一方、ポリエステル系樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等が挙げられる。これらのなかでは、ポリエチレンテレフタレート及び／又はポリエチレンナフタレートが特に好ましい。

また、この基層１１を構成する材料は、融点が２００℃以上であるか、融点を有さない（加熱分解する場合には、分解温度が２００℃以上）ことが好ましい。基層１１を構成する材料が融点を有する場合には、融点は２００℃以上４００℃以下が好ましく、２１０℃以上３５０℃以下がより好ましく、２２０℃以上３００℃以下が特に好ましい。

（２）粘着材層
粘着材層１２は、粘着材によって形成された層であり、基層１１の一面にのみ、又は、基層１１の両面に備えることができる。この粘着材層１２は、基層１１と直接接して設けられていてもよく、他層を介して設けられていてもよい。

粘着材層１２を構成する粘着材の１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）（Ｐａ）は、特に限定されず、０．１×１０^４≦Ｇ’（１５０）≦１０００×１０^４とすることができ、１×１０^４≦Ｇ’（１５０）≦５００×１０^４が好ましい。粘着材層１２のＧ’（１５０）が１×１０^４Ｐａ以上である場合には、糊残りを効果的に防止できる。一方、５００×１０^４Ｐａ以下であることにより、十分な粘着力が得られる。Ｇ’（１５０）は、更に、２×１０^４≦Ｇ’（１５０）≦２×１０^６がより好ましい。

更に、粘着材層１２の粘着力は、特に限定されないが、シリコンウエハの表面に貼着して６０分間放置した後、シリコンウエハの表面から剥離するときの、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が（温度２３℃、相対湿度５０％の環境下にて測定）０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着力が上記範囲である場合には、半導体部品との良好な接着性を確保しつつ、封止後の電子部品を剥離する際の糊残りを抑制できる。この粘着力は、更に、０．２Ｎ／２５ｍｍ以上９Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましく、０．３Ｎ／２５ｍｍ以上８Ｎ／２５ｍｍ以下が更に好ましい。

また、粘着材層１２の厚さ（基層１１の一面側の厚さ）は特に限定されないが、０．５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上２５μｍ以下が特に好ましい。

粘着材は、上述の特性を有すればよく、どのような材料を用いてもよい。通常、少なくとも粘着主剤を含む。粘着主剤としては、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらのなかでも、アクリル系粘着剤が好ましい。

アクリル系粘着剤としては、アクリル酸エステル化合物の単独重合体、アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
また、アクリル酸エステル化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび２−エチルヘキシルアクリレート等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
更に、コモノマーとしては、酢酸ビニル、アクリルニトリル、アクリルアマイド、スチレン、メチル（メタ）クリレート、（メタ）アクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げられる。

更に、粘着材は、粘着主剤以外に、架橋剤を含むことができる。架橋剤としては、エポキシ系架橋剤（ペンタエリストールポリグリシジルエーテルなど）、イソシアネート系架橋剤（ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネートなど）が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。粘着材に架橋剤が含まれる場合、架橋剤の含有量は、粘着材全体を１００質量部として１０質量部以下とすることが好ましい。また、粘着材層の粘着力は、架橋剤の含有量によって調整できる。具体的には、特開２００４−１１５５９１号公報に記載の方法を利用できる。

また、粘着剤は、エネルギー線によって硬化されるエネルギー硬化型粘着材であってもよいし、エネルギー線によって硬化されないエネルギー非硬化型粘着材であってもよい。
このうち、エネルギー硬化型粘着材である場合、粘着材に対しエネルギー線照射を行うことで、粘着材を硬化させ、その粘着力を低下させることができる。このため、得られた電子部品（半導体部品がアレイ状に封止されえた電子部品）と電子部品保護フィルムとを離間させる際に、電子部品に対する糊残りをより確実に防止できる。
エネルギー硬化型粘着材は、どのようなエネルギー線によって硬化されるものであってもよい、エネルギー線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。これらのエネルギー線は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。具体的には、紫外線によって硬化される紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。

