JP6603586B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
なお、反射波係数Γ1は、パワーセンサ36cによって求められる進行波パワー測定値PF1及び反射波パワー測定値PR11から、PR11/PF1により、求められてもよい。
Claims (10)
- プラズマ処理装置において実行されるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内の空間がそれらの間に介在するように設けられた第1電極及び第2電極と、
プラズマ生成用の第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
イオン引き込み用の第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記第1電極又は前記第2電極と前記第1の高周波電源を接続する第1の給電ラインと、
前記第2電極と前記第2の高周波電源を接続する第2の給電ラインと、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第1の整合器と、
前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第2の整合器と、
前記ガス供給系を制御する第1手段と、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンス、負荷抵抗、及び、負荷リアクタンス、並びに、前記第1の高周波の反射波係数のうち少なくとも一つを含むパラメータを求める第2手段と、
を備え、
該プラズマ処理方法は、
前記処理容器内において、第1のガスのプラズマを生成する複数の第1段階と、
前記複数の第1段階と交互に実行される複数の第2段階であり、前記処理容器内において、前記第1のガスに含まれるガスとは異なるガスを含む第2のガスのプラズマを生成する、該複数の第2段階と、
を含み、
前記複数の第1段階の各々において、前記ガス供給系から前記処理容器内に前記第1のガスが供給され、前記第1電極又は前記第2電極に前記第1の高周波電源から前記第1の高周波が供給され、
前記複数の第2段階の各々において、前記複数の第1段階のうち直前の第1段階から連続して前記第1電極又は前記第2電極に前記第1の高周波電源から前記第1の高周波が供給され、
前記複数の第2段階の各々は、
前記処理容器内に供給されるガスを前記第1のガスから前記第2のガスに切り替えるために、前記第1手段から前記ガス供給系にガス切替信号を与える工程と、
前記ガス切替信号が前記ガス供給に与えられた後、前記パラメータが閾値を超えたときに、前記第2手段が前記第2の高周波電源に前記第2電極への前記第2の高周波の供給を開始させる工程と、
を含む、
プラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理装置は、前記複数の第2段階の各々の開始時点と該複数の第2段階の各々において前記第2の高周波の供給が開始された時点との間の時間差を求める第3手段を更に備え、
前記第3手段が前記時間差を求める工程と、
前記複数の第2段階のうち先行する第2段階より後に実行される第2段階の所定の実行時間長を前記時間差の分だけ増加させるように、該所定の実行時間長を調整する工程と、
を更に含む、請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2手段が、パラメータの系列から求められる移動平均値を用いて、前記閾値を調整する工程を更に含み、
前記パラメータの系列は、前記複数の第2段階のうち実行済の第2段階、又は、該実行済の第2段階と実行中の第2段階のそれぞれで前記第1の整合器によるインピーダンス整合が完了した状態における、前記第1の高周波電源の負荷インピーダンス、負荷抵抗、及び、負荷リアクタンス、並びに、前記第1の高周波の反射波係数のうち少なくとも一つを含むパラメータから構成される、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記複数の第2段階の各々において、第1の移動平均値及び第2の移動平均値が所定の調整範囲内に含まれる場合に、前記第1の高周波電源の電源制御部が、前記第1の高周波を調整する工程であり、前記第1の移動平均値から推定される前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを該第1の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう第1の副期間において出力される前記第1の高周波の周波数を調整し、前記第2の移動平均値から推定される前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを該第1の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう第2の副期間において出力される前記第1の高周波の周波数を調整する、該工程と、
前記複数の第2段階の各々において、第3の移動平均値及び第4の移動平均値が所定の調整範囲内に含まれる場合に、前記第2の高周波電源の電源制御部が、前記第2の高周波を調整する工程であり、前記第3の移動平均値から推定される前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを該第2の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう前記第1の副期間において出力される前記第2の高周波の周波数を調整し、前記第4の移動平均値から推定される前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを該第2の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう前記第2の副期間において出力される前記第2の高周波の周波数を調整する、該工程と、
を更に含み、
前記第1の副期間は、前記複数の第2段階の各々の実行期間内において前記第2の高周波の供給が開始された時点から該実行期間の途中までの間の期間であり、前記第2の副期間は、前記途中から前記実行期間の終了時点までの間の期間であり、
前記第1の移動平均値は、前記複数の第2段階のうち実行済の第2段階それぞれの実行期間内において前記第2の高周波の供給が開始された時点から該実行期間の途中までの間の第1の副期間における前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第2の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記途中から該実行期間の終了時点までの間の第2の副期間における前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第3の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記第1の副期間における前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第4の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記第2の副期間における前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値である、
請求項1〜3の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第1の高周波を調整する前記工程において、前記第1の高周波電源の前記電源制御部が、前記第1の副期間における前記第1の高周波のパワーが前記第2の副期間における前記第1の高周波のパワーよりも大きくなるように前記第1の高周波のパワーを調整し、
前記第2の高周波を調整する前記工程において、前記第2の高周波電源の前記電源制御部が、前記第1の副期間における前記第2の高周波のパワーが前記第2の副期間における前記第2の高周波のパワーよりも大きくなるように前記第2の高周波のパワーを調整する、
請求項4に記載のプラズマ処理方法。 - 処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内の空間がそれらの間に介在するように設けられた第1電極及び第2電極と、
プラズマ生成用の第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
イオン引き込み用の第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記第1電極又は前記第2電極と前記第1の高周波電源を接続する第1の給電ラインと、
前記第2電極と前記第2の高周波電源を接続する第2の給電ラインと、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第1の整合器と、
前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを調整するための第2の整合器と、
前記ガス供給系を制御する第1手段と、
前記第1の高周波電源の負荷インピーダンス、負荷抵抗、及び、負荷リアクタンス、並びに、前記第1の高周波の反射波係数のうち少なくとも一つを含むパラメータを求める第2手段と、
を備え、
前記処理容器内において、第1のガスのプラズマを生成する複数の第1段階の各々において、前記第1手段は、前記処理容器内に前記第1のガスを供給するよう前記ガス供給系を制御し、前記第1電極又は前記第2電極に前記第1の高周波を供給するよう前記第1の高周波電源を制御し、
前記複数の第1段階と交互に実行される複数の第2段階であり、前記処理容器内において、前記第1のガスに含まれるガスとは異なるガスを含む第2のガスのプラズマを生成する、該複数の第2段階の各々において、
前記第1手段は、前記複数の第1段階のうち直前の第1段階から連続して前記第1電極又は前記第2電極に前記第1の高周波を供給するよう前記第1の高周波電源を制御し、
前記第1手段は、前記処理容器内に供給されるガスを前記第1のガスから前記第2のガスに切り替えるために、前記ガス供給系にガス切替信号を与え、
前記第2手段は、前記ガス切替信号が前記ガス供給に与えられた後、前記パラメータが閾値を超えたときに、前記第2の高周波電源に前記第2電極への前記第2の高周波の供給を開始させる、
プラズマ処理装置。 - 前記複数の第2段階の各々の開始時点と該複数の第2段階の各々において前記第2の高周波の供給が開始された時点との間の時間差を求める第3手段を更に備え、
前記第1手段は、前記複数の第2段階のうち前先行する第2段階より後に実行される第2段階の所定の実行時間長を前記時間差の分だけ増加させるように、該所定の実行時間長を調整する、
請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2手段は、パラメータの系列から求められる移動平均値を用いて、前記閾値を調整し、
前記パラメータの系列は、前記複数の第2段階のうち実行済の第2段階、又は、該実行済の第2段階と実行中の第2段階のそれぞれで前記第1の整合器によるインピーダンス整合が完了した状態における、前記第1の高周波電源の負荷インピーダンス、負荷抵抗、及び、負荷リアクタンス、並びに、前記第1の高周波の反射波係数のうち少なくとも一つを含むパラメータから構成される、
請求項6又は7に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波電源は、前記複数の第2段階の各々において、第1の移動平均値及び第2の移動平均値が所定の調整範囲内に含まれる場合に、前記第1の移動平均値から推定される前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを該第1の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう第1の副期間において出力される前記第1の高周波の周波数を調整し、前記第2の移動平均値から推定される前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスを該第1の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう第2の副期間において出力される前記第1の高周波の周波数を調整する電源制御部を有し、
前記第2の高周波電源は、前記複数の第2段階の各々において、第3の移動平均値及び第4の移動平均値が所定の調整範囲内に含まれる場合に、前記第3の移動平均値から推定される前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを該第2の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう前記第1の副期間において出力される前記第2の高周波の周波数を調整し、前記第4の移動平均値から推定される前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスを該第2の高周波電源の出力インピーダンスに近づけるよう前記第2の副期間において出力される前記第2の高周波の周波数を調整する電源制御部を有し、
前記第1の副期間は、前記複数の第2段階の各々の実行期間内において前記第2の高周波の供給が開始された時点から該実行期間の途中までの間の期間であり、前記第2の副期間は、前記途中から前記実行期間の終了時点までの間の期間であり、
前記第1の移動平均値は、前記複数の第2段階のうち実行済の第2段階それぞれの実行期間内において前記第2の高周波の供給が開始された時点から該実行期間の途中までの間の第1の副期間における前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第2の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記途中から該実行期間の終了時点までの間の第2の副期間における前記第1の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第3の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記第1の副期間における前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値であり、
前記第4の移動平均値は、前記実行済の第2段階それぞれの実行期間内の前記第2の副期間における前記第2の高周波電源の負荷インピーダンスの移動平均値である、
請求項6〜8の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波電源の前記電源制御部は、前記第1の副期間における前記第1の高周波のパワーが前記第2の副期間における前記第1の高周波のパワーよりも大きくなるように前記第1の高周波のパワーを調整し、
前記第2の高周波電源の前記電源制御部は、前記第1の副期間における前記第2の高周波のパワーが前記第2の副期間における前記第2の高周波のパワーよりも大きくなるように前記第2の高周波のパワーを調整する、
請求項9に記載のプラズマ処理装置。
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