JP6642444B2 - 防汚膜付き基体 - Google Patents

Description

本発明は、防汚膜付き基体に関する。

スマートフォン、タブレットＰＣ、カーナビゲーション装置等に用いられるタッチパネルは、使用時に人間の指が触れるため、指紋、皮脂、汗等による汚れが付着しやすい。そして、これらの汚れは、付着すると落ちにくく、汚れが付着した部分とそうでない部分との違いは、光の散乱や反射の違いによって目立つ。そのため、これらの汚れを付着したタッチパネルは、視認性や美観を損ねるという問題があった。さらに、ディスプレイガラス、光学素子、衛生機器等においても同様の問題が指摘されていた。

このような問題を解消するために、これらの部品や機器における人間の指が触れる部分に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物からなる防汚膜を形成した基体を用いる方法が知られている。基体上に形成された防汚膜には、汚れが付着するのを抑制するために高い撥水性および撥油性が求められるとともに、付着した汚れの払拭に対する耐摩耗性が求められている。

上記撥水性および撥油性を有する防汚膜として、例えば特許文献１には、フルオロオキシアルキレン基含有ポリマー変性シランとフルオロオキシアルキレン基含有ポリマーとの９：１の混合物を用いて形成された硬化被膜、および硬化被膜付きガラス基体が開示されている。また、特許文献２には、特定の組成からなる含フッ素ドライコーティング剤用希釈剤で希釈した含フッ素ドライコーティング剤をドライコーティングしてなる防汚膜付きガラス基体が開示されている。

上記のような防汚膜付きガラス基体を製造後、搬送する際、防汚膜付きガラス基体の損傷を防ぐために、ガラス基体に形成された防汚膜の表面に、粘着層を介して保護フィルムを設置することが行われている。粘着層および保護フィルムは、防汚膜付きガラス基体が製品に用いられる際に、除去される。

特開２０１３−１３６８３３号公報 特開２０１３−２４４４７０号公報

従来の防汚膜付きガラス基体では、粘着層および保護フィルムを除去するときに、粘着層と共に防汚膜の一部がガラス基体から剥離され、防汚膜付きガラス基体の撥水性および撥油性等の防汚性や、耐摩耗性が低下することがあった。

本発明は、粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚性および耐摩耗性に優れる、防汚膜付き基体の提供を目的とする。

本発明の防汚膜付き基体は、透明基体の主面に、防汚膜と、粘着層と、保護フィルムとを順に備え、前記粘着層および前記保護フィルムを除去して使用される防汚膜付き基体であって、前記粘着層および前記保護フィルムを備える状態での前記防汚膜の光学膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、前記粘着層および前記保護フィルムを除去した後の前記防汚膜の光学膜厚が３ｎｍ〜３０ｎｍである。

また、本発明の防汚膜付き基体は、透明基体の主面に、防汚膜と、粘着層と、保護フィルムとを順に備え、前記粘着層および前記保護フィルムを除去して使用される防汚膜付き基体であって、前記粘着層および前記保護フィルムを除去した後の前記防汚膜の光学膜厚が３ｎｍ〜３０ｎｍであり、｛（前記粘着層および前記保護フィルムを備える状態での前記防汚膜の光学膜厚）−（前記粘着層および前記保護フィルムを除去した後の前記防汚膜の光学膜厚）｝×１００／（前記粘着層および前記保護フィルムを備える状態での前記防汚膜の光学膜厚）（％）で与えられる変化率が１０〜６０％である。

粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚性および耐摩耗性に優れる防汚膜付き基体を提供することができる。

本発明の防汚膜付き基体の一実施形態を示す断面図である。 粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚膜を示す断面図である。 本発明の防汚膜付き基体の製造方法の一実施形態に使用可能な装置を模式的に示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について説明する。本発明は、下記の実施形態に限定されることはない。本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

［防汚膜付き基体］
図１は、本発明の防汚膜付き基体の一実施形態を示す断面図である。実施形態の防汚膜付き基体１（防汚体ともいう）は、透明基体２、および透明基体２の主面に形成された防汚膜３を備える。さらに、防汚膜付き基体１は、防汚膜３の表面に除去可能に設置された粘着層４、および粘着層４の表面に除去可能に設置された保護フィルム５を備える。そして、粘着層４および保護フィルム５を備える状態での防汚膜３の光学膜厚、言い換えると、粘着層４および保護フィルム５を除去する前の防汚膜３の光学膜厚は、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。

防汚膜付き基体１は、粘着層４および保護フィルム５を除去して使用される。図２は、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａを示す断面図である。図２において、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚は、３ｎｍ〜３０ｎｍである。粘着層４および保護フィルム５を除去する前の防汚膜３の光学膜厚に比べて、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚は小さい。

なお、防汚膜付き基体１において、防汚膜３、粘着層４、保護フィルム５、および後述する反射防止膜は、透明基体２の少なくとも一方の主面に設けられていればよく、必要に応じて、透明基体２の両主面に設けられてもよい。

防汚膜３は、例えば、含フッ素加水分解性ケイ素化合物が、透明基体２の主面で以下のように加水分解縮合反応して形成されるものであり、撥水性や撥油性などの防汚性を有する。本明細書において、含フッ素加水分解性ケイ素化合物とは、ケイ素原子に加水分解可能な基または原子が結合した加水分解性シリル基を有し、さらにそのケイ素原子に結合した含フッ素有機基を有する化合物をいう。また、ケイ素原子に結合し、加水分解性シリル基を構成する加水分解可能な基または原子は、加水分解性基という。

すなわち、含フッ素加水分解性ケイ素化合物の加水分解性シリル基が、加水分解によりシラノール基となり、さらにシラノール基が含フッ素加水分解性ケイ素化合物間で脱水縮合して−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−で表されるシロキサン結合を生成することで、防汚膜３が形成される。シロキサン結合を構成するケイ素原子に結合している含フッ素有機基のほとんどは、含フッ素加水分解性ケイ素化合物と透明基体２との親和性によって、防汚膜３の表面付近に存在する。そのため、この含フッ素有機基の作用により、防汚膜３の表面に撥水性や撥油性が発現する。また、例えば、透明基体２としてガラス基体を用いる場合、加水分解により生成される含フッ素加水分解性ケイ素化合物のシラノール基は、透明基体２の表面に存在している水酸基と脱水縮合反応して、防汚膜３はシロキサン結合を介して透明基体２上に形成する。

そして、このようにして形成された防汚膜３上には、防汚膜３を保護する目的で、粘着層４を介して保護フィルム５が設置される。防汚膜付き基体１が使用される際には、粘着層４および保護フィルム５が除去される。粘着層４および保護フィルム５が除去されるとき、防汚膜３の表面の一部を構成している含フッ素加水分解性ケイ素化合物が粘着層４と共に防汚膜３から除去されることが避けられない。

そこで、形成時の防汚膜３の光学膜厚、言い換えると、粘着層４および保護フィルム５を除去する前の防汚膜３の光学膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍになるように、防汚膜３を形成する。このような光学膜厚を有する防汚膜３の表面に粘着層４および保護フィルム５を設置し、粘着層４および保護フィルム５を除去したときに、防汚膜３の表面近傍を構成して透明基体２と接着していない含フッ素加水分解性ケイ素化合物が粘着層４に付着されて除去される。防汚膜３を構成している含フッ素加水分解性ケイ素化合物の一部が除去される結果、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚は３ｎｍ〜３０ｎｍとなる。

従来、粘着層および保護フィルムを除去する前の防汚膜の光学膜厚は、使用時、言い換えると、粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚膜の最適膜厚に設定されていた。つまり、粘着層および保護フィルムを除去する前の防汚膜の光学膜厚が最適膜厚であった。そして、防汚膜の表面を構成している含フッ素加水分解性ケイ素化合物は粘着層と共に透明基体から除去されるため、粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚膜の光学膜厚は最適膜厚よりも小さく、防汚膜の防汚性や耐摩耗性が劣化することがあった。これに対し、本実施形態の防汚膜付き基体１を構成する防汚膜３は、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚が最適になるように、設定している。つまり、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚が最適膜厚である。そして、防汚膜３を構成している含フッ素加水分解性ケイ素化合物の一部が粘着層４と共に除去されても、防汚膜３ａの光学膜厚は最適であるため、防汚膜３ａは良好な防汚性や耐摩耗性を維持できる。

以下、実施形態の防汚膜付き基体１を構成する各要素について説明する。

（透明基体）
防汚膜付き基体１を構成する透明基体２は、一般に防汚膜３による防汚性の付与が求められている透明な材料からなるものであれば特に限定されず、例えばガラス、樹脂、またはそれらの組み合わせ（複合材料、積層材料等）からなるものが好ましい。また、透明基体２の形態についても特に限定されず、例えば剛性を有する板状、柔軟性を有するフィルム状等とすることができる。

透明基体２として用いられる樹脂基体としては、例えばポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂基体、ビスフェノールＡのカーボネート等の芳香族ポリカーボネート系樹脂基体、ポリエチレンテレフタレート等の芳香族ポリエステル系樹脂基体等が挙げられる。

また、フィルム状の透明基体２として用いられる高分子フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フィルム、ポリプロピレン等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、アクリル樹脂系のフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられる。

また、透明基体２として用いられるガラス基体としては、一例として二酸化ケイ素を主成分とする一般的なガラス、例えばソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等からなるガラス基体が挙げられる。

透明基体２の材料として、ガラスを用いる場合、ガラスの組成は、成形や、化学強化処理による強化が可能な組成であることが好ましく、ナトリウムを含んでいることが好ましい。このようなガラスとして、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、アルカリバリウムガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が好ましい。

透明基体２の材料として用いられるガラスの組成としては、特に限定されず、種々の組成を有するガラスを用いることができる。ガラスの組成として、例えば、以下のガラスの組成（いずれも、アルミノシリケートガラスである。）が挙げられる。
（ｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を５０〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３を２〜２５％、Ｌｉ_２Ｏを０〜１０％、Ｎａ_２Ｏを０〜１８％、Ｋ_２Ｏを０〜１０％、ＭｇＯを０〜１５％、ＣａＯを０〜５％およびＺｒＯ_２を０〜５％含有するガラス
（ｉｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を５０〜７４％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１０％、Ｎａ_２Ｏを６〜１４％、Ｋ_２Ｏを３〜１１％、ＭｇＯを２〜１５％、ＣａＯを０〜６％およびＺｒＯ_２を０〜５％含有し、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３の含有量の合計が７５％以下、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計が１２〜２５％、ＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が７〜１５％であるガラス
（ｉｉｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６８〜８０％、Ａｌ_２Ｏ_３を４〜１０％、Ｎａ_２Ｏを５〜１５％、Ｋ_２Ｏを０〜１％、ＭｇＯを４〜１５％およびＺｒＯ_２を０〜１％含有するガラス
（ｉｖ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６７〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜４％、Ｎａ_２Ｏを７〜１５％、Ｋ_２Ｏを１〜９％、ＭｇＯを６〜１４％およびＺｒＯ_２を０〜１．５％含有し、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３の含有量の合計が７１〜７５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計が１２〜２０％であり、ＣａＯを含有する場合はＣａＯの含有量が１％未満であるガラス

また、透明基体２の材料として用いられるガラスの組成としては、以下のガラスの組成（いずれも、ソーダライムシリケートガラスである。）も挙げられる。
（ｖ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６５〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０．１〜５％、ＭｇＯを１〜１５％、ＣａＯを１〜１５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを含有し、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計が１０〜１８％であるガラス。
（ｖｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６５〜７２％、Ａｌ_２Ｏ_３を２〜７％、ＭｇＯを５〜１５％、ＣａＯを３〜９％、Ｎａ_２Ｏを１３〜１８％、Ｋ_２Ｏを０〜１％、ＴｉＯ_２を０〜０．２％、Ｆｅ_２Ｏ_３を０．０１〜０．１５％およびＳＯ_３を０．０２〜０．４％含有し、（Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの含有量の合計）／（Ａｌ_２Ｏ_３の含有量）が３．５〜６．０であるガラス。
（ｖｉｉ）モル％で表示した組成で、ＳｉＯ_２を６０〜７２％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１０％、ＭｇＯを５〜１２％、ＣａＯを０．１〜５％、Ｎａ_２Ｏを１３〜１９％およびＫ_２Ｏを０〜５％含有し、（ＲＯの含有量）／（ＲＯおよびＲ_２Ｏの含有量の合計）が０．２０〜０．４２（式中、ＲＯはアルカリ土類金属酸化物、Ｒ_２Ｏはアルカリ金属酸化物を示す。）であるガラス。

以下、ガラスに含まれる各成分の含有量について、モル％表示で示す。

ＳｉＯ_２はガラスの骨格を構成する成分である。また、ガラス表面に傷（圧痕）がついた時のクラックの発生を低減させる成分であり、化学強化後のガラス表面に圧痕をつけた時の破壊率を小さくする成分であり、熱膨張係数を小さくする成分でもある。ＳｉＯ_２の含有量は、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは６４％以上、特に好ましくは６６％以上である。ＳｉＯ_２の含有量が５０％以上であることによって、ガラスとしての安定性や耐酸性、耐候性、チッピング耐性の低下を回避できる。一方、ＳｉＯ_２の含有量は、好ましくは８０％以下、より好ましくは７５％以下、さらに好ましくは７０％以下である。ＳｉＯ_２の含有量が８０％以下であることによって、ガラスの粘性の増大による溶融性の低下を回避することができる。

Ａｌ_２Ｏ_３は、イオン交換性能およびチッピング耐性を向上させるために有効な成分であり、表面圧縮応力を大きくする成分であり、ガラス転移点以上での熱膨張係数を大きくなりにくくする成分でもある。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは０．１％以上、より好ましくは２％以上、さらに好ましくは３％以上、特に好ましくは５％以上である。また、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、さらに好ましくは１０％以下である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が０．１％以上であることによって、イオン交換性能およびチッピング耐性を向上させることができる。一方、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が２０％以下であることによって、ガラスの粘性の増大による溶融性の低下を回避することができる。

ＭｇＯは、ガラスを安定化させる成分であり、熱膨張係数を適度に維持するために必要な成分でもある。ＭｇＯの含有量は、好ましくは１％以上、より好ましくは２％以上、３％以上、４％以上、５％以上、８％以上（８％以上が特に好ましい）である。また、ＭｇＯの含有量は、好ましくは１５％以下、より好ましくは１４％以下、１３％以下、１２％以下、１１％以下、１０％以下（１０％以下が特に好ましい）である。ＭｇＯの含有量が１％以上であることによって、高温での溶解性が良好になり、失透が起こり難くなる。一方、ＭｇＯの含有量が１５％以下であることによって、失透の起こりにくさが維持され、充分なイオン交換速度が得られる。

ＣａＯは、ガラスの溶融性を向上させる成分であり、熱膨張係数を適度に維持するために有効な成分でもある。ＣａＯの含有量は、好ましくは０．０５％以上、より好ましくは０．１％以上、さらに好ましくは１％以上、特に好ましくは４％以上である。一方、ＣａＯの含有量は、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは５％以下である。ＣａＯの含有量が０．０５％以上であることによって、溶融性を向上させることができ、ＣａＯの含有量が１０％以下であることによって、表面圧縮応力層を深くすることができる。

Ｎａ_２Ｏは、イオン交換により表面圧縮応力層を形成させる成分であり、ガラスの溶融性を向上させる成分でもある。Ｎａ_２Ｏはガラスの密度が低くても、熱膨張係数が大きくなる成分であるため、熱膨張係数を調整するために有効である。Ｎａ_２Ｏの含有量は、好ましくは１０％以上、より好ましくは１１％以上、さらに好ましくは１２％以上、特に好ましくは１３％以上である。一方、Ｎａ_２Ｏの含有量は、好ましくは１９％以下、より好ましくは１８％以下、さらに好ましくは１６％以下、特に好ましくは１５％以下である。Ｎａ_２Ｏの含有量が１０％以上であることによって、イオン交換により所望の表面圧縮応力層を形成することができ、Ｎａ_２Ｏの含有量が１９％以下であることによって、耐候性および耐酸性の低下、圧痕からのクラックの発生を回避できる。

Ｋ_２Ｏは、必要に応じて含有させることができるが、その含有量は０．１％以上が好ましい。Ｋ_２Ｏの含有量が０．１％以上の場合、ガラスの高温での溶解性と適度な熱膨張係数を維持できる。Ｋ_２Ｏの含有量は、より好ましくは０．５％以上、さらに好ましくは１％以上、特に好ましくは２％以上である。また、Ｋ_２Ｏの含有量は、８％以下が好ましい。Ｋ_２Ｏの含有量が８％以下であれば、ガラスの密度が小さくなり、ガラスの重量が小さくなる。Ｋ_２Ｏの含有量は、より好ましくは６％以下、さらに好ましくは４％以下である。

Ｆｅ_２Ｏ_３は、ガラスの溶融性を向上させる成分である。通常、ガラス中のＦｅ_２Ｏ_３は可視光を吸収するが、板厚が薄いガラスの場合には光の吸収が少なくなるため問題になりにくい。また、Ｆｅは高温熱膨張係数（αmax）を大きくする効果がある。さらにＦｅは熱線を吸収する成分であることから、ガラス融液の熱対流を促してガラスの均質性を向上させ、溶融窯の底煉瓦の高温化を防ぐことで窯寿命を延ばす等の効果があり、大型窯を用いて製造する板ガラスの溶融プロセスでは組成中に含まれていることが好ましい。Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量は好ましくは０．００５％以上、より好ましくは０．０１％以上、さらに好ましくは０．０３％以上、特に好ましくは０．０６％以上である。一方、過度に含有するとＦｅ_２Ｏ_３による色味が問題となるため、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量は０．２％未満が好ましく、０．１５％未満がより好ましく、０．１２未満がさらに好ましく、０．０９５未満が特に好ましい。

ガラス基体の製造方法は、特に限定されず、所望のガラス原料を連続溶融炉に投入し、ガラス原料を好ましくは１５００〜１６００℃で加熱溶融し、清澄した後、溶融したガラスを成形装置に供給して板状に成形し、徐冷することにより製造することができる。

なお、ガラス基体の成形方法としては特に限定されず、例えば、ダウンドロー法（例えば、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウン法、リドロー法等）、フロート法、ロールアウト法、プレス法等の成形方法を用いることができる。

透明基体２の厚みは、用途に応じて適宜選択することができる。例えば、樹脂基体、ガラス基体等、透明基体２が板状である場合には、透明基体２の厚みは、０．１〜５ｍｍであることが好ましく、０．２〜２ｍｍであることがより好ましい。特に、透明基体２としてガラス基体を用い、後述する化学強化処理を行う場合や、軽量化を目的とする場合は、化学強化処理や軽量化を効果的に行うために、ガラス基体の厚みは５ｍｍ以下であることが好ましく、３ｍｍ以下であることがより好ましい。スマートフォン、タブレットＰＣ等の携帯型電子機器用タッチパネルに用いられる場合、特に軽量化が重視されるため、ガラス基体の厚みは１ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．７ｍｍ以下であることが特に好ましい。一方、カーナビゲーションシステム等の車載型電子機器用タッチパネルに用いられる場合、軽量化よりも剛性を重視されるため、ガラス基体の厚みは０．７ｍｍ以上であることがさらに好ましく、１．０ｍｍ以上であることが特に好ましい。

また、高分子フィルム等、透明基体２がフィルム状である場合には、透明基体２の厚みは５０〜２００μｍであることが好ましく、７５〜１５０μｍであることがより好ましい。

透明基体２としてガラス基体を用いる場合、ガラス基体の主面には、酸素ガスプラズマによる表面処理が施されていてもよい。また、ガラス基体の主面には、スパッタリングなどにより、酸化ケイ素膜が形成されていてもよい。これらの処理は、後述する防眩処理や化学強化処理を行う場合、防眩処理や化学強化処理の後に行うことが好ましい。

（防眩処理）
透明基体２の主面には、防汚膜付き基体１に防眩性を付与するために、凹凸形状を有することが好ましい。

凹凸形状を形成する方法として、防眩処理を利用できる。防眩処理としては、特に限定されるものではなく、例えば、透明基体２としてガラス基体を用いる場合、ガラス基体の主面に化学的あるいは物理的に表面処理を施し、所望の表面粗さを有する凹凸形状を形成する方法を利用できる。

化学的に防眩処理を行う方法として、例えばフロスト処理を施す方法が挙げられる。フロスト処理は、例えば、フッ化水素とフッ化アンモニウムの混合溶液に、被処理体であるガラス基体を浸漬することで実施可能である。

また、物理的に防眩処理を行う方法として、例えば、結晶質二酸化ケイ素粉、炭化ケイ素粉等を加圧空気でガラス基体の主面に吹きつけるいわゆるサンドブラスト処理や、結晶質二酸化ケイ素粉、炭化ケイ素粉等を付着させたブラシを水で湿らせ、湿らせたブラシでガラス基体の主面を磨く方法等を利用できる。

なかでも、化学的な表面処理であるフロスト処理は、被処理体表面におけるマイクロクラックが生じ難く、機械的強度の低下が生じ難いため、ガラス基体に表面処理を施す方法として好ましく利用できる。

このようにして化学的または物理的に防眩処理を施したガラス基体の主面に対し、表面形状を整えるため、エッチング処理を行うことが好ましい。エッチング処理としては、例えば、ガラス基体を、フッ化水素の水溶液であるエッチング溶液に浸漬して、化学的にエッチングする方法を用いることができる。エッチング溶液は、フッ化水素以外にも、塩酸、硝酸、クエン酸などの酸を含有してもよい。これら酸を含有することで、ガラス基体に含有されるＮａイオン、Ｋイオン等の陽イオン成分とフッ化水素との反応による、ガラス基体の表面における析出物の局所的な発生を抑制することができるほか、ガラス基体の表面を均一にエッチングすることができる。

エッチング処理を行う場合、エッチング溶液の濃度や、エッチング溶液へのガラス基体の浸漬時間（以下「エッチング時間」ともいう。）等を変えることで、エッチング量を調節することができる。これにより、ガラス基体の凹凸形状を有する面（以下「防眩処理面」ともいう。）のヘイズ値を所望の値に調整することができる。また、防眩処理を、サンドブラスト処理等の物理的な表面処理で行った場合、透明基体２にクラックが生じることがあるが、エッチング処理によってこのようなクラックを除去することができる。面内のクラックの深さは、最長で５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がさらに好ましい。この範囲にあれば、面内クラックによる割れ強度低減を十分に抑制できる。面内のクラック深さは以下のようにして測定することができる。まず、同一性状の透明基板を複数枚（たとえば５枚）用意する。次にそれぞれの透明基板の主面を、酸化セリウム砥粒を用いて研磨量を段階的に変化させて研磨する。研磨量はたとえば１μｍ、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍとする。そのあと、１ｍｏｌ％のＨＦ水溶液を用いて透明基板の主面を微量エッチングすると、残っているクラックが確認しやすくなる。このクラック痕が何μｍ研磨するまで残っているかを光学顕微鏡（キーエンス社製ＶＫ−Ｘ１２０）により確認することでクラック深さを測定することができる。すなわち、研磨量が５μｍでクラック痕が残っていなければ、クラック深さは５μｍ以下であると言える。また、エッチング処理によって、防汚膜付き基体１のギラツキを抑えるという効果も得ることができる。

このようにして、防眩処理およびエッチング処理が行われた後のガラス基体の主面の形状としては、表面粗さ（二乗平均粗さ（ＲＭＳ））が０．０１〜０．５μｍであることが好ましく、０．０１〜０．３μｍであることがより好ましく、０．０１〜０．２μｍであることがさらに好ましい。表面粗さ（ＲＭＳ）が上記した範囲であることで、防眩処理後のガラス基体のヘイズ値を３〜３０％に調整することができる。その結果、得られる防汚膜付き基体１に優れた防眩性を付与可能である。

なお、表面粗さ（ＲＭＳ）はＪＩＳ Ｂ ０６０１：（２００１）で規定される方法に準拠して測定を行うことができる。表面粗さ（ＲＭＳ）の測定方法として、具体的には、レーザー顕微鏡（ＶＫ−９７００、キーエンス社製）を用いて、試料である防眩処理後のガラス基体の測定面に対して、３００μｍ×２００μｍの視野範囲を設定し、ガラス基体の高さ情報を測定する。測定値に対して、カットオフ補正を行ない、得られた高さの二乗平均を求めることで、表面粗さ（ＲＭＳ）を算出することができる。カットオフ値としては０．０８ｍｍを使用することが好ましい。

また、ヘイズ値は、ＪＩＳ Ｋ ７１３６で規定される方法に準拠して測定した値である。

また、防眩処理及びエッチング処理が行われた後のガラス基体の表面は、凹凸形状を有しており、凹凸形状をガラス基体の表面の上方から観察すると、円形状の孔にみえる。このように観察される円形状の孔の大きさ（直径）は１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。このような範囲にあることにより、ギラツキ防止と防眩性を両立可能である。

透明基体２としてガラス基体を用いる場合には、得られる防汚膜付き基体１の強度を高めるために、ガラス基体の主面や防眩処理面に対し、化学強化処理を施すことが好ましい。

化学強化処理の方法としては、特に限定されず、ガラス基体の主面や防眩処理面にイオン交換処理を施すことによって、圧縮応力が残留する表面層をこれらの面に形成する。具体的には、ガラス転移点以下の温度で、ガラス基体の主面や防眩処理面の近傍に含まれるイオン半径の小さなアルカリ金属イオン（例えば、Ｌｉイオン、Ｎａイオン）を、イオン半径のより大きなアルカリ金属イオン（例えば、Ｌｉイオンに対してはＮａイオンやＫイオン、Ｎａイオンに対してはＫイオン）に置換する。これにより、ガラス基体の主面や防眩処理面に圧縮応力が残留し、ガラス基体の強度が向上する。

（反射防止膜）
防汚膜付き基体１は、透明基体２と防汚膜３との間に、反射防止膜を備えていてもよい。反射防止膜は、透明基体２が上記凹凸形状を有する場合には、防眩処理面上に備えられることが好ましい。

反射防止膜の構成としては、光の反射を抑制できる構成であれば特に限定されず、例えば、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９以上の高屈折率層と、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．６以下の低屈折率層とを積層した構成とすることができる。

反射防止膜は、高屈折率層と低屈折率層とをそれぞれ１層ずつ含んでもよいが、高屈折率層と低屈折率層とをそれぞれ２層以上含んでもよい。反射防止膜が高屈折率層と低屈折率層とをそれぞれ２層以上含む場合には、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した形態であることが好ましい。

特に、反射防止性能を高めるためには、反射防止膜は複数の層が積層された積層体であることが好ましく、例えば該積層体は２層以上６層以下の層が積層されていることが好ましく、２層以上４層以下の層が積層されていることがより好ましい。ここでの積層体は、高屈折率層と低屈折率層とを積層した積層体であることが好ましく、高屈折率層および低屈折率層の各々の層数を合計したものが上記範囲であることが好ましい。

高屈折率層や低屈折率層の材料は、特に限定されるものではなく、要求される反射防止性能の程度や生産性等を考慮して選択できる。高屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）から選択された１種以上を使用することが好ましい。低屈折率層を構成する材料としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、ＳｉとＳｎとの混合酸化物を含む材料、ＳｉとＺｒとの混合酸化物を含む材料、ＳｉとＡｌとの混合酸化物を含む材料から選択された１種以上を使用することが好ましい。

生産性や、屈折率の観点から、前記高屈折率層が酸化ニオブ層、酸化タンタル層または窒化ケイ素層であり、前記低屈折率層が酸化ケイ素層であることがより好ましい。

反射防止膜を成膜する方法は、特に限定されず、各種成膜方法を利用可能である。特に、パルススパッタ、ＡＣスパッタ、デジタルスパッタ等の方法により成膜を行うことが好ましい。これらの方法にすることで、緻密な膜ができ、耐久性が確保できる。

例えばパルススパッタにより成膜を行う場合、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気のチャンバ内に透明基体２を配置し、所望の組成となるようにターゲットを選択し、反射防止膜を成膜する。

このとき、チャンバ内の不活性ガスのガス種は、特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウム等、各種不活性ガスを利用できる。

不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力は、特に限定されるものではないが、０．５Ｐａ以下とすることにより、反射防止膜の表面粗さを容易に上記好ましい範囲とすることができるため好ましい。これは、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力が０．５Ｐａ以下であると、成膜分子の平均自由行程が確保され、成膜分子がより多くのエネルギーをもって透明基体２に到達する。したがって、成膜分子の再配置が促され、比較的密で平滑な表面を有する膜ができる。不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力の下限値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１Ｐａ以上であることが好ましい。

（防汚膜）
防汚膜付き基体１は、透明基体２の主面に、防汚膜３を備えている。透明基体２の主面または防眩処理面に反射防止膜が形成される場合、防汚膜３は当該反射防止膜の表面に形成されることが好ましい。また、透明基体２として防眩処理、化学強化処理等の表面処理が施され、反射防止膜が形成されないガラス基体を用いる場合には、防汚膜３はこれら表面処理の施された面に形成されることが好ましい。

防汚膜３を形成する方法としては、一例として、パーフルオロアルキル基、例えばパーフルオロ（ポリオキシアルキレン）鎖を含むフルオロアルキル基等のフルオロアルキル基、を有するシランカップリング剤の組成物を、透明基体２の主面に、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、スリットコート法、スプレーコート法等により塗布した後加熱処理する方法、防汚膜３の原料を透明基体２の主面に気相蒸着させた後加熱処理する真空蒸着法等が挙げられる。密着性の高い防汚膜３を得るには、真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法による防汚膜３の形成は、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する被膜形成用組成物を用いて行うことが好ましい。

被膜形成用組成物は、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物であって、真空蒸着法により防汚膜３を形成可能な組成物であれば、特に制限されない。被膜形成用組成物は、含フッ素加水分解性ケイ素化合物以外の任意成分を含有してもよく、含フッ素加水分解性ケイ素化合物のみで構成されてもよい。任意成分としては、本発明の効果を阻害しない範囲で用いられ、フッ素原子を有しない加水分解性ケイ素化合物（以下「非フッ素加水分解性ケイ素化合物」という。）、触媒等が挙げられる。

なお、含フッ素加水分解性ケイ素化合物、および、任意に非フッ素加水分解性ケイ素化合物を被膜形成用組成物に配合するとき、各化合物は、そのままの状態で配合されてもよく、その部分加水分解縮合物として配合されてもよい。また、各化合物とその部分加水分解縮合物との混合物として、被膜形成用組成物に配合されてもよい。

また、２種以上の含フッ素加水分解性ケイ素化合物を組み合わせて用いる場合、各化合物は、そのままの状態で被膜形成用組成物に配合されてもよく、それぞれの部分加水分解縮合物として配合されてもよく、２種以上の化合物の部分加水分解共縮合物として配合されてもよい。また、これらの化合物、部分加水分解縮合物、部分加水分解共縮合物の混合物を配合してもよい。ただし、用いる部分加水分解縮合物、部分加水分解共縮合物は、真空蒸着が可能な程度の重合度のものとする。なお、含フッ素加水分解性ケイ素化合物とは、化合物自体に加えてこのような部分加水分解縮合物、部分加水分解共縮合物を含む。

（含フッ素加水分解性ケイ素化合物）
防汚膜３の形成に用いる含フッ素加水分解性ケイ素化合物は、防汚膜３が、撥水性、撥油性等の防汚性を有するものであれば特に限定されない。

具体的には、パーフルオロポリエーテル基、パーフルオロアルキレン基およびパーフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有する含フッ素加水分解性ケイ素化合物が挙げられる。これらの基は、加水分解性シリル基のケイ素原子に連結基を介して結合または直接結合する含フッ素有機基として存在する。なお、パーフルオロポリエーテル基とは、パーフルオロアルキレン基とエーテル性酸素原子とが交互に結合した構造を有する２価の基をいう。含フッ素加水分解性ケイ素化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、２０００〜１００００であることが好ましく、３０００〜５０００であることがより好ましい。含フッ素加水分解性ケイ素化合物の数平均分子量（Ｍｎ）が前記範囲内であることで、防汚膜３の防汚性が十分に発現され、耐摩耗性にも優れる。なお、本明細書における数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパミエーションクロマトグラフにより測定されたものをいう。

前記したように、含フッ素加水分解性ケイ素化合物が透明基体２の主面で反応して得られる防汚膜３においては、上記含フッ素有機基が防汚膜３の表面付近に存在することで、防汚膜３は撥水性、撥油性等の防汚性を有する。上記のような基を有する含フッ素加水分解性ケイ素化合物の具体例としては、下記式（Ｉ）〜(Ｖ)で表される化合物等が挙げられる。

式（Ｉ）中、Ｒ^ｆ１は炭素数１〜１６の直鎖状のパーフルオロアルキル基（アルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）、Ｒ^１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）、Ｘ^１は加水分解可能な基（例えば、アミノ基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルケニルオキシ基、イソシアネート基等）またはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、ｍは１〜５０、好ましくは１〜３０の整数、ｎは０〜２、好ましくは１〜２の整数、ｐは１〜１０、好ましくは１〜８の整数である。

式（Ｉ）において、Ｒ^ｆ１の炭素数は１〜４が好ましい。また、Ｒ^１はメチル基が好ましい。Ｘ^１で表される加水分解可能な基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

Ｃ_ｑＦ_２ｑ＋１ＣＨ _２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３ …（ＩＩ）

式（ＩＩ）中、ｑは１以上、好ましくは２〜２０の整数である。式（ＩＩ）で表される化合物としては、ｎ−トリフロロ（１，１，２，２−テトラヒドロ）プロピルシラザン（ｎ−ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３）、ｎ−ヘプタフロロ（１，１，２，２−テトラヒドロ）ペンチルシラザン（ｎ−Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３）等を例示することができる。

Ｃ_ｒＦ_２ｒ＋１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ …（ＩＩＩ）

式（ＩＩＩ）中、ｒは１以上、好ましくは１〜２０の整数である。式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、２−（パーフルオロオクチル）エチルトリメトキシシラン（ｎ−Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）等を例示することができる。

式（ＩＶ）中、Ｒ^ｆ２は、−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｓ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｔ−（ＯＣＦ_２）_ｕ−（ｓ、ｔ、ｕはそれぞれ独立に０〜２００の整数である）で表される２価の直鎖状のパーフルオロポリエーテル基であり、Ｒ^２、Ｒ^３は、それぞれ独立に炭素数１〜８の一価の炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等）である。Ｘ^２、Ｘ^３は、それぞれ独立に、加水分解可能な基（例えば、アミノ基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルケニルオキシ基、イソシアネート基等）またはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）であり、ｄ、ｅはそれぞれ独立に１〜２の整数であり、ｃ、ｆはそれぞれ独立に１〜５、好ましくは１〜２の整数であり、ａおよびｂはそれぞれ独立に２〜３の整数である。

Ｒ^ｆ２において、ｓ＋ｔ＋ｕは、２０〜３００であることが好ましく、２５〜１００であることがより好ましい。また、Ｒ^２、Ｒ^３は、メチル基、エチル基、ブチル基が好ましい。Ｘ^２、Ｘ^３で表される加水分解可能な基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。また、ａおよびｂは、それぞれ３が好ましい。

Ｆ−（ＣＦ_２）_ｖ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｗ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｙ−（ＯＣＦ_２）_ｚ（ＣＨ_２）_ｈＯ（ＣＨ_２）_ｉ Ｓｉ（Ｘ^４）_３−ｋ（Ｒ^４）_ｋ ………（Ｖ）

式（Ｖ）中、ｖは１〜３の整数であり、ｗ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０〜２００の整数であり、ｈは１〜２の整数であり、ｉは２〜２０の整数であり、Ｘ^４は加水分解可能な基であり、Ｒ^４は炭素数１〜２２の直鎖状または分岐状の炭化水素基であり、ｋは０〜２の整数である。ｗ＋ｙ＋ｚは、２０〜３００であることが好ましく、２５〜１００であることがより好ましい。また、ｉは２〜１０であることが好ましい。Ｘ^４は、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。Ｒ^４は、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。

また、市販されているパーフルオロポリエーテル基、パーフルオロアルキレン基およびパーフルオロアルキル基からなる群から選ばれる１つ以上の基を有する含フッ素加水分解性ケイ素化合物として、ＫＰ−８０１（商品名、信越化学工業社製）、Ｘ−７１（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１３０（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１７８（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１８５（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１９５（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１９７（商品名、信越化学工業社製）、オプツ−ル（登録商標）ＤＳＸ（商品名、ダイキン工業社製）、Ｓ−５５０（商品名、旭硝子製）などが好ましい。上記したなかでも、ＫＹ−１８５、ＫＹ−１９５、オプツ−ルＤＳＸ、Ｓ−５５０がより好ましい。

なお、市販品の含フッ素加水分解性ケイ素化合物が溶剤とともに供給される場合には、含フッ素加水分解性ケイ素化合物は溶剤を除去して使用される。被膜形成用組成物は、上記含フッ素加水分解性ケイ素化合物と必要に応じて添加される任意成分とを混合することで調製され、真空蒸着に供される。

このような含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含む被膜形成用組成物を、透明基体２の主面に付着させ反応させることで、防汚膜３が形成される。なお、具体的な真空蒸着法や反応条件などについては公知の方法、条件等が適用可能である。例えば、後述する製造方法により、このような防汚膜３を形成することができる。

形成時の防汚膜３の光学膜厚は、１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、１０〜３０ｎｍがより好ましい。形成時の防汚膜３の光学膜厚を上記範囲とすることで、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａは、良好な防汚性および耐摩耗性を維持できる。

（粘着層）
防汚膜付き基体１は、防汚膜３の表面に除去可能に設置された粘着層４を備えている。粘着層４の材料としては、粘着層４が除去されるときに、粘着層４が防汚膜３から容易に除去されるものが好ましい。このような粘着層４の材料として、アクリル系の粘着剤、ポリウレタン系の粘着剤等が挙げられる。これらの粘着剤は、接着性や、剥離性の観点からも好ましい。

粘着層４の粘着力は、粘着層４を防汚膜３から除去する際の、防汚膜３を構成する含フッ素加水分解性ケイ素化合物の除去量を制御する観点から、粘着層４のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）が、０．０２Ｎ／２５ｍｍ〜０．４Ｎ／２５ｍｍが好ましく、０．０５Ｎ／２５ｍｍ〜０．２Ｎ／２５ｍｍがより好ましい。

粘着層４の粘着力が０．０２Ｎ／２５ｍｍ未満であると、保護フィルム５が防汚膜３に均一に付着されず、粘着層４および保護フィルム５が除去されるときに、防汚膜３の表面を構成する含フッ素加水分解性ケイ素化合物が防汚膜４によって不均一に除去される可能性がある。また、防汚膜付き基体１の搬送中に保護フィルム５が粘着層４から剥がれる可能性があり、保護フィルム５は防汚膜３の保護としての機能を損なう可能性がある。また、粘着層４の粘着力が０．４Ｎ／２５ｍｍを超えると、粘着層４の防汚膜３に対する付着力が強すぎて、粘着層４および保護フィルム５が除去されるときに、防汚膜３の表面を構成する含フッ素加水分解性ケイ素化合物が必要以上に除去されてしまう可能性がある。また、粘着層４および保護フィルム５が除去されるときに、粘着層４の一部が除去されきれずに防汚膜３の表面に残存するため、汚れなどの不良を生じる場合がある。さらに、保護フィルム５を除去するためには大きな力が必要になり、粘着層４を均一に除去できず剥離ムラが生じる可能性がある。

粘着層４の厚みは、防汚膜３と保護フィルム５との付着性および剥離性の観点から、５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。

（保護フィルム）
防汚膜付き基体１は、粘着層４の表面に除去可能に設置された保護フィルム５を備えている。保護フィルム５としては、樹脂製のフィルム状のものであれば特に制限されない。また、保護フィルム５は単層構造であってもよく、帯電防止層、ハードコート層、易接着層等の複数の層が積層された多層構造であってもよい。

保護フィルム５としては、例えばポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フィルム、ポリエチレン系フィルム、ポリプロピレン等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等を用いることができる。これらの中でも、粘着層４との付着性の点、耐久性や光学特性の点から、ポリエステル系フィルムが好ましい。

保護フィルム５の厚みは、特に限定されず、例えば、５μｍ〜１００μｍであることが好ましく、１０μｍ〜７５μｍであることがより好ましい。保護フィルム５の厚みが５μｍ未満であると、防汚膜３を十分に保護できないことがあり、保護フィルム５の厚みが１００μｍを超えると、コストの増大を招くことがある。

［防汚膜付き基体の製造方法］
本発明の防汚膜付き基体１の製造方法は、透明基体２の主面に防汚膜３を形成する成膜工程と、防汚膜３の表面に粘着層４を除去可能に設置する粘着層設置工程と、粘着層４の表面に保護フィルム５を除去可能に設置する保護フィルム設置工程とを有する。

（成膜工程）
成膜工程は、透明基体２の主面に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を蒸着し、反応させて、防汚膜３を形成する工程である。成膜工程において、透明基体２の主面上に防汚膜３が高い密着性をもって形成されることで、得られる防汚膜付き基体１は、優れた撥水性や撥油性等の防汚性と高レベルでの耐摩耗性との両立が可能となる。

成膜工程では、先ず、透明基体２の主面に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を付着させ反応させる。透明基体２の主面には、上記した反射防止膜が形成されていてもよい。透明基体２の主面に反射防止膜を有する場合には、反射防止膜の表面に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を付着させ反応させる。また、透明基体２として、上記した防眩処理、化学強化処理等の表面処理が施されたガラス基体を用いる場合には、表面処理が施された表面に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を付着させ反応させる。

含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を透明基体２の主面に付着させる方法としては、含フッ素加水分解性ケイ素化合物の層を乾式法で形成するのに通常用いられる方法であれば特に制限されず、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等が挙げられる。成膜工程時における含フッ素加水分解性ケイ素化合物の分解を抑制する点、および、装置の簡便さの点より、真空蒸着法が好ましい。

真空蒸着法としては、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法、反応性蒸着法、分子線エピタキシー法、ホットウォール蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法等に細分することができるが、いずれの方法も適用することができる。成膜工程時における含フッ素加水分解性ケイ素化合物の分解を抑制する点、および、装置の簡便さの点より、抵抗加熱法が好ましい。真空蒸着装置は特に制限なく、公知の装置が利用できる。

図３は、本発明の防汚膜付き基体１の製造方法の一実施形態に使用可能な装置を模式的に示す図である。図３に示す装置は、透明基体２の主面に、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する組成物を蒸着する装置である。

以下、図３を参照しながら防汚膜付き基体１の製造方法について説明する。ここでは、抵抗加熱法による真空蒸着装置について説明する。図３に示す装置を用いた場合、透明基体２が図の左側から右側に向かって搬送部３２により搬送されながら、真空チャンバ３３内で、成膜工程が透明基体２に対して実施される。

図３に示す真空チャンバ３３内では、抵抗加熱法による真空蒸着装置２０を用いて、被膜形成用組成物を透明基体２の主面に付着させる。

真空チャンバ３３内の圧力は、生産安定性の観点から、１Ｐａ以下に維持されることが好ましく、０．１Ｐａ以下がより好ましい。真空チャンバ３３内の圧力が１Ｐａ以下であれば、抵抗加熱法による真空蒸着を安定に行うことができる。

真空蒸着装置２０は、真空チャンバ３３外に設置され、被膜形成用組成物を加熱する加熱容器２１と、加熱容器２１と真空チャンバ３３を接続し、加熱容器２１から導入される被膜形成用組成物の蒸気をマニホールド２３へ供給する配管２２と、真空チャンバ３３内で配管２２に接続され、配管２２から供給される被膜形成用組成物の蒸気を透明基体２の主面に噴射するための噴射口を有するマニホールド２３とを備える。また、真空チャンバ３３内において、透明基体２は、マニホールド２３の噴射口と透明基体２の主面とが対向するように保持されている。

加熱容器２１は、蒸着源である被膜形成用組成物を蒸発可能な温度に加熱できる加熱部を有する。被膜形成用組成物の加熱温度は、被膜形成用組成物の種類によって適宜選択されるが、具体的には３０℃〜４００℃が好ましく、５０℃〜３００℃が特に好ましい。被膜形成用組成物の加熱温度が３０℃以上であると、成膜速度が良好になる。被膜形成用組成物の加熱温度が４００℃以下であると、含フッ素加水分解性ケイ素化合物の分解を抑制し、透明基体２の主面に防汚性を有する良好な防汚膜３を形成できる。

ここで、真空蒸着の際に、加熱容器２１内の含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する被膜形成用組成物を蒸着開始温度まで昇温した後、被膜形成用組成物の蒸気の一部を所定の時間、系外に排出する前処理を行うことが好ましい。被膜形成用組成物に含まれる含フッ素加水分解性ケイ素化合物は、高分子量であり、分子量分布を有している。そのため、蒸着開始温度に到達してすぐの段階における被膜形成用組成物の蒸気では、気化しやすい低分子量成分の含有率が増加し、場合によっては低沸不純物成分も増加する。この前処理を行うことにより、防汚膜３の耐久性に影響を与える低分子量成分や低沸不純物成分等を除去でき、さらには、蒸着源から供給される原料蒸気の組成の安定化が可能となる。これにより、耐久性の高い防汚膜３を安定して形成することが可能となる。

具体的には、加熱容器２１の上部に、マニホールド２３と接続している配管２２とは別に、初期の被膜形成用組成物の蒸気を加熱容器２１外に排出するための開閉自在な排気口に接続する配管（図示せず）を設け、加熱容器２１外で当該蒸気をトラップする等の方法を用いることができる。

また、真空蒸着時における、透明基体２の温度は、室温（２０〜２５℃）から２００℃であることが好ましい。透明基体２の温度が２００℃以下であると、成膜速度が良好になる。透明基体２の温度の上限値は１５０℃がより好ましく、１００℃が特に好ましい。

なお、マニホールド２３は、加熱容器２１から供給される被膜形成用組成物の蒸気が凝縮するのを防止するため、ヒーター部を備えていることが好ましい。また、配管２２は、加熱容器２１から供給される蒸気が配管２２内で凝縮するのを防ぐために、加熱容器２１と共に加熱されるように設計することが好ましい。

また、成膜速度を制御するために、配管２２に可変バルブ２４を設け、真空チャンバ３３内に設けられた膜厚計２５での検出値に基づいて可変バルブ２４の開度を制御することが好ましい。このような構成を設けることで、透明基体２の主面に供給される含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する被膜形成用組成物の蒸気の量を制御することが可能となる。これにより、透明基体２の主面に精度よく所望の厚さを有する防汚膜３を形成できる。なお、膜厚計２５としては、水晶振動子モニタ等を用いることができる。さらに、膜厚の測定は、例えば、膜厚計２５として、薄膜解析用Ｘ線回折計ＡＴＸ−Ｇ（ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いた場合には、Ｘ線反射率法により反射Ｘ線の干渉パターンを得て、該干渉パターンの振動周期から算出することができる。

このようにして、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含む被膜形成用組成物が、透明基体２の主面に付着される。さらに付着と同時にまたは付着後、含フッ素加水分解性ケイ素化合物が加水分解縮合反応することにより、透明基体２の主面に化学結合するとともに、分子間でシロキサン結合することで防汚膜３となる。

この含フッ素加水分解性ケイ素化合物の加水分解縮合反応は、付着と同時に上記透明基体２の主面で進行するが、この反応を十分に促進させるために、必要に応じて、防汚膜３が形成された透明基体２を、真空チャンバ３３から取り出した後、ホットプレートや恒温恒湿槽を使用した加熱処理をさらに行ってもよい。加熱処理の条件としては、例えば、透明基体２を８０〜２００℃の温度で１０〜６０分間加熱する。

なお、成膜工程は、チャンバ３３に加湿装置等を接続して、チャンバ３３内を加湿した状態で行ってもよい。また、成膜工程後、防汚膜３の表面に対し、例えば、酸処理又はアルカリ処理によりエッチング等を行って、防汚膜３の表面粗さ（中心線平均粗さ（Ｒａ））を例えば、１０ｎｍ以下に調整してもよい。

（粘着層設置工程、保護フィルム設置工程）
次いで、上記のようにして得られる防汚膜３の表面に、粘着層４を介して保護フィルム５を除去可能に付着させる。防汚膜３の表面に粘着層４を除去可能に設置する方法、および粘着層４の表面に保護フィルム５を除去可能に設置する方法は、特に限定されず、同一の工程で実施しても別々の工程で実施してもよく、例えば、防汚膜３との付着面に粘着層４を予め備える保護フィルム５（以下「粘着層付き保護フィルム」ともいう。）を防汚膜３上に載置した後加圧する方法を用いることができる。防汚膜３上への粘着層付き保護フィルムの設置は連続的に行ってもよく、この場合には、ラミネート機等を用いて、透明基体２を搬送しながら、防汚膜３の主面に粘着層付き保護フィルムを連続的に供給、載置した後、加圧して、防汚膜３に粘着層付き保護フィルムを付着させる。このときのラミネート条件は、特に限定されず、例えば、防汚膜３を形成した透明基体２の搬送速度を１ｍｍ/ｍｉｎ〜５ｍｍ/ｍｉｎ、加圧力を、線圧で１ｋｇｆ／ｃｍ^２〜１０ｋｇｆ／ｍ^２で行うことができる。

［粘着層および保護フィルムの除去］
防汚膜付き基体１は、上記で設置された粘着層４および保護フィルム５が除去されて使用される。粘着層４および保護フィルム５の除去方法は、特に限定されず、手動で除去されてもよく、剥離装置等を用いて除去されてよい。なお、除去方法によっては剥離後の防汚膜３ａの光学膜厚の値が上下しないことを本願発明者らは見出した。

このようにして、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚は、３ｎｍ〜３０ｎｍである。粘着層４および保護フィルム５の除去後の防汚膜３ａの光学膜厚が３ｎｍ未満の場合、防汚膜３ａの耐久性が著しく劣化する。また、除去後の防汚膜３ａの光学膜厚が３０ｎｍを超える場合、膜厚ムラや防汚膜材料の凝集によるヘイズのムラが生じ、外観において光学ムラとして知覚され、意匠性や画像表示の品質を損なってしまう。

また、粘着層４および保護フィルム５を設置する前の防汚膜３の光学膜厚に対する、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚の変化率が、１０％〜６０％であることが好ましい。これにより、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａは、優れた防汚性を備えるとともに、高い耐摩耗性を有する。

ここで、防汚膜３に対する防汚膜３ａの光学膜厚の変化率は次式で求められる値である。
光学膜厚の変化率＝｛（防汚膜３の光学膜厚）−（防汚膜３ａの光学膜厚）｝×１００／（防汚膜３の光学膜厚）（％） ・・・（１）

上記のようにして得られる防汚膜３を有する防汚膜付き基体１は、撥水性や撥油性等の防汚性に優れるとともに、繰り返し行われる汚れの払拭等にも耐えうる高い耐摩耗性を有する。また、防汚膜付き基体１は、防汚膜３上に、粘着層４および保護フィルム５を備えるので、搬送時の割れや傷付きを抑制することができる。また、粘着層４および保護フィルム５を除去した後の防汚膜３ａの光学膜厚が最適膜厚となるように、粘着層４および保護フィルム５を除去する前の防汚膜３の光学膜厚を上記範囲としているため、使用時の防汚膜３ａが十分な光学膜厚を有し、撥水性や撥油性等の防汚性に優れるとともに、繰り返し行われる汚れの払拭等にも耐えうる高い耐摩耗性を有する。

以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例および比較例における評価は、それぞれ以下の方法で行った。

（擦り耐久性（耐摩耗性））
まず底面が１０ｍｍ×１０ｍｍである平面金属圧子の表面に平織り綿布金巾３号を装着して、防汚膜を擦る摩擦子とした。

次に、上記摩擦子を用い、平面摩耗試験機３連式（大栄科学精器製作所製）にて防汚膜の擦り耐久性を測定した。具体的には、上記摩擦子の底面が透明基体に形成された防汚膜の表面に接触するように摩擦子を摩耗試験機に取り付け、摩擦子への加重が１０００ｇとなるように重りを載せ、平均速さ６４００ｍｍ／ｍｉｎ、片道４０ｍｍで摩擦子を防汚膜表面に対して往復摺動した。往復摺動１回で擦り回数２回とし、擦り回数５００００回終了後の防汚膜表面の水の接触角を測定した。防汚膜表面の水接触角の測定は、自動接触角計ＤＭ−５０１（協和界面科学製）を用いて、純水１μＬを防汚膜に滴下して行った。防汚膜表面における水接触角の測定箇所は１０箇所とし、１０箇所で測定した水接触角の算術平均を擦り耐久性とした。粘着層付き保護フィルムの除去前後での水接触角の減少率が少ないほど、擦り耐久性の低下が抑制されている。

(防汚膜の光学膜厚)
まず、反射防止膜を備える防汚膜付き基体における防汚膜の光学膜厚の測定方法について説明する。

初めに、透明基体の表面に形成している反射防止膜を構成する各層の屈折率を測定した。続いて、透明基体の裏面に、黒テープを貼り、透明基体の裏面反射を除去した。その後、反射防止膜および防汚膜を形成している透明基体の表面について、分光反射スペクトルを分光測定器（ＳｏｌｉｄＳｐｅｃ−３７００、島津製作所製）で測定した。そして、あらかじめ測定した反射防止膜を構成する各層の屈折率と各層の厚みを用い、防汚膜の屈折率を１．３５と仮定して、防汚膜の光学膜厚を専用のソフトウェアにより算出した。

次に、反射防止膜を備えない防汚膜付き基体における防汚膜の光学膜厚の測定方法について説明する。

反射防止膜を形成している透明基体と、反射防止膜を形成していない透明基体とをそれぞれ用意し、両透明基体に同一の条件で防汚膜を形成した。その後、反射防止膜および防汚膜を形成した透明基体の表面について、分光反射スペクトルを上記と同様の分光測定器で測定した。上記と同様に、反射防止膜を構成する各層の屈折率と各層の厚みを用い、防汚膜の屈折率を１．３５と仮定して、防汚膜の光学膜厚を専用のソフトウェアにより算出した。この値を、同一の条件で反射防止膜を形成していない透明基体に形成した、反射防止膜を備えない防汚膜付き基体における防汚膜の光学膜厚とした。

防汚膜の光学膜厚は、数ｎｍ〜数１０ｎｍと非常に薄いため、触針式段差計では正確な測定が困難であるが、分光反射スペクトルやエリプソメーターにより測定できる。また、前記のような高価な装置を使用しなくても、防汚膜の光学膜厚は以下の方法により正確な測定が可能である。透明基体の表面に反射防止膜を介して防汚膜を形成した場合の透明基体表面の反射スペクトルは、透明基体の表面に反射防止膜を介さずに直接防汚膜を形成した場合の透明基体表面の反射スペクトルに比べて、防汚膜の膜厚変動に対する反射スペクトルの変化が大きくなる。したがって、上述のように、反射防止膜を形成している透明基体と、反射防止膜を形成していない透明基体とに同一条件で防汚膜を形成する方法により、形成された防汚膜の光学膜厚を正確に測定することができる。実施例および比較例においては、この方法を採用した。

（光学ムラ）
まず、防汚膜付き基体を蛍光灯の上に配置し、防汚膜付き基体の位置で１５００ルクスになるように蛍光灯の位置を調整した。次に、防汚膜付き基体を透過してきた光を観察して、ヘイズや色味のムラが生じているかを目視し、ムラの有無を判定した。

［実施例１］
以下の手順により、防汚膜付き基体を製造した。

（１）防眩処理およびエッチング処理
透明基体として化学強化ガラス（ドラゴントレイル（登録商標、以下「ＤＴ」ともいう。）、旭硝子社製）を用いた。そして、透明基体の表面に以下の手順により、フロスト処理による防眩処理を施した。まず、耐酸性の保護フィルムを、透明基体の防眩処理を施さない側である裏面に貼合した。ついで、この透明基体を、３重量％フッ化水素溶液に３分間浸漬し、透明基体の表面に付着した汚れを除去した。次いで、透明基体を１５重量％フッ化水素と１５重量％フッ化カリウムとの混合溶液に３分間浸漬し、透明基体の保護フィルムを貼合していない側である表面に対してフロスト処理を行った。

上記防眩処理後の透明基体を、１０％フッ化水素溶液に６分間浸漬（エッチング時間６分）することで、ヘイズ値を２５％に調整した。

（２）化学強化処理
４５０℃に加熱および溶融させた硝酸カリウムに防眩処理後の透明基体を２時間浸漬した後に引き上げ、室温まで１時間で徐冷することで、化学強化された透明基体を得た。

（３）反射防止膜（ＡＲ膜）の成膜
上記で化学強化された透明基体について、防眩処理を施した側である表面に、反射防止膜を次のように成膜した。

透明基体を、アルカリ溶液（サンウォッシュＴＬ−７５、ライオン株式会社製）に４時間浸漬した。その後、真空チャンバ内で、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲット（ＮＢＯターゲット、ＡＧＣセラミックス社製）を用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、透明基体の表面上に、厚さ１３ｎｍの酸化ニオブ（ニオビア）からなる第１の高屈折率層を形成した。