エネルギー硬化型粘着材である場合、粘着材は、上述の粘着主剤以外に、分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物（以下、単に「硬化性化合物」という）と、エネルギー線に反応して硬化性化合物の重合を開始させることができる光重合開始剤を含むことができる。この硬化性化合物は、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー及び／又はポリマーが好ましい。具体的には、硬化性化合物としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。粘着材に硬化性化合物が含まれる場合、硬化性化合物の含有量は、粘着材１００質量部に対して０．１〜２０重量部が好ましい。

尚、分子内の炭素−炭素二重結合は、上述の粘着主剤が分子内に有することによって含まれてもよい。即ち、例えば、粘着主剤は、側鎖に炭素−炭素二重結合を有するエネルギー硬化型ポリマー等とすることができる。このようなに、粘着主剤が分子内に硬化性構造を有する場合には、上述の硬化性化合物は配合してもよく、配合しなくてもよい。

一方、光重合開始剤としては、エネルギー線の照射によりラジカルを生成できる化合物が好ましい。具体的には、アセトフェノン系光重合開始剤｛メトキシアセトフェノンなど｝、α−ケトール化合物｛４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど｝、ケタール系化合物｛ベンジルジメチルケタールなど｝、ベンゾイン系光重合開始剤｛ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類（ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル）など｝、ベンゾフェノン系光重合開始剤｛ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸など｝、芳香族ケタール類｛ベンジルジメチルケタールなど｝等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。粘着材に光重合開始剤が含まれる場合、光重合開始剤の含有量は、粘着材１００質量部に対して５〜１５質量部とすることが好ましい。

（３）その他の層
本発明の電子部品保護フィルム１は、基層１１及び粘着材層１２のみからなってもよいが、他層を備えることができる。他層としては、貼り付け面の凹凸形状を吸収してフィルム面を平滑にできる凹凸吸収層、粘着材との界面強度を向上する界面強度向上層、基材から粘着面への低分子量成分の移行を抑制する移行防止層等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

（４）電子部品保護フィルムの製造
本発明の電子部品保護フィルムは、どのような方法で製造してもよく、その方法は特に限定されない。具体的には、共押出し法、押出ラミネート法、接着ラミネート法、塗布法等の方法により製造できる。このうち、共押出し法は、基層１１となる溶融樹脂と粘着材層１２となる溶融樹脂とを共押出しによって積層して電子部品保護フィルムを製造する方法である。
また、押出ラミネート法は、基層１１上に、粘着材層１２となる溶融樹脂を押出しによって積層して電子部品保護フィルムを製造する方法である。
更に、塗布法は、基層１１上に、粘着材層１２となる溶融樹脂を塗布又は塗工によって積層して電子部品保護フィルムを製造する方法である。粘着材層１２を構成する粘着材として、エネルギー硬化型粘着材を用いる場合は、この塗布法を用いることが好ましい。
また、接着ラミネート法は、基層１１と粘着材層１２とを、熱圧着、接着剤、ホットメルト等を介して積層して電子部品保護フィルムを製造する方法である。
これらの方法は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

（５）貼着対象の半導体部品
本発明の電子部品保護フィルム１に対して、好適に貼着できる半導体部品としては、シリコン基板、サファイア基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム−ヒ素基板、ガリウム−リン基板、ガリウム−ヒ素−アルミニウム基板などを用いた半導体部品等が挙げられる。このうち、サファイア基板を用いた半導体部品とは、サファイア基板上に半導体層（ＧａＮ等）が積層された半導体部品が挙げられる。通常、これらの半導体部品は、半導体ウエハから切り出されて得られる。これらの半導体部品の表面には、回路が形成されていてもよく形成されていなくてもよい。回路としては、配線、キャパシタ、ダイオード及びトランジスタ等が挙げられる。１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
また、特に、これらの半導体部品は、バーンイン試験等のスクリーニングによって初期欠陥が取り除かれた半導体部品であることが好ましい。

［２］電子部品保護部材
本発明の電子部品保護部材１５は、電子部品の製造方法に用いられる電子部品保護部材である。この電子部品の製造方法は、電子部品保護部材１５の開口部７１に露出された粘着材層１２の表面１２ａに、複数の半導体部品２０を離間させた状態に貼着し、次いで、粘着材層１２の表面１２ａ及び半導体部品２０を封止剤３０で覆った後、封止剤３０を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品５０を得る方法である（図２−図３参照）。この電子部品の製造方法については後述する。

また、本発明の電子部品保護部材１５は、開口部１７を有する枠体７と、開口部１７を覆うように枠体７の一面７ａに貼着された電子部品保護フィルム１と、を備える。そして、電子部品保護フィルム１は、基層１１と粘着材層１２とを備える。そして、この電子部品保護フィルム１は、枠体７の一面７ａに粘着材層１２によって貼着されている。電子部品保護フィルム１については、前述の本発明の電子部品保護フィルム１における記載をそのまま適用できる。
一方、枠体７としては、例えば、リングフレームを用いることができる。枠体７の概形は限定されず、適宜必要に応じた形状にできる。例えば、円形又は四角形等を採用できる。同様に、開口部７１の概形も限定されず、適宜必要に応じた形状にでき、例えば、円形又は四角形等を採用できる。枠体７を構成する材質も限定されず、例えば、樹脂及び／又は金属等を用いることができる。
また、枠体７の開口部７１を覆うように、枠体７の一面７ａに、電子部品保護フィルム１の粘着材層１２を貼着する際には、必要に応じて加熱を行うことができる。

［２］電子部品の製造方法
本発明の電子部品の製造方法は、フィルム貼着工程（電子部品保護部材形成工程）（Ｒ１）と、半導体部品貼着工程（Ｒ２）と、封止剤被覆工程（Ｒ３）と、加熱硬化工程（Ｒ４）と、を備える。

フィルム貼着工程（電子部品保護部材形成工程）Ｒ１（図２参照）は、開口部７１を有する枠体７の開口部７１を覆うように、枠体７の一面７ａに、電子部品保護フィルム１の粘着材層１２を貼着する工程である。このうち、枠体７については、前述の通りである。また、この工程では、必要に応じて加熱したフィルム１を枠体７に貼着できる。

半導体部品貼着工程Ｒ２（図３参照）は、開口部７１に露出された粘着材層１２の表面１２ａに、複数の半導体部品２０を離間させた状態に貼着する工程である。
半導体部品２０については、前述（［１］（５））した通りである。この半導体部品２０が、更に、回路等を形成する必要があるものである場合には、回路形成面（回路が形成されることとなる面）を、粘着材層１２の表面１２ａに貼着してもよいし、回路非形成面（回路を形成しない面）を、粘着材層１２の表面１２ａに貼着してもよい。これらのうちでは、前者が好ましい。

封止剤被覆工程Ｒ３（図４参照）は、粘着材層１２の表面１２ａ及び半導体部品２０を封止剤３０で覆う工程である。
封止剤３０は、エポキシ等の公知の封止剤用の樹脂を利用できる。本発明では、加熱により硬化される加熱硬化型の封止剤３０が用いられる。
この封止剤３０は、液状の封止剤であってもよく、塊状の封止剤であってもよく、フィルム状の封止剤であってもよく、更には、その他の形態の封止剤であってもよい。このうち、液状の封止剤３０の場合には、塗布又はスピンコート等によって、半導体部品２０を封止剤３０（未硬化の封止材）で覆うことができる。また、塊状の封止剤３０の場合には、加圧プレート（必要に応じて加熱できる）により押圧するとによって、半導体部品２０を封止剤３０（未硬化の封止材）で覆うことができる。更に、フィルム状の封止剤３０の場合には、フィルム状の封止剤３０を貼着することにより半導体部品２０を封止剤３０（未硬化の封止材）で覆うことができる。

加熱硬化工程Ｒ４（図５参照）は、封止剤３０を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品５０を得る工程である。即ち、電子部品５０は、少なくとも、半導体部品２０と硬化された封止材３０’とを備える。
この工程では、上述した封止剤３０に応じて、必要な加熱を行い、封止剤３０を硬化させる。この際の硬化温度は、通常、１００℃以上であり、１００℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。

本発明の方法では、上述した各工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、アレイ状に封止された電子部品５０に配線層を形成する配線層形成工程や、配線層が形成されたアレイ状に封止された電子部品５１を個片化する個片化工程等が挙げられる。
上述の配線層としては、電子部品実装用の基板に実装するために必要となる配線層が挙げられる。具体的には、実装用のバンプ（はんだボール）、平面電極パッド、テープ電極パッド等の各種電極パッド、更には、これらの電極パッドと半導体部品の回路との接続用配線等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

本発明のパッケージの製造方法は、配線層が形成され且つアレイ状に封止された電子部品５１を個片化して得られた個片化電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを特徴とする。即ち、配線層が形成され且つアレイ状に封止された電子部品５１をダイシングによって、必要な大きさに個片化し、得られた個片化電子部品を実装するものである。この個片化においては、１つの電子部品内に少なくとも１つの半導体部品が含まれるように個片化されるが、１つの電子部品内に２つ以上の半導体部品が含まれるように個片化される場合を含むものである。

［３］パッケージの製造方法
本発明のパッケージの製造方法は、配線層が形成され且つアレイ状に封止された電子部品５１を個片化して得られた個片化電子部品を、基板（電子部品実装用の基板）に実装する実装工程を備えることを特徴とする。即ち、配線層が形成され且つアレイ状に封止された電子部品５１をダイシングによって、必要な大きさに個片化し、得られた個片化電子部品を実装するものである。この個片化においては、１つの電子部品内に少なくとも１つの半導体部品が含まれるように個片化されるが、１つの電子部品内に２つ以上の半導体部品が含まれるように個片化される場合を含むものである。

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［１］電子部品保護フィルムの製造
〈実施例１〉
（１）基層
基層１１として、厚さ２５μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルム（東レ・デュポン株式会社製、品名「カプトン １００Ｖ」、温度５０〜２００℃における熱膨張率２７ｐｐｍ／Ｋ、密度１４２０ｋｇ／ｍ^３、融点なし）を用いた。
この基層１１を用い、引張弾性率Ｅ’を、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）（製品名：ＲＳＡ−３、ＴＡインスツルメント社製）により測定した。具体的には、サンプルサイズを幅１０ｍｍ、チャック間の長さ２０ｍｍとし、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の測定条件で−２０℃から２００℃まで測定して得られたデータから各温度のデータを読み取った。即ち、５０℃における値を引張弾性率Ｅ’（５０）とし、１６０℃における値を引張弾性率Ｅ’（１６０）とした。その結果、Ｅ’（５０）は３×１０^９Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は２×１０^９Ｐａであった。その結果、比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））は０．６６であった。

（２）粘着材層
自社製の紫外線硬化型のアクリル系粘着剤を厚さ１０μｍに成形し、粘着材層１２とした。この粘着剤層１２の１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）は２．８×１０^４Ｐａであった。測定は、動的粘弾性測定装置（製品名：ＡＲＥＳ、ＴＡインスツルメント社製）を用いて行った。具体的には、上記の紫外線硬化型のアクリル系粘着剤を厚さ５００μｍに成形したサンプルを動的粘弾性測定装置にセットし、直径８ｍｍのパラレルプレート型アタッチメントを用い、−４０℃から昇温速度３℃／分で２００℃まで昇温しながら、測定周波数１Ｈｚで、貯蔵弾性率の測定を行った。測定終了後、得られた貯蔵弾性率−温度曲線から１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’の値を読みとった。

（３）基層と粘着材層との積層
上記（１）で得られた基層１１の一面に、上記（２）の粘着材層１２をラミネートして、実施例１の電子部品保護フィルム１を得た。
得られた実施例１の電子部品保護フィルム１を用い、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して、以下の方法で粘着力を測定した。即ち、得られた電子部品保護フィルムを、幅２５ｍｍの試験片とし、その粘着材層１２を、４インチのシリコンエウハに約２ｋｇゴムロールで圧力を加えながら貼り付けた。次いで、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下に６０分間放置した。その後、試験片を１８０°方向に、剥離速度３００ｍｍ／分でシリコンウエハから引き剥がす際の粘着力を測定した。粘着力の測定は２回行い、平均値を「粘着力」（Ｎ／２５ｍｍ）とした。その結果、実施例１の電子部品保護フィルム１による粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例２〉
基層１１として、実施例１と同じポリイミド（ＰＩ）フィルムを用いた。
粘着材層１２として、厚さ１０μｍの非硬化型のアクリル系粘着剤（Ａ）を用いた。実施例１と同様に測定した、この粘着材層１２のＧ’（１５０）は１６０×１０^４Ｐａであった。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して、実施例２の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実施例２の電子部品保護フィルム１を用い、実施例１と同様に測定した粘着力は０．７Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例３〉
基層１１として、実施例１と同じポリイミド（ＰＩ）フィルムを用いた。
粘着材層１２として、厚さ１０μｍの非硬化型のアクリル系粘着剤（Ｂ）を用いた。実施例１と同様に測定した、この粘着材層１２のＧ’（１５０）は４２×１０^４Ｐａであった。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して実施例３の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実験例３の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は２．７Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例４〉
基層１１として、実施例１と同じポリイミド（ＰＩ）フィルムを用いた。
粘着材層１２として、厚さ１０μｍの非硬化型のアクリル系粘着剤（Ｃ）を用いた。実施例１と同様に測定した、この粘着材層１２のＧ’（１５０）は０．９×１０^４Ｐａであった。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して実施例４の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実験例４の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は９．７Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例５〉
基層１１として、厚さ２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、品名「テオネックス」、温度５０〜２００℃における熱膨張率１３ｐｐｍ／Ｋ、密度１３６０ｋｇ／ｍ^３、融点２６９℃）を用いた。実施例１と同様に測定した、この基層１１のＥ’（５０）は３×１０^９Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は１×１０^９Ｐａであり、比Ｒ_Ｅは０．３３であった。
粘着材層１２として、実施例１と同じ粘着材層（１０μｍ）を用いた。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して実施例５の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実験例５の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例６〉
基層１１として、厚さ５０μｍに押出成形したポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）フィルム（東レ株式会社製、品名「トレコン」、温度５０〜２００℃における熱膨張率９４ｐｐｍ／Ｋ、密度１３１０ｋｇ／ｍ^３、融点２２４℃）を用いた。この基層１１を用い、実施例１と同様に測定したＥ’（５０）は３×１０^８Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は１×１０^８Ｐａであり、比Ｒ_Ｅは０．３３であった。
粘着材層１２として、実施例１と同じ粘着材層（１０μｍ）を用いた。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して実施例６の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実験例６の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

〈実施例７〉
基層１１として、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ株式会社製、品名「ルミラー」、温度５０〜２００℃における熱膨張率１５ｐｐｍ／Ｋ、密度１４００ｋｇ／ｍ^３、融点２５８℃）を用いた。実施例１と同様に測定した、この基層１１のＥ’（５０）は４×１０^９Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は４×１０^８Ｐａであり、比Ｒ_Ｅは０．１であった。
粘着材層１２として、実施例１と同じ粘着材層（１０μｍ）を用いた。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して実施例７の電子部品保護フィルム１を得た。得られた実験例７の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

