JP6609965B2 - 光変調器モジュール - Google Patents
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Description
(1) 電気光学効果を有する基板に光導波路と該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを設けた光変調素子と、該光変調素子を内部に収納する筐体とを有する光変調器モジュールにおいて、該筐体の内面の少なくとも一部には、該光変調素子の上方から平面視した場合に、該光変調素子に向かって突出した突起が周期的に形成されると共に、隣接した該突起と前記隣接する該突起の間に形成される窪みと該光変調素子により、空洞共振モードが発生する小空間が形成され、該小空間で発生する空洞共振モードの周波数が40GHz以上となるように、該突起同士の間隔が設定されていることを特徴とする。
(7) 上記(1)乃至(6)のいずれかに記載の光変調器モジュールにおいて、該光変調素子と電気的に接続される中継基板又は終端基板を備え、該中継基板又は該終端基板の該光変調素子側の側面は、隣接する該突起の間に形成される窪みの側面に沿って配置されていることを特徴とする。
本発明の光変調器モジュールは、図3に示すように、電気光学効果を有する基板に光導波路と該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを設けた光変調素子1と、該光変調素子を内部に収納する筐体5とを有する光変調器モジュールにおいて、該筐体5の内面の少なくとも一部には、該光変調素子1に向かって突出した突起(54,破線a1〜a3)が周期的に形成されることを特徴とする。この突起により、光変調素子の制御電極の一部に印加される変調信号による空洞共振モードの発生が抑制される。
fq=3×108×{(1/(2a))2+(1/(2b))2+(1/(2c))2}1/2
そして、fqが40GHz以上となるように、突起同士の間隔L(例えば、上記の長さbに相当する。その場合、幅aは図3のGを含む基板長手方向に垂直な小空間の長さに相当し、高さcは図3の図面に垂直な方向の窪みの深さとなる。)を設定する。
2 中継基板
3 終端基板
4 コネクタピン
5 筐体(本体)
6 光ファイバ
7 ワイヤー(導線)
8 筐体(蓋)
54 突起
55 窪み
56 溝
Claims (7)
- 電気光学効果を有する基板に光導波路と該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを設けた光変調素子と、該光変調素子を内部に収納する筐体とを有する光変調器モジュールにおいて、
該筐体の内面の少なくとも一部には、該光変調素子の上方から平面視した場合に、該光変調素子に向かって突出した突起が周期的に形成されると共に、隣接した該突起と前記隣接する該突起の間に形成される窪みと該光変調素子により、空洞共振モードが発生する小空間が形成され、
該小空間で発生する空洞共振モードの周波数が40GHz以上となるように、該突起同士の間隔が設定されていることを特徴とする光変調器モジュール。 - 請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、該突起の間隔が6.5mm以下であり、該突起の幅は該突起の間隔の逓倍にならないように設定されていることを特徴とする光変調器モジュール。
- 請求項1又は2に記載の光変調器モジュールにおいて、該突起の一部が該光変調素子に接触又は近接配置されており、接触又は近接している突起の配置が、該光変調素子の上方から平面視した場合に、該基板の中心を通り、かつ該基板の長手方向に平行又は垂直な軸に対して、線対称となるように配置されていることを特徴とする光変調器モジュール。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光変調器モジュールにおいて、該突起の一部が該光変調素子に接触しており、接触している突起が、隣接する突起の間の窪みから突出している高さが50μm以上、150μm以下であることを特徴とする光変調器モジュール。
- 請求項3又は4に記載の光変調器モジュールにおいて、該光変調素子の裏面に対向する該筐体の内側底面には、該光変調素子の長手方向に対して垂直な方向に複数の溝が形成され、該溝の少なくとも一端部分は、該突起同士の間に形成される窪みの空間に連通していることを特徴とする光変調器モジュール。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光変調器モジュールにおいて、該筐体の内面の少なくとも一部は、表面が粗面化又は電波吸収体の塗布のいずれかが施されていることを特徴とする光変調器モジュール。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の光変調器モジュールにおいて、該光変調素子と電気的に接続される中継基板又は終端基板を備え、該中継基板又は該終端基板の該光変調素子側の側面は、隣接する該突起の間に形成される窪みの側面に沿って配置されていることを特徴とする光変調器モジュール。
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