次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、第１の高屈折率層上に、厚さ３５ｎｍの酸化ケイ素（シリカ）からなる第１の低屈折率層を形成した。

次いで、アルゴンガスに１０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、酸化ニオブターゲット（ＮＢＯターゲット、ＡＧＣセラミックス社製）を用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、第１の低屈折率層上に、厚さ１１５ｎｍの酸化ニオブ（ニオビア）からなる第２の高屈折率層を形成した。

次いで、アルゴンガスに４０体積％の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながら、シリコンターゲットを用いて、圧力０．３Ｐａ、周波数２０ｋＨｚ、電力密度３．８Ｗ／ｃｍ^２、反転パルス幅５μｓｅｃの条件でパルススパッタリングを行い、第２の高屈折率層上に、厚さ８０ｎｍの酸化ケイ素（シリカ）からなる第２の低屈折率層を形成した。

このようにして、酸化ニオブ（ニオビア）層と酸化ケイ素（シリカ）層とが合計４層積層された反射防止膜を形成した。

（４）防汚膜（ＡＦＰ膜）の形成
まず、防汚膜の原料として含フッ素加水分解性ケイ素化合物（ＫＹ−１８５、信越化学社製）を加熱容器内に導入した。その後、加熱容器内を真空ポンプで１０時間以上脱気して溶液中の溶媒除去を行って、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含有する被膜形成用組成物の蒸気を得た。次いで、被膜形成用組成物が入った加熱容器を２７０℃まで加熱した。２７０℃に到達した後、温度が安定するまで１０分間その状態を保持した。

そして、真空チャンバ内に設置した透明基体上に積層された反射防止膜に対して、真空チャンバと加熱容器とを接続しているノズルから、被膜形成用組成物の蒸気を供給し、成膜を行った。

このとき、真空チャンバ内に設置した水晶振動子モニタにより膜厚を測定しながら、膜厚が１０ｎｍになるまで成膜を行った。続いて、膜厚が１０ｎｍになった時点で被膜形成用組成物の供給を停止し、真空チャンバから透明基体を取り出した。取り出された透明基体は、ホットプレートに裏面を下向きにして設置し、大気中で１５０℃、６０分間熱処理を行った。

このようにして形成した防汚膜について、上記の方法で、擦り耐久性および光学膜厚を測定した。

また、ラミネート機を用いて、上記で得られた防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＥＣ−９０００ＡＳ、(株)スミロン社製）を設置し、防汚膜付き基体１を製造した。粘着層付き保護フィルムを構成する粘着層の材料はアクリル系粘着剤、粘着層のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）は０．０６Ｎ／２５ｍｍ、保護フィルムはポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」ともいう。）系フィルム、保護フィルムの厚みは２５μｍである。

その後、防汚膜表面の粘着層付き保護フィルムを除去し、粘着層付き保護フィルムを除去した後の防汚膜について、上記の方法で、擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例２］
防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚１５ｎｍの防汚膜を形成した。また、実施例１と同様にして、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＥＣ−９０００ＡＳ、(株)スミロン社製）を設置し、防汚膜付き基体２を製造した。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例３］
防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚２５ｎｍの防汚膜を形成した。また、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＵＡ−３０００ＡＳ、(株)スミロン社製）を、実施例１と同様のラミネート機を用いて設置し、防汚膜付き基体３を製造した。粘着層付き保護フィルムを構成する粘着層の材料はポリウレタン系粘着剤、粘着層のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）は０．１５Ｎ／２５ｍｍ、保護フィルムはＰＥＴ系フィルム、保護フィルムの厚みは２５μｍである。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例４］
防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚４０ｎｍの防汚膜を形成した。また、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＲＰ−２０７、日東電工社製）を、実施例１と同様のラミネート機を用いて設置し、防汚膜付き基体４を製造した。粘着層付き保護フィルムを構成する粘着層の材料はアクリル系粘着剤、粘着層のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）は０．１Ｎ／２５ｍｍ、保護フィルムはＰＥＴ系フィルム、保護フィルムの厚みは２５μｍである。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例５］
防眩処理を行わない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚１０ｎｍの防汚膜を形成した。また、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（Ｙ１６ＦＳ、サンエー化研社製）を、実施例１と同様のラミネート機を用いて設置し、防汚膜付き基体５を製造した。粘着層付き保護フィルムを構成する粘着層の材料はアクリル系粘着剤、粘着層のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）は０．３Ｎ／２５ｍｍ、保護フィルムはＰＥＴ系フィルム、保護フィルムの厚みは２５μｍである。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例６］
防汚膜の原料として含フッ素加水分解性ケイ素化合物（オプツールＤＳＸ、信越化学社製）を用い、防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚３０ｎｍの防汚膜を形成した。また、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＲＰ−２０７、日東電工社製）を、実施例１と同様のラミネート機を用いて設置し、防汚膜付き基体６を製造した。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［実施例７］
反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚２０ｎｍの防汚膜を形成した。また、実施例１と同様にして、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＥＣ−９０００ＡＳ、(株)スミロン社製）を設置し、防汚膜付き基体７を製造した。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［比較例１］
防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚１０ｎｍの防汚膜を形成した。また、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＴＧ−３０３０、(株)スミロン社製）を、実施例１と同様のラミネート機を用いて設置し、防汚膜付き基体１Ｃを製造した。粘着層付き保護フィルムを構成する粘着層の材料はアクリル系粘着剤、粘着層のアクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）は３．０Ｎ／２５ｍｍ、保護フィルムはＰＥＴ系フィルム、保護フィルムの厚みは２５μｍである。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

［比較例２］
防眩処理を行わず、反射防止膜を形成しない以外は、実施例１と同様にして、透明基体上に光学膜厚６０ｎｍの防汚膜を形成した。また、実施例１と同様にして、防汚膜を形成した透明基体の両面に、粘着層付き保護フィルム（ＥＣ−９０００ＡＳ、(株)スミロン社製）を設置し、防汚膜付き基体２Ｃを製造した。実施例１と同様に、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラを測定した。

実施例１〜７で製造した防汚膜付き基体１〜７および、比較例１〜２で製造した防汚膜付き基体１Ｃ〜２Ｃの製造条件、防汚膜の擦り耐久性、光学膜厚、および光学ムラの測定結果を表１に示す。また、上述した式（１）によって算出した防汚膜の光学膜厚の変化率を表１に示す。

表１に示されるように、粘着層および保護フィルムを備える状態での防汚膜の光学膜厚を１０ｎｍ〜５０ｎｍとし、粘着層および保護フィルムを除去した後の防汚膜の光学膜厚を３ｎｍ〜３０ｎｍとした防汚膜付き基体１〜７は、粘着層および保護フィルムを除去することによる防汚膜の耐摩耗性の低下が抑制されていることが分かる。さらに、防汚膜付き基体１〜７は、光学ムラがなく、優れた透明性を備えることが分かる。

１…防汚膜付き基体、２…透明基体、３,３ａ…防汚膜、４…粘着層、５…保護フィルム。

Claims (6)

1. 透明基体の主面に、防汚膜と、粘着層と、保護フィルムとを順に備え、前記粘着層および前記保護フィルムを除去して使用される防汚膜付き基体であって、
   前記粘着層および前記保護フィルムを除去した後の前記防汚膜の光学膜厚が３ｎｍ〜３０ｎｍであり、
   ｛（前記粘着層および前記保護フィルムを備える状態での前記防汚膜の光学膜厚）−（前記粘着層および前記保護フィルムを除去した後の前記防汚膜の光学膜厚）｝×１００／（前記粘着層および前記保護フィルムを備える状態での前記防汚膜の光学膜厚）（％）で与えられる変化率が１０〜６０％であることを特徴とする防汚膜付き基体。
2. 前記粘着層の、アクリル基体に対する１８０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７準拠）が、０．０２Ｎ／２５ｍｍ〜０．４Ｎ／２５ｍｍである、請求項１に記載の防汚膜付き基体。
3. 前記透明基体がガラス基体である、請求項１または２に記載の防汚膜付き基体。
4. 前記透明基体と前記防汚膜との間に、反射防止膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の防汚膜付き基体。
5. 前記透明基体の主面が凹凸形状を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の防汚膜付き基体。
6. 前記防汚膜が、含フッ素加水分解性ケイ素化合物を含む被膜形成用組成物から形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の防汚膜付き基体。

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