JP6617264B2 - 単核鉄錯体およびそれを使用した有機合成反応 - Google Patents

単核鉄錯体およびそれを使用した有機合成反応 Download PDF

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Description

本発明は、鉄−ケイ素結合を有する単核鉄錯体に関し、さらに詳述すると、工業的に有用なヒドロシリル化反応、水素化反応、およびカルボニル化合物の還元反応の少なくとも１つの反応に触媒活性を有する単核鉄錯体に関する。
炭素−炭素二重結合や同三重結合を有する化合物に対してＳｉ−Ｈ官能性化合物を付加反応するヒドロシリル化反応は、有機ケイ素化合物を合成する有用な手段であり、工業的にも重要な合成反応である。
このヒドロシリル化反応の触媒としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ化合物が知られており、その中でも最も多く用いられているものはＳｐｅｉｅｒ触媒、Ｋａｒｓｔｅｄｔ触媒に代表されるＰｔ化合物である。
Ｐｔ化合物を触媒とする反応の問題点としては、末端オレフィンにＳｉ−Ｈ官能性化合物を付加する際、オレフィンが内部転位する副反応が生じることが挙げられる。この系では内部オレフィンに対しては付加反応性を示さず、未反応オレフィンが付加生成物中に残留してしまうことから、反応を完結させるためには、副反応で残留する分を見込んであらかじめ過剰のオレフィンを用いる必要がある。
また、オレフィンの種類により、α付加体とβ付加体の選択性が劣るという問題もある。
最も大きな問題点は、中心金属であるＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈはいずれも極めて高価な貴金属元素であるということであり、より安価に使用できる金属化合物触媒が望まれていることから、数多くの研究が進められている。
例えば、鉄−カルボニル錯体（Ｆｅ（ＣＯ）5、Ｆｅ3（ＣＯ）12）による反応が知られているが（非特許文献１）、この反応では１６０℃といった高温下での反応条件、または光照射（非特許文献２）が必要である。
シクロペンタジエニル基を配位子として有する鉄−カルボニル錯体を使用した、メチルビニルジシロキサンとメチルハイドロジェンジシロキサンの反応例も報告されているが（非特許文献３）、この反応では脱水素シリル化反応が優先して進行する。
ピリジン系配位子を有する鉄触媒の反応では（非特許文献４）、反応助剤として大過剰の還元剤（ＮａＢＨＥｔ3）が必要であるのみならず、ＰｈＳｉＨ3、Ｐｈ2ＳｉＨ2はオレフィンに対して付加するものの、より有用性の高いトリアルキルシラン類、アルコキシシラン類、シロキサン類はオレフィンに対する付加反応性が乏しい。
ビスイミノピリジン配位子を有するＦｅ錯体も報告されており（非特許文献５，６）、アルコキシシラン類、シロキサン類に対しても温和な条件下で優れた反応性を示すことが開示されている。しかし、この錯体を用いた反応では、内部オレフィンに対する反応性が低いこと、錯体合成時には、禁水性のナトリウムと毒性の高い水銀からなり、取り扱いに注意を要するＮａアマルガムを使用すること（もしくは禁水性のＮａＢＥｔ3Ｈを使用すること）、錯体化合物自体の安定性が低く、取り扱いにはグローブボックス等の特殊な設備が必要となるほか、保存は窒素雰囲気下で行わなければならない等といった問題点がある。
一方、オレフィンの水素化反応についても多くの報告がある。例えば、Ｆｅ（ＣＯ）5を触媒として使用した、熱反応による水素化（非特許文献７）や、光反応による水素化（非特許文献８）が報告されている。しかし、熱反応では高温（１８０℃）、高圧（２８気圧）条件を必要とし、かつターンオーバー数も０．５と低く、十分な活性を有しているとは言えない。また、光反応は室温下でも進行するものの、ターンオーバー数は３３と不十分である。
非特許文献９には、有機アルミニウム化合物を反応助剤とし、鉄触媒を用いた反応例が報告されているが、ターンオーバー数が１７と触媒活性は低い。
非特許文献１０には、グリニャール化合物と塩化鉄触媒とを併用した反応例が報告されているが、この系では、室温下で反応するものの、高圧（２０気圧）条件が必要であり、かつターンオーバー数も２０と低い。
リン系化合物を配位子として有する鉄触媒も報告されており（非特許文献１１）、この系では、室温下で比較的低圧（４気圧）の条件下で反応するものの、反応基質がスチレンと一部のアルケン化合物に限られ、かつターンオーバー数も十分とは言えない。
また、上記非特許文献５には、ビスイミノピリジン配位子を有するＦｅ触媒の例も報告されており、室温下、比較的低圧（４気圧）条件下でターンオーバー数が１８１４と良好な反応性を有しているが、この反応では上記ビスイミノピリジン配位子を有するＦｅ錯体と同様に合成時の安全性、化合物の安定性等の問題点がある。
また、非特許文献１２には、高分子に固定化した鉄触媒が開示されており、繰り返し再使用可能な利点があるが、水の溶媒としての利用が必須であり適用範囲が狭い。
非特許文献１３には、有機・無機複合体（ＭＯＦ）に固定した鉄触媒が開示されており、繰り返し再使用可能な利点があるが、強い還元剤で触媒前駆体を活性化する必要がある。
これらの従来触媒は、通常困難とされている３〜４置換オレフィンの水素化反応に適用された例が報告されていない。
非特許文献１４は、通常困難とされている４置換オレフィンの水素化反応に有効な単核鉄錯体が開示されているが、長時間（４８時間）の反応時間を必要とし、かつターンオーバー数も２０と低いものである。
カルボニル化合物を還元する方法としては、アルミニウムやホウ素の水素化合物や貴金属触媒存在下で水素を用いる方法がある。カルボニル化合物のうち、ケトンやアルデヒドについては、温和な条件で反応を進行させ得る、安定で取り扱いやすいヒドリド反応剤や水素化用貴金属触媒が知られているが、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体の還元には、リチウムアルミニウムヒドリド、ボラン等の強力な還元剤を用いる方法が主に用いられている（非特許文献１５）。しかし、これらの還元剤は発火性、禁水性物質であるため取り扱いに難がある。また、反応後のアルミニウム、あるいはホウ素化合物を目的物から除去する時にも取り扱いに注意が必要である。加えて、カルボン酸誘導体の還元には高温高圧の水素が必要である。
空気中で安定かつ取り扱いが容易なヒドロシラン化合物、メチルハイドロジェンポリシロキサンを還元剤として使用する方法が数多く報告されているが、反応には強い酸またはルイス酸の添加や、高価な貴金属触媒を必要とする。最近、安価な鉄を触媒とするカルボニル化合物の還元反応が報告されており、そのうちの一部は、従来法では過酷な条件を必要とするアミドの還元反応に適用した例も出ている。具体的な鉄触媒の例として非特許文献１６〜２１が挙げられるが、より高いターンオーバー数を示す高活性触媒が望まれている。
また、ヒドロシリル化反応、水素化反応、またはカルボニル化合物の還元反応に触媒活性を示す金属錯体化合物として、単核ルテニウム錯体が報告されている（非特許文献２２〜２４）。これらのルテニウム錯体を用いた場合、上記反応が比較的温和な条件下で進行しうるが、前述のように、より安価な金属を用いた触媒が求められている。
A. N. Nesmeyanov, et al., Tetrahedron, 1962, 17, 61 M. S. Wrighton, et al., J. Organomet. Chem., 1977, 128, 345 H. Nakazawa, et al., J. Am. Chem. Soc., 2012, 134, 804 H. Nakazawa, et al., Organometallics, 2012, 31, 3825 P. J. Chirik, et al., J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 13794 P. J. Chirik, et al., Science, 2012,335, 567 Frankel, et al., J. Org. Chem., 1964,29, 3292 M. S. Wrighton, et al., J. Am. Chem. Soc., 1976, 98, 551 R. E. Harmon, et al., J. Chem, Rev., 1973, 73, 21 L. Lefort, et al., Dalton Trans., 2010, 39, 8464 J. C. Peters, et al., Inorg. Chem., 2004, 43, 7474 R. Hudson, et al., Green Chem, 2013, 15, 2141. K. Manna, et al., J. Am. Chem. Soc., 2014, 136, 13182. P. J. Chirik, et al., Acs. Catal., 2012, 2, 1760 W. R. Brown, Organic Reactions, 1941, 6, 470 H. Nagashima, et al., Angew. Chem. Int. Ed., 2009, 48, 9511 M. Beller, et al., Angew. Chem. Int.Ed., 2009, 48, 9507 H. Nishiyama, et al., Angew. Chem. Int. Ed., 2010, 49, 9384 H. Nishiyama, et al., Chem. Eur. J.,2010, 16, 3090 H. Nagashima, et al., Chem. Commun., 2011, 47, 6581 M. Beller, et al., Angew. Chem., 2012, 51, 1662 大串元・砂田祐輔・永島英夫、ジシラメタラサイクル骨格を有する新規ルテニウム錯体の開発と触媒作用、日本化学会第９４春季年会予稿集、２０１４、２ＰＢ−０３９ 砂田祐輔・井上諒子・大串元・永島英夫、ジシラメタラサイクル骨格を持つ新規ルテニウム錯体の開発と触媒機能、第６１回有機金属化学討論会予稿集、２０１４、２ＰＢ−１３ 大串元・山本泰士・砂田祐輔・永島英夫、ジシラメタラサイクル骨格を持つ新規ルテニウム錯体の開発と触媒作用、第１８回ケイ素化学協会シンポジウム、２０１４、Ｐ４３
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ヒドロシリル化反応、水素化反応、およびカルボニル化合物の還元反応の三反応の少なくとも１つの反応に優れた触媒活性を発揮し得る、鉄−ケイ素結合を有する単核鉄錯体、およびこの錯体を使用して温和な条件下で各反応を行う方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、鉄−ケイ素結合を有する所定の単核鉄二価錯体が、ヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応の少なくとも１つの反応に優れた触媒活性を発揮し得、温和な条件下でそれぞれの反応が進行することを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
１． 式（１）で表されることを特徴とする単核鉄二価錯体、
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、モノオルガノホスフィノ基、ジオルガノホスフィノ基、モノオルガノシリル基、ジオルガノシリル基、トリオルガノシリル基、またはオルガノチオ基を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基を表し、Ｌ1は、イソニトリル、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、ホスフィン、ホスファイトおよびスルフィドから選ばれる少なくとも１種の二電子配位子を表し、Ｌ1が複数存在する場合、２個のＬ1が互いに結合していてもよく、Ｌ2は、ＣＯ配位子および前記Ｌ1以外の二電子配位子を表し、Ｌ2が複数存在する場合、２個のＬ2が互いに結合していてもよく、ｍ1は１〜４の整数を表し、ｍ2は０〜３の整数を表すが、ｍ1＋ｍ2は３または４を満たす。）
２． 前記Ｌ1が、イソニトリルを表す（ただし、Ｌ1が複数存在する場合、２個のＬ1が互いに結合していてもよい）１の単核鉄二価錯体、
３． 前記Ｌ2が、トリオルガノヒドロシランである（ただし、Ｌ2が複数存在する場合、２個のＬ2が互いに結合していてもよい）１または２の単核鉄二価錯体、
４． 前記ｍ1およびｍ2がいずれも２である１〜３のいずれかの単核鉄二価錯体、
