JP6636104B2 - 検出感度改善のための検査ビームの成形 - Google Patents
検出感度改善のための検査ビームの成形 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6636104B2 JP6636104B2 JP2018139314A JP2018139314A JP6636104B2 JP 6636104 B2 JP6636104 B2 JP 6636104B2 JP 2018139314 A JP2018139314 A JP 2018139314A JP 2018139314 A JP2018139314 A JP 2018139314A JP 6636104 B2 JP6636104 B2 JP 6636104B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- illumination light
- track
- wafer
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 177
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 title claims description 30
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 189
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 59
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 9
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本特許出願は、米国特許法第119条(e)項の下で、2012年11月20日出願の米国仮特許出願第61/728,707号、表題「Method of Shaping Inspection Beam with Improved Detection Sensitivity」の優先権を主張するものであり、その主題は、参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (18)
- ビーム強度分布を有する照明光ビームを生成することと、
前記照明光ビームの前記ビーム強度分布を再成形して、再成形された照明光ビームを生成することであって、前記再成形された照明光ビームが、前記再成形された照明光ビームの一部によって照射される検査トラックの幅にわたって平均強度値から25%未満の差を有するビーム強度分布を有する、生成することと、
前記検査トラックの検査領域上で前記再成形された照明光ビームを用いて検体表面を照射することであって、前記検査領域上の前記照明光ビームのビーム幅が、前記検査トラックにわたる位置の一価の関数として前記検査トラックに平行な方向に変化することで、前記検査トラックにおけるウエハ中心に最も近い位置よりもウエハ中心に最も遠い位置の方が照射時間が増大することと、
前記検査領域から集められた光量を受容することと、
前記受容された集められた光量に基づいて出力信号を生成することと、を含み、
前記出力信号が閾値を超える期間を決定することと、
前記期間に基づいて前記検査トラック内の前記検査トラックをわたる方向の欠陥の位置を決定することと、をさらに含む、方法。 - 前記照明光ビームの前記ビーム強度分布が、ほぼガウス型である、請求項1に記載の方法。
- 前記検体が走査ピッチによって特徴付けられた螺旋運動軌道を追跡するように、前記検体を走査運動で移動させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記再成形された照明光の前記ビーム強度分布が、前記再成形された照明光ビームの前記一部によって照射される前記検査トラックの前記幅にわたって前記平均強度値から10%未満の差を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記検査トラックに平行な方向の照明スポットのビーム幅が、第1の値から第2の値まで、前記検査トラックにわたって直線的に変化する、請求項1に記載の方法。
- 前記再成形が、前記照明光ビームを、回折光学素子、光学ビーム成形器、およびアポダイザのうちのいずれかに通すことを必要とする、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの照明スポットから散乱される光量を前記受容することが、単一の検出器を必要とする、請求項1に記載の方法。
- 照明光ビームを生成するように構成された照明源と、
前記照明光ビームを受容し、かつ再成形された照明光ビームの一部によって照射される検査トラックの幅にわたって平均強度値から25%未満の差を有するビーム強度分布を有する前記再成形された照明光ビームを生成するビーム成形素子と、
前記検査トラックの第1の検査領域に前記再成形された照明光ビームの第1の部分を集束する対物レンズであって、前記再成形された照明光ビームの第1の部分のビーム幅が、前記検査トラックにわたる位置の一価の関数として前記検査トラックに平行な方向に変化することで、前記検査トラックにおけるウエハ中心に最も近い位置よりもウエハ中心に最も遠い位置の方が照射時間が増大し、
前記第1の検査領域から集められた第1の光量を受容し、かつ前記受容された集められた光量に基づいて出力信号を生成するように動作可能な第1の検出器と、を備え、
前記出力信号が、ある期間中閾値を超え、前記検査トラック内の前記検査トラックをわたる方向の欠陥の位置が、前記期間に基づく、検査システム。 - ウエハ位置決定システムであって、前記第1の検査領域が走査ピッチによって特徴付けられた検査経路に沿ってウエハの表面にわたって移動するように、前記ウエハを走査運動で移動させるように動作可能なウエハ位置決定システムをさらに備える、請求項8に記載の検査システム。
- 前記照明光ビームが、ほぼガウス型であるビーム強度分布を有する、請求項8に記載の検査システム。
- 前記再成形された照明光の前記ビーム強度分布が、前記再成形された照明光ビームの前記一部によって照射される前記検査トラックの前記幅にわたって前記平均強度値から10%未満の差を有する、請求項8に記載の検査システム。
- 前記検査トラックに平行な方向の前記再成形された照明光ビームのビーム幅が、前記検査トラックにわたって第1の値から第2の値まで直線的に変化する、請求項8に記載の検査システム。
- 前記ビーム成形素子が、回折光学素子、光学ビーム成形器、およびアポダイザのうちのいずれかである、請求項8に記載の検査システム。
- ウエハの表面の第2の部分上に入射する前記再成形された照明光ビームの第2の部分によって照射される第2の検査領域から集められた第2の光量を受容するように動作可能な第2の検出器であって、前記第2の検出器が、前記集められた第2の光量に基づいて出力信号を生成し、前記対物レンズが、前記第2の検査領域上に前記再成形された照明光ビームの第2の部分を集束する、第2の検出器をさらに備える、請求項8に記載の検査システム。
- ピークビーム強度分布を有する照明光ビームを生成するように構成された照明源と、
前記照明光ビームを受容し、かつ平らになったビーム強度分布を有する再成形された照明光ビームを生成するビーム成形素子と、
ウエハ表面上の検査領域に前記再成形された照明光ビームの第1の部分を集束する対物レンズであって、前記再成形された照明光ビームの第1の部分のビーム幅が、検査トラックにわたる位置の一価の関数として前記検査トラックに平行な方向に変化することで、前記検査トラックにおけるウエハ中心に最も近い位置よりもウエハ中心に最も遠い位置の方が照射時間が増大し、
前記検査領域から集められた第1の光量を受容し、かつ前記受容された集められた光量に基づいて出力信号を生成するように動作可能な単一の検出器と、を備え、
前記出力信号が、ある期間中閾値を超え、前記検査トラック内の前記検査トラックをわたる方向の欠陥の位置が、前記期間に基づく、検査システム。 - ウエハ位置決定システムであって、前記検査領域が走査ピッチによって特徴付けられた検査経路に沿って前記ウエハの前記表面にわたって移動するように、前記ウエハを走査運動で移動させるように動作可能なウエハ位置決定システムをさらに備える、請求項15に記載の検査システム。
- 前記照明光ビームの前記ピークビーム強度分布が、ほぼガウス型である、請求項15に記載の検査システム。
- 前記再成形された照明光の前記ビーム強度分布が、前記再成形された照明光ビームの一部によって照射される検査トラックの幅にわたって平均強度値から10%未満の差を有する、請求項15に記載の検査システム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261728707P | 2012-11-20 | 2012-11-20 | |
US61/728,707 | 2012-11-20 | ||
US14/036,360 | 2013-09-25 | ||
US14/036,360 US9255891B2 (en) | 2012-11-20 | 2013-09-25 | Inspection beam shaping for improved detection sensitivity |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015544120A Division JP2015537218A (ja) | 2012-11-20 | 2013-11-20 | 検出感度改善のための検査ビームの成形 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018163175A JP2018163175A (ja) | 2018-10-18 |
JP6636104B2 true JP6636104B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=50727638
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015544120A Pending JP2015537218A (ja) | 2012-11-20 | 2013-11-20 | 検出感度改善のための検査ビームの成形 |
JP2018139314A Active JP6636104B2 (ja) | 2012-11-20 | 2018-07-25 | 検出感度改善のための検査ビームの成形 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015544120A Pending JP2015537218A (ja) | 2012-11-20 | 2013-11-20 | 検出感度改善のための検査ビームの成形 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9255891B2 (ja) |
JP (2) | JP2015537218A (ja) |
TW (1) | TWI625519B (ja) |
WO (1) | WO2014081896A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9897791B2 (en) * | 2014-10-16 | 2018-02-20 | Illumina, Inc. | Optical scanning systems for in situ genetic analysis |
US10072921B2 (en) * | 2014-12-05 | 2018-09-11 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for spectroscopic beam profile metrology having a first two dimensional detector to detect collected light transmitted by a first wavelength dispersive element |
US9864173B2 (en) * | 2015-04-21 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for run-time alignment of a spot scanning wafer inspection system |
US9841512B2 (en) * | 2015-05-14 | 2017-12-12 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing radiation-induced false counts in an inspection system |
US10101676B2 (en) | 2015-09-23 | 2018-10-16 | KLA—Tencor Corporation | Spectroscopic beam profile overlay metrology |
US10324045B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Surface defect inspection with large particle monitoring and laser power control |
CN106556610A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-04-05 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种硅片线痕检测方法及检测装置 |
US10732424B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Kla Corporation | Inspection-beam shaping on a sample surface at an oblique angle of incidence |
US10690600B1 (en) * | 2018-09-30 | 2020-06-23 | Vassili Peidous | Analyzer of technological surfaces |
JP7360687B2 (ja) * | 2019-05-21 | 2023-10-13 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
US11703460B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-07-18 | Kla Corporation | Methods and systems for optical surface defect material characterization |
TWI756555B (zh) * | 2019-07-31 | 2022-03-01 | 超能高新材料股份有限公司 | 一種晶圓缺陷檢測對位裝置 |
TWI727732B (zh) * | 2020-04-01 | 2021-05-11 | 旭臻科技有限公司 | 用於大面積顯微光致螢光掃描與測繪量測的系統及方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07229845A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-08-29 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
US5864394A (en) * | 1994-06-20 | 1999-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Surface inspection system |
TW444247B (en) * | 1999-01-29 | 2001-07-01 | Toshiba Corp | Laser beam irradiating device, manufacture of non-single crystal semiconductor film, and manufacture of liquid crystal display device |
JP3652912B2 (ja) | 1999-03-08 | 2005-05-25 | 日本電子株式会社 | 欠陥検査装置 |
US6466315B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for reticle inspection by photolithography simulation |
US7130039B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7286697B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-10-23 | Applied Materials, Israel, Ltd. | System for imaging an extended area |
JP4567984B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-10-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 平面表示装置の製造装置 |
JP5033314B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
JP2006162500A (ja) | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
KR20070104451A (ko) | 2005-02-03 | 2007-10-25 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 다중빔 광학주사장치의 스폿 사이즈 초점 오차 검출 |
US7548308B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-06-16 | Kla-Tencor Corporation | Illumination energy management in surface inspection |
DE112006003970T5 (de) | 2006-07-28 | 2009-07-30 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren eines Wafers |
JP2008191066A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Topcon Corp | 表面検査方法および表面検査装置 |
JP5581563B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2014-09-03 | 株式会社日立製作所 | 照明装置並びにそれを用いた欠陥検査装置及びその方法並びに高さ計測装置及びその方法 |
US7990546B2 (en) * | 2007-07-16 | 2011-08-02 | Applied Materials Israel, Ltd. | High throughput across-wafer-variation mapping |
US7525649B1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging |
US20090196489A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Le Tuan D | High resolution edge inspection |
US8194240B1 (en) * | 2008-03-04 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Enhanced focusing capability on a sample using a spot matrix |
US7912658B2 (en) * | 2008-05-28 | 2011-03-22 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for determining two or more characteristics of a wafer |
JP2010236966A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP5283037B2 (ja) | 2009-04-25 | 2013-09-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高均一照度が得られる照明装置及び照明方法 |
JP5331586B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および検査方法 |
JP5544176B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2014-07-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置および検査方法 |
JP5520737B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-06-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
TWI515422B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-01-01 | 南達科技有限公司 | 半導體晶圓檢驗系統和方法 |
US8885158B2 (en) * | 2011-03-10 | 2014-11-11 | Kla-Tencor Corporation | Surface scanning inspection system with adjustable scan pitch |
US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
-
2013
- 2013-09-25 US US14/036,360 patent/US9255891B2/en active Active
- 2013-11-20 TW TW102142321A patent/TWI625519B/zh active
- 2013-11-20 WO PCT/US2013/071106 patent/WO2014081896A1/en active Application Filing
- 2013-11-20 JP JP2015544120A patent/JP2015537218A/ja active Pending
-
2018
- 2018-07-25 JP JP2018139314A patent/JP6636104B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018163175A (ja) | 2018-10-18 |
US9255891B2 (en) | 2016-02-09 |
WO2014081896A1 (en) | 2014-05-30 |
TWI625519B (zh) | 2018-06-01 |
TW201428280A (zh) | 2014-07-16 |
JP2015537218A (ja) | 2015-12-24 |
US20140139829A1 (en) | 2014-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6636104B2 (ja) | 検出感度改善のための検査ビームの成形 | |
KR102438824B1 (ko) | 3차원 반도체 구조체들의 검사를 위한 결함 발견 및 레시피 최적화 | |
KR102525814B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사용 3차원 이미징 | |
JP6918931B2 (ja) | 半導体ウエハ検査のための欠陥マーキング | |
JP6869944B2 (ja) | レーザ暗視野システムにおけるスペックル抑圧方法及び装置 | |
US8755044B2 (en) | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems | |
JP6440622B2 (ja) | サンプル検査システム検出器 | |
TWI652472B (zh) | 檢測系統及具有增強偵測之技術 | |
JP7427763B2 (ja) | 光学的表面欠陥物質特性評価のための方法およびシステム | |
TWI818136B (zh) | 用於單一路徑光學晶圓檢測的差分成像 | |
JP7376588B2 (ja) | 全ウェハカバレッジ能力を有する超高感度ハイブリッド検査 | |
JP2020529123A (ja) | 効率的プロセスウィンドウ発見用ハイブリッド検査システム | |
JP2012518798A (ja) | 半導体ウエハ検査装置および方法 | |
TW201807400A (zh) | 使用奇點光束之暗場晶圓奈米缺陷檢驗系統 | |
JP2010536034A (ja) | ウエハーを検査するように構成される装置 | |
JP2009204387A (ja) | 表面検査方法およびそれを用いた検査装置 | |
JP2022517067A (ja) | 非円形瞳を有する検査システム | |
JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
TW202203341A (zh) | 藉由組合來自多個收集通道之資訊之設計至晶圓影像相關性 | |
JP2008261829A (ja) | 表面測定装置 | |
TWI840582B (zh) | 用於光學表面缺陷材料特性化的方法及系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6636104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |