JP6623639B2 - 仮固定用テープ - Google Patents

Description

本発明は、仮固定用テープに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの小型化・大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、複数の半導体素子が作り込まれた半導体用ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体素子に切断分離（個片化）し、次いで、得られた半導体素子を、金属リードフレームあるいは基板に接合した後、さらに、モールド樹脂により封止することで、半導体装置が製造される。

ここで、半導体素子ひいては半導体装置およびＩＣパッケージの小型化を実現することを目的に、半導体用ウエハの半導体素子が作り込まれた表面と反対側の裏面を研削・研磨することで、得られる半導体素子の薄型化が行われている。

半導体用ウエハの裏面に研削・研磨の加工を行うには、半導体用ウエハを支持するための基材上に半導体用ウエハを、表面側で、一時的に仮固定する必要があり、そのため方法として、例えば、基材としてのＰＥＴフィルムに粘着層を設けた仮固定用テープ上に、半導体用ウエハを固定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

この方法では、半導体用ウエハが研削・研磨されることで、半導体用ウエハの厚さが薄くなる。また、半導体素子が作り込まれた表面には、仮固定用テープが貼付されるが、この研削・研磨により、半導体用ウエハの厚さが薄くなったとしても、半導体用ウエハにおける反りの発生が防止されていることが求められる。

しかしながら、特許文献１等に記載の仮固定用テープでは、半導体用ウエハの厚さが薄くなるにしたがって半導体用ウエハに反りが生じ、さらに、この反りの程度によっては、半導体用ウエハに亀裂が生じ、製造される半導体装置の歩留まりが低下するという問題があった。

なお、このような問題は、半導体用ウエハに限らず、仮固定用テープに固定した状態で加工を施す各種基板についても同様に生じている。

ＷＯ２００９／２８０６８号公報

本発明の目的は、基板の研削・研磨により厚さが薄くなったとしても、基板に反りが生じることなく、基板を固定することができる仮固定用テープを提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１） 支持基材と、該支持基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
基板を加工するために該基板を、前記粘着層を介して前記支持基材に仮固定し、前記基板の加工後に前記粘着層にエネルギー線を照射することで前記基板を前記支持基材から離脱させるために用いられる仮固定用テープであって、
前記基板は、前記加工を施す加工面の反対側に位置する保護面に複数の凹部を備え、
前記支持基材は、該支持基材を一方向に伸ばす伸長力を前記支持基材に付与して前記一方向に１０％伸長させた後に前記伸長力を解除し、その後、１０分経過したときの収縮荷重が、０．８ＭＰａ以下であり、かつ、前記支持基材は、２０℃以上６０℃以下の温度範囲における動的粘弾性のｔａｎδの最小値が０．４以上であり、
前記粘着層は、該粘着層に対するエネルギー線照射前において、２３℃の温度条件下でのせん断接着力が０．８ＭＰａ以上であり、かつ、前記粘着層は、前記粘着層へのエネルギー線照射前において、深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの前記凹部に対する追従率が８０％以上１００％以下であることを特徴とする仮固定用テープ。

（２） 前記支持基材は、熱可塑性エラストマーを主材料として含有する上記（１）に記載の仮固定用テープ。

（３） 前記熱可塑性エラストマーは、スチレン系エラストマーを含む上記（２）に記載の仮固定用テープ。

（４） 前記スチレン系エラストマーは、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体の部分水添物、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体の完全水添物、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体のうちの少なくとも１種である上記（３）に記載の仮固定用テープ。

（５） 前記粘着層は、アクリル系共重合体、架橋剤、エネルギー線の照射により重合するエネルギー線重合性化合物およびエネルギー線重合開始剤を含有する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の仮固定用テープ。

（６） 前記基板は、半導体用ウエハである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の仮固定用テープ。

（７） 前記加工は、前記半導体用ウエハの加工面を研削して前記半導体用ウエハの厚さを薄くする半導体用ウエハ研削である上記（６）に記載の仮固定用テープ。

本発明の仮固定用テープによれば、基板の研削・研磨により厚さが薄くなったとしても、基板における反りの発生を的確に抑制または防止した状態で、基板を固定することができる。

本発明の仮固定用テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の仮固定用テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の仮固定用テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 本発明の仮固定用テープの実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の仮固定用テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の仮固定用テープを説明するのに先立って、本発明の仮固定用テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
＜半導体装置＞
図１は、本発明の仮固定用テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置１０は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を接着層６０を介して支持するダイパッド３０と、半導体チップ２０と電気的に接続されたリード４０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）５０とを有している。

ダイパッド３０は、金属基板で構成され、半導体チップ２０を支持する支持体として機能を有するものである。

このダイパッド３０は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉやこれらの合金（例えば、Ｃｕ系合金や、Ｆｅ−４２Ｎｉのような鉄・ニッケル系合金）等の各種金属材料で構成される金属基板や、この金属基板の表面に銀メッキや、Ｎｉ−Ｐｄメッキが施されているもの、さらにＮｉ−Ｐｄメッキの表面にＰｄ層の安定性を向上するために設けられた金メッキ（金フラッシュ）層が設けられているもの等が用いられる。

また、ダイパッド３０の平面視形状は、通常、半導体チップ２０の平面視形状に対応し、例えば、正方形、長方形等の四角形とされる。

ダイパッド３０の外周部には、複数のリード４０が、放射状に設けられている。
このリード４０のダイパッド３０と反対側の端部は、モールド部５０から突出（露出）している。

リード４０は、導電性材料で構成され、例えば、前述したダイパッド３０の構成材料と同一のものを用いることができる。

また、リード４０には、その表面に錫メッキ等が施されていてもよい。これにより、マザーボードが備える端子に半田を介して半導体装置１０を接続する場合に、半田とリード４０との密着性を向上させることができる。

ダイパッド３０には、接着層６０を介して半導体チップ２０が固着（固定）されている。

この接着層６０は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。また、接着層６０には、銀粉や銅粉のような金属粒子が含まれていてもよい。これにより、接着層６０の熱伝導性が向上することから、接着層６０を介して半導体チップ２０からダイパッド３０に効率よく熱が伝達されるため、半導体チップ２０の駆動時における放熱性が向上する。

また、半導体チップ２０は、電極パッド２１を有しており、この電極パッド２１とリード４０とが、ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各リード４０とが電気的に接続されている。

このワイヤー２２の材質は、特に限定されないが、ワイヤー２２は、例えば、Ａｕ線やＡｌ線で構成することができる。

そして、ダイパッド３０、ダイパッド３０の上面側に設けられた各部材およびリード４０の内側の部分は、モールド部５０により封止されている。その結果として、リード４０の外側の端部が、半導体封止材料の硬化物で構成されるモールド部５０から突出している。

かかる構成の半導体装置は、例えば、本発明の仮固定用テープを用いて以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の仮固定用テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ａ］まず、複数の半導体チップ２０が作り込まれた半導体用ウエハ７と、支持基材８２と、支持基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを有する仮固定用テープ２００とを用意し、半導体用ウエハ７の表面（保護面）７１に、仮固定用テープ２００の粘着層８１を表面７１側にして、仮固定用テープ２００を押圧することで、積層（貼付）する（図２（ａ）参照）。
すなわち、半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定する。

なお、複数の半導体チップ２０は、半導体用ウエハ７の表面７１側に作り込まれ、これに起因して、半導体用ウエハ７は、表面７１に複数の凹部を備えている。

［２Ａ］次に、半導体用ウエハ７の表面７１とは反対側の裏面（加工面）７２を、表面７１側に仮固定用テープ２００を貼付した状態で、研削または研磨（バックグラインド）する（図２（ｃ）参照）。

この半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨は、図２（ｂ）に示すように、例えば、研削装置（グラインダー）を用いて行うことができる。

かかる裏面７２の研削・研磨により、半導体用ウエハ７の厚さは、半導体装置１０が適用される電子機器によっても異なるが、好ましくは５０μｍ以上６００μｍ以下程度に設定され、より好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下程度に設定される。これにより、得られる半導体チップ２０の薄型化が行われ、かかる半導体チップ２０を備える半導体装置さらにはＩＣパッケージの小型化を実現することができる。

このような薄い厚さに、半導体用ウエハ７が好ましくは研削・研磨されるが、このような薄い厚さに研削・研磨されたとしても、本発明の仮固定用テープ２００を用いることで、半導体用ウエハ７における反りの発生を的確に抑制または防止した状態で、仮固定用テープ２００により半導体用ウエハ７を固定することができるが、その詳細な説明は、後に行うこととする。

［３Ａ］次に、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意し、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２に裏面（仮固定用テープ２００が積層されている表面７１と反対側の面）７２を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層（貼付）する（図２（ｄ）参照）。

なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

［４Ａ］次に、粘着層８１に支持基材８２を介してエネルギー線を照射することで、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着力を低下させることで、図２（ｅ）に示すように、仮固定用テープ２００を半導体用ウエハ７から剥離する。
すなわち、半導体用ウエハ７の仮固定用テープ２００への仮固定の状態を解除する。

なお、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

［５Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化する（図３（ａ）参照）。

また、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図３（ａ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハ７の個片化を確実に実施することができる。

［６Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を低下させる。
これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じる状態とする。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられる。

また、エネルギー線としては、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様のものが挙げられる。

［７Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ７（半導体チップ２０）を一定の間隔に開き（図３（ｂ）参照）、その後、この半導体チップ２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（図３（ｃ）参照）。

［８Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、接着層６０を介してダイパッド３０上に搭載し、その後、半導体チップ２０が備える電極パッド２１とリード４０とをワイヤーボンディングすることでワイヤー２２により電気的に接続する。

［９Ａ］次に、半導体チップ２０をモールド部５０で封止する。
このモールド部５０による封止は、例えば、形成すべきモールド部５０の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０を取り囲むように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］〜［９Ａ］を実施した後に、前記工程［７Ａ］〜［９Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体用ウエハ７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる仮固定用テープ２００（本発明の仮固定用テープ）について説明する。

＜仮固定用テープ＞
図４は、本発明の仮固定用テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

仮固定用テープ２００は、図４に示すように、支持基材８２と、この支持基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを備え、半導体用ウエハ７を加工するためにこの半導体用ウエハ７を、粘着層８１を介して支持基材８２に仮固定し、半導体用ウエハ７の加工後に粘着層８１にエネルギー線を照射することで半導体用ウエハ７を支持基材８２から離脱させるために用いられるものであり、支持基材８２は、この支持基材８２を一方向に伸ばす伸長力を支持基材８２に付与して一方向に１０％伸長させた後に付与した伸長力を解除し、その後、１０分経過したときの収縮荷重が、０．８ＭＰａ以下であることを特徴とする。

このように前記収縮荷重が０．８ＭＰａ以下であることで、仮固定時、すなわち、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００が貼付され、その後、前記工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨して、その厚さを薄くしたとしても、半導体用ウエハ７における反りの発生を的確に抑制または防止することができる。したがって、半導体ウエハの反りに起因する、半導体用ウエハ７における亀裂の発生をも的確に抑制または防止されるため、製造される半導体装置１０の歩留まりの向上が図られる。

以下、このような仮固定用テープ（バックグラインドテープ）２００が有する、支持基材８２および粘着層８１について、詳述する。

＜支持基材８２＞
支持基材８２は、この支持基材８２上に設けられた粘着層８１、ひいては、粘着層８１上に貼付される半導体用ウエハ７を支持する機能を有している。

ここで、前記背景技術で記載の通り、半導体用ウエハに仮固定用テープを貼付した状態で、半導体用ウエハを研削・研磨して、その厚さを薄くすると、半導体用ウエハにおいて反りが発生するという問題があった。

かかる問題点は、本発明者の検討により、以下に示すことを主因として生じることが判った。

すなわち、前記工程［１Ａ］では、仮固定用テープに気泡および貼りじわが生じることなく、半導体用ウエハに仮固定用テープが貼付されることが求められる。そのため、半導体用ウエハへの仮固定用テープの貼付では、予め、仮固定用テープを少なくとも一方向に伸ばす伸長力を仮固定用テープに付与して伸長させた後に、仮固定用テープを貼付することで、前記気泡および貼りじわの発生が防止される。

ところが、かかる手法により、仮固定用テープを貼付するため、収縮力が仮固定用テープに残存すること、さらには、前記工程［２Ａ］において半導体用ウエハの厚さが薄くなることに起因して、研削・研磨の後の半導体用ウエハに反りが生じると考えられた。

また、本発明者によるさらなる検討により、仮固定用テープが備える粘着層および支持基材のうち、前記収縮力は、支持基材が支配的となって生じていることが判った。したがって、支持基材８２の前記収縮力を規定すること、すなわち、支持基材８２を一方向に伸ばす伸長力を支持基材８２に付与して一方向に１０％伸長させた後に前記伸長力を解除し、その後、１０分経過したときの支持基材８２の収縮荷重が、０．８ＭＰａ以下であることにより、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の後に、半導体用ウエハ７での反りの発生を的確に抑制または防止することができ、本発明を完成するに至った。そして、半導体ウエハの反りに起因する、半導体用ウエハ７における亀裂の発生をも的確に抑制または防止されるため、製造される半導体装置１０の歩留まりの向上が図られる。

なお、前記支持基材８２の収縮荷重は、０．８ＭＰａ以下であればよいが、０．６ＭＰａ以下であることが好ましく、０ＭＰａ超０．５ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の後に、半導体用ウエハ７において反りが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。

また、支持基材８２は、前記工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７の裏面７２を、研削・研磨する際に、半導体用ウエハ７の表面７１に凹部が形成されていたとしても、裏面７２に対して、均一な研削力・研磨力を付与するためのクッション層としても機能する。このようなクッション層としての機能を、支持基材８２に付与するためには、支持基材８２の２０℃以上６０℃以下の温度範囲における動的弾性率のｔａｎδ（以下、単に「ｔａｎδ」と言うこともある。）の最小値は、０．３以上であることが好ましく、０．３５以上２．０以下であることがより好ましい。これにより、前記クッション層としての機能をより確実に発揮させることができ、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その全体に亘ってより均一に研削・研磨することができることから、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化が実現される。すなわち、半導体用ウエハ７における厚みムラの発生を的確に抑制または防止して、均一な厚さで薄型化された半導体用ウエハ７を得ることができる。なお、このｔａｎδは、動的粘弾性測定装置等を用いて測定することができる。

さらに、支持基材８２のｔａｎδ（８２）が前記関係を満足する場合、支持基材８２のｔａｎδ（８２）と、粘着層８１のｔａｎδ（８１）とは、ｔａｎδ（８１）＜ｔａｎδ（８２）なる関係を満足するのが好ましく、１．５ｔａｎδ（８１）＜ｔａｎδ（８２）なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係式を満足することにより、仮固定用テープ２００が備える支持基材８２と粘着層８１とのうち、支持基材８２にクッション層としての機能を発揮させて、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その全体に亘ってより均一に研削・研磨することができる。

この支持基材８２は、例えば、熱可塑性エラストマーを主材料として含有するものが用いられる。

熱可塑性エラストマーとしては、特に限定されず、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、前記収縮荷重を、比較的容易に、０．８ＭＰａ以下のものとすることができる。

また、これらの中でも、スチレン系熱可塑性エラストマーであることが好ましい。これにより、支持基材８２の２０℃以上６０℃以下の温度範囲におけるｔａｎδの最小値を、容易に０．３以上に設定することができる。

なお、支持基材８２には、熱可塑性エラストマーの他に、鉱油、プロセスオイルのような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、石油樹脂、炭化水素樹脂、テルペン樹脂、ロジンエステル、フェノール樹脂のようなタッキファイヤ、フタル酸エステルや非晶性ポリプロピレンのような可塑剤等の添加剤が添加されていてもよい。これにより、支持基材８２の２０℃以上６０℃以下の温度範囲におけるｔａｎδの最小値を、確実に０．３以上に設定することができる。

また、スチレン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＳ）としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の部分水添物、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の完全水添物、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレン（ＳＩＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−ブチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられ、これらの中でも、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の部分水添物、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の完全水添物、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらの化合物を１種または２種以上を組み合わせて用いることで、ｔａｎδの最小値を、より確実に０．３以上に設定することができる。

また、これらの熱可塑性エラストマーは、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を支持基材８２側から支持基材８２を透過させて粘着層８１に照射させることができる。

さらに、支持基材８２は、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

支持基材８２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上４００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましく、８０μｍ以上３００μｍ以下であるのがさらに好ましい。支持基材８２の厚さがこの範囲内であると、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨を、優れた作業性により実施することができる。また、前記ｔａｎδの最小値を０．３以上とすることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。

さらに、支持基材８２は、その表面に、粘着層８１に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。この場合、例えば、支持基材８２表面にコロナ処理を行うことによって、官能基を露出させることが出来る。

また、支持基材８２は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。

なお、前記工程［１Ａ］では、半導体用ウエハ７への仮固定用テープ２００の貼付に先立って、仮固定用テープ２００を少なくとも一方向に伸ばす伸長力を仮固定用テープ２００に付与するが、かかる方向は、仮固定用テープ２００が半導体用ウエハ７の形状に対応して円盤状をなす場合、仮固定用テープ２００の中心から放射線状をなす方向であってもよいし、仮固定用テープ２００の中心を通る一方向であってもよい。さらに、仮固定用テープ２００の平面形状が長方形のシート状をなす場合、長手方向および短手方向のうちの何れか一方または双方であってもよい。

＜粘着層８１＞
粘着層８１は、前記工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７の裏面７２を研削・研磨する際に、半導体用ウエハ７に粘着して、半導体用ウエハ７をこのものを介して支持基材８２により支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］において、粘着層８１は、この粘着層８１に対するエネルギー線の照射により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。

また、この粘着層８１は、仮固定用テープ２００の仮固定時、すなわち、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付するとき、深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの凹部に対する、エネルギー線照射前における粘着層８１の追従率が７０％以上となっていることが好ましく、８０％以上１００％以下となっていることがより好ましい。かかる大きさの凹部に対する粘着層８１の追従率が前記範囲内となっていれば、前記工程［２Ａ］において、裏面７２を研削または研磨する際に、研削くずの洗い流しや半導体用ウエハの冷却のために用いられる研削水が、凹部に浸入するのを的確に抑制または防止することができる。さらに、前記工程［２Ａ］において、前記追従率が前記範囲内のように高追従率で凹部内に粘着層８１が充填されていることにより、支持基材８２による半導体用ウエハ７の支持がより安定なものとなる。そのため、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その全体に亘って均一に研削・研磨することができることから、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化が実現される。

さらに、粘着層８１は、粘着層８１に対するエネルギー線照射前において、２３℃の温度条件下でのせん断接着力が０．８ＭＰａ以上であることが好ましく、０．９ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。粘着層８１のせん断接着力が、かかる大きさを示すことで、前記工程［２Ａ］において、裏面７２を研削または研磨する際に、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じること、すなわち、凹部内において粘着層８１が剥離することを、的確に抑制または防止することができる。

なお、このせん断接着力は、ステンレスで構成される２枚の試験片を用意し、これら試験片同士を、それぞれの一方の面において、縦・横２５×２５ｍｍの粘着層８１を介して接合した後に、試験片の両端を、これら同士が面方向で引き離されるように、２００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で引っ張り、試験片同士が粘着層８１を介して接合される接合部が破壊されるときの最大荷重を測定することにより求めることができる。

このような粘着層８１は、例えば、（１）アクリル系共重合体と、（２）エネルギー線の照射により重合するエネルギー線重合性化合物と、（３）エネルギー線重合開始剤と、（４）架橋剤とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）アクリル系共重合体
アクリル系共重合体（アクリル系樹脂）は、粘着性を有し、粘着層８１へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層８１に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。また、樹脂組成物に、アクリル系共重合体が含まれることで、粘着層８１の耐熱性の向上を図ることができる。

このアクリル系共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとする共重合体のことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

また、アクリル系共重合体は、上述したような関係式を満足し得るように、ポリマーを構成するモノマー成分として、（メタ）アクリル酸エステルの他に、共重合性モノマーを含むものが好ましく用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー（水酸基含有（メタ）アクリレート）、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド基含有モノマー（アミド基含有（メタ）アクリレート）、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、共重合性モノマーとしては、カルボキシル基含有モノマー、アミド基含有モノマーのうちの少なくとも１種を含むのが好ましい。これにより、これらのモノマーに由来する共重合体をアクリル系共重合体として含有する粘着層８１を、半導体用ウエハ７が備える凹部に対して、より優れた追従性をもって、充填させることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系共重合体を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系共重合体を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、このようなアクリル系共重合体（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系共重合体としては、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系共重合体（「二重結合導入型アクリル系共重合体」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系共重合体が二重結合導入型アクリル系共重合体である場合には、後述するエネルギー線重合性化合物（硬化性樹脂）の添加を省略したとしても、得られる粘着層８１に、上述した粘着層８１としての機能を発揮させることができる。

このような二重結合導入型アクリル系共重合体の合成方法（すなわち、アクリル系共重合体に炭素−炭素二重結合を導入する方法）としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系共重合体（「官能基含有アクリル系共重合体」と言うこともある。）を合成した後、官能基含有アクリル系共重合体中の官能基と反応し得る官能基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物（「炭素−炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。）を、官能基含有アクリル系共重合体に、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性（エネルギー線重合性）を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系共重合体を合成する方法等が挙げられる。

また、官能基含有アクリル系共重合体に炭素−炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系共重合体１００重量部に対して０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。

また、アクリル系共重合体の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは４０万〜３００万に設定され、さらに好ましくは５０万〜１５０万に設定される。アクリル系共重合体の重量平均分子量を前記範囲内に設定することにより、前記工程［４Ａ］において、半導体用ウエハ７から仮固定用テープ２００を剥離する際に、表面７１に備える凹部に粘着層８１の一部が残存するのを的確に抑制または防止することができる。

なお、アクリル系共重合体は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤やエネルギー線重合開始剤（光重合開始剤）に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤やエネルギー線重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層８１からこれら架橋剤やエネルギー線重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着性が確実に低下される。

また、アクリル系共重合体は、粘着層８１（樹脂組成物）において、３０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、３５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、４９．５ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにアクリル系共重合体の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、凹部内に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、凹部に対する粘着層８１の追従率を前記範囲内とすることができる。そのため、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が凹部に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化を実現することができる。

（２）エネルギー線重合性化合物
エネルギー線重合性化合物は、エネルギー線の照射により重合し、その結果、硬化する硬化性を備えるものである。この重合に起因する硬化によってアクリル系共重合体がエネルギー線重合性化合物の架橋構造に取り込まれ、その結果、粘着層８１の粘着力が低下する。

このようなエネルギー線重合性化合物としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。

具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル） ２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線重合性化合物をより確実に硬化させることができる。また、このようなエネルギー線重合性化合物は、ウレタンアクリレートオリゴマーであることが好ましい。これにより、粘着層８１に、適度な柔軟性を付与することができる。そのため、前記工程［４Ａ］において、仮固定用テープ２００を半導体用ウエハ７から剥離する際に、粘着層８１の層内において亀裂が生じ、この亀裂において剥離するのが防止されることから、凹部内に、粘着層８１が残存するのを的確に抑制または防止することができる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

エネルギー線重合性化合物は、その重量平均分子量が１００〜１００００程度であることが好ましく、２００〜５０００程度であることがより好ましい。さらに、エネルギー線重合性化合物の官能基数は、１〜１０官能基程度であることが好ましく、２〜６官能基程度であることがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

また、エネルギー線重合性化合物は、粘着層８１（樹脂組成物）において、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、３５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、４２．４ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにエネルギー線重合性化合物の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、凹部内に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、凹部に対する粘着層８１の追従率を前記範囲内とすることができる。そのため、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が凹部に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化を実現することができる。

なお、このエネルギー線重合性化合物は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層８１が硬化し、これにより、粘着層８１の粘着力が低下することによる。

（３）エネルギー線重合開始剤
また、粘着層８１は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、樹脂組成物には、エネルギー線重合性化合物の重合開始を容易とするためにエネルギー線重合開始剤（光重合開始剤）を含有することが好ましい。

エネルギー線重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を生成するものを備えるものであり、この反応性官能基を介して、アクリル系共重合体やエネルギー線重合性化合物に連結することができ、エネルギー線重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

また、エネルギー線重合開始剤は、粘着層８１（樹脂組成物）において、１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、１．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、２．８ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにエネルギー線重合開始剤の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、凹部内に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、凹部に対する粘着層８１の追従率を前記範囲内とすることができる。そのため、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が凹部に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化を実現することができる。

（４）架橋剤
架橋剤は、樹脂組成物に含まれることで、エネルギー線重合性化合物の硬化性の向上を図るためのものである。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物、２，６−トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物、および、２，６−トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物から成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

また、架橋剤は、粘着層８１（樹脂組成物）において、０．５ｗｔ％以上６．５ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、１．０ｗｔ％以上５．５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、５．３ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、凹部内に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、前記工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、凹部に対する粘着層８１の追従率を前記範囲内とすることができる。そのため、前記工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が凹部に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７に厚みムラが生じることなく、その薄型化を実現することができる。

（５）その他の成分
さらに、粘着層８１を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（４）の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、粘着層８１の厚さＴは、特に限定されないが、半導体用ウエハ７の表面７１に備える凹部の深さをＤとしたとき、１．２Ｄ＜Ｔ＜５．０Ｄなる関係を満足することが好ましく、１．５Ｄ＜Ｔ＜４．０Ｄなる関係を満足することがより好ましい。これにより、半導体用ウエハ７の表面７１に備える凹部に対して、優れた追従率で粘着層８１を充填することができる。

具体的には、粘着層８１の厚さは、例えば、２０μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上９０μｍ以下であるのがより好ましく、４０μｍ以上９０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層８１の厚さをかかる範囲内とすることで、上述した追従率で粘着層８１を充填することができ、かつ、粘着層８１は、粘着層８１へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層８１へのエネルギー付与後には、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。

なお、粘着層８１は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

また、本実施形態では、深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの凹部に対する追従率が７０％以上となっていることが好ましいことを記載したが、かかる関係を満足していれば、各種半導体チップ２０を備える半導体用ウエハ７に形成された、サイズの異なる凹部に対しても、追従性よく粘着層８１を充填することができる。そのため、仮固定時には、半導体用ウエハ７が備える凹部に対して、水が浸入してしまうのを的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その全体に亘って均一に研削・研磨することができる。

なお、仮固定用テープ２００は、半導体用ウエハ７への貼付より前には、粘着層８１に対して、セパレーターが積層されていることが好ましい。これにより、仮固定用テープ２００の保管・輸送時等において、粘着層８１に埃等が不本意に付着するのを確実に防止することができる。

また、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

さらに、セパレーターは、仮固定用テープ２００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター表面にコーティングする処理や、セパレーター表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

なお、本実施形態では、半導体装置１０を、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置１０を、仮固定用テープ２００を用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、仮固定用テープ２００を適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。

以上、本発明の仮固定用テープを図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、本発明の仮固定用テープにおいて、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．粘着層形成のための原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、粘着層形成のために用いた原材料を以下に示す。

（アクリル系共重合体Ａ）
アクリル系共重合体Ａとして、９０重量部のブチルアクリレートと、１０重量部のアクリル酸からなるブロック共重合体を含有するものを用意した。
なお、このアクリル系共重合体Ａの重量平均分子量は、６００，０００であった。

（エネルギー線重合性化合物Ａ）
エネルギー線重合性化合物Ａとして、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤Ａ）
架橋剤Ａとして、トルエンジイソシアネートのトリメチロールプロパン縮合化合物（日本ポリウレタン工業株式会社社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（エネルギー線重合開始剤Ａ）
エネルギー線重合開始剤Ａとして、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（ＢＡＳＦ社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。

２．支持基材形成のための原材料の準備
次に、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、支持基材形成のために用いた原材料を以下に示す。

（スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の部分水添物）
スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の部分水添物（旭化成ケミカルズ社製、品番：Ｌ６０９）を用意した。

（スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体）
スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体（カネカ社製、品番：ＳＩＢＳＴＡＲ０６２Ｍ）を用意した。

（スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体）
スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（日本ゼオン社製、品番：クインタック３４３３Ｎ）を用意した。

（エチレン−ブテン共重合体）
エチレン−ブテン共重合体（東ソー社製、品番：ＬＵＭＩＴＡＣ ４３−１）を用意した。

（光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマー）
光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを得るための樹脂組成物として、２，４−トリレンジイソシアナートを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、２−ヒドロキシエチルメタクリレートを反応させて得られたもの１００重量部とエネルギー線重合開始剤Ａとして、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（ＢＡＳＦ社製、品番：イルガキュア６５１）２．０部を配合した樹脂組成物を用意した。

３．仮固定用テープの作製
［実施例１］
支持基材８２として、厚さ２００μｍのスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の部分水添物を単軸押出機のホッパーに投入して押出し機で混練した後、Ｔダイで成形して冷却ロールで冷却してフィルムとしたものを用意した。この時、押出し機とＴダイの温度は２００℃、冷却ロールの温度は２５℃とした。

次に、アクリル系共重合体Ａ（４９．５ｗｔ％）、エネルギー線重合性化合物Ａ（４２．４ｗｔ％）、架橋剤Ａ（５．３ｗｔ％）およびエネルギー線重合開始剤Ａ（２．８ｗｔ％）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。なお、樹脂組成物の比率は、固形分換算の質量部である。

この液状材料を、乾燥後の粘着層８１の厚さが５０μｍになるようにして離型ＰＥＴフィルムにダイコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥する搬送速度として、離型ＰＥＴフィルムの上面（一方の面）に粘着層８１を形成した。その後、離型ＰＥＴフィルム上の粘着層８１が支持基材８２に接するようにラミネートして、支持基材８２の上面に粘着層８１が形成された実施例１の仮固定用テープを作製した。

［実施例２］
支持基材８２を形成するための原材料として、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例３］
支持基材８２を形成するための原材料として、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例１］
支持基材８２を形成するための原材料として、エチレン−ブテン共重合体を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例２］
支持基材８２を形成するための原材料として、光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを得るための樹脂組成物を用い、この樹脂組成物をダイコート塗工した後、光量２５０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で紫外線照射することにより、支持基材８２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして仮固定用テープを作製した。

４．仮固定用テープの評価
４．１ 支持基材の収縮荷重の評価
各実施例および各比較例の仮固定用テープを作製する際に用意した、支持基材形成のための原材料を用いて支持基材８２を形成した。次いで、支持基材８２を一方向に伸ばす伸長力を支持基材８２に付与して前記一方向に１０％伸長させた後に前記伸長力を解除し、その後、１０分経過したときの支持基材８２における収縮荷重を、引張り試験機を用いて測定した。

４．２ 半導体用ウエハの反りの評価
深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの凹部を表面７１に複数備え、厚さ６５０μｍの６インチ半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、直径９５ｍｍ、３００ｍｍ幅、重量１３．３ｋｇｆのローラーで押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７の反りを、定規で測定することにより測定した。

＜半導体用ウエハにおける反りの評価基準＞
◎：半導体用ウエハにおける反り量が２ｍｍ未満である。
〇：半導体用ウエハにおける反り量が２ｍｍ以上３ｍｍ未満である。
×：半導体用ウエハにおける反り量が３ｍｍ以上である。
評価結果を表１に示す。

４．３ 動的粘弾性のｔａｎδの評価
各実施例および各比較例の仮固定用テープを作製する際に用意した、支持基材形成のための原材料を用いて支持基材８２を形成した。次いで、得られた支持基材８２について、それぞれ、動的粘弾性測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、「製品名：ＤＭＳ６１００」）を用いて、周波数１Ｈｚで、２０℃以上６０℃以下の温度範囲における引張り応力のｔａｎδの最小値を測定した。

４．４ 半導体用ウエハの厚さの評価
深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの凹部を表面７１に複数備え、厚さ５０μｍの半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、直径９５ｍｍ、３００ｍｍ幅、重量１３．３ｋｇｆのローラーで押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７の厚さを、ランダムな位置において、３３ポイント測定した。そして、これらの測定値に基づいて、最大値と最小値の差を求めた。

＜半導体用ウエハにおける厚さの評価基準＞
◎：半導体用ウエハにおける最大値と最小値の差が５μｍ未満である。
〇：半導体用ウエハにおける最大値と最小値の差が５μｍ以上１０μｍ未満である。
×：半導体用ウエハにおける最大値と最小値の差が１０μｍ以上である。
評価結果を表１に示す。

４．５ 仮固定用テープの追従率の評価
深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの凹部を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、直径９５ｍｍ、４５ｍｍ幅、重量２．０ｋｇｆのローラーで押し付けることで貼付した。

そして、凹部に対する粘着層８１の追従率を、ＵＶ照射して凹部から剥離した後の仮固定用テープの凸部の高さを凹部の深さで除することにより測定し、以下の評価基準に照らして評価した。なお、上述の高さ、および、深さは干渉顕微鏡（ＺＹＧＯ社製、Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ７３００）で測定した。

＜仮固定用テープの追従率の評価基準＞
◎：粘着層の追従率が８０％以上である。
〇：粘着層の追従率が７０％以上８０％未満である。
×：粘着層の追従率が７０％未満である。
評価結果を表１に示す。

４．６ エネルギー線照射前における、粘着層８１のせん断接着力の評価
アルミニウムで構成される２枚の試験片を用意し、これら試験片同士が、それぞれの一方の面において接合されるように、各実施例および各比較例の仮固定用テープを作製する際に用意した液状材料を用いて、縦・横２５×２５ｍｍの粘着層８１を形成し、その後、試験片の両端を、これら同士が面方向で引き離されるように、２００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で引っ張り、試験片同士が粘着層８１を介して接合される接合部が破壊されるときの最大荷重を測定し、以下の評価基準に照らして評価した。

＜粘着層８１のせん断接着力の評価基準＞
〇：粘着層８１のせん断接着力が０．８ＭＰａ以上である。
×：粘着層８１のせん断接着力が０．８ＭＰａ未満である。
評価結果を表１に示す。

表１から明らかなように、各実施例では、支持基材における前記収縮荷重の大きさが、０．８ＭＰａ以下となっており、これにより、半導体用ウエハ７に生じる反りの大きさを、２．０ｍｍ未満とすることができ、半導体用ウエハ７における反りの発生が抑制されていると言える。

これに対して、各比較例では、支持基材における前記収縮荷重の大きさが、０．８ＭＰａ以下にはならず、０．９ＭＰａ以上となっており、その結果、半導体用ウエハ７に生じる反りの大きさが、３．０ｍｍ以上となり、半導体用ウエハ７における反りの発生が抑制されているとは言えない結果を示した。

２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体用ウエハ
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
２０ 半導体チップ
２１ 電極パッド
２２ ワイヤー
３０ ダイパッド
４０ リード
５０ モールド部
６０ 接着層
７１ 表面
７２ 裏面
８１ 粘着層
８２ 支持基材
１００ 半導体用ウエハ加工用粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ 仮固定用テープ

Claims (7)

1. 支持基材と、該支持基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
   基板を加工するために該基板を、前記粘着層を介して前記支持基材に仮固定し、前記基板の加工後に前記粘着層にエネルギー線を照射することで前記基板を前記支持基材から離脱させるために用いられる仮固定用テープであって、
   前記基板は、前記加工を施す加工面の反対側に位置する保護面に複数の凹部を備え、
   前記支持基材は、該支持基材を一方向に伸ばす伸長力を前記支持基材に付与して前記一方向に１０％伸長させた後に前記伸長力を解除し、その後、１０分経過したときの収縮荷重が、０．８ＭＰａ以下であり、かつ、前記支持基材は、２０℃以上６０℃以下の温度範囲における動的粘弾性のｔａｎδの最小値が０．４以上であり、
   前記粘着層は、該粘着層に対するエネルギー線照射前において、２３℃の温度条件下でのせん断接着力が０．８ＭＰａ以上であり、かつ、前記粘着層は、前記粘着層へのエネルギー線照射前において、深さ０．０３ｍｍ、幅０．３ｍｍの前記凹部に対する追従率が８０％以上１００％以下であることを特徴とする仮固定用テープ。
2. 前記支持基材は、熱可塑性エラストマーを主材料として含有する請求項１に記載の仮固定用テープ。
3. 前記熱可塑性エラストマーは、スチレン系エラストマーを含む請求項２に記載の仮固定用テープ。
4. 前記スチレン系エラストマーは、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体の部分水添物、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体の完全水添物、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体のうちの少なくとも１種である請求項３に記載の仮固定用テープ。
5. 前記粘着層は、アクリル系共重合体、架橋剤、エネルギー線の照射により重合するエネルギー線重合性化合物およびエネルギー線重合開始剤を含有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の仮固定用テープ。
6. 前記基板は、半導体用ウエハである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の仮固定用テープ。
7. 前記加工は、前記半導体用ウエハの加工面を研削して前記半導体用ウエハの厚さを薄くする半導体用ウエハ研削である請求項６に記載の仮固定用テープ。

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