JP6632791B2 - Resin composition for sealing and semiconductor device - Google Patents

Resin composition for sealing and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP6632791B2
JP6632791B2 JP2014060297A JP2014060297A JP6632791B2 JP 6632791 B2 JP6632791 B2 JP 6632791B2 JP 2014060297 A JP2014060297 A JP 2014060297A JP 2014060297 A JP2014060297 A JP 2014060297A JP 6632791 B2 JP6632791 B2 JP 6632791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
sealing resin
group
mass
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014060297A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015183077A (en
Inventor
洋史 黒田
洋史 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2014060297A priority Critical patent/JP6632791B2/en
Priority to PCT/JP2015/058185 priority patent/WO2015146764A1/en
Priority to KR1020167028385A priority patent/KR101827667B1/en
Priority to CN201580015939.8A priority patent/CN106133055B/en
Priority to TW104109344A priority patent/TWI648335B/en
Publication of JP2015183077A publication Critical patent/JP2015183077A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6632791B2 publication Critical patent/JP6632791B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/548—Silicon-containing compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/3218—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/688—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、封止用樹脂組成物、および半導体装置に関する。   The present invention relates to a sealing resin composition and a semiconductor device.

ボンディングワイヤを備える半導体装置における信頼性向上のため、封止用樹脂組成物について様々な検討がなされている。このような技術としては、たとえば特許文献１に記載のものが挙げられる。   In order to improve the reliability of a semiconductor device having a bonding wire, various studies have been made on a sealing resin composition. As such a technique, for example, a technique described in Patent Document 1 can be mentioned.

特許文献１には、加水分解性塩素量が１０〜２０ｐｐｍのビフェニル型エポキシ樹脂を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。   Patent Document 1 describes an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing a biphenyl-type epoxy resin having an amount of hydrolyzable chlorine of 10 to 20 ppm.

特開２０１３−６７６９４号公報JP 2013-67694 A

半導体素子と、半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止用樹脂組成物の硬化物により封止してなる半導体装置について、その信頼性を向上させることが求められている。   It is required to improve the reliability of a semiconductor device in which a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component are sealed with a cured product of a sealing resin composition. Have been.

本発明によれば、
半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
硫黄含有化合物と、
充填剤と、
を含み、
前記硫黄含有化合物がメルカプトシランであり、
前記封止用樹脂組成物全体に対する前記硫黄含有化合物の含有量は０．１５質量％以上２質量％以下であり、
下記条件１により算出される膨れ率Ｓが、１０１％以上１５０％以下である封止用樹脂組成物が提供される。 （条件１：前記封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物１．０ｇと、Ｃｕワイヤ（中心点における最大径Ｄ０＝２０μｍ）を介して互いに接続されたリードフレームおよび半導体チップにより構成される構造体と、を前記Ｃｕワイヤが空気にさらされるように内径５０ｍｍ、高さ１７ｍｍのガラスシャーレである密閉容器内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行う。次いで、前記Ｃｕワイヤの中心点における最大径Ｄ１を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ１／Ｄ０×１００（％）を算出する） According to the present invention,
A sealing resin composition used for sealing a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component,
Epoxy resin,
A curing agent,
A sulfur-containing compound;
A filler,
Including
It said sulfur-containing compound is Merukaputoshira down,
The content of the sulfur-containing compound with respect to the entire sealing resin composition is 0.15% by mass or more and 2% by mass or less,
A sealing resin composition having a swelling ratio S calculated by the following condition 1 of 101% or more and 150% or less is provided. (Condition 1: A cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours is pulverized to obtain a pulverized product. Then, 1.0 g of the pulverized product and a Cu wire ( A glass Petri dish having an inner diameter of 50 mm and a height of 17 mm so that the Cu wire is exposed to air, and a structure constituted by a lead frame and a semiconductor chip connected to each other via a maximum diameter D 0 at the center point (D 0 = 20 μm). And heat-treated in an air atmosphere at 200 ° C. for 96 hours.Then, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire was measured, and the swelling ratio S was determined from the obtained result. = D 1 / D 0 × 100 (%) is calculated)

また、本発明によれば、
半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、
上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置が提供される。 According to the present invention,
A semiconductor element;
A bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component;
A sealing resin formed of a cured product of the above-described sealing resin composition, and sealing the semiconductor element and the bonding wire;
A semiconductor device comprising:

本発明によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。   According to the present invention, the reliability of a semiconductor device can be improved.

本実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor device according to the embodiment. 膨れ率の測定方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the measuring method of a swelling rate.

以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図１は、本実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硫黄含有化合物と、を含む。また、封止用樹脂組成物は、下記条件１により算出される膨れ率Ｓが、１５０％以下である。
（条件１：前記封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物１．０ｇと、Ｃｕワイヤ（中心点における最大径Ｄ０＝２０μｍ）を介して互いに接続されたリードフレームおよび半導体チップにより構成される構造体と、を前記Ｃｕワイヤが空気にさらされるように密閉容器内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行う。次いで、前記Ｃｕワイヤの中心点における最大径Ｄ１を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ１／Ｄ０×１００（％）を算出する） FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device 100 according to the present embodiment.
The sealing resin composition according to the present embodiment is a sealing resin composition used for sealing a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component. And an epoxy resin, a curing agent, and a sulfur-containing compound. Moreover, the swelling ratio S calculated by the following condition 1 of the sealing resin composition is 150% or less.
(Condition 1: A cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours is pulverized to obtain a pulverized product. Then, 1.0 g of the pulverized product and a Cu wire ( The structure composed of the lead frame and the semiconductor chip connected to each other through the maximum diameter D 0 at the center point (D 0 = 20 μm) is placed in a closed container such that the Cu wire is exposed to air, and is placed under an air atmosphere. Heat treatment is performed for 96 hours at 200 ° C. Next, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire is measured, and the swelling ratio S = D 1 / D 0 × 100 (%) is obtained from the obtained result. Is calculated)

半導体装置の信頼性を示す指標の一つとして、高温保管特性が挙げられる。高温保管特性は、たとえばＣｕを主成分とするボンディングワイヤと半導体素子との接続部についての、高温条件下で長期間保管した後の接続性に基づいて評価され得る。本発明者は、上記条件１により測定される膨れ率Ｓを制御することによって、高温保管特性の向上を図ることができることを新たに知見した。本実施形態は、このような知見に基づいて、上記条件１により測定される膨れ率Ｓが１５０％以下である封止用樹脂組成物を実現するものである。これにより、封止用樹脂組成物を用いて製造される半導体装置の高温保管特性を向上させることができる。したがって、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。   One of the indexes indicating the reliability of a semiconductor device is a high-temperature storage characteristic. The high-temperature storage characteristics can be evaluated, for example, based on the connectivity of the connection between the bonding wire containing Cu as a main component and the semiconductor element after being stored for a long time under high-temperature conditions. The inventor has newly found that the high-temperature storage characteristics can be improved by controlling the swelling ratio S measured under the above condition 1. The present embodiment realizes a sealing resin composition whose swelling ratio S measured under the above condition 1 is 150% or less based on such knowledge. Thereby, the high-temperature storage characteristics of the semiconductor device manufactured using the sealing resin composition can be improved. Therefore, the reliability of the semiconductor device can be improved.

以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物、および封止用樹脂組成物の硬化物により構成される封止樹脂５０を備える半導体装置１００について詳細に説明する。   Hereinafter, the semiconductor device 100 including the sealing resin composition according to the present embodiment and the sealing resin 50 formed of a cured product of the sealing resin composition will be described in detail.

まず、封止用樹脂組成物について説明する。
封止用樹脂組成物は、半導体素子と、半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる。本実施形態においては、半導体素子およびボンディングワイヤを、封止用樹脂組成物の硬化物により構成される封止樹脂により封止することにより、半導体パッケージが形成される場合が例示される。 First, the sealing resin composition will be described.
The sealing resin composition is used for sealing a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component. In the present embodiment, a case is exemplified in which a semiconductor package is formed by sealing a semiconductor element and a bonding wire with a sealing resin made of a cured product of a sealing resin composition.

半導体素子は、たとえばリードフレームを構成するダイパッドもしくは有機基板等の基材上、または他の半導体素子上に搭載される。このとき、半導体素子は、ボンディングワイヤを介して、リードフレームを構成するアウターリード、有機基板または他の半導体素子と電気的に接続することとなる。ボンディングワイヤは、たとえば半導体素子に設けられる電極パッドに接続される。半導体素子の電極パッドは、たとえば少なくとも表面がＡｌを主成分とする金属材料により構成される。   The semiconductor element is mounted on a base material such as a die pad or an organic substrate constituting a lead frame, or on another semiconductor element. At this time, the semiconductor element is electrically connected to an outer lead, an organic substrate, or another semiconductor element forming a lead frame via a bonding wire. The bonding wire is connected to, for example, an electrode pad provided on the semiconductor element. The electrode pad of the semiconductor element has, for example, at least a surface made of a metal material mainly containing Al.

ボンディングワイヤは、Ｃｕを主成分とする金属材料により構成される。このような金属材料としては、たとえばＣｕ単体からなる金属材料、またはＣｕを主成分として他の金属を含む合金材料が挙げられる。
本実施形態においては、Ｃｕの含有量が９９．９質量％以上である金属材料により構成されるボンディングワイヤを用いることが、低コスト化等の観点から好ましい態様の一例として挙げられる。一般的に、このようなＣｕワイヤを用いる場合、半導体装置の高温保管特性を向上させることが困難となることが懸念される。しかしながら、本実施形態によれば、後述する膨れ率Ｓを制御することによって、上述のようなＣｕワイヤを用いた場合であっても優れた高温保管特性を実現することができる。 The bonding wire is made of a metal material containing Cu as a main component. Examples of such a metal material include a metal material composed of Cu alone or an alloy material containing Cu as a main component and other metals.
In the present embodiment, use of a bonding wire made of a metal material having a Cu content of 99.9% by mass or more is an example of a preferable embodiment from the viewpoint of cost reduction and the like. Generally, when such a Cu wire is used, there is a concern that it may be difficult to improve the high-temperature storage characteristics of the semiconductor device. However, according to the present embodiment, by controlling the swelling ratio S described later, excellent high-temperature storage characteristics can be realized even when the above-described Cu wire is used.

封止用樹脂組成物は、下記条件１により算出される膨れ率Ｓが１５０％以下である。これにより、上述のように、半導体装置の高温保管特性を向上させることができる。   The swelling ratio S calculated by the following condition 1 of the sealing resin composition is 150% or less. Thereby, as described above, the high-temperature storage characteristics of the semiconductor device can be improved.

条件１：前記封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物１．０ｇと、Ｃｕワイヤ（中心点における最大径Ｄ０＝２０μｍ）を介して互いに接続されたリードフレームおよび半導体チップにより構成される構造体と、を前記Ｃｕワイヤが空気にさらされるように密閉容器内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行う。次いで、前記Ｃｕワイヤの中心点における最大径Ｄ１を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ１／Ｄ０×１００（％）を算出する。 Condition 1: A cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours is pulverized to obtain a pulverized product. Next, 1.0 g of the pulverized material and a structure composed of a lead frame and a semiconductor chip connected to each other via a Cu wire (maximum diameter D 0 = 20 μm at the center point) are combined with the Cu wire by air. It is placed in a closed container so as to be exposed, and heat-treated at 200 ° C. for 96 hours in an air atmosphere. Next, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire is measured, and the swelling ratio S = D 1 / D 0 × 100 (%) is calculated from the obtained result.

上記条件１における硬化物の粉砕処理は、たとえばＴＩ−１００（（株）シー・エム・ティー製）を用いて、硬化物５ｇを粉砕釜に入れて、２分間粉砕することにより行うことができる。密閉容器としては、たとえば内径５０ｍｍ、高さ１７ｍｍのガラスシャーレを用いることができる。熱処理は、たとえばＣｕワイヤ全体が空気にさらされた状態において行われる。Ｃｕワイヤとしては、たとえば４Ｎグレードのもの、すなわちＣｕの含有量が９９．９９質量％以上であるワイヤを使用することができる。
なお、Ｃｕワイヤの中心点とは、リードフレームに接する一端からの距離と、半導体チップに接する他端からの距離と、が等しい点を指す。また、Ｄ０およびＤ１は、それぞれ中心点を含み、かつＣｕワイヤの延在方向に垂直な断面における最大径である。この断面が楕円である場合にはその長径が、真円である場合にはその直径が、それぞれ最大径となる。 The pulverization treatment of the cured product under the above condition 1 can be performed by, for example, using TI-100 (manufactured by CMT Corporation), putting 5 g of the cured product in a pulverizing pot, and pulverizing for 2 minutes. . As the closed container, for example, a glass petri dish having an inner diameter of 50 mm and a height of 17 mm can be used. The heat treatment is performed, for example, in a state where the entire Cu wire is exposed to air. As the Cu wire, for example, a 4N grade wire, that is, a wire having a Cu content of 99.99% by mass or more can be used.
The center point of the Cu wire refers to a point at which the distance from one end in contact with the lead frame is equal to the distance from the other end in contact with the semiconductor chip. D 0 and D 1 are the maximum diameters in the cross section including the center point and perpendicular to the extending direction of the Cu wire. If the cross section is elliptical, its major axis is the maximum diameter, and if it is a perfect circle, its diameter is the maximum diameter.

硫黄化合物を含む感光性樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置においては、優れた高温保管特性を得ることが困難となることが懸念される。これは、高温環境下で長時間、硫黄化合物に起因して発生するガスに曝されることにより、Ｃｕワイヤと電極パッドの接続性が低下することが要因の一つとして想定される。このため、高温保管特性を向上させることが求められているが、たとえば１０００時間という長時間の高温保管時における接続信頼性の維持を実現することが可能な封止用樹脂組成物であることを示す指標としては、これまで十分なものがなかった。
本発明者は、上記条件１により算出される膨れ率Ｓが、長時間の高温保管時における接続信頼性を向上させることが可能であることを示す指標となり得ることを新たに知見した。本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、このような知見に基づいて、上記条件１により算出される膨れ率Ｓを１５０％以下に制御するものである。したがって、本実施形態に係る封止用樹脂組成物によれば、高温保管特性に優れた半導体装置を実現することができる。 In a semiconductor device including a sealing resin formed using a photosensitive resin composition containing a sulfur compound, there is a concern that it may be difficult to obtain excellent high-temperature storage characteristics. This is supposed as one of the factors that the connectivity between the Cu wire and the electrode pad is reduced due to long-term exposure to a gas generated by the sulfur compound in a high-temperature environment. For this reason, although it is required to improve high-temperature storage characteristics, it is a sealing resin composition capable of realizing maintenance of connection reliability during long-term high-temperature storage of, for example, 1000 hours. There have been no sufficient indicators to date.
The inventor has newly found that the swelling ratio S calculated according to the above condition 1 can be an index indicating that connection reliability during long-term high-temperature storage can be improved. The sealing resin composition according to the present embodiment controls the swelling ratio S calculated under the above condition 1 to 150% or less based on such knowledge. Therefore, according to the sealing resin composition according to the present embodiment, a semiconductor device having excellent high-temperature storage characteristics can be realized.

半導体装置の高温保管特性を向上させる観点からは、封止用樹脂組成物の膨れ率Ｓが１４５％以下であることがより好ましい。なお、膨れ率Ｓの下限値は、とくに限定されないが、たとえば１０１％とすることができる。   From the viewpoint of improving the high-temperature storage characteristics of the semiconductor device, the swelling ratio S of the sealing resin composition is more preferably 145% or less. The lower limit of the swelling ratio S is not particularly limited, but may be, for example, 101%.

本実施形態において、封止用樹脂組成物の膨れ率Ｓは、たとえば封止用樹脂組成物に含まれる各成分の種類や含有量、および封止用樹脂組成物の調整方法等を適切に調整することにより制御することが可能である。この封止用樹脂組成物の調整方法の例としては、後述する充填剤（Ｄ）に対する硫黄含有化合物（Ｃ）による表面処理が挙げられる。   In the present embodiment, the swelling ratio S of the sealing resin composition is appropriately adjusted, for example, by adjusting the type and content of each component contained in the sealing resin composition, the method of adjusting the sealing resin composition, and the like. By doing so, it is possible to control. As an example of a method for adjusting the sealing resin composition, a surface treatment with a sulfur-containing compound (C) with respect to a filler (D) described later can be mentioned.

封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、硫黄含有化合物（Ｃ）と、を含む。これにより、封止用樹脂組成物を用いて、ボンディングワイヤおよび半導体素子を封止するための封止樹脂を形成することが可能となる。   The sealing resin composition contains an epoxy resin (A), a curing agent (B), and a sulfur-containing compound (C). This makes it possible to form a sealing resin for sealing the bonding wire and the semiconductor element using the sealing resin composition.

（（Ａ）エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、アラルキル型エポキシ樹脂、およびビフェニル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。なお、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、およびテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ならびにスチルベン型エポキシ樹脂は、結晶性を有するものであることが好ましい。 ((A) epoxy resin)
As the epoxy resin (A), all monomers, oligomers and polymers having two or more epoxy groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure are not particularly limited.
In the present embodiment, the epoxy resin (A) is, for example, a biphenyl type epoxy resin; a bisphenol type epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a tetramethyl bisphenol F type epoxy resin; a stilbene type epoxy resin; Novolak epoxy resins such as novolak epoxy resins and cresol novolak epoxy resins; polyfunctional epoxy resins such as triphenolmethane epoxy resins and alkyl-modified triphenolmethane epoxy resins; phenolaralkyl epoxy resins having a phenylene skeleton; biphenylene Aralkyl epoxy resins such as phenol aralkyl epoxy resins having a skeleton; dihydroxynaphthalene epoxy resins and dihydroxynaphthalene dimers Naphthol type epoxy resins such as epoxy resin obtained by sidyl etherification; Triazine nucleus containing epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate; Bridged cyclic hydrocarbon compounds such as dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin One or more selected from modified phenolic epoxy resins can be included. Among these, it is more preferable to include at least one of an aralkyl type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin, and it is particularly preferable to include an aralkyl type epoxy resin. In addition, bisphenol type epoxy resins such as aralkyl type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and tetramethyl bisphenol F type epoxy resin, and stilbene type epoxy resin have crystallinity. Preferably, it is

エポキシ樹脂（Ａ）としては、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（３）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含有するものを用いることがより好ましい。これらの中でも、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（２）で表されるエポキシ樹脂のうちの少なくとも一種を含有するものを用いることがとくに好ましい。   The epoxy resin (A) is selected from the group consisting of an epoxy resin represented by the following formula (1), an epoxy resin represented by the following formula (2), and an epoxy resin represented by the following formula (3). It is more preferable to use one containing at least one of the above. Among these, it is particularly preferable to use one containing at least one of the epoxy resin represented by the following formula (1) and the epoxy resin represented by the following formula (2).

Figure 0006632791
（式（１）中、Ａｒ１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｇは０〜５の整数であり、ｈは０〜８の整数である。ｎ３は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
Figure 0006632791
 (In the formula (1), Ar 1 represents a phenylene group or a naphthylene group. When Ar 1 is a naphthylene group, the glycidyl ether group may be bonded to either the α-position or the β-position. Ar 2 is a phenylene group. , A biphenylene group or a naphthylene group, wherein R a and R b each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, g is an integer of 0 to 5, and h Is an integer of 0 to 8. n3 represents the degree of polymerization, and the average value is 1 to 3. )

Figure 0006632791
（式（２）中、複数存在するＲｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ５は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
Figure 0006632791
 (In the formula (2), a plurality of R c independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. N 5 represents a degree of polymerization, and the average value thereof is 0 to 4)

Figure 0006632791
（式（３）中、複数存在するＲｄおよびＲｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ６は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
Figure 0006632791
 (In formula (3), a plurality of R d and R e independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. N 6 represents a degree of polymerization, and the average value thereof is 0 to 4 Is)

封止用樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の粘度上昇に起因したボンディングワイヤ切れを抑制することができる。一方で、封止用樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。   The content of the epoxy resin (A) in the sealing resin composition is, for example, preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, based on the entire sealing resin composition. It is particularly preferred that the content be 5% by mass or more. By setting the content of the epoxy resin (A) to be equal to or more than the above lower limit, it is possible to prevent the bonding wire from being broken due to an increase in the viscosity of the sealing resin composition. On the other hand, the content of the epoxy resin (A) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 50% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, it is particularly preferably at most 20% by mass. When the content of the epoxy resin (A) is equal to or less than the above upper limit, the moisture resistance reliability and the reflow resistance of the semiconductor device can be improved.

（（Ｂ）硬化剤）
封止用樹脂組成物に含まれる硬化剤（Ｂ）としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。 ((B) curing agent)
The curing agent (B) contained in the sealing resin composition can be broadly classified into three types, for example, a polyaddition type curing agent, a catalyst type curing agent, and a condensation type curing agent.

硬化剤（Ｂ）に用いられる重付加型の硬化剤としては、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。   Examples of the polyaddition type curing agent used for the curing agent (B) include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), In addition to aromatic polyamines such as m-phenylenediamine (MPDA) and diaminodiphenylsulfone (DDS), polyamine compounds including dicyandiamide (DICY), organic acid dihydralazide, etc .; hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride ( Acid anhydrides including alicyclic acid anhydrides such as MTHPA), aromatic acid anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA) and benzophenonetetracarboxylic acid (BTDA); novolak type H Nord resin, phenol resin-based curing agent such as polyvinyl phenol; polysulfide, thioester, polymercaptan compounds such as thioethers; isocyanate prepolymer, isocyanate compounds such as blocked isocyanate; and organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins.

硬化剤（Ｂ）に用いられる触媒型の硬化剤としては、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などが挙げられる。   Examples of the catalyst type curing agent used for the curing agent (B) include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine (BDMA) and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol (DMP-30); Imidazole compounds such as imidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole (EMI24); and Lewis acids such as BF3 complex.

硬化剤（Ｂ）に用いられる縮合型の硬化剤としては、たとえばレゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。   Examples of the condensation type curing agent used for the curing agent (B) include a resol type phenol resin; a urea resin such as a methylol group-containing urea resin; and a melamine resin such as a methylol group-containing melamine resin.

これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤が好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。
硬化剤（Ｂ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等から選択される一種または二種以上を含むことができる。 Among these, a phenolic resin-based curing agent is preferred from the viewpoint of improving the balance among flame resistance, moisture resistance, electrical properties, curability, storage stability, and the like. As the phenolic resin-based curing agent, any monomer, oligomer, or polymer having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule can be used, and its molecular weight and molecular structure are not particularly limited.
Examples of the phenolic resin-based curing agent used as the curing agent (B) include novolak resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin and bisphenol novolak; polyvinylphenol; polyfunctional phenol resins such as triphenolmethane phenol resin; Modified phenolic resins such as modified phenolic resins and dicyclopentadiene modified phenolic resins; aralkyl resins such as phenolaralkyl resins having a phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton, and naphthol aralkyl resins having a phenylene and / or biphenylene skeleton; bisphenol A, bisphenol One or two or more selected from bisphenol compounds such as F can be included.

硬化剤（Ｂ）としては、下記式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化剤を含むことがとくに好ましい。   It is particularly preferable that the curing agent (B) contains at least one curing agent selected from the group consisting of compounds represented by the following formula (4).

Figure 0006632791
（式（４）中、Ａｒ３はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ３がナフチレン基の場合、水酸基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ４は、フェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲｆおよびＲｇは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｉは０〜５の整数であり、ｊは０〜８の整数である。ｎ４は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
Figure 0006632791
 (In the formula (4), Ar 3 represents a phenylene group or a naphthylene group, and when Ar 3 is a naphthylene group, the hydroxyl group may be bonded to any of the α-position and the β-position. Ar 4 is a phenylene group; R f and R g each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, i represents an integer of 0 to 5, and j represents a biphenylene group or a naphthylene group. is an integer of 0 to 8 .n 4 denote the degree of polymerization, the average value is 1-3)

封止用樹脂組成物中における硬化剤（Ｂ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、４質量％以上であることがとくに好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、十分な流動性を有する封止用樹脂組成物を実現し、成型性の向上を図ることができる。一方で、封止用樹脂組成物中における硬化剤（Ｂ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１５質量％以下であることが好ましく、１３質量％以下であることがより好ましく、１１質量％以下であることがとくに好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。   The content of the curing agent (B) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 2% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, based on the entire encapsulating resin composition. It is particularly preferred that the content be 4% by mass or more. By setting the content of the curing agent (B) to the above lower limit or more, a sealing resin composition having sufficient fluidity can be realized, and the moldability can be improved. On the other hand, the content of the curing agent (B) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 15% by mass or less, and more preferably 13% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, it is particularly preferably at most 11% by mass. By setting the content of the curing agent (B) to the above upper limit or less, the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device can be improved.

（（Ｃ）硫黄含有化合物）
硫黄含有化合物（Ｃ）は、一または二以上の硫黄原子を含む化合物である。封止用樹脂組成物中に硫黄含有化合物（Ｃ）を含ませることにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂の、他の部材に対する密着性を向上させることができる。他の部材としては、たとえばリードフレーム等の基板や、ボンディングワイヤ等が挙げられる。また、これにより、半導体装置の耐リフロー性の向上に寄与することもできる。また、このように硫黄含有化合物（Ｃ）を使用する場合においても、上記条件１により算出される膨れ率Ｓを制御することによって、優れた高温保管特性を実現することができる。したがって、本実施形態によれば、高温保管特性と耐リフロー性の両立を図ることが可能となる。 ((C) sulfur-containing compound)
The sulfur-containing compound (C) is a compound containing one or more sulfur atoms. By including the sulfur-containing compound (C) in the sealing resin composition, the adhesion of the sealing resin formed using the sealing resin composition to other members can be improved. Examples of other members include a substrate such as a lead frame, a bonding wire, and the like. This can also contribute to improving the reflow resistance of the semiconductor device. Further, even when the sulfur-containing compound (C) is used as described above, excellent high-temperature storage characteristics can be realized by controlling the swelling ratio S calculated under the above condition 1. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to achieve both high-temperature storage characteristics and reflow resistance.

封止用樹脂組成物が後述する充填材（Ｄ）を含む場合には、たとえば硫黄含有化合物（Ｃ）を用いて表面処理した充填材（Ｄ）を、これら以外の成分とともにミキサーへ投入して混合することによって、硫黄含有化合物（Ｃ）を封止用樹脂組成物中に含ませることができる。また、硫黄含有化合物（Ｃ）は、充填剤（Ｄ）に対して上記表面処理を行うことにより封止用樹脂組成物に含まれる場合以外に、ミキサー内に直接投入して他の成分と混合することにより封止用樹脂組成物内に含まれていてもよい。   When the encapsulating resin composition contains a filler (D) to be described later, the filler (D) surface-treated using, for example, a sulfur-containing compound (C) is charged into a mixer together with other components. By mixing, the sulfur-containing compound (C) can be included in the sealing resin composition. Further, the sulfur-containing compound (C) is directly added into the mixer and mixed with other components, except when the filler (D) is subjected to the above-mentioned surface treatment to be included in the sealing resin composition. By doing so, it may be included in the sealing resin composition.

硫黄含有化合物（Ｃ）は、たとえばγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のトリアルコキシメルカプトシランや、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のモノアルキルジアルコキシメルカプトシラン、γ−メルカプトプロピルジメチルメトキシシラン等のジアルキルモノアルコキシメルカプトシラン等に例示されるメルカプトシラン、および３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−チオール、３，５−ジメルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾール−５−チオール、５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール−３−メタノール等のチオトリアゾール化合物等に代表される１，２，４−トリアゾール環、または１，２，３−トリアゾール環に硫黄を含む置換基を有する化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、封止樹脂の密着性を向上させる観点からは、メルカプトシランを含むことがより好ましく、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシランを含むことがとくに好ましい。   Examples of the sulfur-containing compound (C) include trialkoxymercaptosilanes such as γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, monoalkyl dialkoxymercaptosilanes such as γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, and dialkyls such as γ-mercaptopropyldimethylmethoxysilane. Mercaptosilane exemplified by monoalkoxymercaptosilane and the like, and 3-amino-1,2,4-triazole-5-thiol, 3,5-dimercapto-1,2,4-triazole, 3-hydroxy-1,2 1,2,4-triazole ring represented by thiotriazole compounds such as 1,4-triazole-5-thiol and 5-mercapto-1,2,4-triazole-3-methanol, or 1,2,3- Compounds having a sulfur-containing substituent on the triazole ring It can include one or more selected from. Among these, from the viewpoint of improving the adhesion of the sealing resin, it is more preferable to include mercaptosilane, and particularly preferable to include γ-mercaptopropyltrialkoxysilane.

封止用樹脂組成物中における硫黄含有化合物（Ｃ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがとくに好ましい。硫黄含有化合物（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止樹脂の密着性をより効果的に向上させることができる。また、封止用樹脂組成物が充填材（Ｄ）を含む場合には、封止用樹脂組成物中における充填剤（Ｄ）の分散性を良好なものとすることもできる。このため、耐湿信頼性や耐リフロー性等をより効果的に向上させることが可能となる。一方で、封止用樹脂組成物中における硫黄含有化合物（Ｃ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることがとくに好ましい。硫黄含有化合物（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性の向上を図ることができる。   The content of the sulfur-containing compound (C) in the sealing resin composition is, for example, preferably 0.05% by mass or more, and more preferably 0.1% by mass or more based on the whole sealing resin composition. More preferably, it is particularly preferably 0.15% by mass or more. By setting the content of the sulfur-containing compound (C) to the above lower limit or more, the adhesion of the sealing resin can be more effectively improved. When the sealing resin composition contains the filler (D), the dispersibility of the filler (D) in the sealing resin composition can be improved. For this reason, it is possible to more effectively improve the moisture resistance reliability, the reflow resistance, and the like. On the other hand, the content of the sulfur-containing compound (C) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 2% by mass or less, and more preferably 1% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. Is more preferable, and particularly preferably 0.5% by mass or less. When the content of the sulfur-containing compound (C) is equal to or less than the above upper limit, the fluidity of the sealing resin composition can be improved, and the moldability can be improved.

（（Ｄ）充填材）
封止用樹脂組成物は、たとえば充填剤（Ｄ）を含むことができる。充填材（Ｄ）としては、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができ、たとえば溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等の無機充填材、オルガノシリコーンパウダー、ポリエチレンパウダー等の有機充填材が挙げられる。これらのうち、溶融球状シリカを用いることがとくに好ましい。これらの充填材は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
また、充填材（Ｄ）の形状としては、とくに限定されないが、封止用樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えつつ、充填材の含有量を高める観点から、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。 ((D) filler)
The sealing resin composition can include, for example, a filler (D). As the filler (D), those used in general epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation can be used. For example, fused spherical silica, fused crushed silica, crystalline silica, talc, alumina, titanium white, nitrided Examples include inorganic fillers such as silicon, and organic fillers such as organosilicone powder and polyethylene powder. Of these, the use of fused spherical silica is particularly preferred. One of these fillers may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
Further, the shape of the filler (D) is not particularly limited, but from the viewpoint of increasing the content of the filler while suppressing an increase in the melt viscosity of the encapsulating resin composition, the shape is as spherical as possible, and the particle size is Preferably, the distribution is broad.

本実施形態においては、硫黄含有化合物（Ｃ）を用いてあらかじめ表面処理した充填材（Ｄ）を、これら以外の成分とともにミキサーへ投入して混合することによって封止用樹脂組成物を作製することができる。
充填剤（Ｄ）に対する硫黄含有化合物（Ｃ）による表面処理は、たとえば次のように行うことができる。まず、充填剤（Ｄ）をミキサーに投入した後、撹拌を開始し、そこにさらに硫黄含有化合物（Ｃ）を投入してこれらを１〜５分間撹拌し、充填剤（Ｄ）および硫黄含有化合物（Ｃ）の混合物を得る。次いで、この混合物をミキサーから取り出して放置する。放置時間は、適宜選択することができ、たとえば３分〜１時間とすることができる。これにより、硫黄含有化合物（Ｃ）により表面処理が施された充填剤（Ｄ）が得られる。また、放置処理後の充填剤（Ｄ）に対して、さらに熱処理を施してもよい。熱処理は、たとえば３０〜８０℃、０．１〜１０時間の条件下において行うことができる。さらに、本実施形態においては、ミキサー内の充填剤（Ｄ）に対して噴霧器を用いて硫黄含有化合物（Ｃ）を噴霧しながら、充填剤（Ｄ）を撹拌することにより、充填剤（Ｄ）および硫黄含有化合物（Ｃ）の混合物を得てもよい。噴霧器としては、たとえば二流体ノズル等を備えた微細な液滴を噴霧し得る装置を用いることができる。このような噴霧器を使用することにより、充填剤（Ｄ）表面がより均一に硫黄含有化合物（Ｃ）で処理され好ましい。本実施形態においては、たとえば上記表面処理の条件を調整することにより、膨れ率Ｓを制御することができる。この表面処理の条件としては、たとえば噴霧器の使用の有無、放置時間、熱処理の有無および熱処理条件等が挙げられる。
なお、充填材（Ｄ）に対する上記表面処理は行わなくともよい。 In the present embodiment, the sealing resin composition is prepared by putting the filler (D), which has been surface-treated in advance using the sulfur-containing compound (C), together with the other components into a mixer and mixing the components. Can be.
The surface treatment of the filler (D) with the sulfur-containing compound (C) can be performed, for example, as follows. First, after charging the filler (D) into the mixer, stirring is started, and the sulfur-containing compound (C) is further charged therein, and these are stirred for 1 to 5 minutes to obtain the filler (D) and the sulfur-containing compound. A mixture of (C) is obtained. The mixture is then removed from the mixer and left to stand. The leaving time can be appropriately selected, and can be, for example, 3 minutes to 1 hour. Thereby, a filler (D) surface-treated with the sulfur-containing compound (C) is obtained. Further, the filler (D) after the leaving treatment may be further subjected to a heat treatment. The heat treatment can be performed, for example, at 30 to 80 ° C. for 0.1 to 10 hours. Further, in the present embodiment, the filler (D) is stirred while the sulfur-containing compound (C) is sprayed onto the filler (D) in the mixer using a sprayer. And a mixture of sulfur-containing compound (C). As the sprayer, for example, a device having a two-fluid nozzle or the like that can spray fine droplets can be used. Use of such a sprayer is preferable because the surface of the filler (D) is more uniformly treated with the sulfur-containing compound (C). In the present embodiment, the swelling ratio S can be controlled, for example, by adjusting the conditions of the surface treatment. Conditions for the surface treatment include, for example, whether or not a sprayer is used, a standing time, whether or not heat treatment is performed, and heat treatment conditions.
Note that the above-described surface treatment for the filler (D) may not be performed.

封止用樹脂組成物中における充填剤（Ｄ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して３５質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６５質量％以上であることがとくに好ましい。充填剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。一方で、封止用樹脂組成物中における充填剤（Ｄ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがとくに好ましい。充填剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性の低下にともなう成型性の低下や、高粘度化に起因したボンディングワイヤ流れ等を抑制することが可能となる。   The content of the filler (D) in the sealing resin composition is, for example, preferably 35% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, based on the entire sealing resin composition. It is particularly preferred that the content be 65% by mass or more. By setting the content of the filler (D) to the above lower limit or more, low moisture absorption and low thermal expansion can be improved, and moisture resistance reliability and reflow resistance can be more effectively improved. On the other hand, the content of the filler (D) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 95% by mass or less, and more preferably 93% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, it is particularly preferably 90% by mass or less. By setting the content of the filler (D) to be equal to or less than the above upper limit, a decrease in moldability due to a decrease in fluidity of the sealing resin composition and a flow of a bonding wire due to a high viscosity are suppressed. It becomes possible.

（（Ｅ）イオン捕捉剤）
封止用樹脂組成物は、たとえばイオン捕捉剤（Ｅ）を含むことができる。これにより、封止用樹脂組成物を用いて形成される封止樹脂を備える半導体装置の高温保管特性を、より効果的に向上させることができる。イオン捕捉剤（Ｅ）は、とくに限定されないが、たとえばハイドロタルサイト類および多価金属酸性塩等の無機イオン交換体から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、高温保管特性を向上させる観点からは、ハイドロタルサイト類を含むことがとくに好ましい。 ((E) ion scavenger)
The sealing resin composition can contain, for example, an ion scavenger (E). Thereby, the high-temperature storage characteristics of the semiconductor device including the sealing resin formed using the sealing resin composition can be more effectively improved. The ion scavenger (E) is not particularly limited, but may contain one or more selected from inorganic ion exchangers such as hydrotalcites and acidic salts of polyvalent metals. Among them, from the viewpoint of improving high-temperature storage characteristics, it is particularly preferable to include hydrotalcites.

封止用樹脂組成物中におけるイオン捕捉剤（Ｅ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以上であることがとくに好ましい。イオン捕捉剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、高温保管特性をより効果的に向上させることができる。一方で、封止用樹脂組成物中におけるイオン捕捉剤（Ｅ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることが好ましく、０．８質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることがとくに好ましい。イオン捕捉剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。   The content of the ion scavenger (E) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 0.05% by mass or more, and more preferably 0.1% by mass or more based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, it is particularly preferably 0.15% by mass or more. When the content of the ion scavenger (E) is at least the lower limit, the high-temperature storage characteristics can be more effectively improved. On the other hand, the content of the ion scavenger (E) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 1% by mass or less, and more preferably 0.8% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, it is particularly preferably 0.5% by mass or less. When the content of the ion scavenger (E) is equal to or less than the upper limit, the moisture resistance reliability and the reflow resistance of the semiconductor device can be improved.

（硬化促進剤（Ｆ））
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｆ）を含むことができる。硬化促進剤（Ｆ）は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ基と、硬化剤（Ｂ）（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）と、の架橋反応を促進させるものであればよく、たとえば一般の封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。
本実施形態において、硬化促進剤（Ｆ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。 (Curing accelerator (F))
The sealing resin composition can contain, for example, a curing accelerator (F). The curing accelerator (F) may be any as long as it promotes a crosslinking reaction between the epoxy group of the epoxy resin (A) and the curing agent (B) (for example, a phenolic hydroxyl group of a phenolic resin-based curing agent). For example, those used for general epoxy resin compositions for sealing can be used.
In the present embodiment, the curing accelerator (F) is, for example, a phosphorus atom-containing compound such as an organic phosphine, a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, or an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. Compounds; containing nitrogen atoms such as amidines and tertiary amines such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, benzyldimethylamine and 2-methylimidazole, and quaternary salts of the amidines and amines One or more selected from compounds can be included. Among them, it is more preferable to include a phosphorus atom-containing compound from the viewpoint of improving curability. Further, from the viewpoint of improving the balance between moldability and curability, it has a latent property such as a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, and an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. It is more preferred to include

封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。   Examples of the organic phosphine that can be used in the sealing resin composition include: a first phosphine such as ethyl phosphine and phenyl phosphine; a second phosphine such as dimethyl phosphine and diphenyl phosphine; trimethyl phosphine, triethyl phosphine, tributyl phosphine, and triphenyl A third phosphine such as phosphine is exemplified.

