JP6440622B2 - サンプル検査システム検出器 - Google Patents
サンプル検査システム検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6440622B2 JP6440622B2 JP2015539861A JP2015539861A JP6440622B2 JP 6440622 B2 JP6440622 B2 JP 6440622B2 JP 2015539861 A JP2015539861 A JP 2015539861A JP 2015539861 A JP2015539861 A JP 2015539861A JP 6440622 B2 JP6440622 B2 JP 6440622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- array
- photodetectors
- collected
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 87
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- 206010036618 Premenstrual syndrome Diseases 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本特許出願は、米国特許法第119条の下で、2012年10月26日出願の「Sample Inspection System」と題された米国仮特許出願第61/719,048号の優先権を主張する。その主題は参照により本明細書に組み入れられる。
Claims (12)
- 試料の表面に導かれる照射光のビームを生成するように構成された照明源と、
前記照明源によって光を照射される前記試料の前記表面における検査領域の各ピクセルからの一定の量の光を集めるように構成された一以上の光学素子と、
ガイガーモードで動作可能な第一の複数のアバランシェフォトダイオードを含む光検出器の第一のアレイであって、第一の画像分解能を有し、前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第一の部分を受光し、集めたそれぞれの量の光の前記受光した第一の部分に基づいて、第一の複数の出力値を生成するように動作可能な光検出器の第一のアレイと、
第二の画像分解能を有する光検出器の第二のアレイであって、前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第二の部分を受光し、集めたそれぞれの量の光の前記受光した第二の部分に基づいて、第二の複数の出力値を生成するように動作可能な光検出器の第二のアレイと、を備え、
集めたそれぞれの量の光の前記第二の部分が、前記光検出器の第一のアレイの表面から反射し、前記光検出器の第二のアレイの方に向かう、検査システム。 - 試料の表面に導かれる照射光のビームを生成するように構成された照明源と、
前記照明源によって光を照射される前記試料の前記表面における検査領域の各ピクセルからの一定の量の光を集めるように構成された一以上の光学素子と、
ガイガーモードで動作可能な第一の複数のアバランシェフォトダイオードを含む光検出器の第一のアレイであって、第一の画像分解能を有し、前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第一の部分を受光し、集めたそれぞれの量の光の前記受光した第一の部分に基づいて、第一の複数の出力値を生成するように動作可能な光検出器の第一のアレイと、
第二の画像分解能を有する光検出器の第二のアレイであって、前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第二の部分を受光し、集めたそれぞれの量の光の前記受光した第二の部分に基づいて、第二の複数の出力値を生成するように動作可能な光検出器の第二のアレイと、を備え、
集めたそれぞれの量の光の前記第二の部分が、前記光検出器の第一のアレイを通り抜け、前記光検出器の第二のアレイに到達するように、前記光検出器の第一のアレイおよび前記光検出器の第二のアレイが積層構成に配置される、検査システム。 - 前記光検出器の第二のアレイが、リニアモードで動作可能な第二の複数のアバランシェフォトダイオードを含む、請求項1または2の検査システム。
- 前記光検出器の第一のアレイが、リニアモードで動作可能な第三の複数のアバランシェフォトダイオードを含み、前記光検出器の第二のアレイが、ガイガーモードで動作可能な第四の複数のアバランシェフォトダイオードを含む、請求項3の検査システム。
- 前記第一の複数のアバランシェフォトダイオードを、ガイガー動作モードとリニア動作モードとの間で切り替えるように構成された駆動電子部品をさらに備える、請求項1または2の検査システム。
- 前記駆動電子部品が、前記第一の複数のアバランシェフォトダイオードを、スイッチング周波数においてガイガー動作モードとリニア動作モードとの間で切り替える、請求項5の検査システム。
- 前記光検出器の第一のアレイの前方に配置されており、前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の前記第一の部分を前記光検出器の第一のアレイに集束するマイクロレンズアレイをさらに備える、請求項1または2の検査システム。
- 前記第一および第二の複数のアバランシェフォトダイオードが、正面照明アバランシェフォトダイオードまたは背面薄化アバランシェフォトダイオードのいずれかである、請求項3の検査システム。
- 試料の表面に導かれる照射光のビームを生成することと、
前記照射光によって光を照射される前記試料の前記表面における検査領域の各ピクセルから一定の量の光を集めることと、
ガイガーモードで動作可能な第一の複数のアバランシェフォトダイオードを含み、第一の画像分解能を有する光検出器の第一のアレイにおける前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第一の部分を受光することと、
集めたそれぞれの光の前記受光した第一の部分に基づいて、第一の複数の出力値を生成することと、
第二の画像分解能を有する光検出器の第二のアレイにおける前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第二の部分を受光することと、
集めたそれぞれの光の前記受光した第二の部分に基づいて、第二の複数の出力値を生成することと、を含み、
前記それぞれの量の光の第二の部分を受光することが、前記光検出器の第一のアレイの表面から集めたそれぞれの量の光の前記第二の部分を、前記光検出器の第二のアレイの方に反射することをさらに含む、方法。 - 試料の表面に導かれる照射光のビームを生成することと、
前記照射光によって光を照射される前記試料の前記表面における検査領域の各ピクセルから一定の量の光を集めることと、
ガイガーモードで動作可能な第一の複数のアバランシェフォトダイオードを含み、第一の画像分解能を有する光検出器の第一のアレイにおける前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第一の部分を受光することと、