５． 前記Ｒ1〜Ｒ6が、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基（Ｘは前記と同じ意味を表す。）であり、かつ、前記Ｌ2が、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12（式中、Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは前記と同じ意味を表す。）で表されるトリオルガノヒドロシランであり、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって、またはＲ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよく、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組またはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組およびＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって架橋置換基を形成していてもよい４の単核鉄二価錯体、
６． 前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成している１〜５のいずれかの単核鉄二価錯体、
７． 前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つまたはＲ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になって架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つおよびＲ7〜Ｒ9のいずれか１つのうち前記架橋置換基の形成に関与してないＳｉ上の置換基とが一緒になって架橋置換基を形成している５の単核鉄二価錯体、
８． 前記Ｒ1〜Ｒ3のいずれか１つと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基を形成し（Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｙが複数存在する場合それらは互いに同一でも異なっていてもよい）、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれか１つと、Ｒ7〜Ｒ9のいずれか１つとが一緒になってＹで置換されていてもよいｏ−フェニレン基（Ｙは前記と同じ意味を表す。）を形成している７の単核鉄二価錯体、
９． １〜８のいずれかの単核鉄二価錯体からなるヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応から選ばれる少なくとも１つの反応に活性を有する触媒、
１０． ９の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法、
１１． ９の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法。
１２． ９の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法、
１３． ９の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法
を提供する。
本発明の単核鉄錯体を触媒として用い、脂肪族不飽和基含有化合物とＳｉ−Ｈ基を有するシラン、あるいはポリシロキサンとのヒドロシリル化反応を行うと、室温〜１００℃以下の条件下で付加反応が可能になる。特に工業的に有用なポリシロキサン、並びにトリアルコキシシランおよびジアルコキシシランとの付加反応が良好に進行する。さらに、公知文献では同反応において、不飽和基への付加反応よりも、脱水素シリル化反応による不飽和基含有化合物が生成する反応が優先して進行することがたびたび示されているが、本発明の触媒を用いると不飽和基への付加反応が優先的に進行する。
水素化反応は、室温〜１００℃、および水素ガス１〜２０気圧程度の温和な条件下で行うことができ、しかも従来の方法では困難であった多置換アルケンの水素化にも有効である。
カルボニル化合物の還元反応では、アミド化合物、アルデヒド化合物、ケトン化合物、エステル化合物を、取り扱いが容易なＳｉ−Ｈ基を有するシラン、あるいはポリシロキサンと反応させることによって目的とする還元化合物を得ることができる。
実施例１で得られた鉄錯体Ａの1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。 実施例１で得られた鉄錯体Ａの13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。 実施例２で得られた鉄錯体Ｂの構造を示す図である。 実施例２で得られた鉄錯体Ｂの1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。 実施例３で得られた鉄錯体Ｃの1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る単核鉄錯体は、式（１）で表されるように、２つのＦｅ−Ｓｉ結合を有し、かつ、Ｆｅに一酸化炭素（ＣＯ）以外の二電子配位子（Ｌ1，Ｌ2）が、Ｌ1が１個以上、かつ、Ｌ1とＬ2の合計で３個または４個配位している二価錯体である。
Figure 0006617264
式（１）において、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、水素原子、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アラルキル基、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、モノオルガノホスフィノ基、ジオルガノホスフィノ基、モノオルガノシリル基、ジオルガノシリル基、トリオルガノシリル基、またはオルガノチオ基を表すか、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が一緒になった架橋置換基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基を表す。
アルキル基としては、直鎖、分岐鎖、環状のいずれでもよく、また、その炭素数も特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、その具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノナデシル、ｎ−エイコサニル基等の直鎖または分岐鎖アルキル基；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル基等のシクロアルキル基などが挙げられる。
アリール基としても、その炭素数は特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール基であり、その具体例としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントリル、フェナントリル、ｏ−ビフェニリル、ｍ−ビフェニリル、ｐ−ビフェニリル基等が挙げられる。
アラルキル基としても、その炭素数は特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基であり、その具体例としては、ベンジル、フェニルエチル、フェニルプロピル、ナフチルメチル、ナフチルエチル、ナフチルプロピル基等が挙げられる。
オルガノオキシ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＯ（Ｒは、置換もしくは非置換の、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基または炭素数７〜３０のアラルキル基を表す。）で示されるアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜３０、特に炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、その具体例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｃ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数６〜３０、特に炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましく、その具体例としては、フェノキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、アントリルオキシ、フェナントリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、特に限定されるものではないが、炭素数７〜３０、特に炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基が好ましく、ベンジルオキシ、フェニルエチルオキシ、フェニルプロピルオキシ、１または２−ナフチルメチルオキシ、１または２−ナフチルエチルオキシ、１または２−ナフチルプロピルオキシ基等が挙げられる。
オルガノチオ基としては、上記オルガノオキシ基の酸素原子を硫黄原子で置換した基等が挙げられる。
モノオルガノアミノ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＮＨ2（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｓ−ブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ｎ−ペンチルアミノ、ｎ−ヘキシルアミノ、ｎ−ヘプチルアミノ、ｎ−オクチルアミノ、ｎ−ノニルアミノ、ｎ−デシルアミノ、ｎ−ウンデシルアミノ、ｎ−ドデシルアミノ、ｎ−トリデシルアミノ、ｎ−テトラデシルアミノ、ｎ−ペンタデシルアミノ、ｎ−ヘキサデシルアミノ、ｎ−ヘプタデシルアミノ、ｎ−オクタデシルアミノ、ｎ−ノナデシルアミノ、ｎ−エイコサニルアミノ基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルアミノ基；シクロプロピルアミノ、シクロブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシルアミノ、シクロヘプチルアミノ、シクロオクチルアミノ、シクロノニルアミノ基等のモノシクロアルキルアミノ基；アニリノ、１または２−ナフチルアミノ基等のモノアリールアミノ基；ベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ、フェニルプロピルアミノ、１または２−ナフチルメチルアミノ基等のモノアラルキルアミノ基などが挙げられる。
ジオルガノアミノ基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2ＮＨ（Ｒは互いに独立して、上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−プロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジ−ｎ−ブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−ｓ−ブチルアミノ、ジ−ｔ−ブチルアミノ、ジ−ｎ−ペンチルアミノ、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ、ジ−ｎ−ヘプチルアミノ、ジ−ｎ−オクチルアミノ、ジ−ｎ−ノニルアミノ、ジ−ｎ−デシルアミノ、ジ−ｎ−ウンデシルアミノ、ジ−ｎ−ドデシルアミノ、ジ−ｎ−トリデシルアミノ、ジ−ｎ−テトラデシルアミノ、ジ−ｎ−ペンタデシルアミノ、ジ−ｎ−ヘキサデシルアミノ、ジ−ｎ−ヘプタデシルアミノ、ジ−ｎ−オクタデシルアミノ、ジ−ｎ−ノナデシルアミノ、ジ−ｎ−エイコサニルアミノ、Ｎ−エチルメチルアミノ、Ｎ−イソプロピルメチルアミノ、Ｎ−ブチルメチルアミノ基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルアミノ基；ジシクロプロピルアミノ、ジシクロブチルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジシクロオクチルアミノ、ジシクロノニルアミノ、シクロペンチルシクロヘキシルアミノ基等のジシクロアルキルアミノ基；Ｎ−メチルアニリノ、Ｎ−エチルアニリノ、Ｎ−ｎ−プロピルアニリノ基等のアルキルアリールアミノ基；ジフェニルアミノ、４，４′−ビスナフチルアミノ、Ｎ−フェニル−１または２−ナフチルアミノ基等のジアリールアミノ基；ジベンジルアミノ、ビス（フェニルエチル）アミノ、ビス（フェニルプロピル）アミノ、ビス（１または２−ナフチルメチル）アミノ基等のジアラルキルアミノ基などが挙げられる。
モノオルガノホスフィノ基としては、特に限定されるものではないが、ＲＰＨ（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルホスフィノ、エチルホスフィノ、ｎ−プロピルホスフィノ、イソプロピルホスフィノ、ｎ−ブチルホスフィノ、イソブチルホスフィノ、ｓ−ブチルホスフィノ、ｔ−ブチルホスフィノ、ｎ−ペンチルホスフィノ、ｎ−ヘキシルホスフィノ、ｎ−ヘプチルホスフィノ、ｎ−オクチルホスフィノ、ｎ−ノニルホスフィノ、ｎ−デシルホスフィノ、ｎ−ウンデシルホスフィノ、ｎ−ドデシルホスフィノ、ｎ−トリデシルホスフィノ、ｎ−テトラデシルホスフィノ、ｎ−ペンタデシルホスフィノ、ｎ−ヘキサデシルホスフィノ、ｎ−ヘプタデシルホスフィノ、ｎ−オクタデシルホスフィノ、ｎ−ノナデシルホスフィノ、ｎ−エイコサニルホスフィノ基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルホスフィノ基；シクロプロピルホスフィノ、シクロブチルホスフィノ、シクロペンチルホスフィノ、シクロヘキシルホスフィノ、シクロヘプチルホスフィノ、シクロオクチルホスフィノ、シクロノニルホスフィノ基等のモノシクロアルキルホスフィノ基；フェニルホスフィノ、１または２−ナフチルホスフィノ基等のモノアリールホスフィノ基；ベンジルホスフィノ基等のモノアラルキルホスフィノ基などが挙げられる。
ジオルガノホスフィノ基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルホスフィノ、ジエチルホスフィノ、ジ−ｎ−プロピルホスフィノ、ジイソプロピルホスフィノ、ジ−ｎ−ブチルホスフィノ、ジイソブチルホスフィノ、ジ−ｓ−ブチルホスフィノ、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンチルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプチルホスフィノ、ジ−ｎ−オクチルホスフィノ、ジ−ｎ−ノニルホスフィノ、ジ−ｎ−デシルホスフィノ、ジ−ｎ−ウンデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ドデシルホスフィノ、ジ−ｎ−トリデシルホスフィノ、ジ−ｎ−テトラデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ペンタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘキサデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ヘプタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−オクタデシルホスフィノ、ジ−ｎ−ノナデシルホスフィノ、ジ−ｎ−エイコサニルホスフィノ基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルホスフィノ基；ジシクロプロピルホスフィノ、ジシクロブチルホスフィノ、ジシクロペンチルホスフィノ、ジシクロヘキシルホスフィノ、ジシクロヘプチルホスフィノ、ジシクロオクチルホスフィノ、ジシクロノニルホスフィノ基等のジシクロアルキルホスフィノ基；シクロヘキシルフェニルホスフィノ基等のアルキルアリールホスフィノ基；ジフェニルホスフィノ、ビス（１または２−ナフチル）ホスフィノ基等のジアリールホスフィノ基；ジベンジルホスフィノ、ビス（フェニルエチル）ホスフィノ、ビス（１または２−ナフチルメチル）ホスフィノ基等のジアラルキルホスフィノ基などが挙げられる。
モノオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、ＲＳｉＨ2（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、メチルシリル、エチルシリル、ｎ−プロピルシリル、イソプロピルシリル、ｎ−ブチルシリル、イソブチルシリル、ｓ−ブチルシリル、ｔ−ブチルシリル、ｎ−ペンチルシリル、ｎ−ヘキシルシリル、ｎ−ヘプチルシリル、ｎ−オクチルシリル、ｎ−ノニルシリル、ｎ−デシルシリル、ｎ−ウンデシルシリル、ｎ−ドデシルシリル、ｎ−トリデシルシリル、ｎ−テトラデシルシリル、ｎ−ペンタデシルシリル、ｎ−ヘキサデシルシリル、ｎ−ヘプタデシルシリル、ｎ−オクタデシルシリル、ｎ−ノナデシルシリル、ｎ−エイコサニルシリル基等の直鎖または分岐鎖モノアルキルシリル基；シクロプロピルシリル、シクロブチルシリル、シクロペンチルシリル、シクロヘキシルシリル、シクロヘプチルシリル、シクロオクチルシリル、シクロノニルシリル基等のモノシクロアルキルシリル基；フェニルシリル、１または２−ナフチルシリル基等のモノアリールシリル基；ベンジルシリル、フェニルエチルシリル、フェニルプロピルシリル、１または２−ナフチルメチルシリル基等のモノアラルキルシリル基などが挙げられる。
ジオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ2ＳｉＨ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、ジメチルシリル、ジエチルシリル、ジ−ｎ−プロピルシリル、ジイソプロピルシリル、ジ−ｎ−ブチルシリル、ジイソブチルシリル、ジ−ｓ−ブチルシリル、ジ−ｔ−ブチルシリル、ジ−ｎ−ペンチルシリル、ジ−ｎ−ヘキシルシリル、ジ−ｎ−ヘプチルシリル、ジ−ｎ−オクチルシリル、ジ−ｎ−ノニルシリル、ジ−ｎ−デシルシリル、ジ−ｎ−ウンデシルシリル、ジ−ｎ−ドデシルシリル、ジ−ｎ−トリデシルシリル、ジ−ｎ−テトラデシルシリル、ジ−ｎ−ペンタデシルシリル、ジ−ｎ−ヘキサデシルシリル、ジ−ｎ−ヘプタデシルシリル、ジ−ｎ−オクタデシルシリル、ジ−ｎ−ノナデシルシリル、ジ−ｎ−エイコサニルシリル、エチルメチルシリル、イソプロピルメチルシリル、ブチルメチルシリル基等の直鎖または分岐鎖ジアルキルシリル基；ジシクロプロピルシリル、ジシクロブチルシリル、ジシクロペンチルシリル、ジシクロヘキシルシリル、ジシクロヘプチルシリル、ジシクロオクチルシリル、ジシクロノニルシリル、シクロペンチルシクロヘキシルシリル基等のジシクロアルキルシリル基；（メチル）フェニルシリル、（エチル）フェニルシリル、（ｎ−プロピル）フェニルシリル基等のアルキルアリールシリル基；ジフェニルシリル、ビス（１または２−ナフチル）シリル、フェニル−１または２−ナフチルシリル基等のジアリールシリル基；ジベンジルシリル、ビス（フェニルエチル）シリル、ビス（フェニルプロピル）シリル、ビス（１または２−ナフチルメチル）シリル基等のジアラルキルシリル基などが挙げられる。
トリオルガノシリル基としては、特に限定されるものではないが、Ｒ3Ｓｉ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが好ましく、Ｒにおける好ましい炭素数は上記アルコキシ、アリールオキシ、アラルキルオキシ基と同様である。その具体例としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリ−ｎ−プロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリ−ｎ−ブチルシリル、トリイソブチルシリル、トリ−ｓ−ブチルシリル、トリ−ｔ−ブチルシリル、トリ−ｎ−ペンチルシリル、トリ−ｎ−ヘキシルシリル、トリ−ｎ−ヘプチルシリル、トリ−ｎ−オクチルシリル、トリ−ｎ−ノニルシリル、トリ−ｎ−デシルシリル、トリ−ｎ−ウンデシルシリル、トリ−ｎ−ドデシルシリル、トリ−ｎ−トリデシルシリル、トリ−ｎ−テトラデシルシリル、トリ−ｎ−ペンタデシルシリル、トリ−ｎ−ヘキサデシルシリル、ジ−ｎ−ヘプタデシルシリル、ジ−ｎ−オクタデシルシリル、ジ−ｎ−ノナデシルシリル、トリ−ｎ−エイコサニルシリル、エチルジメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジブチルメチルシリル基等の直鎖または分岐鎖トリアルキルシリル基；トリシクロプロピルシリル、トリシクロブチルシリル、トリシクロペンチルシリル、トリシクロヘキシルシリル、トリシクロヘプチルシリル、トリシクロオクチルシリル、トリシクロノニルシリル基等のトリシクロアルキルシリル基；（メチル）ジフェニルシリル、（エチル）ジフェニルシリル、（ｎ−プロピル）ジフェニルシリル基等のアルキルアリールシリル基；トリフェニルシリル、トリ（１または２−ナフチル）シリル、ジフェニル−１または２−ナフチルシリル基等のトリアリールシリル基；トリベンジルシリル、トリ（フェニルエチル）シリル、トリ（フェニルプロピル）シリル、トリ（１または２−ナフチルメチル）シリル基等のトリアラルキルシリル基などが挙げられる。
なお、上記各置換基は、Ｒ上の少なくとも１つの水素原子が置換基Ｘで置換されていてもよく、Ｘとしては、ハロゲン原子、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、またはオルガノチオ基等が挙げられ、オルガノオキシ基、モノオルガノアミノ基、ジオルガノアミノ基、オルガノチオ基としては上記と同様のものが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましく、好適なフッ素置換アルキル基として、トリフロロプロピル基、ノナフロロヘキシル基、ヘプタデシルフロロデシル基等が挙げられる。
上記各置換基の中でも、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数７〜３０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基がより好ましい。
また、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかとＲ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組が結合した架橋置換基としては、二つのＳｉ原子を架橋可能な置換基であれば特に限定されるものではなく、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＰＲ−（Ｒは上記と同じ。）、−ＮＨ−（ＣＨ2）k−ＮＨ−（ｋは１〜１０の整数を表す。）、−ＮＲ−（ＣＨ2）k−ＮＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−ＰＨ−（ＣＨ2）k−ＰＨ−（ｋは上記と同じ。）、−ＰＲ−（ＣＨ2）k−ＰＲ−（ｋは上記と同じ。Ｒは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数７〜３０のアラルキレン基、−（ＣＨ2Ｏ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｏ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−（Ｒおよびｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｏ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、または炭素数７〜３０のアラルキレン基を表し、ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2Ｓ）k−（ｋは上記と同じ。）、−（ＣＨ2）k−Ｓ−（ＣＨ2）k−（ｋは互いに独立して上記と同じ。）、−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｓ−（ｋは上記と同じ。）、−Ｒ′−Ｓ−（ＣＨ2）k−Ｏ−Ｒ′−（Ｒ′は、互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは上記と同じ。）、−ＳｉＲ2−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）、−（ＣＨ2）k−ＳｉＲ2−（ＣＨ2）k−（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表し、ｋは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）等が挙げられる。
炭素数１〜１０のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン基等が挙げられる。
炭素数６〜３０のアリーレン基としては、ｏ−フェニレン（１，２−フェニレン）、１，２−ナフチレン、１，８−ナフチレン、２，３−ナフチレン基等が挙げられる。
炭素数７〜３０のアラルキレン基としては、−（ＣＨ2）k−Ａｒ−（Ａｒは、炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、ｋは上記と同じ意味を表す。）、−Ａｒ−（ＣＨ2）k−（Ａｒおよびｋは上記と同じ意味を表す。）、−（ＣＨ2）k−Ａｒ−（ＣＨ2）k−（Ａｒは上記と同じ意味を表し、ｋは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）等が挙げられる。
なお、上記アルキレン、アリーレン、アラルキレン基は、それらの水素原子の少なくとも１つが、置換基Ｘ（Ｘは上記と同じ。）で置換されていてもよい。
架橋置換基をＺとして表記すると、２つのケイ素原子をつなぐＺの数は１〜３であり、このような架橋置換基Ｚを有する単核鉄錯体は下記式で示される。
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5，Ｒ6，Ｌ1，Ｌ2，ｍ1およびｍ2は上記と同じ意味を表し、Ｚは架橋置換基を表す。）
具体的な架橋置換基を有するジシラメタラサイクル構造としては下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4およびＲ5は、上記と同じ意味を表し、Ｒ17〜Ｒ20（置換基Ｙ）は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｒ25〜Ｒ30は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜２０の非置換もしくは置換の一価炭化水素基を表すが、Ｒ17〜Ｒ20およびＲ25〜Ｒ30が、水素原子のものが好適である。
一価炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、これらの具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
なお、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。
Ｌ1は、配位子に含まれる２つの電子が鉄に配位する、イソニトリル、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、ホスフィン、ホスファイトおよびスルフィドから選ばれる少なくとも１種の二電子配位子を表す。
本発明において、二電子配位子Ｌ1の配位数ｍ1は、１〜４の整数を表すが、２が好ましい。なお、ｍ1が２〜４の場合、２個のＬ1が、互いに結合していてもよい。
イソニトリルとしては、例えば、ＲＮＣ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
アミンとしては、Ｒ3Ｎ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示される３級アミンが挙げられる。
イミンとしては、ＲＣ（＝ＮＲ）Ｒ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
含窒素へテロ環としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、オキサゾリン、イソオキサゾリン等が挙げられる。
ホスフィンとしては、例えば、Ｒ3Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
ホスファイトとしては、例えば、（ＲＯ）3Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
スルフィドとしては、例えば、ＲＳＲ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
これらの中でも、二電子配位子Ｌ1としては、イソニトリル、含窒素ヘテロ環、およびホスファイトから選ばれる少なくとも１種であることがより好ましく、特に、一酸化炭素と同じ電子配置を有するイソニトリルが最適である。
イソニトリルの具体例としては、上記のとおり、ＲＮＣ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で表されるものが挙げられるが、特に、Ｒが、置換もしくは非置換の、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基のものが好ましく、炭素数６〜１０のアリール基のものがより好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基等の置換基を有するフェニル基のものがより一層好ましい。
使用可能なイソニトリルとしては、メチルイソシアニド、エチルイソシアニド、ｎ−プロピルイソシアニド、シクロプロピルイソシアニド、ｎ−ブチルイソシアニド、イソブチルイソシアニド、ｓｅｃ−ブチルイソシアニド、ｔ−ブチルイソシアニド、ｎ−ペンチルイソシアニド、イソペンチルイソシアニド、ネオペンチルイソシアニド、ｎ−ヘキシルイソシアニド、シクロヘキシルイソシアニド、シクロヘプチルイソシアニド、１，１−ジメチルヘキシルイソシアニド、１−アダマンチルイソシアニド、２−アダマンチルイソシアニド等のアルキルイソシアニド；フェニルイソシアニド、２−メチルフェニルイソシアニド、４−メチルフェニルイソシアニド、２，４−ジメチルフェニルイソシアニド、２，５−ジメチルフェニルイソシアニド、２，６−ジメチルフェニルイソシアニド、２，４，６−トリメチルフェニルイソシアニド、２，４，６−トリｔ−ブチルフェニルイソシアニド、２，６−ジイソプロピルフェニルイソシアニド、１−ナフチルイソシアニド、２−ナフチルイソシアニド、２−メチル−１−ナフチルイソシアニド等のアリールイソシアニド；ベンジルイソシアニド、フェニルエチルイソシアニド等のアラルキルイソシアニドなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
含窒素ヘテロ環の具体例としては、上記のとおりであるが、中でもピリジン環が好ましい。
使用可能なピリジン環含有化合物としては、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン等のピリジン類、２，２′−ビピリジン、４，４′−ジメチル−２，２′−ビピリジン、５，５′−ジメチル−２，２′−ビピリジン、４，４′−ジエチル−２，２′−ビピリジン、４，４′−ジｔｅｒｔ−ブチル−２，２′−ビピリジン等のビピリジン類などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ホスファイトとしては、上記のとおり、（ＲＯ）3Ｐ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で表されるものが挙げられるが、特に、Ｒが、置換もしくは非置換の、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数６〜２０のアリール基のものが好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基のものがより一層好ましい。
使用可能なホスファイト化合物としては、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリｎ−ブチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリｎ−デシルホスファイト、４−メチル−２，６，７−トリオキサ−１−ホスファビシクロ［２．２．２］オクタン（トリメチロールエタンサイクリックホスファイト）、４−エチル−２，６，７−トリオキサ−１−ホスファビシクロ［２．２．２］オクタン（トリメチロールプロパンホスファイト）等のトリアルキルホスファイト類、メチルジフェニルホスファイト等のアルキルアリールホスファイト類、トリフェニルホスファイト等のトリアリールホスファイト類などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
一方、Ｌ2は、ＣＯおよびＬ1以外の二電子配位子を表し、二電子配位子としては、ＣＯ配位子およびＬ1以外であれば特に限定されるものではなく、金属錯体の二電子配位子として従来用いられている任意の配位子を用いることができるが、典型的には、窒素、酸素、イオウ、リン等の非共有電子対（不対電子）を含む、アミン、イミン、含窒素ヘテロ環、ホスフィン、ホスファイト、アルシン、アルコール、チオール、エーテル、スルフィド等の化合物；π電子を含む、アルケン、アルキン；不対電子とπ電子双方を含む、アルデヒド、ケトン、ニトリル、イソニトリル等の化合物；アゴスティック相互作用で結合する、分子状水素（Ｈ−Ｈ結合に含まれるσ電子が配位する）、ヒドロシラン（Ｓｉ−Ｈ結合に含まれるσ電子が配位する）などが挙げられる。
上記アミン、イミン、含窒素へテロ環、ホスフィン、ホスファイト、スルフィドおよびイソニトリルとしては上記Ｌ1で例示したものと同様のものが挙げられる。
アルシンとしては、例えば、Ｒ3Ａｓ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
アルコールとしては、例えば、ＲＯＨ（Ｒは上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
チオールとしては、上記アルコールの酸素原子を硫黄原子で置換したものが挙げられる。
エーテルとしては、例えば、ＲＯＲ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
ケトンとしては、例えば、ＲＣＯＲ（Ｒは互いに独立して上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
アルケンとしては、例えば、エテン、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテン、シクロペンテン、１−ヘキセン、シクロヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン等の炭素数２〜３０のアルケンが挙げられる。
アルキンとしては、例えば、エチン、プロピン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、２−ペンチン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン、１−デシン等の炭素数２〜３０のアルケンが挙げられる。
ヒドロシランとしては、例えば、トリオルガノヒドロシランが挙げられ、具体的にはトリ炭素数１〜３０オルガノヒドロシランが挙げられ、より具体的には、Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＨ（Ｒ1〜Ｒ3は上記と同じ意味を表す。）で示されるものが挙げられる。
本発明において、二電子配位子Ｌ2は、鉄と比較的弱く結合するものが触媒活性という点から有利であることから、上記で例示した中でも、特に、チオール、スルフィド、トリオルガノヒドロシランがより好ましく、特に、ＳｉＨＲ7Ｒ8Ｒ9およびＳｉＨＲ10Ｒ11Ｒ12（Ｒ7〜Ｒ12は、互いに独立して、Ｘで置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Ｘは上記と同じ意味を表す。）で表される２つのトリオルガノヒドロシランがより一層好ましい。
ここで、アルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
なお、本発明において、二電子配位子Ｌ2の配位数ｍ2は０〜３の整数を表すが、２が好ましい。また、ｍ1＋ｍ2は、３または４を満たすが、好ましくは４である。なお、ｍ2が２または３の場合、２個のＬ2が、互いに結合していてもよい。その代表例としては、エチレンジアミン、エチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ブタジエンや、下記式で示されるようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ただし、本発明の単核鉄錯体では、Ｌ1およびＬ2の中の３個が結合して３つの配位性２電子官能基を含む配位子、例えば、η6−アリーレン構造はとらない。
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を意味する。Ｒ7、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＺは上記と同じ意味を表す。）
なお、式（１）の単核鉄錯体には、例えば、Ｌ1が２個、Ｌ2が２個（それらをＬ2a，Ｌ2bとして区別する）の場合、下記式で示されるような配位構造異性体が存在するが、本発明の単核鉄錯体はそれら全ての配位構造異性体を含む。
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1〜Ｒ6およびＬ1は上記と同じ意味を表し、Ｌ2aおよびＬ2bは上記Ｌ2と同じ意味を表す。）
なお、Ｌ2が、ＳｉＨＲ7Ｒ8Ｒ9およびＳｉＨＲ10Ｒ11Ｒ12（Ｒ7〜Ｒ12は上記と同じ意味を表す。）で表されるトリオルガノヒドロシランの場合、単核鉄錯体を構成する４つのケイ素原子の２つ以上は、上述した架橋置換基Ｚにより繋がれていてもよい。ケイ素原子の組み合わせは、ケイ素−鉄共有結合をもつケイ素原子どうし、Ｓｉ−Ｈで配位しているケイ素原子どうし、ケイ素−鉄共有結合と、Ｓｉ−Ｈで配位しているケイ素原子の組み合わせのいずれでもよい。この場合、２つのケイ素原子をつなぐＺの数は１〜３であり、一方、錯体全体に含まれるＺの総数は、１〜１２である。
このような架橋置換基Ｚを有する単核鉄錯体を１つの配位構造を用いて表現した場合、下記式で示されるような構造が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、上述のとおりこれ以外の配位構造異性体も存在し、その場合にも同様の架橋置換基Ｚを有する構造が存在する。
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1〜Ｒ12、Ｌ1およびＺは上記と同じ意味を表す。）
具体的なジシラメタラサイクル構造を有する単核鉄錯体の構造としては下記式（Ｌ1を除いて表現している）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
特に、本発明においては、Ｌ1が２つ配位するとともに、二電子配位子であるトリオルガノヒドロシランのＳｉ−Ｈがアゴスティック配位している単核鉄錯体が好ましい。このような鉄錯体を、１つの配位構造を用いて便宜的に表現すると、式（２）で示されるような構造が挙げられるが、上述のとおり、本発明ではこれ以外の配位構造異性体であってもよい。
Figure 0006617264
 （式中、Ｌ1は上記と同じ意味を表す。）
式（２）において、Ｒ1〜Ｒ12は上記と同じ意味を表すが、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、Ｘ（Ｘは上記と同じ意味を表す。）で置換されていてもよい、アルキル基、アリール基またはアラルキル基が好ましい。
ここで、アルキル基、アリール基、アラルキル基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
上記式（２）においても、単核鉄錯体を構成する４つのケイ素原子の２つ以上は架橋置換基により繋がれていてもよく、具体的には、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になって、またはＲ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組もしくはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよく、またはＲ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組またはＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成し、かつ、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの少なくとも１組およびＲ7〜Ｒ9のいずれかの少なくとも１組が一緒になってアルキレン基、アリーレン基やアラルキレン基といった架橋置換基を形成していてもよい。
ここで、アルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基の具体例としては、先に例示した基と同様のものが挙げられるが、それぞれ炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基、炭素数７〜２０のアラルキレン基が好ましく、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数７〜２０のアリーレン基がより好ましい。
本発明で好適に用いることのできる単核鉄錯体を典型的な配位構造を用いて表すと、式（３）または（４）で示されるものが挙げられ、具体的には式（５）〜（１０）で示されるものが挙げられ、より具体的にはＡ〜Ｃで示されるものが挙げられるが、これらに限られるものではなく、また、上述のとおり、これらの配位構造異性体も好適に用いることができる。
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ17〜Ｒ20およびＬ1は、上記と同じ意味を表す。）
Figure 0006617264
 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ10、Ｒ11およびＲ17〜Ｒ20は、上記と同じ意味を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
本発明の単核鉄錯体は、公知の有機合成反応を組み合わせて製造できる。
例えば、上記鉄錯体Ａ〜Ｃは、シクロヘキサジエニル基やシクロオクタジエニル基等のシクロアルカジエニル基およびアリル基や２−メチルアリル基等のアルケニル基を配位子として有する鉄−オレフィン錯体と、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン等のビスシリル化合物およびｔ−ブチルイソシアニド等のイソニトリル化合物、ホスファイト化合物、またはビピリジン化合物とを、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中で反応させて得ることができる。
この場合、ビスシリル化合物の使用量は、鉄−オレフィン錯体に対して、１〜１０モル倍程度とすることができるが、２〜５モル倍が好ましい。
イソニトリル化合物、ホスファイト化合物、ビピリジン化合物の使用量は、鉄−オレフィン錯体に対して、１〜１０モル倍程度とすることができるが、２〜５モル倍が好ましい。
また、有機溶媒としては、反応に影響を及ぼさない限りにおいて各種の溶媒類が使用でき、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類などを用いることができる。
反応温度は、有機溶媒の融点から沸点の範囲で適宜設定すればよいが、１０〜１００℃が好ましく、３０〜８０℃がより好ましい。
反応時間は、通常、１〜４８時間程度である。
反応終了後は、溶媒を留去した後、再結晶法等の公知の精製法にて目的物を得ることができるが、調製した鉄錯体を単離せずに目的とする反応の触媒として用いてもよい。
本発明の単核鉄錯体は、既に述べたとおり、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボニル化合物の還元反応のいずれか１つ以上の反応に触媒活性を発揮するが、２つの反応に触媒活性を発揮するものも、３つの反応すべてに触媒活性を発揮するものも存在する。
本発明の単核鉄錯体を触媒として使用し、脂肪族不飽和結合を含有する、オレフィン化合物、シラン化合物またはオルガノポリシロキサン化合物等の脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有する、シラン化合物またはオルガノポリシロキサン化合物とのヒドロシリル化反応を行う場合、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、室温〜１００℃程度の温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は０．００５モル％以上とすることが好ましい。
本発明の単核鉄錯体を触媒として使用し、脂肪族不飽和結合を含有するオレフィン化合物を水素ガスによって還元し、飽和化合物を得る反応を行う場合も、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、室温下、かつ、水素圧が１気圧程度の温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は０．０５モル％以上とすることが好ましい。
本発明の単核鉄錯体を触媒として使用し、カルボニル化合物をＳｉ−Ｈ基を含有するシランまたはシロキサンで還元する場合も、触媒の使用量は特に限定されるものではないが、温和な条件下で反応を進行させて収率よく目的物を得ることを考慮すると、触媒の使用量は０．１モル％以上とすることが好ましい。
還元反応に供し得るカルボニル化合物としては、アミド、アルデヒド、ケトン、エステル、カルボン酸、カルボン酸塩（例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等）基等を有する化合物が挙げられ、これらを本発明の鉄錯体触媒の存在下、Ｓｉ−Ｈ基を含有するシランまたはシロキサンと反応させることによって、それぞれ対応するアミンやアルコール化合物へと導くことができる。
なお、いずれの反応においても、触媒使用量の上限は特に制限はないが、経済的な観点から５モル％程度である。
以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
鉄錯体の合成は、シュレンクテクニックまたはグローブボックスを用いてすべての操作をアルゴン雰囲気下で行い、遷移金属化合物の調製に用いた溶媒は、全て公知の方法で脱酸素、脱水を行った後に用いた。
アルケンのヒドロシリル化反応、水素化反応、およびアミドの還元反応および溶媒精製は、全て不活性ガス雰囲気下で行い、各種反応に用いた溶媒等は、全て予め公知の方法で精製、乾燥、脱酸素を行ったものを用いた。
1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲの測定は日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＣＡ６００，ＪＮＭ−ＬＡ４００を、ＩＲ測定は日本分光（株）製ＦＴ／ＩＲ−５５０を、元素分析はＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ製２４００ＩＩ／ＣＨＮを、Ｘ線結晶構造解析は（株）リガク製ＶａｒｉＭａｘ、ＭｏＫα線０．７１０６９オングストロームを用いてそれぞれ行った。
なお、以下に示す化学構造式においては慣用的な表現法に従って水素原子を省略している。また、Ｍｅはメチル基を表す。
（１）鉄錯体の合成
［実施例１］鉄錯体Ａの合成
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬのシュレンク管に（η6−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）（η4−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）鉄（０）錯体（４０ｍｇ，０．１５ｍｍｏｌ）と２，４，６−トリメチルフェニルイソシアニド（６６ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）を仕込み、ここへ脱気・脱水したヘキサン（４０ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（６４ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）を加え、反応容器内を水素雰囲気に置換した後、高圧水銀灯（ウシオ電機（株）製，ＵＭ−４５３Ｂ−Ａ（４５０Ｗ））を用いて光照射をしながら室温下で４８時間撹拌した。反応終了後、減圧乾燥し、得られた乾燥物をトルエン（１０ｍＬ）に溶解させ、遠心分離にて副生した少量の黒色不溶物を取り除いた。その後、トルエン溶液を減圧下で乾燥させて上記式で代表的に表される鉄錯体Ａ（３６ｍｇ／０．０５ｍｍｏｌ／３５％）を得た。
得られた鉄錯体Ａの1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図１に、13Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図２にそれぞれ示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6，６００ＭＨｚ）δ＝−１１．５４（ｓ，ＪSi-H＝１４．７Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−Ｈ），０．９０（ｓ，２４Ｈ，ＳｉＭｅ2），１．８２（ｓ，６Ｈ，Ｍｅ），１．９１（ｓ，１２Ｈ，Ｃ6Ｈ3Ｍｅ2），６．３０（ｓ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ2），７．２９−７．３３（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4），７．７１−７．７５（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4）．
13Ｃ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6，１５０ＭＨｚ）δ＝９．７０（ｓ，ＳｉＭｅ2），１９．２（ｓ，Ｃ6Ｈ2Ｍｅ3），２０．７（ｓ，Ｃ6Ｈ2Ｍｅ3），１２９．０（ｓ，Ｐｈ），１２９．３（ｓ，Ｐｈ），１３１．１（ｓ，Ｐｈ），１３１．６（ｓ，Ｐｈ），１３４．６（ｓ，Ｐｈ），１３６．８（ｓ，Ｐｈ），１５６．６（ｓ，ｉｐｓｏ ｏｆ Ｃ6Ｈ4），１７７．５（ｓ，ＣＮ−Ｍｅｓ）．
ＩＲ（ＫＢｒ ｐｅｌｌｅｔ）：ν＝１９５８（νSi-H），２０５６（νFe-CN）ｃｍ-1
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ Ｃ40Ｈ56Ｎ2ＦｅＳｉ4：Ｃ，６５．５４；Ｈ，７．７０；Ｎ，３．８２ Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６５．３２；Ｈ，７．４８；Ｎ，３．６７
［実施例２］鉄錯体Ｂの合成
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬのシュレンク管に（η6−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）（η4−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）鉄（０）錯体（１００ｍｇ，０．３８ｍｍｏｌ）と２，６−ジメチルフェニルイソシアニド（１４９ｍｇ、１．１４ｍｍｏｌ）を仕込み、ここへ脱気・脱水したヘキサン（６０ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（１６２ｍｇ，０．８３ｍｍｏｌ）を加え、反応容器内を水素雰囲気に置換した後、高圧水銀灯（ウシオ電機（株）製，ＵＭ−４５３Ｂ−Ａ（４５０Ｗ））を用いて光照射をしながら室温下で４８時間撹拌した。反応終了後、減圧乾燥し、得られた乾燥物をトルエン（１０ｍＬ）に溶解させ、遠心分離にて副生した少量の黒色不溶物を取り除いた。その後、トルエン溶液を減圧下で乾燥させて上記式で代表的に表される鉄錯体Ｂ（１１５ｍｇ／０．１６ｍｍｏｌ／４３％）を得た。
得られた鉄錯体Ｂの構造を図３に、1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図４にそれぞれ示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6，６００ＭＨｚ）δ＝−１１．４８（ｓ，ＪSi-H＝１６．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−Ｈ），０．９０（ｓ，２４Ｈ，ＳｉＭｅ2），１．９４（ｓ，１２Ｈ，Ｃ6Ｈ3Ｍｅ2），６．５３−６．５８（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ3Ｍｅ2），６．６２−６．６６（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ3Ｍｅ2），７．３１−７．３５（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4），７．７１−７．７６（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4）．
ＩＲ（ＫＢｒ ｐｅｌｌｅｔ）：ν＝１９６０（νSi-H），２０５２（νFe-CN）ｃｍ-1
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．ｆｏｒ Ｃ38Ｈ52Ｎ2ＦｅＳｉ4：Ｃ，６４．７４；Ｈ，７．４３；Ｎ，３．９７ Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６４．５６；Ｈ，７．２４；Ｎ，３．８７
［実施例３］鉄錯体Ｃの合成
Figure 0006617264
 （式中、Ｍｅはメチル基を意味する。）
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬのシュレンク管に（η6−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）（η4−１，３，５，７−シクロオクタテトラエン）鉄（０）錯体（５０ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ）とアダマンチルイソシアニド（９２ｍｇ，０．５７ｍｍｏｌ）を仕込み、ここへ脱気・脱水したヘキサン（５０ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン（８０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加え、反応容器内を水素雰囲気に置換した後、高圧水銀灯（ウシオ電機（株）製，ＵＭ−４５３Ｂ−Ａ（４５０Ｗ））を用いて光照射をしながら室温下で４８時間撹拌した。反応終了後、減圧乾燥し、得られた乾燥物をトルエン（５ｍＬ）に溶解させ、遠心分離にて副生した少量の黒色不溶物を取り除いた。その後、トルエン溶液を減圧下で乾燥させて上記式で代表的に表される鉄錯体Ｃ（５５ｍｇ／０．０７ｍｍｏｌ／３８％）を得た。
得られた鉄錯体Ｃの1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図５に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6，６００ＭＨｚ）δ＝−１１．５７（ｓ，ＪSi-H＝１３．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−Ｈ），０．８８（ｓ，２４Ｈ，ＳｉＭｅ2），１．０８−１．１６（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ２），１．４７−１．４９（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ2），１．５１−１．５５（ｍ，６Ｈ，ＣＨ），７．３２−７．３５（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4），７．７９−７．８４（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4）．
ＩＲ（ＫＢｒ ｐｅｌｌｅｔ）：ν＝１９８７（νSi-H），２０７３（νRu-CN）ｃｍ-1
（２）鉄錯体を用いたヒドロシリル化
Figure 0006617264
［実施例４］鉄錯体Ａを用いたスチレンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加えた。ここにスチレン（１０４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（１６３ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を５０℃で２３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー１として表１に示す。
１，１，１，３，３−ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌ−３−［（１Ｅ）−２−ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｅｎｙｌ］−ｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ（表１，（ＩＩ）の化合物）
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝０．１１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）2），０．２２（ｓ，９Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ3）3），６．４２（ｄ，ＪH-H＝１９．３Ｈｚ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−），６．９３（ｄ，ＪH-H＝１９．３Ｈｚ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−），７．２４−７．２９（ｍ，１Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．３１−７．３９（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．４３−７．４７（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ5）．
Ｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ（表１，（ＩＩＩ）の化合物）
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１．２６（ｔ，２Ｈ，ＪH-H＝７．７Ｈｚ，ＣＨ3），２．６７（ｑ，２Ｈ，ＪH-H＝７．７Ｈｚ，ＣＨ2），７．１６−７．２４（ｍ，３Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．２７−７．３３（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ5）．
［実施例５］鉄錯体Ｂを用いたスチレンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ｂ（７．１ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加えた。ここにスチレン（１０４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（１６３ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を５０℃で２３時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー２として表１に示す。
［実施例６］鉄錯体Ｃを用いたスチレンの１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサンによるヒドロシリル化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加え、５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ｃ（７．７ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加えた。ここにスチレン（１０４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、さらに１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン（１６３ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（３．６ｍｇ，０．０４ｍｍｏｌ）を加えた後、溶液を８０℃で２４時間撹拌した。冷却後、内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。これらの結果をエントリー３として表１に示す。
１，１，１，３，３−ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌ−３−（２−ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌ）−ｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ（表１，（Ｉ）の化合物）
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝−０．０３（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ 3）2），−０．０２（ｓ，９Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ 3）3），０．７７５−０．８１（ｍ，２Ｈ，ＳｉＣＨ 2），２．５２−２．５７（ｍ，２Ｈ，ＣＨ 2 Ｃ6Ｈ5），７．０９−７．１３（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．１７−７．２２（ｍ，３Ｈ，Ｃ6Ｈ5）．
Figure 0006617264
a 鉄に対し４当量のジメトキシエタン存在下で反応を行った。
（３）鉄錯体を用いた１−オクテンの水素化反応
Figure 0006617264
［実施例７］鉄錯体Ａを用いた１−オクテンの水素化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（３．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１−オクテン（１１２ｍｇ，１.０ｍｍｏｌ）を加えた。その後、シュレンク内を水素で置換し、溶液を１気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー１として表２に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．８８（ｔ，ＪHH＝７．２Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3），１．１６−１．３６（ｍ，１２Ｈ，−（ＣＨ2）6−）．
13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１４．２７，２２．８６，２９．４８，３２．１０．
［実施例８］低触媒濃度の鉄錯体Ａを用いた水素化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（３．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１−オクテン（１.１２ｇ，１０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を２０気圧の水素雰囲気下、８０℃で６時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー２として表２に示す。
［実施例９］鉄錯体Ｂを用いた水素化反応
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ｂ（３．５ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１−オクテン（１１２ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で３０分間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー３として表２に示す。
Figure 0006617264
（４）鉄錯体を用いたスチレンの水素化
Figure 0006617264
［実施例１０］鉄錯体Ａを用いたスチレンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（３．７ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、スチレン（１１４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー１として表３に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝１．１３（ｔ，ＪHH＝７．２Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ2ＣＨ 3），２．５４（ｑ，ＪHH＝７．２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ 2ＣＨ3），７．０２−７．１１（ｍ，３Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．１１−７．２０（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ5）．
13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１５．６，２８．８，１２５．６，１２７．８，１２８．３，１４４．３．
［実施例１１］鉄錯体Ｂを用いたスチレンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ｂ（３．５ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、スチレン（１１４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー２として表３に示す。
［実施例１２］鉄錯体Ｃを用いたスチレンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ｃ（３．８ｍｇ，０．００５ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、スチレン（１１４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２４時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー３として表３に示す。
Figure 0006617264
（５）鉄錯体Ａを用いたオレフィンの水素化
Figure 0006617264
［実施例１３］メチル−１０−ウンデセノエートの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、メチル−１０−ウンデセノエート（１９８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー１として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．８８（ｔ，３Ｈ，ＪH-H＝７．４Ｈｚ，−ＣＨ3），１．１７−１．３５（ｍ，１４Ｈ，−ＣＨ2−），１．５３−１．６７（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ2−），２．３０（ｔ，２Ｈ，ＪH-H＝７．７Ｈｚ，−ＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）−），３．６６（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ）．
13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１４．２５，２２．８３，２５．１２，２９．３１，２９．４０，２９．４５，２９．６０，２９．７０，３２．０４，３４．２８，５１．５７，１７４．５０
［実施例１４］トランス−スチルベンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、トランス−スチルベン（１８０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー２として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝２．９３（ｓ，４Ｈ，ＣＨ2），７．１２−７．２３（ｍ，６Ｈ，Ｃ6Ｈ5），７．２４−７．３２（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ5）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝３７．９，１２５．９，１２８．３，１２８．５，１４１．８．
［実施例１５］シクロペンテンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、シクロペンテン（８８．４μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー３として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝１．５２（ｓ，１０Ｈ，ＣＨ2）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝２５．９．
［実施例１６］１−メチル−１−シクロヘキセンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、１−メチル−１−シクロヘキセン（１１８μＬ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー４として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．８６（ｄ，ＪHH＝５．８Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ3），１．０４−１．２８（ｍ，４Ｈ，ＣＨ2），１．２８−１．３９（ｍ，１Ｈ，ＣＨ），１．５４−１．７２（ｍ，６Ｈ，ＣＨ2）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝２２．９，２６．３，２６．４，３２．７，３５．４．
［実施例１７］エチル−２，３−ジメチルアクリレートの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、エチル−２，３−ジメチルアクリレート（１２８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で２時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー５として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．９３−０．９６（ｍ，６Ｈ，Ｍｅ），１．２８（ｔ，３Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ 3），２．００−２．０４（ｍ，１Ｈ，ＣＨ ａｎｄ ＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）），４．１９（ｑ，２Ｈ，ＯＣＨ 2ＣＨ3）．
13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１４．６，２２．９，２６．０，４３．６，６０．３，１７３．５．
［実施例１８］（±）−リモネンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、（±）−リモネン（１３６ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した（ｔｒａｎｓ：ｃｉｓ＝１：１）。これらの結果をエントリー６として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．８４７（ｄ，２Ｈ，ＪHH＝６．８Ｈｚ，ＣＨ（ＣＨ3）2 ｏｆ ｔｒａｎｓ−ｉｓｏｍｅｒ），０．８５９（ｄ，３Ｈ，ＪHH＝６．８Ｈｚ，ＣＨ3 ｏｆ ｔｒａｎｓ−ｉｓｏｍｅｒ），０．８６０（ｄ，２Ｈ，ＪHH＝６．８Ｈｚ，ＣＨ（ＣＨ3）2 ｏｆ ｃｉｓ−ｉｓｏｍｅｒ），０．９０９（ｄ，３Ｈ，ＪHH＝６．８Ｈｚ，ＣＨ3 ｏｆ ｃｉｓ−ｉｓｏｍｅｒ），０．８７−１．０９（ｍ，２Ｈ，ＣＨ ａｎｄ ＣＨ2），１．１８−１．５８（ｍ，６Ｈ，ＣＨ ａｎｄ ＣＨ2），１．６２−１．７７（ｍ，３Ｈ，ＣＨ2）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝１９．５．２０．０，２０．４，２２．９，２５．５，２９．３，２９．７，３１．６，３３．０，３３．１，３５．８，４３．２，４４．０．
［実施例１９］α−メチルスチルベンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ＤＭＥ（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、α−メチルスチルベン（１９４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー７として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝１．３０（ｄ，３Ｈ，ＪHH＝６．８Ｈｚ，ＣＨ3），２．７８−２．９１（ｍ，１Ｈ，ＣＨ（Ｍｅ），２．９８−３．０８（ｍ，１Ｈ，ＣＨ2Ｐｈ），７．１２−７．４０（ｍ，１０Ｈ，Ｐｈ）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝２１．２，４２．０，４５．１，１２５．９，１２６．１，１２７．０，１２８．１，１２８．３，１２９．４，１４１．０，１４７．２．
［実施例２０］２，３−ジメチル−２−ブテンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ジメトキシエタン（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、２，３−ジメチル−２−ブテン（８４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を１０気圧の水素雰囲気下、８０℃で６時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー８として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．８４（ｄ，ＪH-H＝６．７Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ3），１．４０（ｓｅｐｔｅｔ，ＪH-H＝６．７Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ）．
13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝１９．４，３３．７．
［実施例２１］２，３−ジメチル−１Ｈ−インデンの水素化
２０ｍＬのシュレンクチューブに磁気撹拌子を加えて５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、シュレンクチューブ内をアルゴン雰囲気に置換した。そのシュレンクチューブに、触媒として鉄錯体Ａ（７．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）を加え、ＤＭＥ（２ｍＬ）に溶解させた。この溶液に、２，３−ジメチル−１Ｈ−インデン（１４４ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液をオートクレーブ内に移し、オートクレーブ内を水素で置換した。その後、溶液を２０気圧の水素雰囲気下、８０℃で１０時間撹拌した。内標としてアニソール（１０８ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、生成物の構造および収率を決定した。得られた化合物は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。これらの結果をエントリー９として表４に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．９４（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ3ＣＨＣＨ2），１．１４（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ3ＣＨ），２．４９−２．６１（ｍ，２Ｈ），２．９４（ｍ，１Ｈ），３．１７，（ｑｕｉｎｔｅｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ3ＣＨ），７．０６−７．２４（ｍ，４Ｈ，Ｃ6Ｈ4）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，１００ＭＨｚ）δ＝１４．５，１５．０，３７．８，３９．２，４２．６，１２３．５，１２４．３，１２６．０，１２６．１，１４２．８，１４９．０．
Figure 0006617264
（６）鉄錯体を用いたアミドの還元
Figure 0006617264
［実施例２２］鉄錯体Ａを用いたＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの還元
ＮＭＲチューブを５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、触媒として鉄錯体Ａ（１８ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、重ベンゼン０．４ｍLをシリンジで加えた。その後、ジメチルフェニルシラン（３０ｍｇ，０．２２ｍｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３６．５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、減圧下でＮＭＲチューブを焼き切り真空封管した。溶液を１２０℃で１０時間撹拌した後、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりアミンの生成を確認した。これらの結果をエントリー１として表５に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝２．１２（ｓ，９Ｈ，ＮＭｅ3）．
［実施例２３］鉄錯体Ｂを用いたＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの還元
ＮＭＲチューブを５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、触媒として鉄錯体Ｂ（１８ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、重ベンゼン０．４ｍＬをシリンジで加えた。その後、ジメチルフェニルシラン（３０ｍｇ，０．２２ｍｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３６．５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた後、減圧下でＮＭＲチューブを焼き切り真空封管した。溶液を１２０℃で１０時間撹拌した後、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりアミンの生成を確認した。これらの結果をエントリー２として表５に示す。
Figure 0006617264
（７）鉄錯体Ｂを用いたアルデヒドの還元反応
［実施例２４］４−メトキシベンズアルデヒドの還元
ＮＭＲチューブを５Ｐａに減圧しながら加熱乾燥した後、触媒として鉄錯体Ｂ（１８ｍｇ，０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、重ベンゼン０．４ｍLをシリンジで加えた。その後、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（１０１ｍｇ，０．７５ｍｍｏｌ）、４−メトキシベンズアルデヒド（６８ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）、内部標準物質としてヘキサメチルベンゼン（３２.４ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）を加えた後、減圧下でＮＭＲチューブを焼き切り真空封管した。溶液を６０℃で１０時間撹拌した後、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルによりアルコールのシリルエーテル体の生成を確認した（収率９４％）。得られたアルコールのシリルエーテル体は、1Ｈ，13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによりその構造を確認した。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，４００ＭＨｚ）δ＝０．１２（ｓ，６Ｈ，ＳｉＭｅ2），０．１８（ｄ，６Ｈ，ＪSi-H＝３．９Ｈｚ，Ｓｉ（Ｈ）Ｍｅ2），３．７９（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ），４．７０（ｓ，２Ｈ，ＣＨ2），４．７３（ｓｅｐｔ，１Ｈ，ＪSi-H＝３．９Ｈｚ，ＳｉＨ），６．８６−６．８９（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ4），７．２０−７．２３（ｍ，２Ｈ，Ｃ6Ｈ4）．
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，９９．５ＭＨｚ）δ＝−０．９９，０．７４，５５．２１，６４．０１，１１３．７６，１２８．２０，１３２．９１，１５８．９５．

Claims (13)

  1. 式（１）で表されることを特徴とする単核鉄二価錯体。
    Figure 0006617264
     （式中、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの１組は一緒になって、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基および炭素数６〜３０のアリーレン基から選ばれる架橋置換基を形成し、
    Ｌ1は、ＲＮＣ（Ｒは、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基または炭素数７〜３０のアラルキル基を表す。）で示されるイソニトリルからなる二電子配位子を表し、
    Ｌ2は、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれかと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかの１組は一緒になって、−Ｃ＝Ｃ−、炭素数１〜１０のアルキレン基および炭素数６〜３０のアリーレン基から選ばれる架橋置換基を形成しているトリオルガノヒドロシランからなる二電子配位子を表し、
    ｍ1は２の整数を表し、ｍ2は２の整数を表す。）
  2. 前記Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの１組は一緒になって炭素数６〜３０のアリーレン基を形成している請求項１記載の単核鉄二価錯体。
  3. 前記Ｒ1〜Ｒ6は、互いに独立してアルキル基を表すが、Ｒ1〜Ｒ3のいずれかと、Ｒ4〜Ｒ6のいずれかの１組は一緒になってｏ−フェニレン基を形成している請求項２記載の単核鉄二価錯体。
  4. 前記Ｌ1が、ＲＮＣ（Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表す。）で示されるイソニトリルからなる二電子配位子である請求項１または２記載の単核鉄二価錯体。
  5. 前記Ｒが、炭素数１〜１０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、またはアダマンチル基である請求項４記載の単核鉄二価錯体。
  6. 前記Ｌ1が、メチルイソシアニド、エチルイソシアニド、ｎ−プロピルイソシアニド、シクロプロピルイソシアニド、ｎ−ブチルイソシアニド、イソブチルイソシアニド、ｓｅｃ−ブチルイソシアニド、ｔ−ブチルイソシアニド、ｎ−ペンチルイソシアニド、イソペンチルイソシアニド、ネオペンチルイソシアニド、ｎ−ヘキシルイソシアニド、シクロヘキシルイソシアニド、シクロヘプチルイソシアニド、１，１−ジメチルヘキシルイソシアニド、１−アダマンチルイソシアニド、２−アダマンチルイソシアニド、フェニルイソシアニド、２−メチルフェニルイソシアニド、４−メチルフェニルイソシアニド、２，４−ジメチルフェニルイソシアニド、２，５−ジメチルフェニルイソシアニド、２，６−ジメチルフェニルイソシアニド、２，４，６−トリメチルフェニルイソシアニド、２，４，６−トリｔ−ブチルフェニルイソシアニド、２，６−ジイソプロピルフェニルイソシアニド、１−ナフチルイソシアニド、２−ナフチルイソシアニド、および２−メチル−１−ナフチルイソシアニドから選ばれる少なくとも１種の二電子配位子である請求項４記載の単核鉄二価錯体。
  7. 前記Ｌ2が、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立して、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれかと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかの１組は一緒になって炭素数６〜３０のアリーレン基を形成しているトリオルガノヒドロシランからなる二電子配位子である請求項１〜６のいずれか１項記載の単核鉄二価錯体。
  8. 前記Ｌ2が、Ｈ−ＳｉＲ7Ｒ8Ｒ9およびＨ−ＳｉＲ10Ｒ11Ｒ12で表され、これらＲ7〜Ｒ12は、互いに独立してアルキル基を表すが、Ｒ7〜Ｒ9のいずれかと、Ｒ10〜Ｒ12のいずれかの１組は一緒になってｏ−フェニレン基を形成しているトリオルガノヒドロシランからなる二電子配位子である請求項７記載の単核鉄二価錯体。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項記載の単核鉄二価錯体からなるヒドロシリル化反応、水素化反応およびカルボニル化合物の還元反応から選ばれる少なくとも１つの反応に活性を有する触媒。
  10. 請求項９記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するヒドロシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンとをヒドロシリル化反応させることを特徴とする付加化合物の製造方法。
  11. 請求項９記載の触媒の存在下、脂肪族不飽和結合を有する化合物を水素化させることを特徴とするアルカン化合物の製造方法。
  12. 請求項９記載の触媒の存在下、アミド化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアミン化合物の製造方法。
  13. 請求項９記載の触媒の存在下、アルデヒド化合物、ケトン化合物またはエステル化合物をＳｉ−Ｈ結合を有するシランまたはオルガノヒドロポリシロキサンで還元することを特徴とするアルコール化合物の製造方法。
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