JP6600391B2 - ナノインプリントリソグラフィにおけるテンプレートの歪みのリアルタイム補正 - Google Patents

ナノインプリントリソグラフィにおけるテンプレートの歪みのリアルタイム補正 Download PDF

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Description

本発明は、ナノインプリントリソグラフィにおけるテンプレートの歪みのリアルタイム補正に関する。
ナノインプリントリソグラフィのプロセスにおいて、基板上の領域角部およびインプリントリソグラフィ・テンプレートの角部は、インプリント中にテンプレートによって基板に加えられる力に少なくとも部分的に起因して変形しやすい。このテンプレートの面外変形（out-of-plane deformation）は、像の配置および残膜均一性に影響を及ぼしうる。現在のアライメントシステムでは、面内アライメント誤差（in-plane alignment error）と面外アライメント誤差（out-of-plane alignment error）とを区別することは困難であり、そのため、適切な補正を行うことが困難である。
第１の一般的態様において、基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減する方法は、基板の上にインプリントレジストを配置する工程と、インプリントレジストをテンプレートに接触させる工程とを含む。テンプレートは、テンプレートの周辺領域に周辺アライメントマークを含み、テンプレートの中央領域に中央アライメントマークを含み、基板は、テンプレートの周辺アライメントマークに対応する周辺アライメントマークと、テンプレートの中央アライメントマークに対応する中央アライメントマークとを含む。第１の一般的態様は、テンプレートの中央アライメントマークの各々を、基板の対応する中央アライメントマークの各々に対して位置決めする工程と、テンプレートの周辺アライメントマークの各々を、基板の対応する周辺アライメントマークの各々に対して位置決めする工程とをさらに含む。第１の一般的態様は、テンプレートの中央アライメントマークの各々と基板の対応する中央アライメントマークの各々との相対位置に基づいてテンプレートの面内アライメント誤差を評価する工程と、テンプレートの周辺アライメントマークの各々と基板の対応する周辺アライメントマークの各々との相対位置に基づいてテンプレートの結合アライメント誤差を評価する工程とを有し、ここで、テンプレートの結合アライメント誤差は、テンプレートの面内アライメント誤差とテンプレートの面外アライメント誤差とを含む。第１の一般的態様は、さらに、テンプレートの結合アライメント誤差とテンプレートの面内アライメント誤差との差に基づいて、テンプレートの面外アライメント誤差を評価する工程と、テンプレートの面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程とを有する。
第２の一般的態様は、第１の一般的態様を含み、インプリントレジストを重合させて、テンプレートと接するポリマー層を生成し、テンプレートをポリマー層から分離して物品を得る。物品は、処理された基板または光学部品でありうる。
第１の一般的態様および第２の一般的態様の実施形態には、以下の１つ以上の特徴を含みうる。
テンプレートの面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程は、テンプレートの周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとの相対位置を調整する工程を含みうる。特に、テンプレートの周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとの相対位置を調整する工程は、基板に対してテンプレートを傾斜させる工程と、テンプレートと基板との間の距離を増加または減少させ、それによりテンプレートによって基板に加えられる力を増加または低減させる工程との少なくともいずれか一方を含みうる。
テンプレートの面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程は、テンプレートの中央アライメントマークと基板の対応する中央アライメントマークとに基づくテンプレートの中央領域の倍率誤差と、テンプレートの周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとに基づく周辺領域の倍率誤差とを比較する工程と、テンプレートの周辺領域の倍率誤差がテンプレートの中央領域の倍率誤差と実質的に等しくなるまで、テンプレートを基板に対して傾斜させ、または、テンプレートと基板との間の距離を増加または減少させる工程とを含みうる。テンプレートの面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程は、テンプレートによって基板に加えられる力に少なくとも部分的に起因する基板の面内の軸に対する基板の傾斜を補償するように、基板に対してテンプレートを傾斜させる工程を含みうる。
いくつかの実施形態では、テンプレートの面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整した後に、第１の一般的態様の位置決め、評価、および調整を少なくとも１回繰り返して、テンプレートの面外アライメント誤差を最小化する。
テンプレートの中央領域は、面外アライメント誤差を実質的に含まない。いくつかの実施形態は、テンプレートの面内アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程を含む。テンプレートの面内アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置を調整する工程は、テンプレートの中央アライメントマークと基板の対応する中央アライメントマークとの相対位置を調整する工程を含みうる。テンプレートの中央アライメントマークと基板の対応する中央アライメントマークとの相対位置を調整する工程は、テンプレートまたは基板の面内でテンプレートまたは基板をそれぞれ平行移動させる工程と、テンプレートまたは基板の面内でテンプレートまたは基板をそれぞれ回転させる工程と、テンプレートの反対側への圧縮力を増加または低減させる工程とを含みうる。
第３の一般的態様において、基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減するためのインプリントリソグラフィシステムは、テンプレートを保持するテンプレートチャックと、基板を保持する基板チャックと、基板チャックの位置に対するテンプレートチャックの位置を調整するインプリントヘッドと、インプリントヘッドと通信する制御部とを含む。制御部は、ａ）テンプレートの中央領域における中央アライメントマークと基板の上の対応する中央アライメントマークとの相対位置に基づいて、基板と接触しているテンプレートの面内アライメント誤差を評価し、ｂ）テンプレートの周辺領域における周辺アライメントマークと基板の上の対応する周辺アライメントマークとの相対的位置に基づいて、テンプレートの結合アライメント誤差を評価し、ここで、テンプレートの結合アライメント誤差は、テンプレートの面内アライメント誤差と面外アライメント誤差とを含み、ｃ）テンプレートの結合アライメント誤差とテンプレートの面内アライメント誤差との差を評価して、テンプレートの面外アライメント誤差を取得し、ｄ）テンプレートの面外アライメント誤差を低減するように、インプリントヘッドに信号を供給して基板チャックにおける基板の位置に対するテンプレートチャックにおけるテンプレートの位置を調整する。
第３の一般的態様の実施形態には、以下の１つ以上の特徴を含みうる。
制御部は、テンプレートを平行移動させるようにインプリントヘッドに信号を供給しうる。制御部は、テンプレートの面内における軸に関してテンプレートを傾斜させるようにインプリントヘッドに信号を供給しうる。制御部は、基板とテンプレートとの間の距離を増加または減少させるようにインプリントヘッドに信号を供給しうる。制御部は、ａ）〜ｄ）を繰り返してテンプレートの面外アライメント誤差を最小化するようにさらに構成されうる。
いくつかの実施形態では、システムは、テンプレートチャックに保持されたテンプレートの側面の圧縮力を調整する倍率アクチュエータを更に有し、制御部は、テンプレートの面内アラインメント誤差を低減するように倍率アクチュエータと通信して信号を供給する。
第４の一般的態様は、テンプレートの表面上の、テンプレートの中央領域に配置された中央アライメントマークと、テンプレートの表面上の、テンプレートの周辺領域に配置された周辺アライメントマークとを有するインプリントリソグラフィ用のテンプレートを含む。中央アライメントマークは、ポリゴンの角部を規定し、周辺アライメントマークの各々は、テンプレートの角部またはテンプレートインプリント領域の境界に近接して配置される。
第４の一般的態様の実施形態には、以下の１つ以上の特徴を含みうる。
中央アライメントマークは、長方形または平行四辺形のような四辺形の角を規定しうる。
本明細書に記載される一般的態様および実施形態の利点は、面内アライメント誤差および面外アライメント誤差のリアルタイムフィードバック制御によってインプリントリソグラフィにおけるアライメント誤差の高速かつ高精度な補正を行うことを含む。高速かつ高精度な補正によって、オーバーレイが改善されるだけでなく、インプリントされた基板の残膜厚の均一性も向上する。
本明細書に記載される主題の１つ以上の実施形態の詳細は、添付の図面および以下の説明で開示される。主題の他の潜在的な特徴、態様、および利点は、明細書、図面、および特許請求の範囲の記載から明らかになるであろう。
インプリントリソグラフィシステムの側面図。 図１の基板の側面図。 （ａ）は、基板上の重合性材料と接触するインプリントリソグラフィ用のテンプレートの側面図、（ｂ）および（ｃ）は、テンプレートによって基板に加えられる力によるインプリントリソグラフィ用のテンプレートの角部の面外変形を示す図。 基板上の重合性材料と接触するインプリントリソグラフィ用のテンプレートの側面図であって、基板に対するテンプレートの傾斜に起因するテンプレートの面外変形を示す図。 Ｘ−Ｙ平面に中央領域および周辺領域を有するインプリントリソグラフィ用のテンプレートの上面図。 Ｘ−Ｙ平面に中央領域および周辺領域を有するインプリントリソグラフィ用の基板（またはインプリントリソグラフィ用の基板の領域）の上面図。 インプリントリソグラフィ用の基板上に重ねられたインプリントリソグラフィ用のテンプレートの上面図であって、対応する中央アライメントマーク及び周辺アライメントマークの対のアライメント誤差を示す図。 力及び傾斜の誤差による変形を示すインプリントリソグラフィ用のテンプレートを示す図。 力及び傾斜の誤差による変形を示すインプリントリソグラフィ用のテンプレートを示す図。 力及び傾斜の誤差による変形を示すインプリントリソグラフィ用のテンプレートを示す図。 インプリントリソグラフィ用のテンプレートと基板との相対位置を調整するためのアライメントシステムを示す図。 インプリントリソグラフィ用のテンプレートの面外アライメント誤差を低減するための処理を示すフローチャート。
図１は、基板１０２の上にレリーフパターンを形成するインプリントリソグラフィシステム１００を示す。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されうる。いくつかの例では、基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック、または他の適切なチャックでありうる。例示的なチャックが米国特許第６，８７３，０８７号に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。基板１０２および基板チャック１０４は、ステージ１０６によってさらに支持されうる。ステージ１０６は、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸に関する動きを提供する。ステージ１０６、基板１０２、および基板チャック１０４は、ベース（図示せず）上に配置されうる。
いくつかの例では、テンプレート１０８は、テンプレート１０８から基板１０２に向かって延びるメサ１１０（モールド１１０）を含む。いくつかの例では、テンプレート１０８は、基板１０２から離間したインプリントリソグラフィ用のテンプレート１０８を含む。モールド１１０は、パターン面１１２を含む。テンプレート１０８および／またはモールド１１０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア、あるいはその他の適切な材料から作られているが、素材はこれらに限定されない。図示の例では、パターン面１２２は、離間した凹部１２４と凸部１２６とによって画定される複数のフィーチャを含む。ただし、いくつかの例では、フィーチャの他の構成も可能である。パターン面１１２は、基板１０２上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のパターンを画定することができる。
テンプレート１０８は、テンプレートチャック１２８に結合することができる。いくつかの例では、テンプレートチャック１２８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁チャック、あるいは任意の適切なチャックを含む。米国特許第６，８７３，０８７号に、例示的なチャックが記載されている。さらに、テンプレートチャック１２８は、テンプレートチャック１２８、インプリントヘッド１３０、またはその両方がテンプレート１０８の移動を容易にするようにインプリントヘッド１３０に結合されてもよい。テンプレート１０８の移動は、テンプレートの平面内における移動（面内移動）およびテンプレートに関してテンプレートの平面からの移動（面外移動）を含む。面内移動は、テンプレートの平面内（例えば、図１に示すようなＸ−Ｙ平面内）でのテンプレート１１８の平行移動、および、テンプレートの平面内（例えば、Ｘ−Ｙ平面内かつＺ軸周り）でのテンプレートの回転を含む。基板１０２に対するテンプレート１１８の平行移動または回転は、基板の並進または回転によって達成されてもよい。テンプレート１１８の面内移動はまた、テンプレートのＸ−Ｙ平面におけるテンプレートの寸法を増減するために、テンプレートの反対側の（例えば、倍率アクチュエータを用いて）圧縮力を増加または低減させることを含む。テンプレート１１８の面外移動は、（例えば、テンプレートと基板との間の距離を増加または減少させることによってテンプレートを介して基板に加えられる力を増加または低減させるために）Ｚ軸に沿ったテンプレートの平行移動と、テンプレートのＸ−Ｙ平面内の軸周りのテンプレートの回転を含む。テンプレートのＸ−Ｙ平面内の軸周りのテンプレート１１８の回転は、テンプレート１１８のＸ−Ｙ平面と基板１０２のＸ−Ｙ平面との間の角度を変化させることであり、これは、ここでは基板に対してテンプレートを「傾斜させる」、あるいは、基板に対するテンプレートの「傾斜」または「傾斜角」を変更するという。米国特許第８，３８７，４８２号は、インプリントリソグラフィシステムにおけるインプリントヘッドを介したテンプレートの移動を開示しており、参照により本明細書に組み込まれる。
インプリントリソグラフィシステム１００は、液体供給装置１３２をさらに含み得る。液体供給装置１３２は、基板１０２上に重合性材料１３４を蒸着させるために使用されうる。重合性材料１３４は、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着、あるいはその他の適切な方法を用いて蒸着させることができる。いくつかの例では、重合性材料１３４は、所望の体積がモールド１１０と基板１０２との間に画定される前または後に基板１０２上に配置される。重合性材料１３４は、米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されているように、モノマーを含みうる。両文献は参照により本明細書に組み込まれる。いくつかの例では、重合性材料１３４は、複数の液滴１３６として基板１０２上に配置される。
図１および図２を参照すると、インプリントリソグラフィシステム１００は、経路１４２に沿って直接エネルギー１４０に結合されたエネルギー源１３８をさらに含むことができる。いくつかの例では、インプリントヘッド１３０およびステージ１０６は、経路１４２に関してテンプレート１０８と基板１０２とが重なり合うように位置決めを行う。インプリントリソグラフィシステム１１０は、ステージ１０６、インプリントヘッド１３０、液体供給装置１３２、エネルギー源１３８、またはそれらの任意の組み合わせと通信する制御部１４４によって調整され、また、メモリ１４６に格納されたコンピュータ読み取り可能なプログラムを実行することができる。
いくつかの例では、インプリントヘッド１３０、ステージ１０６、またはその両方は、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させて、それらの間に重合性材料１３４によって充填される所望の体積を規定する。例えば、インプリントヘッド１３０は、モールド１１０が重合性材料１３４に接触するように、テンプレート１０８に力を加える。所望の体積が重合性材料１３４によって充填された後、エネルギー源１３８は、広帯域紫外線などのエネルギー１４０を生成して重合性材料１３４を重合させ、基板１０２の表面１４８およびパターン面１２２の形状に一致する基板１０２上のポリマーパターン化層１５０を画定する。いくつかの例では、パターン化層１５０は、残膜１５２と、凸部１５４および凹部１５６で示されるような複数のフィーチャとを含む。凸部１５４は厚さｔ１を有し、残膜１５２は、厚さｔ２を有する。
上述のシステムおよびプロセスは、米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開第２００４／０１８８３８１号、および米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号におけるインプリントリソグラフィ処理およびシステムにおいて実施されうるものであり、これらの文献は全て参照により本明細書に組み込まれる。
インプリントリソグラフィ用の基板およびテンプレートは、テンプレートと基板とのリアルタイムアライメントを可能にする、対応する対のアライメントマークを含みうる。パターン化されたテンプレートが基板の上に位置した（例えば、基板上に重ね合わせられる）後、基板アライメントマークに対するテンプレートアライメントマークのアライメントが決定される。アライメント方法は、米国特許に開示されているように、対応するアライメントマークの対に関連するアライメント誤差のＴＴＭ（through the mask）測定と、それに続くそれらの誤差の補償を含み、これによりテンプレートと基板上の所望のインプリント位置との高精度な位置合わせを実現している。この技術は、米国特許第６，９１６，５８５号、米国特許第７，１７０，５８９号、米国特許第７，２９８，４５６号、米国特許第７，４２０，６５４号に記載されており、これらの文献は全て参照により本明細書に組み込まれる。アライメント誤差は、基板とテンプレートの相対的な位置、基板またはテンプレートの変形、またはそれらの組み合わせによって生じうる。
面内アライメント誤差は、配置誤差、回転誤差、倍率誤差、スキュー誤差、テンプレート歪み誤差、またはそれらの組み合わせによって生じうる。配置誤差は、一般に、テンプレートと基板との間のＸ−Ｙ位置の誤差（すなわち、Ｘ軸、Ｙ軸、またはその両方に沿った平行移動、ただし、Ｘ軸およびＹ軸は、図１に示すように、テンプレートまたは基板のインプリント面の平面内またはインプリント面と平行）をいう。回転（またはθ）誤差は、一般に、Ｚ軸周りの相対的な方向の誤差（すなわち、Ｚ軸周りの回転、ただし、Ｚ軸は、図１に示すようにＸ−Ｙ平面に直交）をいう。倍率誤差は、テンプレート上の元のパターン化領域と比較して、インプリントされた領域の熱的、光学的または材料による収縮または膨張を一般的に指す。スキュー誤差は、一般に、テンプレートの辺が直交しないような、基板に対するテンプレートの歪みをいう。テンプレート歪み誤差は、一般に、テンプレートが基板に対して台形または高次の多角形歪みを有するような、テンプレートの第１の部分に対するテンプレートの第２の部分の倍率を含む。
テンプレートアライメントマークと対応する基板アライメントマークとがＸ−Ｙ平面内でオフセットされた配置誤差は、テンプレートと基板との相対的な動きによって補償されうる（例えば、Ｘ−Ｙ平面内で、基板、テンプレート、またはその両方の移動を制御することによって）。回転誤差は、Ｘ−Ｙ平面におけるテンプレートおよび基板の相対的な角度を変更することによって補償されうる（例えば、基板、テンプレート、またはその両方の回転によって）。倍率誤差およびテンプレート歪み誤差は、Ｘ−Ｙ平面におけるテンプレートの物理的寸法を変更することによって補償されうる（例えば、テンプレートの反対側への圧縮力を増加または低減させることによって）。
面外アライメント誤差は、テンプレートの曲げの結果として現れる力の誤差および「傾き」誤差によって引き起こされうる。力の誤差は、図３を参照することにより理解されよう。図３（ａ）は、テンプレート１０８が基板１０２上の重合性材料１３４と接触しているところを示している。垂直矢印は、インプリントヘッドからテンプレートにかける力を示している。その力がテンプレート１０８の角部３００で低すぎると、図３（ｂ）に示すように、テンプレートの表面と基板１０２の表面との間の距離が、テンプレートの中央領域３０２における距離よりも大きくなるようにテンプレートが曲がる。力がテンプレート１０８の角部３００で高すぎると、図３（ｃ）に示すように、テンプレートの表面と基板１０２の表面との間の距離が、テンプレートの中央領域３０２における距離よりも小さくなるように、テンプレートが曲がる。
６４ｍｍＤコアアウトを有する厚さ１．１ｍｍの溶融シリカテンプレートの場合、１Ｎのインプリント力は、典型的には、テンプレートの周辺領域（例えば、角部）のアライメントマークを約１０ｎｍ変形させる。テンプレートによって基板に及ぼす力を増加または低減させることは、インプリントヘッドによりテンプレートをＺ軸に沿って移動させて基板とテンプレートとの間の距離を減少または増加させることによって達成することができる。
「傾き」誤差は、一般に、テンプレートのＸ−Ｙ平面における軸の周りのテンプレートの回転に少なくとも部分的に起因する周辺領域（例えば角部）におけるテンプレートの屈曲をいう。図４は、テンプレート１０８が基板１０２上の重合性材料１３４と接触しているところを示しており、テンプレートは角部４００で基板１０２に向かって回転または「傾斜」されている。テンプレート１０８がテンプレートのＸ−Ｙ平面内の軸の周りを回転（または「傾斜」）すると、テンプレートは角部４００および４０２で曲がる。図４に示すように、角部４００と基板１０２との間の距離は、テンプレートの中央領域４０４におけるテンプレート１０８と基板１０２との間の距離よりも小さくなり、角部４０２と基板との間の距離は、テンプレートの中央領域におけるテンプレートと基板との間の距離よりも大きくなる。
面外変形、特に、モールドの角部におけるアライメントマークに基づくＴＴＭ（through the mask）アライメントシステムによって検出され解析されたときにテンプレートの角部における力誤差によって引き起こされる面外変形は、見かけ上の領域倍率（すなわち、面内変形）として現れる。この変形は、オーバーレイを劣化させることに加え、倍率アクチュエータのリアルタイム調整のための特定のアライメントマークの使用を妨げる。これは、テンプレートによって基板にかかるＺ方向の力による見かけ上の倍率を面内方向の倍率と区別することが困難なためである。インプリント力に加え、Ｘ方向およびＹ方向の領域の傾きは、オーバーレイにも影響する。
インプリント領域の異なる位置のアライメントマークは、インプリント力およびエアキャビティ圧力に対して異なる感度を有する。テンプレートの周辺領域のアライメントマークおよびテンプレートの中央領域のアライメントマークは、実質的に同じ大きさの面内アライメント誤差を被りうる。テンプレートの周辺領域（例えば、テンプレートの角部）のアライメントマークは、テンプレートの中央領域内のアライメントマークよりも大きな面外アライメント誤差を受ける可能性がある。ある場合には、テンプレートの中央領域のアライメントマークは、面外アライメント誤差を実質的に含まない。アライメントマークを、面外アライメント誤差を受けるアライメントマークと面外アライメント誤差を実質的に含まないアライメントマークとにグルーピングすることにより、リアルタイムのフィードバック処理において、面内アライメント誤差およびそれに伴う補正を、面外アライメント誤差およびそれに伴う補正から分離することができる。
図５は、テンプレートのＸ−Ｙ平面におけるナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート５００を示す。テンプレート５００は、周辺アライメントマーク５０４を有する周辺領域５０２と、中央アライメントマーク５０８を有する中央領域５０６とを有する。いくつかの実施例では、周辺領域５０２は、テンプレートのインプリント領域の境界において数ｃｍ（例えば、２ｃｍまで、または、４ｃｍまで）でありうる。アライメントマークは、米国特許第７，８８０，８７２号（参照により本明細書に組み込まれる）に記載されているように、典型的には、格子、チェッカーボードマーク、あるいはテンプレートの表面に形成されたその他の適切な印を含む。いくつかの例では、アライメントマークは、約１００μｍ、約５０μｍ、またはそれ以下の長さまたは幅を有する。
中央領域５０６は、通常、面内アライメント誤差の影響を受け、典型的には、インプリント処理における面外アライメント誤差または面外変形は実質的にない。周辺領域５０２は、典型的には、インプリント処理における面内アライメント誤差および面外アライメント誤差または面外変形の組み合わせを受ける。本明細書で使用される場合、「複合変形（combined deformation）」は、一般に、面内アライメント誤差と面外アライメント誤差との組み合わせをいう。
テンプレート５００の周辺領域５０２における周辺アライメントマーク５０４の数は、少なくとも４つである。周辺アライメントマーク５０４は、テンプレート５００の角部５１０またはエッジ５１２に近接しうる。中央アライメントマーク５０８の数は、少なくとも４つである。いくつかの実施形態では、いくつかの周辺アライメントマーク５０４または中央アライメントマーク５０８は、８，１０，１２，１４，１６，１８，２０、またはそれ以上である。中央アラインメントマーク５０８は、四辺形（例えば、矩形または平行四辺形）などの多角形の角を規定してもよい。ただし、中央アライメントマークの他の対称または非対称の配置を適切に実施しうる。
相補的な基板の対応するアラインメントマークは、基板の各インプリント領域に配置され、基板周辺アライメントマークは、テンプレートインプリント領域の角部または境界に近接して配置される。図６は、基板のインプリント領域６００を示す。インプリント領域６００は、周辺アライメントマーク６０４を有する周辺領域６０２と、中央アライメントマーク６０８を有する中央領域６０６とを有する。基板の周辺アライメントマーク６０４の各々は、テンプレート５００の周辺アライメントマーク５０４の１つに対応し、中央アライメントマーク６０８の各々は、テンプレートの中央アライメントマーク５０８の１つに対応する。周辺アライメントマーク６０４は、基板６００の角部６１０またはエッジ６１２に近接しうる。
図示のように、周辺領域５０２および周辺領域６０２は、テンプレート５００のエッジ５１２およびインプリント領域６００のエッジ６１２に近接する連続的な境界を形成する。境界は、一定の幅または可変の幅を有することができる。一例では、テンプレート５００またはインプリント領域６００の角部における境界の幅は、テンプレートまたはインプリント領域の直線エッジに沿った境界の幅を超える。ある場合には、周辺領域５０２および６０２は、それぞれ不連続領域がテンプレートまたは基板の角部をそれぞれ含む複数の不連続領域を含む。
テンプレートの面内アライメント誤差は、テンプレートが基板上に重ね合わされたときに、テンプレートの中央アライメントマークの各々と基板の対応する中央アライメントマークとの相対位置に基づいて評価される。図７は、基板の一部と重ね合わされたテンプレートの一部の上面図を示す。中央アライメントマーク７０１，７０１’，７０２，７０２’、および、周辺アライメントマーク７０３，７０３’，７０４，７０４’は、テンプレートを通して見ることができる。テンプレートのＸ−Ｙ平面における、対応する中央アライメントマーク対のアライメント誤差および対応する周辺アライメントマーク対のアライメント誤差は、対応するアライメントマークの第ｎ対の（ｄｘｎ、ｄｙｎ）として表される。ベクトル７０５は、アライメント誤差の方向および大きさを示す。内側の中央アライメントマーク７０１と中央アライメントマーク７０２との間の距離は、Ｘ軸の方向にＬｃとして示されている。Ｌｃは、テンプレートまたは基板に基づいて測定することができる。
対応する一対の中央アライメントマークにおいて測定されたアライメント誤差から、それぞれＸ軸およびＹ軸に沿った並進ｘおよびｙを含む面内アライメント誤差、Ｘ−Ｙ平面におけるＺ軸周りの回転θ、および、Ｘ軸に沿う倍率が、式（１）〜（３）に示すように計算されうる。
(Δx, Δy) = [(dx1+dx2)/2, (dy1+dy2)/2] (1)
Δθ = (dy1-dy2)/Lc (2)
Δmag = (dx1-dx2)/Lc (3)
同様の処理において、テンプレートの各周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとの相対位置に基づいて、結合アライメント誤差（面内アライメント誤差および面外アライメント誤差）が評価される。テンプレートの中央領域には、通常、面外の位置合わせ誤差はない。このように、面外アライメント誤差は、結合アライメント誤差から面内変形を線形に除去することによって評価することができる。図７に示されるように、Ｌｐは、テンプレートの面内のＸ軸方向の周辺アライメントマーク７０３’と周辺アライメントマーク７０４’との間の距離であり、ｈ／２は、Ｙ方向における領域の中央から周辺マークまでの距離である。式（４）および（５）に示すように、面外アライメント誤差(dx3o, dy3o)および(dx4o, dy4o)を計算することができる。
(dx3o, dy3o) = (dx3, dy3) - [(Δx, Δy) - Δθ (h, Lp)/2] (4)
(dx4o, dy4o) = (dx4, dy4) - [(Δx, Δy) - Δθ (h, Lp)/2] (5)
面内アライメント誤差(dx3, dy3)および(dx4, dy4)の減算後、周辺アライメント誤差(dx3o, dy3o)および(dx4o, dy4o)の大部分または全ては、テンプレートの面外アライメント誤差または面外変形を含む。
面内アライメント誤差、面外アライメント誤差、またはその両方を低減するように、テンプレートと基板との相対位置が調整されうる。一例では、第１の調整または一連の調整によって、面内アライメント誤差が低減するようにテンプレートと基板との相対位置が調整され、第２の調整または一連の調整によって、面外アライメント誤差を低減するようにテンプレートと基板との相対位置が調整される。別の例では、第１の調整または一連の調整によって、面外アライメント誤差が低減するようにテンプレートと基板との相対位置が調整され、第２の調整または一連の調整によって、面内アライメント誤差が低減するようにテンプレートと基板との相対位置が調整される。従って、中央領域及び周辺領域からのアライメントデータは、面内アライメント誤差及び面外アライメント誤差を独立に補正するためのフィードバック信号として使用することができる。
図８Ａ〜図８Ｃは、シミュレーションモデル（例えば、有限要素解析）から推定されたインプリント力、エアキャビティ、および傾き誤差によって生じるナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの変形を示す。これらの歪みは、インプリント処理中に補償されない限り、インプリントされた基板に存在する。
図８Ａは、１Ｎのインプリント力に起因する中央アライメントマーク８０４および周辺アライメントマーク８０８を有するナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート８００の変形を示す。ここで、テンプレートは、厚さ１．１ｍｍの石英ガラスで作られ、２６ｍｍ×３３ｍｍの領域サイズを有する。テンプレートの６４ｍｍ円形部分および１．１ｍｍ厚み部分は、厚さ約６ｍｍの半導体標準マスクガラスで囲まれている。テンプレート８００のＸ−Ｙ平面が示され、Ｚ方向はＸ−Ｙ平面に直交する。ベクトル８１０は、１Ｎのインプリント力によって引き起こされる変形の方向および大きさを示す。ベクトル８１０の長さからわかるように、中央アライメントマーク８０４よりも周辺アライメントマーク８０８に多くの変形がある。図８Ｂは、テンプレートの平面内のＹ軸周りの１μｒａｄの傾斜（回転）によるナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート８００の変形を示す。図８Ｃは、テンプレートの平面内のＸ軸周りの１μｒａｄの傾斜に起因するナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート８００の変形を示す。
面内アライメント誤差を低減するためにテンプレートと基板との相対位置を調整することは、テンプレートの中央アライメントマークと基板の対応する中央アライメントマークとの相対位置を調整することを含む。面内アライメント誤差は、第１に、対応するアライメントマーク対のそれぞれにおけるｘおよびｙにおけるアライメント誤差の大きさおよび方向を評価することによって低減されうる。第２に、これらの測定値は、配置誤差、回転誤差、倍率誤差、歪み誤差、およびテンプレートの台形歪みまたは高次歪みに変換することができる。第３に、基板ステージおよび倍率アクチュエータは、修正移動または修正力を生成することができる。対応する面内平行移動、面内回転、面内倍率または他の面内力調整、またはそれらの組み合わせを計算して、対応する一対の中央アライメントマークを許容可能な相対位置（例えば、所定のバイアス）を用いて、評価されたアライメント誤差を補償し、それによって中央アライメントマークの全体的なアライメントを低減する。これらの補正関数の典型的な制御分解能は、位置制御に対して１ｎｍ未満である。したがって、評価されたアライメント誤差は、面内アライメント誤差を低減するために、テンプレートおよび基板の相対的な面内移動のためのフィードバック信号として使用することができる。
面外アライメント誤差を低減するためにテンプレートと基板との相対位置を調整することは、テンプレートの周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとの相対位置を調整して、周辺部の全体的なアライメント誤差を低減することを含む。面外アライメント誤差は、Ｘ−Ｙ平面内の傾き誤差の大きさと方向とＸ−Ｙ平面に直交する力誤差を評価し、次に対応する傾き方向と角度、テンプレートと対応する一対の周辺アライメントマークを許容可能な相対位置（例えば、所定のバイアス）にすることにより、周辺アライメントマークの全体的な変形を低減することができる。これらの補正関数の典型的な制御分解能は、位置制御に対して１ｎｍ未満であり、力制御に対して０．０５Ｎ未満である。したがって、周辺アライメントマークにおける面内計測（すなわち、Ｘ−Ｙ平面内でのテンプレートの相対変位）をフィードバック信号として使用して、Ｚ方向の力誤差および基板のＸ−Ｙ平面に関するテンプレートのＸ−Ｙ平面の傾きを制御することができる。 一実施形態では、Ｘ−Ｙ平面における倍率誤差は、周辺アライメントマークおよび中央アライメントマークから独立して計算され、周辺アライメントマーク及び中央アライメントマークの倍率誤差が実質的に同じになるまで、テンプレートの傾斜角およびテンプレート間の距離のうちの少なくとも１つが調整されうる。周辺アライメントマークの倍率誤差および中央アライメントマークの倍率誤差が実質的に同じである場合、面外アライメント誤差は効果的に除去されている。
図９は、評価された面内変形および面外変形に基づいてテンプレートと基板との相対位置を調整するためのアライメントシステム９００を示す。一実施形態では、アライメントシステム９００は、アライメント誤差の測定のための光学システム９０２、誤差変換システム９０４、制御部システム９０６、およびアクチュエータシステム９０８を含む。誤差変換システム９０４は、アライメント誤差測定値を、図１に示したようなインプリントリソグラフィシステムの制御パラメータに変換する。典型的には、変換は、テンプレートおよび基板の幾何学的側面に基づく。光学システム９０２は、周辺アライメント誤差を評価するための周辺ＴＴＭシステム９１０と、中央アライメント誤差を評価するための中央ＴＴＭシステム９１２とを含む。誤差変換システム９０４は、面内アライメント補正用の面内変換器９１４と、面外アライメント補正用の面外変換器９１６とを含む。制御部システム９０６は、ステージ制御部９１８、面内倍率制御部９２０、およびインプリントヘッド制御部９２２を含む。アクチュエータシステム９０８は、ステージ９２４、倍率ユニット９２６、およびインプリントヘッド９２８を含む。ステージ制御部９１８は、Ｘ−Ｙ平面におけるＸ−Ｙ移動または回転を制御する。アクチュエータシステム９０８のステージ９２４を介して、テンプレートまたは基板を制御する。面内倍率制御部９２０は、アクチュエータシステム９０８の倍率ユニット９２６を介して、テンプレートのＸ−Ｙ平面内のテンプレートの圧縮力を制御する。インプリントヘッド９２８は、テンプレートと基板との間の距離および基板に対するテンプレートの傾きを含む、テンプレートの面外移動を制御する。光学システム９０２によって評価されたアライメント誤差、および評価されたアライメント誤差の誤差変換システム９０２によるテンプレートおよび／または基板の修正位置または動きへの変換に基づいて、制御部システム９０６は、アクチュエータシステム９０８に信号を提供し、テンプレートと基板との相対位置を調整する。面内アライメント誤差の補正には、テンプレート平面内の直交軸（Ｘ、Ｙ）、テンプレート平面の直交軸まわりの回転（θ）、またはその両方に関するテンプレートの平行移動が含まれる。面外アライメント誤差の補正には、テンプレートのＺ軸に沿った平行移動と、テンプレート平面内の軸周りのテンプレートの回転が含まれる。
周辺アライメントマークで測定されたアライメント誤差は、力および傾斜の補正値に線形に対応する。したがって、他の機械的な要因または電気ノイズからの寄与を考慮することなく、面外アライメント誤差の補正を行うことができる。この種の端点検出は、倍率の非線形性を含むほとんどまたは全く遅延のない誤差源を効果的に捕捉し、力センサの必要性を減らし、インプリントヘッドの較正要件を高精度にする。本明細書に記載の方法は、テンプレートの面外変形に関連する残膜厚の不均一性を低減するために、レジスト液滴の位置および体積の最適化を知らせるためにも使用することができる。
本明細書で説明するように、８つのアライメントマーク（４つの中央アライメントマーク、４つの周辺アライメントマーク）を有するテンプレートは、対応するアライメントマーク対を配置するための８つの光学センサを有するインプリントリソグラフィシステムと共に使用することができる。より一般的には、光学センサの数が増えると、多数のアライメントマークをリアルタイムで追跡することができるようにアライメントマークの数を増やすことが可能になる。例えば、インプリント力によって変化する高次オーバーレイ項は、Ｚ軸に沿ってテンプレートと基板との間の距離を最適化するためのフィードバック信号として使用することができる。
図１０は、基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減するためのインプリントリソグラフィの処理１０００における動作のフローチャートである。処理１０００は、論理フローチャートに配置された参照動作の集合として示されている。行為が記述される順序は、限定として解釈されることを意図するものではなく、記載された任意の数の行為を、処理を実施するために別の順序または並列で組み合わせることができる。１００２において、インプリントレジストが基板（例えば、基板のインプリント領域）上に配置される。１００４において、インプリントレジストがテンプレートと接触する。このテンプレートは、テンプレートの周辺領域に周辺アライメントマークを含み、テンプレートの中央領域に中央アライメントマークを含む。基板は、テンプレートの周辺アライメントマークに対応する周辺アライメントマークと、テンプレートの中央アライメントマークに対応する中央アライメントマークとを含む。１００６において、各中央アライメントマークが、基板の対応する各中央アライメントマークに対して位置決めされる。１００８において、各周辺アライメントマークが、基板の対応する周辺アライメントマークに対して位置決めされる。１０１０において、テンプレートの面内アライメント誤差が、テンプレートの各中央アライメントマークと基板のそれぞれ対応する中央アライメントマークとの相対位置に基づいて評価される。１０１２では、テンプレートの各周辺アライメントマークと基板の対応する周辺アライメントマークとの相対位置に基づいて、結合アライメント誤差（面内および面外）が評価される。１０１４において、テンプレートの面外アライメント誤差が、テンプレートの結合アライメント誤差とテンプレートの面内アライメント誤差との差に基づいて評価される。１０１６において、テンプレートの面外アライメント誤差が低減されるようにテンプレートと基板との相対位置が調整される。
物品を製造するためのインプリントリソグラフィ方法は、処理１０００における工程１００２〜１０１６を含み、インプリントレジストをテンプレートと接触させ重合させてポリマー層を生成し、テンプレートをポリマー層から分離して物品を得る。いくつかの例では、物品は、処理された基板または光学部品である。
以上では、複数の実施形態を説明したが、本開示の主旨および範囲から逸脱することなく、さまざまな変更が可能であることは理解されよう。したがって、他の実施形態も添付の特許請求の範囲内にある。

Claims (19)

  1. 基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法であって、
    ａ）前記基板の上にインプリントレジストを配置する工程と、
    ｂ）前記インプリントレジストを前記テンプレートと接触させる工程と、
    ここで、前記テンプレートは、該テンプレートの周辺領域に周辺アライメントマークを含み、該テンプレートの中央領域に中央アライメントマークを含み、
    前記基板は、前記テンプレートの前記周辺アライメントマークに対応する周辺アライメントマークと、前記テンプレートの前記中央アライメントマークに対応する中央アライメントマークとを含み、
    ｃ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々を、前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々に対して位置決めする工程と、
    ｄ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々を、前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々に対して位置決めする工程と、
    ｅ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々との相対位置に基づいて前記テンプレートの面内アライメント誤差を評価する工程と、
    ｆ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々との相対位置に基づいて前記テンプレートの結合アライメント誤差を評価する工程と、ここで、前記テンプレートの前記結合アライメント誤差は、前記テンプレートの前記面内アライメント誤差と前記テンプレートの面外アライメント誤差とを含み、
    ｇ）前記テンプレートの前記結合アライメント誤差と前記テンプレートの前記面内アライメント誤差との差に基づいて、前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を評価する工程と、
    ｈ）前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との相対位置を調整する工程と、
    を有することを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
  2. 前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整する工程は、前記テンプレートの前記周辺アライメントマークと前記基板の対応する前記周辺アライメントマークとの相対位置を調整する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  3. 前記テンプレートの前記周辺アライメントマークと前記基板の対応する前記周辺アライメントマークとの前記相対位置を調整する工程は、
    前記基板に対して前記テンプレートを傾斜させる工程と、
    前記テンプレートと前記基板との間の距離を増加または減少させ、それにより前記テンプレートによって前記基板に加えられる力を増加または低減させる工程と、
    の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする請求項２に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  4. 前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整する工程は、
    前記テンプレートの前記中央アライメントマークと前記基板の対応する前記中央アライメントマークとに基づく前記テンプレートの前記中央領域と倍率誤差と、前記テンプレートの前記周辺アライメントマークと前記基板の対応する周辺アライメントマークとに基づく前記周辺領域の倍率誤差と比較する工程と、
    前記テンプレートの前記周辺領域の前記倍率誤差が前記テンプレートの前記中央領域の前記倍率誤差と実質的に等しくなるまで、前記テンプレートを前記基板に対して傾斜させ、または、前記テンプレートと前記基板との間の距離を増加もしくは減少させる工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  5. 前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整する工程は、前記テンプレートによって前記基板に加えられる力に少なくとも部分的に起因する前記基板の面内の軸に対する前記基板の傾斜を補償するように、前記基板に対して前記テンプレートを傾斜させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  6. 前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整した後に、工程ｃ）からｈ）を繰り返して前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を最小化する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  7. 前記テンプレートの前記面内アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  8. 前記テンプレートの前記中央領域は、前記面外アライメント誤差を実質的に含まないことを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  9. 前記テンプレートの前記面内アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との前記相対位置を調整する工程は、前記テンプレートの前記中央アライメントマークと前記基板の対応する前記中央アライメントマークとの相対位置を調整する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  10. 前記テンプレートの前記中央アライメントマークと前記基板の対応する前記中央アライメントマークとの前記相対位置を調整する工程は、
    前記テンプレートまたは前記基板の面内で前記テンプレートまたは前記基板をそれぞれ平行移動させる工程と、
    前記テンプレートまたは前記基板の面内で前記テンプレートまたは前記基板をそれぞれ回転させる工程と、
    前記テンプレートの反対側への圧縮力を増加または低減させる工程と、
    を含むことを特徴とする請求項９に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  11. 基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減するためのインプリントリソグラフィシステムであって、
    テンプレートを保持するテンプレートチャックと、
    基板を保持する基板チャックと、
    前記基板チャックの位置に対する前記テンプレートチャックの位置を調整するインプリントヘッドと、
    前記インプリントヘッドと通信する制御部と、
    を有し、前記制御部は、
    ａ）前記テンプレートの中央領域における中央アライメントマークと前記基板の上の対応する中央アライメントマークとの相対位置に基づいて、前記基板と接触している前記テンプレートの面内アライメント誤差を評価し、
    ｂ）前記テンプレートの周辺領域における周辺アライメントマークと前記基板の上の対応する周辺アライメントマークとの相対位置に基づいて、前記テンプレートの結合アライメント誤差を評価し、ここで、前記テンプレートの前記結合アライメント誤差は、前記テンプレートの面内アライメント誤差と面外アライメント誤差とを含み、
    ｃ）前記テンプレートの前記結合アライメント誤差と前記テンプレートの前記面内アライメント誤差との差を評価して、前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を取得し、
    ｄ）前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように、前記インプリントヘッドに信号を供給して前記基板チャックにおける基板の位置に対する前記テンプレートチャックにおけるテンプレートの位置を調整する
    ことを特徴とするインプリントリソグラフィシステム。
  12. 前記制御部は、前記テンプレートを平行移動させるように前記インプリントヘッドに前記信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載のインプリントリソグラフィシステム。
  13. 前記制御部は、前記テンプレートの面内における軸に関して前記テンプレートを傾斜させるように前記インプリントヘッドに前記信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載のインプリントリソグラフィシステム。
  14. 前記制御部は、前記基板と前記テンプレートとの間の距離を増加または減少させるように前記インプリントヘッドに前記信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載のインプリントリソグラフィシステム。
  15. 前記テンプレートチャックに保持されたテンプレートの側面の圧縮力を調整する倍率アクチュエータを更に有し、前記制御部は、前記テンプレートの前記面内アライメント誤差を低減するように前記倍率アクチュエータと通信して信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載のインプリントリソグラフィシステム。
  16. 前記制御部は、前記ａ）からｄ）の処理を繰り返して前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を最小化することを特徴とする請求項１１に記載のインプリントリソグラフィシステム。
  17. 物品を製造するためのインプリントリソグラフィ方法であって、
    ａ）基板の上にインプリントレジストを配置する工程と、
    ｂ）前記インプリントレジストをテンプレートと接触させる工程と、ここで、前記テンプレートは、該テンプレートの周辺領域に周辺アライメントマークを含み、該テンプレートの中央領域に中央アライメントマークを含み、前記基板は、前記テンプレートの前記周辺アライメントマークに対応する周辺アライメントマークと、前記テンプレートの前記中央アライメントマークに対応する中央アライメントマークとを含み、
    ｃ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々を、前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々に対して位置決めする工程と、
    ｄ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々を、前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々に対して位置決めする工程と、
    ｅ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々との相対位置に基づいて前記テンプレートの面内アライメント誤差を評価する工程と、
    ｆ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々との相対位置に基づいて前記テンプレートの結合アライメント誤差を評価する工程と、ここで、前記テンプレートの前記結合アライメント誤差は、前記テンプレートの前記面内アライメント誤差と前記テンプレートの面外アライメント誤差とを含み、
    ｇ）前記テンプレートの前記結合アライメント誤差と前記テンプレートの前記面内アライメント誤差との差に基づいて、前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を評価する工程と、
    ｈ）前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との相対位置を調整する工程と、
    ｉ）前記インプリントレジストを重合させて、前記テンプレートと接するポリマー層を生成する工程と、
    ｊ）前記テンプレートを前記ポリマー層から分離して前記物品を得る工程と、
    を有することを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
  18. 基板に対するインプリントリソグラフィ用のテンプレートのアライメント誤差を低減するためのインプリントリソグラフィ方法であって、
    ａ）前記基板の上にインプリントレジストを配置する工程と、
    ｂ）前記インプリントレジストを前記テンプレートと接触させる工程と、
    ここで、前記テンプレートは、該テンプレートの周辺領域に周辺アライメントマークを含み、該テンプレートの中央領域に中央アライメントマークを含み、
    前記基板は、前記テンプレートの前記周辺アライメントマークに対応する周辺アライメントマークと、前記テンプレートの前記中央アライメントマークに対応する中央アライメントマークとを含み、
    ｃ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々との相対位置を測定する工程と、
    ｄ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々との相対位置を測定する工程と、
    ｅ）前記テンプレートの前記中央アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記中央アライメントマークの各々との前記相対位置に基づいて前記テンプレートの面内アライメント誤差を評価する工程と、
    ｆ）前記テンプレートの前記周辺アライメントマークの各々と前記基板の対応する前記周辺アライメントマークの各々との前記相対位置に基づいて前記テンプレートの結合アライメント誤差を評価する工程と、ここで、前記テンプレートの前記結合アライメント誤差は、前記テンプレートの前記面内アライメント誤差と前記テンプレートの面外アライメント誤差とを含み、
    ｇ）前記テンプレートの前記結合アライメント誤差と前記テンプレートの前記面内アライメント誤差との差に基づいて、前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を評価する工程と、
    ｈ）前記テンプレートの前記面外アライメント誤差を低減するように前記テンプレートと前記基板との相対位置を調整する工程と、
    を有することを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。
  19. 前記周辺領域は、前記テンプレートのインプリント領域の境界から所定の距離までの領域であることを特徴とする請求項１乃至１０、１７および１８のうちいずれか１項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
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