JP6613238B2 - グレーティング素子 - Google Patents
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Description
すなわち、グレーティング素子は、一つのウエハー内に多数同時に成形し、切り出すものである。この際、ブラッググレーティングを成形する際には、ブラッググレーティングの幅を光導波路幅に比べてパターニング精度+αの幅として成形することによって、リッジ部上面の全面にわたって確実にブラッググレーティングが形成されるようにした。
光学材料層、
この光学材料層に設けられているチャネル型光導波路領域あって、一対のリッジ溝と、リッジ溝間に設けられているリッジ部とからなるチャネル型光導波路領域、
前記チャネル型光導波路領域の前記リッジ溝の外側にそれぞれ設けられている延在部領域、
前記チャネル型光導波路領域に設けられているブラッググレーティング、および
前記リッジ溝の外側において前記延在部領域に設けられている規則的微細構造を備えており、
前記規則的微細構造が前記延在部領域の面積の合計値のうち50%以上に設けられていることを特徴とする、グレーティング素子に係るものである。
図1、図3に本発明の実施形態のグレーティング素子1を示す。
本例の光学素子1においては、光学材料層2が一対の主面2a、2bを有する。光学材料層2の主面2a側に、例えば一対のリッジ溝4が形成されており、一対のリッジ溝4の間にリッジ部5が形成されている。リッジ部5およびリッジ溝4によって、チャネル型光導波路領域6が構成されている。
端面15bの端面反射率は、グレーティングの反射率よりも小さい値であればよく、光源14は通常の半導体レーザを使用することができる。
しかし、光学材料層2の入射面、出射面の各反射率は、グレーティングの反射率よりも小さい値であればよく、この場合には無反射膜はなくてもよい。
図9(a)は、支持基板11の正面図であり、(b)は、支持基板11の平面図である。この支持基板11上にクラッド層10、光学材料層20を形成する(図9(c))。なお、光学材料層の表面に上側クラッド層をさらに設けることもできる。光学材料層、クラッド層、上側クラッド層は、それぞれ、単層からなっていてよく、あるいは多層膜であっても良い。
支持基板の厚さは、ハンドリングの観点からは、250μm以上が好ましく、また小型化という観点からは、1mm以下が好ましい。
クラッド層を設ける場合には、クラッド層の厚さを厚くすることによって、伝搬光の支持基板への染み出しを抑制できるので、この観点からは、クラッド層の厚さは0.5μm以上が好ましい。
すなわち、図12に示すように、ブラッググレーティングおよび規則的微細構造が形成されていない領域18A、18Bが大きい場合には、インプリントモールドによる転写時の樹脂充填および離型時にモールドの横方向へのズレが起こりやすく、樹脂充填部が素子内で均一にならず、グレーティングピッチ精度が導波路内で不均一になりやすい。これに対して、本発明のように各延在部内に大面積の規則的微細構造を形成する場合には(図11参照)、規則的微細構造の形成されていない領域8A、8Bが小さいので、転写部分の横幅が大きい。これによって、樹脂充填時および離型時に樹脂層のパターン変化が起き難く、グレーティングピッチ精度が良好になり、優れた量産性とピッチ精度を両立できる。
図1、図3、図5および図8に示すような発光装置を作製した。
具体的には、シリコンウエハからなる支持基板11に、スパッタ装置にて下側クラッド層10になるSiO2層を1μm形成した。その上に、Ta2O5を1.2μm成膜して光学材料層20を形成した。次に、光学材料層上にTiを成膜して、ナノインプリントプロセスによりグレーティングパターンを作製した。グレーティングパターンは、ピッチ間隔Λを206nm、長さLbを100μmとした。
最後に上側クラッド層となるSiO2層を0.5μmスパッタにて形成した。
測定したグレーティング素子の反射中心波長は846nmであり、反射率は20%であった。また半値全幅は2nmであった。
中心波長: 844nm
出力 20mW
レーザ素子長 250μm
実装仕様:
Lg: 0.5μm
Lm: 5μm
LWG: 110μm
L: 356μm
La: 250μm
実施例1と同様にしてグレーティング素子を作製し、評価した。
ただし、実施例1と異なり、(ブラッググレーティング3Aの面積+ブラッググレーティング3Bの面積)/(SA+SB)を50%とした。
また、モジュール実装後、ペルチェ素子を使用することなく電流制御(ACC)で駆動したところ、中心波長846nmでレーザ発振し、出力17.5mWが得られた。また、導波路の出力側から光スポットはほぼガウシアン分布の形状であり、基板から放射される(スラブモード)の光は観察されなかった。
実施例1と同様にしてグレーティング素子を作製し、評価した。
ただし、実施例1と異なり、(ブラッググレーティング3Aの面積+ブラッググレーティング3Bの面積)/(SA+SB)を100%とした。
また、モジュール実装後、ペルチェ素子を使用することなく電流制御(ACC)で駆動したところ、中心波長846nmでレーザ発振し、出力18mWが得られた。また、導波路の出力側から光スポットはほぼガウシアン分布の形状であり、基板から放射される(スラブモード)の光は観察されなかった。
実施例1と同様にしてグレーティング素子を作製し、評価した。
ただし、実施例1と異なり、(ブラッググレーティング3Aの面積+ブラッググレーティング3Bの面積)/(SA+SB)を45%とした。
モジュール実装後、ペルチェ素子を使用することなく電流制御(ACC)で駆動したところ、中心波長846nmでレーザ発振し、出力10mWが得られた。また、導波路の出力側から光スポットはほぼガウシアン分布の形状であるが、基板から放射される(スラブモード)の光が観察された。
実施例1と同様にしてグレーティング素子を作製し、評価した。
ただし、実施例1と異なり、(ブラッググレーティング3Aの面積+ブラッググレーティング3Bの面積)/(SA+SB)を20%とした。
モジュール実装後、ペルチェ素子を使用することなく電流制御(ACC)で駆動したところ、中心波長846nmでレーザ発振し、出力8mWが得られた。また、導波路の出力側から光スポットはほぼガウシアン分布の形状であるが、基板から放射される(スラブモード)の光が観察された。
Claims (6)
- 光学材料層、
この光学材料層に設けられているチャネル型光導波路領域であって、一対のリッジ溝と、リッジ溝間に設けられているリッジ部とからなるチャネル型光導波路領域、
前記チャネル型光導波路領域の前記リッジ溝の外側にそれぞれ設けられている延在部領域、
前記チャネル型光導波路領域に設けられているブラッググレーティング、および
前記リッジ溝の外側において前記延在部領域にそれぞれ設けられている規則的微細構造を備えており、
前記規則的微細構造が前記延在部領域の面積の合計値のうち50%以上に設けられていることを特徴とする、グレーティング素子。 - 前記規則的微細構造が、ブラッググレーティング、規則的に配列された柱、または規則的に配列されたホールからなることを特徴とする、請求項1記載の素子。
- 前記規則的微細構造が前記チャネル型光導波路領域の前記リッジ溝に隣接して設けられていることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記規則的微細構造が、前記チャネル型光導波路領域の全長にわたって設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記ブラッググレーティングおよび前記規則的微細構造が前記光学材料層の一方の主面に設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記光学材料層に接するクラッド層、および前記光学材料層と前記クラッド層とを支持する支持基板を備えていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の素子。
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