封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（５）で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the tetra-substituted phosphonium compound that can be used in the sealing resin composition include a compound represented by the following general formula (5).

Figure 0006632791
（上記一般式（５）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）
Figure 0006632791
 (In the general formula (5), P represents a phosphorus atom; R 4 , R 5 , R 6, and R 7 represent an aromatic group or an alkyl group. A is selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group. AH represents an anion of an aromatic organic acid having at least one functional group on an aromatic ring, and AH is an aromatic having at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and a thiol group on an aromatic ring. Represents an organic acid, x and y are numbers from 1 to 3, z is a number from 0 to 3, and x = y.)

一般式（５）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（５）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（５）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。 The compound represented by the general formula (5) is obtained, for example, as follows, but is not limited thereto. First, a tetra-substituted phosphonium halide, an aromatic organic acid, and a base are mixed in an organic solvent and uniformly mixed to generate an aromatic organic acid anion in the solution system. Then, when water is added, the compound represented by the general formula (5) can be precipitated. In the compound represented by the general formula (5), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 bonded to a phosphorus atom are phenyl groups, and AH is a compound having a hydroxyl group on an aromatic ring, that is, phenols. And A is preferably an anion of the phenols. Examples of the phenols include phenol, cresol, resorcin, monocyclic phenols such as catechol, naphthol, dihydroxynaphthalene, condensed polycyclic phenols such as anthraquinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenols such as bisphenol S, Examples include polycyclic phenols such as phenylphenol and biphenol.

封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the phosphobetaine compound that can be used in the sealing resin composition include a compound represented by the following general formula (6).

Figure 0006632791
（上記一般式（６）において、Ｒ８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）
Figure 0006632791
 (In the general formula (6), R 8 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R 9 represents a hydroxyl group. F is a number of 0 to 5, and g is a number of 0 to 3.)

一般式（６）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。   The compound represented by the general formula (6) is obtained, for example, as follows. First, it is obtained through a step of bringing a triaromatic-substituted phosphine, which is a third phosphine, into contact with a diazonium salt to replace the triaromatic-substituted phosphine with a diazonium group of the diazonium salt. However, it is not limited to this.

封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the adduct of a phosphine compound and a quinone compound that can be used in the sealing resin composition include a compound represented by the following general formula (7).

Figure 0006632791
（上記一般式（７）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
Figure 0006632791
 (In the above general formula (7), P represents a phosphorus atom. R 10 , R 11 and R 12 represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and are the same as each other. R 13 , R 14 and R 15 represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and may be the same or different from each other, and R 14 and R 15 are bonded to each other. To form an annular structure.)

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。   Examples of the phosphine compound used for the adduct of the phosphine compound and the quinone compound include those having no aromatic ring such as triphenylphosphine, tris (alkylphenyl) phosphine, tris (alkoxyphenyl) phosphine, trinaphthylphosphine, and tris (benzyl) phosphine. Those having a substituent or a substituent such as an alkyl group or an alkoxyl group are preferable, and examples of the substituent such as an alkyl group or an alkoxyl group include those having 1 to 6 carbon atoms. Triphenylphosphine is preferable from the viewpoint of availability.

また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。   Examples of the quinone compound used for the adduct of the phosphine compound and the quinone compound include benzoquinone and anthraquinones. Among them, p-benzoquinone is preferable from the viewpoint of storage stability.

ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。   As a method for producing an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, the adduct can be obtained by contacting and mixing in a solvent in which both the organic tertiary phosphine and the benzoquinone can be dissolved. As the solvent, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone having low solubility in the adduct are preferable. However, it is not limited to this.

一般式（７）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１０、Ｒ１１およびＲ１２がフェニル基であり、かつＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。 In the compound represented by the general formula (7), a compound in which R 10 , R 11 and R 12 bonded to a phosphorus atom is a phenyl group, and R 13 , R 14 and R 15 are hydrogen atoms, that is, 1, A compound obtained by adding 4-benzoquinone and triphenylphosphine is preferred in that the cured product of the encapsulating resin composition has a reduced elastic modulus when heated.

封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。   Examples of an adduct of a phosphonium compound and a silane compound that can be used in the sealing resin composition include a compound represented by the following general formula (8).

Figure 0006632791
（上記一般式（８）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ２０、およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
Figure 0006632791
 (In the above general formula (8), P represents a phosphorus atom, Si represents a silicon atom, and R 16 , R 17 , R 18 and R 19 each represent an organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, or an aliphatic group. R 20 represents an organic group bonded to groups Y 2 and Y 3. In the formula, R 21 represents an organic group bonded to groups Y 4 and Y 5 Y 2 and Y 3 represent groups in which a proton-donating group emits a proton, and the groups Y 2 and Y 3 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. Y 4 and Y 5 each represent a group in which a proton donating group emits a proton, and the groups Y 4 and Y 5 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. there .R 20, and R 21 are mutually Or different mere, Y 2, Y 3, Y 4 and Y 5 may .Z 1 also being the same or different organic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring or fat, Group.)

一般式（８）において、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。 In the general formula (8), R 16 , R 17 , R 18 and R 19 are, for example, phenyl, methylphenyl, methoxyphenyl, hydroxyphenyl, naphthyl, hydroxynaphthyl, benzyl, methyl , Ethyl group, n-butyl group, n-octyl group and cyclohexyl group. Among them, alkyl group such as phenyl group, methylphenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, alkoxy group, etc. And an aromatic group having a substituent such as a hydroxyl group or an unsubstituted aromatic group is more preferable.

また、一般式（８）において、Ｒ２０は、Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ２０およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（８）中の−Ｙ２−Ｒ２０−Ｙ３−、およびＹ４−Ｒ２１−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。 In the general formula (8), R 20 is an organic group bonded to Y 2 and Y 3 . Similarly, R 21 is an organic group bonded to groups Y 4 and Y 5 . Y 2 and Y 3 are groups formed by a proton-donating group releasing a proton. The groups Y 2 and Y 3 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. Similarly, Y 4 and Y 5 are groups in which a proton-donating group emits a proton, and the groups Y 4 and Y 5 in the same molecule are bonded to a silicon atom to form a chelate structure. The groups R 20 and R 21 may be the same or different from each other, and the groups Y 2 , Y 3 , Y 4 and Y 5 may be the same or different from each other. The general formula (8) in the -Y 2 -R 20 -Y 3 -, and Y 4 -R 21 -Y 5 - group represented by a proton donor, and two release a proton The proton donor is preferably a carboxyl group or an organic acid having at least two hydroxyl groups in the molecule, and more preferably a carboxyl group or a hydroxyl group at an adjacent carbon constituting an aromatic ring. An aromatic compound having at least two aromatic compounds is preferable, and an aromatic compound having at least two hydroxyl groups on adjacent carbons constituting an aromatic ring is more preferable. For example, catechol, pyrogallol, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxy Naphthalene, 2,2′-biphenol, 1,1′-bi-2-naphthol, salicylic acid, 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3-hydroxy Roxy-2-naphthoic acid, chloranilic acid, tannic acid, 2-hydroxybenzyl alcohol, 1,2-cyclohexanediol, 1,2-propanediol, glycerin and the like, among which catechol, 1,2- Dihydroxynaphthalene and 2,3-dihydroxynaphthalene are more preferred.

また、一般式（８）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。 Z 1 in the general formula (8) represents an organic group or an aliphatic group having an aromatic ring or a heterocyclic ring, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, Aliphatic hydrocarbon groups such as hexyl group and octyl group, aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, benzyl group, naphthyl group and biphenyl group, glycidyloxy group such as glycidyloxypropyl group, mercaptopropyl group and aminopropyl group , A mercapto group, a reactive group such as an alkyl group having an amino group and a vinyl group, and the like. Of these, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a naphthyl group and a biphenyl group are preferred from the viewpoint of thermal stability. Is more preferable.

ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。   As a method of producing an adduct of a phosphonium compound and a silane compound, a silane compound such as phenyltrimethoxysilane and a proton donor such as 2,3-dihydroxynaphthalene are added to a flask containing methanol and dissolved, and then room temperature is added. A sodium methoxide-methanol solution is added dropwise with stirring. Further, when a solution prepared by dissolving a tetra-substituted phosphonium halide such as tetraphenylphosphonium bromide in methanol in methanol is added dropwise thereto with stirring at room temperature, crystals are precipitated. The precipitated crystals are filtered, washed with water, and dried under vacuum to obtain an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. However, it is not limited to this.

封止用樹脂組成物中における硬化促進剤（Ｆ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｆ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の硬化性が低下することを抑制できる。一方で、封止用樹脂組成物中における硬化促進剤（Ｆ）の含有量は、たとえば封止用樹脂組成物全体に対して１質量％以下であることが好ましく、０．８質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｆ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の流動性が低下することを抑制できる。   The content of the curing accelerator (F) in the sealing resin composition is, for example, preferably 0.05% by mass or more, and more preferably 0.1% by mass or more based on the entire sealing resin composition. Is more preferable. By setting the content of the curing accelerator (F) to the above lower limit or more, it is possible to suppress the curability of the encapsulating resin composition from decreasing. On the other hand, the content of the curing accelerator (F) in the encapsulating resin composition is, for example, preferably 1% by mass or less, and more preferably 0.8% by mass or less based on the entire encapsulating resin composition. More preferably, there is. By setting the content of the curing accelerator (F) to the above upper limit or less, it is possible to suppress a decrease in the fluidity of the sealing resin composition.

封止用樹脂組成物には、さらに必要に応じて、カップリング剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；シリコーンゴム等の低応力成分；カルナバワックス等の天然ワックス、合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。カップリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、およびアルミニウム／ジルコニウム系化合物等に例示される公知のカップリング剤を一種または二種以上用いることができる。   The sealing resin composition may further include a coupling agent; a coloring agent such as carbon black and red bean; a low stress component such as silicone rubber; a natural wax such as carnauba wax, a synthetic wax, and zinc stearate, if necessary. Release agents such as higher fatty acids and their metal salts or paraffins; various additives such as flame retardants such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, phosphazene, and antioxidants; Is also good. Examples of the coupling agent include known silane compounds such as epoxy silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, vinyl silane, and methacryl silane, titanium compounds, aluminum chelates, and aluminum / zirconium compounds. One or more ring agents can be used.

封止用樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したものや、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。   As the sealing resin composition, for example, the above-mentioned respective components are mixed by a known means, further melt-kneaded by a kneader such as a roll, a kneader or an extruder, cooled, and pulverized after cooling. In this case, those having appropriately adjusted dispersion degree and fluidity can be used.

次に、本実施形態に係る半導体装置１００について説明する。
半導体装置１００は、半導体素子２０と、ボンディングワイヤ４０と、封止樹脂５０と、を備えている。ボンディングワイヤ４０は、半導体素子２０に接続され、かつＣｕを主成分とする。また、封止樹脂５０は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、半導体素子２０およびボンディングワイヤ４０を封止する。 Next, the semiconductor device 100 according to the present embodiment will be described.
The semiconductor device 100 includes a semiconductor element 20, a bonding wire 40, and a sealing resin 50. The bonding wire 40 is connected to the semiconductor element 20 and contains Cu as a main component. The sealing resin 50 is made of a cured product of the above-described sealing resin composition, and seals the semiconductor element 20 and the bonding wires 40.

半導体素子２０は、基材３０上に搭載される。基材３０は、たとえばリードフレームまたは有機基板である。また、基材３０は、ボンディングワイヤ４０に接続される。図１では、リードフレームである基材３０のうちのダイパッド３２上に、ダイアタッチ材１０を介して半導体素子２０が搭載される場合が例示される。リードフレームである基材３０は、たとえばＣｕまたは４２アロイを主成分とする金属材料により構成される。なお、半導体素子２０は、他の半導体素子上に配置されていてもよい。   The semiconductor element 20 is mounted on the base 30. The substrate 30 is, for example, a lead frame or an organic substrate. The base 30 is connected to the bonding wires 40. FIG. 1 illustrates a case where the semiconductor element 20 is mounted on the die pad 32 of the base material 30 as a lead frame via the die attach material 10. The base material 30 as a lead frame is made of, for example, a metal material mainly composed of Cu or 42 alloy. Note that the semiconductor element 20 may be arranged on another semiconductor element.

半導体素子２０の上面には、たとえば複数の電極パッド２２が形成されている。半導体素子２０に設けられた電極パッド２２の少なくとも表面層は、たとえばＡｌを主成分とする金属材料により構成されている。これにより、Ｃｕを主成分とするボンディングワイヤ４０と電極パッド２２との接続信頼性を向上させることができる。
図１においては、ボンディングワイヤ４０が、半導体素子２０の電極パッド２２と、基材３０のうちのアウターリード３４と、を電気的に接続する場合が例示されている。 On the upper surface of the semiconductor element 20, for example, a plurality of electrode pads 22 are formed. At least the surface layer of the electrode pad 22 provided on the semiconductor element 20 is made of, for example, a metal material mainly containing Al. Thereby, the connection reliability between the bonding wire 40 containing Cu as a main component and the electrode pad 22 can be improved.
FIG. 1 illustrates a case where the bonding wire 40 electrically connects the electrode pad 22 of the semiconductor element 20 to the outer lead 34 of the base 30.

封止樹脂５０は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成されている。このため、基材３０やボンディングワイヤ４０に対する密着性が良好であり、耐リフロー性や高温保管特性、耐湿信頼性、高温動作特性のバランスに優れた半導体装置１００が得られることとなる。この効果は、ボンディングワイヤ４０がＣｕを主成分とする金属材料により構成され、かつ基材３０が有機基板またはＣｕまたは４２アロイを主成分とする金属材料（リードフレーム）により構成される場合においてより顕著となり、基材３０が金属材料（リードフレーム）である場合においてとくに顕著に得られる。   The sealing resin 50 is made of a cured product of the above-described sealing resin composition. Therefore, the semiconductor device 100 having good adhesion to the base material 30 and the bonding wires 40 and having an excellent balance of reflow resistance, high-temperature storage characteristics, humidity resistance, and high-temperature operation characteristics can be obtained. This effect is more pronounced when the bonding wire 40 is made of a metal material containing Cu as a main component and the base material 30 is made of an organic substrate or a metal material (lead frame) containing Cu or a 42 alloy as a main component. This is particularly noticeable when the substrate 30 is made of a metal material (lead frame).

半導体装置１００は、たとえば次のように製造される。
まず、基材３０上に、半導体素子２０を搭載する。次いで、基材３０と半導体素子２０を、Ｃｕを主成分とするボンディングワイヤ４０により互いに接続させる。次いで、半導体素子２０と、ボンディングワイヤ４０と、を上述の封止用樹脂組成物により封止する。封止成形の方法としては、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法または圧縮成形法が挙げられる。これにより、半導体装置１００が製造されることとなる。 The semiconductor device 100 is manufactured, for example, as follows.
First, the semiconductor element 20 is mounted on the substrate 30. Next, the substrate 30 and the semiconductor element 20 are connected to each other by a bonding wire 40 containing Cu as a main component. Next, the semiconductor element 20 and the bonding wire 40 are sealed with the above-described sealing resin composition. The method of sealing molding is not particularly limited, and examples thereof include a transfer molding method and a compression molding method. Thereby, the semiconductor device 100 is manufactured.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
１． 半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
硫黄含有化合物と、
を含み、
下記条件１により算出される膨れ率Ｓが、１５０％以下である封止用樹脂組成物。
（条件１：前記封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物１．０ｇと、Ｃｕワイヤ（中心点における最大径Ｄ ０ ＝２０μｍ）を介して互いに接続されたリードフレームおよび半導体チップにより構成される構造体と、を前記Ｃｕワイヤが空気にさらされるように密閉容器内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行う。次いで、前記Ｃｕワイヤの中心点における最大径Ｄ １ を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ １ ／Ｄ ０ ×１００（％）を算出する）
２． １．に記載の封止用樹脂組成物において、
イオン捕捉剤をさらに含む封止用樹脂組成物。
３． ２．に記載の封止用樹脂組成物において、
前記封止用樹脂組成物全体に対するイオン捕捉剤の含有量は、０．０５質量％以上１質量％以下である封止用樹脂組成物。
４． 半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、
１．〜３いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes modifications and improvements as long as the object of the present invention can be achieved.
1. A sealing resin composition used for sealing a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component,
Epoxy resin,
A curing agent,
A sulfur-containing compound;
Including
A sealing resin composition having a swelling ratio S calculated under the following condition 1 of 150% or less.
(Condition 1: A cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours is pulverized to obtain a pulverized product. Then, 1.0 g of the pulverized product and a Cu wire ( The structure composed of the lead frame and the semiconductor chip connected to each other via the maximum diameter D 0 at the center point (D 0 = 20 μm) is placed in an airtight container such that the Cu wire is exposed to air, and is placed under an air atmosphere. Heat treatment is performed for 96 hours at 200 ° C. Next, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire is measured, and the swelling ratio S = D 1 / D 0 × 100 (%) is obtained from the obtained result. Is calculated)
2. 1. In the sealing resin composition according to the,
A sealing resin composition further comprising an ion scavenger.
3. 2. In the sealing resin composition according to the,
The content of the ion scavenger with respect to the whole sealing resin composition is 0.05% by mass or more and 1% by mass or less.
4. A semiconductor element;
A bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component;
1. A sealing resin that is formed of a cured product of the sealing resin composition according to any one of to 3 and seals the semiconductor element and the bonding wire;
A semiconductor device comprising:

次に、本発明の実施例について説明する。   Next, examples of the present invention will be described.

（封止用樹脂組成物）
実施例１〜１２および比較例１〜２のそれぞれについて、以下のように封止用樹脂組成物を調整した。まず、充填剤（Ｄ）に対して、表１に示す配合量の硫黄含有化合物（Ｃ）により表面処理を施した。次いで、表１に示す配合に従い、各成分を、ミキサーを用いて１５〜２８℃で混合した。次いで、得られた混合物を、７０〜１００℃でロール混練した。次いで、混練後の混合物を冷却し、粉砕して封止用樹脂組成物を得た。なお、表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。また、表１中の単位は、質量％である。 (Resin composition for sealing)
For each of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, a sealing resin composition was prepared as follows. First, the filler (D) was subjected to a surface treatment with the sulfur-containing compound (C) having the compounding amount shown in Table 1. Next, according to the composition shown in Table 1, the components were mixed at 15 to 28 ° C. using a mixer. Subsequently, the obtained mixture was roll-kneaded at 70 to 100 ° C. Next, the kneaded mixture was cooled and pulverized to obtain a sealing resin composition. The details of each component in Table 1 are as follows. The unit in Table 1 is% by mass.

（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｐ、日本化薬（株）製）
エポキシ樹脂２：ビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００Ｋ、三菱化学（株）製） (A) Epoxy resin Epoxy resin 1: phenol aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton (NC-3000P, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Epoxy resin 2: biphenyl type epoxy resin (YX4000K, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

（Ｂ）硬化剤
硬化剤１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、明和化成（株）製）
硬化剤２：フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（ＸＬＣ−４Ｌ、三井化学（株）製） (B) Curing agent Curing agent 1: Biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin (MEH-7851SS, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.)
Curing agent 2: phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin (XLC-4L, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.)

（Ｃ）硫黄含有化合物
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３） (C) Sulfur-containing compound γ-mercaptopropyltrimethoxysilane (KBM-803, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

（Ｄ）充填剤
充填剤１：シリカ（平均粒径２６μｍ、比表面積２．４ｍｍ２／ｇ）
充填剤２：シリカ（ＳＯ−２５Ｒ、（株）アドマテックス製、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍｍ２／ｇ） (D) Filler Filler 1: silica (average particle size 26 μm, specific surface area 2.4 mm 2 / g)
Filler 2: silica (SO-25R, manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 0.5 μm, specific surface area 6.0 mm 2 / g)

（Ｅ）イオン捕捉剤
ハイドロタルサイト（ＤＨＴ−４Ｈ、協和化学工業（株）製） (E) Ion scavenger hydrotalcite (DHT-4H, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.)

（Ｆ）硬化促進剤
硬化促進剤１：下記式（９）にて表される化合物
硬化促進剤２：下記式（１０）にて表される化合物 (F) Curing accelerator Curing accelerator 1: Compound represented by the following formula (9) Curing accelerator 2: Compound represented by the following formula (10)

Figure 0006632791
Figure 0006632791

Figure 0006632791
Figure 0006632791

（Ｇ）離型剤
カルナバワックス (G) Release agent carnauba wax

実施例１〜４、７〜１２および比較例１〜２において、充填剤（Ｄ）に対する硫黄含有化合物（Ｃ）による表面処理は、次のように行った。まず、充填剤１および充填剤２をミキサーに投入した後、撹拌を開始し、そこにさらに硫黄含有化合物（Ｃ）を投入してこれらを３．０分間撹拌して、充填剤１、充填剤２および硫黄含有化合物（Ｃ）の混合物を得た。次いで、この混合物をミキサーから取り出し、表１に示す時間（噴霧後の放置時間）放置した。これにより、硫黄含有化合物（Ｃ）により表面処理が施された充填剤（Ｄ）を得た。
実施例５においては、上記混合物を放置した後、５５℃、３時間の条件下で上記混合物に対して熱処理を行う点を除いて、実施例１と同様に表面処理を行った。
実施例６においては、次のようにして充填剤１、充填剤２および硫黄含有化合物（Ｃ）の混合物を得た点を除いて、実施例１と同様に表面処理を行った。まず、充填剤１および充填剤２をミキサーに投入して、これらを混合した。そして、ミキサー内の充填剤１および充填剤２に対して噴霧器を用いて硫黄含有化合物（Ｃ）を噴霧しながら、これらを３．０分間撹拌し、充填剤１、充填剤２および硫黄含有化合物（Ｃ）の混合物を得た。次いで、この混合物をミキサーから取り出し、表１に示す時間（噴霧後の放置時間）放置した。 In Examples 1 to 4, 7 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, the surface treatment of the filler (D) with the sulfur-containing compound (C) was performed as follows. First, after the filler 1 and the filler 2 are charged into the mixer, stirring is started, and the sulfur-containing compound (C) is further charged therein, and these are stirred for 3.0 minutes. 2 and a mixture of the sulfur-containing compound (C) were obtained. Then, the mixture was taken out of the mixer and left for the time shown in Table 1 (the time after spraying). Thus, a filler (D) surface-treated with the sulfur-containing compound (C) was obtained.
In Example 5, after the mixture was allowed to stand, a surface treatment was performed in the same manner as in Example 1 except that the mixture was heat-treated at 55 ° C. for 3 hours.
In Example 6, a surface treatment was performed in the same manner as in Example 1 except that a mixture of the filler 1, the filler 2, and the sulfur-containing compound (C) was obtained as follows. First, Filler 1 and Filler 2 were charged into a mixer and mixed. Then, while spraying the sulfur-containing compound (C) with a sprayer on the filler 1 and the filler 2 in the mixer, these are stirred for 3.0 minutes, and the filler 1, the filler 2, and the sulfur-containing compound are stirred. A mixture of (C) was obtained. Then, the mixture was taken out of the mixer and left for the time shown in Table 1 (the time after spraying).

（膨れ率Ｓの測定）
実施例１〜１２、比較例１〜２のそれぞれについて、得られた封止用樹脂組成物を用いて、以下のように膨れ率Ｓを測定した。なお、図２は、膨れ率の測定方法を説明するための断面図である。
まず、封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物８０を得た。粉砕処理は、ＴＩ−１００（（株）シー・エム・ティー製）にて、硬化物５ｇを粉砕釜に入れて、２分間粉砕することにより行った。次いで、図２に示すように、得られた粉砕物８０を１．０ｇと、Ｃｕワイヤ６２（４Ｎグレード）を介して互いに接続されたリードフレーム６４および半導体チップ６６により構成される構造体６０と、をＣｕワイヤ６２全体が空気にさらされるように内径５０ｍｍ、高さ１７ｍｍのガラスシャーレである密閉容器７０内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行った。なお、熱処理前のＣｕワイヤ６２の中心点における最大径Ｄ０は２０μｍであった。また、リードフレーム６４は、カプトンテープ９０を用いて密閉容器７０内に固定した。次いで、熱処理後のＣｕワイヤ６２の中心点における最大径Ｄ１を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ１／Ｄ０×１００（％）を算出した。結果を表１に示す。 (Measurement of swelling ratio S)
For each of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, the swelling ratio S was measured as follows using the obtained sealing resin composition. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of measuring the swelling ratio.
First, a cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours was pulverized to obtain a pulverized product 80. The pulverization treatment was performed by placing 5 g of the cured product in a pulverizing pot with TI-100 (manufactured by CMT Corporation) and pulverizing for 2 minutes. Next, as shown in FIG. 2, 1.0 g of the obtained pulverized material 80 and a structure 60 including a lead frame 64 and a semiconductor chip 66 connected to each other via a Cu wire 62 (4N grade) Was placed in a sealed container 70 which was a glass Petri dish having an inner diameter of 50 mm and a height of 17 mm so that the entire Cu wire 62 was exposed to air, and heat-treated at 200 ° C. for 96 hours in an air atmosphere. The maximum diameter D 0 at the center point of the Cu wire 62 before the heat treatment was 20 [mu] m. The lead frame 64 was fixed in the closed container 70 using a Kapton tape 90. Next, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire 62 after the heat treatment was measured, and the swelling ratio S = D 1 / D 0 × 100 (%) was calculated from the obtained result. Table 1 shows the results.

（半導体装置の作製）
実施例１〜１２、比較例１〜２のそれぞれについて、次のように半導体装置を作製した。
まず、アルミニウム製電極パッドを備えるＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）チップ（３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を、表面がＡｇによりめっきされたリードフレームのダイパッド部上に搭載した。次いで、ＴＥＧチップの電極パッド（以下、電極パッド）と、リードフレームのアウターリード部と、をＣｕ９９．９％の金属材料により構成されるボンディングワイヤを用いて、ワイヤピッチ１２０μｍでワイヤボンディングした。これにより得られた構造体を、低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力１０．０ＭＰａ、硬化時間２分の条件で封止用樹脂組成物を用いて封止成形し、半導体パッケージを作製した。その後、得られた半導体パッケージを１７５℃、４時間の条件で後硬化し、半導体装置を得た。 (Production of semiconductor device)
For each of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, semiconductor devices were manufactured as follows.
First, a TEG (Test Element Group) chip (3.5 mm × 3.5 mm) having an aluminum electrode pad was mounted on a die pad portion of a lead frame whose surface was plated with Ag. Next, the electrode pads of the TEG chip (hereinafter, electrode pads) and the outer lead portions of the lead frame were wire-bonded at a wire pitch of 120 μm using a bonding wire made of a metal material of 99.9% Cu. Using a low-pressure transfer molding machine, the obtained structure is subjected to sealing molding using a sealing resin composition under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 10.0 MPa, and a curing time of 2 minutes. A semiconductor package was manufactured. Thereafter, the obtained semiconductor package was post-cured at 175 ° C. for 4 hours to obtain a semiconductor device.

（ＭＳＬ（耐リフロー性評価））
実施例１〜１２、比較例１〜２のそれぞれについて、得られた半導体装置１２個に対し８５℃相対湿度６０％の環境下に１６８時間放置した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。次いで、処理後の半導体装置内部を超音波探傷装置で観察し、封止樹脂と、リードフレームと、の界面において剥離が生じた面積を算出した。全ての半導体装置について剥離面積が５％未満の場合を◎、５％以上１０％以下の場合を○、１０％を超える場合を×とした。 (MSL (Reflow resistance evaluation))
For each of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, the obtained 12 semiconductor devices were left in an environment of 85 ° C and a relative humidity of 60% for 168 hours, and then subjected to IR reflow treatment (260 ° C). . Next, the inside of the semiconductor device after the treatment was observed with an ultrasonic flaw detector, and the area where peeling occurred at the interface between the sealing resin and the lead frame was calculated. Regarding all the semiconductor devices, the case where the peeled area was less than 5% was evaluated as ◎, the case where the peeled area was 5% or more and 10% or less, as ×.

（ＨＴＳＬ（高温保管特性評価））
実施例１〜１２、比較例１〜２のそれぞれについて、得られた半導体装置を１５０℃の環境下に保管し、２４時間ごとに半導体チップの電極パッドとボンディングワイヤとの間における電気抵抗値を測定し、その値が初期値に対して２０％増加した半導体装置を不良とした。２０００時間保管しても不良が発生しなかったものを◎、１０００〜２０００時間の間に不良が発生したものを○、１０００時間以内に不良が発生したものを×とした。 (HTSL (high temperature storage characteristics evaluation))
For each of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2, the obtained semiconductor devices were stored in an environment of 150 ° C., and the electrical resistance between the electrode pads of the semiconductor chip and the bonding wires was changed every 24 hours. The semiconductor device whose value was measured and increased by 20% from the initial value was regarded as defective.も の indicates that no defect occurred even after storage for 2000 hours, ○ indicates that a defect occurred during 1000 to 2000 hours, and X indicates that a defect occurred within 1000 hours.

