JP6638748B2 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents
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Description
(1)第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に有し、かつ前記第2半導体層側に前記第2半導体層及び前記発光層から前記第1半導体層が露出する複数の露出部が、第1方向に沿って複数の列状に配置される半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第2半導体層上に配置された第1電極と、
前記第2半導体層上に接続された第2電極と、
前記第1電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第1方向に沿って配列する前記露出部の列間で前記第1方向に長い形状を有する第1外部接続部と、
前記第2電極と接続される第2外部接続部とを含む発光素子。
(2)上面に配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上にフリップチップ実装された上記発光素子と、
前記発光素子、前記外部接続部及び前記基板を被覆する被覆部材とを備える発光装置。
(3)上面に配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上にフリップチップ実装された発光素子と、
前記発光素子及び前記基板を被覆する被覆部材とを備える発光装置であって、
前記発光素子は、
第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に有し、かつ前記第2半導体層側に前記第2半導体層及び前記発光層から前記第1半導体層が露出する複数の露出部が、第1方向に沿って複数の列状に配置される半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第2半導体層上に配置された第1電極と、
前記第2半導体層上に接続された第2電極とを備え、
前記第1電極及び前記配線パターンと接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第1方向に沿って配列する前記露出部の列間で前記第1方向に長い形状を有する第1外部接続部と、
前記第2電極及び前記配線パターンと接続される第2外部接続部とによって配線パターン上に実装されている発光装置。
本開示の一実施形態における発光素子10は、図1Aから1Cに示すように、第1半導体層13n、発光層13a及び第2半導体層13pを順に有し、かつ第2半導体層13p側に第2半導体層13p及び発光層13aから第1半導体層13nが露出する複数の露出部13bが、第1方向に沿って複数の列状に配置される半導体積層体13と、半導体積層体13を覆い、複数の露出部13bの上方に開口部14aを有する絶縁膜14と、開口部14aにて露出部13bと接続され、かつ一部が絶縁膜14を介して第2半導体層13p上に配置された第1電極11と、第2半導体層13p上に接続された第2電極12と、第1電極11と接続され、平面視において、露出部13bと離間し、第1方向に沿って配列する露出部13bの列間で第1方向に長い形状を有する第1外部接続部21と、第2電極と接続される第2外部接続部22とを含む。このような発光素子10においては、第1電極11及び第2電極12と、第1外部接続部21及び第2外部接続部22とが設けられた面側を実装面としたフリップチップ実装に適した構造を有している。この際、実装面と反対側の面が主な光取り出し面となる。
本願においては、第1方向に沿って配置される露出部を列、第2方向に沿って配置される露出部を行と称する。
発光素子10の平面形状は、例えば、略矩形状、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等が挙げられる。なかでも、略矩形が好ましい。
発光素子10を構成する半導体積層体13は、第1半導体層13n、発光層13a及び第2半導体層13pがこの順に積層されて構成される。このような半導体積層体13は、通常、絶縁性の支持基板15上に形成されている。ただし、最終的に、発光素子10においては、支持基板15が除去されたものでもよい。発光層13aと、発光層13aの上面に設けられた第2半導体層13pとは、第1半導体層13nの上面のうち所定の領域に設けられている。つまり、第1半導体層13n上の一部の領域には、第2半導体層13p及び発光層13aが存在しない。このように、第1半導体層13nが、発光層13a及び第2半導体層13pから露出する領域を露出部13bと称する。つまり、半導体積層体13は、第2半導体層13pの表面に、平面視において互いに離間した複数の孔を有し、孔の底面に第1半導体層13nが露出している。そして、孔の側面には第2半導体層13p、発光層13a及び第1半導体層13nの一部が露出している。
露出部13bの形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い形状(例えば楕円又は六角形以上の多角形)が好ましい。露出部13bの大きさは、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜調整することができ、例えば、直径が数十μm〜数百μm程度の大きさであることが好ましい。別の観点から、直径が、半導体積層体の一辺の1/20〜1/5程度の大きさであることが好ましい。露出部13bは、1つの発光素子において規則的に配置していることが好ましい。具体的には、第1方向に沿って複数列配置されていることが好ましい。ここでの第1方向とは、例えば、半導体積層体13又は発光素子10の一辺に平行な一方向を指す。例えば、第1方向に沿って数列配置されていることが好ましい。また、露出部13bは、第1方向に直交する第2方向にも数行以上配置されていることが好ましい。例えば、第2方向に数行〜十数行配置されていることが好ましい。なかでも、第1方向に沿って列状に配置する露出部13bは、互いに隣接するように3列以上配置されていることがより好ましい。第2方向に並ぶ露出部13bの数は、第1方向に並ぶ露出部13bの数よりも少ないことが好ましい。言い換えると、列状に配置される露出部13bの第2方向に沿った列の数は、1つの列内に配置される露出部13bの数よりも少ないことが好ましい。これにより、後述する第1外部接続部を、第1方向に沿って配列する露出部の列間により大きな面積で形成することができる。
露出部13bは、規則的に配置していることが好ましい。これによって、発光素子の輝度ムラを抑制して、均一に光取り出しすることができる。具体的には、露出部13bは、上面視で略円形状であり、その大きさは、例えば、直径数十μm〜数百μmであり、上面側に一定の間隔で整列して配置されていることが好ましい。
絶縁膜14は、半導体積層体13の上面及び側面を被覆するとともに、露出部13bの上方に開口部14aを、第2半導体層13pの上方に開口部14bを有する。絶縁膜14が半導体積層体13を被覆し、かつ露出部13bの上方に開口部14aを有することにより、第2半導体層13pの上面を覆う絶縁膜14の上面の広範囲に第1電極11を形成することができる。
絶縁膜14は、当該分野で公知の材料によって、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されていることが好ましい。具体的には、絶縁膜14は、金属酸化物及び金属窒化物等、例えば、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物によって形成することができる。
第1電極11及び第2電極12は、半導体積層体13の上面側(つまり、成長基板とは反対側、第2半導体層側)に配置されている。
第1電極11は、露出部13bの上方における絶縁膜14の開口部14aにて、露出部13bと接続している。この場合、第1電極11は複数の露出部13bを覆うように接続されることが好ましく、全ての露出部13bが第1電極11に覆われ、一体的に接続されることがより好ましい。従って、第1電極は、第1半導体層13n上のみならず、第2半導体層13p上方にも配置される。つまり、第1電極11は絶縁膜14を介して、露出部13bを形成する孔の側面(つまり発光層13a及び第2半導体層13pの側面)及び第2半導体層13p上に配置される。
第1電極11及び第2電極12は、第1半導体層13n及び第2半導体層13pと、それぞれ直接接触しておらず、後述する光反射性電極等の導電性部材を介して電気的に接続されていてもよい。
第1電極11及び第2電極12の平面視形状は、半導体積層体の平面視形状が矩形の場合、同様にその外縁形状が矩形又は略矩形であることが好ましい。第1電極11及び第2電極12は、平面視、1つの半導体積層体において、一方向に並行して交互に配置されていることが好ましい。例えば、平面視、第1電極が第2電極を挟むように配置されていることが好ましい。
発光素子10は、第1電極及び/又は第2電極と第2半導体層との間に介在する光反射性電極16を有する。
光反射性電極16としては、銀、アルミニウム又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層から発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金がより好ましい。光反射性電極16は、発光層から出射される光を効果的に反射することができる厚みを有することが好ましく、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。光反射性電極と第2半導体層との接触面積は大きいほど好ましく、このため、光反射性電極16は、第1電極11と第2半導体層13pとの間にも配置されることが好ましい。具体的には、光反射性電極16の総平面積は、半導体積層体の平面積の50%以上、60%以上、70%以上が挙げられる。
第1外部接続部21及び第2外部接続部22は、第1電極11及び第2電極12と電気的に接続され、外部と接続するために設けられる。
第1外部接続部21は、第1電極11上に設けられる。第1外部接続部21は、第2半導体層13pの上方において、絶縁膜14の上面に設けられた第1電極11上に設けられるとともに、平面視において、露出部13bとは離間して配置されている。第1外部接続部21は、第1方向に沿って配列する露出部13bの列間において、第1方向に沿って配置されている。第1外部接続部21は、第1方向に長い形状を有する。第1外部接続部21の第1方向における長さは、半導体積層体13の第1方向の長さよりも若干短い程度である。具体的には半導体積層体13の第1方向の長さの85%〜95%の長さが挙げられる。第1外部接続部21は、第1方向に沿って配列する露出部13bの列間ごとに1つずつ配置されることが好ましい。
また、露出部が第1方向に沿って3列以上の列状に配置される場合、発光素子は複数の第1外部接続部を有し、複数の第1外部接続部は各列間に1つずつ配置されることが好ましい。つまり、各列間に延長する2つ以上の第1外部接続部は、互いに、列状に配置される露出部13bを挟んで離間して配置されていることが好ましい。そして、それぞれの第1外部接続部が、第1外部接続部に沿って隣接する露出部間に延伸する凸部21aを備えることにより、第1外部接続部の面積をより大きく形成することができる。
なお、第1外部接続部21は、平面視において第1方向に延伸する複数の凸部21bを有していてもよい。
第2外部接続部22は、例えば、前記第1方向に沿って延びる第1外部接続部の間に挟まれて配置されていることが好ましい。つまり、平面視において、第2外部接続部は第1方向に長い形状であり、第1外部接続部21は、第2外部接続部22を挟んで配置されていることが好ましい。この場合、第1外部接続部21は、第2外部接続部22の第1方向の中心線に対して線対称に配置されていることがより好ましい。これにより、発光素子10を基板23上にフリップチップ実装する際に第1外部接続部21および第2外部接続部22にかかる応力の偏りを少なくすることができる。これにより、接合精度が安定する。また、上述した被覆部材を形成する未硬化の樹脂材料の流動性にも寄与することができる。これにより、熱応力の低減を図ることができる。
例えば、第1外部接続部21及び第2外部接続部22をメッキ法で形成する場合、Al、Ag、Al合金及びAg合金、Cu、Au、Niなどの金属の単層又は積層構造を用いることができる。第1外部接続部21及び第2外部接続部22は、腐食防止及びAu−Sn共晶半田などのAu合金系の接着部材を用いた基板23との接合性を高めるために、少なくとも最上層をAuで形成することが好ましい。
この実施形態における発光素子30は、図3に示すように、半導体積層体33に配置された露出部33bの数と大きさが異なり、第1外部接続部41の配置及び形状が異なる以外は実質的に発光素子10と同様の構成を有する。ここで露出部の大きさが異なるとは、実際の平面積が異なることに加え、半導体積層体33の平面積に対する露出部の平面積比が異なることも含む。
なお、この発光素子30では、上述した露出部33bと第1外部接続部41との配置の説明のために、第1方向と第2方向とを、発光素子10での第1方向と第2方向と反対に設定している。
発光素子30では、露出部33bは、第1方向に沿って複数列配置され、第1方向に直交する第2方向にも複数行配置されていることが好ましい。例えば、図3においては、第1方向に沿って列状に配置する露出部33bは、第2電極を挟んで、互いに隣接するように4列ずつ配置され、第2方向に並ぶ露出部33bの数は、互いに隣接するように8行配置されている。つまり、第2方向に連続して並ぶ露出部13bの数は、第1方向に連続して並ぶ露出部13bの数よりも多い。言い換えると、列状に配置される露出部33bが第2方向沿って並ぶ数は、1つの列内に配置される露出部13bの数よりも多いことが好ましい。これにより、後述する第1外部接続部を、第2方向に沿って配列する露出部の列間により大きな面積で形成することができる。
第1外部接続部41は、図3に示すように、第1方向に沿って配列する露出部33bの列間において、第1方向に沿って配置されている。第1外部接続部41は、第1方向に長い形状を有する。第1外部接続部41の第1方向における長さは、半導体積層体13の第1方向の長さの1/2よりも短い。具体的には半導体積層体33の第1方向の長さの(85%〜95%)/2の長さが挙げられる。第1外部接続部41は、第1方向に沿って配列する露出部13bの列間ごとに1つずつ配置されることが好ましい。
また、露出部が第1方向に沿って3列以上の列状に配置される場合、発光素子は複数の第1外部接続部を有し、複数の第1外部接続部は各列間に1つずつ配置されることが好ましい。つまり、各列間に延長する2つ以上の第1外部接続部は、互いに、列状に配置される露出部33bを挟んで離間して配置されていることが好ましい。
第1外部接続部が、露出部を挟んで隣接する場合、第1外部接続部間の最も近い距離は、例えば、半導体積層体33の長さの0.1〜2%の長さが挙げられる。
第1外部接続部21及び第2外部接続部22の厚みは、例えば、5〜20μmが挙げられる。
本開示の一実施形態における発光装置20は、図2A及び2Bに示すように、上面に配線パターンを有する基板23と、上述した発光素子10と、被覆部材27とを備える。
基板23は、上面に配線パターン24、25を有し、配線パターン24、25上に発光素子10が、フリップチップ実装されている。
基板の材料としては、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
被覆部材27は、発光素子10の側面、発光素子10と基板23との間、基板23の上面、第1外部接続部21及び第2外部接続部22の側面を被覆する。被覆部材は、発光素子の下面において、露出部の直下にも配置されることが好ましい。また、後述するように、発光装置20が、発光素子の上面に透光部材28を有する場合には、被覆部材27は、透光部材28の側面も被覆することが好ましい。
被覆部材27は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材は、光反射性及び/又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の1種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
被覆部材27は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
発光装置20は、発光素子10の上面に透光部材28を有することが好ましい。透光部材28は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子から出射される光の50%以上又は60%以上、好ましくは70%以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材は、光拡散材、発光素子10から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材28の下面外縁は、発光素子の上面外縁と一致するか、上面外縁より内側又は外側のいずれかのみに位置することが好ましい。透光部材28は板状であることが好ましく、透光部材の厚みは、例えば、50μm〜300μmが挙げられる。
この実施形態1の発光素子10は、図1A〜1Cに示すように、半導体積層体13と、絶縁膜14と、第1電極11及び第2電極12と、第1外部接続部21及び第2外部接続部22とを含む。
半導体積層体13は、サファイアからなり、表面に凹凸を有する支持基板15上に、第1半導体層13n、発光層13a及び第2半導体層13pがこの順に積層されて構成されている。半導体積層体13の平面視形状は略正方形状であり、一辺の長さは1.0mm程度である。
第2半導体層13p側には、第2半導体層13p及び発光層13aから、第1半導体層13nが露出する複数の露出部13bが形成されている。露出部13bは行列状に配置されている。具体的には、露出部13bは、第1方向に沿って7個ずつの列状に配置され、第1方向に直交する第2方向に沿って、2群に分かれて半導体積層体の両側に3個ずつの行状に配列されている。露出部13bは平面視において、直径約36μm程度の円形であり、その隣接する円の中心間の距離は、第1方向及び第2方向にそれぞれ130μm程度である。
発光素子10は、第1電極及び/又は第2電極と第2半導体層との間に介在する光反射性電極16を有する。
なお、第2半導体層13pと第1電極及び/又は第2電極との間には、銀からなる光反射性電極16が、略全面に配置されており、光反射性電極16は、その上面及び側面が保護層17によって被覆されている。
また、平面視において第2電極12を挟むように第1電極11が形成されている。第1電極11は、絶縁膜14の開口部14aにて露出部13bと接続され、さらに、絶縁膜14を介して第2半導体層13p上に形成されている。
第2外部接続部22の両側には、第1外部接続部21がそれぞれ2つ、合計4つ配置されている。第1外部接続部21は、第1電極11と接続されており、平面視において、露出部13bと離間し、第1方向に沿って配列する露出部13bの列間で、第1方向に長い形状を有する。第1外部接続部21の第1方向における全長は、900μm程度である。
第1外部接続部21は、それぞれ、平面視において第2方向に延伸する複数の凸部21aを有する。
凸部21aは、離間して配置される他の第1外部接続部に向かって延伸する場合は、その端部が露出部13b間に配置されており、半導体積層体13の外縁に向かって延伸する場合においては、露出部13bを超えた位置に配置されている。つまり、第1外部接続部21の凸部21aは、発光素子の外縁に隣接する露出部13bに対して、露出部13bの外縁側の端部よりも発光素子の外縁に近い端部を有する。凸部21aの幅は、露出部13b間を、露出部13bを避けて電気的な短絡を生じさせない程度に設定されている。凸部21aは、1つの第1外部接続部21において隣接する各露出間に配置される。つまり、1つの第1外部接続部は外縁に複数の凸部21aを有する。同じ方向に延伸する複数の凸部21aそれぞれの大きさ及び形状は、略同じである。
例えば、凸部21aの先端と、半導体積層体13の外縁との距離は50μm程度であり、隣接する第1外部接続部21間の距離は24μm程度であり、露出部13bの外周と第1外部接続部21との間の距離は16μm程度であり、第1外部接続部21と第2外部接続部22との距離は92μm程度である。
このような形状の4つの第1外部接続部21は、半導体積層体13の上面の合計約35%の領域に形成されており、第2外部接続部22は、約10%の領域に配置されている。
第1外部接続部21及び第2外部接続部22は、それぞれメッキによって形成されており、Al合金/Auの積層構造を有し、その合計厚みは約20μmである。
この実施形態2の発光装置20は、図2A及び2Bに示すように、上面に配線パターンを有する基板23と、上述した発光素子10と、被覆部材27とを備える。
基板23は、アルミナからなり、その上面に正負の配線パターン24、25を有する。配線パターン24、25は、最表面がAuによって形成されている。基板23上には、発光素子10が、第1外部接続部21及び第2外部接続部22が形成された面を下面としてフリップチップ実装されている。
発光素子10の側方には、保護素子26が配置されている。保護素子26は、例えば、ツェナーダイオードである。
被覆部材27は、約30重量%の酸化チタンを含有する変性シリコーン樹脂によって形成されており、光反射性を有する。
この実施形態3の発光素子30は、図3に示すように、半導体積層体33に配置された露出部33bの数と大きさが異なり、第1外部接続部41の配置及び形状が異なる以外は実質的に発光素子10と同様の構成を有する。発光素子30の平面視形状は1.4×1.4mm程度の略矩形状である。
半導体積層体33に形成された露出部33bは、2群に分かれて半導体積層体の両側に第1方向に沿って4個ずつの列状に配置され、第1方向に直交する第2方向に沿って、8個ずつの行状に配列されている。露出部33bは平面視において、直径36μm程度の円形であり、1つの群中において隣接する円の中心間の距離は、第1方向に150μm、第2方向に170μm程度である。
第2外部接続部42の両側には、第1外部接続部41がそれぞれ9つ、合計18つ配置されている。第1外部接続部41は、平面視において、露出部33bと離間し、第1方向に沿って配列する露出部33bの列間で、第1方向に長い形状を有する。第1外部接続部21の第1方向における全長は、350μm程度である。この発光素子30は、上述した発光素子10と同様に、基板にフリップチップ実装されて発光装置を構成する場合に、光取出し効率を確保することができる。
この実施形態4の発光装置50は、図4に示すように、上面に配線パターン54、55を有する基板53と、上述した発光素子30とを備える以外は実質的に発光装置20と同様の構成を有する。
この発光装置50は、上述した発光装置20と同様に、高品質で、光取出し効率の高い発光装置を得ることができる。
この実施形態5の発光装置は、上述した発光素子10又は30のうち、第1外部接続部及び第2外部接続部を有さない発光素子が、上面に配線パターン24、25又は54、55を有する基板53と、発光素子10又は30に形成された第1外部接続部及び第2外部接続部と同様の形状を有する第1外部接続部及び第2外部接続部を介して接続されている以外は実質的に発光装置20、50と同様の構成を有する。
この発光装置は、第1外部接続部及び第2外部接続部が、配線パターン上に形成されていた基板を利用して形成することができる。
これらの発光装置は、上述した発光装置20、50と同様に、高品質で、光取出し効率の高い発光装置を得ることができる。
11 第1電極
12 第2電極
13、33 半導体積層体
13a 発光層
13b、33b 露出部
13n 第1半導体層
13p 第2半導体層
14 絶縁膜
14a、14b 開口部
15 支持基板
16 光反射性電極
17 保護層
20、50 発光装置
21、41 第1外部接続部
21a、21b 凸部
22、42 第2外部接続部
23、53 基板
24、25、54、55 配線パターン
26 保護素子
27 被覆部材
28 透光部材
Claims (10)
- 第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に有し、かつ前記第2半導体層側に前記第2半導体層及び前記発光層から前記第1半導体層が露出する複数の露出部が、第1方向に沿って複数の列状に配置される半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第2半導体層上に配置された第1電極と、
前記第2半導体層上に接続された第2電極と、
前記第1電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第1方向に沿って配列する前記露出部の列間で前記第1方向に長い形状を有する第1外部接続部と、
前記第2電極と接続される第2外部接続部とを含み、
平面視において、前記第2外部接続部は前記第1方向に長い形状であり、前記第1外部接続部は、前記第2外部接続部を挟んで配置されている発光素子。 - 第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に有し、かつ前記第2半導体層側に前記第2半導体層及び前記発光層から前記第1半導体層が露出する複数の露出部が、第1方向に沿って複数の列状に配置される半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第2半導体層上に配置された第1電極と、
前記第2半導体層上に接続された第2電極と、
前記第1電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第1方向に沿って配列する前記露出部の列間で前記第1方向に長い形状を有する第1外部接続部と、
前記第2電極と接続される第2外部接続部とを含み、
平面視において、前記第2外部接続部は前記第1方向に直交する第2方向に長い形状であり、前記第1外部接続部は、前記第2外部接続部を挟んで配置されている発光素子。 - 前記第1外部接続部は、平面視において前記第1方向に直交する第2方向に延伸する複数の凸部を有する請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記凸部は、前記第1方向に隣接する前記露出部間に延伸する請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1外部接続部は、前記発光素子の外縁に隣接する前記露出部に対して、該露出部の前記外縁側の端部よりも前記外縁に近い端部を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記列状に配置される前記露出部は、互いに隣接するように3列以上配置されており、
前記列間に延長する2つ以上の前記第1外部接続部は、互いに、前記列状に配置される露出部を挟んで離間して配置されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光素子。 - 平面視において、前記列状に配置される前記露出部の列の数は、1つの列内に配置される露出部の数よりも少ない請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子。
- 平面視において、前記列状に配置される前記露出部の列の数は、1つの列内に配置される露出部の数よりも多い請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光素子。
- 上面に配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上にフリップチップ実装される請求項1〜8のいずれか1つに記載の発光素子と、
前記発光素子、前記第1外部接続部及び第2外部接続部並びに前記基板を被覆する被覆部材とを備える発光装置。 - 前記被覆部材は、光反射性物質を含む請求項9に記載の発光装置。
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