JP6618745B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、電子素子の上面に金属製ボールを形成する技術が開示されているが、金属製ボールを形成する際に、電子素子の上面に予めAuめっき層を形成する必要があるので、製造工程の複雑化につながり、低コスト化を実現できない。また、金属製ボールを形成するための装置を電子素子に近接または接触させる必要があるので、金属製ボールを形成する際の装置の作業性、電子素子の耐久性の観点から、電子素子の小型化の要求に対応することは極めて困難である。
電子素子が実装されたベース基板と、前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接していることを特徴とする。
前記リッド基板の内側面にはゲッター膜が形成されていると好適である。
前記金属製凸部の表面にはゲッター膜が形成されていると好適である。
金属製凸部の表面は、電子素子で生じた熱が伝わりやすいので、容易にゲッター膜を活性化することができ、キャビティ内部の真空度を容易に高めることが可能になる。また、キャビティの真空度を向上させるために、ゲッター膜を加熱する手段を別途設ける必要がないので、低コスト化と高機能化を両立できる。
前記金属製凸部は、金属バンプによって形成されていると好適である。
金属製凸部を容易に形成することができるので、電子部品の小型化、高機能化を低コストで実現することが可能になる。
前記金属製凸部は、金属バンプと、前記金属バンプの表面に形成されるめっき層によって形成されていると好適である。
金属バンプの表面にめっき層が形成されていることで、めっき層の層厚を調整することで、金属製凸部と電子素子との当接状態を変更することができる。よって、金属バンプの厚みに関わらず、金属製凸部を電子素子に対して確実に当接させることが可能になる。
前記リッド基板の内側面において、前記電気素子の発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔が、前記対向領域外に形成されている複数の前記金属凸部の間隔よりも狭いことを特徴とする。
放熱量が多い発熱抵抗の対向領域に金属製凸部を密に配置することができるので、電子素子で生じた熱をより効果的に放熱することが可能になり、電子部品の高機能化を容易に実現することができる。
前記金属製凸部は前記リッド基板側から前記電子素子に向かうにつれて、幅が細くなる形状を有していると好適である。
金属製凸部の先端の幅が細いので、金属製凸部が電子素子に当接する場合に、先端を変形させつつ当接状態を維持することができ、電子素子で生じた熱をより確実に放熱させることが可能になる。
前記リッド基板は、ガラス材料、シリコン材料又は金属材料によって形成されていると好適である。さらには、前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されると好適である。
図1、図2を参照して、本発明に係る第1実施形態について説明する。
図1に、本実施形態におけるリッド基板10の概略構成を示す。リッド基板10の内側側面には、複数の凸部12(金属製凸部)が形成されている。本実施形態では、金属製のリッド基板10に対して、金属製の凸部12が一体的に形成されている。また、凸部12は、根元の幅と比較して先端の幅が細くなる形状を有している。なお、リッド基板10の材料は金属材料に限定されるものではなく、ガラス材料やシリコン材料であってもよい。
図2を参照して、本実施形態に係る電子部品1の構成を説明する。
本実施形態に係る電子部品1は、上述したリッド基板10とベース基板30とを有し、これらの基板の間に形成されるキャビティ内に電子素子20(半導体素子、水晶振動子、MEMS素子など)が封入されている。なお、リッド基板10とベース基板30との接合方法は、接着剤等による接合、陽極接合方法による接合、電子ビームによる接合、ろう材を溶融させることによる接合など、基板の材料等に応じて種々の接合方法を採用することができる。
図3を参照して、第2実施形態に係る電子部品2について説明する。なお、第1実施形態と同一の構成に関しては、図1、図2と同一の符号を付して説明を省略する。
図4を参照して、第3実施形態に係る電子部品のリッド基板10について説明する。なお、リッド基板10以外の構成は第1実施形態、又は第2実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第1実施形態〜第3実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
本発明の第5実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第1実施形態〜第4実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
Claims (11)
- 電子素子が実装されたベース基板と、
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記金属製凸部の表面にはゲッター膜が形成されていることを特徴とする電子部品。 - 前記リッド基板の内側面にはゲッター膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記金属製凸部は、金属バンプによって形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。
- 前記金属製凸部は、金属バンプと、前記金属バンプの表面に形成されるめっき層によって形成されていることを特徴とする請求項1または2項に記載の電子部品。
- 前記リッド基板の内側面において、前記電子素子の発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔が、前記対向領域外に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記金属製凸部は、前記リッド基板側から前記電子素子側に向かうにつれて、幅が細くなる形状を有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記リッド基板は、ガラス材料、シリコン材料又は金属材料によって形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子部品。
- 電子素子が実装されたベース基板と、
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記リッド基板の内側面において、前記電子素子の発熱抵抗が実装されている領域の対向領域に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔が、前記対向領域外に形成されている複数の前記金属製凸部の間隔よりも狭いことを特徴とする電子部品。 - 電子素子が実装されたベース基板と、
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記金属製凸部は、前記リッド基板側から前記電子素子側に向かうにつれて、幅が細くなる形状を有していることを特徴とする電子部品。 - 電子素子が実装されたベース基板と、
前記ベース基板と接合して形成されるキャビティ内に前記電子素子が封入されるリッド基板と、を備え、
前記リッド基板の内側面には少なくとも一つの金属製凸部が形成されており、前記金属製凸部の少なくとも先端が、前記電子素子に当接し、
前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されていることを特徴とする電子部品。
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JP2015185768A JP6618745B2 (ja) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 電子部品 |
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