Figure 0006632791
Figure 0006632791

表１に示すように、実施例１〜１２においては、耐リフロー性および高温保管特性について良好な結果が得られた。実施例１〜６、８、１０、１２は、実施例７、９、１１と比較して、さらに優れた高温保管特性を示した。また、実施例２〜１２は、実施例１と比較してさらに優れた耐リフロー性を示した。   As shown in Table 1, in Examples 1 to 12, good results were obtained in reflow resistance and high-temperature storage characteristics. Examples 1 to 6, 8, 10, and 12 showed more excellent high-temperature storage characteristics than Examples 7, 9, and 11. Further, Examples 2 to 12 showed even more excellent reflow resistance as compared with Example 1.

１００ 半導体装置
１０ ダイアタッチ材
２０ 半導体素子
２２ 電極パッド
３０ 基材
３２ ダイパッド
３４ アウターリード
４０ ボンディングワイヤ
５０ 封止樹脂 REFERENCE SIGNS LIST 100 semiconductor device 10 die attach material 20 semiconductor element 22 electrode pad 30 base material 32 die pad 34 outer lead 40 bonding wire 50 sealing resin

Claims (5)

半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
硫黄含有化合物と、
充填剤と、
を含み、
前記硫黄含有化合物がメルカプトシランであり、
前記封止用樹脂組成物全体に対する前記硫黄含有化合物の含有量は０．１５質量％以上２質量％以下であり、
下記条件１により算出される膨れ率Ｓが、１０１％以上１５０％以下である
封止用樹脂組成物。
（条件１：前記封止用樹脂組成物を１７５℃、４時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物１．０ｇと、Ｃｕワイヤ（中心点における最大径Ｄ０＝２０μｍ）を介して互いに接続されたリードフレームおよび半導体チップにより構成される構造体と、を前記Ｃｕワイヤが空気にさらされるように内径５０ｍｍ、高さ１７ｍｍのガラスシャーレである密閉容器内に入れ、空気雰囲気下、２００℃、９６時間の条件下で熱処理を行う。次いで、前記Ｃｕワイヤの中心点における最大径Ｄ１を測定し、得られた結果から膨れ率Ｓ＝Ｄ１／Ｄ０×１００（％）を算出する） A sealing resin composition used for sealing a semiconductor element and a bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component,
Epoxy resin,
A curing agent,
A sulfur-containing compound;
A filler,
Including
It said sulfur-containing compound is Merukaputoshira down,
The content of the sulfur-containing compound with respect to the entire sealing resin composition is 0.15% by mass or more and 2% by mass or less,
A sealing resin composition having a swelling ratio S calculated by the following condition 1 of 101% or more and 150% or less.
(Condition 1: A cured product obtained by thermally curing the sealing resin composition at 175 ° C. for 4 hours is pulverized to obtain a pulverized product. Then, 1.0 g of the pulverized product and a Cu wire ( A glass Petri dish having an inner diameter of 50 mm and a height of 17 mm so that the Cu wire is exposed to air, and a structure constituted by a lead frame and a semiconductor chip connected to each other via a maximum diameter D 0 at the center point (D 0 = 20 μm). And heat-treated in an air atmosphere at 200 ° C. for 96 hours.Then, the maximum diameter D 1 at the center point of the Cu wire was measured, and the swelling ratio S was determined from the obtained result. = D 1 / D 0 × 100 (%) is calculated) 請求項１に記載の封止用樹脂組成物において、
イオン捕捉剤をさらに含む封止用樹脂組成物。 The sealing resin composition according to claim 1,
A sealing resin composition further comprising an ion scavenger. 請求項２に記載の封止用樹脂組成物において、
前記封止用樹脂組成物全体に対するイオン捕捉剤の含有量は、０．０５質量％以上１質量％以下である封止用樹脂組成物。 The sealing resin composition according to claim 2,
The content of the ion scavenger with respect to the whole sealing resin composition is 0.05% by mass or more and 1% by mass or less. 請求項１乃至３いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物において、
前記封止用樹脂組成物全体に対する前記充填剤の含有量は３５質量％以上９５質量％以下である封止用樹脂組成物。 The sealing resin composition according to any one of claims 1 to 3,
The sealing resin composition, wherein the content of the filler with respect to the entire sealing resin composition is 35% by mass or more and 95% by mass or less. 半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつＣｕを主成分とするボンディングワイヤと、
請求項１〜４いずれか一項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。 A semiconductor element;
A bonding wire connected to the semiconductor element and containing Cu as a main component;
A sealing resin formed of a cured product of the sealing resin composition according to any one of claims 1 to 4, and sealing the semiconductor element and the bonding wire,
A semiconductor device comprising:
JP2014060297A 2014-03-24 2014-03-24 Resin composition for sealing and semiconductor device Active JP6632791B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014060297A JP6632791B2 (en) 2014-03-24 2014-03-24 Resin composition for sealing and semiconductor device
PCT/JP2015/058185 WO2015146764A1 (en) 2014-03-24 2015-03-19 Resin composition for sealing and semiconductor device
KR1020167028385A KR101827667B1 (en) 2014-03-24 2015-03-19 Resin composition for encapsulation and semiconductor device
CN201580015939.8A CN106133055B (en) 2014-03-24 2015-03-19 Resin composition for sealing and semiconductor device
TW104109344A TWI648335B (en) 2014-03-24 2015-03-24 Sealing resin composition, and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014060297A JP6632791B2 (en) 2014-03-24 2014-03-24 Resin composition for sealing and semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018242962A Division JP2019065302A (en) 2018-12-26 2018-12-26 Resin composition for sealing, and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015183077A JP2015183077A (en) 2015-10-22
JP6632791B2 true JP6632791B2 (en) 2020-01-22

Family

ID=54195285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014060297A Active JP6632791B2 (en) 2014-03-24 2014-03-24 Resin composition for sealing and semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6632791B2 (en)
KR (1) KR101827667B1 (en)
CN (1) CN106133055B (en)
TW (1) TWI648335B (en)
WO (1) WO2015146764A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6605190B2 (en) * 2014-05-28 2019-11-13 住友ベークライト株式会社 Resin composition for sealing, and semiconductor device
CN106997801B (en) * 2016-01-25 2020-10-20 美蓓亚株式会社 Rare earth bonded magnet
JP2017165811A (en) * 2016-03-14 2017-09-21 株式会社東芝 Epoxy injection type resin composition, epoxy injection type resin insulation vacuum valve, and method for producing the same
CN112592460A (en) * 2019-10-02 2021-04-02 日东电工株式会社 Resin molded article for sealing optical semiconductor and method for producing same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3618182B2 (en) * 1996-10-29 2005-02-09 日東電工株式会社 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP2000230110A (en) * 1999-02-15 2000-08-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2002080566A (en) * 2000-07-04 2002-03-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy rein composition and semiconductor device
JP2002030135A (en) * 2000-07-18 2002-01-31 Mitsui Chemicals Inc Resin composition and electronic part
CN1908065B (en) * 2005-08-05 2010-12-08 信越化学工业株式会社 Epoxy resin composition and semiconductor device
JP4984722B2 (en) * 2006-07-28 2012-07-25 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device
JP5256593B2 (en) * 2006-08-29 2013-08-07 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2008166314A (en) * 2006-12-26 2008-07-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor device and epoxy resin composition for sealing
JP2013067694A (en) 2011-09-21 2013-04-18 Panasonic Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device
JP2013108024A (en) * 2011-11-24 2013-06-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for sealing and electronic component device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015146764A1 (en) 2015-10-01
TW201602220A (en) 2016-01-16
KR101827667B1 (en) 2018-02-08
CN106133055B (en) 2019-03-26
TWI648335B (en) 2019-01-21
JP2015183077A (en) 2015-10-22
KR20160132960A (en) 2016-11-21
CN106133055A (en) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI647275B (en) Sealing epoxy resin forming material and electronic component device
KR101902137B1 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device and structure
JP6379640B2 (en) Resin composition for sealing, semiconductor device, and structure
JP7354567B2 (en) Encapsulating resin composition and semiconductor device
JP2017179185A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device
JP6632791B2 (en) Resin composition for sealing and semiconductor device
JP6436107B2 (en) Resin composition for sealing, method for producing electronic component, and electronic component
JP2016020464A (en) Resin composition for sealing, and semiconductor device
JP2018172545A (en) Solid sealing material for compression molding, semiconductor device, and semiconductor device production method
JP2022008598A (en) Resin composition for sealing and semiconductor device
EP3876273B1 (en) Encapsulating resin composition for power device and power device
JP6750659B2 (en) Sealing resin composition and semiconductor device
JP6605190B2 (en) Resin composition for sealing, and semiconductor device
JP2019065302A (en) Resin composition for sealing, and semiconductor device
KR102322072B1 (en) Resin composition for sealing and electronic component device
JP6953973B2 (en) Curable resin composition, electronic component device and method for manufacturing electronic component device
JP2022057356A (en) Sealing resin composition and semiconductor device
KR20230172606A (en) Resin composition for encapsulation
JP2008195820A (en) Epoxy resin composition for sealing, and electronic part device equipped with element sealed with the resin composition
JP2015183173A (en) Resin composition for sealing, semiconductor device, and structure
TW201634515A (en) Resin composition for encapsulation, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2015218294A (en) Production method of encapsulation resin composition and method for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180327

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180521

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20181023

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181226

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190104

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20190329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6632791

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150