集めたそれぞれの光の前記受光した第一の部分に基づいて、第一の複数の出力値を生成することと、
第二の画像分解能を有する光検出器の第二のアレイにおける前記検査領域の各ピクセルから集めたそれぞれの量の光の第二の部分を受光することと、
集めたそれぞれの光の前記受光した第二の部分に基づいて、第二の複数の出力値を生成することと、を含み、
前記それぞれの量の光の第二の部分を受光することが、前記光検出器の第一のアレイを通った集めたそれぞれの量の光の前記第二の部分を、前記光検出器の第二のアレイに到達するように伝達することをさらに含み、前記光検出器の第一のアレイおよび前記光検出器の第二のアレイが、積層構成において配置される、方法。 - 前記光検出器の第二のアレイが、リニアモードで動作可能な第二の複数のアバランシェフォトダイオードを含む、請求項9または10の方法。
- 前記第一の複数のアバランシェフォトダイオードを、ガイガー動作モードとリニア動作モードとの間で切り替えることをさらに含む、請求項9または10の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261719048P | 2012-10-26 | 2012-10-26 | |
US61/719,048 | 2012-10-26 | ||
US14/062,832 US9086389B2 (en) | 2012-10-26 | 2013-10-24 | Sample inspection system detector |
US14/062,832 | 2013-10-24 | ||
PCT/US2013/066904 WO2014066813A1 (en) | 2012-10-26 | 2013-10-25 | Sample inspection system detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016500926A JP2016500926A (ja) | 2016-01-14 |
JP6440622B2 true JP6440622B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=50545338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539861A Active JP6440622B2 (ja) | 2012-10-26 | 2013-10-25 | サンプル検査システム検出器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9086389B2 (ja) |
JP (1) | JP6440622B2 (ja) |
WO (1) | WO2014066813A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102615439B1 (ko) * | 2023-04-25 | 2023-12-20 | 한국전자기술연구원 | 양자센싱과 Compressive 센싱을 이용한 객체 원격 검출 센서 |
KR102625577B1 (ko) * | 2023-04-25 | 2024-01-16 | 한국전자기술연구원 | 양자센싱과 Compressive 센싱을 이용한 객체 원격 시각화 시스템 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9678350B2 (en) * | 2012-03-20 | 2017-06-13 | Kla-Tencor Corporation | Laser with integrated multi line or scanning beam capability |
CA2957941A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Daniel Summer Gareau | Line-scanning, sample-scanning, multimodal confocal microscope |
US10217889B2 (en) * | 2015-01-27 | 2019-02-26 | Ladarsystems, Inc. | Clamped avalanche photodiode |
LU92665B1 (de) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Leica Microsystems | Verfahren zur verbesserung des dynamikbereichs einer vorrichtung zum detektieren von licht |
JP6523046B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-05-29 | シャープ株式会社 | 光センサ |
JP6791055B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2020-11-25 | 株式会社デンソー | 光検出装置、運転支援システム、及び自動運転システム |
US11016180B2 (en) * | 2017-09-25 | 2021-05-25 | Waymo Llc | Combination photodetector arrays for extended dynamic range |
DE102017222974A1 (de) * | 2017-12-15 | 2019-06-19 | Ibeo Automotive Systems GmbH | Anordnung und Verfahren zur Ermittlung einer Entfernung wenigstens eines Objekts mit Lichtsignalen |
US10511796B1 (en) * | 2018-07-26 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Image sensor system, associated readout circuit thereof and associated method |
US11041714B2 (en) * | 2018-09-07 | 2021-06-22 | Vassili Peidous | Method and apparatus for characterizing objects |
US10690600B1 (en) * | 2018-09-30 | 2020-06-23 | Vassili Peidous | Analyzer of technological surfaces |
TWI759213B (zh) * | 2020-07-10 | 2022-03-21 | 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司 | 光感測器及其感測方法 |
TWI833390B (zh) * | 2022-02-23 | 2024-02-21 | 南亞科技股份有限公司 | 製造缺陷原因之識別系統以及非暫時性電腦可讀媒體 |
KR102479238B1 (ko) * | 2022-04-15 | 2022-12-20 | 선두전자(주) | 양자센서 기반 원거리 고정밀 가스 센싱 장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6608676B1 (en) | 1997-08-01 | 2003-08-19 | Kla-Tencor Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
US20060124832A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-06-15 | Lightspin Technologies, Inc. | Wide dynamic range photodetector |
KR101273965B1 (ko) | 2005-04-22 | 2013-06-12 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 검출기 픽셀, 방사선 검출기, tof-pet 영상화 시스템, 신틸레이터와 함께 수행되는 방법, 및 의료 영상을 생성하는 방법 |
US7161669B2 (en) | 2005-05-06 | 2007-01-09 | Kla- Tencor Technologies Corporation | Wafer edge inspection |
WO2008091286A2 (en) | 2006-07-18 | 2008-07-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Phase-conjugate optical coherence tomography methods and apparatus |
US8519340B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-08-27 | Koninklijke Philips N.V. | High dynamic range light sensor |
DE102009002816A1 (de) | 2009-05-05 | 2010-11-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Radiometrisches Messgerät |
EP2293032A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-09 | Radisens Diagnostic Limited | An Integrated Cytometric Sensor System and Method |
JP5568444B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2014-08-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 |
KR101318951B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2013-10-17 | 한국과학기술원 | 듀얼 가이거 모드 어밸런치 광다이오드를 운용하는 스캐닝 3차원 영상화 펄스 레이저 레이더 시스템 및 방법 |
JP6004421B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 撮像素子、検査装置、及び検出装置 |
-
2013
- 2013-10-24 US US14/062,832 patent/US9086389B2/en active Active
- 2013-10-25 WO PCT/US2013/066904 patent/WO2014066813A1/en active Application Filing
- 2013-10-25 JP JP2015539861A patent/JP6440622B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102615439B1 (ko) * | 2023-04-25 | 2023-12-20 | 한국전자기술연구원 | 양자센싱과 Compressive 센싱을 이용한 객체 원격 검출 센서 |
KR102625577B1 (ko) * | 2023-04-25 | 2024-01-16 | 한국전자기술연구원 | 양자센싱과 Compressive 센싱을 이용한 객체 원격 시각화 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016500926A (ja) | 2016-01-14 |
WO2014066813A1 (en) | 2014-05-01 |
US20140118730A1 (en) | 2014-05-01 |
US9086389B2 (en) | 2015-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6440622B2 (ja) | サンプル検査システム検出器 | |
JP6562420B2 (ja) | ウェハ検査システム | |
US8755044B2 (en) | Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems | |
US9255891B2 (en) | Inspection beam shaping for improved detection sensitivity | |
US8878119B2 (en) | Optical inspection method and optical inspection apparatus | |
US11138722B2 (en) | Differential imaging for single-path optical wafer inspection | |
US20150116702A1 (en) | Defect inspection method and defect inspection device | |
US9568437B2 (en) | Inspection device | |
US20200271594A1 (en) | Inspection Device and Detector |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170912 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20171204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6440622 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |