JP6623035B2 - 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 - Google Patents
被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6623035B2 JP6623035B2 JP2015219731A JP2015219731A JP6623035B2 JP 6623035 B2 JP6623035 B2 JP 6623035B2 JP 2015219731 A JP2015219731 A JP 2015219731A JP 2015219731 A JP2015219731 A JP 2015219731A JP 6623035 B2 JP6623035 B2 JP 6623035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging
- wafer
- cover glass
- workpiece
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 91
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 84
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図4(a)〜(d)には、チャックテーブル(図示省略)上に保護テープTを介して保持された半導体ウエーハ20、及びカバーガラス配設手段7が示されている。まず、図4(a)に示すように、エアシリンダー71に支持されたピストンロッド72を長手方向の軸を中心に回転させ、ノズル保持アーム73aの先端に配設されている滴下ノズル73bを、半導体ウエーハ20の裏面20bの略中央部分に位置付けると共に、ピストンロッド72を降下させて、該滴下ノズル73bを半導体ウエーハ20に近接させる。さらに、滴下ノズル73bから図示しない水供給源から供給される水を滴下し、該中央に水滴Wを供給する。当該半導体ウエーハ20の裏面20bに供給された水滴Wは、表面張力により該中央部分において半球状に保持される。
図2に戻り、カバーガラス配設工程に続いて実行される撮像工程について説明する。本実施形態では、カバーガラス74cが半導体ウエーハ20上に位置付けられ、該裏面20bと、カバーガラス74cとに挟まれた領域が該水滴Wで満たされている状態で、撮像手段6がカバーガラス74cの上方に位置付けられる。撮像手段6は、上記したように、赤外線撮像素子61(赤外線CCD)と、顕微鏡ユニット62とを備えており、撮像工程においては、赤外線撮像素子61(赤外線CCD)から赤外線をカバーガラス74c上に照射する。ここで、半導体ウエーハ20の裏面20bには、研削時に生じた縞模様状の凹凸部が形成されているものの、カバーガラス74cと、裏面20bとで形成される空間が該水滴Wで満たされていることにより、該凹凸面において該赤外線が乱反射を起こすことが抑制され、照射された赤外線は半導体ウエーハ20の内部を透過する。
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
6:撮像手段
7:カバーガラス配設手段
73:液体滴下手段
74:カバーガラス保持手段
74a:カバーガラス保持アーム
74b:カバーガラス保持プレート
74c:カバーガラス74c
20:半導体ウエーハ
21:分割予定ライン
22:デバイス
Claims (6)
- 複数の分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが形成されたウエーハの内部を撮像するウエーハの撮像方法であって、
レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハの表面側を載置する載置工程と、
レーザー加工装置に配設されたカバーガラス配設手段によりウエーハの裏面に液体を滴下すると共に、該滴下した液体上にカバーガラスを配設するカバーガラス配設工程と、
ウエーハを撮像する撮像手段を該カバーガラスの上部に位置付けて該カバーガラスを通してウエーハの内部を撮像する撮像工程と、から少なくとも構成され、
該撮像工程が完了した後、レーザー光線をウエーハに照射するレーザー光線照射領域に移動させる前に、ウエーハの裏面からカバーガラスを遠ざけるウエーハの撮像方法。 - 該撮像手段は、ウエーハを透過する赤外線によって該ウエーハ内部を撮像するものである、請求項1に記載のウエーハの撮像方法。
- 該液体は水である、請求項1又は2に記載されたウエーハの撮像方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の撮像方法を実行することにより、該分割予定ライン又は該デバイスを撮像することで分割予定ラインの位置を検出し、
その後、該ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域を加工する加工工程を実施する、ウエーハの加工方法。 - レーザー加工装置に装着される被加工物の内部を撮像する撮像装置であって、
レーザー加工装置のチャックテーブルに表面側を保持された被加工物の裏面の撮像面に液体滴下手段により液体を滴下するとともに、該液体上にカバーガラスを配設するカバーガラス配設手段と、
被加工物を透過する光で該カバーガラスを通して被加工物の内部を撮像する撮像手段と、
から少なくとも構成され、
該カバーガラス配設手段は、被加工物が、被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射領域に移動させられる前に、被加工物の裏面からカバーガラスを遠ざける撮像装置。 - 該液体は水である、請求項5に記載された撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015219731A JP6623035B2 (ja) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015219731A JP6623035B2 (ja) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017092217A JP2017092217A (ja) | 2017-05-25 |
JP6623035B2 true JP6623035B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=58769264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015219731A Active JP6623035B2 (ja) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6623035B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284449A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム |
JP5715370B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2015-05-07 | 株式会社ディスコ | 検出方法 |
JP2014212282A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2014229772A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
2015
- 2015-11-09 JP JP2015219731A patent/JP6623035B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017092217A (ja) | 2017-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6301203B2 (ja) | チップの製造方法 | |
KR102148915B1 (ko) | 가공 장치 | |
JP5198203B2 (ja) | 加工装置 | |
US20080105665A1 (en) | Laser processing machine | |
JP6360411B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010087141A (ja) | 加工装置 | |
US20130027690A1 (en) | Laser beam spot shape detecting method | |
JP5686551B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015200537A (ja) | 凹凸検出装置 | |
JP5902490B2 (ja) | レーザー光線のスポット形状検出方法およびスポット形状検出装置 | |
US9149886B2 (en) | Modified layer forming method | |
JP6345928B2 (ja) | 検出装置 | |
JP2010145230A (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置 | |
JP6157991B2 (ja) | ウエーハの管理方法 | |
KR20170107900A (ko) | 피가공물의 내부 검출 장치 및 내부 검출 방법 | |
JP6623035B2 (ja) | 被加工物の撮像方法、撮像装置、及び加工方法 | |
JP5940783B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2017135132A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP6721468B2 (ja) | 加工装置 | |
JP5872814B2 (ja) | 変位量検出方法およびレーザー加工装置 | |
JP2015131303A (ja) | レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置 | |
JP2012054273A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5686550B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013055273A (ja) | デバイスチップ及びデバイスチップの製造方法 | |
KR20210033888A (ko) | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6623035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |