JP6622311B2 - プラズマプロセスの電力供給中に発生するアークを検出する方法、及び、プラズマ電源 - Google Patents

プラズマプロセスの電力供給中に発生するアークを検出する方法、及び、プラズマ電源 Download PDF

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Description

本発明は、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスの電力供給中に発生するアークを検出する方法、及び、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスに電力を供給するプラズマ電源のための制御ユニットに関する。この電源は、直流源と出力信号発生器とを含み、制御ユニットへ、直流源と出力信号発生器との間に生じる第1の信号シーケンスと、出力信号発生器の出力側に生じる第2の信号シーケンスとが供給される。
本発明は、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスに電力を供給するプラズマ電源にも関する。
プラズマプロセスにおけるカソードスパッタリングによって、基板、例えばガラスをコーティングすることは、よく知られている。スパッタリングは慣用のように実施することができ、あるいは反応性ガスを使用して実施することができる。このケースの場合には、反応性スパッタリングと呼ばれる。この目的で、電流源又は電圧源がプラズマを発生し、プラズマはターゲットから材料を取り出し、次いでその材料が基板、例えばガラス基板の上にコーティングされる。反応性プロセスを用いれば、所望のコーティングに応じて、ターゲットの原子をガスの原子又は分子と組み合わせることができる。
詳しく述べると、反応性プロセスが用いられているときには、プラズマプロセス中にアークが発生する可能性がある。かかるアークはプラズマプロセスにとって望ましくないものとなる可能性があり、コーティングを損傷してしまう場合すらある。従って、アークを迅速かつ確実に検出しなければならない。電源の出力電圧を監視することによって、アークを検出することが多い。出力電圧が急速に降下したならば、アークが検出される。他方、電流を監視することができる。出力電流が瞬間的に上昇したならば、そのこともアークの指標である。具体的には、出力電流と出力電圧を監視して、それらをそれぞれ閾値と比較することができる。但し、プラズマプロセス中に他の理由で、即ち、アークが発生しなくても、出力電流と出力電圧が変化する可能性がある。
電源を、電流調整型及び/又は電圧調整型及び/又は電力調整型の電源とすることができる。電流、電圧又は電力のための設定値は、外部から、例えばユーザによって定められる。次いで出力側における設定値を達成するために、電源が調整される。例えば電源が、電力は所望の設定値、電流は最大設定値、電圧は最大設定値とされた電力調整モードにあるときには、アーク検出のために適切な閾値を特定するのが難しい。なぜならば、電圧又は電流の絶対値はプラズマインピーダンスと共に変化するからである。このため、アークの検出に固定の閾値を用いると、アーク検出が極めて不確かなものとなってしまう。
本発明の課題は、より迅速かつより確実にアークを検出できるようにした方法、制御ユニット及び電源を提供することにある。
本発明によればこの課題は、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスの電力供給中に発生するアークを検出するための方法であって、
a.直流源と出力信号発生器との間に生じる第1の信号シーケンスを、信号シーケンス測定装置によって特定するステップと、
b.出力信号発生器の出力側に生じる第2の信号シーケンスを、第2の信号シーケンス測定装置によって特定するステップと、
c.第1の信号シーケンス及び第2の信号シーケンスのうち一方の信号シーケンスに基づき、参照信号シーケンスを特定するステップと、
d.参照信号シーケンスを、第1の信号シーケンス及び第2の信号シーケンスのうち、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった他方の信号シーケンスと比較するステップと、
e.参照信号シーケンスと、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった信号シーケンスとが交差したならば、アークを検出するステップと、
を含む方法によって解決される。
よって、本発明によれば、参照信号シーケンスを発生させるためと、アークが発生したか否かを検出する目的で参照信号シーケンスと比較するためとで、それぞれ異なる信号が用いられる。かかる方法は、従来技術によって用いられていた方法よりも格段に信頼性がある。具体的に述べると、誤ったアーク検出を極めて高い頻度で回避することができる。信号シーケンスと参照信号シーケンスとの交差を、信号シーケンスが参照信号シーケンスよりも高く上昇すること、又は、信号シーケンスが参照信号シーケンスを下回ること、とすることができる。
第1の信号シーケンスと第2の信号シーケンスと参照信号シーケンスのうち、少なくとも1つの信号シーケンスを、ディジタル化することができ、又は、ディジタル領域において特定することができる。これによりディジタル信号処理が可能となり、その結果、アーク検出がより迅速になる。
アーク検出を改善する目的で、参照信号シーケンスを規則的なインターバルで特定することができる。例えば参照信号シーケンスを、数ms、数μs又は数nsのインターバルで特定することができる。さらに参照信号シーケンスを、制御ユニットへ供給されるクロックレートと同じクロックレートで、又は、そのクロックレートの整数の約数のクロックレートで、特定することができる。
第1の信号シーケンス又は第2の信号シーケンスとして、電流、電圧又は電力を測定することができる。
特定される第1の信号シーケンス及び/又は第2の信号シーケンスを、平均値、実効値又は最大値とすることができる。用いられるプラズマプロセスの種類に応じて、第1の信号シーケンス及び/又は第2の信号シーケンスとして、どのような種類の値を用いるべきかを選択することができる。制御ユニットへ供給されるクロック信号の複数の期間にわたり、平均値を計算することができる。
信号シーケンスと参照信号シーケンスとが交差した後に経過した時間を測定し、信号シーケンスと参照信号シーケンスとが、予め定められたタイムインターバル内に再び交差しなければ、アークを検出することができる。このようにすれば、アーク検出を改善することができる。具体的に述べると、信号シーケンスと参照信号シーケンスとが交差すると、自動的にかつ即座に、アーク検出信号が生じるわけではない。アークが持続し、十分に長いタイムインターバルにわたり存在したときだけ、アークが検出される。
参照信号シーケンスを、測定された第1の信号シーケンス又は第2の信号シーケンスから第1の所定の値を減算したものとして特定することができ、又は、第1の信号シーケンス又は第2の信号シーケンスを第2の所定の値によって乗算したものとして特定することができる。
さらに本発明は、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスに電力を供給するプラズマ電源のための制御ユニットに関する。プラズマ電源は、直流源と出力信号発生器とを含み、制御ユニットへ、直流源と出力信号発生器との間に生じる第1の信号シーケンスと、出力信号発生器の出力側に生じる第2の信号シーケンスとが供給される。制御ユニットは、
i.第1の信号シーケンス及び第2の信号シーケンスのうち一方の信号シーケンスに基づき、参照信号シーケンスを発生するように構成された、参照信号シーケンス特定ユニットと、
ii.参照信号シーケンスと、第1の信号シーケンス及び第2の信号シーケンスのうち、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった他方の信号シーケンスとを比較し、参照信号シーケンスと、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった信号シーケンスとが交差したならば、検出信号を発生するように構成された、比較器と、
を備える。
かかる制御ユニットをディジタル制御ユニットとすることができ、例えばディジタル信号プロセッサ又はFPGAとすることができる。これにより極めて高速な信号処理が得られるようになり、従って、高速なアーク検出が得られるようになる。
前述のように制御ユニットを、所定のクロックでクロック制御されるディジタル制御ユニットとすることができる。
制御ユニットはカウンタを有することができ、このカウンタは、信号シーケンスと参照信号シーケンスとの交差後に経過した時間を測定する。このようにすれば、誤ったアーク検出を改善することができる。
さらに制御ユニットはアーク検出装置を有することができ、このアーク検出装置は、参照信号シーケンスと信号シーケンスとの交差を、及び/又は、参照信号シーケンスと信号シーケンスとの交差後、これらの信号シーケンスと参照信号シーケンスとが再び交差することなく経過した所定の時間を、検出する比較器に基づき、アーク検出信号を発生する。
本発明はさらに、プラズマチャンバ内のプラズマプロセスに電力を供給するプラズマ電源に関する。このプラズマ電源は、
a.直流源と、
b.直流源に接続された出力信号発生器と、
c.直流源と出力信号発生器との間に生じる信号シーケンスを測定する第1の信号シーケンス測定装置と、
d.出力信号発生器の出力側に生じる信号シーケンスを測定する第2の信号シーケンス測定装置と、
e.第1及び第2の信号シーケンス測定装置に接続された、本発明に係る制御ユニットと、
を備える。
第1の信号を、直流源の出力側と出力信号発生器の入力側との間の任意のポイントで取得することができる。第1の信号シーケンスと第2の信号シーケンスを、電流、電圧又は電力とすることができる。
プラズマ電源は、第1の信号シーケンスの平均値及び/又は第2の信号シーケンスの平均値を特定するために、平均化ユニットを含むことができる。別の選択肢として、プラズマ電源は、第1の信号シーケンスの実効値及び/又は第2の信号シーケンスの実効値を特定するために、実効値特定装置を含むことができる。さらに別の選択肢として、プラズマ電源は、所定のタイムインターバル内で第1の信号シーケンス最大値及び/又は第2の信号シーケンス最大値を特定するために、最大値特定ユニットを含むことができる。
上述の及びその他の本発明の課題、特徴及び利点並びに本発明そのものは、以下の例示的な説明を添付の図面を参照しながら読めば、いっそう十分に理解されよう。なお、それらの図面は必ずしも縮尺どおりには描かれていない。
参照信号シーケンスを用いたアーク検出について説明するダイアグラム。 誤ったアーク検出について説明するダイアグラム。 誤ったアーク検出をどのようにして回避できるのかを示すダイアグラム。 プラズマ電源を示すブロック図。 選択的なプラズマ電源を示す図。 プラズマ電源の別の実施例を示す図。 プラズマ電源のさらに別の実施例を示す図。
図1には、参照信号シーケンス1が示されており、これはプラズマ電源の出力側即ち出力信号発生器の出力側で測定された信号シーケンスから、又は、プラズマ電源における直流源と出力信号発生器との間で測定された信号シーケンスから、得られたものである。参照符号2は、プラズマ電源の出力側で得られた、又は、プラズマ電源における直流源と出力信号発生器との間で得られた、信号の信号シーケンスを表している。但し、信号シーケンス2は、参照信号シーケンス1を得るために用いられた信号シーケンスではない。この図に示されているように、信号シーケンス2はポイント3において参照信号シーケンス1と交差しており、詳しくは参照信号シーケンス1を下回る。つまりこのことは、プラズマプロセスが行われるプラズマチャンバ内でアークが発生したことを意味する。
図2にも同様の状況が示されている。このケースでは、参照信号シーケンス1と信号シーケンス2は、ポイント4,5において交差している。このケースでは、比較的小さい又は短いアークが発生しているだけであり、このようなアークは外部からの作用がなくても消弧する。この種のアークはプラズマプロセスにたいした影響を及ぼさず、この種のアークが発生してもアーク対抗措置を導入しなくてもよい。誤ったアーク検出を回避する目的で、ポイント4と5の間の時間が測定される。このことはライン7によって示されている。ライン7が別のライン6と交差したことは、十分に長い時間にわたりアークが生じていることを表し、このような場合にのみアーク検出信号が発生され、アーク対抗措置が導入される。図2に示されているように、アークが比較的短く、ライン7がライン6よりも下に留まり続けているならば、実質的なアークは検出されず、アーク対抗措置は導入されない。
図3には、図2と類似した状況が示されている。このケースでは、参照信号シーケンス1と信号シーケンス2は、ポイント8において交差している。ポイント8において、時間測定がスタートする。このことはやはり、ライン7によって表されている。但し、このケースでは図2に示した状況とは異なり、信号シーケンス2は、ライン7がライン6と交差するほどの長い時間にわたり、参照信号シーケンス1よりも下に留まり続けている。従って、アーク検出信号が発生され、アーク対抗措置を導入することができる。
信号シーケンス2と参照信号シーケンス1とが初回に交差したときに、アナログ領域での時間測定に相当するものとして、カウンタの増分がスタートする。このカウンタは、参照信号シーケンス1と信号シーケンス2とが再び交差しないかぎり、増分又は減分されていく。カウンタが所定の値まで増分又は減分されたならば、アークが検出される。
図4にはプラズマ電源10が示されており、この電源は配電網12から給電電圧を受け取る。プラズマ電源10は、その出力側13で出力信号シーケンスを発生する。出力信号シーケンスは一般に、出力電流Iout及び出力電圧Uoutである。出力電圧と出力電流の乗算によって出力電力Poutが得られ、これも出力信号シーケンスとみなされる。
電源10は、制御及びアーク検出ユニット14を有しており、このユニットは、出力電力の入力設定値Psetと、出力電圧の入力設定値Usetと、出力電流の入力設定値Isetとを受け取る。さらにプラズマ電源10は、直流源15を有する。直流源15は、出力信号発生器16、一般にはブリッジインバータの入力側に接続されている。出力信号発生器16も、制御及びアーク検出ユニット14によって制御される。
出力信号発生器16の出力側における信号測定手段18,19に加えて、直流源15と出力信号発生器16との間に生じる信号を測定するために、測定手段20が設けられている。
制御ユニット14は、参照信号シーケンス特定ユニット21を有しており、このユニットは、測定手段18,19のうちの少なくとも一方によって出力信号発生器16の出力側で測定された信号に基づき、又は、直流源15と出力信号発生器16との間で測定された信号、即ち、測定手段20によって測定された信号に基づき、参照信号シーケンスを発生するように構成されている。
さらに制御ユニットは比較器22を有しており、この比較器は、参照信号シーケンスと、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった信号シーケンスとを比較し、参照信号シーケンスと、参照信号シーケンスの特定には用いられなかった信号シーケンスとが交差したならば、検出信号を発生するように、構成されている。
制御ユニット14を、所定のクロックでクロック制御されるディジタル制御ユニットとすることができる。この目的で、制御ユニット14はクロック入力端子23を有する。
さらに制御ユニット14はカウンタ24を有することができ、このカウンタは、信号シーケンスと参照信号シーケンスとが交差した後に経過した時間を測定する。
さらに制御ユニット14は、アーク検出装置25を有することができる。この装置は、比較器22及び/又はカウンタ24によって発生された信号に基づきアーク検出信号を発生し、即ち、参照信号シーケンスと信号シーケンスとの交差の検出に基づき、及び/又は、参照信号シーケンスと信号シーケンスとの交差後、これらの信号シーケンスと参照信号シーケンスとが再び交差しないまま経過した所定の時間に基づき、アーク検出信号を発生する。
さらに、信号シーケンスの平均値を特定するために、信号シーケンスの実効値を特定するために、及び/又は、信号シーケンスの最大値を特定するために、ユニット26が設けられている。
さらに出力信号発生器16はプラズマチャンバ30に接続されており、このチャンバへプラズマ電源10によって電力が供給される。プラズマチャンバ30内において、プラズマプロセスが実施される。プラズマプロセス中、アークが発生する可能性がある。
図5、図6及び図7には、プラズマ電源10及びプラズマチャンバ30の選択的な実施形態が示されている。これらの図中、既述の要素に対応する要素には同じ参照符号が付されている。
図5の場合、出力信号発生器16はインバータとしてではなく、直流信号源として実現されている。
図5及び図6によれば、出力信号発生器16は、アーク検出装置25に接続されたアーク消弧ユニット31を有している。
図7の実施形態によれば、出力信号発生器16はフルブリッジインバータとして実現されており、このインバータはプラズマプロセスにバイポーラ電力を供給し、測定手段18によって出力信号発生器16の出力側で参照信号シーケンスが取得される。
出力信号発生器16を、フルブリッジなどのようなインバータとしてもよいし、あるいは出力トランス又は付加的な出力共振回路を備えたフルブリッジなどのようなインバータとしてもよい。このケースではプラズマチャンバ30内のプラズマプロセスを、図4及び図7に示されているような、中間周波数(MF)電力が給電されるプラズマプロセスとすることができる。このようなMF電力が給電されるプラズマプロセスの場合、特定される第1の信号シーケンス及び/又は第2の信号シーケンスを、平均値又は実効値とすることができる。
出力信号発生器16を、パルス化ユニットとすることができる。付加的又は選択的に、出力信号発生器16は、アーク消弧ユニット31を含むことができる。このケースではプラズマチャンバ30内のプラズマプロセスを、図5及び図6に示されているような、パルス化された直流電力が給電されるプラズマプロセスとすることができる。この種のパルス化された直流電力が給電されるプラズマプロセスの場合には、特定される第1の信号シーケンス及び/又は第2の信号シーケンスを、平均値又は最大値とすることができる。
図5、図6及び図7の制御及びアーク検出ユニット14は、これらの図面には示されていないけれども、以下のユニット又は装置、即ち、参照信号シーケンス特定ユニット21、比較器22、クロック入力端子23、カウンタ24、アーク検出装置25、及び、ユニット26、のうちの1つ又は複数を有することもできる。

Claims (14)

  1. プラズマチャンバ(30)内のプラズマプロセスの電力供給中に発生するアークを検出する方法であって、
    a.直流源(15)と出力信号発生器(16)との間に生じる第1の信号シーケンスを、信号シーケンス測定装置(20)によって特定するステップと、
    b.前記出力信号発生器(16)の出力側に生じる第2の信号シーケンスを、第2の信号シーケンス測定装置(18,19)によって特定するステップと、
    c.前記第1の信号シーケンス及び前記第2の信号シーケンスのうち一方の信号シーケンスに基づき、参照信号シーケンス(1)を特定するステップと、
    d.前記参照信号シーケンス(1)を、前記第1の信号シーケンス及び前記第2の信号シーケンスのうち、前記参照信号シーケンス(1)の特定には用いられなかった他方の信号シーケンス(2)と比較するステップと、
    e.前記参照信号シーケンス(1)と、前記参照信号シーケンス(1)の特定には用いられなかった前記信号シーケンス(2)とが交差したならば、アークを検出するステップと、
    を含む方法。
  2. 前記第1の信号シーケンスと前記第2の信号シーケンスと前記参照信号シーケンス(1)のうち、少なくとも1つの信号シーケンスをディジタル化する、又は、ディジタル領域において特定する、
    請求項1に記載の方法。
  3. 前記参照信号シーケンス(1)を規則的なインターバルで特定する、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記第1の信号シーケンス又は前記第2の信号シーケンスとして、電流、電圧又は電力を測定する、
    請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 特定される前記第1の信号シーケンス及び/又は前記第2の信号シーケンスは、平均値、実効値又は最大値である、
    請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記信号シーケンス(2)と前記参照信号シーケンス(1)との交差後に経過した時間を測定し、前記信号シーケンス(2)と前記参照信号シーケンス(1)とが、予め定められたタイムインターバル内に再び交差しなければ、アークを検出する、
    請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記参照信号シーケンス(1)を、測定された前記第1の信号シーケンス又は前記第2の信号シーケンスから第1の所定の値を減算したものとして特定する、又は、前記第1の信号シーケンス又は前記第2の信号シーケンスを第2の所定の値によって乗算したものとして特定する、
    請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
  8. プラズマチャンバ(30)内のプラズマプロセスに電力を供給するプラズマ電源(10)であって、
    a.直流源(15)と、
    b.前記直流源(15)に接続された出力信号発生器(16)と、
    c.前記直流源(15)と前記出力信号発生器(16)との間に生じる信号シーケンスを測定するための、第1の信号シーケンス測定装置(20)と、
    d.前記出力信号発生器(16)の出力側に生じる信号シーケンスを測定するための、第2の信号シーケンス測定装置(18,19)と、
    e.前記第1の信号シーケンス測定装置及び前記第2の信号シーケンス測定装置(18,19,20)に接続された制御ユニット(14)と、
    を備え、前記制御ユニット(14)へ、前記直流源(15)と前記出力信号発生器(16)との間に生じる第1の信号シーケンスと、前記出力信号発生器(16)の出力側に生じる第2の信号シーケンスとが供給される、
    プラズマ電源(10)において、
    前記制御ユニット(14)は、
    i.前記第1の信号シーケンス及び前記第2の信号シーケンスのうち一方の信号シーケンスに基づき、参照信号シーケンス(1)を発生するように構成された、参照信号シーケンス特定ユニット(21)と、
    ii.前記参照信号シーケンス(1)と、前記第1の信号シーケンス及び前記第2の信号シーケンスのうち、前記参照信号シーケンスの特定には用いられなかった他方の信号シーケンス(2)とを比較し、前記参照信号シーケンス(1)と、前記参照信号シーケンス(1)の特定には用いられなかった前記信号シーケンス(2)とが交差したならば、アーク検出信号を発生するように構成された、比較器(22)と、
    を備える、
    ことを特徴とするプラズマ電源(10)。
  9. 前記制御ユニット(14)は、所定のタイムインターバルでクロック制御されるディジタル制御ユニットである、
    請求項8に記載のプラズマ電源(10)。
  10. 前記制御ユニット(14)はカウンタ(24)を有しており、前記カウンタ(24)は、前記信号シーケンス(2)と前記参照信号シーケンス(1)との交差後に経過した時間を測定する、
    請求項8又は9に記載のプラズマ電源(10)。
  11. 前記制御ユニット(14)はアーク検出装置(25)を有しており、前記アーク検出装置(25)は、前記参照信号シーケンス(1)と前記信号シーケンス(2)との交差を、及び/又は、前記参照信号シーケンス(1)と前記信号シーケンス(2)との交差後、前記信号シーケンス(2)と前記参照信号シーケンス(1)とが再び交差することなく経過した所定の時間を、検出する比較器(22)に基づき、前記アーク検出信号を発生する、
    請求項8乃至10のいずれか一項に記載のプラズマ電源(10)。
  12. 前記第1の信号シーケンス及び/又は前記第2の信号シーケンスの平均値を特定するために、平均化ユニット(26)が設けられている、
    請求項8乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ電源(10)。
  13. 前記第1の信号シーケンス及び/又は前記第2の信号シーケンスの実効値を特定するために、実効値特定装置(26)が設けられている、
    請求項8乃至12のいずれか一項に記載のプラズマ電源(10)。
  14. 所定のタイムインターバル内で前記第1の信号シーケンス及び/又は前記第2の信号シーケンスの最大値を特定するために、最大値特定装置(26)が設けられている、
    請求項8乃至13のいずれか一項に記載のプラズマ電源(10)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013110883B3 (de) 2013-10-01 2015-01-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess
EP2905801B1 (en) * 2014-02-07 2019-05-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of monitoring the discharge in a plasma process and monitoring device for monitoring the discharge in a plasma
EP3035365A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply
WO2018211585A1 (ja) * 2017-05-16 2018-11-22 株式会社Fuji プラズマ発生装置
US11664206B2 (en) * 2017-11-08 2023-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Arcing protection method and processing tool
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
EP3605115A1 (en) * 2018-08-02 2020-02-05 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Arc detector for detecting arcs, plasma system and method of detecting arcs
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
GB2584146A (en) * 2019-05-23 2020-11-25 Comet Ag Radio frequency generator
EP3796362A1 (en) 2019-09-23 2021-03-24 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of plasma processing a substrate in a plasma chamber and plasma processing system
US11462388B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power
CN114446752B (zh) * 2020-11-04 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔内的电弧的检测方法及检测装置
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US11984306B2 (en) 2021-06-09 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
KR100610413B1 (ko) * 1997-09-17 2006-08-09 동경 엘렉트론 주식회사 Rf 플라즈마 시스템에서 아크를 검출하고 방지하기 위한디바이스 및 방법
DE19937859C2 (de) 1999-08-13 2003-06-18 Huettinger Elektronik Gmbh Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen
US7009406B2 (en) * 2003-04-24 2006-03-07 Delphi Technologies, Inc. Arc fault detector and method
US6995545B2 (en) * 2003-08-18 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Control system for a sputtering system
DE102004015090A1 (de) * 2004-03-25 2005-11-03 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Bogenentladungserkennungseinrichtung
US7292045B2 (en) * 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
US7305311B2 (en) * 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
JP4842752B2 (ja) * 2006-09-28 2011-12-21 株式会社ダイヘン プラズマ処理システムのアーク検出装置、アーク検出装置を実現するためのプログラム及び記憶媒体
EP1928009B1 (de) * 2006-11-28 2013-04-10 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
WO2008071734A2 (en) * 2006-12-12 2008-06-19 Oc Oerlikon Balzers Ag Arc suppression and pulsing in high power impulse magnetron sputtering (hipims)
EP1995818A1 (en) * 2007-05-12 2008-11-26 Huettinger Electronic Sp. z o. o Circuit and method for reducing electrical energy stored in a lead inductance for fast extinction of plasma arcs
KR100935406B1 (ko) * 2007-06-08 2010-01-06 주식회사 플라즈마트 플라즈마 이상 감지 장치와 플라즈마 이상 감지 방법
US8264237B2 (en) * 2008-02-14 2012-09-11 Mks Instruments, Inc. Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
US8289029B2 (en) * 2008-02-14 2012-10-16 Mks Instruments, Inc. Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
JP5429771B2 (ja) * 2008-05-26 2014-02-26 株式会社アルバック スパッタリング方法
JP5124345B2 (ja) 2008-05-26 2013-01-23 株式会社アルバック バイポーラパルス電源及びこのバイポーラパルス電源を複数台並列接続してなる電源装置
JP2011521735A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマを発生させるためのシステム、方法、および装置
US20090308734A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Schneider Automation Inc. Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
KR101606736B1 (ko) * 2008-07-07 2016-03-28 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (cce) 프로브 장치
JP5734184B2 (ja) * 2008-07-07 2015-06-17 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation プラズマ処理チャンバ内のその場(in−situ)アーク放電事象を検出するための構成、及び、アーク放電事象を検出する方法
US9613784B2 (en) * 2008-07-17 2017-04-04 Mks Instruments, Inc. Sputtering system and method including an arc detection
US8815329B2 (en) * 2008-12-05 2014-08-26 Advanced Energy Industries, Inc. Delivered energy compensation during plasma processing
US8395078B2 (en) * 2008-12-05 2013-03-12 Advanced Energy Industries, Inc Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies
PL2648209T3 (pl) * 2009-02-17 2018-06-29 Solvix Gmbh Urządzenie zasilające do obróbki plazmowej
KR101028406B1 (ko) * 2009-08-12 2011-04-13 (주)화백엔지니어링 아크 검출장치 및 방법
IE20090628A1 (en) * 2009-08-17 2011-03-30 Lexas Res Ltd Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface or substrate.
US10128090B2 (en) * 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
US9685297B2 (en) * 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9313870B2 (en) * 2012-08-31 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. Arc management with voltage reversal and improved recovery
JP6456298B2 (ja) * 2012-12-18 2019-01-23 トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトTRUMPF Huettinger GmbH + Co. KG アーク消弧方法及び電力変換器を備えた電力供給システム
DE102013202428A1 (de) 2013-02-14 2014-08-14 Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. Leistungsversorgungsanordnung zur Versorgung industrieller Prozesse mit Leistung
EP2770083B1 (en) * 2013-02-20 2015-11-18 University of West Bohemia in Pilsen High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films
DE102013110883B3 (de) * 2013-10-01 2015-01-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess
EP2905802B1 (en) 2014-02-07 2019-05-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of detecting arcs in a plasma process and power supply for supplying an output quantity to a plasma process
US9386680B2 (en) * 2014-09-25 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Detecting plasma arcs by monitoring RF reflected power in a plasma processing chamber
EP3035365A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply
CN111508811A (zh) * 2015-12-04 2020-08-07 应用材料公司 用于等离子体处理的发弧检测设备

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