〈比較例１〉
基層１１として、厚さ１００μｍに押出成形したポリプロピレンフィルム（株式会社プライムポリマー製、品名「Ｆ１０７ＢＶ」、温度５０〜１２０℃における熱膨張率１１０ｐｐｍ／Ｋ、密度９１０ｋｇ／ｍ^３、融点１６０℃）を用いた。実施例１と同様に測定した、この基層１１のＥ’（５０）は７×１０^８Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は３×１０^６Ｐａであり、比Ｒ_Ｅは０．００４であった。
粘着材層１２として、実施例１と同じ粘着材層（１０μｍ）を用いた。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して比較例１の電子部品保護フィルム１を得た。得られた比較例１の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

〈比較例２〉
基層１１として、厚さ１００μｍに押出成形したポリエチレンフィルム（三井デュポンポリケミカル株式会社製、品名「ミラソン１１Ｐ」、温度５０〜１００℃における熱膨張率１２０ｐｐｍ／Ｋ、密度９１７ｋｇ／ｍ^３、融点１０７℃）を用いた。実施例１と同様に測定した、この基層１１のＥ’（５０）は６×１０^７Ｐａであり、Ｅ’（１６０）は破断により測定不能であった。その結果、比Ｒ_Ｅは０．００５未満であった。
粘着材層１２として、実施例１と同じ粘着材層（１０μｍ）を用いた。
実施例１の場合と同様に、基層１１と粘着材層１２とを積層して比較例２の電子部品保護フィルム１を得た。得られた比較例２の電子部品保護フィルムを用い、実施例１と同様に測定した粘着力は６．２Ｎ／２５ｍｍであった。

［２］電子部品保護フィルムを用いた試験
実施例１−７及び比較例１−２を用いて、以下の２種の試験を行った。
（１）試験１（耐熱性の評価）
温度１５０℃に設定した真空吸着式のウエハテーブル（チャックテーブル）に、上記［１］で得られた実施例１−７及び比較例１−２の各電子部品保護フィルムの基層１１の側を吸着固定し、１０分経過後に、真空破壊し、各電子部品保護フィルムを、ウエハテーブルから取り外した。この際に、ウエハテーブルからの取り外し易さを以下の基準で評価し、その結果を表１に示した。
「○」・・・問題なく取り外しできた。
「×」・・・ウエハテーブルへの溶着が認められ、取り外しが容易でなかった。

（２）試験２（糊残りの評価）
４インチサイズのシリコンウエハの鏡面に、上記［１］で得られた実施例１−７及び比較例１−２の各電子部品保護フィルムの粘着材層１２の側を貼着して、１５０度のホットプレート上にウエハ面を設置して１０分間維持した後、ホットプレートを冷却した。次いで、高圧水銀灯を用いて積算光量が１０８０ｍＪ／ｃｍ^２となるように波長３６５ｎｍの光を照射した後、各電子部品保護フィルムをシリコンウエハから剥離した。この際に、目視によるシリコンウエハへの糊残りを以下の基準で評価し、その結果を表１に示した。
「○」・・・目視によるシリコンウエハへの糊残りが認められなかった。
「×」・・・目視によるシリコンウエハへの糊残りが認められた。

［３］実施例の効果
電子部品保護フィルム１の基層１１における比Ｒ_Ｅが０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であることによって、１５０℃に加熱したウエハテーブルを利用して電子部品を製造できることが分かる。即ち、個片化された半導体部品を再配置したのち封止剤でアレイ状に封止する際に、封止剤の硬化温度を１５０℃に設定できるため、封止剤の硬化を十分に行うことができ、得られる電子部品の耐久信頼性を向上させることができる。
また、粘着材層１２を構成する粘着材の貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）を１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａとすることにより、１５０℃の加温を経ても糊残りを防止できることが分かる。即ち、上述のように、封止剤の硬化温度を１５０℃に設定したとしても、糊残りを防止して、糊残りを除去する手間を抑制して、効率よく電子部品を製造できることが分かる。

尚、本発明においては、上記の具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。

本発明の電子部品保護フィルム、電子部品保護部材、電子部品の製造方法及びパッケージの製造方法は、電子部品製造の用途において広く用いられる。特に、個片化された半導体部品を再配置したのち封止剤でアレイ状に封止する際に、封止剤の硬化温度を低く調整する必要がないため、熱特性に優れた耐久性の高い電子部品を得る目的に好適に利用される。

１；電子部品保護フィルム、１５；電子部品保護部材、
１１；基層、
１２；粘着材層、
１２ａ；粘着材層の表面（開口部７１に露出された粘着材層１２の表面）、
２０；半導体部品、
３０；封止剤（封止材）、
５０；電子部品、
７；枠体、
７ａ；枠体の一面、
７１；枠体の開口部、
Ｒ１；フィルム貼着工程（電子部品保護部材形成工程）、
Ｒ２；半導体部品貼着工程、
Ｒ３；封止剤被覆工程、
Ｒ４；加熱硬化工程。

Claims (14)

1. 開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着するフィルム貼着工程と、
   前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
   前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
   加熱したチャックテーブルに前記電子部品保護フィルムの基層の側を吸着固定して、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
   前記電子部品保護フィルムは、前記基層と前記粘着材層とを有し、
   前記基層は、厚さが１５μｍ以上５０μｍ以下であり、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であり、１×１０ ^８ ≦Ｅ’（５０）≦１×１０ ^１０ であることを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａである請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｋ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
4. 前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含む請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
5. 更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備える請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
6. 前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備える請求項５に記載の電子部品の製造方法。
7. 請求項６に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
8. 開口部を有する枠体の前記開口部を覆うように、前記枠体の一面に、電子部品保護フィルムの粘着材層を貼着して電子部品保護部材を形成する電子部品保護部材形成工程と、
   前記開口部に露出された前記粘着材層の表面に、複数の半導体部品を離間させた状態に貼着する半導体部品貼着工程と、
   前記粘着材層の表面及び前記半導体部品を封止剤で覆う封止剤被覆工程と、
   加熱したチャックテーブルに前記電子部品保護フィルムの基層の側を吸着固定して、前記封止剤を加熱硬化してアレイ状に封止された電子部品を得る加熱硬化工程と、を備え、
   前記電子部品保護フィルムは、前記基層と前記粘着材層とを有し、
   前記基層は、厚さが１５μｍ以上５０μｍ以下であり、１６０℃における引張弾性率Ｅ’（１６０）と、５０℃における引張弾性率Ｅ’（５０）と、の比Ｒ_Ｅ（＝Ｅ’（１６０）／Ｅ’（５０））が０．０５＜Ｒ_Ｅ＜１であり、１×１０ ^８ ≦Ｅ’（５０）≦１×１０ ^１０ であることを特徴とする電子部品の製造方法。
9. 前記粘着材層を構成する粘着材は、１５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（１５０）が１×１０^４〜５００×１０^４Ｐａである請求項８に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記粘着材層は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定されるシリコンウエハに対する粘着力が０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍである請求項８又は９に記載の電子部品の製造方法。
11. 前記基層は、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートの群から選ばれる１又は２以上の樹脂を含む請求項８乃至１０のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
12. 更に、前記アレイ状に封止された電子部品に配線層を形成する配線層形成工程を備える請求項８乃至１１のうちのいずれかに記載の電子部品の製造方法。
13. 前記配線層が形成された前記アレイ状に封止された電子部品を個片化する個片化工程を備える請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
14. 請求項１３に記載された前記電子部品を、基板に実装する実装工程を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。

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